TWI699005B - 光學元件封裝結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光學元件封裝結構，其包括一遠紅外線感測晶片、一第一金屬層、一封裝殼體、以及一蓋體。遠紅外線感測晶片包括一半導體基板和一半導體堆疊結構。半導體基板具有一第一表面、一相對第一表面的一第二表面以及一空腔。半導體堆疊結構配置於半導體基板的第一表面上，且部分半導體堆疊結構位於空腔上方。第一金屬層配置於半導體基板的第二表面，封裝殼體封裝遠紅外線感測晶片並暴露出至少部分的遠紅外線感測晶片，且蓋體配置於半導體堆結構的上方。

Description

光學元件封裝結構
本發明係有關於一種光學元件封裝結構，尤指一種兼具紅外光屏蔽與恆溫的薄型化光學元件封裝結構。
因應現今市場上對於多功能數位產品輕量化的需求，一個產品可能同時會有多種不同功能的感測晶片等電子元件被放置在同一個空間中，例如：一個多功能智慧型手錶可能會有心跳、血壓、體溫等感測晶片以及光源等，因此將這些電子元件薄型化的需求亦越來越高。然而，在一個小空間內放置這麼多電子元件除了容易產生互相干擾的雜訊外，外界的溫度變化也會影響電子元件的穩定性而降低產品的使用壽命，更進而降低量測的準確度。因此，如何解決多種電子元件之間所產生的雜訊問題，並降低溫度所造成的影響，且同時達到薄型化的需求已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明人等致力研究後得到一種光學元件封裝結構，藉由使光學元件封裝結構內達到溫度的平衡以增加電子元件的穩定性，並呈現良好的信噪比(Signal-to-Noise Ratio；SNR)而得以提升感測晶片量測的精確度，且同時具有較以往產品尺寸小的封裝結構。因而解決上述先前技術所面臨的問題，以下就本發明所採用的技術方案作說明。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案 係提供一種光學元件封裝結構，包括一遠紅外線感測晶片、一第一金屬層、一封裝殼體、以及一蓋體。遠紅外線感測晶片包括一半導體基板和一半導體堆疊結構。半導體基板具有一第一表面、一相對第一表面的一第二表面以及一空腔。半導體堆疊結構配置於半導體基板的第一表面上，且部分半導體堆疊結構位於空腔上方。第一金屬層配置於半導體基板的第二表面，封裝殼體封裝遠紅外線感測晶片並暴露出至少部分的遠紅外線感測晶片，且蓋體配置於半導體堆結構的上方。
又，本發明所採用的另一技術方案係提供一種光學元件封裝結構，包括一基板、一遠紅外線感測晶片以及一蓋體。遠紅外線感測晶片配置於基板上並與基板電性連接。蓋體配置於基板上並容納遠紅外線感測晶片，蓋體具有一外表面與一內表面，內表面面向遠紅外線感測晶片，且內表面與基板夾有一角度，角度實質上落在30度至80度之間。
又，本發明所採用的再另一技術方案係提供一種光學元件封裝結構，包括一基板、一遠紅外線感測晶片、一支撐結構以及一金屬板。遠紅外線感測晶片配置於基板上並與基板電性連接。支撐結構配置於基板上並環繞遠紅外線感測晶片。金屬板配置於支撐結構上並容納遠紅外線感測晶片，且金屬板具有暴露遠紅外線感測晶片的一金屬板開口。
又，本發明所採用的再另一技術方案係提供一種光學元件封裝結構，包括一基板、一感光元件以及一光源晶片。基板具有一第一凹槽與一第二凹槽。感光元件配置於第一凹槽內並裸露感光元件，且感光元件與基板電性連接。光源晶片配置於第二凹槽內並裸露光源晶片，且光源晶片與基板電性連接。
本發明的有益效果可以在於，藉由使光學元件封裝結構內達到溫度的平衡以增加電子元件的穩定性而得以延長產品的使用壽命。藉此，本發明的光學元件封裝結構可呈現良好的信噪比，進 而提升感測晶片量測時的精確度。此外，由於本發明的光學元件封裝結構具有較以往產品尺寸小的封裝結構，能夠達到封裝尺寸薄型化的需求，因而使生產成本降低。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h、10i、10j、10k、10l、10m、10n、10o、10p、10q:光學元件封裝結構
100:基板
102:第一凹槽
104:第二凹槽
110:遠紅外線感測晶片
110a:熱端
110b:冷端
110c:開孔
112:半導體基板
112a:空腔
114:半導體堆疊結構
120:封裝殼體
130:第一金屬層
131,132:金屬導線
140:蓋體
140a:凹槽
140b:金屬層
140c:蓋板
140c1:第一外表面
140c2:第一內表面
1400a:開口
1401:外表面
1402:內表面
142:透光基板
144:第二金屬層
144a:第一開口
146:第三金屬層
146a:第二開口
150:支撐結構
160:金屬板
160a:金屬板開口
170:感光元件
180:光源晶片
182:透光結構
184:反光結構
B:錫球
C:中心
S1:第一表面
S2:第二表面
W:導線
α:角度
