TWI681067B - 濺鍍靶、磁性膜和磁性膜的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的濺鍍靶以原子比換算計含有1at.%以上的Zn，其一部分或全部形成Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物，Pt為45at.%以下，餘量包含Co和不可避免的雜質。

Description

濺鍍靶、磁性膜和磁性膜的製造方法

本發明主要涉及一種具有在包含Co的金屬相中分散有氧化物顆粒的組織結構、且用於形成構成磁記錄介質的磁記錄層等磁性膜的濺鍍靶、磁性膜和磁性膜的製造方法，特別是提出了可有助於提高磁性膜的磁特性的技術。

例如，在硬碟裝置中，對於記錄面沿垂直方向進行磁記錄的垂直磁記錄方式已實用化，與以往的水平磁記錄方式相比能夠實現高密度的記錄，因此被廣泛採用。

垂直磁記錄方式的磁記錄介質一般是在鋁或玻璃等基板上依次層疊軟磁性層、非磁性中間層、磁記錄層和保護層而構成的，其中，磁記錄層使用在以Co作為主要成分的Co‐Cr‐Pt系合金等中添加有SiO ₂等氧化物的顆粒狀結構的磁性膜。由此，在該磁記錄層中，作為非磁性材料的上述氧化物在沿垂直方向取向的Co合金等磁性顆粒的晶界析出，磁性顆粒間的磁性相互作用減小，由此引起的雜訊特性得到提高，並實現了高記錄密度。

這樣的磁記錄介質的磁記錄層通常是使用在以Co作為主要成分的金屬相中分散規定的氧化物顆粒而形成的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍裝置於規定的層上進行濺鍍而形成的。 此外，作為這種濺鍍的相關技術，以往有專利文獻1～7中記載的技術等。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2011－208169號公報； 專利文獻2：日本特開2011－174174號公報； 專利文獻3：日本特開2011－175725號公報； 專利文獻4：日本特開2012－117147號公報； 專利文獻5：日本專利第4885333號； 專利文獻6：國際公開第2012／086388號； 專利文獻7：國際公開第2015／064761號。

技術問題 然而，在用於形成上述這樣的垂直磁記錄方式的磁記錄層的濺鍍靶中，通常是使用SiO ₂或TiO ₂等金屬氧化物作為使沿垂直方向取向的磁性顆粒彼此發生磁分離的氧化物。 然而，僅憑添加這樣的Si或Ti的氧化物，磁性顆粒間的分離不充分，由此可知：從降低記錄層所引起的雜訊的角度考慮，存在問題。

另一方面，為了改善分離而欲增加添加氧化物的量時，磁性顆粒會變小、或者氧化物會分佈在磁性顆粒內，其結果，無法維持高矯頑力。

本發明解決先前技術所擁有的上述問題，其目的在於：提供一種可形成兼具磁性顆粒間的良好的磁分離性和高矯頑力的磁性膜的濺鍍靶、磁性膜和磁性膜的製造方法。 解決問題的方案

發明人發現：在製造濺鍍靶時，除了添加Co等金屬粉末以及Si和／或Ti的氧化物粉末以外還添加ZnO粉末，例如採用熱壓法在真空環境或惰性氣體環境下、在700～1500℃的溫度範圍進行粉末燒結，從而形成Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物，該複合氧化物帶來良好的磁分離性和高矯頑力。

認為這是由於Zn‐Ti‐O或Zn‐Si‐O的複合氧化物大致均勻分佈在磁性顆粒的周圍，由此可以降低粒間的強磁***換結合、而不會減小磁性顆粒的尺寸和磁各向異性，但本發明並不限於這種理論。

在該見解下，本發明的濺鍍靶由一種氧化物構成，該氧化物以原子比換算計含有1at.%以上的Zn，該Zn的一部分或全部形成Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物，Pt為45at.%以下，餘量含有Co和不可避免的雜質。

在本發明的濺鍍靶中，較佳氧化物包含Zn ₂TiO ₄和／或Zn ₂SiO ₄。 另外，本發明的濺鍍靶較佳含有1at.%～15at.%的 Zn。

本發明的濺鍍靶還可以成為形成選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一種元素的氧化物的濺鍍靶。 另外，本發明的濺鍍靶還可以成為分別含有60at.%以下的選自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ti、Ta、W、V和Zn中的至少一種的濺鍍靶。

本發明的磁性膜含有1at.%以上的Zn與Ti和／或Zn與Si，該Zn與Ti和／或Zn與Si的一部分或全部以氧化物的形式存在，Pt為45at.%以下，餘量包含Co和不可避免的雜質。

