TWI680566B - 反熔絲結構 - Google Patents

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TWI680566B TW107133837A TW107133837A TWI680566B TW I680566 B TWI680566 B TW I680566B TW 107133837 A TW107133837 A TW 107133837A TW 107133837 A TW107133837 A TW 107133837A TW I680566 B TWI680566 B TW I680566B
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黃慶玲
Chin-Ling Huang
施江林
Chiang-Lin Shih
陳姿吟
Zi-yin CHEN
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南亞科技股份有限公司
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Abstract

一種反熔絲結構，包括一主動區及該主動區上的一閘極電極。該主動區包括一第一本體部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。該閘極電極包括一第二本體部分及在垂直於該第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。該第一本體部分包括面向該第二本體部分的一部份的一第一表面，該第二本體部分包括面向該第一延伸部分的一部份的一第二表面。該第一延伸部分及該第二延伸部分在垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向上部分重疊，且一介電層夾在該第一延伸部份及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域。

Description

反熔絲結構
本申請案主張2018/07/13申請之美國正式申請案第16/034,905號的優先權及益處，該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種反熔絲(anti-fuse)結構，特別是關於一種閘極氧化物(gate oxide，GOX)的反熔絲結構。
在積體電路的製造中，反熔絲及熔絲被廣泛地運用於容錯(fault tolerance)。例如，反熔絲及熔絲可以放置在元件的電路路徑中。最初可導電的電路路徑可以透過熔斷熔絲變成斷路。相反地，原本不可導電的電路路徑可能藉由熔斷反熔絲而變成短路。此外，反熔絲也用於一次性的程式化。
一種反熔絲結構是由一個絕緣體彼此隔開的兩個導體所組成。兩個導體分別連接到不同的組件。當施加的電壓低於一可程式化電壓時，兩個導體之間的路徑是不可導電的電路路徑，即斷路。當施加可程式化電壓時，絕緣體經歷一介電擊穿過程。漏電流增加並且出現熱失控狀態，使絕緣體及相鄰導電材料熔化。導電材料從兩個導體流出並形成導電細絲，造成兩個導體之間是一短路。
程式化電壓是反熔絲設計規則中的關鍵因素，本揭露是供一種反熔絲結構，該反熔絲結構可以使用適當的程式化電壓來進行程式化。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露提供一種反熔絲結構。該反熔絲結構包括一主動區及該主動區上的一閘極電極。該主動區包括一第一本體部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。該閘極電極包括一第二本體部分及在垂直於該第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。該第一本體部分包括面向該第二本體部分的一部份的第一表面，該第二本體部分包括面向該第一延伸部分的一部份的一第二表面。該第一延伸部分及該第二延伸部分在垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向上部分重疊，且一介電層夾在該第一延伸部份及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域。
在一些實施例中，該交叉區域的縱橫比(aspect ratio)約在0.9至1.5的範圍。
在一些實施例中，該第一表面在該第一方向上與該閘極電極分離。
在一些實施例中，該反熔絲結構更包括設置在該第一本體部分上的一第一導電通孔。該第一導電通孔電連接到該主動區。該反熔絲結構更包括設置在該第二本體部分上的一第二導電通孔。該第二導電通孔電連接到該閘極電極。
