TWI699837B

TWI699837B - 多晶粒選取方法

Info

Publication number: TWI699837B
Application number: TW107143327A
Authority: TW
Inventors: 莊文彬; 陳建發
Original assignee: 旺矽科技股份有限公司
Priority date: 2017-12-20
Filing date: 2018-12-03
Publication date: 2020-07-21
Also published as: TW201941320A

Abstract

一種多晶粒選取方法，係先對一黏附有複數晶粒之待選取膠膜定義一包含複數該晶粒之選取範圍，再挑除選取範圍周圍的晶粒，使得該選取範圍受一晶粒挑除後所形成之分隔道圍繞，再利用一頂推座頂推該待選取膠膜之一對應該選取範圍之區塊，而將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一附著面；藉此，本發明能藉由簡便的構造及步驟同時選取多個晶粒而產生良好效率並避免影響未選取之晶粒。

Description

多晶粒選取方法

本發明係與晶粒選取製程有關，特別是關於一種可同時選取多個晶粒之多晶粒選取方法。

對於半導體晶粒或者發光二極體晶粒，在壞晶（bad die）選取或分類選取製程中，晶圓（wafer）係先黏貼於俗稱藍膜（blue tape）的軟性薄膜上，再被切割成多數晶粒（die）。然後，就壞晶選取作業而言，可利用影像擷取裝置（例如CCD camera）檢測晶粒外觀而進行晶粒良莠判斷及位置確認，再將不良品自軟性薄膜上挑除；就晶粒分類選取作業而言，可利用影像擷取裝置對已經分類的晶粒進行位置確認，並利用一取放裝置（例如取放擺臂）將該等晶粒依據其規格或等級分別取下並分類放置。

不論是晶圓已切割成晶粒但晶粒尚未分類的階段，或者是晶粒已分類但尚未揀取至分類放置處或其他預定位置的階段，都可能會需要進行大量轉移晶粒之程序，亦即利用取放裝置將晶粒自原本的軟性薄膜上移動至預定放置處（例如另一軟性薄膜上），以利用此晶粒轉移程序將晶粒分類放置，或者轉移後再進行後續製程。

請參閱我國專利編號I581022，習用之晶粒選取方法係利用一頂推座在軟性薄膜下方將晶粒往上頂推，再利用一設有真空吸嘴的擺臂在軟性薄膜上方吸取晶粒再藉由擺動而將晶粒移動至另一軟性薄膜上。為了使真空吸嘴可有效吸取晶粒，頂推座設有真空吸孔以及一頂針，在真空吸嘴吸取晶粒時，頂推座之真空吸孔吸住原本的軟性薄膜，同時頂針伸出頂推座，使得原本的軟性薄膜變形而減少其與晶粒之間的黏合面積，進而使晶粒與原本的軟性薄膜分離。

然而，習用之晶粒選取方法利用諸如前述之取放裝置選取晶粒時，只能逐一取起軟性薄膜上的晶粒，而無法同時取起多個晶粒。目前市面上單顆分選的設備效率最高為每日100~200萬顆，舉例而言，一6吋晶圓可切割成約200萬顆晶粒，若利用習用之晶粒選取方法逐一選取晶粒，則需花費超過一天的時間。換言之，在需轉移大量晶粒的情況下，利用習用之晶粒選取方法來進行晶粒轉移程序係相當費時，因此不利於降低成本。然而，若要增設更多取放裝置來同時選取多個晶粒，勢必造成設備構造複雜且體積龐大等問題。

有鑑於上述缺失，本發明之主要目的在於提供一種多晶粒選取方法，係能藉由簡便的構造及步驟同時選取多個晶粒而產生良好之效率。

為達成上述目的，本發明所提供之多晶粒選取方法包含有下列步驟：

對一黏附有複數晶粒之待選取膠膜定義一選取範圍，該選取範圍內包含該複數晶粒中的一部分且該部分包含複數該晶粒；

挑除該選取範圍之周圍的晶粒，使得該選取範圍受一晶粒挑除後所形成之分隔道圍繞；以及

利用一頂推座頂推該待選取膠膜之一對應該選取範圍之區塊，而將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一附著面。

在本發明之實施例中，前述之多晶粒選取方法可更細分為下列步驟：

a) 將複數晶粒黏附於一待選取膠膜之一黏著面；

b) 對該等晶粒定義一選取範圍，該選取範圍內包含該複數晶粒中的一部分且該部分包含複數該晶粒；

c) 挑除該選取範圍之周圍的晶粒，使得該選取範圍受一未設置任何晶粒之分隔道圍繞，且該分隔道之寬度係大於一該晶粒之寬度；

d) 將該待選取膠膜設置於一第一置晶裝置之一基座上，使得該待選取膠膜之一與該黏著面朝向相反方向之安裝面面向該基座，且該第一置晶裝置之一頂推座的一頂推面面向該待選取膠膜之安裝面，該頂推座之頂推面的形狀及面積係實質上符合該選取範圍之形狀及面積；

e) 使該第一置晶裝置與一第二置晶裝置之相對位置處於一轉貼位置，以使得該待選取膠膜之黏著面與該第二置晶裝置之一附著面相隔一預定距離地相面對；以及

f) 使該頂推座相對於該基座移動而以其頂推面頂推該待選取膠膜之一對應該選取範圍之區塊，進而將該選取範圍內之晶粒壓抵於該第二置晶裝置之附著面，此時該附著面之附著力係大於該待選取膠膜之黏著面的黏著力，使得該選取範圍內之晶粒附著於該附著面。

