TWI689373B - 研磨方法及研磨裝置 - Google Patents

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Abstract

提供若在晶圓等基板研磨中發生錯誤時，執行測定該基板的 膜厚的工序的研磨方法及研磨裝置。

研磨方法係包含以下工序：研磨複數基板，測定經研磨的複數基板之中被預先指定的至少1片基板的膜厚，當在正在研磨複數基板之中任一個基板之時發生研磨錯誤時，測定該基板的膜厚。

Description

研磨方法及研磨裝置
本發明係關於將晶圓等基板進行研磨的研磨方法及研磨裝置，尤其係關於在將基板研磨後，執行基板的膜厚測定的研磨方法及研磨裝置。
在半導體元件的製造工廠中，係以提高研磨裝置的運轉率為目的而圖求產出量的提升。研磨裝置係為了判斷晶圓是否被正確地研磨，具備有測定所研磨的晶圓的膜厚的膜厚測定器。該膜厚測定由於耗費一定程度的時間，因此在所有晶圓之中，僅針對被預先指定的晶圓測定膜厚。例如僅有第1片晶圓、第5片晶圓、第10片晶圓被搬送至膜厚測定器，在此測定膜厚。
在最先端的半導體元件製程中，良率的提升亦為重要課題。由如上所示之觀點來看，若在晶圓研磨中發生某些錯誤時，圖求將該晶圓再研磨來回避該晶圓的廢棄處分。因此，使用膜厚的測定資料作為用以判斷是否需要晶圓再研磨的指標。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2009-274139號公報
但是，如上所述，膜厚測定係僅針對被預先指定的晶圓進行。因此，亦會有在研磨中發生錯誤的晶圓並非為上述被指定的晶圓的情形。在如上所示之情形下，未取得關於該錯誤晶圓的膜厚測定資料，無法判斷是否應執行再研磨。
因此，本發明之目的在提供若在晶圓等基板研磨中發生錯誤時，執行測定該基板的膜厚的工序的研磨方法及研磨裝置。
為達成上述目的，本發明之一態樣係一種研磨方法，其特徵為：研磨複數基板，測定經研磨的前述複數基板之中被預先指定的至少1片基板的膜厚，當在正在研磨前述複數基板之中任一個基板之時發生研磨錯誤時，測定該基板的膜厚。
本發明之較佳態樣之特徵為：另外包含：將經研磨的前述複數基板洗淨，使經洗淨的前述複數基板乾燥的工序。
本發明之較佳態樣之特徵為：當在正在研磨前述複數基板之中任一個基板之時發生研磨錯誤時，在該基板研磨結束後，測定該基板的膜厚。
本發明之較佳態樣之特徵為：是否發生研磨錯誤的判斷係在基板研磨結束後進行。
本發明之其他態樣係一種研磨裝置，其特徵為：具備有：研磨基板的研磨單元；測定經研磨的前述基板的膜厚的膜厚測定器；及將複數基板依序搬送至前述研磨單元，另外將經研磨的前述複數基板之中被預 先指定的至少1片基板搬送至前述膜厚測定器的搬送裝置，前述搬送裝置當在正在研磨前述複數基板之中任一個基板之時發生研磨錯誤時，將該基板搬送至前述膜厚測定器。
本發明之較佳態樣之特徵為：另外具備有：將基板洗淨的洗淨單元；及使基板乾燥的乾燥單元。
藉由本發明，即使為未被指定為在研磨後測定膜厚的基板的基板，若在該基板研磨中發生研磨錯誤時，測定該基板的膜厚。因此，可由所得之膜厚測定資料判斷是否必須進行基板再研磨。結果，可回避基板的廢棄處分。
1‧‧‧外殼
2‧‧‧裝載/卸載部
3‧‧‧研磨部
3A、3B、3C、3D‧‧‧研磨單元
4‧‧‧洗淨部
5‧‧‧動作控制部
6‧‧‧第1線性輸送器
7‧‧‧第2線性輸送器
10‧‧‧研磨墊
11‧‧‧升降器
12‧‧‧擺動輸送器
16‧‧‧頂環軸
19‧‧‧平台馬達
20‧‧‧前面裝載部
21‧‧‧行走機構
22‧‧‧搬送機器人
30A、30B、30C、30D‧‧‧研磨平台
31A、31B、31C、31D‧‧‧頂環
32A、32B、32C、32D‧‧‧研磨液供給噴嘴
33A、33B、33C、33D‧‧‧修整器