圖1為本發明第一實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖2為本發明第二實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖3為本發明第三實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖4為本發明第四實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖5為本發明第五實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖6為本發明第六實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖7為本發明第七實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖8為本發明第八實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖9為本發明第九實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖10為本發明第十實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖11為本發明第十一實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖12為本發明第十二實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖13為本發明第十三實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖14為本發明第十四實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖15為本發明第十五實施例的光學元件封裝結構的示意圖；圖16A為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的側視圖；圖16B為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的俯視圖；圖16C為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的使用狀態示意圖；圖17A為本發明第十七實施例的光學元件封裝結構的側視圖；圖17B為本發明第十七實施例的光學元件封裝結構的俯視圖； 圖18A為本發明第十八實施例的光學元件封裝結構的側視圖；以及圖18B為本發明第十八實施例的光學元件封裝結構的俯視圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所揭露有關“光學元件封裝結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容瞭解本發明的優點與功效。本發明可通過其它不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所揭示的內容並非用以限制本發明的技術範疇。
〔第一實施例〕
請參閱圖1，圖1為本發明第一實施例的光學元件封裝結構的示意圖。由上述圖中可知，本發明第一實施例提供一種光學元件封裝結構10包括一遠紅外線感測晶片110、一封裝殼體120、一第一金屬層130、以及一蓋體140。遠紅外線感測晶片110包括一半導體基板112和一半導體堆疊結構114。半導體基板112具有一第一表面S1、一相對第一表面S1的一第二表面S2以及一空腔112a。在本實施例中，半導體基板112是以矽基板做為舉例說明，於其他實施例中，半導體基板112亦可採用其他適當與半導體堆疊結構114匹配的基板。另外，半導體堆疊結構114配置於半導體基板112的第一表面S1上，且部分半導體堆疊結構114位於空腔112a上方，如圖1所示。
詳細來說，半導體堆疊結構114可以是採用P型半導體材料、N型半導體材料與絕緣材料堆疊而成，其中P型半導體材料與N型半導體材料之間夾設有絕緣材料，而位於空腔上方P型半導體材料與N型半導體材料相互接觸的部份則為遠紅外線感測晶片 110的一熱端110a，相對地，遠離熱端的其他端點則是遠紅外線感測晶片110的一冷端110b，且熱端110a相較於冷端110b更靠近於空腔的中心C。
請繼續參考圖1，第一金屬層130配置於半導體基板112的第二表面S2，而封裝殼體120則封裝遠紅外線感測晶片110並暴露出至少部分的遠紅外線感測晶片110，且蓋體140配置於半導體堆結構114的上方。具體而言，光學元件封裝結構10的第一金屬層130具有一厚度，且厚度介於0.1微米(micrometer；μm)至30微米之間。在本實施例中，第一金屬層130是用來阻擋其他雜散光進入遠紅外線感測晶片110，以提升遠紅外線感測晶片110的靈敏度。詳細來說，由於遠紅外光與近紅外光具有穿透部分材料的能力，因此在半導體基板112的第二表面S2配置厚度介於0.1微米至30微米之間的第一金屬層130後，則大大地提升了增加遠紅外線感測晶片110的信噪比(Signal-to-Noise Ratio；SNR)。
另外，光學元件封裝結構10的半導體基板112之空腔112a具有一高度(未標示)，高度介於10微米至1000微米之間且空腔112a內可為一般空氣或真空狀態，如圖1所示。在本實施例中，空腔112a主要是用來阻隔熱端110a的熱量太快散逸至外界，從而影響所感測的熱電壓訊號，換言之，本實施例之空腔112a主要是用來降低半導體堆疊結構114的熱量散逸至外界。
另外，蓋體140可以是採用矽材料，用以阻擋其他從正面進入的可見光或紅外光，意即本實施例之蓋體140主要是讓遠紅外光的光線可通過，而盡可能濾除其他光線，以提升遠紅外線感測晶片110的感測度。
綜上所述，本實施例主要是利用金屬具有的高導熱係數的特性，並透過適當厚度的第一金屬層130來屏蔽其他雜散光，如：近紅外光與遠紅外光(即受測體之外的紅外光)穿透本實施例的光學元件封裝結構10。另外，本實施例再配合空腔112a具有10微 米至1000微米之間的高度之配置方式，能夠避免自身結構內的元件與元件之間所產生的熱能相互影響，使得阻擋紅外光(特別是對於波長介於15微米至1000微米之間的遠紅外光)的屏蔽效果以及導熱效果皆達到最佳化。更進一步地，因本發明實施例的光學元件封裝結構10具有良好的導熱效果，因此光學元件封裝結構10內的溫度能夠迅速地被調節而達到恆溫的效果以維持產品的穩定性。又，由於本發明實施例的第一金屬層130的厚度很薄，僅在0.1微米至30微米之間，也因而能達到輕量化的效果。
