TWI674589B

TWI674589B - 石墨烯電路層的製造方法及可撓式觸控面板

Info

Publication number: TWI674589B
Application number: TW107123826A
Authority: TW
Inventors: 劉建明
Original assignee: 凌巨科技股份有限公司
Priority date: 2018-07-10
Filing date: 2018-07-10
Publication date: 2019-10-11
Also published as: TW202006748A

Abstract

一種石墨烯電路層的製造方法，其包括以下步驟。提供第一基板。形成金屬膜於第一基板上。圖案化金屬膜，以得到圖案化金屬膜。形成石墨烯層於圖案化金屬膜的表面，其中石墨烯層與圖案化金屬膜具有相同圖案。利用靜電的方式，將石墨烯層從圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上。另提供一種可撓式觸控面板，其包括由上述石墨烯電路層的製造方法所製得的石墨烯電路層。

Description

石墨烯電路層的製造方法及可撓式觸控面板

本發明是有關於一種電路層的製造方法及觸控面板，且特別是有關於一種石墨烯電路層的製造方法及包含石墨烯電路層的可撓式觸控面板。

氧化銦錫(ITO, Indium Tin Oxide)為目前觸控面板常用之線路材料，但由於ITO不具有彎折性，故無法應用於柔性基板上。因此，現已發展出使用石墨烯、奈米金屬或奈米碳管等可撓式材料來取代ITO。其中，石墨烯具有價格低、高電子飄移率、高電傳導率與高熱傳導率的特性而備受矚目。

目前石墨烯電路層的製造方法，主要是經由化學氣相沈積法(CVD，Chemical Vapor Deposition)。其先在金屬載體上生成石墨烯，並將石墨烯圖案化後，再將金屬載體移除，並使石墨烯轉移至所需基板上。然而，習知的製造方法至少包括以下缺點：將已成長的石墨烯進行蝕刻會造成碳污染；使用氯化鐵溶液(FeCl ₃)、過硫酸銨溶液((NH ₄) ₂SO ₈)或硝酸鐵溶液(Fe(NO ₃) ₃)等作為蝕刻溶液移除金屬載體，除了溶液本身具有毒性外，也會造成金屬的汙染；以及使用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或是熱脫膠膜等進行石墨烯的轉移時，石墨烯上會留有殘留的膠體或雜質，進而影響到石墨烯的導電性。因此，改良石墨烯電路層的製造方法，是目前極需解決的問題。

本發明提供一種石墨烯電路層的製造方法，具有簡化製程工序的複雜性、提升良率與製程均一性以及最小化金屬/碳污染的效果，並且可以有效重複利用圖案化金屬膜。

本發明提供一種可撓式觸控面板，其包含由上述石墨烯電路層的製造方法所製得的石墨烯電路層，具有較佳的可靠度。

本發明的石墨烯電路層的製造方法包括以下步驟。提供第一基板。形成金屬膜於第一基板上。圖案化該金屬膜，以得到圖案化金屬膜。形成石墨烯層於圖案化金屬膜的表面，其中石墨烯層與圖案化金屬膜具有相同圖案。利用靜電的方式，將石墨烯層從該圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上。

在本發明的一實施例中，上述將石墨烯層從圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上的方法，包括以下步驟。將石墨烯層對位至第二基板上。使石墨烯層帶第一電荷。使第二基板帶第二電荷，其中第一電荷與第二電荷電性相異。將帶有第一電荷的石墨烯層吸引至帶有第二電荷的第二基板上。

在本發明的一實施例中，在將帶有第一電荷的石墨烯層吸引至帶有第二電荷的第二基板上之前，更包括去除圖案化金屬膜的電荷。

在本發明的一實施例中，在將帶有第一電荷的石墨烯層吸引至帶有第二電荷的第二基板上之前，更包括使圖案化金屬膜帶第一電荷。

在本發明的一實施例中，在形成金屬膜於第一基板上之前，更包括形成緩衝層於第一基板上，並使金屬膜與第一基板分別位於緩衝層的相對兩側。

在本發明的一實施例中，上述形成石墨烯層於圖案化金屬膜的表面的方法可包括化學氣相沉積法(CVD)，且形成石墨烯層於圖案化金屬膜的表面的反應溫度可介於790℃至1050℃之間。

