TWI686839B - 離子植入系統、用於植入離子的方法以及在離子植入系統中實施劑量測定控制的方法 - Google Patents

離子植入系統、用於植入離子的方法以及在離子植入系統中實施劑量測定控制的方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種離子植入系統和方法，其中，一離子束依照第一製程配方被調整。該離子束沿著一掃描平面於第一頻率處被掃描，用以定義一第一被掃描的離子束。一射束輪廓描繪設備平移通過該第一被掃描的離子束，並且該第一被掃描的離子束的一或更多項特性跨越該第一被掃描的離子束的寬度被量測，從而定義一和該第一被掃描的離子束相關聯的第一射束輪廓。該離子束接著在第二頻率處被掃描，從而定義一第二被掃描的離子束，其中，該第二頻率小於該第一頻率。一和該第二被掃描的離子束相關聯的第二射束輪廓至少部分以該第一射束輪廓為基礎被決定。離子接著透過該第二被掃描的離子束被植入於一工件之中。

Description

離子植入系統、用於植入離子的方法以及在離子植入系統中實施劑量測定控制的方法
本發明大體上和離子植入系統及方法有關，且更明確地說，和用於方便決定一離子束電流輪廓的劑量測定系統方法有關。
相關申請案之參考
本申請案主張2014年12月26日提申的美國臨時申請案序號第62/096,963號的優先權和權利，該案標題為「用於掃描式射束植入機之射束輪廓描繪速度提升(BEAM PROFILING SPEED ENHANCEMENT FOR SCANNED BEAM IMPLANTERS)」，本文以引用的方式將其完整併入。
在半導體裝置的製造中，離子植入係用於利用雜質來摻雜半導體。離子植入系統經常被用來利用一離子束中的離子來摻雜一工件(例如，半導體晶圓)，以便產生n型或p型材料摻雜，或是用以在積體電路製作期間形成鈍化層(passivation layer)。當用於摻雜半導體晶圓時，該離子植入系統會射出一選定的離子粒種至該工件之中，以便產生所希望的異質材 料。
在離子植入中經常希望決定被傳送至該工件的摻雜物的數額。量測被植入於一晶圓或工件中的離子稱為劑量測定術(dosimetry)。於離子植入應用中，劑量測定術通常係藉由量測電流(舉例來說，離子束電流)來實施。在控制被植入離子的劑量中，通常係運用封閉迴路回授控制系統來動態調整該植入，以便在該被植入的工件中達成劑量均勻性。此些控制系統會監視該離子束的電流，以便控制該工件被該離子束掃描的速度，其中，會跨越該工件提供均勻的離子植入。
在具有帶狀離子束(舉例來說，剖面寬度大於其高度的靜電掃描離子束)的離子植入系統中經常會需要該離子束的輪廓或形狀，以便正確地調整該工件通過該射束的平移速度以及路徑，用以達到均勻摻雜的目的。於此情況中，當該離子束以和植入於一工件之中所運用的相同頻率被靜電掃描時，法拉第杯通常會被平移或掃描通過該離子束。就此來說，該法拉第杯中的一狹縫會遞增量測和該離子束相關聯的射束電流並且該法拉第杯會駐留在每一個空間點足夠長的時間，以便在一完整的射束輪廓中積分該電流。
依此方式讓法拉第杯通過該離子束會提供該離子束的一時間相依的輪廓，並且通常會被視為該離子束之總輪廓的充分近似輪廓。然而，因為該時間相依的輪廓通常係利用和在實際植入於一工件之中期間所運用的離子束掃描相同的頻率來實施，並且因為經常需要一個以上的輪廓以降低雜訊效應，所以，超長的輪廓描繪時間非常常見，並且總處理量會變差。
