TWI692862B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光二極體顯示器，其包括：基板、基板上之掃描線路及前級掃描線路以傳輸掃描訊號；與掃描線路交錯之資料線路及驅動電壓線路，以分別傳輸資料電壓及驅動電壓；連接到前級掃描線路及驅動電壓線路，並包括連接到驅動電晶體的之驅動閘極電極之初始化汲極電極之初始化電晶體；連接到掃描線路並包括連接至初始化汲極電極之補償汲極電極之補償電晶體；以及電性連接至驅動電晶體之有機發光二極體，其中初始化電晶體及補償電晶體中之至少其一包括複數個閘極電極。

Description

有機發光二極體顯示器
本申請主張於2015年2月5日在韓國知識產權局提交之韓國專利       申請號10-2015-0018151之優先權及效益，其全部內容在此引入作為參考。
本發明的一或多個的示例性實施例之態樣係關於有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器包含了兩個電極以及置於該兩個電極之間的有機發光層。由一電極注入的電子與由另一電極注入電洞在有機發光層結合以產生激子，且激子發出能量，因此產生光。
此種有機發光二極體顯示器包含複數個像素，每一像素包含為自體發光元件的有機發光二極體、驅動有機發光二極體之複數個電晶體及儲存電容。複數個電晶體實質上包括切換電晶體及驅動電晶體。
在此背景技術部分公開之上述訊息僅用於增強對本發明背景技術之理解，因此其可能包含不構成現有技術之訊息。
補償電晶體及初始化電晶體可設置在儲存電容之電流漏電路徑，從而施加高資料電壓。因此，可能希望降低補償電晶體及初始化電晶體之漏電電流以減少頻閃。
一些示例性實施例之態樣提供一種有機發光二極體顯示器，其減少補償電晶體及初始化電晶體之漏電電流以減少頻閃。
本發明之示例性實施例提供一種有機發光二極體顯示器，其包括：基板；在基板上且設置以傳輸掃描訊號的掃描線路及前級掃描線路；與掃描線路交錯且設置以分別傳輸資料電壓及驅動電壓之資料線路及驅動電壓線路；連接到前級掃描線路及驅動電壓線路，並包括連接到驅動電晶體之驅動閘極電極之初始化汲極電極的初始化電晶體；連接至掃描線路且包括連接至初始化汲極電極之補償汲極電極的補償電晶體；以及電性連接到驅動電晶體之有機發光二極體，其中初始化電晶體極及補償電晶體中之至少其一包括複數個閘極電極。
初始化電晶體可包括：包括第一初始化通道、第一初始化閘極電極、第一初始化源極電極及第一初始化汲極電極之第一初始化電晶體；以及包括第二初始化通道、第二初始化閘極電極、第二初始化源極電極、及一第二初始化汲極電極之第二初始化電晶體。
初始化電晶體可進一步包括：包括第三初始化通道、第三初始化閘極電極、第三初始化源極電極及第三初始化汲極電極之第三初始化電晶體。
初始化電晶體可進一步包括： 包括第四初始化通道、第四初始化閘極電極、第四初始化源極電極及第四初始化汲極電極之第四初始化電晶體。
初始化電晶體可進一步包括：包括第五初始化通道、第五初始化閘極電極、第五初始化源極電極以及第五初始化汲極電極之第五初始化電晶體。
補償電晶體可進一步包括：包括第一補償通道、第一補償閘極電極、第一補償源極電極及第一補償汲極電極之第一補償電晶體；以及包括第二補償通道、第二補償閘極電極、第二補償源極電極及第二補償汲極電極之第二補償電晶體。
補償電晶體可進一步包括：包括第三補償通道、第三補償閘極電極、第三補償源極電極及第三補償汲極電極之第三補償電晶體。
有機發光二極體顯示器可包括複數個像素，並且該複數個像素可包括：包括具有兩個初始化閘極電極之初始化電晶體，以及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體之第一像素；包括具有三個初始化閘極電極之初始化電晶體，以及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體之第二像素；以及包括具有三個初始化閘極電極之初始化電晶體，以及具有三個補償閘極電極之補償電晶體之第三像素。
複數個像素可進一步包括：包括具有四個初始化閘極電極之初始化電晶體，以及具有三個補償閘極電極之補償電晶體之第四像素。
複數個像素可以進一步包括：包括具有五個初始化閘極電極之初始化電晶體；及具有三個補償閘極電極之補償電晶體之第五像素。
第一像素至第五像素可對應於初始化電壓之電壓降而被設置於各基板位置。
有機發光二極體顯示器可進一步包括設置以通過初始化電晶體傳送初始化電壓以初始化驅動電晶體之初始化電壓線路。
初始化電壓線路之寬度可根據初始化電晶體及補償電晶體之閘極電極的數量或面板之位置而變化。
初始化電壓線路之寬度可隨著閘極電極的數量增加而增加。
根據本發明的一或多個示例性實施例的態樣，補償電晶體及初始化電晶體被形成為具有複數個閘極電極，以最小化及減少補償電晶體及初始化電晶體的電流漏電，從而減少頻閃。
進一步地，量測初始化電壓壓降，並將具有不同數目之閘極電極之補償電晶體及初始化電晶體，差別地設置在各面板之位置上，並改變初始化導線之寬度以提供最小化或實質上最小化初始化電壓壓降所致之瑕疵可能性的環境。
上述及/或其它方面及本發明之特徵參照以下示例性實施例之附圖進行詳細描述後對於本領域技術人員將變得顯而易知。
在下文中，示例性實施例將參照附圖被更詳細地描述，其中相似的參考數字於通篇文章中指代相似的元件說明。然而本發明可以各種不同的形式實施，並且不應當被解釋為僅限於本文所說明的實施方式。相反的，提供這些實施例作為示例，以使本公開將是徹底及完整的，並將本發明之各態樣及特徵充分地傳達給本領域具有通常知識者。因此，可不描述那些對本領域具有通常知識者而言完整理解本發明態樣及特徵不必要的流程、元件及技術。除非另有說明，整份附圖及書面說明中，相似的標號表示相似的元件，因此，其說明可以不重複。
在附圖中，元件、層及區域的相對尺寸可能為清晰度而放大。空間相對術語，如 “下面(beneath) ”、 “下方(below) ”、 “下(lower) ”、 “之下(under) ”、 “上方(above) ”、 “上(upper) ”等，可用於本文中以簡化描述如圖中所繪示之一個元件或特徵對於另一元件或特徵的關係之敘述。將理解的是，空間相對術語旨在涵蓋除了描繪於附圖中之方向以外，裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在附圖中的元件被翻轉，則被描述為於其他元件或特徵“下方”或 “下面”或“之下”之元件將被定向於所述之其他元件或特徵”上方”。因此，示例性術語，“下方”及“之下”，可以包括“上方 ”及“下方 ”的方位。該裝置可被另外定向（例如，旋轉90度或以其他方向定向），本文中所用之空間相對描述應據此解釋。