在本發明的一實施例中，在將石墨烯層從圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上之後，更包括利用上述圖案化金屬膜及上述第一基板，以形成另一石墨烯層於上述圖案化金屬膜的表面。

在本發明的一實施例中，在將石墨烯層從圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上之後，更包括覆蓋光學膠層於石墨烯層上。

在本發明的一實施例中，上述帶有第一電荷的石墨烯層與帶有第二電荷的第二基板之間的吸引力大於帶有第一電荷的石墨烯層與圖案化金屬膜之間的吸引力。

在本發明的一實施例中，上述的第一基板例如為晶圓。

在本發明的一實施例中，上述的金屬膜的材料為銅或鍺。

本發明的可撓式觸控面板，包括第二基板以及石墨烯電路層。石墨烯電路層配置於第二基板上，且石墨烯電路層是根據上述的石墨烯電路層的製造方法所製得。

在本發明的一實施例中，上述的可撓式觸控面板更包括光學膠層。光學膠層可配置於第二基板上，且包覆石墨烯電路層。

基於上述，在本發明的石墨烯電路層的製造方法中，先形成石墨烯層於圖案化金屬膜的表面，其中石墨烯層與圖案化金屬膜具有相同圖案。接著，利用靜電的方式，將石墨烯層從圖案化金屬膜的表面轉移至第二基板上，進而形成石墨烯電路層。藉此設計，使得本發明的石墨烯電路層的製造方法，具有簡化製程工序的複雜性、提升良率與製程均一性以及最小化金屬/碳污染之功效，並且可以有效重複利用圖案化金屬膜。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1F為本發明一實施例的石墨烯電路層的製造方法的流程剖面圖。圖2A繪示為圖1D的石墨烯層的俯視圖。圖2B繪示為圖1F的石墨烯電路層的俯視圖。此外，為了圖式的清楚，圖形皆非按比例繪製。

請參照圖1A，在本實施例中，先提供第一基板100。此處，第一基板100例如為晶圓，或其他可耐高溫的固體材料，但不以此為限。接著，可選擇性地形成緩衝層102於第一基板100上。在一些實施例中，緩衝層102的材料例如是氧化矽、氮化矽或其他適合的氧化層、氮化層，但不以此為限。在本實施例中，緩衝層102的形成方法例如是化學氣相沉積法，但不以此為限。

接著，請參照圖1B，形成金屬膜104於第一基板100上。在本實施例中，金屬膜104與第一基板100分別位於緩衝層102的相對兩側，其中，緩衝層102的設置可用來增加第一基板100與金屬膜104之間的附著力。此處，金屬膜104的材料例如為銅或鍺，或其他可藉由其表面來催化石墨烯生長，易形成單層石墨烯的金屬。金屬膜104的形成方法例如是化學氣相沉積法。此外，依照第一基板100所選用的材料，金屬膜104與第一基板100之間可藉由氫鍵、離子鍵或共價鍵連結。在本施實施例中，因具有緩衝層102，因此會依照緩衝層102所選用的材料，使得緩衝層102與第一基板100之間、金屬膜104與緩衝層102之間可藉由氫鍵、凡得瓦爾力(van der Waals' force)或共價鍵連結。

請參照圖1C，對金屬膜104進行圖案化，以得到圖案化金屬膜106。在本實施例中，圖案化金屬膜106的形成方法例如是先在金屬膜104上形成光阻層(未繪示)，並藉由微影蝕刻製程得到圖案化光阻層(未繪示)，接著再對金屬膜104進行蝕刻製程，進而得到圖案化金屬膜106。蝕刻製程可以是乾式蝕刻製程或濕式蝕刻製程。其中，乾式蝕刻製程主要用在線寬小於0.35 um的製程上，而濕式蝕刻製程主要用在線寬大於0.35 um的製程上，但並不以此為限。

請同時參照圖1D與圖2A，圖1D為石墨烯層108成長於圖案化金屬膜106上的剖面圖，圖2A為石墨烯層108成長於圖案化金屬膜(未標示)上的俯視圖，其中石墨烯層108與圖案化金屬膜106具有相同圖案。在一些實施例中，形成石墨烯層108的方法包括化學氣相沉積法或電漿輔助化學氣相沉積法，但不以此為限。其中，化學氣相沉積法為目前石墨烯主要的成長方式，而電漿輔助化學氣相沉積法則為可降低石墨烯的成長溫度的方法。

