TWI692894B - 有機電致發光元件及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種有機電致發光元件及其製備方法。有機電致發光元件包括：電洞注入層，包括第一摻雜層和/或第二摻雜層；其中，第一摻雜層包括P-型摻雜物；第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料；電洞傳輸層，配置於電洞注入層上；以及電子阻擋層，配置於電洞傳輸層上；其中，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2 eV。第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高電洞注入量，從而提升量產元件的壽命；第二摻雜層中，通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。同時，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2 eV，能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。

Description

有機電致發光元件及其製備方法
本發明關於發光元件技術領域，特別是關於一種有機電致發光元件及其製備方法。
有機電致發光是指有機發光材料在電流或者電場的激發作用下發光的現象。有機電致發光元件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)具有主動發光、發光效率高、反應時間快(1μs量級)、工作電壓低(3v~10v)、視角廣(>175°以上)、面板厚度薄(<1mm)、功耗低、工作溫度範圍廣(-40℃~+85℃)以及可以實現可撓顯示等諸多優點，因此引起了廣泛的關注。
傳統的有機電致發光元件導入量產後，壽命下降嚴重，LT97的壽命往往低於180小時，不利於應用。
基於此，有必要針對傳統的有機電致發光元件的壽命下降嚴重問題，提供一種能夠提升壽命的有機電致發光元件及其製備方法。
本發明提供了一種有機電致發光元件，包括：電洞注入 層，包括第一摻雜層或者第二摻雜層，其中，所述第一摻雜層包括P-型摻雜物，所述第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料；電洞傳輸層，配置於所述電洞注入層上；以及電子阻擋層，配置於所述電洞傳輸層上；其中，所述電子阻擋層與所述電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV。
本發明還提供了一種有機電致發光元件的製備方法，包括以下步驟：形成電洞注入層，所述電洞注入層包括第一摻雜層和/或第二摻雜層，其中，所述第一摻雜層包括P-型摻雜物，所述第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料；在所述電洞注入層上形成電洞傳輸層；以及在所述電洞傳輸層上形成電子阻擋層，其中，所述電子阻擋層與所述電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV。
上述有機電致發光元件中，第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高電洞注入量，從而提升量產元件的壽命；第二摻雜層中，通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。同時，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV，能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。
在本發明其中一個實施例中，在所述第二摻雜層中，所述P-型摻雜物的摻雜濃度為3wt%~8wt%。
在本發明另一個實施例中，所述電洞注入層包括所述第一摻雜層和配置於所述第一摻雜層上的所述第二摻雜層，所述第 二摻雜層靠近所述電洞傳輸層。
在本發明另一個實施例中，所述電洞注入層包括所述第二摻雜層和配置於所述第二摻雜層上的所述第一摻雜層，所述第一摻雜層靠近所述電洞傳輸層。
在本發明另一個實施例中，當所述電洞注入層僅包括所述第一摻雜層時，所述第一摻雜層的厚度為5nm~20nm；當所述電洞注入層僅包括所述第二摻雜層時，所述第二摻雜層的厚度為10nm~30nm；當所述電洞注入層同時包括所述第一摻雜層和所述第二摻雜層時，所述第一摻雜層的厚度為1nm~10nm，所述第、二摻雜層的厚度為10nm~20nm。
在本發明另一個實施例中，所述P-型摻雜物選自NDP-2和NDP-9中的至少一種。
在其中一個實施例中，所述電洞傳輸材料和所述電洞傳輸層的材料獨立選自式(1)和式(2)所示結構中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0004-1