本揭露提供一種反熔絲結構。該反熔絲結構包括一主動區及該主動區上的一閘極電極。該主動區包括一第一本體部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。該閘極電極包括一第二本體部分及兩個第二延伸部分。該第二延伸部分在該第一方向上從第二本體部分延伸，且該第二本體部分及該兩個第二延伸部分彼此以一空間分離。該第一延伸部分及第二延伸部分在垂直於該第一方向的垂直投影方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域。
在一些實施例中，該交叉區域的縱橫比約在0.9至1.5的範圍。
在一些實施例中，該第一表面在該第一方向上與該閘極電極分離。
在一些實施例中，該反熔絲結構更包括設置在該第一本體部分上的一第一導電通孔。該第一導電通孔電連接到該主動區。
在一些實施例中，該第一延伸部分延伸超過該第二本體部分並從該空間凸出，並且當從該垂直投影觀察時，該第一延伸部分的一部分出現在該兩個第二延伸部分之間。
在一些實施例中，該兩個第二延伸部分從該第二本體部分延伸比從該第一延伸部分延伸的更遠。
在一些實施例中，該閘極電極包括一第三本體部分，並且該兩個第二延伸部分在該第二本體部分和該第三本體部分之間延伸。
在一些實施例中，該反熔絲結構更包括設置在該第三本體部分上的一第二導電通孔。該第二導電通孔電連接到該閘極電極。
在一些實施例中，該第一延伸部分包括面向該第三本體部 分的一凸出表面。
在一些實施例中，該兩個第二延伸部分具有一延伸部分寬度，並且該空間具有寬度大於該延伸部分寬度的一空間寬度。
在一些實施例中，該第一延伸部分的具有一寬度，該寬度大於該延伸部分寬度並且小於該空間寬度。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
10‧‧‧反熔絲結構
20‧‧‧主動區
21‧‧‧第一本體部分
22‧‧‧第一延伸部分
23‧‧‧第一導電通孔
24‧‧‧導電通孔
25‧‧‧絕緣層
30‧‧‧閘極電極
31‧‧‧第二本體部分
32‧‧‧第二延伸部分
33‧‧‧第二導電通孔
34‧‧‧導電通孔
35‧‧‧半導體基底
40‧‧‧交叉區域
50‧‧‧介電層
60‧‧‧反熔絲結構
81‧‧‧第二本體部分
82‧‧‧第二延伸部分
82'‧‧‧第二延伸部分
83‧‧‧第三本體部分
84‧‧‧空間
90‧‧‧交叉區域
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S3‧‧‧邊緣表面
S4‧‧‧突出表面
w1‧‧‧延伸部分寬度
w2‧‧‧空間寬度
w3‧‧‧寬度
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。
圖1A是俯視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構；圖1B是沿圖1A中A-A'線的剖視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構；圖1C是沿圖1A中B-B'線的剖視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構；圖1D是沿圖1A中C-C'線的剖視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構；圖2A是俯視圖，例示本揭露一比較實施例之反熔絲結構；以及 圖2B是沿圖2A中D-D'線的剖視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了實施方式之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於實施方式的內容，而是由申請專利範圍定義。
圖1A是俯視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構10。圖1B是沿圖1A中A-A'線的剖視圖，圖1C是沿圖1A中B-B'線的剖視圖，圖1D是沿圖1A中C-C'線的剖視圖。
反熔絲結構10包括一主動區20及主動區上的一閘極電極30。
主動區20包括一摻雜區。例如，主動區20形成在一半導體 基底35(參見圖1B)中並且靠近半導體基底35的一表面。主動區20可以包含比半導體基底35的其他部分更高的摻雜劑濃度。可以調節摻雜物的濃度、類型及範圍或其他關鍵因子(critical factors)，以在熔融或熔斷反熔絲結構10之後，控制在主動區20及閘極電極30之間形成的一通道的特性。
閘極電極30的材料可以包括摻雜的半導體材料，例如摻雜的多晶矽。主動區20及閘極電極30可以具有相同的摻雜類型。閘極電極30可以形成在半導體基底35上的一閘極電極氧化物(例如圖1B中的介電層50)上。