將理解的是，雖然術語 “第一(first)”、 “第二(second)”、“第三(third)”等，可用於本文中以描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但是這些元件、組件、區域、層及/或部分不應該被這些術語所限制。這些術語係用來區分一元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分。因此，以下描述之第一元件、組件、區域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區域、層或部分，而不脫離本發明的精神及範圍。
應該理解的是，當元件或層被稱為在另一元件或層“上(on)”、 “連結到(connected to)”或“耦合到(coupled to)”另一元件或層時，其可直接在另一元件或層上或直接連接或耦合到另一元件或層，或可存在一或多個中間元件或層。另外，將理解的是，當元件或層被稱為在兩個元件或層“之間(between)”時，其可以是這兩個元件或層之間的唯一元件或層，或也可以存在一或多個中間元件或層。
本文所用的術語僅用於描述具體實施例的目的，而非意在限制本發明。如本文中所使用的，單數形式“一(a) ”及“一(an)”意在亦包括複數形式，除非上下文清楚地另外指明。將進一步理解，術語“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、及“包括(including)”當在本說明書中使用時，特指存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件，但不排除存在或附加一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件，組件及/或其群組。如本文中所使用的，術語“及/或(and/or)”包括一或多個相關所列的項目的任意組合與所有組合。表述詞如 “中的至少其一(at least one of)”當綴於一列元件之後時，修飾 整個元件列表，並非修改列表中的單個元件。
如本文所用，術語“實質上(substantially)”、“大約(about)”及類似的術語被用作近似的術語而非為程度術語，並且意圖計入以說明本領域中具有通常知識者所承認之測量或計算中之固有偏差。另外，當描述本發明的實施例時使用“可(may)”指“本發明的一或多個實施例”。如本文所用，術語“使用(use)”、 “使用(using)”、及 “使用(used)”可以被認為分別與“利用(utilize)”、 “利用(utilizing)”、 及“利用(utilized)” 同義。此外，術語“示例性(exemplary)”意指範例或說明。
本文所描述的根據本發明實施例的電子或電氣裝置及/或任何其他相關的裝置或組件可利用任何合適的硬體；韌體（例如，特定應用之積體電路）；軟體；或軟體、硬體及韌體的組合來實現。例如，此些裝置的各種組件可被形成在一個積體電路（IC）晶片或獨立的IC晶片上。此外，這些裝置的各種組件可以在軟式印刷電路板上、捲帶式晶片載體封裝（TCP）、印刷電路板（PCB）、或者形成在一個基板上而實現。此外，這些裝置的各種組件可以是在一或多個處理器上、在一或多個計算裝置上運行，執行電腦程序指令及與其他系統組件交互作用以執行本文所描述的各種功能之程序或進程。電腦程序指令可被儲存在可利用標準記憶體裝置（例如，隨機存取記憶體（RAM））於計算裝置中執行之記憶體中。電腦程序指令還可以儲存在其他的非臨時性電腦可讀媒體，例如，CD-ROM、隨身碟等；此外，在本領域中具有通常知識者應該認識到，各種計算裝置的功能可以被組合或集成為單個計算裝置，或特定計算裝置之功能可以被分散於一或多個其他計算裝置，而不背離本發明示例性實施例的精神及範圍的情況。
除非另有定義，否則本文中使用的所有術語（包括技術及科學術語）具有與本發明所屬技術領域中具有通常知識者之通常理解的意義相同之含義。此將進一步理解例如那些定義在常用字典中的術語，應當被解釋為具有與其在相關領域以及/或本說明書的上下文中之含義一致的意義，並且不應以理想化或過於正式的意義解釋，除非在本文中有明確定義。
現在，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器將參照第1圖至第10圖更詳細地說明。
第1圖是根據本發明示例性實施例的有機發光二極體顯示器中之一個像素的等效電路圖。
如第1圖所示，根據本發明示例性實施例之一種有機發光二極體顯示器之像素1包括複數個訊號線路、連接到複數個訊號線路之複數個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7、儲存電容Cst及有機發光二極體（OLED）。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7包括驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6及旁路電晶體T7。
訊號線路包括用於傳輸掃描訊號Sn之掃描線路151、用於發送前級掃描訊號Sn-1至初始化電晶體T4之前級掃描線路152、用於傳輸發光控制訊號EM至操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6之發光控制線路153、用於傳送旁路訊號BP至旁路電晶體T7之旁路控制線路158、與掃描線路151交錯且用於傳送資料訊號Dm之資料線路171、傳輸驅動電壓ELVDD並形成以平行於或實質上平行於資料線路171之驅動電壓線路172、以及用於傳送初始化驅動電晶體T1之初始化電壓Vint之初始化電壓線路192。
驅動電晶體T1之閘極電極G1被連接到儲存電容Cst之一端Cst1時，驅動電晶體T1之源極電極S1經由操作控制電晶體T5連接到驅動電壓線路172，而驅動電晶體T1之汲極電極D1經由發光控制電晶體T6電性連接到有機發光二極體OLED的陽極。驅動電晶體T1根據切換電晶體T2之切換操作接收資料訊號Dm，以對有機發光二極體OLED提供驅動電流Id。
切換電晶體T2之閘極電極G2被連接到掃描線路151，切換電晶體T2之源極電極S2被連接到資料線路171，而切換電晶體T2之汲極電極D2連接到驅動電晶體T1之源極電極S1，其亦經由操作控制電晶體T5連接到驅動電壓線路172。切換電晶體T2是由通過掃描線路151接收之掃描訊號Sn啟動，以執行用於發送資料訊號Dm之切換操作，資料訊號Dm是從資料線路171傳送至驅動電晶體T1之源極電極S1。
補償電晶體T3之閘極電極G3被連接到掃描線路151，補償電晶體T3之源極電極S3被連接到驅動電晶體T1之汲極電極D1亦透過發光控制電晶體T6連接到有機發光二極體OLED之陽極，而補償電晶體T3之汲極電極D3被連接到初始化電晶體T4之汲極電極D4、儲存電容Cst之一端CST1及驅動電晶體T1之閘極電極G1。補償電晶體T3依據通過掃描線路151接收之掃描訊號Sn導通，以將驅動電晶體T1之閘極電極G1及汲極電極D1相互連接。換句話說，補償電晶體T3被導通以連接（例如，二極體連接）驅動電晶體T1為二極體。