以下，以化學氣相沉積法為例來進行說明。在本實施例中，先將圖案化金屬膜106加熱至高溫後，加入氣態含碳材料(C _xH _y)作為石墨烯的碳原子的來源，其中氣態含碳材料例如是甲烷(CH ₄)，但不以此為限。接著以圖案化金屬膜106催化反應，使氣態含碳材料於高溫時分解出碳原子，並於降溫過程中沉積於圖案化金屬膜106上而形成石墨烯層108。其中，氣態的碳源對於形成石墨烯層108的再現性及均勻性較佳；而圖案化金屬膜106作為催化劑，可降低石墨烯成長溫度(原成長溫度約1300℃)，且圖案化金屬膜106的純度越高，形成的石墨烯層108的品質越好。在本實施例中，形成石墨烯層108於圖案化金屬膜106上的反應溫度例如是介於790℃至1050℃之間。在另一實施例中，也可以電漿輔助化學氣相沉積法來形成石墨烯層於圖案化金屬膜上，且反應溫度例如是小於790℃。

此外，在形成石墨烯層108的過程中，還須有適量的第一輔助氣體及適量的第二輔助氣體。其中，第一輔助氣體例如是氬氣(Ar)，可做為保護及稀釋的安全氣體，且避免圖案化金屬膜106發生昇華。第二輔助氣體例如是氫氣(H ₂)，具有減少石墨烯成核點數量並彌補石墨烯成長缺陷的作用，但過量的第二輔助氣體則會蝕刻石墨烯。

詳細來說，在一些實施例中，形成石墨烯層108可包括以下步驟。提供適量的氬氣及適量的氫氣。將圖案化金屬膜106以穩定升溫速率上升至第一溫度。加入甲烷。將圖案化金屬膜106以第一降溫速率降至第二溫度。將圖案化金屬膜106以第二降溫速率降至第三溫度。移除氫氣及甲烷，並急速降溫至室溫。其中，氬氣的氣體流量例如為150~250立方公分/分鐘；氫氣的氣體流量例如為135~225立方公分/分鐘；升溫速率例如是15~25℃/分鐘；第一溫度例如是790~1050℃；甲烷的氣體流量例如為1.5~2.5立方公分/分鐘；第一降溫速率例如是7.5~12.5℃/分鐘；第二溫度例如是395~525℃；第二降溫速率例如是15~25℃/分鐘與第三溫度例如是158~210℃，但本發明並不以此為限。

在本實施例中，石墨烯層108會成長在圖案化金屬膜106相對於第一基板100的頂表面1061及兩側表面1062上。其中，石墨烯層108與圖案化金屬膜106具有相同圖案，且石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間是藉由凡德瓦爾力結合。需要注意的是，在設計石墨烯電路時，若要控制圖案化金屬膜106的哪面可生長石墨烯層108，則可將不想成長石墨烯層108的圖案化金屬膜106的表面進行氧化，以使氧化的圖案化金屬膜106處的催化效果降低，使其無法成長石墨烯層108。此外，也可對部分已形成的石墨烯層108再進行顯影蝕刻製程，例如是乾式蝕刻製程，進而使石墨烯層108的圖案能符合所設計的線路。

在一些實施例中，形成的石墨烯層108的數量例如為1層至3層堆疊。優選地，形成的石墨烯層108的數量為單層。當石墨烯層108的數量為單層時，具有導電性極佳及晶界少的優點。當石墨烯層108的數量為2層至3層時，其石墨烯層108較為完整緻密，具成長速度快且良率高之優勢。然而，當石墨烯層108的數量為多於3層時，其導電性極差，不適合做為電路層。

基於上述，在本實施例的石墨烯電路層的製造方法中，由於先將金屬膜104預蝕刻成圖案化金屬膜106，接著再形成石墨烯層108於圖案化金屬膜106上，並使石墨烯層108與圖案化金屬膜106具有相同圖案。因此，相較於習知的石墨烯電路層的製造方法，本實施例的石墨烯電路層的製造方法可大量減少對石墨烯層108再蝕刻的製程，具有降低碳污染之功效。