仍然參考圖1，如圖1A所示，主動區20包括一第一本體部分21和沿第一方向D1延伸的一第一延伸部分22。閘極電極30包括第一二本體部分31及在垂直於第一方向D1的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。
在本揭露的一些實施例中，從一第三方向D3(垂直投影方向)觀察，第一本體部分21實質上是矩形的。第一延伸部分22從第一本體部分21沿著第一本體部分21的一長邊延伸。在本揭露的一些實施例中，第一本體部分21的一側面和第一延伸部分22的一側面是共面。在本揭露的一些實施例中，當從第三方向D3觀察時，第一延伸部分22實質上是矩形的。
在本揭露的一些實施例中，從一第三方向D3(垂直投影方向)觀察，第二本體部分31實質上是矩形的。第二延伸部分32從第二本體部分31沿著第二本體部分31的一長邊延伸。在本揭露的一些實施例中，第二本體部分31的一側面和第二延伸部分32的一側面是共面。在本揭露 的一些實施例中，當從第三方向D3觀察時，第二延伸部分32實質上是矩形的。
在本揭露的一些實施例中，第一本體部分21包括面向一部份之第二本體部分31的一第一表面S1，第二本體部分31包括面向一部份之第一延伸部分22的一第二表面S2。
在本揭露的一些實施例中，第一表面S1的法向量(normal vector)沿第一方向D1指向第二本體部分31。在本揭露的一些實施例中，第二表面S2的一法向量為沿第二方向D2指向第一延伸部分22。
在本揭露一些實施例中，第一延伸部分22沿第一表面S1的法向量從第一本體部分21延伸。在本揭露的一些實施例中，第二延伸部分32沿第二表面S2的法向量從第二本體部分31延伸。
在本揭露一些實施例中，當從第一方向D1觀察時，第一表面S1與閘極電極30分離，如圖1A所示。在本揭露的一些實施例中，當從第一方向D1觀察時，閘極電極30的一邊緣表面S3接近有主動區20，如圖2A所示。
在本揭露的一些實施例中，第一延伸部分22及第二延伸部分32在垂直於第一方向D1及第二方向D2的一第三方向D3上部分重疊(將於圖1B進一步說明)，且一介電層夾在第一延伸部分22和第二延伸部分32之間。第一延伸部分22和第二延伸部分32部分重疊並形成一交叉區域40。
在本揭露的一些實施例中，交叉區域40的縱橫比約在0.9至1.5的範圍。
應可了解的是，交叉區域40的尺寸對於熔融反熔絲結構10 的可程式化電壓是至關重要的。換句話說，更大的交叉區域40對應於一更高的可程式化電壓。存在適當的可程式化電壓範圍。反熔絲結構10需要在不熔斷的情況下維持正常電壓，並且不能允許一可程式化電壓過低以熔融反熔絲結構10。另一方面，反熔絲結構10必須經配置以在施加電壓滿足所需要的值時熔融，並且可程式化電壓太高將導致反熔絲結構10的功能失效。
如果交叉區域40的縱橫比小於約0.9，則交叉區域40不足以在反熔絲熔熔融之前維持正常電壓。如果交叉區域40的縱橫比大於約1.5，則交叉區域40可能太大而不能在合適的電壓下適當地熔融。
參考圖1B，第一延伸部分22及第二延伸部分22在一第三方向上部分重疊，並且一介電層50夾在第一延伸部分22及第二延伸部分32之間。
在一些實施例中，介電層50包括一閘極氧化物(gate oxide)。在閘極氧化物將第一延伸部分22與第二延伸部分32隔離的情況下，除非施加該可程式化電壓，否則第一延伸部分22和第二延伸部分32之間的路徑保持打開。
在本揭露的一些實施例中，介電層50直接接觸第二延伸部分32。在本揭露的一些實施例中，介電層50的俯視區域實質上等於第二延伸部分32的俯視區域。
在本揭露的一些實施例中，介電層50凹入半導體基底35中。在本揭露的一些實施例中，介電層50直接接觸第一延伸部分22。
在本揭露的一些實施例中，一絕緣層25覆蓋主動區20及閘極電極30。在本揭露的一些實施例中，閘極電極30凹入絕緣層25中並且 接近於絕緣層25的一表面。
在本揭露的一些實施例中，絕緣層25具有與半導體基底35共同表面，並且主動區20和閘極電極30均接近該共同表面。
參考圖1C，在本揭露的一些實施例中，一第一導電通孔23形成在第一本體部分21上並且電連接到主動區域20。
在本揭露的一些實施例中，第一導電通孔23延伸穿過絕緣層25的厚度並連接到一導體，例如用於施加該可程式化電壓的一訊號線。
在本揭露的一些實施例中，另一導電通孔24形成在第一本體部分21上並電連接至主動區20。
縱使為了簡化說明，圖1C中例示兩個導電通孔，但本揭露可以形成任何數量的導電通孔，這對於本領域普通技術人員來是顯而易見的。
如圖1C所示，兩個導電通孔延伸穿過絕緣層25的厚度，但本揭露導電通孔可以延伸穿過半導體基底35的厚度，這對於本領域普通技術人員來是顯而易見的。
參照圖1D，在本揭露的一些實施例中，一第二導電通孔33形成在第二本體部分31上並且電連接到閘極電極30。
在本揭露的一些實施例中，第二導電通孔33延伸穿過半導體基底35的厚度並連接到一導體，例如用於施加該可程式化電壓的一訊號線。如上面提到的，第二導電通孔33可以延伸穿過絕緣層25的厚度。