初始化電晶體T4之閘極電極G4被連接到前級掃描線路152，初始化電晶體T4之源極電極S4被連接到初始化電壓線路192，而初始化電晶體T4之汲極電極D4被連接至儲存電容Cst之一端Cst1、補償電晶體T3之汲極電極D3及驅動電晶體T1之閘極電極G1。初始化電晶體T4是根據通過前級掃描線路152接收之前級掃描訊號Sn-1導通，以執行用於將初始化電源Vint傳輸至驅動電晶體T1之閘極電極G1，以及初始化驅動電晶體T1之閘極電極G1之閘極電壓之初始化操作。
操作控制電晶體T5之閘極電極G5連接到發光控制線路153，操作控制電晶體T5之源極電極S5被連接至驅動電壓線路172，而操作控制電晶體T5之汲極電極D5被連接到驅動電晶體T1之源極電極S1及切換電晶體T2之汲極電極D2。
發光控制電晶體T6之閘極電極G6連接到發光控制線路153，發光控制電晶體T6之源極電極S6被連接到驅動電晶體T1之汲極電極D1及補償電晶體T3之源極電極S3，發光控制電晶體T6之汲極電極D6電性連接至有機發光二極體OLED之陽極。操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6是同步（例如，同時地）根據通過發光控制線路153接收的發光控制訊號EM導通，且驅動電壓ELVDD之藉由二極體連接之驅動電晶體T1補償以傳輸至有機發光二極體OLED。
旁路電晶體T7之閘極電極G7連接至旁路控制線路158，旁路電晶體T7之源極電極S7連接至發光控制電晶體T6之汲極電極D6及有機發光二極體OLED之陽極，而旁路電晶體T7之汲極電極D7被連接至初始化電壓線路192及初始化電晶體T4之源極電極S4。在此，由於旁路控制線路158被連接到前級掃描線路152，旁路訊號BP等於或大致上等於前級掃描訊號Sn-1。
儲存電容Cst之另一端Cst2連接到驅動電壓線路172，有機發光二極體OLED之陰極連接到傳輸共用電壓ELVSS之共用電壓線路741。
在第1圖中所示之本發明示例性實施例中，即使描繪了具有七個電晶體及一個電容之結構，但本發明不限於此，且電晶體之數量及電容之數目可以各種方式進行修改。
在下文中，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素之操作過程將參考第2圖詳細描述。
第2圖是施加到根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素的訊號之時序圖。
如第2圖所示，首先，在初始化期間，低電平前級掃描訊號Sn-1通過前級掃描線路152提供。當低電平前級掃描訊號Sn-1被提供時，初始化電晶體T4響應於低電平前級掃描訊號Sn-1而被導通，初始化電壓Vint通過初始化電晶體T4從初始化電壓線路192傳輸到驅動電晶體T1之閘極電極G1，而驅動電晶體T1藉由初始化電壓Vint初始化。
此後，在資料編程期間，低電平掃描訊號Sn通過掃描線路151提供。當低電平掃描訊號Sn被提供時，切換電晶體T2及補償電晶體T3對應於低電平掃描訊號Sn而被導通。在這種情況下，驅動電晶體T1藉由導通的補償電晶體T3而二極體連接，並順向偏壓。
因此，藉由自從資料線路171提供之資料訊號Dm增加驅動電晶體T1之閾值Vth獲得之補償電壓（DM+Vth，在此Vth具有負值）被施加至驅動電晶體T1之閘極電極G1。驅動電壓ELVDD及補償電壓（DM+Vth）被施加至儲存電容Cst之個別端Cst2及Cst1，並將對應於端部之間之電壓差之電荷儲存在儲存電容Cst中。
其後，在發光週期期間，從發光控制線路153提供之發光控制訊號EM，從高電平變為低電平。當發光控制訊號EM在發光週期期間變化為低電平時，操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6藉由低電平之發光控制訊號EM導通。
因此，透過驅動電晶體T1之閘極電極G1之閘極電壓及驅動電壓ELVDD之間的電壓差產生之驅動電流Id通過發光控制電晶體T6被提供至有機發光二極體OLED。在發光週期期間，驅動電晶體T1之閘極-源極電壓Vgs由儲存電容Cst維持或大致維持為等於或大致上等於(Dm+Vth)-ELVDD。因此，根據驅動電晶體T1之電流-電壓關係，驅動電流Id正比於從源極-閘極電壓減去閾值Vth而獲得之數值的平方值(Dm-ELVDD)2 。因此，可以確定驅動電流Id與驅動電晶體T1之閾值Vth無關。
在此情況下，旁路電晶體T7接收來自旁路控制線路158之旁路訊號BP，旁路訊號BP是關閉旁路電晶體T7之電壓的電平（例如，預設電平）。旁路電晶體T7在閘極電極G7接收電晶體截斷電壓，從而使旁路電晶體T7被關閉，而當旁路電晶體T7處於關閉狀態時，驅動電流Id之一部分通過旁路電晶體T7旁通作為旁路電流Ibp。
如果有機發光二極體OLED發光，即使顯示黑色圖像之驅動電晶體T1之最小電流流過作為驅動電流，亦無法正確顯示黑色圖像。據此，根據本示例性實施例之有機發光二極體顯示器之旁路電晶體T7可以分散驅動電晶體T1之最小電流的一部分至有機發光二極體之電流通路以外之電流通路以作為旁路電流Ibp。在此，驅動電晶體T1之最小電流是指對應於當驅動電晶體T1之閘極-源極電壓Vgs比閾值電壓Vth低時的電流，使得驅動電晶體T1被關閉。如上所述，對應於驅動電晶體T1關閉時之最小驅動電流（例如，等於或小於10pA之電流）被傳輸到有機發光二極體OLED，並呈現具有黑色亮度之圖像。當顯示黑色圖像之最小驅動電流流過時，旁路電流Ibp之旁路被顯著影響，但是當諸如一般圖像或是白色圖像顯示之高驅動電流流過時，旁路電流Ibp幾乎沒有（例如，十分小或不顯著）受到影響。因此，當顯示黑色圖像之最小驅動電流流過時，自驅動電流Id減少通過旁路電晶體T7旁通之旁路電流Ibp之電流量之有機發光二極體OLED之發光電流Ioled，具有最小電流量，以可靠地顯示黑色圖像。因此，正確之黑色亮度圖像通過使用旁路電晶體T7呈現，從而提高對比度。在第2圖中，旁路訊號BP等於或實質上等於前級掃描訊號Sn-1，但不限於此。
在下文中，可應用上述結構之根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器的詳細結構，將參考第3圖至第10圖來詳細描述。
第3圖是描繪根據本發明第一示例實施例之有機發光二極體顯示器之複數個電晶體及電容的示意圖。
如第1圖至第3圖所示，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器包括分別施加於掃描訊號Sn、前級掃描訊號Sn-1、發光控制訊號EM及旁路訊號BP，且沿列方向形成之之掃描線路151、前級掃描線路152、發光控制線路153及旁路控制線路158。此外，有機發光二極體顯示器包括與掃描線路151、前級掃描線路152、發光控制線路153及旁路控制線路158交錯，並分別向像素1施加資料訊號Dm及驅動電壓ELVDD之資料線路171及驅動電壓線路172。初始化電壓Vint從初始化電壓線路192經由初始化電晶體T4傳送至補償電晶體T3。