其中，步驟a、b、c及d可依序進行，如此則挑除選取範圍周圍晶粒之步驟c非在第一置晶裝置上進行，亦即與後續轉移選取範圍內晶粒之步驟f係在不同機台上進行。或者，可將黏附有該等晶粒之待選取膠膜設置於第一置晶裝置之基座上，或將該等晶粒黏附於已設置於第一置晶裝置之基座上的待選取膠膜，然後再進行定義選取範圍及挑除選取範圍周圍晶粒之步驟，使得挑除選取範圍周圍晶粒之步驟c在第一置晶裝置上進行，亦即與後續轉移選取範圍內晶粒之步驟f係在同一機台上進行。

藉由該頂推座頂推該待選取膠膜而將該選取範圍內之晶粒壓抵於該第二置晶裝置之附著面，可將該待選取膠膜上一批量的晶粒選取至該第二置晶裝置之附著面上，而藉由該頂推座位移至對應不同選取範圍之位置並分別對各該選取範圍進行此頂推步驟（亦即重複進行步驟f），即可將該待選取膠膜上的晶粒分批地選取至同一第二置晶裝置之附著面的不同區塊上，或者選取至多個第二置晶裝置之附著面上，如此即可在將晶粒自第一置晶裝置轉移至第二置晶裝置時將晶粒貼附於預定放置處（例如分類放置）。

本發明之多晶粒選取方法係藉由頂推座頂推選取範圍內之複數晶粒以轉移被選取之該等晶粒，因此不需藉由多個取放裝置，即可同時選取多個晶粒而產生良好之效率。而且，藉由在轉移晶粒之前先挑除選取範圍周圍之晶粒，可避免在頂推待選取膠膜時破壞選取範圍周圍之晶粒，或者誤將選取範圍周圍之晶粒也轉移至該附著面，因此可提升晶粒轉移之準確性。

前述之多晶粒選取方法係藉由頂推座頂推待選取膠膜之方式來轉移晶粒而達到良好之效率，但亦可藉由頂推如前述之第二置晶裝置的一置晶膠膜來達到同樣之功效，因此，本發明更提供另一多晶粒選取方法，包含有下列步驟：

對一附著有複數晶粒之待選取附著件（例如，但不限於，待選取膠膜）定義一選取範圍，該選取範圍內包含該複數晶粒中的一部分且該部分包含複數該晶粒；

利用一頂堆座頂推一面對該待選取附著件的置晶膠膜之一對應該選取範圍或對應該選取範圍及至少部分之該分隔道的區塊，而將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於該置晶膠膜之一附著面上。

有關本發明所提供之多晶粒選取方法的詳細構造、特點、組裝或使用方式，將於後續的實施方式詳細說明中予以描述。然而，在本發明領域中具有通常知識者應能瞭解，該等詳細說明以及實施本發明所列舉的特定實施例，僅係用於說明本發明，並非用以限制本發明之專利申請範圍。

申請人首先在此說明，在以下將要介紹之實施例以及圖式中，相同之參考號碼，表示相同或類似之元件或其結構特徵。其次，當述及一元件設置於另一元件上時，代表前述元件係直接設置在該另一元件上，或者前述元件係間接地設置在該另一元件上，亦即，二元件之間還設置有一個或多個其他元件。而述及一元件「直接」設置於另一元件上時，代表二元件之間並無設置任何其他元件。需注意的是，圖式中的各元件及構造為例示方便並非依據真實比例及數量繪製，且若實施上為可能，不同實施例的特徵係可以交互應用。

請參閱圖1，本發明一第一較佳實施例所提供之多晶粒選取方法10包含有下列步驟：

如圖1中所示之步驟S1及如圖2至4所示，對一黏附有複數晶粒11之待選取膠膜20定義一選取範圍60，該選取範圍60內包含該複數晶粒11中的一部分且該部分包含複數該晶粒11。詳而言之，本實施例之此步驟S1可細分為下列之步驟a及b。

a) 如圖2所示，將複數晶粒11黏附於一待選取膠膜20之一黏著面21。

在此須先說明的是，圖2所示為進行本實施例之多晶粒選取方法10所使用之機台的主要結構組成，但不一定是此多晶粒選取方法10之起始步驟所需之結構狀態。在本實施例中，進行此多晶粒選取方法10之機台包含有一第一置晶裝置30、一與該第一置晶裝置30相對設置之第二置晶裝置40，以及一設置於第一、二置晶裝置30、40之間且能相對於第一、二置晶裝置30、40水平（亦即沿X-Y平面）位移而離開第一、二置晶裝置30、40之間的影像擷取裝置50（例如CCD camera），第一、二置晶裝置30、40分別包含有一基座31、41以及一頂推座32、42，各該基座31、41係呈中空環狀，因此其中心具有一容置空間311、411，頂推座32、42係能相對於基座31、41而水平（亦即沿X-Y平面）及垂直（亦即沿Z軸）位移地分別設置於容置空間311、411，例如，本實施例係以頂推座32、42作垂直位移，而以基座31、41作水平位移。頂推座32、42之形狀並無限制，可如圖2中所示地具有朝頂推面321、421漸縮之區段，亦可整體寬度或外徑一致，只要頂推座32之頂推面321的形狀及面積實質上符合選取範圍60之形狀及面積、頂推座42之頂推面421的面積大於或等於選取範圍60之面積即可，此部分將詳述於下文。