本揭示內容目前提供一種用於以離子束掃描速度來實施輪廓描繪作業以便充分並且迅速描繪一離子束之輪廓的系統和方法，該離子束掃描速度明顯大於實際植入期間所運用的速度。據此，下面將提出本發明的簡化摘要說明，以便對本發明的某些觀點有基礎的理解。此摘要說明並非係本發明的延伸性綜合說明。其既不企圖識別本發明的關鍵或重要元件，亦非描述本發明的範疇。該摘要說明的目的係以簡化的形式來表達本發明的某些概念，作為稍後提出之更詳細說明的引言。
在掃描式射束離子植入系統中(舉例來說，2維的掃描式射束，或是具有1維機械掃描的1維的掃描式射束)，劑量均勻性校正、角度量測與校正、以及其它「帶狀」射束量測通常係在用於植入至一工件之中的掃描頻率處配合離子束掃描來進行。當該掃描頻率非常低時(舉例來說，約1至2Hz)，為達到特定的製程優點，量測時間會變得非常長(舉例來說，大小等級為1至2分鐘或更多)，因為量測裝置需要累積足夠數量的掃描。
舉例來說，劑量均勻性量測通常利用一行進中的狹縫法拉第杯來進行，其會移動跨越該「帶狀」射束輪廓。該杯體必須駐留在每一個空間點足夠長的時間，以便在一完整的射束輪廓中積分該電流。一般來說，大約300個空間點會被量測並且在至少數個完整的輪廓中被積分，以便減少雜訊。即使利用一對輪廓，在1Hz處，此動作仍會耗費約300秒(舉例來說，300*1個完整循環(該射束會通過該杯體2次)*1秒/循環=300秒)。因為通常會實施至少兩次輪廓描繪作業，所以，這會導致無法接受的冗長量測時間，相較於較高的掃描頻率，因此會產生大幅的總處理量下降。因此， 本揭示內容說明用於縮短和慢速射束掃描相關聯的量測時間的設備與方法。
本揭示內容目前明白，瞬時射束輪廓形狀和感興趣範圍(舉例來說，1至1000Hz)中的掃描頻率沒有強烈的函數關係。因此，本揭示內容的優點係能夠在高頻處進行射束量測，從而縮短該些量測所耗費的時間。一旦該些量測完成之後，該掃描頻率便會降回到植入所需要的低頻。如果需要的話，會在植入頻率處進行最終的檢查。
據此，本發明提供一種用於植入離子的方法，其中，該離子束會被調整至所希望的電流。舉例來說，此離子束調整能夠利用關閉射束的掃描或是在植入掃描頻率或不同的頻率處開啟掃描來實施。接著，掃描會被調整至和植入所運用的頻率不同的頻率處，俾使得新頻率對較快速的量測時間為最佳的頻率。舉例來說，用於量測的頻率明顯高於用於植入的頻率。離子束量測會進一步被實施，例如，劑量均勻性量測以及射束角度量測。掃描頻率接著會改變至植入掃描頻率。如果需要的話，會在植入掃描頻率處實施最終的射束量測檢查。
如果在兩個不同頻率處所進行的量測之間發現變異的話，那麼，便可能要套用以該兩個量測組之間的頻率差異為基礎的校正。舉例來說，倘若射束角度於低頻率邊緣處提高的話，那麼，在高頻率處的量測便會考量此因素而進行校正。舉例來說，該些校正會逐個配方來儲存(舉例來說，雷同於自動調整歷史(autotune history))。
進一步言之，本發明提供運用此些校正的另一種方法，其中，該離子束會被調整至所希望的電流。此射束調整能夠利用關閉掃描或 是在植入掃描頻率或不同的頻率處開啟掃描來實施。掃描會被調整至和植入所運用的頻率不同的頻率處，俾使得新頻率對較快速的量測時間為最佳的頻率。舉例來說，用於量測的頻率會明顯高於用於植入的頻率。射束量測會進一步被實施，例如，劑量均勻性量測以及射束角度量測。
掃描頻率接著會切換至植入掃描頻率，並且會對該些量測和掃描波形進行校正。如果需要的話，同樣會在植入掃描頻率處實施最終的射束量測檢查。