 其中，式(1)中A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18分 別獨立地選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6~C30的亞稠雜環芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；式(2)中A1和A2分別獨立地選自C6~C30芳基和取代或未取代的C6~C30雜環芳基中的一種，R1’選自氫元素、烷基、烷氧基和鹽基中的一種；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1和A2中的至少一個具有縮環構造。
在本發明另一個實施例中，所述電子阻擋層的材料選自式(3)、式(4)、式(5)和式(6)所示結構中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0006-4
 其中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基和苯胺基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；R13選自C1~C6烷基和羥基中的一種。
在本發明另一個實施例中，所述有機電致發光元件為共用藍光電子阻擋層的有機電致發光元件。
採用上述有機電致發光元件的製備方法得到的有機電致發光元件中，第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高電洞注入量， 從而提升量產元件的壽命；第二摻雜層中，通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。同時，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV，能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300、400:有機電致發光元件
110、210、310、410:陽極
120、220、320、420:電洞注入層
321、421:第一摻雜層
322、422:第二摻雜層
130、230、330、430:電洞傳輸層
140、240、340、440:電子阻擋層
150、250、350、450:有機發光層
160、260、360、460:電子傳輸層
170、270、370、470:陰極
S10、S20、S30:步驟
圖1為根據本發明的一種實施方式的有機電致發光元件的製備方法的流程圖。
圖2為實施例1的有機電致發光元件的示意圖。
圖3為實施例2的有機電致發光元件的示意圖。
圖4為實施例5的有機電致發光元件的示意圖。
圖5為實施例6的有機電致發光元件的示意圖。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術 人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
本發明的一種有機電致發光元件，其包括：電洞注入層，包括第一摻雜層和/或第二摻雜層；其中，第一摻雜層包括P-型摻雜物；第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料；電洞傳輸層，配置於電洞注入層上；以及電子阻擋層，配置於電洞傳輸層上；其中，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO(最高佔據分子軌道)能級差小於或者等於0.2eV。
實施方式一的有機電致發光元件包括陽極和依序配置在陽極上的電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、有機發光層、電子傳輸層以及陰極。
其中，電洞注入層包括第一摻雜層。第一摻雜層包括P-型摻雜物。P-型摻雜物可以提高電洞注入量，從而提升量產元件的壽命。
在前述實施方式的基礎上，電洞注入層僅包括第一摻雜層。第一摻雜層由P-型摻雜物組成。此時，第一摻雜層中只含有P-型摻雜物，更有利於提高電洞的注入量，從而提升量產元件的壽命。需要說明的是，該實施方式中的P-型摻雜物中可包含少量化學計量範圍內的雜質，這些雜質可忽略不計。
在前述實施方式的基礎上，P-型摻雜物選自NDP-2和NDP-9中的至少一種。NDP-2和NDP-9均購自Novaled公司，其中NDP-9的結構式如下：
Figure 107118555-A0305-02-0009-5
這類摻雜材料能夠注入大量的電洞，從而減小陽極與電洞傳輸層之間的能級差，從而有利於電洞傳遞至電洞傳輸層。當然，P-型摻雜物並不限於上述實施方式，亦可選自其它能夠起到減小陽極與電洞傳輸層之間能級差的材料。
在前述實施方式的基礎上，第一摻雜層的厚度為5nm~20nm。當第一摻雜層的厚度為5nm~20nm時，一方面，能夠有效覆蓋陽極表面，從而消除陽極表面粗糙引起的缺陷；另一方面，能夠調控電洞的注入量，更有利於電洞傳遞至有機發光層，與電子進行複合發光。
需要說明的是，當電洞注入層包括第一摻雜層時，第一摻雜層可以為一層P-型摻雜物，亦可以為兩層或者兩層以上的不同的P-型摻雜物的疊加。
電洞傳輸層配置於電洞注入層上。電子阻擋層配置於電洞傳輸層上。其中，電洞傳輸層與電子阻擋層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV。能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。