該待選取膠膜20包含有一基底層22，以及一覆蓋該基底層22一表面之黏膠層23，該基底層22之另一表面為一安裝面24，該黏膠層23顯露在外之表面即為該黏著面21。該待選取膠膜20可（但不限於）為能經由一解離步驟（例如加熱、照光、控溫等等）而降低其黏著面21之黏著力的膠膜，舉例而言，該待選取膠膜20可為一熱解離膠膜（thermal release tape），熱解離膠膜的基底層22之材質為聚酯（polyester），而其黏膠層23之材質為發泡膠（foaming adhesive），該黏膠層23加熱至90℃後，黏著面21之黏著力會大幅下降；或者，該待選取膠膜20可為一光解離膠膜（UV release tape），其基底層22之材質為聚烯烴（polyolefin），而其黏膠層23之材質為壓克力膠（acrylic adhesive），該黏膠層23受到紫外光照射後，黏著面21之黏著力會大幅下降；或者，該待選取膠膜20可為一可溫控解離膠膜，其黏膠層23之溫度達到某一特定溫度時，黏著面21之黏著力會大幅下降。

此步驟a主要係將待選取之晶粒11黏附於該待選取膠膜20之黏著面21，更明確地說，該黏著面21上通常係貼附由一晶圓12（如圖3所示）切割而成、已進行點測而分類或分等級的晶粒11，該等晶粒11係在一膠膜（例如藍膜）（圖中未示）上切割而成再轉貼至該待選取膠膜20之黏著面21，因此呈正面112黏附於黏著面21而露出背面114之狀態（如圖2所示），然後，該等晶粒11將要被轉移至預定放置處，例如，同一類或同一等級的晶粒黏貼到同一膠膜上，或者配合後續製程需求而將不同種類的晶粒依特定方式排列到同一膠膜上，換言之，此步驟a通常係於該黏著面21上貼附相當大量（例如數百萬顆）之待選取晶粒11。為簡化圖式並便於說明，圖2及6~11中僅繪製出少量晶粒11，並未對應實際狀況或其他圖式之晶粒數量。

b) 如圖3及圖4所示，對該等晶粒11定義一選取範圍60，該選取範圍60內包含該複數晶粒11中的一部分且該部分包含複數該晶粒11。

圖3所示之晶圓12係示意性地以一圓形表示其於前述之膠膜上切割成晶粒11且膠膜擴張而使晶粒11有間距後的狀態，通常係等同於該待選取膠膜20上晶粒11之分佈範圍，為簡化圖式，圖3並未繪製出該等晶粒11。圖4則為一部份晶粒11的示意圖，在本實施例中，此步驟b定義之選取範圍60係呈矩形，其中包含九十六顆晶粒11，然而，選取範圍60之形狀及其中包含之晶粒11數量不以此為限，如圖3所示，該選取範圍60可為圓形、長方形、正方形或其他任何形狀。該選取範圍60內的晶粒11在後續步驟中將同時被該頂推座32之一頂推面321頂推，因此，該選取範圍60之形狀及面積只要實質上符合該頂推座32之頂推面321的形狀及面積即可，換言之，該頂推座32之頂推面321亦可為圓形、長方形、正方形或其他任何形狀。實際上，可依照該頂推座32之頂推面321的形狀及面積定義該選取範圍60之形狀及面積，或者，該第一置晶裝置30可為能替換頂推座之形式，則可依照所需之選取範圍60的形狀及面積選用符合的頂推座32。在定義選取範圍60之前，可利用影像擷取裝置50朝向該黏著面21擷取該等晶粒11之影像，進而得到該等晶粒11之位置資訊，然後，在此步驟b中，由軟體劃分出選取範圍60，並由軟體自動選擇對應選取範圍60之頂推座32。

c) 如圖1中所示之步驟S2及如圖5所示，挑除該選取範圍60之周圍的晶粒11，使得該選取範圍60受一晶粒挑除後所形成之分隔道62圍繞。意即，該分隔道62內未設置任何晶粒，用以將選取範圍60內的晶粒11與其他晶粒11分隔開。

此步驟c可採用任何習知用於挑選單顆晶粒之取放裝置進行，亦即一次挑除一顆晶粒11。本實施例之步驟c僅挑除該選取範圍60周圍的一圈晶粒11，使得該分隔道62之寬度僅略大於一該晶粒11之寬度，更明確地說，由於本實施例之選取範圍60係緊貼著其中最外圍之晶粒11邊緣，則分隔道62之寬度為所挑除之一顆晶粒的寬度加上其兩相對側之晶粒間距，而由於本實施例之晶粒11為長方形而具有二寬度D21、D22（D22＞D21），使得分隔道62之水平區段寬度D11與垂直區段寬度D12不相等（D12＞D11），亦即本實施例之分隔道62不等寬，不論分隔道是否等寬，其各區段之寬度應大於晶粒之平行於所述寬度之寬度，例如本實施例中該分隔道62之水平區段寬度D11大於晶粒11之寬度D21（寬度D21平行於寬度D11），且該分隔道62之垂直區段寬度D12大於晶粒11之寬度D22（寬度D22平行於寬度D12）。然而，此步驟c亦可挑除該選取範圍60周圍兩圈或兩圈以上的晶粒11，使得該分隔道62之寬度D11、D12分別大於兩顆或兩顆以上晶粒11之寬度D21、D22。此外，該分隔道62可整體皆等寬，亦可不等寬，且晶粒11亦可為正方形而僅具有單一寬度（即為最大寬度），只要分隔道62各區段之寬度D11、D12分別大於一該晶粒11之寬度D11、D22即可。