34A、34B、34C、34D‧‧‧噴射器
39‧‧‧研磨終點檢測裝置
40‧‧‧膜厚感測器
45‧‧‧膜厚監視部
72‧‧‧暫置台
73‧‧‧第1洗淨單元
74‧‧‧第2洗淨單元
75‧‧‧乾燥單元
77‧‧‧第1搬送機器人
78‧‧‧第2搬送機器人
80‧‧‧膜厚測定器
85‧‧‧基板匣盒
90‧‧‧研磨錯誤輸出部
第一圖係顯示本發明之實施形態之研磨裝置的圖。
第二圖係以模式顯示第1研磨單元的斜視圖。
第三圖係顯示被裝載在前面裝載部的基板匣盒的模式圖。
第四圖係顯示被收容在基板匣盒內的晶圓的號碼、及針對晶圓各個的膜厚測定的指定狀態的圖。
第五圖係顯示依晶圓的指定狀態而改變的晶圓處理流程的圖。
以下參照圖示，說明本發明之實施形態。第一圖係顯示本發明之實施形態之研磨裝置的圖。如第一圖所示，該研磨裝置係具備有大致矩形狀的外殼1，外殼1的內部係藉由間隔壁1a、1b，被區劃為裝載/卸載部2、研磨部3、及洗淨部4。研磨裝置係具有控制晶圓處理動作的動作控制 部5。
裝載/卸載部2係具備有載置貯存多數晶圓(基板)的基板匣盒的前面裝載部20。在該裝載/卸載部2係沿著前面裝載部20的並排舖設有行走機構21，在該行走機構21上設置有可沿著基板匣盒的排列方向移動的搬送機器人(裝載器)22。搬送機器人22係可藉由在行走機構21上移動，在被裝載在前面裝載部20的基板匣盒進出。
研磨部3係進行晶圓研磨的區域，具備有第1研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C、第4研磨單元3D。如第一圖所示，第1研磨單元3A係具備有：安裝有具有研磨面的研磨墊10的第1研磨平台30A；用以一邊保持晶圓且將晶圓按壓在研磨平台30A上的研磨墊10一邊進行研磨的第1頂環31A；用以對研磨墊10供給研磨液(例如泥漿)或修整液(例如純水)的第1研磨液供給噴嘴32A；用以進行研磨墊10之研磨面修整的第1修整器33A；及將液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體形成為霧狀而噴射至研磨面的第1噴射器34A。
同樣地，第2研磨單元3B係具備有安裝有研磨墊10的第2研磨平台30B、第2頂環31B、第2研磨液供給噴嘴32B、第2修整器33B、及第2噴射器34B，第3研磨單元3C係具備有安裝有研磨墊10的第3研磨平台30C、第3頂環31C、第3研磨液供給噴嘴32C、第3修整器33C、及第3噴射器34C，第4研磨單元3D係具備有安裝有研磨墊10的第4研磨平台30D、第4頂環31D、第4研磨液供給噴嘴32D、第4修整器33D、及第4噴射器34D。
第1研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C、及第4研磨單元3D係具有彼此相同的構成，因此以下參照第二圖，說明第1研磨單 元3A。第二圖係以模式顯示第1研磨單元3A的斜視圖。其中，在第二圖中省略修整器33A及噴射器34A。
研磨平台30A係與透過平台軸30a而被配置在其下方的平台馬達19相連結，藉由該平台馬達19，研磨平台30A以箭號所示方向進行旋轉。在該研磨平台30A的上面係黏貼有研磨墊10，研磨墊10的上面構成研磨晶圓W的研磨面10a。頂環31A係與頂環軸16的下端相連結。頂環31A係以可藉由真空抽吸將晶圓W保持在其下面的方式所構成。頂環軸16係藉由未圖示的上下移動機構進行上下移動。
第1研磨單元3A係具備有用以檢測晶圓W之研磨的研磨終點檢測裝置39。該研磨終點檢測裝置39係具備有：取得依晶圓W的膜厚而改變的膜厚訊號的膜厚感測器40；及由膜厚訊號決定研磨終點的膜厚監視部45。膜厚感測器40係被配置在研磨平台30A的內部。膜厚感測器40係如記號A所示，與研磨平台30A一體旋轉，取得被保持在頂環31A的晶圓W的膜厚訊號。膜厚感測器40係與膜厚監視部45相連接，藉由膜厚感測器40所取得的膜厚訊號係被送至膜厚監視部45。膜厚監視部45係決定膜厚訊號達到預先設定的目標值的時點亦即研磨終點。