〔第二實施例〕
請參閱圖2，圖2為本發明第二實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第二實施例的光學元件封裝結構10a與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第二實施例的光學元件封裝結構10a與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10不同之處在於，本發明第二實施例的光學元件封裝結構10a之封裝殼體120包括複數個位於封裝殼體120內的金屬導線(131,132)，且部分該些金屬導線(131,132)與遠紅外線感測晶片110電性連接(例如：錫球)。
藉由本發明第二實施例的複數個金屬導線(131,132)的配置，得以增加紅外光的屏蔽效果，並增加溫度的傳導速度以使光學元件封裝結構10a內的溫度能更迅速地達到恆溫的效果。
〔第三實施例〕
請參閱圖3，圖3為本發明第三實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第三實施例的光學元件封裝結構10b與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第三實施例的光學元件封裝結構10b與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10不同之處在於，本發明第三實施例的光學元件封裝結構10b之蓋體140包括一透光基板142與一第二金屬層144，第二金屬層144配置於透光基板142上並具 有暴露透光基板142的一第一開口144a，且第二金屬層144位於透光基板142與半導體堆疊結構114之間。
在本實施例中，透光基板142的材料可以是玻璃或是塑膠之類的材料，又或是其他透光性較佳的基板，第二金屬層144具有介於0.1微米至30微米之間的一厚度，且蓋體140還可包括一抗反射塗層(anti-reflective coating；AR Coating)(圖未示)。由於當光穿透材料(例如：玻璃)時，材料本身會衰減光的穿透力而使光最後穿透材料出來時的穿透率小於100%，因此可視需求配置抗反射塗層以增加光的穿透率。
藉由本實施例的光學元件封裝結構10b，得以增加紅外光的屏蔽效果，並增加溫度的傳導速度以使光學元件封裝結構10b內的溫度能更迅速地達到平衡而提升恆溫的效果。
〔第四實施例〕
請參閱圖4，圖4為本發明第四實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第四實施例的光學元件封裝結構10c與本發明第三實施例的光學元件封裝結構10b相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第四實施例的光學元件封裝結構10c與本發明第三實施例的光學元件封裝結構10b不同之處在於，本發明第四實施例的光學元件封裝結構10c之蓋體140更包括一第三金屬層146，配置於透光基板142上並具有暴露透光基板142的一第二開口146a，透光基板142位於第二金屬層144與第三金屬層146之間，且第一開口144a與第二開口146a彼此相對。
在本實施例中，第三金屬層146具有介於0.1微米至30微米之間的一厚度。藉由本實施例的光學元件封裝結構10c，能夠加強紅外光的屏蔽效果，並增加溫度的傳導速度以使光學元件封裝結構10c內的溫度能更迅速地達到平衡進而達到提升恆溫的效果。
〔第五實施例〕
請參閱圖5，圖5為本發明第五實施例的光學元件封裝結構的 示意圖。本發明第五實施例的光學元件封裝結構10d與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第五實施例的光學元件封裝結構10d與本發明第一實施例的光學元件封裝結構10不同之處在於，本發明第五實施例的光學元件封裝結構10d之蓋體140還具有一凹槽140a且凹槽140a之開口朝向遠紅外線感測晶片110。藉此，蓋體140與遠紅外線感測晶片110之間產生一距離，由於空氣的熱傳導係數差，利用此特點，藉由該距離所產生的空間中具有的空氣來阻擋多餘的熱(例如：元件與元件之間所產生的熱)傳導至遠紅外線感測晶片110，而可避免其影響遠紅外線感測晶片110的量測結果。
〔第六實施例〕
請參閱圖6，圖6為本發明第六實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第六實施例的光學元件封裝結構10e與本發明第五實施例的光學元件封裝結構10d相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第六實施例的光學元件封裝結構10e與本發明第五實施例的光學元件封裝結構10d不同之處在於，本發明第六實施例的光學元件封裝結構10e之蓋體140更包括一錫球B，配置於蓋體140上且位於凹槽140a的相反側，用以電性連接於其它所需的元件。
〔第七實施例〕
請參閱圖7，圖7為本發明第七實施例的光學元件封裝結構的示意圖。由上述圖中可知，本發明第七實施例提供一種光學元件封裝結構10f，包括一基板100、一遠紅外線感測晶片110以及一蓋體140。遠紅外線感測晶片110配置於基板100上並與基板100電性連接(例如：導線W)。蓋體140配置於基板100上並容納遠紅外線感測晶片110，蓋體140具有一外表面1401與一內表面1402，內表面1402面向遠紅外線感測晶片110，且內表面1402與基板100夾有一角度α，角度α實質上落在30度至80度之間。