在兩個頻率處的量測之間的變異的其中一個主要原因係該掃描生成或放大系統的頻率響應差異。於此情況中，以快於比較射束輪廓儀作業的特定方式來匹配該兩個頻率的波形可能會有好處。就一範例來說，可以先使用電場或磁場的高頻寬不相依量測來量測每一個頻率處的實際波形，並且接著在慢速掃描頻率處修飾該掃描波形直到其精確地匹配較高頻率掃描處的波形形狀為止。於其中一範例中，利用該頻率響應誤差的理論模型來調整波形同樣足夠，而不需要進行直接量測。於任一情況中，本揭示內容皆能夠減少輪廓量測的重複次數並且縮短總校正時間。
本發明大體上關於一種用於迅速決定離子束之輪廓的離子植入系統及方法。根據其中一項示範性觀點，該離子植入系統包括一離子源，其被配置成用以產生一具有和其相關聯的離子束電流的離子束。舉例來說，該離子束包括一被掃描的筆狀射束或帶狀射束。一質量分析器會進一步被提供並且被配置成用以質量分析該離子束。
根據其中一範例，一射束掃描器會被提供並且被配置成用以沿著一掃描平面來掃描該離子束，於其中會定義一被掃描的離子束。舉例 來說，該射束掃描器會進一步被配置成用以在一第一頻率與一第二頻率處掃描該離子束，其中，該第一頻率大於該第二頻率。於其中一範例中，該第一頻率大於該第二頻率一個大小級數，其中，該第一頻率被用來描繪該離子束的輪廓，而該第二頻率則被用來將離子植入於一工件之中。一末端站會被配置成用以在和該工件相關聯的一工件平面處接收該被掃描的離子束，例如，當該射束掃描器在該第二頻率處掃描該離子束時。
於其中一項觀點中，一射束輪廓描繪設備會被配置成用以至少在該離子束於該第一頻率處被掃描時沿著該掃描平面平移通過該被掃描的離子束。舉例來說，該射束輪廓描繪設備會進一步被配置成用以量測該被掃描的離子束的一或更多項特性，例如，該被掃描的離子束的電流以及角度配向，其中，該量測會與該射束輪廓描繪設備的平移同時進行。
一控制器會進一步被配置成用以在該離子束於該第二頻率處被掃描時決定該被掃描的離子束的輪廓，其中，該決定係至少部分以當該離子束於該第一頻率處被掃描時該被掃描的離子束的該一或更多項特性為基礎。於另一範例中，該控制器會進一步被配置成以於該第一頻率處所量測的該離子束的該一或更多項特性以及當該離子束於該第二頻率處被掃描時該離子束之所希望的一或更多項特性為基礎來調整該離子束。舉例來說，該控制器會被配置成用以透過該離子源、該質量分析器、以及該射束掃描器中的一或更多者的控制來調整該離子束。
根據本揭示內容的另一項觀點提供一種用於植入離子的方法，其中，一離子束會依照第一製程配方被調整。該離子束會在第一頻率處沿著一掃描平面被掃描，於其中會定義一第一被掃描的離子束，並且一 射束輪廓描繪設備會平移通過該第一被掃描的離子束。該第一被掃描的離子束的一或更多項特性會在該射束輪廓描繪設備會平移的同時跨越該第一被掃描的離子束的寬度被量測，於其中會定義和該第一被掃描的離子束相關聯的第一射束輪廓。舉例來說，該第一射束輪廓包括位在該第一掃描頻率處的該離子束的時間及位置相依輪廓。
該離子束會進一步被配置成用以在第二頻率處沿著該掃描平面被掃描，以便植入至一工件之中，於其中會定義一第二被掃描的離子束，其中，該第二頻率小於該第一頻率。一和該第二被掃描的離子束相關聯的第二射束輪廓會因而至少部分以該第一射束輪廓為基礎被決定。舉例來說，該第二射束輪廓包括位在該第二掃描頻率處的該離子束的時間及位置相依輪廓，其中，同樣地，該第二射束輪廓會以該第一射束輪廓為基礎。於其中一範例中，該離子束會進一步依照第二製程配方被調整，其中，該第二製程配方會以該第二輪廓為基礎。於另一範例中，該第二輪廓的決定會進一步以和該離子束之掃描相關聯的掃描生成和放大系統的頻率響應為基礎。
因此，為達成前面及相關的目的，本發明包括會在下面完整說明並且於申請專利範圍中特別提出的特點。下面的說明以及附圖雖然詳細提出本發明的特定解釋性實施例；然而，此些實施例僅表示可以運用本發明之原理的各種方式中的部分方式。配合該些圖式來討論時，便可以從本發明的下面詳細說明中明白本發明的其它目的、優點、以及新穎特點。