在本發明的磁性膜中，較佳以1at.%以上且15at.%以下含有Zn。

本發明的磁性膜還可以成為形成選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一種元素的氧化物的磁性膜。 另外，本發明的磁性膜還可以成為分別含有60at.%以下的選自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ti、Ta、W、V和Zn中的至少一種的磁性膜。

本發明的磁性膜的製造方法是藉由使用上述任一種濺鍍靶進行濺鍍來形成磁性膜。 發明效果

根據本發明，藉由含有Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物，可以兼具磁性顆粒間的良好的磁分離性和高矯頑力。其結果，可以提高磁性膜的磁特性。

下面，對本發明的實施方式進行詳細說明。 本發明的一實施方式的濺鍍靶例如是在垂直磁記錄方式的記錄磁性層等的磁性膜中可構成磁性顆粒的金屬相是Pt為45at.%以下、餘量包含Co的金屬或合金所構成的燒結體的濺鍍靶，具有分散有氧化物顆粒的組織結構，該氧化物顆粒包含1at.%以上的Zn，其一部分或全部以氧化物的形式包含在氧化物相中，其一部分或全部形成Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物。藉由存在這樣的複合氧化物，在磁性膜中該複合氧化物均勻分佈在沿垂直方向取向的磁性顆粒的周圍，起到應使磁性顆粒間有效地進行磁分離的作用。

（組成） 金屬相主要由Co構成，根據需要包含Pt。更具體而言，金屬相是僅由Co構成的金屬、或者是含有Pt、且餘量由Co構成的合金。在含有Pt的情況下，Pt的含量可以設為0.1at.%以上且45at.%以下。而且，有時還包含不可避免地可混入的雜質（所謂的不可避免的雜質）。

另外，金屬相還可以例如分別以60at.%以下、典型的是以0.5at.%～60at.%含有選自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ti、Ta、W、V和Zn中的至少一種。藉由包含這樣的元素，可以期待進一步提高磁性膜的磁特性。此外，這些元素雖然主要包含在金屬相中，但在後述的製造時的燒結中被氧化，因此其一部分有時還以氧化物的形式存在。

上述的金屬相構成磁性相，但在用於形成垂直磁記錄方式的磁記錄層等的磁性膜的濺鍍靶中，包含作為非磁性相的氧化物相。 這裡，在本發明中，含有包含Zn的氧化物作為該氧化物相中所含的氧化物，該包含Zn的氧化物的至少一部分形成Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物。這樣的氧化物在磁性膜中形成氧化物相的晶界以包圍磁性顆粒。由此，磁性顆粒間的磁性相互作用減小，帶來雜訊特性的提高。特別是，這裡由於存在Zn‐Ti‐O或Zn‐Si‐O的複合氧化物，所以可以實現磁性顆粒間的良好的磁分離性。

含有1at.%以上的Zn，其一部分或全部包含在氧化物中。即Zn不足1at.%時，無法形成足以分離磁性顆粒的量的Zn－Ti－O和／或Zn－Si－O。另一方面，若Zn的量過多，則Zn有可能定域在磁性粒內。因此，Zn的含量較佳設為20at.%以下。特別是，Zn的含量更進一步較佳設為1at.%以上且15at.%以下。此外，以1at.%～15at.%含有Zn為宜。

關於Zn‐Ti‐O和／或Zn‐Si‐O的複合氧化物，具體而言，Zn‐Ti‐O是Zn ₂TiO ₄，而Zn‐Si‐O是Zn ₂SiO ₄。當存在Zn ₂TiO ₄和Zn ₂SiO ₄中的至少一方時，可以形成磁特性優異的磁性膜。認為其原因在於：與TiO ₂或SiO ₂相比熔點降低，因而濺鍍時氧化物容易在基板上重新排列。 是否存在Zn ₂TiO ₄或Zn ₂SiO ₄，這可以藉由觀察X射線衍射法（XRD）的衍射強度的峰來確認。

另外，還可以包含選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti的至少一種元素的氧化物。通常，在垂直磁記錄方式的磁記錄層中，除了含有上述的Zn的氧化物和複合氧化物以外，還包含Co的氧化物、Cr的氧化物、Si的氧化物、B的氧化物、W的氧化物、Nb的氧化物、Mn的氧化物，Mo的氧化物和Ti的氧化物中的至少一種，這樣的Si等的氧化物也會形成氧化物相的晶界以包圍磁性顆粒，使磁性顆粒間的分離變得更好。Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti的氧化物相對於濺鍍靶整體分別以原子比0～40at.%之間存在時，可以穩定地維持金屬Co的晶體取向和磁性。特別是藉由設為0.5at.%～20at.%時，可以穩定地進行DC濺鍍。