晶圓W的研磨係進行如下。使頂環31A及研磨平台30A分別以箭號所示方向旋轉，由研磨液供給噴嘴32A在研磨墊10上供給研磨液(泥漿)。在該狀態下，頂環31A係將晶圓W推擠在研磨墊10的研磨面10a。晶圓W的表面係藉由研磨液所含有的研磨粒的機械作用與研磨液的化學作用予以研磨。研磨結束後，進行藉由修整器33A所為之研磨面10a的修整(調整)，另外由噴射器34A對研磨面10a供給高壓流體，將殘留在研磨面10a的研磨碎 屑或研磨粒等去除。
返回至第一圖，與第1研磨單元3A及第2研磨單元3B鄰接配置有第1線性輸送器6。該第1線性輸送器6係在4個搬送位置(第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4)之間搬送晶圓的機構。此外，與第3研磨單元3C及第4研磨單元3D相鄰接配置有第2線性輸送器7。該第2線性輸送器7係在3個搬送位置(第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7)之間搬送晶圓的機構。
晶圓係藉由第1線性輸送器6而被搬送至研磨單元3A、3B。第1研磨單元3A的頂環31A係藉由其擺動動作，在研磨平台30A的上方位置與第2搬送位置TP2之間移動。因此，在頂環31A與第1線性輸送器6之間之晶圓的收授係在第2搬送位置TP2進行。
同樣地，第2研磨單元3B的頂環31B係在研磨平台30B的上方位置與第3搬送位置TP3之間移動，在頂環31B與第1線性輸送器6之間之晶圓的收授係在第3搬送位置TP3進行。第3研磨單元3C的頂環31C係在研磨平台30C的上方位置與第6搬送位置TP6之間移動，在頂環31C與第2線性輸送器7之間之晶圓的收授係在第6搬送位置TP6進行。第4研磨單元3D的頂環31D係在研磨平台30D的上方位置與第7搬送位置TP7之間移動，在頂環31D與第2線性輸送器7之間之晶圓的收授係在第7搬送位置TP7進行。
與第1搬送位置TP1鄰接配置有用以由搬送機器人22接受晶圓的升降器11。晶圓係透過該升降器11而由搬送機器人22被交付至第1線性輸送器6。位於升降器11與搬送機器人22之間，在間隔壁1a設有擋門(未圖示)，形成晶圓搬送時，擋門被打開，晶圓由搬送機器人22被交付至升降器 11。
在第1線性輸送器6、第2線性輸送器7、及洗淨部4之間配置有擺動輸送器12。由第1線性輸送器6對第2線性輸送器7搬送晶圓係藉由擺動輸送器12進行。晶圓係藉由第2線性輸送器7而被搬送至第3研磨單元3C及/或第4研磨單元3D。
與搬送機器人22鄰接設有膜厚測定器80。晶圓係在研磨前及/或研磨後，藉由搬送機器人22被搬送至膜厚測定器80，在此測定晶圓的膜厚。膜厚測定器80係光學式膜厚測定器或渦電流式膜厚測定器。光學式膜厚測定器係由來自晶圓的反射光所包含的光學資訊來決定晶圓膜厚的裝置。更具體而言，光學式膜厚測定器係對晶圓表面照射光，將由晶圓返回的反射光按照波長進行分解，根據所被分解的反射光的強度，決定膜厚。渦電流式膜厚測定器係構成為：對線圈流通高頻的交流電流而在導電膜誘發渦電流，由因該渦電流的磁場而起之阻抗的變化，檢測導電膜的厚度。以膜厚測定器80而言，係使用採用如上所示之周知技術的光學式膜厚測定器或渦電流式膜厚測定器。此外，亦可使用其他類型的膜厚測定器作為膜厚測定器80。
在擺動輸送器12的側方配置有被設置在未圖示的框架的晶圓的暫置台72。該暫置台72係如第一圖所示，與第1線性輸送器6鄰接配置，位於第1線性輸送器6與洗淨部4之間。擺動輸送器12係在第4搬送位置TP4、第5搬送位置TP5、及暫置台72之間移動。在上述實施例中，係當在各研磨單元3A-3D間授受晶圓時，晶圓係由頂環脫離，透過線性輸送器6、7被搬送至其他研磨單元，但是研磨單元間的晶圓的收授構機並非限定於上述之 例，亦可例如在維持保持晶圓的情況下頂環直接移動至其他研磨單元，藉此搬送晶圓。