此外，在像素1形成驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、旁路電晶體T7、儲存電容Cst及有機發光二極體OLED。有機發光二極體OLED由像素電極、有機發光層及共用電極形成。在這種情況下，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，補償電晶體T3及初始化電晶體T4被配置為雙閘極電極結構的電晶體，以阻斷漏電流。
驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6及旁路電晶體T7中之每一個的通道可形成在一個連接的半導體中，且半導體可形成為以各種形狀彎曲。半導體可以由多晶矽半導體材料或氧化物半導體材料形成。氧化物半導體材料可包括鈦（Ti）、鉿（Hf）、鋯（Zr）、鋁（Al）、鉭（Ta）、鍺（Ge）、鋅（Zn）、鎵（Ga）、錫（Sn）及銦（In）中之任一作為基礎材料之氧化物，及為其複合氧化物之銦-鎵-鋅氧化物（InGaZnO4 ）、鋅-銦氧化物（Zn-In-O）、鋅-錫氧化物（Zn-Sn-O）、銦-鎵氧化物（In-Ga-O）、銦-錫氧化物（In-Sn-O）、銦-鋯氧化物（In-Zr-O）、銦-鋯-鋅氧化物（In-Zr-Zn-O）、銦-鋯-錫氧化物（In-Zr-Sn-O）銦-鋯-鎵氧化物（In-Zr-Ga-O）、銦-鋁氧化物（In-Al-O）、銦-鋅-鋁氧化物（In-Zn-Al-O）、銦-錫-鋁氧化物（In-Sn-Al-O）、銦-鋁-鎵氧化物（In-Al-Ga-O）、銦 -鉭氧化物（In-Ta-O）、銦-鉭-鋅氧化物（In-Ta-Zn-O）、銦-鉭-錫氧化物（In-Ta-Sn-O）、銦-鉭-鎵氧化物（In-Ta-Ga-O）、銦-鍺氧化物（In-Ge-O）、銦-鍺-鋅氧化物（In-Ge-Zn-O）、銦-鍺-錫氧化物（In-Ge-Sn-O）、銦-鍺-鎵氧化物（In-Ge-Ga-O）、鈦-銦-鋅氧化物（Ti-In-Zn-O）、鉿-銦-鋅氧化物（Hf-In-Zn-O）。當半導體是以氧化物半導體材料形成時，可以加入鈍化層以保護相對於例如高溫之外部環境而言脆弱的氧化半導體材料。
半導體包括摻雜有N型雜質或P型雜質之通道以及形成於通道兩側並摻有比摻雜於通道中之雜質更多的雜質之源極電極摻雜部及汲極電極摻雜部。在本示例性實施例中，源極電極摻雜部及汲極電極摻雜部分別對應於源極電極及汲極電極。形成在半導體中之源極電極及汲極電極，其可以透過只在相應之區域摻雜雜質而形成。此外，在半導體中，不同電晶體的源極電極及汲極電極之間的區域被摻雜，使得源極電極及汲極電極可以彼此電性連接。
如第3圖所示，通道131包括形成在驅動電晶體T1中之驅動通道131a、形成在切換電晶體T2中之切換通道131b、形成在補償電晶體T3之中補償通道131c、形成在初始化電晶體T4中之初始化通道131d、形成在操作控制電晶體T5中之操作控制通道131e、形成在發光控制電晶體T6中之發光控制通道131f、及形成在旁路電晶體T7中之旁路通道131g。
驅動電晶體T1包括驅動通道131a、驅動閘極電極155a、驅動源極電極136a及驅動汲極電極137a。驅動通道131a是彎曲的，並且可以具有曲折形或鋸齒形狀。如上所述，形成彎曲的驅動通道131a，以使長驅動通道131a可形成在狹窄的空間中。因此，被施加至驅動閘極電極155a之閘極電壓Vg之驅動範圍，藉由長驅動通道131a而變寬。由於閘極電壓Vg的驅動範圍是大的，從有機發光二極體OLED發射之光之灰度可以更精確地通過改變閘極電壓Vg的大小來控制，因此，可以增加有機發光二極體顯示器的分辨率且可以改進顯示品質。然而，本發明不限於此，並且驅動通道131a的形狀可以被修改成各種合適的形狀，如 “倒S”、”S”、”M”及”W”形，以便可以實施各種示例性實施例。
驅動閘極電極155a重疊驅動通道131a，且驅動源極電極136a及驅動汲極電極137a被形成為鄰近於驅動通道131a之各側邊。驅動閘極電極155a通過連接孔連接到第一資料連接件174。
切換電晶體T2包括切換通道131b、切換閘極電極155b、切換源極電極136b及切換汲極電極137b。切換閘極電極155b是重疊切換通道131b之掃描線路151的一部分，而切換源極電極136b及切換汲極電極137b被形成為鄰近於切換通道131b之各側邊。切換源極電極136b通過連接孔連接到資料線路171。
形成兩個補償電晶體T3，以防止或實質上防止電流漏電，並包括彼此相鄰之第一補償電晶體T3-1及第二補償電晶體T3-2。第一補償電晶體T3-1相對於該掃描線路151設置，而第二補償電晶體T3-2相對於掃描線路151的突起設置。第一補償電晶體T3-1包括第一補償通道131c1、第一補償閘極電極155c1、第一補償源極電極136c1、以及第一補償汲極電極137c1，而第二補償電晶體T3-2包括第二補償通道131c2、第二補償閘極電極155c2、第二補償源極電極136c2、以及第二補償汲極電極137c2。
為掃描線路151的一部分之第一補償閘極電極155c1，重疊在第一補償通道131c1，且第一補償源極電極136c1及第一補償汲極電極137c1被形成為鄰近於第一補償通道131c1之各側邊。第一補償源極電極136c1被連接到發光控制源極電極136f，以及該第一補償汲極電極137c1被連接到第二補償源極電極136c2。
為從掃描線路151向上突出的突起之第二補償閘極電極155c2，重疊於第二補償通道131c2，且第二補償源極電極136c2及第二補償汲極電極137c2被形成為鄰近於第二個補償通道131c2之各側邊。第二補償汲極電極137c2通過連接孔被連接到第一資料連接件174。
形成複數個初始化電晶體T4以防止或大致上防止電流漏電，並包括彼此相鄰之第一初始化電晶體T4-1及第二初始化電晶體T4-2。第一初始化電晶體T4-1相對於前級掃描線路152設置且第二初始化電晶體T4-2相對於前級掃描線路152之突起設置。第一初始化電晶體T4-1包括第一初始化通道131d1、第一初始化閘極電極155d1、第一初始化源極電極136d1以及第一初始化汲極電極137d1，而第二初始化電晶體T4-2包括第二初始化通道131d2、第二初始化閘極電極155d2、第二初始化源極電極136d2及第二初始化汲極電極137d2。
為前級掃描線路152之一部分的第一初始化閘極電極155d1，重疊於第一初始化通道131d1，且第一初始化源極電極136d1及第一初始化汲極電極137d1被形成為鄰近於第一初始化通道131d1之各側邊。第一初始化源極電極136d1通過連接孔被連接到第二資料連接件175，且第一初始化汲極電極137d1被連接到第二初始化源極電極136d2。