（磁性膜） 使用如上所述的濺鍍靶，利用磁控濺鍍裝置等在基板上成膜，從而可以形成規定的磁性膜。 這樣的磁性膜含有Zn與Ti和／或Zn與Si，Pt為45at.%以下，餘量包含Co和不可避免的雜質。其中，一部分或全部的Zn、Ti、Si以氧化物的形式存在。即，磁性膜中包含Zn、Ti和O以及Zn、Si和O中的至少一種氧化物。磁性膜中的Zn含量為1at.%以上，較佳為1at.%以上且15at.%以下。

此外，關於上述的Zn、Ti、Si是否以複合氧化物的形式包含於磁性膜中，由於其在僅僅10nm左右的膜中分佈於寬1nm左右的磁性顆粒間的間隙（晶界）中，所以使用通常的X射線的結構分析難以確認以哪一種方式複合。

而且，磁性膜還可以包含選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一種元素的氧化物。 此外，磁性膜有時還分別以60at.%以下、典型的是以0.5at.%～60at.%含有選自Au、Ag、Cr、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V和Zn中的至少一種。

（濺鍍靶的製造方法） 上述的濺鍍靶可以採用粉末燒結法來製造，其具體例子如下。

起初，作為金屬粉末，至少準備Co粉，以及根據需要準備Pt粉和／或Cr粉，根據情況還準備Au粉、Ag粉、B粉、Cu粉等金屬粉末。金屬粉末不僅是單一元素的粉末，也可以是合金的粉末，在能夠均勻混合以防止偏析和粗大結晶化方面上，較佳其粒徑為1 μm～10 μm範圍內的粉末。金屬粉末的粒徑大於10 μm時，氧化物顆粒有時無法均勻分散，而當小於1 μm時，由於金屬粉末的氧化的影響，濺鍍靶有可能偏離所期望的組成。

另外，作為氧化物粉末，準備ZnO粉末和SiO ₂粉末和／或TiO ₂粉末，根據需要還準備Co ₃O ₄、B ₂O ₃等。氧化物粉末較佳粒徑為1 μm～30 μm的範圍。由此，與上述的金屬粉末混合進行加壓燒結時，可以使氧化物顆粒在金屬相中更均勻地分散。氧化物粉末的粒徑大於30 μm時，加壓燒結後有時會產生粗大的氧化物顆粒，另一方面，當小於1 μm時，有時會發生氧化物粉末彼此之間的凝集。

然後，稱量包含上述的金屬粉末和氧化物粉末的原料粉末使達到所期望的組成，採用球磨機等公知的方法進行混合，同時進行粉碎。此時，用於混合、粉碎的容器的內部用惰性氣體充滿，希望盡可能抑制原料粉末的氧化。由此，可以獲得規定的金屬粉末和氧化物粉末均勻混合的混合粉末。

之後，將如此操作而得到的混合粉末在真空環境或惰性氣體環境下加壓使其燒結，成型成圓盤狀等規定的形狀。這裡，可以採用熱壓燒結法、熱等靜壓燒結法、電漿放電燒結法等各種加壓燒結方法。其中，從提高燒結體密度的角度考慮，熱等靜壓燒結法有效。

燒結時的保持溫度設為700～1500℃的溫度範圍，特別是較佳設為800℃～1400℃。而且，保持在該範圍的溫度的時間設為1小時以上為宜。 另外，燒結時的加壓力較佳設為10MPa～40MPa，更佳設為25MPa～35MPa。 由此，可以使氧化物顆粒在金屬相中更均勻地分散。

對於藉由上述的加壓燒結得到的燒結體，使用車床等實施切削等機械加工以形成所期望的形狀，從而可以製造濺鍍靶。

（磁性膜的製造方法） 如上操作製造的濺鍍靶可用於製造上述的磁性膜。具體而言，可以使用所涉及的濺鍍靶，通常是利用磁控濺鍍裝置進行濺鍍，從而於規定的基板上或其他膜上成膜，於此形成磁性膜。 實施例