被載置在暫置台72的晶圓係藉由洗淨部4的第1搬送機器人77被搬送至洗淨部4。如第一圖所示，洗淨部4係具備有以洗淨液洗淨經研磨的晶圓的第1洗淨單元73及第2洗淨單元74、及將經洗淨的晶圓乾燥的乾燥單元75。第1搬送機器人77係將晶圓由暫置台72搬送至第1洗淨單元73，另外以由第1洗淨單元73搬送至第2洗淨單元74的方式進行動作。在第2洗淨單元74與乾燥單元75之間配置有第2搬送機器人78。該第2搬送機器人78係以將晶圓由第2洗淨單元74搬送至乾燥單元75的方式進行動作。
第三圖係顯示被裝載在前面裝載部20的基板匣盒85的模式圖。如第三圖所示，在基板匣盒85的內部收容有複數(例如25片)晶圓。搬送機器人22由基板匣盒85一片一片地取出晶圓，交付至第1線性輸送器6，另外，晶圓係經由第1線性輸送器6及/或第2線性輸送器7而被搬送至研磨單元3A~3D的任意者。晶圓係以研磨單元3A~3D的任意者予以研磨。晶圓亦可在以研磨單元3A~3D之中的任意者予以研磨之後，另外被搬送至研磨單元3A~3D之中的其他研磨單元而更進一步研磨。
經研磨的晶圓係經由第1線性輸送器6及/或第2線性輸送器7、擺動輸送器12、搬送機器人77被搬送至第1洗淨單元73及第2洗淨單元74，經研磨的晶圓係藉由該等第1洗淨單元73及第2洗淨單元74被依序洗淨。此外，經洗淨的晶圓係藉由搬送機器人78而被搬送至乾燥單元75，在此使經洗淨的晶圓乾燥。
經乾燥的晶圓係藉由搬送機器人22，由乾燥單元75被取出， 且被搬送至膜厚測定器80。膜厚測定器80係測定經研磨的晶圓的膜厚。之後，晶圓係藉由搬送機器人22，由膜厚測定器80被取出，且送回至前面裝載部20上的基板匣盒85。如上所示，對晶圓進行包含研磨、洗淨、乾操、及膜厚測定的一連串處理。在將晶圓研磨前，亦可將晶圓搬送至膜厚測定器80，來測定研磨前晶圓的膜厚。
在本實施形態中，搬送機器人22、第1線性輸送器6、第2線性輸送器7、擺動輸送器12、及搬送機器人77、78係構成將基板匣盒85內的複數晶圓依序搬送至研磨單元3A~3D，另外將複數晶圓之中被預先指定的至少1片晶圓搬送至膜厚測定器80的搬送裝置。該搬送裝置的動作係藉由動作控制部5予以控制。
第四圖係顯示被收容在基板匣盒85內的晶圓的號碼、及針對晶圓各個的膜厚測定的指定狀態的圖。在第四圖中，「前測定晶圓」係表示在晶圓研磨前測定晶圓膜厚的晶圓，「後測定晶圓」係表示晶圓研磨後測定晶圓膜厚的晶圓，「非測定晶圓」係表示未測定膜厚的晶圓。
基板匣盒85內的全部晶圓係被預先指定為「前測定晶圓」、「後測定晶圓」、及「非測定晶圓」之中的至少一者。例如，第四圖所示之第1個晶圓係被指定為「前測定晶圓」及「後測定晶圓」，第2個晶圓係被指定為「後測定晶圓」，第3個、第4個、及第5個晶圓係被指定為「非測定晶圓」。作為前測定晶圓及後測定晶圓的第1個晶圓係在研磨前及研磨後被搬送至膜厚測定器80，測定其膜厚。被指定為後測定晶圓的第2個晶圓係在研磨後被搬送至膜厚測定器80，測定其膜厚。被指定為非測定晶圓的第3個、第4個、及第5個晶圓並未被搬送至膜厚測定器80，且未測定其膜厚。
晶圓的指定係藉由動作控制部5來執行。更具體而言，在動作控制部5係預先記憶有表示基板匣盒85內的各晶圓的號碼、與相對應的晶圓的指定類型的關係的指定處方(recipe)。根據該指定處方，動作控制部5係按照基板匣盒85內的晶圓排列順序，將晶圓的各個指定為「前測定晶圓(前測定基板)」、「後測定晶圓(後測定基板)」、或「非測定晶圓(非測定基板)」。如第四圖所示之第1個晶圓般，亦可將1片晶圓指定為「前測定晶圓」及「後測定晶圓」之二者。