如圖1中所示之步驟S3及如圖6至8所示，利用一頂推座32頂推該待選取膠膜20之一對應該選取範圍60之區塊25，而將該選取範圍60內之晶粒11壓抵並附著於一附著面43。詳而言之，本實施例之此步驟S3可細分為下列之步驟d、e及f。

d) 如圖2及圖6所示，將該待選取膠膜20設置於第一置晶裝置30之基座31上，使得該待選取膠膜20之安裝面24面向該基座31，且該第一置晶裝置30之頂推座32的頂推面321面向該待選取膠膜20之安裝面24，該頂推座32之頂推面321的形狀及面積係實質上符合該選取範圍60之形狀及面積。

更明確地說，該待選取膠膜20係以其安裝面24面向該基座31之一表面地鋪設於該表面上，且遮蔽該容置空間311於該表面之開口，使得該頂推座32位於該待選取膠膜20之安裝面24下方。

值得一提的是，此步驟d可在前述步驟a、b、c 完成後進行，亦即待選取膠膜20設置於基座31上時已黏附有晶粒11且晶粒11已完成定義選取範圍60及挑除選取範圍周圍晶粒11之步驟，如圖6所示。或者，此步驟d之順序亦可在前述步驟a之前，亦即，將晶粒11黏附於待選取膠膜20上時，待選取膠膜20已設置於基座31上。或者，此步驟d之順序亦可在前述步驟a之後但在步驟b、c之前，亦即，先將晶粒11黏附於待選取膠膜20，再將待選取膠膜20設置於第一置晶裝置30，再進行定義選取範圍60及挑除選取範圍周圍晶粒11之步驟。

e) 如圖7所示，使該第一置晶裝置30與該第二置晶裝置40之相對位置處於一轉貼位置P，以使得該待選取膠膜20之黏著面21與該第二置晶裝置40之一附著面43相隔一預定距離D3地相面對。

詳而言之，本實施例之第二置晶裝置40除了前述之基座41及頂推座42，更包含有一附著件，該附著件可為一置晶膠膜44（例如藍膜），如圖2所示，該置晶膠膜44包含有一基底層441，以及一覆蓋該基底層441一表面之黏膠層442，該基底層441之另一表面為一安裝面443，該黏膠層442顯露在外之表面即為該附著面43，該置晶膠膜44係以其安裝面443面向基座41之一表面地鋪設於該表面上，且遮蔽該容置空間411於該表面之開口，使得該頂推座42位於該置晶膠膜44之安裝面443上方。該頂推座42在後續步驟中將以其一面向該置晶膠膜44之安裝面443的頂推面421頂推該置晶膠膜44之局部。

該第一、二置晶裝置30、40的設置方式係使得該待選取膠膜20之黏著面21與該第二置晶裝置40之附著面43相互平行地相面對，且該第一、二置晶裝置30、40係能實質上垂直於黏著面21及附著面43地（亦即沿Z軸）相對位移，因此，在該影像擷取裝置50離開拍攝該待選取膠膜20之黏著面21的位置之後，該第一、二置晶裝置30、40可相對位移至轉貼位置P，此時其相隔之該預定距離D3係使得後續之步驟f僅需頂推座32、42移動即可進行。

f) 如圖8所示，藉由頂推座32及／或基座31同時／單獨水平移動以及頂推座32垂直移動，亦即，使該頂推座32相對於該基座31移動，而以其頂推面321頂推該待選取膠膜20之一對應該選取範圍60之區塊25，進而將該選取範圍內60之晶粒11壓抵於該第二置晶裝置40之附著面43，此時該附著面43之附著力係大於該待選取膠膜20之黏著面21的黏著力，使得該選取範圍60內之晶粒11附著於該附著面43。

更明確地說，在該頂推座32原先之位置非對應該選取範圍60之情況下，藉由頂推座32及／或基座31同時／單獨水平移動，使得該頂推座32可以位處於對應該選取範圍60之位置，然後該頂推座32再朝該待選取膠膜20之方向垂直移動而頂推該待選取膠膜20之區塊25，此時該區塊25會產生彈性變形，而由於該選取範圍60之周圍並無晶粒，因此區塊25之彈性變形並不會影響到其他晶粒11。

在本實施例之此步驟f中，亦同時使該第二置晶裝置40之頂推座42以其頂推面421頂推該置晶膠膜44之一對應該選取範圍60之區塊444，如此可減少頂推座32之位移量以及待選取膠膜20之區塊25的變形量，進而提高效率並避免待選取膠膜20損壞。該第二置晶裝置40之頂推座42的頂推面421係以實質上等同於選取範圍60之形狀及面積為較佳設計，但亦可大於選取範圍60。

如圖8所示，由於待選取膠膜20具有些許厚度，該區塊25被頂推到最高的平面（亦即被頂推之晶粒11所在之平面）係略大於頂推面321，被頂推之晶粒11的分布範圍又略小於所述平面且略小於頂推面321，而所述分布範圍、所述平面之範圍，以及介於二者之間的範圍皆可能為該選取範圍60，然而，所述平面、所述分布範圍與該頂推面321之間的差異實際上都相當小，在圖8中係放大顯示以便說明，因此，本發明所述「頂推面之形狀及面積實質上等同於選取範圍之形狀及面積」中，「實質上」的意思係將前述之微小差異視為無差異，換言之，本發明並非限制頂推面之形狀及面積必須完全等同於選取範圍之形狀及面積，只要頂推面與選取範圍之差異小於或等於頂推面與前述平面或分布範圍之差異，即屬於本發明所述「頂推面之形狀及面積實質上等同於選取範圍之形狀及面積」之界定範圍。