在本揭露的一些實施例中，形成另一導電通孔34。如上所述，可以形成任何數量的導電通孔。
直到通過導電通孔23、24、33或34施加該可程式化電壓 前，反熔絲結構10保持打開，當施加該可程式化電壓時，介電層50經歷一介電擊穿過程。漏電流增加並且出現熱失控狀態，使介電層50及相鄰導電材料(例如有主動區20和閘極電極30)熔化。導電材料從兩個導體流出並形成導電細絲，造成兩個導體之間是一短路。
圖2A是俯視圖，例示本揭露一些實施例之反熔絲結構60。圖2B是沿圖2A中D-D'線的剖視圖。
反熔絲結構60類似於反熔絲結構10，為了簡化說明，相同的數字代表相似的部件。為了簡潔起見，在描述中省略了這些類似的組件，並且僅描述了不同之處。
反熔絲結構60包括主動區20和主動區20上方的一閘極電極30。主動區20包括第一本體部21及沿第一方向D1延伸的一第一延伸部22。
如圖2A所示，第一延伸部分22的對稱線與第一本體部分21的對稱線對齊。
仍然參考圖2A，閘極電極30包括一第二本體部分81及兩個第二延伸部分82和82'，第二延伸部分82和82'在第一方向D1上從第二本體部分81延伸並且透過一空間84彼此分開。
在本揭露的一些實施例中，第二本體部分81包括一邊緣表面S3，邊緣表面S3相對於一表面(兩個第二延伸部分82和82'從該表面延伸)。在本揭露的一些實施例中，邊緣表面S3在第一方向D1上接近第一本體部分21。
兩個第二延伸部分82和82'沿著邊緣表面S3的法向量從第二本體部分81延伸。兩個第二延伸部分82和82'在遠離邊緣表面S3的方向 上從第二本體部分81延伸。
在本揭露的一些實施例中，兩個第二延伸部分82和82'具有一延伸部分寬度w1，並且空間84具有大於延伸部分寬度w1的一空間寬度w2。
在本揭露的一些實施例中，兩個第二延伸部分82和82'中的一個的一表面與第一本體部分21的一表面對齊。
當反熔絲結構60熔融，並且主動區20和閘極電極30之間的電路路徑是導電的時候，電流被分成兩個路徑，即兩個第二延伸部分82和82'。
在本發明的一些實施例中，第一延伸部分22的具有一寬度w3，寬度w3大於延伸部分寬度w1且小於空間寬度w2。
仍然參考圖2A，第一延伸部分22和第二本體部分81在一第三方向D3(垂直投影方向)上部分重疊，一介電層50(參見圖2B)夾於第一延伸部分22和第二本體之間部分81，形成一交叉區域90。
在本揭露的一些實施例中，交叉區域90的縱橫比約在0.9至1.5的範圍。
在本揭露的一些實施例中，第一延伸部分22延伸超過第二本體部分81並從空間84凸出，當從第三方向D3觀察時，第一延伸部分22的一部分出現在兩個第二延伸部分82和82'之間。
在本揭露的一些實施例中，兩個第二延伸部分82和82'從第二本體部分81延伸得比從第一延伸部分22延伸得更遠。
在本揭露的一些實施例中，閘極電極30更包括一第三本體部分83，其中兩個第二延伸部分82和82'在第二本體部分81和第三本體部 分83之間延伸。在本揭露的一些實施例中，兩個第二延伸部分82和82'連接到第二本體部分81和第三本體部分83。在揭露的一些實施例中，兩個第二延伸部分82和82'、第二本體部分81及第三本體部分83一起環繞空間84。
在本揭露的一些實施例中，第一延伸部分22包括面向第三本體部分83的一凸出表面S4。在本揭露的一些實施例中，凸出表面S4位於空間84中並且當從第三方向D3觀察時，凸出表面S4被第二延伸部分82和82'兩者、第二本體部分81及第三本體部分83包圍。
參照圖2B，在本揭露的一些實施例中，反熔絲結構60包括形成在第一本體部分21上的一第一導電通孔23，其電連接到有主動區20。
在本揭露的一些實施例中，另一導電通孔24形成在第一本體部分21上並電連接至主動區20。
在本揭露的一些實施例中，反熔絲結構60包括形成在第三本體部分83上的一第二導電通孔33，其電連接到閘極電極30。
本揭露提供一種反熔絲結構。該反熔絲結構包括一主動區及該主動區上的一閘極電極。該主動區包括一第一本體部分及一第一方向延伸的一第一延伸部分。該閘極電極包括一第二本體部分及在垂直於該第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。該第一本體部分包括面向該第二本體部分的一部份的第一表面，該第二本體部分包括面向該第一延伸部分的一部份的一第二表面。該第一延伸部分及該第二延伸部分在垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向上部分重疊，且一介電層夾在該第一延伸部份及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域。