第五圖係顯示依晶圓的指定狀態而改變的晶圓處理流程的圖。動作控制部5係判斷晶圓是否被指定為前測定晶圓(步驟1)。若晶圓被指定為前測定晶圓，接著，動作控制部5係判斷晶圓是否已經被研磨(步驟2)。若晶圓尚未被研磨時，晶圓係被搬送至膜厚測定器80，在此測定研磨前晶圓的膜厚。
若在步驟1中晶圓未被指定為前測定晶圓時、及在步驟2中晶圓已經被研磨時，動作控制部5係判斷晶圓是否被指定為後測定晶圓(步驟3)。若晶圓被指定為後測定晶圓，動作控制部5係判斷晶圓是否已經被研磨(步驟4)。若晶圓已經被研磨，晶圓係被搬送至膜厚測定器80，在此測定研磨後晶圓的膜厚。若晶圓尚未被研磨，處理流程即結束。
若在步驟3中，晶圓未被指定為後測定晶圓，動作控制部5係判斷晶圓是否被指定為非測定晶圓(步驟5)。若晶圓未被指定為非測定晶圓，處理流程即結束。若晶圓被指定為非測定晶圓，動作控制部5係判斷晶圓是否已經被研磨(步驟6)。若晶圓尚未被研磨，處理流程即結束。若晶圓已經被研磨，動作控制部5係判斷在被指定為非測定晶圓的晶圓研磨中 是否發生研磨錯誤(步驟7)。
研磨錯誤係以研磨單元3A、3B、3C、3D之任意者研磨晶圓時發生的研磨異常。研磨錯誤係藉由第一圖所示之研磨錯誤檢測部90予以檢測。該研磨錯誤檢測部90係與研磨單元3A、3B、3C、3D及動作控制部5相連接。研磨錯誤檢測部90係構成為：檢測在晶圓研磨中發生的研磨錯誤，對動作控制部5傳送研磨錯誤訊號。以研磨錯誤之例而言，列舉有：將晶圓按壓在研磨墊的負載異常；被供給至研磨墊的研磨液(泥漿)的流量異常；晶圓研磨終點檢測失敗等。例如，研磨液的流量達到預定的臨限值時，研磨錯誤檢測部90係將研磨錯誤訊號傳送至動作控制部5。
若在步驟7中被指定為非測定晶圓的晶圓研磨中發生研磨錯誤時，亦即動作控制部5由研磨錯誤檢測部90接收到研磨錯誤訊號時，該晶圓被搬送至膜厚測定器80，在此測定研磨後晶圓的膜厚。更具體而言，該晶圓係在研磨結束後，依序被搬送至第1洗淨單元73及第2洗淨單元74予以洗淨，此外，經洗淨的晶圓係藉由乾燥單元75予以乾燥。接著，經乾燥的晶圓係被搬送至膜厚測定器80，測定其膜厚。如上所示，在被搬送至膜厚測定器80之前，晶圓被洗淨及乾燥，因此膜厚測定器80係可測定正確的膜厚。
在本實施形態中，經乾燥的晶圓返回至基板匣盒85之前，以膜厚測定器80測定晶圓的膜厚，但是亦可在經乾燥的晶圓返回至基板匣盒85之後，再以膜厚測定器80測定晶圓的膜厚。
若在步驟7中被指定為非測定晶圓的晶圓研磨中未發生研磨錯誤時，處理流程即結束。以膜厚測定器80測定出後測定晶圓及非測定晶 圓的膜厚之後，動作控制部5係由膜厚測定器80接收測定資料，確認測定資料的正當性(步驟8)。在由膜厚測定器80被傳送的測定資料(膜厚測定值)係附屬有表示膜厚測定值正當性(亦即測定結果的正當性)的妥當值。該妥當值係表示膜厚測定值的妥當性或可靠性的指標值，藉由膜厚測定器80予以作成。動作控制部5係根據妥當指標值，決定測定資料(膜厚測定值)是否正當。若測定資料正當，晶圓的處理流程即結束。若測定資料非為正當，該晶圓的膜厚係以膜厚測定器80再次測定，動作控制部5係進行測定資料的再接收。
在被收容在基板匣盒85的25片晶圓之中，被指定為非測定晶圓的晶圓為15片。若在正在研磨該等15片非測定晶圓之中任一者之時發生研磨錯誤時，該晶圓無關於被指定為非測定晶圓，被搬送至膜厚測定器80來測定其膜厚。如上所示，即使為被指定為非測定晶圓的晶圓，亦測定膜厚，因此可判斷晶圓是否需要再研磨。結果可回避晶圓的廢棄處分。
第五圖所示處理流程係執行晶圓被研磨之前、及晶圓被研磨之後的2次。更具體而言，在將晶圓由裝載/卸載部2取出前執行處理流程，將晶圓進行研磨、洗淨、及乾燥之後(搬送機器人22將晶圓由乾燥單元75取出前)，再次執行處理流程。