在該待選取膠膜20能經由解離步驟而降低黏著力之情況下，該第一置晶裝置30之頂推座32內可（但不限於）設有一解離作用件33，用以在該頂推座32頂推待選取膠膜20之區塊25時對該區塊25進行該解離步驟。例如，本實施例係以該待選取膠膜20為熱解離膠膜之情況為例，該解離作用件33為一加熱器，係用以於該待選取膠膜20上的晶粒11將要被轉移時對該待選取膠膜20之局部加熱而降低該黏著面21之黏著力。而在該待選取膠膜20為光解離膠膜之情況下，該解離作用件33為一發光器（例如UV燈），以於該待選取膠膜20上的晶粒11將要被轉移時對該待選取膠膜20之局部照射光線而降低該黏著面21之黏著力。而在該待選取膠膜20為可溫控解離膠膜之情況下，該解離作用件33為一控溫器，以於該待選取膠膜20上的晶粒11將要被轉移時對該待選取膠膜20之局部控制溫度而降低該黏著面21之黏著力。或者，該頂推座32內亦可不設有解離作用件33，而是由外部的加熱器、發光器或控溫器對該待選取膠膜20加熱、照光或控制溫度，該待選取膠膜20亦可先加熱、照光或控制溫度後再設置到基座31上。藉此，在該選取範圍60內之晶粒11被壓抵於該第二置晶裝置40之附著面43之前，該待選取膠膜20可經由該解離步驟而將其黏著面21之黏著力降低至小於該附著面43之附著力，使得被壓抵於附著面43之晶粒11輕易地被轉移至附著面43上，例如，在本實施例中，該解離步驟可於該頂推座32將要頂推該區塊25時或者該頂推座32頂推該區塊25的過程中進行。或者，該待選取膠膜20亦可為黏著力固定之膠膜，只要其黏著力小於該附著面43之附著力即可。

該選取範圍60內之晶粒11附著於該附著面43之後，頂推座32、42分別退回容置空間311、411內，待選取膠膜20之區塊25及置晶膠膜44之區塊444也恢復原狀，如圖9所示，此時，附著於該附著面43之各該晶粒11係以其背面114附著於該附著面43而露出正面112。該第二置晶裝置40之頂推座42可（但不限於）設有多個貫穿其頂推面421之真空吸孔422，且該等真空吸孔422係與一真空源52連通，在該頂推座42頂推置晶膠膜44之後（例如頂推座42退回容置空間411的過程中），該真空源52透過該等真空吸孔422而於該頂推座42之頂推面421產生真空吸力而吸附該置晶膠膜44之區塊444，如此可快速地將置晶膠膜44之區塊444拉回原狀而平鋪於基座41上。

藉由前述本發明之多晶粒選取方法，可將該待選取膠膜20上一批量的晶粒11（亦即選取範圍60內的晶粒11）選取至該第二置晶裝置40之附著面43上，而若先對該待選取膠膜20上的晶粒11定義出多個選取範圍60，再使頂推座32、42以及基座31、41單獨或同時水平位移（例如由圖9之位置位移至圖10之位置），使得頂推座32、42可以位處於對應該等選取範圍60，進而分別對該等選取範圍60進行頂推步驟（亦即重複進行步驟f），即可將該待選取膠膜20上的晶粒11分批地選取至該第二置晶裝置40之附著面43上。

值得一提的是，本發明之多晶粒選取方法應用於將晶粒分類或分等級放置的情況下，通常會將不同類或不同等級的晶粒黏貼到不同膠膜上，此膠膜即為前述之置晶膠膜44，因此，可能會有複數第二置晶裝置40，以供不同選取範圍60之晶粒11被選取至不同的第二置晶裝置40之附著面43上。

藉此，本發明之多晶粒選取方法不需藉由多個取放裝置，即可在一次的選取作動中同時選取多個晶粒11而產生良好之效率。而且，藉由在轉移晶粒11之前先挑除選取範圍60周圍之晶粒11，可避免在頂推待選取膠膜20時破壞選取範圍60周圍之晶粒11，或者誤將選取範圍60周圍之晶粒11也轉移至第二置晶裝置40的附著面43，因此可提升晶粒轉移之準確性。

值得一提的是，該第二置晶裝置40亦可為不設有頂推座42之形式，則其基座41為一平台而不具有該容置空間411，在此狀況下，由於該置晶膠膜44不需受到頂推，因此該置晶膠膜44亦可替換為其他非膠膜之附著件（圖中未示），舉例而言，該附著件可為一可導電之板體（例如金屬板）且電性連接至一靜電產生器（圖中未示），以藉由該靜電產生器所提供之靜電而於該附著件之附著面產生附著力（亦即靜電吸附力）；或者，該附著件可為一設有多個真空吸孔（圖中未示）之板體，且該等真空吸孔係與一真空源（圖中未示）連通，以藉由該真空源透過該等真空吸孔而使該附著件之附著面產生附著力（亦即真空吸附力）。尤其，該第二置晶裝置40亦可能為一翻面裝置，則該第二置晶裝置40更可能為不設有頂推座之形式，並採用如前述之附著件。而在該第二置晶裝置40為翻面裝置之情況下，步驟a係使各該晶粒11以其背面114黏附於待選取膠膜20之黏著面21而露出正面112，而晶粒11轉移至該第二置晶裝置40時則係以正面112附著於該附著面43而露出背面114，然後，該第二置晶裝置40再將該等晶粒11轉貼至另一置晶膠膜（圖中未示）而使各該晶粒11露出正面112。

