TWI681251B - 用於抑制熱吸收的空白光罩及光罩 - Google Patents

Abstract

一種空白光罩及/或光罩包含：一透光基板；一被設置在所述透光基板上的高反射的材料層；以及一被設置在所述高反射的材料層上的轉移圖案層。所述高反射的材料層是在一預設的反射度下反射光，以透射所述透光基板。

Description

用於抑制熱吸收的空白光罩及光罩

本揭露內容的實施例是有關於一種光罩，並且更具體而言是有關於一種能夠在一微影製程期間抑制熱吸收的空白光罩(photomask blank)及/或光罩。

相關申請案的交互參照

本申請案是根據第35號美國法典第119條(a)項主張分別在2014年2月10日以及2014年6月16日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案號10-2014-0014898以及10-2014-0073127的優先權，所述專利申請案是以其整體被納入在此作為參考。

一般而言，半導體裝置具有一種其中圖案是被設置在一半導體基板上的結構。在半導體基板上被設置為主動或被動元件的圖案是透過一微影製程以及一蝕刻製程來加以形成。利用一微影製程以形成光阻層圖案是牽涉到在一待被形成所述圖案的目標層上形成一光阻層，並且接著執行一利用光罩的曝光製程以及一利用顯影劑的顯影製程。所述光阻層圖案可被使用作為一用於圖案化所述目標層的蝕刻遮罩層。所述用於轉移圖案至一晶圓的光罩大致具有一種其中待被轉移的轉移圖案是被設置在一透光 基板上的結構。

各種的實施例是針對於一種用於抑制熱吸收的空白光罩(在此亦被稱為"空白遮罩(mask)")以及光罩。

在一實施例中，一種空白遮罩可包含：一透光基板；一設置在所述透光基板上的高反射的材料層；以及一設置在所述高反射的材料層上的光屏蔽(shielding)層。

在一實施例中，一種空白遮罩可包含：一透光基板；以及一光屏蔽層，其被設置在所述透光基板上，並且由一種反射20%到90%的照射的光的材料所形成。

在一實施例中，一種光罩可包含：一透光基板；一高反射的材料層圖案，其被設置在所述透光基板上以露出所述透光基板的一透光區域；以及一光屏蔽層圖案，其被設置在所述高反射的材料層圖案上。

在一實施例中，一種光罩可包含：一透光基板；以及一光屏蔽層圖案，其被設置在所述透光基板上以藉由一微影製程而被轉移到一晶圓，並且由一種反射20%到90%的透過所述透光基板照射的光量的材料所形成。

在一實施例中，一種光罩可包含：一透光基板；以及一光屏蔽層圖案，其被設置在所述透光基板上，並且包含一相對厚的第一光屏蔽層圖案以及一相對薄的第二光屏蔽層圖案，其中所述第一光屏蔽層圖案以及所述第二光屏蔽層圖案都藉由一微影製程而被轉移到一晶圓。