在前述實施方式的基礎上，電洞傳輸層的材料選自式(1)和式(2)所示結構中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0010-6
 其中，式(1)中A和B獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18分別獨立地選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6~C30的亞稠雜環芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；式(2)中A1和A2分別獨立地選自C6~C30芳基和取代或未取代的C6~C30雜環芳基中的一種，R1’選自氫元素、烷基、烷氧基和鹽基中的一種；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1和A2中的至少一個具有縮環構造，即A1和A2中至少有一個具有環狀結構，且該環狀結構具有不飽和鍵。
在前述實施方式的基礎上，電洞傳輸層的材料選自式 (HTL1-1)-(HTL1-10)所示結構的至少一種；
Figure 107118555-A0305-02-0011-7
上述電洞傳輸層的材料具有好的傳輸特性，遷移率比較高，能夠縮短與電子阻擋層的HOMO能級差，更有利於電洞的傳遞與傳輸。此外，上述電洞傳輸層的材料本身性能比較穩定，可以製備得到性能比較穩定的元件。
需要說明的是，電洞傳輸層的材料不限於此，亦可選自其它能夠起到相同作用的材料。
在前述實施方式的基礎上，電洞傳輸層的厚度為10nm~100nm。當電洞傳輸層的厚度為10nm~100nm時，更有利於電洞傳輸與光學微腔的調節。
在前述實施方式的基礎上，電子阻擋層的材料選自式(3)、式(4)、式(5)和式(6)所示結構中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0012-9
其中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基和苯胺基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的 芳基中的一種；R13選自C1~C6烷基和羥基中的一種。
在前述實施方式的基礎上，電子阻擋層的材料選自以下的分子式化合物EBL2-1到EBL2-12中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0013-10
Figure 107118555-A0305-02-0014-11
上述電子阻擋層的材料的LUMO能級的絕對值小於有機發光層的LUMO能級的絕對值，從而能夠將電子阻擋在有機發光層，以提升效率。
需要說明的是，電子阻擋層的材料不限於此，亦可選自其它能夠起到相同作用的材料。
在前述實施方式的基礎上，電子阻擋層的厚度為1nm~10nm。當電子阻擋層的厚度為1nm~10nm時，可以有效阻擋電子傳 出發光層，同時控制元件的電壓。在前述實施方式的基礎上，有機電致發光元件為共用藍光電子阻擋層的有機電致發光元件。此時，一方面，共用藍光電子阻擋層能夠增加紅光和藍光的補償；另一方面，製備這種共用藍光電子阻擋層的有機電致發光元件時，由於藍光電子阻擋層為共用層，因此，蒸鍍時只需使用普通金屬遮罩(CMM)即可，而無需使用精密金屬遮罩(FMM)，從而有利於簡化生產工藝難度。
實施方式一的有機電致發光元件中，電洞注入層包括第一摻雜層，第一摻雜層包括P-型摻雜物。P-型摻雜物可以增大電洞注入量，有利於提升壽命。
實施方式二的有機電致發光元件與實施方式一的有機電致發光元件的區別在於：電洞注入層包括第二摻雜層。第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料。通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。
在前述實施方式的基礎上，電洞注入層由第二摻雜層組成。第二摻雜層由P-型摻雜物和電洞傳輸材料組成。此時，第二摻雜層中只含有P-型摻雜物和電洞傳輸材料，更有利於控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。需要說明的是，該實施方式中的P-型摻雜物和電洞傳輸材料中均可包含少量化學計量範圍內的雜質，這些雜質可忽略不計。
在前述實施方式的基礎上，第二摻雜層中，P-型摻雜物 的摻雜濃度為3wt%~8wt%。當P-型摻雜物的摻雜濃度為3wt%~8wt%時，可以有效調節元件壽命和效率的平衡性。
在前述實施方式的基礎上，第二摻雜層的厚度為10nm~30nm。當第二摻雜層的厚度為10nm~30nm時，能夠保證電洞的注入，從而有效調節元件壽命和效率的平衡性。
在前述實施方式的基礎上，電洞傳輸材料選自式(1)和式(2)所示結構中的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0016-12