100:離子植入系統
102:終端
104:束線組裝件
106:末端站
108:離子源
110:高電壓電源供應器
112:離子束
114:束導
116:質量分析器
118:孔徑
120:工件
122:離子束掃描機制
123:第一方向
124:帶狀離子束/被掃描的離子束
125:第二方向
126:工件掃描機制
128:射束輪廓描繪設備
130:輪廓描繪平面
132:離子束的寬度
134:離子束的時間及位置相依的射束電流輪廓
136:法拉第杯
138:狹縫
140:控制器
圖1所示的係根據本揭示內容的其中一項示範性觀點的離子植入系統的方塊圖。
圖2所示的係根據本揭示內容之用於描繪一離子束的輪廓的示範性方法的方塊圖。
本發明大體上關於一種用於迅速決定一被掃描的離子束之輪廓的系統、設備、以及方法。據此，現在將參考圖式來說明本發明，其中，在全文中，相同的元件符號可被用來表示相同的元件。應該瞭解的係，此些觀點的說明僅為解釋性而不應被解釋為具有限制意義。在下面的說明中，為達解釋的目的，許多明確的細節會被提出，以便對本發明有透澈的理解。然而，熟習本技術的人士便會明白，即使沒有此些明確細節仍然可以實行本發明。
現在參考圖式，圖1所示的係一示範性離子植入系統100，其具有一終端102、一束線組裝件104、以及一末端站106。舉例來說，終端102包括一離子源108，其係由一高電壓電源供應器110來供電，其中，該離子源會產生並且引導一離子束112通過該束線組裝件104，並且最終會抵達該末端站106。舉例來說，該離子束112能夠具有點狀射束、筆狀射束、帶狀射束、或是任何其它形狀射束的形式。該束線組裝件104進一步具有一束導114以及一質量分析器116，其中，一雙極磁場會被建立，以便僅讓具有適當電量質量比的離子經由該束導114的出口端處的一孔徑118抵達一被定位在該末端站106中的工件120(舉例來說，半導體晶圓、顯示面板、…等)。
根據其中一範例，一離子束掃描機制122(例如，一靜電式或電磁式掃描器，通常被稱為「掃描器」)會被配置成用以在相對於該工件120的至少一第一方向123中(舉例來說，+/-y方向，亦被稱為第一掃描路徑或是「快速掃描」軸、路徑、或方向)掃描該離子束112，於其中會定義一帶狀離子束124或被掃描的離子束。再者，於本範例中還會提供一工件掃描機制126，其中，該工件掃描機制被配置成用以在至少一第二方向125中(舉例來說，+/-x方向，亦被稱為第二掃描路徑或是「慢速掃描」軸、路徑、或方向)經由該離子束112選擇性地掃描該工件120。舉例來說，該離子束掃描系統122以及該工件掃描系統126能夠分開設立，或者，相互配合設立，用以提供相對於離子束112的所希望的工件掃描。
於另一範例中，該離子束112會在第一方向123中被靜電式掃描，於其中會產生該被掃描的離子束124；而該工件120會在第二方向125中經由該被掃描的離子束124被機械式掃描。離子束112和工件120的此靜電式掃描及機械式掃描組合會產生所謂的「混合式掃描(hybrid scan)」。本發明可套用於以該離子束112為基準的工件120的所有掃描組合，或者，以該工件120為基準的離子束112的所有掃描組合。