此外，該第一置晶裝置30亦可不設有頂推座32，而僅有該第二置晶裝置40設有頂推座42，在定義選取範圍60以及挑除選取範圍60周圍的晶粒11之後，則利用該頂堆座42頂推置晶膠膜44而將選取範圍60內之晶粒11壓抵並附著於該附著面43。如前所述，該頂推座42的頂推面421係以實質上等同於選取範圍60之形狀及面積為較佳設計，但亦可大於選取範圍60，而在第一置晶裝置30不設有頂推座32而使得被選取之晶粒11未被頂高的情況下，該第二置晶裝置40之頂推座42的頂推面421仍可略大於選取範圍60但不超出選取範圍60周圍之分隔道62，以避免黏取分隔道62外圍未被選取之晶粒11，換言之，該頂推座42頂推之區塊444係對應該選取範圍60，或者對應該選取範圍60及至少部分之該分隔道62。

在該第一置晶裝置30不設有頂推座32之情況下，其基座31為一平台而不具有該容置空間311，在此狀況下，由於該待選取膠膜20不需受到頂推，因此該待選取膠膜20亦可替換為其他非膠膜之附著件（圖中未示），換言之，待選取之晶粒11係附著於一待選取附著件之附著面上，該待選取附著件可為如前述之待選取膠膜20（附著面即為黏著面21），但不以此為限。舉例而言，該待選取附著件如同前述之第二置晶裝置40之附著件，可為一能藉由一靜電產生器而於附著面產生靜電吸附力之板體，或者一設有多個真空吸孔而能藉由一真空源而於附著面產生真空吸附力之板體。

如前所述，步驟a、b、c及d之順序有多種可能性，挑除選取範圍60周圍晶粒11之步驟c可不在第一置晶裝置30上進行，亦即與後續轉移選取範圍60內晶粒11之步驟f係在不同機台上進行；或者，挑除選取範圍60周圍晶粒11之步驟c亦可在第一置晶裝置30之基座31上進行，亦即與後續轉移選取範圍60內晶粒11之步驟f係在同一機台上進行。在步驟c係於第一置晶裝置30之基座31上進行的情況下，除了可利用其他取放裝置挑除選取範圍之周圍的晶粒11，亦可採用能替換頂推座之第一置晶裝置30，並使該第一置晶裝置30以另一頂推座34頂推該待選取膠膜20設有待挑除之晶粒11的部位而使受頂推之晶粒11附著於一附著件54，如圖11所示，該附著件54可為另一膠膜（例如藍膜），且可設置於類同第一置晶裝置30的另一置晶裝置56上，使該置晶裝置56以其一類同頂推座34之頂推座562頂推該附著件54進而黏附待挑除之晶粒11，或者，亦可直接採用第二置晶裝置40作為該置晶裝置56，並在步驟c進行時將該置晶膠膜44先替換為該附著件54。

如圖12所示，本發明一第二較佳實施例所提供之多晶粒選取方法10’與前述之多晶粒選取方法10的差異主要在於對該等晶粒11定義選取範圍60的步驟，亦即步驟b。

如圖12中所示之步驟S11及如圖13所示，本實施例之步驟b係先定義一總選取範圍60’，其中包含所欲選取之複數晶粒11；如圖12中所示之步驟S12及S13，若該總選取範圍60’之形狀及面積實質上等同於頂推座32之頂推面321的形狀及面積，或者可由該第一置晶裝置30能替換之頂推座中選用頂推面之形狀及面積實質上等同於該總選取範圍60’之形狀及面積的頂推座32，則該總選取範圍60’即為前述之多晶粒選取方法10的選取範圍60，則執行前述之多晶粒選取方法10即可，亦即如圖12中所示之步驟S21及S31。

若沒有對應該總選取範圍60’之形狀的頂推座，或者該總選取範圍60’之面積遠大於可用之頂推座的頂推面面積，則於該總選取範圍60’內劃分出複數選取範圍60，如圖12中所示之步驟S14；例如，圖13所示之總選取範圍60’劃分出六個選取範圍60。然後，如圖12中所示之步驟S22，先挑除該等選取範圍60之周圍的晶粒11，如圖14所示，亦即，除了在該總選取範圍60’周圍形成出一環形之主要分隔道62’，更在該等選取範圍60之間形成複數縱橫交錯之次要分隔道64，如此一來，每一選取範圍60周圍都有由部分之主要分隔道62’及部分之次要分隔道64組成之環形的分隔道。然後，如圖12中所示之步驟S32，在該第一置晶裝置30與該第二置晶裝置40處於轉貼位置P時，再分別針對該等選取範圍60進行利用頂推座32、42頂推膠膜20、44而轉移晶粒11之步驟，亦即以前述之頂推座32、42水平位移以及重複進行步驟f的方式分批轉移晶粒11。藉此，本實施例之多晶粒選取方法10’亦可同時選取多個晶粒11而達到良好效率，並可避免未被選取之晶粒11受到頂推座32影響。