 其中，式(1)中A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18分別獨立地選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6~C30的亞稠雜環芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；式(2)中A1和A2分別獨立地選自C6~C30芳基和取代 或未取代的C6~C30雜環芳基中的一種，R1’選自氫元素、烷基、烷氧基和鹽基中的一種；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1和A2中的至少一個具有縮環構造。
在前述實施方式的基礎上，電洞傳輸材料選自式(HTL1-1)-(HTL1-10)所示結構的至少一種：
Figure 107118555-A0305-02-0017-13
上述電洞傳輸材料具有好的傳輸特性，遷移率比較高， 更有利於電洞的傳遞與傳輸。此外，上述電洞傳輸材料本身性能比較穩定，可以製備得到性能比較穩定的元件。
需要說明的是，電洞傳輸材料不限於此，亦可選自其它能夠起到相同作用的材料。
此外需要說明的是，在同一個有機電致發光元件中，第二摻雜層的電洞傳輸材料與電洞傳輸層的材料可以相同，亦可以不同。
此外，當電洞注入層包括第二摻雜層時，第二摻雜層可以為一層，亦可以為兩層或者兩層以上，且每層的摻雜濃度可以相同或者不同。
實施方式二的有機電致發光元件中，由於摻雜了低濃度的較貴的P-型摻雜物，因此生產成本較低，此外，能夠調節摻雜濃度來控制元件性能，能夠簡化量產的工藝，有利於提高產能。
實施方式三的有機電致發光元件與實施方式一、實施方式二的有機電致發光元件的區別在於：電洞注入層包括第一摻雜層和配置於第一摻雜層上的第二摻雜層，第二摻雜層靠近電洞傳輸層。
在前述實施方式的基礎上，第一摻雜層的厚度為1nm~10nm，第二摻雜層的厚度為10nm~20nm。
實施方式三的有機電致發光元件能夠調節電洞的注入量，同時提升元件的效率和壽命。實施方式四的有機電致發光元件與實施方式三的有機電致發光元件的區別在於：電洞注入層包 括第二摻雜層和配置於第二摻雜層上的第一摻雜層，第一摻雜層靠近電洞傳輸層。
在前述實施方式的基礎上，第一摻雜層的厚度為1nm~10nm，第二摻雜層的厚度為10nm~20nm。
實施方式四的有機電致發光元件能夠調節電洞的注入量，同時提升元件的效率和壽命。
需要說明的是，當電洞注入層包括第一摻雜層和第二摻雜層時，第一摻雜層和第二摻雜層的層數可以任意設置，二者之間的位置亦任意層疊設置，例如，第一摻雜層和第二摻雜層可以交替層疊設置，亦可以非交替層疊設置。
上述有機電致發光元件中，第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高電洞注入量，從而提升量產元件的壽命；第二摻雜層中，通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。同時，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV，能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。
請參見圖1，一實施方式的有機電致發光元件的製備方法，包括以下步驟：
S10、形成電洞注入層，電洞注入層包括第一摻雜層和/或第二摻雜層；其中，第一摻雜層包括P-型摻雜物，第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料。
S20、在步驟S10的電洞注入層上形成電洞傳輸層。
利用蒸鍍的方式在電洞注入層上形成電洞傳輸層。
S30、在步驟S20的電洞傳輸層上形成電子阻擋層；其中，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV。
利用蒸鍍的方式在電洞傳輸層上形成電子阻擋層。
採用上述有機電致發光元件的製備方法得到的有機電致發光元件中，第一摻雜層中的P-型摻雜物可以提高電洞注入量，從而提升量產元件的壽命；第二摻雜層中，通過調節P-型摻雜物的摻雜濃度，能夠控制電洞的注入量，從而調節電子和電洞的平衡性，進而提升量產元件的壽命。同時，電子阻擋層與電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV，能夠降低有機電致發光元件的功耗，從而提升量產元件的壽命。
下面結合具體實施例和附圖對本發明的有機電致發光元件進行進一步的說明。
實施例1
請參見圖2，實施例1的有機電致發光元件100包括陽極110和依序配置在陽極110上的電洞注入層120、電洞傳輸層130、電子阻擋層140、有機發光層150、電子傳輸層160以及陰極170。
其中，電洞注入層120由第一摻雜層組成。第一摻雜層由NDP-9組成。電洞傳輸層130的材料為HTL1-2(結構如前面所示)。電子阻擋層140的材料為EBL2-2(結構如前面所示)。本實施例中，電洞傳輸層130與電子阻擋層140的能級差為0.15eV。
此外，陽極110、電子阻擋層140、有機發光層150、電 子傳輸層160以及陰極170的材料依序為ITO、EBL2-2(結構如前面所示)、Ir(ppy)3、ETL1-1(結構如前面所示)、Mg/Ag。
陽極110、電洞注入層120、電洞傳輸層130、電子阻擋層140、有機發光層150、電子傳輸層160以及陰極170的厚度依序為10nm、10nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。