為自前級掃描線路152向下突出的突起之第二初始化閘極電極155d2，重疊於第二初始化通道131d2，且第二初始化源極電極136d2及第二初始化汲極電極137d2被形成為鄰近於第二初始化通道131d2之各側邊。第二初始化汲極電極137d2通過連接孔被連接到第一資料連接件174。
如上所述，補償電晶體T3由兩個補償電晶體所形成，其包括第一補償電晶體T3-1及第二補償電晶體T3-2，而初始化電晶體T4是由兩個初始化電晶體所形成，其包括第一初始化電晶體形成T4-1及第二初始化電晶體T4-2，從而有效地防止或大致上防止電流漏電的產生。
操作控制電晶體T5包括操作控制通道131e、操作控制閘極電極155e、操作控制源極電極136e及操作控制汲極電極137e。為發光控制線路153的一部分之操作控制閘極電極155e，重疊於操作控制通道部131e，且操作控制源極電極136e及操作控制汲極電極137e形成為鄰近於操作控制通道131e之各側邊。操作控制源極電極136e通過連接孔連接到驅動電壓線路172之一部分。
發光控制電晶體T6包括發光控制通道131f、發光控制閘極電極155f、發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f。為發光控制線路153的一部分之發光控制閘極電極155f，重疊於發光控制通道131f，且發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f被形成為鄰近於發光控制通道131f之各側邊。
旁路電晶體T7包括旁路通道131g、旁路閘極電極155g、旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g。為旁路控制線路158之一部分之旁路閘極電極155g，重疊於旁路通道131g，並且旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g形成為鄰近於旁路通道131g之各側邊。
驅動電晶體T1之驅動通道131a之一端連接至切換汲極電極137b及操作控制汲極電極137e，而驅動通道131a之另一端連接至第一補償源極電極136c1及發光控制源極電極136f。
儲存電容Cst包括第一儲存電極及第二儲存電極156與其間之第二閘極絕緣層142。第一儲存電極相對應於驅動閘極電極155a，且第二儲存電極156是從儲存線路延伸之部分。第二儲存電極156佔據的面積大於驅動閘極電極155a的面積且實質上覆蓋整個驅動閘極電極155a。在此，第二閘極絕緣層142包括介電材料，以及儲存電容由儲存在儲存電容Cst之電荷及兩個電極155a及156之間的電壓來決定。如上所述，驅動閘極電極155a被用作第一儲存電極，以於像素中因為佔據大面積之驅動通道131a而變窄的空間中，確保用於形成儲存電容之空間。
第4圖是描繪根據本發明第二示例性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個電晶體及電容的示意圖。
參照第4圖，根據本發明第二示例性實施例之有機發光二極體顯示器進一步包括第三補償電晶體T3-3及第三初始化電晶體T4-3。
在此，形成三個補償電晶體T3以防止或實質上防止電流漏電，並且包括彼此相鄰的第一補償電晶體T3-1、第二補償電晶體T3-2以及第三補償電晶體T3-3。第一補償電晶體T3-1及第二補償電晶體T3-2已經參考第3圖描述，因此，其詳細描述可被省略。
第一補償電晶體T3-1相對於掃描線路151設置，第二補償電晶體T3-2相對於掃描線路151的上部突起設置，而第三補償電晶體T3-3相對於掃描線路151的下部突起設置。
第三補償電晶體T3-3包括第三補償通道131c3、第三補償閘極電極155c3、第三補償源極電極136c3及第三補償汲極電極137c3。
為從掃描線路151之向下突出之部分之第三補償閘極電極155c3，重疊於第三補償通道131c3，且第三補償源極電極136c3及第三補償汲極電極137c3被形成為鄰近於第三個補償通道131c3之各側邊。此外，第三補償汲極電極137c3被連接到為掃描線路151之一部分之第一補償閘極電極155c1。
此外，形成三個初始化電晶體T4以防止或實質上防止電流漏電，並且包括彼此相鄰的第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2及第三初始化電晶體T4-3。在此，第一初始化電晶體T4-1及第二初始化電晶體T4-2已經參考第3圖描述，因此，其詳細描述可被省略。
與該第二初始化電晶體T4-2類似，第三初始化電晶體T4-3參照前級掃描線路152之突起設置。
第三初始化電晶體T4-3包括第三初始化通道131d3、第三初始化閘極電極155d3、第三初始化源極電極136d3及第三初始化汲極電極137d3。
在下文中，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面結構將參照第5圖及第6圖以層疊的順序進行說明。
第5圖是沿第4圖的有機發光二極體顯示器的線V-V'截取的剖面圖，而第6圖是第4圖的有機發光二極體顯示器之一個像素的等效電路圖。
如第5圖及第6圖所示，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之補償電晶體T3及初始化電晶體T4被配置為具有複數個閘極結構的電晶體以阻止電流漏電。
緩衝層120形成在基板110上。基板110可由絕緣基板形成，其可由玻璃、石英、陶瓷或塑料形成，且緩衝層120用於阻擋於形成多晶矽半導體之結晶過程期間來自基板110之雜質，從而改善了多晶矽半導體的特性，並減少施加到基板110之應力。
包括驅動通道131a、切換通道131b、第一補償通道131c1、第二補償通道131c2、第三補償通道131c3、第一初始化通道131d、第二初始化通道131d2、第三初始化通道131d3、操作控制通道131e，發光控制通道131f及旁路通道131g之半導體形成在緩衝層120上。在半導體中，驅動源極電極136a及驅動汲極電極137a被形成在驅動通道131a之各側邊，而切換源極電極136b及切換汲極電極137b被形成在切換通道131b之各側邊。另外，第一補償源極電極136c1及第一補償汲極電極137c1被形成在第一補償通道131c1之各側邊，第二補償源極電極136c2及第二補償汲極電極137c2被形成在第二補償通道131c2之各側邊，第一初始化源極電極136d1及第一初始化汲極電極137d1被形成在第一初始化通道131d1之各側邊，且第二初始化源極電極136d2及第二初始化汲極電極137d2被形成在第二初始化通道131d2之各側邊。此外，操作控制源極電極136e及操作控制汲極電極137e被形成在操作控制通道131e之各側邊，發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f被形成在發光控制通道131f之各側邊。旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g被形成在旁路通道131g之各側邊。
