TWI674330B - 流體控制裝置 - Google Patents

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皆見幸男
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Abstract

為了使用加熱器來適當地進行原料的供給，流體控制裝置(100)，是具備：在內部設有流路或流體收容部的流體加熱部(1)、以及加熱流體加熱部的加熱器(10)，加熱器，具有：發熱體(10a)、以及與發熱體導熱連接並以包圍流體加熱部的方式來配置的金屬製之傳熱構件(10b)，傳熱構件之與流體加熱部相對向的面，是含有為了提升放熱性而被表面處理過的面(S1)。

Description

流體控制裝置
本發明，是關於在半導體製造裝置或化學廠所使用的流體控制裝置，特別是關於具備用來加熱流體的加熱器的流體控制裝置。
以往，例如在藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)來進行成膜的半導體製造裝置中，是使用對製程腔室供給原料氣體的原料氣化供給裝置(例如專利文獻1)。
在原料氣化供給裝置，例如，是將TEOS (Tetraethyl orthosilicate)等之有機金屬的液體原料事先儲存於貯液槽，將加壓過的惰性氣體供給至貯液槽並將液體原料以一定壓力來擠出而供給至氣化器。所供給的液體原料，是藉由配置在氣化器之周圍的加熱器而被氣化，氣化後的氣體，是藉由流量控制裝置來控制在既定流量並供給至半導體製造裝置。
原料所使用的有機金屬材料有著沸點超過150℃者，例如上述的TEOS的沸點約為169℃。因此，原料氣化供給裝置，是構成為可將液體原料加熱至比較高溫，例如200℃以上的溫度。
且，在原料氣化供給裝置，為了防止氣化後之原料的凝結(再液化)，要求著使氣體通過加溫至高溫的流路，來供給至製程腔室。此外，為了有效率地進行有機金屬材料的氣化，亦有著在供給至氣化器之前，事先加熱液體原料的情況。因此，在原料氣化供給裝置，是將加熱器配置在必要的地方，該加熱器是用來將設有流路或流體收容部的流體加熱部(氣化器等)加熱至高溫。
於專利文獻2，揭示有氣化供給裝置，其具備：對原料液體進行預加熱的預加熱部、使以預加熱部加熱過的原料液體氣化的氣化器、以及對氣化後之氣體的流量進行控制之高溫對應型的壓力式流量控制裝置。在專利文獻2所記載的氣化供給裝置，作為將氣化器之本體或流路等予以加熱用的手段，是使用套式加熱器。套式加熱器，是以覆蓋氣化器或配管等的方式從外側密貼地安裝，對套式加熱器內的發熱線(鎳鉻合金線等)流動電流藉此可從外側來加熱流體。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2014-114463號公報 　　[專利文獻2] 國際公開第2016/174832號
[發明所欲解決的課題]
套式加熱器，由於裝卸比較容易故有著便利性較高的優點。但是，另一方面，在使用套式加熱器的情況，因為在套式加熱器與流體加熱部之間產生間隙等，會在部位上產生熱傳導性的差異，而有著難以將內部的流體均勻地加熱的問題。且，在套式加熱器，為了提升均熱性，有必要廣範圍且均等地配置發熱線，故亦有著耗費製作用的時間或成本的問題。
本發明，是有鑑於上述課題而完成者，主要是以提供流體控制裝置為目的，可使用加熱器來有效率且均勻地加熱並供給原料。 [用以解決課題的手段]
本發明之實施形態的流體控制裝置，是具備：在內部設有流路或流體收容部的流體加熱部、以及加熱前述流體加熱部的加熱器，前述加熱器，具有：發熱體、以及與前述發熱體導熱連接並以包圍前述流體加熱部的方式來配置的傳熱構件，前述傳熱構件之與前述流體加熱部相對向的面，是含有為了提升放熱性而被表面處理過的面。