實施例2
請參見圖3，實施例2的有機電致發光元件200包括陽極210和依序配置在陽極210上的電洞注入層220、電洞傳輸層230、電子阻擋層240、有機發光層250、電子傳輸層260以及陰極270。
其中，電洞注入層220由第二摻雜層組成。第二摻雜層由NDP-9和HTL1-2(結構如前面所示)組成，第二摻雜層中，P-型摻雜物的摻雜濃度為3wt%。
電洞傳輸層230的材料為HTL1-2(結構如前面所示)。電子阻擋層240的材料為EBL2-2(結構如前面所示)。本實施例中，電洞傳輸層230與電子阻擋層240的能級差為0.15eV。
此外，陽極210、電子阻擋層240、有機發光層250、電子傳輸層260以及陰極270的材料依序為ITO、EBL2-2(結構如前面所示)、Ir(ppy)3、ETL1-1(結構如前面所示)、Mg/Ag。
陽極210、電洞注入層220、電洞傳輸層230、電子阻擋層240、有機發光層250、電子傳輸層260以及陰極270的厚度依序為10nm、10nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。
實施例3
本實施例與實施例2的區別在於：第二摻雜層中，P-型摻雜物的摻雜濃度為5wt%。
實施例4
本實施例與實施例2的區別在於：第二摻雜層中，P-型摻雜物的摻雜濃度為7wt%。
實施例5
請參見圖4，實施例5的有機電致發光元件300包括陽極310和依序配置在陽極310上的電洞注入層320、電洞傳輸層330、電子阻擋層340、有機發光層350、電子傳輸層360以及陰極370。
其中，電洞注入層320包括第一摻雜層321和第二摻雜層322。第一摻雜層321配置於陽極310上，第二摻雜層322配置於第一摻雜層321上。第一摻雜層321由NDP-9組成。第二摻雜層322由NDP-9和HTL1-2(結構如前面所示)組成，第二摻雜層322中，P-型摻雜物的摻雜濃度為5wt%。
電洞傳輸層330的材料為HTL1-2(結構如前面所示)。電子阻擋層340的材料為EBL2-2(結構如前面所示)。本實施例中，電洞傳輸層330與電子阻擋層340的能級差為0.15eV。
此外，陽極310、電子阻擋層340、有機發光層350、電子傳輸層360以及陰極370的材料依序為ITO、EBL2-2(結構如前面所示)、Ir(ppy)3、ETL1-1(結構如前面所示)、Mg/Ag。
陽極310、電洞注入層320、電洞傳輸層330、電子阻擋層340、有機發光層350、電子傳輸層360以及陰極370的厚度依 序為10nm、20nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。其中，第一摻雜層321和第二摻雜層322的厚度分別為10nm和10nm。
實施例6
請參見圖5，實施例6的有機電致發光元件400包括陽極410和依序配置在陽極410上的電洞注入層420、電洞傳輸層430、電子阻擋層440、有機發光層450、電子傳輸層460以及陰極470。
其中，電洞注入層420包括第一摻雜層421和第二摻雜層422。第二摻雜層422配置於陽極410上，第一摻雜層421配置於第二摻雜層422上。第一摻雜層321由NDP-9組成。第二摻雜層422由NDP-9和HTL1-2(結構如前面所示)組成，第二摻雜層422中，P-型摻雜物的摻雜濃度為5wt%。
電洞傳輸層430的材料為HTL1-2(結構如前面所示)。電子阻擋層440的材料為EBL2-2(結構如前面所示)。本實施例中，電洞傳輸層430與電子阻擋層440的能級差為0.15eV。
此外，陽極410、電子阻擋層440、有機發光層450、電子傳輸層460以及陰極470的材料依序為ITO、EBL2-2(結構如前面所示)、Ir(ppy)3、ETL1-1(結構如前面所示)、Mg/Ag。
陽極410、電洞注入層420、電洞傳輸層430、電子阻擋層440、有機發光層450、電子傳輸層460以及陰極470的厚度依序為10nm、20nm、100nm、5nm、30nm、30nm和20nm。第一摻雜層421和第二摻雜層422的厚度分別為10nm和10nm。
實施例7
參照實施例1中有機電致發光元件400的結構，本實施例與實施例1的區別在於：第一摻雜層由NDP-2組成。
對比例1
對比例1與實施例2的區別在於：電洞注入層中不含有P-型摻雜物，只由HAT-CN組成。
測試實驗
對實施例1~7和對比例1的有機電致發光元件進行測試，測試條件為：在1000nit亮度下。光電性能如下表：
Figure 107118555-A0305-02-0024-14
Figure 107118555-A0305-02-0025-16
通過上述測試結果可以看出：首先，實施例1~7和對比例1的色度(CIE)和亮度均相近，這表明上述測試結果的數值進行比較有意義。
其次，在相同的測試條件下，對比例1的電流效率為112.05，實施例1和7的電流效率與對比例1相近，分別為110.95和110.15，能滿足有機電致發光元件對電流效率的要求。而本發明實施例2~6的電流效率依次為112.72、114.76、113.61、113.15和112.56。也就是說，本發明實施例2~6的電流效率均大於對比例1的電流效率。這表明，本發明實施例2、3、4、5和6的有機電致發光元件的電流效率較高。