具體而言，在本實施例中，光學元件封裝結構10f的遠紅外線感測晶片110可以是熱電堆(Thermopile)、焦電元件(Pyroelectric)與熱敏元件(Bolometer)。蓋體140具有暴露遠紅外線感測晶片110的一開口1400a，並包括配置於開口1400a的一透光基板142。另外，蓋體140可以是採用矽材料，用以阻擋其他從正面進入的可見光或紅外光，意即本實施例之蓋體140主要是讓遠紅外光的光線可通過，而盡可能濾除其他光線，以提升遠紅外線感測晶片110的感測度。透光基板142由透光材料所構成，其可以是玻璃或是塑膠之類的材料，又或是其他透光性較佳的基板。蓋體140由不透光的材料所構成，例如：塑膠材料或矽材料，用以阻擋可見光。
藉由本實施例的內表面1402與基板100夾有30度至80度之間的角度α的設計，在製程中進行濺鍍時可使分子堆積較為密集而可得到均勻的濺鍍層，且在濺鍍的操作上也較容易執行，可改善先前技術中垂直蓋體濺鍍不均勻與操作不易的問題。要特別說明的是，在本實施例中以濺鍍為例來作說明，但不以此為限。
在本實施例中，角度α較佳為45度至75度、更佳為55度至70度、特佳為60度至65度。
〔第八實施例〕
請參閱圖8，圖8為本發明第八實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g與本發明第七實施例的光學元件封裝結構10f相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g與本發明第七實施例的光學元件封裝結構10f不同之處在於，本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g之蓋體140包括一金屬層140b以及一蓋板140c。蓋板140c可為不透光的塑膠材料或矽材料，且蓋板140c具有一第一外表面140c1與一相對於第一外表面140c1的一第一內表面140c2，第一內表面140c2面向遠紅外線感測晶片110。
具體而言，蓋體140的金屬層140b具有介於0.1微米至30微米之間的一厚度，且配置於蓋板140c的第一外表面140c1。在本實施例中，由不透光材料所構成的蓋板140c可用以阻擋可見光，而藉由在蓋板140c的第一外表面140c1配置厚度0.1微米至30微米之間的金屬層140b可阻隔外界的可見光與由側面穿透的紅外光對遠紅外線感測晶片110的影響，使得遠紅外線感測晶片110能夠準確地接收位於遠紅外線感測晶片110正面的受測體所發出的紅外光(特別是對於波長介於15微米至1000微米之間的遠紅外光)，進而增加信噪比與光學元件封裝結構10的整體效能。再者，藉由本實施例的金屬層140b所具有的0.1微米至30微米之間的厚度，可有效阻擋不必要的紅外光穿透至本發明實施例的光學元件封裝結構10g中，使阻擋紅外光的屏蔽效果以及導熱效果皆達到最佳化，因此光學元件封裝結構10g內的溫度能夠迅速地被調節而達到恆溫的效果以維持產品的穩定性。又，由於本發明實施例的金屬層140b的厚度很薄，僅在0.1微米至30微米之間，也因而能達到輕量化的效果。
〔第九實施例〕
請參閱圖9，圖9為本發明第九實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第九實施例的光學元件封裝結構10h與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第九實施例的光學元件封裝結構10h與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g不同之處在於，本發明第九實施例的光學元件封裝結構10h之蓋體140的金屬層140b配置於蓋板140c的第一內表面140c2。
本發明第九實施例的金屬層140b配置於蓋板140c的第一內表面140c2的設計所具有之效果與本發明第八實施例相同，因此不再予以重複說明。
〔第十實施例〕
請參閱圖10，圖10為本發明第十實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第十實施例的光學元件封裝結構10i與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十實施例的光學元件封裝結構10i與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g不同之處在於，本發明第十實施例的光學元件封裝結構10i之蓋體140的金屬層140b配置於蓋板140c的中間。
本發明第十實施例的金屬層140b配置於蓋板140c的中間之設計所具有的效果與本發明第八實施例相同，因此不再予以重複說明。
〔第十一實施例〕
請參閱圖11，圖11為本發明第十一實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第十一實施例的光學元件封裝結構10j與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十一實施例的光學元件封裝結構10j與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g不同之處在於，本發明第十一實施例的光學元件封裝結構10j之蓋體140的金屬層140b包覆蓋板140c。
在本發明第十一實施例中，藉由蓋體140的金屬層140b包覆蓋板140c的設計，可增加對紅外光的屏蔽效果，並增加溫度的傳導速度，使光學元件封裝結構10j內的溫度能更迅速地達到恆溫的效果。
〔第十二實施例〕