在一實施例中，一種光罩可包含：一透光基板；以及一光屏 蔽層圖案，其被設置在所述透光基板上，並且其中具有露出所述透光基板的溝槽區段。

110‧‧‧空白遮罩

111‧‧‧透光基板

112‧‧‧高反射的材料層

113‧‧‧光屏蔽層

114‧‧‧光阻層

120‧‧‧空白遮罩

121‧‧‧透光基板

122‧‧‧高反射的材料層

122a‧‧‧第一層

122b‧‧‧第二層

123‧‧‧光屏蔽層

124‧‧‧光阻層

130‧‧‧空白遮罩

131‧‧‧透光基板

132‧‧‧高反射的材料層

133-1‧‧‧相移層

133-2‧‧‧光屏蔽層

134‧‧‧光阻層

140‧‧‧空白遮罩

141‧‧‧透光基板

142‧‧‧高反射的材料層

142a‧‧‧第一層

142b‧‧‧第二層

143-1‧‧‧相移層

143-2‧‧‧光屏蔽層

144‧‧‧光阻層

150‧‧‧空白遮罩

151‧‧‧透光基板

153‧‧‧光屏蔽層

154‧‧‧光阻層

210‧‧‧光罩

211‧‧‧透光基板

212‧‧‧高反射的材料層圖案

213‧‧‧光屏蔽層圖案

215‧‧‧透光區域

216‧‧‧光屏蔽區域

218‧‧‧入射光

220‧‧‧光罩

221‧‧‧透光基板

222‧‧‧高反射的材料層圖案

222a‧‧‧第一層圖案

222b‧‧‧第二層圖案

223‧‧‧光屏蔽層圖案

225‧‧‧透光區域

226‧‧‧光屏蔽區域

230‧‧‧光罩

230M‧‧‧主要圖案區域

230F‧‧‧框區域

231‧‧‧透光基板

232‧‧‧高反射的材料層圖案

233-1‧‧‧相移層圖案

233-2‧‧‧光屏蔽層圖案

235‧‧‧透光區域

236‧‧‧相移區域

238‧‧‧入射光

240‧‧‧光罩

240M‧‧‧主要圖案區域

240F‧‧‧框區域

241‧‧‧透光基板

242‧‧‧高反射的材料層圖案

242a‧‧‧第一層圖案

242b‧‧‧第二層圖案

243-1‧‧‧相移層圖案

243-2‧‧‧光屏蔽層圖案

245‧‧‧透光區域

246‧‧‧相移區域

248‧‧‧入射光

250‧‧‧光罩

251‧‧‧透光基板

253‧‧‧光屏蔽層圖案

255‧‧‧透光區域

256‧‧‧光屏蔽區域

258‧‧‧入射光

260‧‧‧光罩

261‧‧‧透光基板

263‧‧‧光屏蔽層圖案

263a‧‧‧第一光屏蔽層圖案

263b‧‧‧第二光屏蔽層圖案

265‧‧‧透光區域

266‧‧‧光屏蔽區域

268‧‧‧光

269‧‧‧光

270‧‧‧光罩

271‧‧‧透光基板

273‧‧‧光屏蔽層圖案

273a‧‧‧第一光屏蔽層圖案

273b‧‧‧第二光屏蔽層圖案

275‧‧‧透光區域

276‧‧‧光屏蔽區域

278‧‧‧光

279‧‧‧光

280‧‧‧光罩

281‧‧‧透光基板

283‧‧‧光屏蔽層圖案

283a‧‧‧溝槽區段

285‧‧‧透光區域

286‧‧‧光屏蔽區域

381‧‧‧基板

382‧‧‧目標圖案化層

383‧‧‧光阻層圖案

391‧‧‧區域

392‧‧‧區域

t1‧‧‧第一厚度

t2‧‧‧第二厚度

t3‧‧‧第一厚度

t4‧‧‧第二厚度

W1‧‧‧寬度

圖1是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。

圖2是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。

圖3是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。

圖4是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。

圖5是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。

圖6是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。

圖7是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。

圖8是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。

圖9是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。

圖10是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。

圖11是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。

圖12是沿著圖11的線I-I'所取的橫截面圖。

圖13是解釋在其中曝光是利用圖11及12的光罩加以執行的狀況中的光吸收量的視圖。

圖14是描繪藉由利用圖11及12的光罩以執行一微影製程所形成的光阻層圖案的平面圖。

圖15是沿著圖14的線II-II'所取的橫截面圖。

圖16是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。

圖17是沿著圖16的線III-III'所取的橫截面圖。

圖18是解釋在其中曝光是利用圖16及17的光罩加以執行的狀況中的光吸收量的視圖。

圖19是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。

圖20是沿著圖19的線IV-IV'所取的橫截面圖。

用於抑制熱吸收的一種空白光罩(在此亦被稱為"空白遮罩")以及一種光罩在此是透過各種的實施例，參考所附的圖式來加以描述。

在一微影製程的過程中，一指定波長的光是透過一光罩而被照射到一晶圓上的一光阻層。對於晶圓的光照射是藉由光罩的一光屏蔽區域(例如是一其中一光屏蔽圖案被設置的區域)來實質加以屏蔽，並且只有透射一透光區域的光被選擇性地照射到晶圓。因此，相當大量的照射的光能是被光屏蔽圖案所吸收，此可能會使得熱產生在所述光屏蔽圖案之處或是之內。所產生的熱被轉移到一透光基板，因而所述透光基板會由於溫度的上升而膨脹。由於所述透光基板的膨脹，誤差可能會發生在所述光罩的圖案的定位精確度上，並且因此在晶圓及光罩之間的覆蓋可能不會被精確地確保。在此揭露的各種實施例是提供空白遮罩及光罩，其能夠抑制一種在一微影製程期間照射的光被吸收到一轉移圖案中的現象發生。由於吸收到所述轉移圖案的光能被抑制，因此所述轉移圖案以及一透光基板在所述微影製程期間的溫度上升可被抑制。

在本說明書中，例如是"第一"及"第二"的術語是被用來彼此區別構件，因而並非限制所述構件或是指出一特定的順序。再者，當一構 件被稱為是在另一構件"上"、或是在另一構件的"頂端"、"底部"或是"側邊"時，其指出介於兩者之間的一相對的位置關係，而且並非指明其中所述構件直接接觸另一構件、或是又一構件進一步插置在介於兩者之間的介面的情形。再者，當一構件被稱為"耦接"或"連接"至另一構件時，其指出所述構件可以直接耦接或連接至另一構件、或是額外的構件可***設於其之間以形成一耦接關係或是一連接關係。

圖1是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。參照圖1，根據本實施例的一種空白遮罩110具有一種其中一高反射的材料層112、一光屏蔽層113以及一光阻層114被堆疊及/或設置在一透光基板111上的結構。在另一實施例中，所述光阻層114可被省略。所述透光基板111可以是由一種例如是石英的透射光的材料所形成的。所述高反射的材料層112可以是由一種包含矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釕(Ru)、鉻(Cr)以及錫(Sn)中的至少任一個的材料所形成的。再者，所述高反射的材料層112可以額外包含氧(O)及氮(N)的任一成分。此種高反射的材料層112可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層112的反射度可以藉由調節形成所述高反射的材料層112的材料的組成比來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層112可以具有一厚度是小於所述光屏蔽層113的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層112可以具有一厚度是等於或大於所述光屏蔽層113。所述光屏蔽層113可以是由一例如是一鉻(Cr)層的光屏蔽材料層所形成的。

圖2是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。參照圖2，根據本實施例的一種空白遮罩120具有一種其中一高反射的材料層 122、一光屏蔽層123以及一光阻層124被堆疊及/或設置在一透光基板121上的結構。在另一實施例中，所述光阻層124可被省略。

所述透光基板121可以是由一種例如是石英的透射光的材料所形成的。所述高反射的材料層122可以具有一種多層的結構。在本實施例中，所述高反射的材料層122可以具有一種其中一第一層122a以及一第二層122b被交替地設置的結構。在一實施例中，所述第一層122a以及第二層122b分別可以是一鉬(Mo)層以及一矽(Si)層。在另一實施例中，所述第一層122a以及第二層122b分別可以是一釕(Ru)層以及一矽(Si)層、一鉬(Mo)層以及一鈹(Be)層、或是一矽(Si)層以及一鈮(Nb)層。

所述高反射的材料層122可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層122的反射度可以藉由調節包含所述第一層122a及第二層122b的堆疊的高反射的材料層122的厚度及數量來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層122可以具有一厚度是小於所述光屏蔽層123的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層122可以具有一厚度是等於或大於所述光屏蔽層123。所述光屏蔽層123可以是由一例如是一鉻(Cr)層的光屏蔽材料層所形成的。

圖3是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。參照圖3，根據本實施例的一種空白遮罩130具有一種其中一高反射的材料層132、一相移層133-1、一光屏蔽層133-2以及一光阻層134被堆疊及/或設置在一透光基板131上的結構。在另一實施例中，所述光阻層134可被省略。

所述透光基板131可以是由一種例如是石英的透射光的材料所形成的。所述高反射的材料層132可以是由一種包含矽(Si)、鉬(Mo)、 鉭(Ta)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釕(Ru)、鉻(Cr)以及錫(Sn)中的至少任一個的材料所形成的。再者，所述高反射的材料層132可以額外包含氧(O)以及氮(N)的任一成分。