此外，第三補償源極電極136c3及第三補償汲極電極137c3被形成在第三補償通道131c3之各側邊，且第三初始化源極電極136d3及第三初始化汲極電極137d3被形成在第三初始化通道131d3之各側邊。
第一閘極絕緣層141被形成在半導體上以覆蓋半導體。第一閘極導線包括前級掃描線路152，其中包括前級掃描線路152包括第一初始化閘極電極155d1、第二初始化閘極電極155d2及第三初始化閘極電極155d3；以及掃描線路151包括第一補償閘極電極155c1、第二前補償閘極電極155c2、及第三補償閘極電極155c3被形成在第一閘極絕緣層141。
第二閘極絕緣層142被形成在第一閘極導線及第一閘極絕緣層141上以覆蓋第一閘極導線及第一閘極絕緣層141。第一閘極絕緣層141及第二閘極絕緣層142可以氮化矽（SiNx）或氧化矽的SiO2形成。
儲存線路設置成與掃描線路151平行，且包括從儲存線路延伸之第二儲存電極156之第二閘極導線，可形成在第二閘極絕緣層142上。
層間絕緣層160形成在第二閘極絕緣層142上。層間絕緣層160由氮化矽（SiNx）或氧化矽SiO2形成。
連接孔形成在層間絕緣層160中。包括資料線路171、驅動電壓線路172、第一資料連接件174、第二資料連接件175之資料導線，形成在層間絕緣層160上。
此外，鈍化層180形成在資料導線及層間絕緣層160上以覆蓋資料導線及層間絕緣層。鈍化層180可以由有機層形成。
如上所述，形成包括第一補償電晶體T3-1、第二補償電晶體T3-2以及第三補償電晶體T3-3之三個補償電晶體T3，並形成包括第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2及第三初始化電晶體T4-3之三個初始化電晶體T4，以最小化或減少電流漏電，從而提供可低頻驅動的環境。
第7圖是描繪根據本發明第三示例實施例之有機發光二極體顯示器之複數個電晶體及電容的示意圖。第8圖是沿第7圖的有機發光二極體顯示器之線VIII-VIII'截取之剖面圖。
參照第7圖及第8圖，根據本發明之第三示例性實施例，有機發光二極體顯示器進一步包括第四初始化電晶體T4-4。
形成複數個初始化電晶體T4以最小化或減少電流漏電，並且包括彼此相鄰之第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2、第三初始化電晶體T4-3及第四初始化電晶體T4-4。
第四初始化電晶體T4-4相對於前級掃描線路152的上部突起設置。第四初始化電晶體T4-4形成在與第一補償電晶體T3-1、第二補償電晶體T3-2、第三補償電晶體T3-3、第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2及第三初始化電晶體T4-3相同的層上。
第四初始化電晶體T4-4包括第四初始化通道131d4、第四初始化閘極電極155d4、第四初始化源極電極136d4及第四初始化汲極電極137d4。
第四初始化通道131d4形成在緩衝層120上，且第四初始化源極電極136d4及第四初始化汲極電極137d4被形成在第四初始化通道131d4之各側邊。
第一閘極絕緣層141形成在第四初始化通道131d4、第四初始化源極電極136d4及第四初始化汲極電極137d4上以覆蓋電極。包括第四初始化閘極電極155d4之第一閘極導線形成在第一閘極絕緣層141上。
第9圖是描繪根據本發明第四示例性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個電晶體及電容的示意圖。第10圖是沿第9圖的有機發光二極體顯示器之線X-X'截取的剖面圖。
參照第9圖及第10圖，根據本發明第四示例性實施例之有機發光二極體顯示器進一步包括第五初始化電晶體T4-5。
形成複數個初始化電晶體T4以最小化或減少電流漏電，並且包括彼此相鄰的第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2、第三初始化電晶體T4-3、第四初始化電晶體T4-4以及第五初始化電晶體T4-5。
第五初始化電晶體T4-5被形成在與第一補償電晶體T3-1、第二補償電晶體T3-2、第三補償電晶體T3-3、第一初始化電晶體T4-1、第二初始化電晶體T4-2、第三初始化電晶體T4-3及第四初始化電晶體T4-4相同的層上。
與第四初始化電晶體T4-4類似，第五初始化電晶體T4-5相對於前級掃描線路152之上部突起設置。第五初始化電晶體T4-5包括第五初始化通道131d5、第五初始化閘極電極155d5、第五初始化源極電極136d5及第五初始化汲極電極137d5。
第五初始化通道131d5形成在緩衝層120上，且第五初始化源極電極136d5及第五初始化汲極電極137d5被形成在第五初始化通道131d5之各側邊。
第一閘極絕緣層141被形成在第五初始化通道131d5、第五初始化源極電極136d5、以及第五初始化汲極電極137d5上以覆蓋電極。包括第五初始化閘極電極155d5之第一閘極導線被形成在第一閘極絕緣層141上。
根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器應用不同之多串聯閘極電極電晶體於各面板位置，從而最小化或降低電晶體之電流漏電並透過低頻驅動減少功耗。
根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，補償電晶體T3及初始化電晶體T4之串聯閘極的數目，考量初始化導線之IR壓降(IR-drop)而不同地變化以配置像素電路。
例如，根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器的複數個像素包括第一像素，其包括具有兩個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體T3；第二像素，其包括具有三個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體T3；以及第三像素，其包括具有三個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有三個補償閘極電極之補償電晶體T3。
此外，複數個像素可以進一步包括第四像素，其包括具有四個初始化閘極電極初始化電晶體T4及具有三個補償閘極電極補償電晶體T3；及第五像素，其包括具有五個初始化閘極電極的初始化電晶體T4及具有三個補償閘極電極的補償電晶體T3。
此外，在複數個像素中，考量初始化電壓之電壓下降，第一像素至第五像素可被設置在各基板位置上。