某實施形態中，前述傳熱構件，是由鋁或鋁合金所形成，前述為了提升放熱性而被表面處理過的面，是被陽極化處理過的面。
某實施形態中，前述傳熱構件，具有：與前述流體加熱部相對向的面亦即內側面、以及位在前述內側面之相反側的外側面，前述外側面含有研磨面。
某實施形態中，前述傳熱構件，具有：與前述流體加熱部相對向的面亦即內側面、以及位在前述內側面之相反側的外側面，前述外側面含有被鏡面加工過的面。
某實施形態中，前述傳熱構件，是由鋁或鋁合金所形成，且前述傳熱構件的前述外側面為被鏡面加工過的面，前述傳熱構件的前述外側面以外之所有的面，是被陽極化處理過的面。
某實施形態中，前述流體控制裝置，是具備：氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、以及對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部，前述流體加熱部，是前述氣化部、前述預加熱部及前述流體控制測定部之中的至少任一者。
某實施形態中，在加熱前述預加熱部的第1加熱器的傳熱構件與加熱前述氣化部的第2加熱器的傳熱構件之間設有間隙。
某實施形態中，前述流體控制裝置，是進一步具備：隔熱構件，其設在前述第1加熱器的傳熱構件與前述第2加熱器的傳熱構件之間的前述間隙。 [發明的效果]
根據本發明之實施形態的流體控制裝置，是使用能源利用效率提升過的加熱器來均勻且有效率地加熱流體，藉此可謀求省能源化並適當地供給加熱過的原料。
以下，雖參照圖式來說明本發明的實施形態，但本發明並不限定於以下的實施形態。
圖1，是表示本發明之實施形態的流體控制裝置100。流體控制裝置100，具備：生成在半導體製造裝置等所使用之原料氣體G用的氣化部4、對供給至氣化部4的液體原料L進行預加熱的預加熱部2、以及對從氣化部4所送出的氣體G進行控制或測定用的流體控制測定部6。圖1中，將填充有液體原料L的部分以斜線的網底來表示，將流動有氣體G的部分以點狀的網底來表示。
預加熱部2、氣化部4、流體控制測定部6，均作為使內部之流體(液體原料L或氣體G)加熱的流體加熱部1來設置者，在預加熱部2、氣化部4、流體控制測定部6之各自的內部，設有流路或流體收容部。該等是藉由後述的加熱器10來分別從外側加熱。
流體控制裝置100中，氣化部4是透過液體填充用閥3而連接於預加熱部2。且，氣化部4與流體控制測定部6，是透過在內部設有流路的流路區塊5來連通。在氣化部4與流體控制測定部6之間的流路，設有用來檢測氣化後之氣體G之壓力P0的壓力檢測器7。
該構造中，基於壓力檢測器7所檢測的壓力值，可控制液體填充用閥3來對氣化部4供給既定量的液體原料L。且，設置液體探知部(未圖示)來探知對氣化部4內供給超過既定量之液體原料L的情況，在液體探知部探知到液體時，關閉液體填充用閥3，藉此可防止對氣化部4之液體原料L的過供給。作為液體探知部，如專利文獻2所記載般，可使用配置在氣化室的溫度計(白金電阻溫度計、熱電偶、熱敏電阻等)、液面計、稱重傳感器等。
流體控制測定部6，在本實施形態，是公知之高溫對應型的壓力式流量控制裝置，如後述般，可使用控制閥來調整孔口構件71的上游壓力P1，藉此控制流動在孔口構件71之氣體的流量。
但是，流體控制測定部6，並不限於壓力式流量控制裝置，可為各種態樣的流量控制裝置。且，流體控制測定部6，亦可為流量感測器、濃度感測器等之流體測定部。以下，有時會將壓力式流量控制裝置亦即流體控制測定部6作為流體控制部6來說明。