此種高反射的材料層132可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層132的反射度可以藉由調節形成所述高反射的材料層132的材料的組成比來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層132可以具有一厚度是小於所述相移層133-1的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層132可以具有一厚度是等於或大於所述相移層133-1。在一實施例中，所述相移層133-1可以是由一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料所形成的。在另一實施例中，所述相移層133-1可以是由一種鉬矽氮化物(MoSiN)或是一種矽氧化物(SiO2)所形成的。

所述高反射的材料層132以及相移層133-1的堆疊結構可以具有等於或小於50%(例如是約6%)的透射率、以及一150°到250°的相移度。所述光屏蔽層133-2可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。

圖4是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。參照圖4，根據本實施例的一種空白遮罩140具有一種其中一高反射的材料層142、一相移層143-1、一光屏蔽層143-2以及一光阻層144被堆疊及/或設置在一透光基板141上的結構。在另一實施例中，所述光阻層144可被省略。所述透光基板141可以是由一種例如是石英的透射光的材料所形成的。

所述高反射的材料層142可以具有一種多層的結構。在本實施例中，所述高反射的材料層142可以具有一種其中一第一層142a以及一第二層142b被交替地設置的結構。在一實施例中，所述第一層142a以及第 二層142b分別可以是一鉬(Mo)層以及一矽(Si)層。在另一實施例中，所述第一層142a以及第二層142b分別可以是一釕(Ru)層以及一矽(Si)層、一鉬(Mo)層以及一鈹(Be)層、或是一矽(Si)層以及一鈮(Nb)層。

此種高反射的材料層142可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層142的反射度可以藉由調節包含形成所述高反射的材料層142的第一層142a及第二層142b的堆疊的高反射的材料層142的厚度及數量來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層142可以具有一厚度是小於所述相移層143-1的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層142可以具有一厚度是等於或大於所述相移層143-1。

在一實施例中，所述相移層143-1可以是由一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料所形成的。在另一實施例中，所述相移層143-1可以是由一種鉬矽氮化物(MoSiN)或是一種矽氧化物(SiO2)所形成的。所述高反射的材料層142以及相移層143-1的堆疊結構可以具有等於或小於50%(例如是約6%)的透射率、以及一150°到250°的相移度。所述光屏蔽層143-2可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。

圖5是描繪根據一實施例的一種空白遮罩的橫截面圖。參照圖5，根據本實施例的一種空白遮罩150具有一種其中一光屏蔽層153以及一光阻層154被堆疊及/或設置在一透光基板151上的結構。在另一實施例中，所述光阻層154可被省略。所述透光基板151可以是由一種例如是石英的透射光的材料所形成的。所述光屏蔽層153可以是由一種屏蔽光並且具有一相對光的20%到90%的反射度的材料所形成的。

在一實施例中，所述光屏蔽層153可以是一例如為一鉻(Cr) 層的光屏蔽材料層，其被添加一例如是氧(O)及氮(N)的調節反射度的成分。儘管未展示在圖式中，但是在一實施例中，一相移層可以額外被設置在所述光屏蔽層153以及透光基板151之間。在所述實施例中，相移層可以藉由適當地添加一例如是氧(O)及氮(N)的調節反射度的成分至一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料，而具有相對光的20%到90%的反射度。

圖6是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。參照圖6，根據本實施例的一種光罩210包含高反射的材料層圖案212以及光屏蔽層圖案213，其被設置在一透光基板211上。此種光罩210可以藉由利用以上參考圖1所述的空白遮罩110作為一原始的處理目標，透過一適當的圖案化製程來加以形成。

所述光罩210具有透光區域215以及光屏蔽區域216。所述透光基板211的表面是在透光區域215中被露出，並且所述高反射的材料層圖案212以及光屏蔽層圖案213是被設置在所述光屏蔽區域216中的透光基板211上。所述透光基板211可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。

儘管在所述圖中是描繪其中被設置高反射的材料層圖案212以及光屏蔽層圖案213的光屏蔽區域216是作為其中用於轉移圖案至一晶圓的主要圖案被設置的區域，但是所述光屏蔽區域216可以作為其它區域，例如是圍繞其中主要圖案待被設置的區域的框區域及/或切割線。

所述高反射的材料層圖案212可以是由一種包含矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釕(Ru)、鉻(Cr)以及錫(Sn)中的至少任一個的材料所形成的。再者，所述高反射的材料層圖案212可以額外包含氧(O)及氮(N)的任一成分。

此種高反射的材料層圖案212可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層圖案212的反射度可以藉由調節形成所述高反射的材料層圖案212的材料的組成比來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層圖案212可以具有一厚度是小於所述光屏蔽層圖案213的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層圖案212可以具有一厚度是等於或大於所述光屏蔽層圖案213。所述光屏蔽層圖案213可以是由一種光屏蔽材料所形成的，例如是鉻(Cr)層圖案。

在根據本實施例的光罩210中，對應於透射所述透光基板211的入射光218的20%到90%的光是藉由所述高反射的材料層圖案212而被反射至透光基板211。於是，一對應於所述入射光218的6%的光量是從所述光屏蔽層圖案213透射。因而，一對應於所述入射光218的4%至74%的光量是被吸收到所述光屏蔽層圖案213中。如同在所述圖中所示，在一其中所述高反射的材料層圖案212具有一50%的反射度並且所述光屏蔽層圖案213具有一6%的透射率的實施例中，對應於44%的光是被吸收到所述光屏蔽層圖案213中。因此，在一微影製程期間，當相較於其中所有剩餘的光量(除了小量的反射光以及透射光之外)都被吸收到所述光屏蔽層圖案213中的情形，所述光屏蔽層圖案213的溫度上升可被抑制。在另一實施例中，當一種具有低導熱度的材料被使用作為所述高反射的材料層圖案212的材料時，減少一定程度的因為所述光屏蔽層圖案213吸收光量所產生的熱被轉移至所述透光基板211是可能的。