再次，在相同的測試條件下，對比例1的LT97為500h，而本發明實施例1~7的LT97均大於1000h。也就是說，本發明實施例1~7的LT97為對比例1的LT97的兩倍以上。這表明，本發明實施例1~7的有機電致發光元件的壽命較長。
綜上所述，本發明的有機電致發光元件不僅電流效率較高，而且壽命較長，滿足量產的需求，更有利於應用。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為 使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為准。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S10、S20、S30‧‧‧步驟

Claims (9)

  1. 一種有機電致發光元件，包括：電洞注入層，包括第一摻雜層和第二摻雜層，其中，所述第一摻雜層包括P-型摻雜物，所述第二摻雜層包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料，其中所述第一摻雜層配置於所述第二摻雜層上；電洞傳輸層，配置於所述電洞注入層上；電子阻擋層，配置於所述電洞傳輸層上，其中，所述電子阻擋層與所述電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV；以及有機發光層，配置於所述電子阻擋層上，其中，所述P-型摻雜物選自NDP-9，其中NDP-9的結構如下所示：
    Figure 107118555-A0305-02-0028-17
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，在所述第二摻雜層中，所述P-型摻雜物的摻雜濃度為3wt%~8wt%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件， 其中，所述第二摻雜層靠近所述電洞傳輸層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，所述第一摻雜層靠近所述電洞傳輸層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，當所述電洞注入層僅包括所述第一摻雜層時，所述第一摻雜層的厚度為5nm~20nm；當所述電洞注入層僅包括所述第二摻雜層時，所述第二摻雜層的厚度為10nm~30nm；當所述電洞注入層同時包括所述第一摻雜層和所述第二摻雜層時，所述第一摻雜層的厚度為1nm~10nm，所述第二摻雜層的厚度為10nm~20nm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，所述電洞傳輸材料和所述電洞傳輸層的材料獨立選自式(1)和式(2)所示結構中的至少一種：
    Figure 107118555-A0305-02-0029-18
     其中，式(1)中A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18 分別獨立地選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6~C30的亞稠雜環芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；式(2)中A1和A2分別獨立地選自C6~C30芳基和取代或未取代的C6~C30雜環芳基中的一種，R1’選自氫元素、烷基、烷氧基和鹽基中的一種；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1和A2中的至少一個具有縮環構造。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，所述電子阻擋層的材料選自式(3)、式(4)、式(5)和式(6)所示結構中的至少一種：
    Figure 107118555-A0305-02-0031-21
     其中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基和苯胺基中的一種；R9、R10、R11和R12分別獨立地選自氫元素和C6~C30的芳基中的一種；R13選自C1~C6烷基和羥基中的一種。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光元件，其中，所述有機電致發光元件為共用藍光電子阻擋層的有機電致發光元件。
  9. 一種有機電致發光元件的製備方法，其中，包括以下步驟：形成電洞注入層，所述電洞注入層包括第一摻雜層和第二摻雜層，其中，所述第一摻雜層包括P-型摻雜物，所述第二摻雜層 包括P-型摻雜物和電洞傳輸材料，其中所述第一摻雜層配置於所述第二摻雜層上；在所述電洞注入層上形成電洞傳輸層；在所述電洞傳輸層上形成電子阻擋層，其中，所述電子阻擋層與所述電洞傳輸層的HOMO能級差小於或者等於0.2eV；以及於所述電子阻擋層上配置有機發光層，其中，所述P-型摻雜物選自NDP-9，其中NDP-9的結構如下所示：
    Figure 107118555-A0305-02-0032-22
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