第11圖是描繪依據根據本發明示例性實施例之發光二極體顯示器中之閘極電極之數目的初始化電壓線路厚度之關係的示意圖。
參考第11圖，根據本發明一些示例性實施例的有機發光二極體顯示器包括：包括具有兩個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體T3之第一像素310；包括具有三個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有兩個補償閘極電極之補償電晶體T3之第二像素320；以及包括具有四個初始化閘極電極之初始化電晶體T4及具有三個補償閘極電極之補償電晶體T3之第四像素330。
此外，像素310、320及330考量初始化電壓的壓降，設置在各基板110位置上，並且連接到初始化電壓線路192。根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，初始化電壓線路192之寬度a1及a2可根據形成在各像素310、320及330之閘極電極的數目而改變（例如，可以彼此不同）。
根據本發明一些示例性實施例的有機發光二極體顯示器中，初始化電壓線路192的寬度隨著閘極電極的數量增加而增加。例如，由於第四像素330之閘極電極的數目比第一像素310之閘極電極的數目大，因此第四像素330之初始化電壓線路192之寬度a2比第一像素310之初始化電壓線路192的寬度a1大。
如上所述，根據本發明一些示例性實施例的有機發光二極體顯示器中，串聯閘極之數量在易受頻閃及電流漏電影響之部份增加以包括漏電流補償元件。當加入串聯閘極時，電晶體的導通電流降低使初始化電壓（Vint）的充電能力退化，從而增加斑點。因此，初始化導線之IR降界由面板之左及右測試圖形預測，而串聯閘極的數目可以基於預測而進行優化。
此外，根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，當串聯閘極電極的數目改變時，初始化線路的厚度也可改變。因此，根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，初始化電壓線路的寬度根據初始化電晶體及補償電晶體之閘極電極數目或面板之位置變化，以最小化或減少初始化導線之IR降，防止或實質上防止電流漏電所致之頻閃，及/或最小化或減少初始化電壓不足造成瑕疵的可能性。
如上所述，根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，補償電晶體及初始化電晶體被形成為具有複數個閘極電極的以最小化或降低補償電晶體及初始化電晶體的電流漏電，從而減少頻閃。
此外，在根據本發明一些示例性實施例之有機發光二極體顯示器中，測量初始化電壓壓降，並於各面板位置差別地設置具有不同數目的閘極電極的補償電晶體及初始化電晶體以補償所測量之電壓壓降。此外，初始化導線之寬度變化，以提供可最小化或降低初始化電壓壓降而造成的瑕疵之可能性的環境。
儘管本發明已經結合了目前被認為是實際的示例性實施例進行描述，但是應該理解的是，本發明不限於所公開的實施例，而是相反地，意在涵蓋包含所附發明申請專利範圍之範圍及精神及其等同物內之各種修改及同等的設置。
1‧‧‧像素 110‧‧‧基板 120‧‧‧緩衝層 131‧‧‧通道 131a‧‧‧驅動通道 131b‧‧‧切換通道 131c‧‧‧補償通道 131c1‧‧‧第一補償通道 131c2‧‧‧第二補償通道 131c3‧‧‧第三補償通道 131d‧‧‧初始化通道 131d1‧‧‧第一初始化通道 131d2‧‧‧第二初始化通道 131d3‧‧‧第三初始化通道 131d4‧‧‧第四初始化通道 131d5‧‧‧第五初始化通道 131e‧‧‧操作控制通道 131f‧‧‧發光控制通道 131g‧‧‧旁路通道 136a‧‧‧驅動源極電極 136b‧‧‧切換源極電極 136c1‧‧‧第一補償源極電極 136c2‧‧‧第二補償源極電極 136c3‧‧‧第三補償源極電極 136d1‧‧‧第一初始化源極電極 136d2‧‧‧第二初始化源極電極 136d3‧‧‧第三初始化源極電極 136d4‧‧‧第四初始化源極電極 136d5‧‧‧第五初始化源極電極 136e‧‧‧操作控制源極電極 136f‧‧‧發光控制源極電極 136g‧‧‧旁路源極電極 137a‧‧‧驅動汲極電極 137b‧‧‧切換汲極電極 137c1‧‧‧第一補償汲極電極 137c2‧‧‧第二補償汲極電極 137c3‧‧‧第三補償汲極電極 137d1‧‧‧第一初始化汲極電極 137d2‧‧‧第二初始化汲極電極 137d3‧‧‧第三初始化汲極電極 137d4‧‧‧第四初始化汲極電極 137d5‧‧‧第五初始化汲極電極 137e‧‧‧操作控制汲極電極 137f‧‧‧發光控制汲極電極 137g‧‧‧旁路汲極電極 141‧‧‧第一閘極絕緣層 142‧‧‧第二閘極絕緣層 151‧‧‧掃描線路 152‧‧‧前級掃描線路 153‧‧‧發光控制線路 155a‧‧‧驅動閘極電極 155b‧‧‧切換閘極電極 155c1‧‧‧第一補償閘極電極 155c2‧‧‧第二補償閘極電極 155c3‧‧‧第三補償閘極電極 155d1‧‧‧第一初始化閘極電極 155d2‧‧‧第二初始化閘極電極 155d3‧‧‧第三初始化閘極電極 155d4‧‧‧第四初始化閘極電極 155d5‧‧‧第五初始化閘極電極 155e‧‧‧操作控制閘極電極 155f‧‧‧發光控制閘極電極 155g‧‧‧旁路閘極電極 156‧‧‧第二儲存電極 158‧‧‧旁路控制線路 160‧‧‧層間絕緣層 171‧‧‧資料線路 172‧‧‧驅動電壓線路 174‧‧‧第一資料連接件 175‧‧‧第二資料連接件 180‧‧‧鈍化層 192‧‧‧初始化電壓線路 310‧‧‧第一像素 320‧‧‧第二像素 330‧‧‧第四像素 741‧‧‧共用電壓線路 a1、a2‧‧‧寬度 BP‧‧‧旁路訊號 Cst‧‧‧儲存電容 Cst1、Cst2‧‧‧儲存電容端 D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7‧‧‧汲極電極 Dm‧‧‧資料訊號ELVDD‧‧‧驅動電壓 ELVSS‧‧‧共用電壓 EM‧‧‧發光控制訊號 G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7‧‧‧閘極電極 Ibp‧‧‧旁路電流Id‧‧‧驅動電流 Ioled‧‧‧發光電流 OLED‧‧‧有機發光二極體 S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7‧‧‧源極電極 Sn‧‧‧掃描訊號 Sn-1‧‧‧前級掃描訊號 T1‧‧‧驅動電晶體 T2‧‧‧切換電晶體 T3‧‧‧補償電晶體 T3-1‧‧‧第一補償電晶體 T3-2‧‧‧第二補償電晶體 T3-3‧‧‧第三補償電晶體 T4‧‧‧初始化電晶體 T4-1‧‧‧第一初始化電晶體 T4-2‧‧‧第二初始化電晶體 T4-3‧‧‧第三初始化電晶體 T4-4‧‧‧第四初始化電晶體 T4-5‧‧‧第五初始化電晶體 T5‧‧‧操作控制電晶體 T6‧‧‧發光控制電晶體 T7‧‧‧旁路電晶體 Vint‧‧‧初始化電壓