接下來，試製本發明的濺鍍靶，因為確認了其性能，故以下進行說明。但是，這裡的說明只是為了例示，並非意圖限定於此。

（試驗例1） 稱量Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末、SiO ₂粉末和ZnO粉末，使組成比以分子數比率計達到64：22：5：3：6，將該粉末和粉碎介質氧化鋯球一起封入容量為10升的球磨機罐中，旋轉24小時進行混合。然後，將從球磨機中取出的混合粉末填充在直徑為190mm的碳制模具中，藉由熱壓進行燒結。熱壓條件如下：真空環境、升溫速度為300℃／小時、保持溫度為950℃、保持時間為2小時，從開始升溫時到保持結束以30MPa加壓。保持結束後直接在腔室內自然冷卻。使用車床對如此操作而得到的燒結體進行切削加工，形成直徑為180.0mm、厚度為5.0mm的圓盤狀，製作了實施例1的濺鍍靶。

關於實施例2的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末和ZnO粉末作為原料粉末、並將組成比設為63：21：7：9以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。 關於實施例3的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉、SiO ₂粉末和ZnO粉末作為原料粉末、並將組成比設為64：22：5：9以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。

關於實施例4的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末、ZnO粉末和Co ₃O ₄粉末作為原料粉末、並將組成比設為65：22：5：6：2以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。 關於實施例5的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末、ZnO粉末和B ₂O ₃粉末作為原料粉末、並將組成比設為65：22：5：6：2以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。

關於比較例1的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末和SiO ₂粉末作為原料粉末、並將組成比設為66：22：7：5以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。 關於比較例2的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉和TiO ₂粉末作為原料粉末、並將組成比設為64：22：14以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。 關於比較例3的濺鍍靶，除了使用Co粉、Pt粉和SiO ₂粉末作為原料粉末、並將組成比設為67：23：10以外，按照與實施例1的濺鍍靶相同的方式進行製作。

對於上述實施例1～5的各濺鍍靶，使用Rigaku公司製造的Smartlab.測定靶表面的X射線衍射強度。此時的測定條件為θ－2θ測定、2θ＝10－90°。由此可知：在實施例1的濺鍍靶中Zn以Zn ₂TiO ₄和Zn ₂SiO ₄的形式存在，在實施例2、4和5的濺鍍靶中Zn以Zn ₂TiO ₄的形式存在，在實施例3的濺鍍靶中Zn以Zn ₂SiO ₄的形式存在。 此外，可知在比較例1～3的濺鍍靶中，由於沒有添加ZnO，所以沒有形成Zn的氧化物。

另外，將實施例1～5和比較例1～3的各濺鍍靶放置在磁控濺鍍裝置（CANON ANELVA製造的C‐3010濺鍍系統）上，於玻璃基板上依次形成Ta（2.8nm）、Ni－W（5nm）和Ru（16nm）的膜，對所得基板在Ar 5.0Pa環境下以300W進行濺鍍，形成膜厚為7nm、11nm、14nm和18nm的各磁性膜。然後，對於上述各膜厚的磁性膜測定矯頑力Hc、磁各向異性Ku、磁化Ms、磁化曲線的斜率α時，得到了第1圖～第5圖中曲線圖所示的結果。

此外，這裡，使用玉川製作所製造的樣品振動型磁力計（VSM）測定矯頑力Hc、磁化Ms、磁化曲線的斜率α，使用玉川製作所製造的磁扭矩計（TRQ）測定磁各向異性Ku。

由第1圖可知：藉由在TiO ₂－SiO ₂中添加ZnO，矯頑力Hc上升，磁化曲線的斜率α下降。另外，由第2圖、第3圖可知：藉由在TiO ₂、SiO ₂中分別添加ZnO，磁化Ms和磁各向異性Ku上升，磁化曲線的斜率α下降。因此，根據實施例1～3可知：藉由添加ZnO，磁性顆粒的分離變好。而且還可知：在TiO ₂、SiO ₂中添加Zn時，磁性顆粒的磁特性變好。 此外，由第4圖可知：即使是包含Co ₃O ₄或B ₂O ₃的實施例4、5，也和不含這些物質的實施例2相同程度地獲得了藉由添加ZnO所產生的效果。

另外，如上所述，關於使用比較例1和實施例1～3的各濺鍍靶進行成膜的各磁性膜，藉由Ar離子銑削從玻璃基板側切削樣品，進行加工使只殘留磁性膜，之後使用日本電子製造的透過型電子顯微鏡（TEM），利用能量分散型X射線分光法（EDX）對該磁性膜進行線性掃描。其結果見第5圖～第8圖。此外，第5圖～第8圖分別是以縱軸作為相對強度、以橫軸作為距離（nm）的曲線圖，第5圖對應於比較例1的結果，第6圖對應於實施例1的結果，第7圖對應於實施例2的結果，第8圖對應於實施例3的結果。