圖7是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。參照圖7，根據本實施例的一種光罩220包含高反射的材料層圖案222以及光屏蔽 層圖案223，其被設置在一透光基板221上。此種光罩220可以藉由利用在此參考圖2所述的空白遮罩120作為一原始的處理目標，透過一適當的圖案化製程來加以形成。所述光罩220具有透光區域225以及光屏蔽區域226。所述透光基板221的表面是在透光區域225中被露出，並且所述高反射的材料層圖案222以及光屏蔽層圖案223是被設置在所述光屏蔽區域226中的透光基板221上。所述透光基板221可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。儘管在所述圖中是描繪其中設置所述高反射的材料層圖案222以及光屏蔽層圖案223的光屏蔽區域226是作為其中用於轉移圖案至一晶圓的主要圖案被設置的區域，但是所述光屏蔽區域226可以作為其它區域，例如是圍繞其中主要圖案待被設置的區域的框區域及/或切割線。

所述高反射的材料層圖案222可以具有一種多層的結構，其中第一層圖案222a以及第二層圖案222b被交替地設置。在一實施例中，所述第一層圖案222a以及第二層圖案222b分別可以是鉬(Mo)層圖案以及矽(Si)層圖案。在另一實施例中，所述第一層圖案222a以及第二層圖案222b分別可以是釕(Ru)層圖案以及矽(Si)層圖案、鉬(Mo)層圖案以及鈹(Be)層圖案、或是矽(Si)層圖案以及鈮(Nb)層圖案。所述高反射的材料層圖案222可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層圖案222的反射度可以藉由調節包含形成所述高反射的材料層圖案222的第一層圖案222a以及第二層圖案222b的堆疊的高反射的材料層圖案222的厚度及數量來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層圖案222可以具有一厚度是小於所述光屏蔽層圖案223的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層圖案222可以具有一厚度是等於或大於所述光屏蔽層圖案223。所述光 屏蔽層圖案223可以是由一種光屏蔽材料所形成的，例如是鉻(Cr)層圖案。

在根據本實施例的光罩220中，對應於透射所述透光基板221的入射光228的20%到90%的光是藉由所述高反射的材料層圖案222而被反射到透光基板221。於是，一對應於入射光228的6%的光量是從所述光屏蔽層圖案223透射。因而，一對應於入射光228的4%至74%的光量是被吸收到所述光屏蔽層圖案223中。如同在所述圖中所示，在一其中所述高反射的材料層圖案222具有一50%的反射度並且所述光屏蔽層圖案223具有一6%的透射率的實施例中，對應於44%的光被吸收到所述光屏蔽層圖案223中。因此，在一微影製程期間，當相較於其中所有剩餘的光量(除了小量的反射光以及透射光之外)都被吸收到所述光屏蔽層圖案223中的情形，所述光屏蔽層圖案223的溫度上升可被抑制。在另一實施例中，當一種具有低導熱度的材料被使用作為所述高反射的材料層圖案222的材料時，減少一定程度的因為所述光屏蔽層圖案223吸收光量所產生的熱被轉移至所述透光基板221是可能的。

圖8是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。參照圖8，根據本實施例的一種光罩230包含高反射的材料層圖案232以及相移層圖案233-1，其被設置在一透光基板231上。此種光罩230可以藉由利用在此參考圖3所述的空白遮罩130作為一原始的處理目標，透過一適當的圖案化製程來加以形成。所述光罩230具有一主要圖案區域230M以及一框區域230F。所述主要圖案區域230M是被框區域230F所圍繞。所述主要圖案區域230M是一其中用於圖案至一晶圓的轉移的相移層圖案233-1被設置的區域，並且所述框區域230F是一其中光被屏蔽以抑制在一微影製程期間的重 疊現象的區域。所述主要圖案區域230M是具有透光區域235以及相移區域236。所述透光基板231的表面是在透光區域235中被露出，並且所述高反射的材料層圖案232以及相移層圖案233-1是被設置在所述相移區域236中的透光基板231上。在所述框區域230F中，高反射的材料層圖案232、相移層圖案233-1以及光屏蔽層圖案233-2是被設置在所述透光基板231上。所述透光基板231可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。儘管未展示在所述圖中，在一其中複數個主要圖案區域230M被界定的實施例中，所述主要圖案區域230M可以藉由切割線來加以劃分。在所述實施例中，在所述切割線之處，如同在框區域230F中一般的，所述高反射的材料層圖案232、相移層圖案233-1以及光屏蔽層圖案233-2是被設置在所述透光基板231上。

所述高反射的材料層圖案232可以是由一種包含矽(Si)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釕(Ru)、鉻(Cr)以及錫(Sn)中的至少任一個的材料所形成的。再者，所述高反射的材料層圖案232可以額外包含氧(O)及氮(N)的任一成分。此種高反射的材料層圖案232可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層圖案232的反射度可以藉由調節形成所述高反射的材料層圖案232的材料的組成比來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層圖案232可以具有一厚度是小於所述相移層圖案233-1的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層圖案232可以具有一厚度是等於或大於所述相移層圖案233-1。在一實施例中，所述相移層圖案233-1可以是由一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料所形成的。在另一實施例中，所述相移層圖案233-1可以是由一種鉬矽氮化物 (MoSiN)或是一種矽氧化物(SiO2)所形成的。所述高反射的材料層圖案232以及相移層圖案233-1的堆疊結構可以具有一等於或小於50%(例如是約6%)的透射率、以及一150°到250°的相移度。所述光屏蔽層圖案233-2可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。

在根據本實施例的光罩230中，對應於透射所述透光基板231的入射光238的20%到90%的光是藉由所述高反射的材料層圖案232而被反射到所述透光基板231。再者，透射所述高反射的材料層圖案232的光的一部分是藉由所述相移層圖案233-1而被反射到所述透光基板231。於是，一對應於所述入射光238的6%的光量是從所述相移層圖案233-1透射。因而，一對應於所述入射光238的4%至74%的光量是被吸收到所述相移層圖案233-1中。

如同在所述圖中所示，在一其中所述高反射的材料層圖案232具有一50%的反射度並且所述相移層圖案233-1具有一6%的透射率的實施例中，當忽略所述相移層圖案233-1的反射度時，所述相移層圖案233-1吸收對應於44%的光。因此，在一微影製程期間，當相較於其中所有剩餘的光量(除了小量的反射光以及透射光之外)都被吸收到所述相移層圖案233-1中的情形，所述相移層圖案233-1的溫度上升可被抑制。在另一實施例中，當一種具有低導熱度的材料被使用作為所述高反射的材料層圖案232的材料時，減少一定程度的因為所述相移層圖案233-1吸收光量所產生的熱被轉移至所述透光基板231是可能的。