請繼續參照圖1E，圖 1E繪示為石墨烯層108轉移前的靜電處理與轉移過程，包括以下步驟。提供第二基板200，並將石墨烯層108對位至第二基板200上。接著，使石墨烯層108帶第一電荷E1，並使第二基板200帶第二電荷E2，其中第一電荷E1與該第二電荷E2電性相異。

詳細來說，第二基板200可包括可撓性基板或不可撓性基板，材質例如是塑板或玻璃，但並不以此為限。第二基板200可以是觸控面板、智能窗或轉移用基板，但不以此為限。其中，轉移用基板可作為其他轉印製程的中間基板，例如是用於滾印製程(Roll to Roll)中的轉移用基板，如基聚偏氟乙烯(Polyvinylidene difluoride，PVDF)膜，可利於大量生產，但並不以此為限。接著，使第一基板100上的石墨烯層108與第二基板200上預定形成電路層的位置面對面地放置，且彼此對準，避免轉移位置產生偏差。

接下來，提供靜電產生裝置300。靜電產生裝置300例如是靜電槍，但並不以此為限。利用靜電產生裝置300分別對石墨烯層108及第二基板200施加靜電場，使石墨烯層108與第二基板200各自帶有電性相異的第一電荷E1及第二電荷E2。在本實施例中，第一電荷E1例如是正電荷，第二電荷E2例如是負電荷。而在另一實施例中，第一電荷E1例如是負電荷，第二電荷E2例如是正電荷。

接著，利用靜電的方式，將石墨烯層108從圖案化金屬膜106的表面106l、1062轉移至第二基板200的表面2001上。確切來說，使帶有第一電荷E1的石墨烯層108與帶有第二電荷E2的第二基板200之間的吸引力大於帶有第一電荷的石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的吸引力，以將帶有該第一電荷E1的石墨烯層108吸引至帶有第二電荷E2的第二基板200上，形成石墨烯電路層202，如圖1F及圖2B所示。圖2B繪示為在第二基板200上的石墨烯電路層202的俯視圖。

具體而言，在本實施例中，由於第一基板100與緩衝層102之間，以及緩衝層102與圖案化金屬膜106之間皆是藉由氫鍵、凡德瓦爾力或共價鍵連結，而石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間是藉由凡德瓦爾力結合。因此，在賦予石墨烯層108與第二基板200電性相異的足量電荷後，可使石墨烯層108與第二基板200間形成的靜電力大於石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的凡德瓦爾力，進而造成石墨烯層108由圖案化金屬膜106上脫離，並轉移至第二基板200上。此時，已完成石墨烯電路層的製作。

更詳細的說，在一些實施例中，由於石墨烯層108與第二基板200之間的距離會影響石墨烯層108完成轉移所需的靜電力，因此，例如當使第二基板200帶負電(1*10 ^-5庫倫力)、石墨烯層108帶正電(-1*10 ^-3庫倫力)，當第二基板200與石墨烯層108是相距0.5m時，對每克單位石墨烯約有360達因(dyne)的作用力，並使石墨烯層108脫離圖案化金屬膜106而轉移至第二基板200上。

需要注意的是，凡德瓦爾力的強弱會依分子量、莫耳數決定。因此，在本實施例中，由於緩衝層102和第一基板100的分子量可能遠大於石墨烯層108，因而使得第一基板100與緩衝層102之間的凡徳瓦爾力總值，以及緩衝層102與圖案化金屬膜106之間的凡徳瓦爾力總值大於石墨烯層108與第二基板200之間的靜電力。換言之，當石墨烯層108由圖案化金屬膜106上脫離並轉移至第二基板200上時，不會造成圖案化金屬膜106和/或緩衝層102轉移至第二基板200上。