請參閱圖12，圖12為本發明第十二實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第十二實施例的光學元件封裝結構10k與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十二實施例的光學元件封裝結構10k與本發明第八實施例的光學元件封裝結構10g不同之處在 於，本發明第十二實施例的光學元件封裝結構10k之蓋體140由金屬材料所構成。藉此，可增加對紅外光的屏蔽效果以及增加溫度的傳導速度，使光學元件封裝結構10k內的溫度能更迅速地達到恆溫的效果。
〔第十三實施例〕
請參閱圖13，圖13為本發明第十三實施例的光學元件封裝結構的示意圖。由上述圖中可知，本發明第十三實施例提供一種光學元件封裝結構10l，包括一基板100、一遠紅外線感測晶片110、一支撐結構150以及一金屬板160。遠紅外線感測晶片110配置於基板100上並與基板100電性連接(例如：導線W)。支撐結構150配置於基板100上並環繞遠紅外線感測晶片110。金屬板160配置於支撐結構150上並容納遠紅外線感測晶片110，且金屬板160具有暴露遠紅外線感測晶片110的一金屬板開口160a。
具體而言，遠紅外線感測晶片11具有一開孔110c。金屬板160具有介於0.01毫米至0.5毫米之間的一厚度。支撐結構150可為不透光的塑膠材料或矽材料。此外，在本實施例中，光學元件封裝結構10還可包括一透光基板142，透光基板142由透光材料所構成，例如：玻璃或是塑膠之類的材料，又或是其他透光性較佳的基板。
藉由本實施例的光學元件封裝結構10l的金屬板160配置於支撐結構150上以容納遠紅外線感測晶片110，且具有0.01毫米至0.5毫米之間的厚度之設計，可用以阻隔外界的可見光與由側面穿透的紅外光對遠紅外線感測晶片110的影響，使得遠紅外線感測晶片110能夠準確地接收位於遠紅外線感測晶片110正面的受測體所發出的紅外光，進而增加信噪比與光學元件封裝結構10l的整體效能。此外，由於本實施例的金屬板160係直接取代先前技術的上蓋之設計，可不須在封裝結構之外圍額外再設置金屬屏蔽結構，因而得以降低生產成本並達到輕量化的效果。
〔第十四實施例〕
請參閱圖14，圖14為本發明第十四實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第十四實施例的光學元件封裝結構10m與本發明第十三實施例的光學元件封裝結構10l相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十四實施例的光學元件封裝結構10m與本發明第十三實施例的光學元件封裝結構10l不同之處在於，本發明第十四實施例的光學元件封裝結構10m之支撐結構150包括厚度介於0.01微米至10微米之間的一金屬層140b，且金屬層140b配置於支撐結構150的外側。
在本實施例中，藉由厚度介於0.01微米至10微米之間的金屬層140b配置於支撐結構150的外側之設計，除了本發明第十三實施例中上述之效果外，還可阻擋不必要的紅外光穿透本發明實施例的光學元件封裝結構10m，使得阻擋紅外光的屏蔽效果以及導熱效果皆達到最佳化，因此光學元件封裝結構10m內的溫度能夠迅速地被調節而達到恆溫的效果以維持產品的穩定性。
〔第十五實施例〕
請參閱圖15，圖15為本發明第十五實施例的光學元件封裝結構的示意圖。本發明第十五實施例的光學元件封裝結構10n與本發明第十四實施例的光學元件封裝結構10m相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十五實施例的光學元件封裝結構10n與本發明第十四實施例的光學元件封裝結構10m不同之處在於，本發明第十五實施例的光學元件封裝結構10n之支撐結構150的金屬層140b配置於相對於支撐結構150之外側的內側，且內側面向遠紅外線感測晶片110。
本發明第十五實施例的金屬層140b配置於支撐結構150之內側的設計所具有的效果與本發明第十四實施例相同，因此不再予以重複說明。
〔第十六實施例〕
請參閱圖16A至圖16C，圖16A為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的側視圖，圖16B為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的俯視圖，圖16C為本發明第十六實施例的光學元件封裝結構的使用狀態示意圖。
由上述圖中可知，本發明第十六實施例提供一種光學元件封裝結構10o，包括一基板100、一感光元件170以及一光源晶片180。基板100具有一第一凹槽102與一第二凹槽104。感光元件170配置於第一凹槽102內並裸露感光元件170，且感光元件170(例如：導線W)與基板100(例如：錫球B)電性連接。光源晶片180配置於第二凹槽104內並裸露光源晶片180，且光源晶片180與基板100電性連接。
具體而言，基板100為一不透光材料，例如：塑膠材料或矽材料，用以阻擋可見光，且基板100的厚度在0.3毫米以下。感光元件170與光源晶片180的厚度各介於50微米至80微米之間，以及光學元件封裝結構10o的總厚度在0.3毫米以下。光源晶片180可為一雷射二極體(Laser Diode)、或一發光二極體(Light Emitting Diode)，如圖17C所示，當光源晶片180為雷射二極體時的使用發光狀態。
在先前技術的封裝結構中，由於感光元件設置於基板上，且光源通常以外掛的方式與設置於基板上的感光元件電性連結，因此具有體積大以及整體厚度厚而無法達到薄型化的問題。
在本實施例中，將感光元件170與光源晶片180配置於第一凹槽102與一第二凹槽104內，以將光源晶片180整合至同一光學元件封裝結構10o上，也就是利用基板100直接包覆住感光元件170與光源晶片180的背面和側面，並裸露其正面用以發光及收光。藉此，可使得本實施例的光學元件封裝結構10o的厚度可與基板100的厚度相同，且感光元件170與光源晶片180配置在第一凹槽102與一第二凹槽104內，因此光學元件封裝結構10o 的總厚度不被影響，可維持在0.3毫米以下，因而達到薄型化的效果並解決先前技術的問題。