上述實施形態係以本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明為目的所記載者。上述實施形態的各種變形例若為該領域熟習該項技術者，為當然可達成，本發明之技術思想亦可適用在其他實施形態。因此，本發明係以按照藉由申請專利範圍所定義的技術思想的最大範圍予以解釋者，而非限定於所記載之實施形態。

Claims (9)

  1. 一種研磨方法，其特徵為：以研磨單元研磨複數基板，前述複數基板包含被預先指定作為不測定膜厚的基板之非測定基板；以及被預先指定作為研磨後測量膜厚的基板之後測定基板，判斷經研磨之基板為非測定基板或是後測定基板，在前述經研磨之基板為前述非測定基板的情況，判斷以前述研磨單元研磨前述非測定基板之時是否發生了研磨錯誤，在前述非測定基板研磨中發生了研磨錯誤的情況，在前述非測定基板研磨後測定該非測定基板的膜厚，在前述後測定基板研磨後，測定該後測定基板的膜厚，而不去判斷是否發生了研磨錯誤。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，另外包含：將經研磨的前述複數基板洗淨，使經洗淨的前述複數基板乾燥的工序。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，前述研磨錯誤為將基板按壓在前述研磨單元的研磨墊之負載異常、被供給至前述研磨墊之研磨液的流量異常、或基板研磨終點檢測失敗。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，是否發生研磨錯誤的判斷係在基板研磨結束後進行。
  5. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，進一步包含從所得之膜厚測定資料判斷前述非測定基板的再研磨是否為必須之工序。
  6. 一種研磨裝置，其特徵為：具備有：研磨複數基板的研磨單元，前述複數基板包含被預先指定作為不測定膜厚的基板之非測定基板；以及被預先指定作為研磨後測量膜厚的基板之後測定基板；測定經研磨的前述基板的膜厚的膜厚測定器；將複數基板依序搬送至前述研磨單元，另外將經研磨的前述複數基板之中被預先指定的至少1片基板搬送至前述膜厚測定器的搬送裝置；檢測研磨錯誤的研磨錯誤檢測部；及判斷經研磨之基板為非測定基板或是後測定基板，且根據來自前述研磨錯誤檢測部的研磨錯誤訊號判斷在前述研磨單元中是否發生了研磨錯誤的動作控制部，前述動作控制部，在前述經研磨之基板為前述非測定基板的情況，判斷以前述研磨單元研磨前述非測定基板之時是否發生了研磨錯誤，在前述非測定基板研磨中發生了研磨錯誤的情況，前述搬送裝置在前述非測定基板研磨後將該非測定基板搬送至前述膜厚測定器，前述膜厚測定器測定前述非測定基板的膜厚，在前述後測定基板研磨後，前述動作控制部不去判斷是否發生了研磨錯誤，而前述搬送裝置將該後測定基板搬送至前述膜厚測定器，該膜厚測定器測定前述後測定基板的膜厚。
  7. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中，另外具備有：將基板洗淨的洗淨單元；及 使基板乾燥的乾燥單元。
  8. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中，從所得之膜厚測定資料判斷前述非測定基板的再研磨是否為必須。
  9. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中，前述研磨錯誤為將基板按壓在前述研磨單元的研磨墊之負載異常、被供給至前述研磨墊之研磨液的流量異常、或基板研磨終點檢測失敗。
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