如第5圖～第8圖所示可知：在添加了ZnO的實施例1～3中，與比較例1相比，元素分佈曲線圖的上升陡峭，故氧化物相與磁性顆粒相的分界清楚，因此實施例1～3中由氧化物帶來的磁性顆粒的相互分離性優異。

（試驗例2） 利用使用Co粉、Pt粉、TiO ₂粉末和ZnO粉末製作的各濺鍍靶和使用Co粉、Pt粉、SiO ₂粉末和ZnO粉末製作的各濺鍍靶，製造了多個改變了ZnO量的試製品。製造條件與上述試驗例1中所述的條件實質上相同。 使用上述各試製品，利用與試驗例1相同的方法形成磁性膜，測定各磁性膜的磁化Ms。其結果見第9圖。

由第9圖所示可知：磁化Ms因較少的Zn量而激增，Zn量超過15at.%時稍有下降。因此，從使磁化Ms上升的角度考慮，可以說較佳Zn量為1～15at.%。

此外，上述實施例1～5和比較例1～3的濺鍍靶以及第9圖所示的各濺鍍靶的組成作為參考顯示在表1中。 此外，由於還製作了實施例6～10的濺鍍靶，所以在表1中對上述實施例6～10的各濺鍍靶的組成也進行顯示以作為參考。

表1

由以上可知：根據本發明，可以形成兼具磁性顆粒間的良好的磁分離性和高矯頑力、且提高了磁特性的磁性膜。

第1圖是顯示使用試驗例1的實施例1和比較例1的濺鍍靶形成的磁性膜的磁化Ms、矯頑力Hc、磁化曲線的斜率α、磁各向異性Ku各自相對於膜厚的變化的曲線圖。 第2圖是顯示使用試驗例1的實施例2和比較例2的濺鍍靶形成的磁性膜的磁化Ms、矯頑力Hc、磁化曲線的斜率α、磁各向異性Ku各自相對於膜厚的變化的曲線圖。 第3圖是顯示使用試驗例1的實施例3和比較例3的濺鍍靶形成的磁性膜的磁化Ms、矯頑力Hc、磁化曲線的斜率α、磁各向異性Ku各自相對於膜厚的變化的曲線圖。 第4圖是顯示使用試驗例1的實施例2、4、5和比較例2的濺鍍靶形成的磁性膜的磁化Ms、矯頑力Hc、磁化曲線的斜率α、磁各向異性Ku各自相對於膜厚的變化的曲線圖。 第5圖是顯示使用試驗例1的比較例1的濺鍍靶形成的磁性膜的EDX映射結果的曲線圖和TEM圖像。 第6圖是顯示使用試驗例1的實施例1的濺鍍靶形成的磁性膜的EDX映射結果的曲線圖和TEM圖像。 第7圖是顯示使用試驗例1的實施例2的濺鍍靶形成的磁性膜的EDX映射結果的曲線圖和TEM圖像。 第8圖是顯示使用試驗例1的實施例3的濺鍍靶形成的磁性膜的EDX映射結果的曲線圖和TEM圖像。 第9圖是顯示試驗例2的磁化Ms相對於Zn量的變化的曲線圖。

無。

Claims (10)

1. 一種濺鍍靶，以原子比換算計含有1at.%以上的Zn，該Zn的一部分或全部形成Zn-Ti-O和/或Zn-Si-O的複合氧化物，Pt為45at.%以下，餘量包含Co和不可避免的雜質。
2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍靶，其中，氧化物包含Zn₂TiO₄和/或Zn₂SiO₄。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的濺鍍靶，其中，含有1at.%~15at.%的Zn。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的濺鍍靶，其中，還形成有選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一種元素的氧化物。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的濺鍍靶，其中，還分別含有60at.%以下的選自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ti、Ta、W、V和Zn中的至少一種。
6. 一種磁性膜，含有1at.%以上的Zn與Ti和/或Zn與Si，該Zn與Ti和/或Zn與Si的一部分或全部以氧化物的形式存在，Pt為45at.%以下，餘量包含Co和不可避免的雜質。
7. 如申請專利範圍第6項所述的磁性膜，其中，含有1at.%以上且15at.%以下的Zn。
8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的磁性膜，其中，還形成有選自Co、Cr、Si、B、W、Nb、Mn、Mo和Ti中的至少一種元素的氧化物。
9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的磁性膜，其中，還分別含有60at.%以下的選自Au、Ag、B、Cu、Cr、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ti、Ta、W、V和Zn中的至少一種。
10. 一種磁性膜的製造方法，該方法是藉由使用了如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的濺鍍靶的濺鍍來形成磁性膜。

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