〔第十七實施例〕
請參閱圖17A和圖17B，圖17A為本發明第十七實施例的光學元件封裝結構的側視圖，圖17B為本發明第十七實施例的光學元件封裝結構的俯視圖。本發明第十七實施例的光學元件封裝結構10p與本發明第十六實施例的光學元件封裝結構10o相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十七實施例的光學元件封裝結構10p與本發明第十六實施例的光學元件封裝結構10o不同之處在於，本發明第十七實施例的光學元件封裝結構10p進一步包括一透光結構182，且透光結構182為一透光材料：例如玻璃或是塑膠之類的材料，又或是其他透光性較佳的基板，用以包覆光源晶片180。
〔第十八實施例〕
請參閱圖18A以及圖18B，圖18A為本發明第十八實施例的光學元件封裝結構的側視圖，圖18B為本發明第十八實施例的光學元件封裝結構的俯視圖。本發明第十八實施例的光學元件封裝結構10q與本發明第十七實施例的光學元件封裝結構10p相似，相似之處可參考上述，在此不再贅述。本發明第十八實施例的光學元件封裝結構10q與本發明第十七實施例的光學元件封裝結構10p不同之處在於，本發明第十八實施例的光學元件封裝結構10q更進一步包括一反光結構184，用以包覆透光結構182並配置於第二凹槽104內。具體而言，反光結構184由金屬材料所構成，金屬材料可例如：鋁、銀、金、銅等。
本發明第十八實施例的光學元件封裝結構10q除了具有本發明第十七實施例的上述效果之外，在本發明第十八實施例中，因金屬材料所構成的反光結構184具有鏡面的效果，因此當反光結構184進一步包覆已包覆有光源晶片180的透光結構182時，可 使得光源晶片180的光源更有效率地發光。
本發明的有益效果可以在於，藉由使光學元件封裝結構內達到溫度的平衡以增加電子元件的穩定性而得以延長產品的使用壽命。藉此，本發明的光學元件封裝結構可呈現良好的信噪比，進而提升感測晶片量測時的精確度以及靈敏度。此外，由於本發明的光學元件封裝結構具有較以往產品尺寸小的封裝結構，能夠達到封裝尺寸薄型化的需求，因而使生產成本降低。
10‧‧‧光學元件封裝結構
110‧‧‧遠紅外線感測晶片
110a‧‧‧熱端
110b‧‧‧冷端
112‧‧‧半導體基板
112a‧‧‧空腔
114‧‧‧半導體堆疊結構
120‧‧‧封裝殼體
130‧‧‧第一金屬層
140‧‧‧蓋體
B‧‧‧錫球
C‧‧‧中心
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面

Claims (30)

  1. 一種光學元件封裝結構，包括：一遠紅外線感測晶片，包括：一半導體基板，具有一第一表面、一相對該第一表面的一第二表面以及一空腔；以及一半導體堆疊結構，配置於該半導體基板的該第一表面上，且部分該半導體堆疊結構位於該空腔上方；一第一金屬層，配置於該半導體基板的該第二表面；一封裝殼體，封裝該遠紅外線感測晶片並暴露出至少部分的該遠紅外線感測晶片；以及一蓋體，配置於該半導體堆結構的上方；其中該封裝殼體包括複數個金屬導線，位於該封裝殼體內，部分該些金屬導線與該遠紅外線感測晶片電性連接。
  2. 如請求項1所述之光學元件封裝結構，其中該半導體堆疊結構具有一冷端與一熱端，該熱端相較於該冷端更靠近於該空腔的中心。
  3. 如請求項1所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體包括一透光基板與一第二金屬層，該第二金屬層配置於該透光基板上並具有暴露該透光基板的一第一開口，且該第二金屬層位於該透光基板與該半導體堆疊結構之間。
  4. 如請求項3所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體更包括一第三金屬層，配置於該透光基板上並具有暴露該透光基板的一第二開口，該透光基板位於該第二金屬層與該第三金屬層之間。
  5. 如請求項4所述之光學元件封裝結構，其中該第一開口與該第二開口彼此相對。
  6. 如請求項1所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體還具有一凹槽且該凹槽之開口朝向該遠紅外線感測晶片。
  7. 如請求項6所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體更包括一錫球，配置於該蓋體上且位於該凹槽的相反側。
  8. 如請求項4所述之光學元件封裝結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、以及該第三金屬層分別具有一厚度，該厚度分別介於0.1微米至30微米之間。
  9. 如請求項1所述之光學元件封裝結構，其中該空腔具有一高度，該高度介於10微米至1000微米之間。
  10. 如請求項1所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體由矽材料構成。
  11. 一種光學元件封裝結構，包括：一基板；一遠紅外線感測晶片，配置於該基板上並與該基板電性連接；以及一蓋體，配置於該基板上並容納該遠紅外線感測晶片，該蓋體具有一外表面與一內表面，該內表面面向該遠紅外線感測晶片，且該內表面與該基板夾有一角度，該角度實質上落在30度至80度之間；其中該蓋體具有一開口，暴露該遠紅外線感測晶片；其中該蓋體更包括一透光基板，配置於該開口並連接該內表面。
  12. 如請求項11所述之光學元件封裝結構，其中該遠紅外線感測晶片可以是：熱電堆、焦電元件與熱敏元件。