最後，必須再次說明，本發明於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。

10、10’‧‧‧多晶粒選取方法11‧‧‧晶粒112‧‧‧正面114‧‧‧背面12‧‧‧晶圓20‧‧‧待選取膠膜21‧‧‧黏著面22‧‧‧基底層23‧‧‧黏膠層24‧‧‧安裝面25‧‧‧區塊30‧‧‧第一置晶裝置31‧‧‧基座311‧‧‧容置空間32‧‧‧頂推座321‧‧‧頂推面33‧‧‧解離作用件34‧‧‧頂推座40‧‧‧第二置晶裝置41‧‧‧基座411‧‧‧容置空間42‧‧‧頂推座421‧‧‧頂推面422‧‧‧真空吸孔43‧‧‧附著面44‧‧‧置晶膠膜（附著件）441‧‧‧基底層442‧‧‧黏膠層443‧‧‧安裝面444‧‧‧區塊50‧‧‧影像擷取裝置52‧‧‧真空源54‧‧‧附著件56‧‧‧置晶裝置562‧‧‧頂推座60‧‧‧選取範圍60’‧‧‧總選取範圍62‧‧‧分隔道62’‧‧‧主要分隔道64‧‧‧次要分隔道D11、D12、D21、D22‧‧‧寬度D3‧‧‧預定距離P‧‧‧轉貼位置S1~S3、S11~S14、S21、S22、S31、S32‧‧‧步驟

圖1為本發明一第一較佳實施例所提供之多晶粒選取方法的流程圖。圖2為進行該多晶粒選取方法所使用之機台的剖視示意圖。圖3及圖4為該多晶粒選取方法之步驟b的示意圖。圖5為該多晶粒選取方法之步驟c的示意圖。圖6係類同於圖2，惟顯示已進行步驟c之後的狀態。圖7及圖8係類同於圖6，惟分別顯示該多晶粒選取方法之步驟e及f。圖9係類同於圖7，惟顯示已進行步驟f之後的狀態，且圖9中更顯示出一真空源。圖10係類同於圖9，惟顯示將再次進行步驟f的狀態，且圖10中未顯示出該真空源及一影像擷取裝置。圖11為該機台用於進行步驟c時的剖視示意圖。圖12為本發明一第二較佳實施例所提供之多晶粒選取方法的流程圖。圖13及圖14分別為該多晶粒選取方法之步驟b及c的示意圖。