根據另一範例，一射束輪廓描繪設備128會沿著該離子束112的路徑被提供，以便量測該離子束的一或更多項特性(舉例來說，離子束電流)。該射束輪廓描繪設備128能夠被提供在該工件120的上游處或下游處，其中，該射束輪廓描繪設備會被配置成用以在該離子束沒有與該工件相交時感測該離子束112的該一或更多項特性(舉例來說，離子束電流)。舉例來說，該射束輪廓描繪設備128會被配置成用以在事先決定的時間中 沿著一輪廓描繪平面130(舉例來說，在第一方向123中)平移通過該離子束，其中，該射束輪廓描繪設備會進一步被配置成用以在該平移的同時量測跨越該離子束112之寬度132的射束電流，於其中會定義該離子束的時間及位置相依的射束電流輪廓134(亦被稱為時間相依輪廓或是時間相依量測)。
舉例來說，該射束輪廓描繪設備128包括一法拉第杯136，其中，於其中一範例中，該法拉第杯包括一指向上游(舉例來說，面向離子束112)的狹窄狹縫138，並且被配置成用以沿著該第一方向123移動橫越離子束的整個寬度，以便獲得該離子束的輪廓。據此，該法拉第杯136會因而被配置成用以提供時間及位置相依的射束電流輪廓134給一控制器140。舉例來說，該控制器140會被配置成用以控制及/或發送與接收送往下面至少其中一者的信號：離子源108、高電壓電源供應器110、束導114、質量分析器116、離子束掃描機制122、工件掃描機制126、以及射束輪廓描繪設備128。明確地說，該控制器140會被配置成用以控制掃描該離子束112的頻率，如下面的進一步詳細討論。
根據本發明的另一項觀點，圖2所示的係用於迅速決定一離子束的輪廓的示範性方法200的方塊圖。應該明白的係，本文中雖然將示範性方法圖解與說明為一連串的動作或事件；不過，應該明白的係，本發明並不受限於此些動作或事件的圖解順序，因為根據本發明，某些步驟亦可以本文中所示及所述的順序以外的不同順序來進行及/或可以和其它步驟同時進行。此外，未必需要圖中所示的所有步驟方可施行根據本發明的方法。又，應該明白的係，該些方法可以配合本文中所示及所述的系統以及配合本文中沒有圖解的其它系統來施行。
如圖2中所示，方法200從動作202開始，其中，一離子束會運用一第一製程配方被形成。舉例來說，該第一製程配方包括用於處理一工件的各種設定值。在動作204中，該離子束會沿著一掃描平面於第一頻率處被掃描，用以形成一第一被掃描的離子束。舉例來說，圖1的離子束112會在該第一頻率處透過離子束掃描系統122被靜電式掃描，因而定義圖2的動作204的第一被掃描的離子束。在動作206中，該第一被掃描的離子束的一或更多項特性會藉由平移一射束輪廓描繪設備通過該離子束而被量測。據此，於其中一範例中，一和該第一被掃描的離子束相關聯的時間及位置相依的第一輪廓會被定義。
舉例來說，該第一被掃描的離子束的該一或更多項特性會在該射束輪廓描繪設備平移的同時跨越該第一被掃描的離子束的寬度被量測，於其中會定義和該第一被掃描的離子束相關聯的第一射束輪廓。舉例來說，該第一被掃描的離子束的該一或更多項特性包括入射於該工件的一平面的離子束的電流、均勻性、以及角度之中的一或更多者。
在動作208中，該離子束會沿著該掃描平面於第二頻率處被掃描，用以形成一第二被掃描的離子束。於本範例中，該第二頻率小於該第一頻率。於其中一範例中，該第一頻率大於該第二頻率一個大小級數。於另一範例中，該第一頻率為該第二頻率的至少兩倍。
在動作210中會決定一和該第二被掃描的離子束相關聯的時間及位置相依的第二輪廓，其中，該決定會至少部分以該第一輪廓為基礎。據此，在動作212中，離子會透過在該第二頻率處被掃描的該第二被掃描的離子束而被植入於一工件之中。就此而言，舉例來說，圖1的離子 束112會在該離子束於實質上高於植入期間所運用之掃描頻率的頻率處被掃描時被輪廓描繪。據此，總處理量會因縮短描繪該離子束的輪廓所耗費的時間而提高。