需要注意的是，在另一實施例中，在將帶有第一電荷E1的石墨烯層108吸引至帶有第二電荷E2的第二基板200上之前，也可藉由去除圖案化金屬膜106的電荷來減弱或消除石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的凡德瓦爾力，以使石墨烯層108較容易由圖案化金屬膜106上脫離。而在另一實施例中，在將帶有第一電荷E1的石墨烯層108吸引至帶有第二電荷E2的第二基板200上之前，也可利用靜電產生裝置300使圖案化金屬膜106帶第一電荷E1，也就是使第一基板100上的圖案化金屬膜106與石墨烯層108帶有相同電性的電荷，進而可增加石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的排斥力，並減弱或消除石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的凡德瓦爾力，以使石墨烯層108較容易由圖案化金屬膜106上脫離。在一些實施例中，當利用靜電產生裝置300使石墨烯層108與圖案化金屬膜106皆帶有第一電荷E1時，可以選擇性地使第二基板200帶有電荷平衡的第二電荷E2，即使第二基板200不帶電，此時，石墨烯層108與圖案化金屬膜106之間的排斥力仍可使石墨烯層108由圖案化金屬膜106上脫離並轉移至第二基板200上。

需要注意的是，在本實施例中，當石墨烯層108成長於圖案化金屬層106的頂表面1061及兩側表面1062時，石墨烯層108於第一基板100上的正投影的線寬為W1，如圖1D與圖2A所示。接著，再同時參照圖1F與圖2B，當石墨烯層108轉移至第二基板200上並形成石墨烯電路層202時，石墨烯電路層202於第二基板200上的正投影的線寬為W2，其中線寬W2大於線寬W1。具體來說，線寬W1是代表位在圖案化金屬膜106頂表面1061的石墨烯層108的寬度，而線寬W2則是代表轉移至第二基板200的表面2001上的石墨烯電路層202的寬度。然而，由於石墨烯電路層202包括了位於圖案化金屬膜106頂表面1061的石墨烯層108以及側表面1062的石墨烯層108，因此，使得轉移後的石墨烯電路層202的線寬W2大於轉移前的石墨烯層106的線寬W1，但不以此為限。在一些實施例中，當只有在圖案化金屬膜106的頂表面1061上有石墨烯層108時，線寬W2則也可能等於線寬W1。因此，在設計石墨烯電路層202以及圖案化金屬膜106時，需要將上述部分納入考量。

接著，請參照圖1G，覆蓋光學膠層204於石墨烯層202上，以使石墨烯電路層202位於第二基板200與光學膠層204之間。此處，光學膠層204可包括光學膠(Optical Clear Adhesive，OCA)，或同時包括光阻劑(OC)與OCA。詳細來說，在本實施例中，可直接以OCA做為保護層並貼合於石墨烯層202上，藉此以三明治夾層方式來固定石墨烯電路層202的位置，並預防其刮傷。在一些實施例中，也可以先以OC做為保護層而覆蓋於石墨烯層202上，再將OCA貼合於OC上，以達到固定石墨烯電路層202的位置，並預防其刮傷的效果。

值得說明的是，在將石墨烯層108從圖案化金屬膜106的頂表面1061及兩側表面1062轉移至第二基板200上之後，還可利用上述的圖案化金屬膜106及第一基板100重覆形成另一石墨烯層。詳細來說，由於在本實施例的石墨烯電路層的製造方法中，不須額外以蝕刻溶液(例如是FeCl ₃)來移除圖案化金屬膜106，因此，在以靜電的方式將圖案化金屬膜106上的石墨烯層108轉移後，可再利用電導通的方式來檢測圖案化金屬膜106是否受到損壞。若無損壞，即可重複使用圖案化金屬膜106，並重複圖1D至圖1F的步驟來製造具有相同石墨烯電路圖案的石墨烯層。因此，本實施例的石墨烯電路層的製造方法可有效地簡化製程工序的複雜性、提升良率與製程均一性以及最小化製程中產生的金屬汙染，並且可以有效重複利用圖案化金屬膜。

需要說明的是，相較於習知的石墨烯電路層的製造方法，在本實施例的石墨烯電路層的製造方法中，由於石墨烯層108是藉由靜電的方式進行轉移，且不需要使用到如聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基矽氧烷等化合物或是熱脫膠膜等物質。因此，在本實施例中，轉移至第二基板200的石墨烯電路層202上不會有殘留的膠體或雜質，進而使得本實施例的石墨烯電路層202能維持良好的導電性，並使得包含石墨烯電路層202的電子產品具有較佳的可靠度。