10‧‧‧多晶粒選取方法

S1~S3‧‧‧步驟

Claims

一種多晶粒選取方法，包含有下列步驟：對一黏附有複數晶粒之待選取膠膜定義一選取範圍，該選取範圍內包含該複數晶粒中的一部分且該部分包含複數該晶粒；挑除該選取範圍之周圍的晶粒，使得該選取範圍受一晶粒挑除後所形成之分隔道圍繞；以及利用一頂推座頂推該待選取膠膜之一對應該選取範圍之區塊，而將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一附著面。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中該待選取膠膜具有一黏著面，該黏著面黏附有該複數晶粒，該待選取膠膜為一熱解離膠膜、一光解離膠膜及一可溫控解離膠膜三者其中之一；在該選取範圍內之晶粒被壓抵於該附著面之前，所述多晶粒選取方法更包含有一解離步驟，該解離步驟為對該熱解離膠膜加熱、對該光解離膠膜照射光線及對該可溫控解離膠膜控制溫度三者其中之一而使該待選取膠膜之黏著面的黏著力下降。
如申請專利範圍第2項所述之多晶粒選取方法，其中該頂推座內設有一解離作用件，該解離作用件為一加熱器、一發光器及一控溫器三者其中之一，該解離步驟係由該解離作用件對該待選取膠膜之對應該選取範圍之區塊進行。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中該頂推座係將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一附著件，該附著件具有該附著面，該附著件為一具有黏著力之膠膜、一能產生靜電吸附力之板體及一能產生真空吸附力之板體三者其中之一。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中對黏附有該複數晶粒之待選取膠膜定義該選取範圍的步驟中，係先定義一總選取範圍，再於該總選取範圍內劃分出複數該選取範圍，在劃分出該等選取範圍之後，係先挑除該等選取範圍之周圍的晶粒，再分別針對該等選取範圍進行使該頂推座頂推該待選取膠膜之步驟。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中該頂推座係以其一頂推面頂推該待選取膠膜，該頂推面之形狀及面積係實質上符合該選取範圍之形狀及面積。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中該分隔道各區段之寬度係大於至少一該晶粒之平行於所述寬度之寬度。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中利用該頂推座頂推該待選取膠膜之步驟中，該待選取膠膜係設置於一第一置晶裝置之一基座上，該頂推座係能移動地設置於該基座內，該待選取膠膜之一安裝面面向該基座及該頂推座之一頂推面，該複數晶粒黏附於該待選取膠膜之一與該安裝面朝向相反方向之黏著面，該頂推座係相對於該基座朝該待選取膠膜之方向移動而以其頂推面頂推該待選取膠膜之對應該選取範圍之區塊。
如申請專利範圍第8項所述之多晶粒選取方法，其中在利用該頂推座頂推該待選取膠膜之步驟之前，先使該第一置晶裝置與一第二置晶裝置之相對位置處於一轉貼位置，該第二置晶裝置包含有一附著件，該附著件具有該附著面，當該第一置晶裝置與該第二置晶裝置之相對位置處於該轉貼位置時，該待選取膠膜之黏著面與該第二置晶裝置之附著面係相隔一預定距離地相面對。
如申請專利範圍第9項所述之多晶粒選取方法，其中該第二置晶裝置包含有一基座，以及一能移動地設置於該第二置晶裝置之基座內的頂推座，該附著件為一置晶膠膜且設置於該第二置晶裝置之基座上，該置晶膠膜具有一與該附著面朝向相反方向且面向該第二置晶裝置之基座的安裝面，該第二置晶裝置之頂推座具有一面向該置晶膠膜之安裝面的頂推面，該第二置晶裝置之頂推座的頂推面之面積係大於或等於該選取範圍之面積；在使該第一置晶裝置之頂推座以其頂推面頂推該待選取膠膜之對應該選取範圍之區塊時，亦使該第二置晶裝置之頂推座以其頂推面頂推該置晶膠膜之一對應該選取範圍之區塊，該第二置晶裝置之頂推座具有複數貫穿其頂推面之真空吸孔，在該第二置晶裝置之頂推座以其頂推面頂推該置晶膠膜之後，使一真空源透過該等真空吸孔而於該第二置晶裝置之頂推座的頂推面產生真空吸力而吸附該置晶膠膜。
如申請專利範圍第8項所述之多晶粒選取方法，其中挑除該選取範圍之周圍的晶粒之步驟係在該待選取膠膜設置於該第一置晶裝置之基座上時進行。
如申請專利範圍第11項所述之多晶粒選取方法，其中該第一置晶裝置係能替換其頂推座，在挑除該選取範圍之周圍的晶粒之步驟中，係使該第一置晶裝置以另一頂推座頂推該待選取膠膜設有待挑除之晶粒的部位而使受頂推之晶粒附著於一附著件。
如申請專利範圍第8項所述之多晶粒選取方法，其中該第一置晶裝置係能替換頂推座，在定義該選取範圍之前，利用一影像擷取裝置取得該等晶粒之位置資訊，然後由軟體劃分該選取範圍並自動選擇對應該選取範圍之頂推座。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中該等晶粒黏附於該待選取膠膜時，各該晶粒係以其一正面黏附於該待選取膠膜而露出各該晶粒之一背面，該頂推座係將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一附著件，該附著件為一置晶膠膜且具有該附著面，該等晶粒附著於該附著面時，各該晶粒係以其背面黏附於該附著面而露出正面；或者，該等晶粒黏附於該待選取膠膜時，各該晶粒係以其一背面黏附於該待選取膠膜而露出各該晶粒之一正面，該頂推座係將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於一翻面裝置之一附著件，該附著件具有該附著面，該等晶粒附著於該翻面裝置之附著面時，各該晶粒係以其正面附著於該附著面而露出背面，然後該翻面裝置再將該等晶粒轉貼至一置晶膠膜。
如申請專利範圍第1項所述之多晶粒選取方法，其中挑除該選取範圍之周圍的晶粒之步驟係一次挑除一該晶粒。
一種多晶粒選取方法，包含有下列步驟：對一附著有複數晶粒之待選取附著件定義一選取範圍，該選取範圍內包含該複數晶粒中的一部分且該部分包含複數該晶粒；挑除該選取範圍之周圍的晶粒，使得該選取範圍受一晶粒挑除後所形成之分隔道圍繞；以及利用一頂堆座頂推一面對該待選取附著件的置晶膠膜之一對應該選取範圍或對應該選取範圍及至少部分之該分隔道的區塊，而將該選取範圍內之晶粒壓抵並附著於該置晶膠膜之一附著面上。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中該待選取附著件為一待選取膠膜、一能產生靜電吸附力之板體及一能產生真空吸附力之板體三者其中之一；當該待選取附著件為該待選取膠膜時，該待選取膠膜具有一黏著面，該黏著面黏附有該複數晶粒，該待選取膠膜為一熱解離膠膜、一光解離膠膜及一可溫控解離膠膜三者其中之一，在該選取範圍內之晶粒被壓抵於該附著面之前，所述多晶粒選取方法更包含有一解離步驟，該解離步驟為對該熱解離膠膜加熱、對該光解離膠膜照射光線及對該可溫控解離膠膜控制溫度三者其中之一而使該待選取膠膜之黏著面的黏著力下降。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中對附著有該複數晶粒之待選取附著件定義該選取範圍的步驟中，係先定義一總選取範圍，再於該總選取範圍內劃分出複數該選取範圍，在劃分出該等選取範圍之後，係先挑除該等選取範圍之周圍的晶粒，再分別針對該等選取範圍進行使該頂推座頂推該置晶膠膜之步驟。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中該頂推座係以其一頂推面頂推該置晶膠膜，該頂推面之形狀及面積係實質上符合該選取範圍之形狀及面積，或者該頂推面係大於該選取範圍且不超出該分隔道。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中該分隔道各區段之寬度係大於至少一該晶粒之平行於所述寬度之寬度。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中在利用該頂推座頂推該置晶膠膜之步驟之前，先使一第一置晶裝置與一第二置晶裝置之相對位置處於一轉貼位置，該待選取附著件係設置於該第一置晶裝置且具有一附著有該複數晶粒之附著面，該第二置晶裝置包含有一基座，該頂推座係能移動地設置於該基座內，該置晶膠膜係設置於該基座上，該置晶膠膜具有一與該附著面朝向相反方向且面向該基座之安裝面，該頂推座具有一面向該置晶膠膜之安裝面的頂推面，該頂推面之面積係大於或等於該選取範圍之面積；當該第一置晶裝置與該第二置晶裝置之相對位置處於該轉貼位置時，該待選取附著件之附著面與該第二置晶裝置之附著面係相隔一預定距離地相面對；然後，該頂推座係相對於該基座朝該置晶膠膜之方向移動而以其頂推面頂推該置晶膠膜，其中該頂推座具有複數貫穿其頂推面之真空吸孔，在該頂推座以其頂推面頂推該置晶膠膜之後，使一真空源透過該等真空吸孔而於該頂推座之頂推面產生真空吸力而吸附該置晶膠膜。
如申請專利範圍第16項所述之多晶粒選取方法，其中挑除該選取範圍之周圍的晶粒之步驟係一次挑除一該晶粒。