根據另一範例，該離子束會在圖2的動作214中進一步依照第二製程配方被調整，其中，該第二製程配方會至少部分以該第二輪廓為基礎。舉例來說，該第一掃描頻率與第二掃描頻率之間的變異能夠藉由依照該第二製程配方調整該離子束而受到補償。再者，該第二輪廓的決定亦能夠進一步以和該離子束之掃描相關聯的掃描生成和放大系統的頻率響應為基礎。
本文雖然已經針對特定的一或多個較佳實施例顯示及說明過本發明；不過，顯見地，熟習本技術的人士在閱讀及理解本說明書及隨附圖式之後便可進行等效的變更與修飾。明確地說，關於由上面所述構件(組裝件、裝置、電路、…等)所實施的各項功能，除非另外表示，否則，被用來說明此些構件的術語(其包含「構件」的引用)皆希望對應於實施被述構件之指定功能的任何構件(也就是，在功能上等效)，即使結構上不等同於本文中所圖解之本發明的示範性實施例中用來實施該項功能的已揭結構亦無妨。此外，本文雖然僅針對數種實施例中其中一者來揭示本發明的一特殊特點；不過，當任何給定或特殊應用期望達成並且為有利的作法時，此項特點亦可結合其它實施例之中的一或更多項其它特點。
100:離子植入系統
102:終端
104:束線組裝件
106:末端站
108:離子源
110:高電壓電源供應器
112:離子束
114:束導
116:質量分析器
118:孔徑
120:工件
122:離子束掃描機制
123:第一方向
124:帶狀離子束/被掃描的離子束
125:第二方向
126:工件掃描機制
128:射束輪廓描繪設備
130:輪廓描繪平面
132:離子束的寬度
134:離子束的時間及位置相依的射束電流輪廓
136:法拉第杯
138:狹縫
140:控制器

Claims (20)

  1. 一種用以將離子植入於工件之中的離子植入系統，其包括：一離子源，其被配置成用以產生一離子束；一質量分析器，其被配置成用以質量分析該離子束；一射束掃描器，其被配置成用以沿著一掃描平面來掃描該離子束，於其中定義一被掃描的離子束，其中，該射束掃描器進一步被配置成用以在一第一頻率與一第二頻率處掃描該離子束，其中，該第一頻率大於該第二頻率；一末端站，當該離子束與該工件相交以用於該工件的植入且該射束掃描器在該第二頻率處掃描該離子束時，該末端站被配置成用以在和該工件相關聯的一工件平面處接收該被掃描的離子束；一射束輪廓描繪設備，當該離子束沒有與該工件相交以用於界定該離子束的輪廓且該離子束於該第一頻率處被掃描時，該射束輪廓描繪設備被配置成用以沿著該掃描平面平移通過該被掃描的離子束，其中，該射束輪廓描繪設備進一步被配置成用以在和該平移的同時量測該被掃描的離子束的一或更多項特性；以及一控制器，其被配置成用以在該離子束於該第二頻率處被掃描時至少部分以當該離子束於該第一頻率處被掃描時該被掃描的離子束的該一或更多項特性為基礎決定該被掃描的離子束的輪廓。
  2. 根據申請專利範圍第1項的離子植入系統，其中，該離子束的該一或更多項特性包括離子束的電流以及入射於該工件平面的離子束的角度。
  3. 根據申請專利範圍第1項的離子植入系統，其中，該第一頻率為該第 二頻率的至少兩倍。
  4. 根據申請專利範圍第1項的離子植入系統，其中，該第一頻率大於該第二頻率至少一個大小級數。
  5. 根據申請專利範圍第1項的離子植入系統，其中，該射束輪廓描繪設備包括一法拉第杯，其被配置成用以沿著該掃描平面通過該離子束。
  6. 根據申請專利範圍第5項的離子植入系統，其中，該法拉第杯包括一狹窄狹縫，其允許該離子束的一部分經由該狹窄狹縫進入。