圖9是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。參照圖9，根據本實施例的一種光罩240包含高反射的材料層圖案242以及相移層 圖案243-1，其被設置在一透光基板241上。此種光罩240可以藉由利用在此參考圖4所述的空白遮罩140作為一原始的處理目標，透過一適當的圖案化製程來加以形成。所述光罩240具有一主要圖案區域240M以及一框區域240F。所述主要圖案區域240M是由所述框區域240F所圍繞。所述主要圖案區域240M是一其中用於圖案至一晶圓的轉移的相移層圖案243-1被設置的區域，並且所述框區域240F是一其中光被屏蔽以抑制在一微影製程期間的重疊現象的區域。所述主要圖案區域240M具有透光區域245以及相移區域246。所述透光基板241的表面是在透光區域245中被露出，並且所述高反射的材料層圖案242以及相移層圖案243-1是被設置在所述相移區域246中的透光基板241上。在所述框區域240F中，高反射的材料層圖案242、相移層圖案243-1以及光屏蔽層圖案243-2是被設置在所述透光基板241上。

所述透光基板241可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。儘管未展示在所述圖式中，但是在一其中複數個主要圖案區域240M被界定的實施例中，所述主要圖案區域240M可以藉由切割線來加以劃分。在所述實施例中，在所述切割線之處，如同在框區域240F中一般的，高反射的材料層圖案242、相移層圖案243-1以及光屏蔽層圖案243-2是被設置在所述透光基板241上。

所述高反射的材料層圖案242可以具有一種多層的結構，其中第一層圖案242a以及第二層圖案242b是被交替地設置。在一實施例中，所述第一層圖案242a以及第二層圖案242b分別可以是鉬(Mo)層圖案以及矽(Si)層圖案。在另一實施例中，所述第一層圖案242a以及第二層圖案242b分別可以是釕(Ru)層圖案以及矽(Si)層圖案、鉬(Mo)層圖案以及鈹(Be)層圖 案、或是矽(Si)層圖案以及鈮(Nb)層圖案。所述高反射的材料層圖案242可以具有一相對光的20%到90%的反射度。所述高反射的材料層圖案242的反射度可以藉由調節包含形成所述高反射的材料層圖案242的第一層圖案242a以及第二層圖案242b的堆疊的高反射的材料層圖案222的厚度及數量來適當地加以控制。在一實施例中，所述高反射的材料層圖案242可以具有一厚度是小於所述光屏蔽層圖案243-1的厚度。在另一實施例中，所述高反射的材料層圖案242可以具有一厚度是等於或大於所述光屏蔽層圖案243-1。

在一實施例中，所述相移層圖案243-1可以是由一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料所形成的。在另一實施例中，所述相移層圖案243-1可以是由一種鉬矽氮化物(MoSiN)或是一種矽氧化物(SiO2)所形成的。所述高反射的材料層圖案242以及相移層圖案243-1的堆疊結構可以具有一等於或小於50%(例如是約6%)的透射率、以及一150°到250°的相移度。所述光屏蔽層圖案243-2可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。

在根據本實施例的光罩240中，對應於透射所述透光基板241的入射光248的20%到90%的光是藉由所述高反射的材料層圖案242而被反射到所述透光基板241。再者，透射所述高反射的材料層圖案242的光的一部分是藉由所述相移層圖案243-1而被反射到所述透光基板241。於是，一對應於所述入射光248的6%的光量是從所述相移層圖案243-1透射。因而，一對應於所述入射光248的4%至74%的光量是被吸收到所述相移層圖案243-1中。

如同在所述圖中所示，在其中所述高反射的材料層圖案242 具有一50%的反射度並且所述相移層圖案243-1具有一6%的透射率的狀況中，當忽略所述相移層圖案243-1的反射度時，所述相移層圖案243-1吸收對應於44%的光。因此，在一微影製程期間，當相較於其中所有剩餘的光量(除了小量的反射光以及透射光之外)都被吸收到所述相移層圖案243-1中的情形，所述相移層圖案243-1的溫度上升可被抑制。在另一實施例中，當一種具有低導熱度的材料被使用作為所述高反射的材料層圖案242的材料時，減少一定程度的因為所述相移層圖案243-1吸收光量所產生的熱被轉移至所述透光基板241是可能的。

圖10是描繪根據一實施例的一種光罩的橫截面圖。參照圖10，根據本實施例的一種光罩250包含光屏蔽層圖案253，其被設置在一透光基板251上。所述透光基板251具有透光區域255以及光屏蔽區域256。所述透光基板251的表面是在透光區域255中被露出，並且所述光屏蔽層圖案253是被設置在所述光屏蔽區域256中的透光基板251上。除了其中轉移圖案被設置的主要圖案區域之外，所述光屏蔽區域256可包含切割線或是框區域。在一實施例中，所述透光基板251可以是由石英所形成的。在一實施例中，所述光屏蔽層圖案253可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。在根據本實施例的光罩250中，所述光屏蔽層圖案253是由一種可以反射入射光258的至少20%到90%(例如是50%)並且可以透射高達10%(例如是6%)的入射光258的材料所形成的。

在一實施例中，一種例如是氧(O)及氮(N)的調節反射度的成分可被添加到一種形成所述光屏蔽層圖案253的例如是鉻(Cr)的材料中。如同在所述圖中所示，在一其中所述光屏蔽層圖案253具有一50%的反射度以 及一6%的透射率的實施例中，對應於所述光258的44%的入射在所述光屏蔽層圖案253上的光量是被吸收到所述光屏蔽層圖案253中。因此，在一微影製程期間，當相較於其中所有剩餘的光量(除了小量的反射光以及透射光之外)都被吸收到所述光屏蔽層圖案253中的情形，所述光屏蔽層圖案253的溫度上升可被抑制。在另一實施例中，當一種具有低導熱度的材料被使用作為所述光屏蔽層圖案253的材料時，減少一定程度的因為所述光屏蔽層圖案253吸收光量所產生的熱被轉移至所述透光基板251是可能的。儘管一種二元式(binary type)光罩已經在本實施例中被敘述為一例子，但即使是在一相移類型的光罩的情形中，除了相移層圖案被使用，而不是所述光屏蔽層圖案253被使用之外，所有的特點都是類似的。