本實施形態的流體控制裝置100，作為對上述的流體加熱部1(此處為預加熱部2、氣化部4、流體控制部6)進行加熱的加熱器10，是具備：加熱預加熱部2的第1加熱器12、加熱氣化部4的第2加熱器14、以及加熱流體控制部6的第3加熱器16。
圖2(a)及(b)，是從個別的角度來觀看時之加熱器10(第1加熱器12、第2加熱器14、及第3加熱器16)的分解立體圖。如圖2(a)及(b)所示般，加熱器10的各個，是具備：發熱體10a、以及導熱連接於發熱體10a的金屬製之傳熱構件10b。
發熱體10a所發出的熱是傳導至傳熱構件10b的整體，藉由發熱體10a來使傳熱構件10b整體地被加熱。然後，被均勻地加熱過的傳熱構件10b，可從外側來均勻地加熱流體加熱部1。傳熱構件10b，為了該目的，以由熱傳導率良好的金屬(例如，鋁、銀、銅、金等)來形成為佳。
本實施形態中，作為發熱體10a，使用有公知的彈筒式加熱器。且，作為傳熱構件10b，使用有以包圍流體加熱部1的方式來配置之鋁或鋁合金製的構件。傳熱構件10b，是以螺絲固定等來連接鋁製的零件藉此構成，例如，將底板部、一對側壁部、上面部予以組合來固定，藉此設置成在內側包圍流體加熱部1。
作為在半導體製造裝置所使用的流體控制裝置100，在對製程之污染的虞慮較少，且比較便宜的觀點來看，作為傳熱構件10b的材料是選擇鋁或鋁合金為佳。但是，在其他的用途中，亦可使用上述之其他高熱傳導性的金屬材料。
加熱器10的發熱體10a，是***至設在傳熱構件10b之側壁部的細孔來固定。發熱體10a與傳熱構件10b是導熱連接，固定成使來自發熱體10a的熱有效率地傳導致傳熱構件10b。在較佳的態樣中，發熱體10a，是密貼於設在傳熱構件10b的細孔來固定，透過賦予至發熱體10a之外側的公知之熱傳導性物質(導熱塗料或導熱薄片等)來固定於傳熱構件10b。
在圖2所示之例，第1加熱器12中，棒狀的彈筒式加熱器10a，是從傳熱構件10b之側壁部的上端面朝下***至於垂直方向延伸的細孔，第2加熱器14及第3加熱器16中，彎折成L字狀的發熱體10a，是***至：在傳熱構件10b之側壁部的橫端面設有開口且往水平方向延伸的細孔。但是，作為發熱體10a，可使用公知的各種發熱裝置，例如，亦可使用固定在傳熱構件10b的面狀加熱器。
又，上述之彎折成L字狀的發熱體10a之水平方向部分10y，是收納在傳熱構件10b的細孔內，但垂直方向部分10z，並沒有***至細孔，故有著阻礙傳熱構件10b彼此之連接的情況。在這種時候，是將可收納垂直方向部分10z的凹部11z事先形成在傳熱構件10b的端部，在將發熱體10a的水平方向部分10y***至細孔時，將垂直方向部分10z收納於凹部11z，藉此可不會妨礙傳熱構件10b的連接。
且，在圖2所示之例，是示出安裝在第2加熱器14(加熱氣化部4的加熱器)的溫度感測器10c，可直接測量第2加熱器14之傳熱構件10b的溫度。
第1加熱器12的溫度，是設定成例如約180℃，第2加熱器14的溫度是設定成例約200℃，第3加熱器16的溫度是設定成例如約210℃。通常，加熱預加熱部2的第1加熱器12，是設定成比加熱氣化部4的第2加熱器14還低的溫度，加熱流體控制部6的第3加熱器16，是設定成比第2加熱器14還高的溫度。如上述般，在本實施形態，使用未圖示的控制裝置而可個別地控制各加熱器的溫度，故可將原料的氣化、液體原料的預加熱、及防止氣化原料的再液化，分別在適當的溫度來進行。
且，傳熱構件10b的上面部，亦可具有與安裝在其上之閥或壓力感測器等之上部安裝構件的形狀相對應的任意形狀。藉此，可進行對流體加熱部1的傳熱，還可適當地作為上部安裝構件的支撐構件來利用。傳熱構件10b的底板部，是如圖2(b)所示般，透過樹脂(例如PEEK (Poly Ether Ether Ketone))製的隔熱構件18來安裝在共通支撐台19亦可。隔熱構件18，只要可阻斷熱則由任意的材料形成皆可，且，亦可配合溫度來適當選擇材料等。