  7. 根據申請專利範圍第1項的離子植入系統，其中，該控制器進一步被配置成以於該第一頻率處所量測的該離子束的該一或更多項特性以及當該離子束於該第二頻率處被掃描時該離子束之所希望的一或更多項特性為基礎來調整該離子束。
  8. 根據申請專利範圍第7項的離子植入系統，其中，該控制器被配置成用以透過該離子源、該質量分析器、以及該射束掃描器中的一或更多者的控制來調整該離子束。
  9. 一種用於植入離子的方法，該方法包括：依照第一製程配方被調整來調整一離子束；在第一頻率處沿著一掃描平面掃描該離子束，於其中定義一第一被掃描的離子束；讓一射束輪廓描繪設備平移通過該第一被掃描的離子束；在該射束輪廓描繪設備平移的同時跨越該第一被掃描的離子束的寬度量測該第一被掃描的離子束的一或更多項特性，於其中定義和該第一被掃描的離子束相關聯的第一射束輪廓；以及 在第二頻率處沿著該掃描平面掃描該離子束，於其中定義一第二被掃描的離子束，其中，該第二頻率小於該第一頻率；至少部分以該第一射束輪廓為基礎決定一和該第二被掃描的離子束相關聯的第二射束輪廓；以及透過該第二被掃描的離子束將離子植入於一工件之中。
  10. 根據申請專利範圍第9項的方法，其進一步包括依照第二製程配方來調整該離子束，其中，該第二製程配方以該第二輪廓為基礎。
  11. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中，該第一被掃描的離子束的該一或更多項特性包括該離子束的電流、均勻性、以及角度之中的一或更多者。
  12. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中，該射束輪廓描繪設備包括一法拉第杯。
  13. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中，決定該第二輪廓進一步以和該離子束之掃描相關聯的掃描生成和放大系統的頻率響應為基礎。
  14. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中，該第一頻率為該第二頻率的至少兩倍。
  15. 根據申請專利範圍第9項的方法，其中，該第一頻率大於該第二頻率至少一個大小級數。
  16. 一種在離子植入系統中實施劑量測定控制的方法，其包括：運用一第一製程配方形成一離子束；沿著一掃描平面於第一頻率處掃描該離子束，用以形成一第一被掃描的離子束； 藉由平移一射束輪廓描繪設備通過該離子束來量測該第一被掃描的離子束的一或更多項特性，於其中定義一和該第一被掃描的離子束相關聯的時間及位置相依的第一輪廓；沿著該掃描平面於第二頻率處掃描該離子束，用以形成一第二被掃描的離子束，其中，該第二頻率小於該第一頻率；至少部分以該第一輪廓為基礎決定一和該第二被掃描的離子束相關聯的時間及位置相依的第二輪廓；以及透過該第二被掃描的離子束將離子植入於一工件之中。
  17. 根據申請專利範圍第16項的方法，其中，量測該離子束的該一或更多項特性包括量測該離子束電流以及該離子束於該掃描平面處的入射角度。
  18. 根據申請專利範圍第16項的方法，其中，量測該離子束的該一或更多項特性包括將一法拉第杯從該第一被掃描的離子束的第一橫向邊緣處平移至第二橫向邊緣並且透過該法拉第杯來量測該射束電流。
  19. 根據申請專利範圍第16項的方法，其中，該第一頻率大於該第二頻率至少一個大小級數。
  20. 根據申請專利範圍第16項的方法，其進一步包括依照第二製程配方來調整該離子束，其中，該第二製程配方以該第二輪廓為基礎。
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