圖11是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。圖12是沿著圖11的線I-I'所取的橫截面圖。參照圖11及12，根據本實施例的一種光罩260包含光屏蔽層圖案263，其被設置在一透光基板261上。在一實施例中，所述透光基板261可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。所述透光基板261可以具有透光區域265以及光屏蔽區域266。所述透光基板261的表面可以在透光區域265中被露出。所述光屏蔽層圖案263可被設置在所述光屏蔽區域266中的透光基板261上。在一實施例中，所述光屏蔽層圖案263可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。所述光屏蔽層圖案263可包含使得光透過一曝光製程而轉移至一晶圓的轉移圖案、以及被設置在一框區域中的切割線或光屏蔽層圖案。儘管所述光屏蔽層圖案263在本實施例中具有一種四邊形形狀，但是其它例如是圓形孔洞形狀的形狀或幾何也可被使用作為所述屏蔽層圖案263。

所述光屏蔽層圖案263可被形成以包含內部的第二光屏蔽層圖案263b、以及圍繞所述第二光屏蔽層圖案263b的第一光屏蔽層圖案263a。所述第一光屏蔽層圖案263a具有一第一厚度t1。所述第二光屏蔽層圖案263b具有一第二厚度t2，其是比所述第一光屏蔽層圖案263a的第一厚度t1相對薄的。所述第一光屏蔽層圖案263a的第一厚度t1可以是被設置在一空白遮罩中的一光屏蔽層的厚度。所述第二光屏蔽層圖案263b的第二厚度t2可以是一從被設置在所述空白遮罩中的光屏蔽層的厚度減少一預設厚度的厚度。在一實施例中，所述第二光屏蔽層圖案263b的第二厚度t2可以是所述第一光屏蔽層圖案263a的第一厚度t1的約50%到約90%。所述光屏蔽層圖案263的厚度可以決定或影響透射所述光屏蔽層圖案263的光量。因此，當所述光屏蔽層圖案263具有一充分的厚度時，透射所述光屏蔽層圖案263的光量可以是小的，並且可以隨著所述光屏蔽層圖案263的厚度被縮減而增加。

因此，在其中所述第二光屏蔽層圖案263b的第二厚度t2過薄的狀況中，例如是在其中所述第二光屏蔽層圖案263b的第二厚度t2小於所述第一光屏蔽層圖案263a的第一厚度t1的50%的狀況中，透射所述第二光屏蔽層圖案263b的光量被增大，並且因此所述第二光屏蔽層圖案263b可能會未被轉移到一晶圓。

在一實施例中，所述第一光屏蔽層圖案263a的第一厚度t1可以是一容許透射所述第一光屏蔽層圖案263a的光量為入射光的約4%到約40%的厚度。再者，所述第二光屏蔽層圖案263b的第二厚度t2可以是一容許透射所述第二光屏蔽層圖案263b的光量為入射光的約7%到約60%的厚 度。

圖13是解釋在其中曝光是利用圖11及12的光罩加以執行的狀況中的光吸收量的視圖。在圖13中，和圖11及12中相同的元件符號是指相同的元件。參照圖13，由於所述第一光屏蔽層圖案263a以及第二光屏蔽層圖案263b是由相同的材料層所形成的，因此在透過所述透光基板261而被照射到第一光屏蔽層圖案263a的光268中的從所述第一光屏蔽層圖案263a被反射的光量、以及在透過所述透光基板261而被照射到第二光屏蔽層圖案263b的光269中的從所述第二光屏蔽層圖案263b被反射的光量是實質相同的。在一實施例中，如同在所述圖中所示，在透過所述透光基板261而被照射到第一光屏蔽層圖案263a的光268中的從所述第一光屏蔽層圖案263a被反射的光量、以及在透過所述透光基板261而被照射到第二光屏蔽層圖案263b的光269中的從所述第二光屏蔽層圖案263b被反射的光量可以是大約24%。相反地，由於所述第一光屏蔽層圖案263a以及第二光屏蔽層圖案263b具有不同的厚度，因此透射所述第一光屏蔽層圖案263a以及第二光屏蔽層圖案263b的光量可能是彼此不同的。

例如，對應於透過所述透光基板261而被照射到第一光屏蔽層圖案263a的光268的大約6%的光量是透射所述第一光屏蔽層圖案263a，於是，被吸收到所述第一光屏蔽層圖案263a中的光量是所述照射光268的大約70%。對應於透過所述透光基板261而被照射到第二光屏蔽層圖案263b的光269的大約26%的光量是透射所述第二光屏蔽層圖案263b，於是，被吸收到所述第二光屏蔽層圖案263b中的光量是所述照射光269的大約50%。因此，在具有相對較薄的第二厚度t2的第二光屏蔽層圖案263b中的 光吸收量是被降低。因此，由於照射光在所述整個光屏蔽層圖案263中的吸收所產生的熱量可被降低。此種在曝光製程期間的光吸收量分布可以同樣被應用到一種相移遮罩的情形，其中相移層圖案被施加到所述相移遮罩，而不是所述光屏蔽層圖案263。

圖14是描繪光阻層圖案的平面圖，其藉由利用圖11及12的光罩以執行一微影製程而被形成。圖15是沿著圖14的線II-II'所取的橫截面圖。和圖11及12一起參照圖14及15，一微影製程是針對於一光阻層，藉由利用圖11及12的光罩260來加以執行，所述光阻層是被形成在一目標圖案化層382上，而所述目標圖案化層382是被形成在一基板381上。在其中所述光阻層是正型的狀況中，所述光阻層是藉由在其中被透射所述透光區域265的光照射的區域391中的顯影來加以移除，並且光阻層圖案383是被形成為所述光阻層，其並未藉由顯影來加以移除，而是留在對應於所述光屏蔽區域266的光屏蔽層圖案263的區域392中。換言之，所述光阻層圖案383是在所述第一光屏蔽層圖案263a以及第二光屏蔽層圖案263b被轉移時所形成的圖案。因此，即使所述光屏蔽層圖案263是藉由具有不同厚度的第一光屏蔽層圖案263a以及第二光屏蔽層圖案263b來加以形成，但仍然沒有影響會被施加在所述光屏蔽層圖案263至被形成在基板381上的光阻層圖案383的轉移上。因此，藉由利用根據另一實施例的一種光罩，利用光屏蔽層圖案所轉移的光阻層圖案383可以如同在此參考圖14及15所述地加以形成。