  13. 如請求項11所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體還包括一金屬層以及一蓋板。
  14. 如請求項13所述之光學元件封裝結構，其中該金屬層的厚度介於0.1微米至30微米之間。
  15. 如請求項11所述之光學元件封裝結構，其中該蓋板可為不透光的一塑膠材料或一矽材料。
  16. 如請求項13所述之光學元件封裝結構，其中該蓋板具有一第一 外表面與一相對於該第一外表面的一第一內表面，該第一內表面面向該遠紅外線感測晶片，該金屬層可配置於該第一外表面、該第一內表面、該蓋板的中間、或包覆該蓋板。
  17. 如請求項11所述之光學元件封裝結構，其中該蓋體由金屬材料所構成。
  18. 一種光學元件封裝結構，包括：一基板；一遠紅外線感測晶片，配置於該基板上並與該基板電性連接；一支撐結構，配置於該基板上並環繞該遠紅外線感測晶片；以及一金屬板，配置於該支撐結構上並容納該遠紅外線感測晶片，該金屬板具有暴露該遠紅外線感測晶片的一金屬板開口。
  19. 如請求項18所述之光學元件封裝結構，其中該遠紅外線感測晶片具有一開孔，該開孔具有一視野範圍。
  20. 如請求項18所述之光學元件封裝結構，其中該支撐結構包括一金屬層，該金屬層可配置於該支撐結構的一外側或相對於該外側的一內側，該內側面向該遠紅外線感測晶片。
  21. 如請求項18所述之光學元件封裝結構，其中該金屬板具有一厚度，該厚度介於0.01毫米至0.5毫米之間。
  22. 如請求項20所述之光學元件封裝結構，其中該金屬層具有一厚度，該厚度介於0.01微米至10微米之間。
  23. 如請求項20所述之光學元件封裝結構，其中該支撐結構可為不透光的一塑膠材料或一矽材料。
  24. 一種光學元件封裝結構，包括：一基板，具有一第一凹槽與一第二凹槽；一感光元件，配置於該第一凹槽內並裸露該感光元件，且該感光元件以至少一導線與該基板電性連接；以及一光源晶片，配置於該第二凹槽內並裸露該光源晶片，且該光 源晶片以至少一導線與該基板電性連接。
  25. 如請求項24所述之光學元件封裝結構，其中該基板為一不透光材料。
  26. 如請求項24所述之光學元件封裝結構，其中該基板的厚度在0.3毫米以下，該感光元件與該光源晶片的厚度各介於50微米至80微米之間，以及該光學元件封裝結構的總厚度為0.3毫米以下。
  27. 如請求項24所述之光學元件封裝結構，其中該光源晶片可為一雷射二極體、或一發光二極體。
  28. 如請求項27所述之光學元件封裝結構，進一步包括一透光結構，該透光結構包覆該光源晶片。
  29. 如請求項28所述之光學元件封裝結構，更進一步包括一反光結構，該反光結構包覆該透光結構，並配置於該第二凹槽內。
  30. 如請求項29所述之光學元件封裝結構，其中該反光結構為一金屬材料。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI699005B (zh) * 2016-11-02 2020-07-11 原相科技股份有限公司 光學元件封裝結構
DE102018113005B4 (de) * 2018-05-30 2024-02-01 Infineon Technologies Austria Ag Magnetischer stromsensor
TWI721815B (zh) * 2020-03-10 2021-03-11 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
CN112129417A (zh) * 2020-09-23 2020-12-25 合肥科塑信息科技有限公司 一种热释电红外传感器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI254389B (en) * 2005-04-29 2006-05-01 Sigurd Microelectronics Corp Package structure of photo sensor and manufacturing method thereof
TWI298952B (en) * 2005-11-11 2008-07-11 Advanced Semiconductor Eng Packaging structure of image-sensing chip
TW200943441A (en) * 2008-04-11 2009-10-16 Impac Technology Co Ltd Packaging method of image sensing device
TWI348750B (en) * 2007-01-11 2011-09-11 Visera Technologies Co Ltd Package structure for optoelectronic device and fabrication method thereof
CN102598288A (zh) * 2009-09-24 2012-07-18 Msg里松格莱斯股份公司 用于制造带有承载衬底上的结构元件的布置的方法和布置以及用于制造半成品的方法和半成品
TWI449167B (zh) * 2012-10-09 2014-08-11 Kingpaktechnology Inc 高解析相機模組之結構及製造方法
US20150253194A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Melexis Technologies N.V. Infrared sensor module