本揭露提供一種反熔絲結構。該反熔絲結構包括一主動區及該主動區上的一閘極電極。該主動區包括一第一本體部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。該閘極電極包括一第二本體部分及兩個第二延伸部分。該第二延伸部分在該第一方向上從第二本體部分延伸，且該第二本體部分及該兩個第二延伸部分彼此以一空間分離。該第一延伸部分及第二延伸部分在垂直於該第一方向的垂直投影方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。

Claims (12)

  1. 一種反熔絲結構，包括：一主動區，具有一第一本體部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及一閘極電極，在該主動區上方，其中該閘極電極包括一第二本體部分及一第二延伸部分，該第二延伸部分沿垂直於該第一方向的一第二方向延伸；其中該第一本體部分包括面向該第二本體部分的一部份的一第一表面，該第二本體部分包括面向該第一延伸部分的一部份的一第二表面；其中該第一延伸部分及第二延伸部分在垂直於該第一方向及該第二方向的一第三方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二延伸部分之間，形成一交叉區域；其中該交叉區域的縱橫比(aspect ratio)約在0.9至1.5的範圍。
  2. 如請求項1所述的反熔絲結構，其中該第一表面在該第一方向上與該閘極電極分離。
  3. 如請求項1所述的反熔絲結構，更包括：一第一導電通孔，設置在該第一本體部分上，電連接到該主動區；一第二導電通孔，設置在該第二本體部分上，電連接到該閘極電極極。
  4. 一種反熔絲結構，包括：一主動區，具有一第一本體部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及一閘極電極，在該主動區上方，其中該閘極電極包括一第二本體部分及兩個第二延伸部分；該第二延伸部分在該第一方向上從第二本體部分延伸，且該第二本體部分及該兩個第二延伸部分彼此以一空間分離；其中該第一延伸部分及該第二本體部分在垂直於該第一方向的垂直投影方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二本體部分之間，形成一交叉區域；其中該交叉區域的縱橫比(aspect ratio)約在0.9至1.5的範圍。
  5. 如請求項4所述的反熔絲結構，其中該第二本體部分包括一邊緣表面，該邊緣表面相對於該兩個第二延伸部分從其延伸的一表面，且其中該邊緣表面在該第一方向上靠近該第一本體部分。
  6. 如請求項4所述的反熔絲結構，更包括：一第一導電通孔，設置在該第一本體部分上，電連接到該主動區。
  7. 一種反熔絲結構，包括：一主動區，具有一第一本體部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及一閘極電極，在該主動區上方，其中該閘極電極包括一第二本體部分及兩個第二延伸部分；該第二延伸部分在該第一方向上從第二本體部分延伸，且該第二本體部分及該兩個第二延伸部分彼此以一空間分離；其中該第一延伸部分及該第二本體部分在垂直於該第一方向的垂直投影方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二本體部分之間，形成一交叉區域；其中該第一延伸部分延伸超過該第二本體部分並從該空間凸出，並且當從該垂直投影觀察時，該第一延伸部分的一部分出現在該兩個第二延伸部分之間；其中該兩個第二延伸部分從該第二本體部分延伸比從該第一延伸部分延伸的更遠。
  8. 一種反熔絲結構，包括：一主動區，具有一第一本體部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及一閘極電極，在該主動區上方，其中該閘極電極包括一第二本體部分及兩個第二延伸部分；該第二延伸部分在該第一方向上從第二本體部分延伸，且該第二本體部分及該兩個第二延伸部分彼此以一空間分離；其中該第一延伸部分及該第二本體部分在垂直於該第一方向的垂直投影方向上部分重疊，並且一介電層夾在該第一延伸部分及該第二本體部分之間，形成一交叉區域；其中該閘極電極包括一第三本體部分，並且該兩個第二延伸部分在該第二本體部分和該第三本體部分之間延伸。
  9. 如請求項8所述的反熔絲結構，更包括：一第二導電通孔，設置在該第三本體部分上，電連接到該閘極電極。
  10. 如請求項11所述的反熔絲結構，其中該第一延伸部分包括面向該第三本體部分的一凸出表面。
  11. 如請求項8所述的反熔絲結構，其中該兩個第二延伸部分具有一延伸部分寬度，並且該空間具有寬度大於該延伸部分寬度的一空間寬度。
  12. 如請求項11所述的反熔絲結構，其中該第一延伸部分的具有一寬度，該寬度大於該延伸部分寬度並且小於該空間寬度。
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