圖16是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。圖17是沿著圖16的線III-III'所取的橫截面圖。參照圖16及17，根據本實施例的一種 光罩270包含光屏蔽層圖案273，其被設置在一透光基板271上。在一實施例中，所述透光基板271可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。所述光罩270可以具有透光區域275以及光屏蔽區域276。所述透光基板271的表面可以在所述透光區域275中被露出。所述光屏蔽層圖案273可被設置在所述光屏蔽區域276中的透光基板271上。在一實施例中，所述光屏蔽層圖案273可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。在另一實施例中，相移層圖案可被使用，而不是所述光屏蔽層圖案273。所述相移層圖案可以是由一種相移材料所形成的，例如是鉬矽(MoSi)、一種鉬矽氮化物(MoSiN)或是一種矽氧化物(SiO2)。

在所述實施例中，所述光屏蔽區域276變成相移區域。儘管所述光屏蔽層圖案273在本實施例中具有一四邊形形狀，但是其它例如是圓形孔洞形狀的形狀或幾何亦可被使用作為所述光屏蔽層圖案273。

所述光屏蔽層圖案273可被形成以包含具有一第一厚度t3的第一光屏蔽層圖案273a以及具有一小於所述第一厚度t3的第二厚度t4的第二光屏蔽層圖案273b。所述第一光屏蔽層圖案273a以及第二光屏蔽層圖案273b是由相同的材料層所形成的。複數個第二光屏蔽層圖案273b可被設置在每個光屏蔽區域276中。在每個光屏蔽區域276中的個別的第二光屏蔽層圖案273b可以具有縱長延伸在一例如是第一方向的方向上的條帶形狀。在每個光屏蔽區域276中的個別的第二光屏蔽層圖案273b可被設置以在一實質垂直於所述第一方向的第二方向上，以一預設的間隙和彼此分開。

在每個光屏蔽區域276中，所述第一光屏蔽層圖案273a是被設置以圍繞所述個別的第二光屏蔽層圖案273b。因此，所述第一光屏蔽 層圖案273a是在所述第一方向上被設置在第二光屏蔽層圖案273b的兩末端。在所述第二方向上並且在每個光屏蔽區域276中，所述第一光屏蔽層圖案273a以及第二光屏蔽層圖案273b是被交替地設置，但是所述第一光屏蔽層圖案273a是被設置在兩端。根據所述光屏蔽層圖案273的此種配置，具有相對較厚的第一厚度t3的第一光屏蔽層圖案273a可被設置在所述光屏蔽層圖案273的所有鄰接透光區域275的末端處，因而充分地確保在所述透光區域275以及光屏蔽區域276之間的邊界處的透光量以及屏蔽光量的差異是可能的。

所述第一光屏蔽層圖案273a的第一厚度t3可以是被設置在一空白遮罩中的一光屏蔽層的厚度。所述第二光屏蔽層圖案273b的第二厚度t4可以是一從被設置在所述空白遮罩中的光屏蔽層的厚度減少一預設厚度的厚度。在一實施例中，所述第二光屏蔽層圖案273b的第二厚度t4可以是所述第一光屏蔽層圖案273a的第一厚度t3的約50%到約90%。在其中所述第二光屏蔽層圖案273b的第二厚度t4是過薄的狀況中，例如是在其中所述第二光屏蔽層圖案273b的第二厚度t4小於所述第一光屏蔽層圖案273a的第一厚度t3的50%的狀況中，透射所述第二光屏蔽層圖案273b的光量被增大，並且因此所述第二光屏蔽層圖案273b可能會未被轉移到一晶圓。在一實施例中，所述第一光屏蔽層圖案273a的第一厚度t3可以是一容許透射所述第一光屏蔽層圖案273a的光的透射率為入射光的約4%到約40%的厚度。再者，所述第二光屏蔽層圖案273b的第二厚度t4可以是一容許透射所述第二光屏蔽層圖案273b的光的透射率為入射光的約7%到約60%的厚度。

圖18是解釋在其中曝光是利用圖16及17的光罩加以執行 的狀況中的光吸收量的視圖。在圖18中，和圖16及17中相同的元件符號是指相同的元件。參照圖18，由於所述第一光屏蔽層圖案273a以及第二光屏蔽層圖案273b是由相同的材料層所形成的，因此在透過所述透光基板271而被照射到第一光屏蔽層圖案273a的光278中的從所述第一光屏蔽層圖案273a被反射的光量、以及在透過所述透光基板271而被照射到第二光屏蔽層圖案273b的光279中的從所述第二光屏蔽層圖案273b被反射的光量是彼此實質相同的。因此，在透過所述透光基板271而被照射到第一光屏蔽層圖案273a的光278中的從所述第一光屏蔽層圖案273a被反射的光量、以及在透過所述透光基板271而被照射到第二光屏蔽層圖案273b的光279中的從所述第二光屏蔽層圖案273b被反射的光量兩者都可以是大約24%。

相反地，由於所述第一光屏蔽層圖案273a以及第二光屏蔽層圖案273b具有不同的厚度，因此透射所述第一光屏蔽層圖案273a以及第二光屏蔽層圖案273b的光量可能是彼此不同的。例如，對應於透過所述透光基板271而被照射到第一光屏蔽層圖案273a的光278的大約6%的光量是透射所述第一光屏蔽層圖案273a，於是，被吸收到所述第一光屏蔽層圖案273a中的光量是所述照射光278的大約70%。相反地，對應於透過所述透光基板271而被照射到第二光屏蔽層圖案273b的光279的大約26%的光量是透射所述第二光屏蔽層圖案273b，於是，被吸收到所述第二光屏蔽層圖案273b中的光量是所述照射光279的大約50%。因此，在具有相對較薄的第二厚度t4的第二光屏蔽層圖案273b中的光吸收量是被降低，因而由於照射光在所述光屏蔽層圖案273中的吸收所產生的熱量可被降低。