TWI536547B (zh) * 2013-01-10 2016-06-01 精材科技股份有限公司 影像感測晶片封裝體之製作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4485305A (en) * 1981-08-20 1984-11-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Infrared detector with vibrating chopper
US5645349A (en) * 1994-01-10 1997-07-08 Thermoscan Inc. Noncontact active temperature sensor
JP2003013207A (ja) * 2001-06-29 2003-01-15 Nissan Motor Co Ltd 光吸収膜の形成方法および形成装置
CN1921125A (zh) 2005-08-25 2007-02-28 矽格股份有限公司 光感测组件封装结构及其制造方法
CN201680915U (zh) 2010-04-30 2010-12-22 友丽***制造股份有限公司 微小化的红外线热感测组件
JP5842118B2 (ja) * 2010-06-24 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 赤外線センサ
CN102593085B (zh) 2011-01-10 2014-08-13 原相科技股份有限公司 芯片封装结构以及芯片封装制程
CN102969388A (zh) 2011-09-02 2013-03-13 光宝新加坡有限公司 整合式感测封装结构
TWI453923B (zh) 2012-06-22 2014-09-21 Txc Corp Light sensing chip package structure
CN103972187B (zh) 2013-02-04 2017-06-06 原相科技股份有限公司 芯片封装及其制造方法
EP2827368B1 (en) * 2013-07-19 2019-06-05 ams AG Package for an optical sensor, optical sensor arrangement and method of producing a package for an optical sensor
CN105679753B (zh) 2014-11-20 2018-05-08 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块、其制造方法及电子装置
US10168220B2 (en) * 2015-03-20 2019-01-01 Pixart Imaging Inc. Wearable infrared temperature sensing device
US9850124B2 (en) * 2015-10-27 2017-12-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package for reducing parasitic light and method of manufacturing the same
TWI699005B (zh) * 2016-11-02 2020-07-11 原相科技股份有限公司 光學元件封裝結構

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI254389B (en) * 2005-04-29 2006-05-01 Sigurd Microelectronics Corp Package structure of photo sensor and manufacturing method thereof
TWI298952B (en) * 2005-11-11 2008-07-11 Advanced Semiconductor Eng Packaging structure of image-sensing chip
TWI348750B (en) * 2007-01-11 2011-09-11 Visera Technologies Co Ltd Package structure for optoelectronic device and fabrication method thereof
TW200943441A (en) * 2008-04-11 2009-10-16 Impac Technology Co Ltd Packaging method of image sensing device
CN102598288A (zh) * 2009-09-24 2012-07-18 Msg里松格莱斯股份公司 用于制造带有承载衬底上的结构元件的布置的方法和布置以及用于制造半成品的方法和半成品
TWI449167B (zh) * 2012-10-09 2014-08-11 Kingpaktechnology Inc 高解析相機模組之結構及製造方法
TWI536547B (zh) * 2013-01-10 2016-06-01 精材科技股份有限公司 影像感測晶片封裝體之製作方法
TW201628173A (zh) * 2013-01-10 2016-08-01 精材科技股份有限公司 影像感測晶片封裝體之製作方法
US20150253194A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Melexis Technologies N.V. Infrared sensor module

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