參照附隨圖式，對於相關領域中具有通常知識者而言，本發明之以上及/或其他態樣及特徵將從以下示例性實施例的詳描述而變得顯而易見。
第1圖是根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素的等效電路圖。
第2圖是施加至根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素的訊號之時序圖。
第3圖是描繪根據本發明第一示例性實施例之有機發光二極體顯示器的複數個電晶體及電容之示意圖。
第4圖是描繪根據本發明第二示例性實施例之有機發光二極體顯示器的複數個電晶體及電容之示意圖。
第5圖是沿第4圖的有機發光二極體顯示器之線V-V'截取之剖面圖。
第6圖是第4圖的有機發光二極體顯示器的一個像素的等效電路圖。
第7圖是描繪根據本發明第三示例性實施例之有機發光二極體顯示器的複數個電晶體及電容的示意圖。
第8圖是沿第7圖的有機發光二極體顯示器的線VIII-VIII'截取的剖面圖。
第9圖是描繪根據本發明第四示例性實施例之有機發光二極體顯示器的複數個電晶體及電容之示意圖。
第10圖是沿第9圖之有機發光二極體顯示器的線X-X'截取的剖面圖。
第11圖是描繪根據本發明示例性實施例之有機發光二極體顯示器中的閘極電極數量的初始化電壓線路厚度的關係示意圖。
T4-3‧‧‧第三初始化電晶體
T3-3‧‧‧第三補償電晶體
131d3‧‧‧第三初始化通道
136c3‧‧‧第三補償源極電極
137d3‧‧‧第三初始化汲極電極
155d3‧‧‧第三初始化閘極電極
136d3‧‧‧第三初始化源極電極
131c3‧‧‧第三補償通道
137c3‧‧‧第三補償汲極電極
155c3‧‧‧第三補償閘極電極
155a‧‧‧驅動閘極電極
156‧‧‧第二儲存電極
Cst‧‧‧儲存電容
EM‧‧‧發光控制訊號
T4-1‧‧‧第一初始化電晶體
T4-2‧‧‧第二初始化電晶體
T5‧‧‧操作控制電晶體
T6‧‧‧發光控制電晶體
T7‧‧‧旁路電晶體
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧前級掃描訊號
T3-1‧‧‧第一補償電晶體
T3-2‧‧‧第二補償電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓
ELVDD‧‧‧驅動電壓
Dm‧‧‧資料訊號
T1‧‧‧驅動電晶體
T2‧‧‧切換電晶體

Claims (6)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包括：一基板；一掃描線路及一前級掃描線路，在該基板上且設置以傳輸一掃描訊號；一資料線路及一驅動電壓線路，與該掃描線路交錯並且分別設置以傳輸一資料電壓及一驅動電壓；一初始化電晶體，連接到該前級掃描線路及該驅動電壓線路，以及且包括連接到一驅動電晶體之一驅動閘極電極之一初始化汲極電極；一補償電晶體，連接到該掃描線路，且包括連接到該初始化汲極電極之一補償汲極電極；以及一有機發光二極體，電性連接到該驅動電晶體，其中該初始化電晶體及該補償電晶體中之至少其一包括複數個閘極電極，其中該初始化電晶體包括：一第一初始化電晶體，包括一第一初始化通道、一第一初始化閘極電極、一第一初始化源極電極及一第一初始化汲極電極；一第二初始化電晶體，包括一第二初始化通道、一第二初始化閘極電極、一第二初始化源極電極，以及一第二初始化汲極電極； 一第三初始化電晶體，包括一第三初始化通道、一第三初始化閘極電極、一第三初始化源極電極及一第三初始化汲極電極；一第四初始化電晶體，包括一第四初始化通道、一第四初始化閘極電極、一第四初始化源極電極及一第四初始化汲極電極；以及一第五初始化電晶體，包括一第五初始化通道、一第五初始化閘極電極、一第五初始化源極電極及一第五初始化汲極電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中：該補償電晶體包括：一第一補償電晶體，包括一第一補償通道、一第一補償閘極電極、一第一補償源極電極及一第一補償汲極電極；一第二補償電晶體，包括一第二補償通道、一第二補償閘極電極、一第二補償源極電極及一第二補償汲極電極；以及一第三補償電晶體，包括一第三補償通道、一第三補償閘極電極、一第三補償源極電極及一第三補償汲極電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中：該補償電晶體包括：一第一補償電晶體，包括一第一補償通道、一第一補償閘極電極、一第一補償源極電極及一第一補償汲極電極；一第二補償電晶體，包括一第二補償通道、一第二補償閘極電極、一第二補償源極電極及一第二補償汲極電極；以及 一第三補償電晶體，包括一第三補償通道、一第三補償閘極電極、一第三補償源極電極及一第三補償汲極電極。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中：該有機發光二極體顯示器包括複數個像素，且該複數個像素包括：一第一像素，包括一初始化電晶體及一補償電晶體，該初始化電晶體包括兩個初始化閘極電極，該補償電晶體包括兩個補償閘極電極；一第二像素，包括一初始化電晶體及一補償電晶體，該初始化電晶體包括三個初始化閘極電極，該補償電晶體包括兩個補償閘極電極；以及一第三像素，包括一初始化電晶體及一補償電晶體，該初始化電晶體包括三個初始化閘極電極，該補償電晶體包括三個補償閘極電極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中：該複數個像素進一步包括：一第四像素，包括一初始化電晶體及一補償電晶體，該初始化電晶體包括四個初始化閘極電極，該補償電晶體包括三個補償閘極電極；以及一第五像素，包括一初始化電晶體及一補償電晶體，該初始化電晶體包括五個初始化閘極電極，該補償電晶體包括三個補償閘極電極；以及 其中該第一像素至第五像素對應於該初始化電壓之電壓壓降而設置於各基板位置。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含：一初始化電壓線路，設置以通過該初始化電晶體傳送輸一初始化電壓以初始化該驅動電晶體，其中該初始化電壓線路之寬度根據該初始化電晶體之該初始化閘極電極之數量及該補償電晶體之該補償閘極電極之數量，或一面板之位置而變化，且該初始化電壓線路之寬度，隨著該初始化閘極電極及該補償閘極電極之數量的增加而增加。
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