另外，在一些實施例中，可將上述石墨烯電路層的製作方法所製得的石墨烯電路層應用於可撓式觸控面板、太陽能電池、有機發光二極體、智能窗等。以大陽能電池為例，可將石墨烯電路層應用於太陽能電池的P-N Junction上，以石墨烯為P-type，並將摻雜改質後的石墨烯作為N-type。

綜上所述，本發明提供了一種石墨烯電路層的製造方法，其利用預先形成圖案化金屬膜的方式，使形成在圖案化金屬膜上的石墨烯層能具有與圖案化金屬膜相同的圖案，進而減少石墨稀層的再蝕刻所造成的碳污染。接著，利用靜電轉移石墨烯層的方法，使圖案化金屬膜能重複使用，因此可簡化製程工序的複雜性、提升良率與製程均一性以及最小化金屬/碳污染，並且可以有效重複利用圖案化金屬膜。此外，包含由上述製造方法所製得的石墨烯電路層的可撓式觸控面板也可具有較佳的可靠度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧第一基板

102‧‧‧緩衝層

104‧‧‧金屬膜

106‧‧‧圖案化金屬膜

1061‧‧‧頂表面

1062‧‧‧側表面

108‧‧‧石墨烯層

200‧‧‧第二基板

2001‧‧‧表面

202‧‧‧石墨烯電路層

204‧‧‧光學膠層

300‧‧‧靜電產生裝置

E1‧‧‧第一電荷

E2‧‧‧第二電荷

W1‧‧‧線寬

W2‧‧‧線寬

圖1A至圖1G繪示為本發明一實施例的石墨烯電路層的製造方法的流程剖面圖。圖2A繪示為圖1D的石墨烯層的俯視圖。圖2B繪示為圖1F的石墨烯電路層的俯視圖。

Claims

一種石墨烯電路層的製造方法，包括：提供一第一基板；形成一金屬膜於該第一基板上；圖案化該金屬膜，以得到一圖案化金屬膜；形成一石墨烯層於該圖案化金屬膜的表面，其中該石墨烯層與該圖案化金屬膜具有相同圖案；以及利用靜電的方式，以使該石墨烯層與該第二基板之間形成的靜電力大於該石墨烯層與該圖案化金屬膜之間的吸引力，並將該石墨烯層從該圖案化金屬膜的表面轉移至一第二基板上，其中在將該石墨烯層從該圖案化金屬膜的表面轉移至該第二基板上之後，更包括：利用該圖案化金屬膜及該第一基板，以形成另一石墨烯層於該圖案化金屬膜的表面。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中將該石墨烯層從該圖案化金屬膜的表面轉移至該第二基板上的方法，包括：將該石墨烯層對位至該第二基板上；使該石墨烯層帶第一電荷；使該第二基板帶第二電荷，其中該第一電荷與該第二電荷電性相異；以及將帶有該第一電荷的該石墨烯層吸引至帶有該第二電荷的該第二基板上。
如申請專利範圍第2項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中將帶有該第一電荷的該石墨烯層吸引至帶有該第二電荷的該第二基板上之前，更包括：去除該圖案化金屬膜的電荷。
如申請專利範圍第2項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中將帶有該第一電荷的該石墨烯層吸引至帶有該第二電荷的該第二基板上之前，更包括：使該圖案化金屬膜帶有該第一電荷。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，在形成該金屬膜於該第一基板上之前，更包括：形成一緩衝層於該第一基板上，使該金屬膜與該第一基板分別位於該緩衝層的相對兩側。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中形成該石墨烯層於該圖案化金屬膜的表面的方法包括化學氣相沉積法，形成該石墨烯層於該圖案化金屬膜的表面的反應溫度介於790℃至1050℃之間。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中在將該石墨烯層從該圖案化金屬膜的表面轉移至該第二基板上之後，更包括：覆蓋一光學膠層於該石墨烯層上。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中帶有該第一電荷的該石墨烯層與帶有該第二電荷的該第二基板之間的吸引力大於帶有該第一電荷的該石墨烯層與該圖案化金屬膜之間的吸引力。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中該第一基板為晶圓。
如申請專利範圍第1項所述的石墨烯電路層的製造方法，其中該金屬膜的材料為銅或鍺。