圖19是描繪根據一實施例的一種光罩的平面圖。圖20是沿 著圖19的線IV-IV'所取的橫截面圖。參照圖19及20，根據本實施例的一種光罩280包含光屏蔽層圖案283，其被設置在一透光基板281上。在一實施例中，所述透光基板281可以是由一種例如是石英的透光材料所形成的。所述光罩280可以具有透光區域285以及光屏蔽區域286。所述透光基板281的表面可以在所述透光區域285中被露出。所述光屏蔽層圖案283可被設置在所述光屏蔽區域286中的透光基板281上。在一實施例中，所述光屏蔽層圖案283可以是由一種例如是鉻(Cr)的光屏蔽材料所形成的。在另一實施例中，可以是由一種例如是鉬矽(MoSi)的相移材料所形成的相移層圖案可被使用，而不是所述光屏蔽層圖案283。在此例中，所述光屏蔽區域286變成相移區域。儘管所述光屏蔽層圖案283在本實施例中具有一四邊形形狀，但是其它例如是圓形孔洞形狀的形狀或幾何亦可被使用於所述光屏蔽層圖案283。

所述光屏蔽層圖案283的每一個其中可以具有複數個露出所述透光基板281的溝槽區段283a。在每個光屏蔽層圖案283中的個別的溝槽區段283a可以具有縱長延伸在一第一方向上的條帶形狀，並且可被設置以在一實質垂直於所述第一方向的第二方向上，和彼此分開一預設的間隙。因此，所述光屏蔽層圖案283以及溝槽區段283a是被交替地設置在所述第二方向上。

所述溝槽區段283a的寬度W1是一具有一種程度為溝槽區段283a本身不會在一微影製程中被轉移到一晶圓的寬度，即使所述透光基板281的表面是被溝槽區段283a所露出。此種狀況的溝槽區段283a的寬度W1可以根據所述光屏蔽層圖案283的尺寸及厚度、所用的光波長、用在一 微影裝置的一照明系統、等等來加以決定。由於所述溝槽區段283a本身並未在一微影製程中以此種方式被轉移到一晶圓，因此所述光屏蔽層圖案283的包含溝槽區段283a的整體形狀的圖案可被轉移到一晶圓。

在根據本實施例的光罩280中，藉由被所述光屏蔽層圖案283吸收的光能所產生的熱可以從光屏蔽層圖案283的由於所述溝槽區段283a的存在而露出的表面來加以耗散，於是，由於所述光屏蔽層圖案283在一微影製程中的光能吸收所造成的溫度上升可被抑制。再者，因為在所述光屏蔽層圖案283以及透光基板281之間的接觸面積被減少掉所述溝槽區段283a的面積，因此由所述光屏蔽層圖案283所產生的熱被轉移至所述透光基板281的現象可被抑制。再者，由於所述溝槽區段283a在不會對於圖案化施加影響的範圍內誘使透射所述溝槽區段283a的光折射，因此待被透射一相鄰的光屏蔽層圖案283的光可被補償。

儘管各種的實施例已經在以上加以敘述，但是熟習此項技術者將會理解到所述實施例只是舉例而已。於是，在此所述的用於抑制熱吸收的空白遮罩以及光罩不應該受限於所述的實施例。

110‧‧‧空白遮罩

111‧‧‧透光基板

112‧‧‧高反射的材料層

113‧‧‧光屏蔽層

114‧‧‧光阻層

Claims (11)

1. 一種光罩，其包括：一透光基板；以及一光屏蔽層圖案，其被設置在所述透光基板之上，以在一微影製程期間被轉移到一晶圓，所述光屏蔽層圖案包含：一厚的光屏蔽層圖案；以及一薄的光屏蔽層圖案，其中所述厚的光屏蔽層圖案和所述薄的光屏蔽層圖案是由相同的材料層所組成。
2. 根據申請專利範圍第1項的光罩，其中所述透光基板具有一其中露出所述透光基板的透光區域以及一其中設置所述光屏蔽層圖案的光屏蔽區域。
3. 根據申請專利範圍第2項的光罩，其中所述薄的光屏蔽層圖案是被設置在所述光屏蔽區域中，並且所述厚的光屏蔽層圖案是被設置以在所述光屏蔽區域的周圍圍繞所述薄的光屏蔽層圖案。
4. 根據申請專利範圍第2項的光罩，其中所述薄的光屏蔽層圖案是被設置在所述光屏蔽區域中，而在一方向上為縱長的。
5. 根據申請專利範圍第4項的光罩，其中所述薄的光屏蔽層圖案包括複數個第二光屏蔽層圖案，所述複數個第二光屏蔽層圖案被設置以在沿著不同於所述一方向的其它方向上彼此分開。
6. 根據申請專利範圍第5項的光罩，其中所述厚的光屏蔽層圖案是被設置在沿著所述光屏蔽層圖案的周圍的邊緣處。
7. 根據申請專利範圍第1項的光罩，其中所述薄的光屏蔽層圖案的一厚度是所述厚的光屏蔽層圖案的一厚度的50%到90%。
8. 根據申請專利範圍第1項的光罩，其中所述厚的光屏蔽層圖案具有一厚度是容許被照射到所述厚的光屏蔽層圖案的光的約4%到約40%被透射，並且所述薄的光屏蔽層圖案具有一厚度是容許被照射到所述薄的光屏蔽層圖案的光的約7%到約60%被透射。
9. 根據申請專利範圍第1項的光罩，其中所述厚的光屏蔽層圖案以及所述薄的光屏蔽層圖案具有相同的反射度。
10. 一種光罩，其包括：一透光基板，其具有圖案轉移區和透光區；以及一光屏蔽層圖案，其被設置在所述透光基板上以在一微影製程期間被轉移到一晶圓，所述光屏蔽層圖案在其中具有溝槽區段，所述溝槽區段在所述圖案轉移區中露出所述透光基板的表面，其中所述光屏蔽層圖案被設置在圖案轉移區，其中在透光區中的所述透光基板的表面藉由所述光屏蔽層圖案而被露出，並且其中所述溝槽區段被界定為在一第一方向上是縱長的，並且在一實質垂直於所述第一方向的第二方向上是和彼此分開的。
11. 根據申請專利範圍第10項的光罩，其中所述溝槽區段在所述第二方向上的一寬度是一具有一種程度為所述溝槽區段不會在一微影製程中被轉移到一晶圓的寬度。

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