本實施形態中，在第1加熱器12的傳熱構件10b與第2加熱器14的傳熱構件10b之間、以及第2加熱器14的傳熱構件10b與第3加熱器16的傳熱構件10b之間，分別設有間隙X。藉此，在使用各加熱器12、14、16，來個別加熱預加熱部2、氣化部4、流體控制部6時，使加熱器間的熱傳導性降低，故能得到容易控制在所期望之溫度的優點。
此外，如圖1所示般，在第1加熱器12的傳熱構件與第2加熱器14的傳熱構件之間的間隙，配置有PEEK製的隔熱構件13。藉此，能抑制從第2加熱器14及氣化部4往預加熱部2的熱傳導，故能有效地防止預加熱部2變得過為高溫導致原料液體在送至氣化部之前就氣化的情況。又，在本實施形態，亦於流體控制部6的下游側(截止閥56的附近)配置有隔熱構件13’，來抑制往外側的傳熱來使流體控制部6容易維持高溫。隔熱構件13、13’也是，只要可阻斷熱則由任意的材料或形狀來形成皆可，且，亦可配合溫度來適當選擇材料等。
如上述般構成的加熱器10，是如圖3所示般，在內部配置有發熱體10a的鋁製之傳熱構件10b的內側面，亦即與流體加熱部1相對向的面，含有施以提升放熱性用之表面處理的陽極化處理(陽極氧化處理)的面S1。且，於傳熱構件的外側面，含有研磨面或鏡面加工面S2。傳熱構件10b外側的鏡面加工面，普遍是藉由研磨處理來形成，但亦可僅由切削來形成。
傳熱構件10b的內側面S1可藉由陽極化處理(特別是硬質陽極化處理)來提升放熱性。在來自發熱體10a的熱h接觸的情況，可將熱從傳熱構件10b直接往流體加熱部1傳導，且，即使是傳熱構件10b與流體加熱部1有著距離的情況，亦可藉由高放射性(高輻射熱)來對液體加熱部1均勻且提昇效率地傳導。
且，在流體加熱部1接觸傳熱構件10b的情況，熱h是從接觸部分來傳導，但熱h從傳熱構件10b往流體加熱部1移動時，若傳熱構件10b的內側表面沒有施以陽極化處理的話，就發射率的關係來看，熱會在傳熱構件10b的內側表面反射，而存在有不移動至流體加熱部1的熱h。相對於此，若如本實施形態般在傳熱構件10b的內側表面施以陽極化處理的話，由於發射率較高，幾乎沒有熱會在與流體加熱部1接觸的面反射，來自傳熱構件10b的熱h幾乎全部都被傳導至流體加熱部1。
由以上的理由，根據本實施形態的加熱器10，可提升能源利用效率，來謀求省能源化。且，可縮短將液體加熱部1加熱至所期望之溫度為止所需的時間。
此外，傳熱構件10b的外側面S2是施以鏡面加工，故反射率會提升，發射率會降低。因此，使往加熱器10之外側的放熱作用受到抑制，而可有效率地進行往內側的放熱，可謀求省能源化。且，往外側的放熱量較少，而使表面溫度保持在比較低的溫度，故可比較容易地進行外側的高溫對策。流體控制裝置100的外側，為了安全，例如是要求著維持在60℃以下的溫度。
在具體的設計例，傳熱構件10b的內側面S1(陽極化處理面)在200℃的發射率，例如是設定成0.950(反射率0.050)，外側面S2(研磨面或鏡面加工面)在200℃的發射率例如是設定成0.039(反射率0.961)。且，外側面之被鏡面加工過的表面，例如是設定成算術平均粗糙度Ra=0.1a～1.6a左右。
以下，參照圖4(a)～(c)來說明加熱器10之傳熱構件10b的製作順序。
首先，如圖4(a)所示般，首先，藉由切削加工來準備所期望之形狀的鋁構件(此處為鋁板)。鋁構件，可由鋁或鋁合金形成。
接著，如圖4(b)所示般，對於鋁構件的全面，施以陽極化處理(陽極氧化處理)。本實施形態中，施有所謂的硬質陽極化處理，形成在表面之陽極層的厚度(此處是指多孔質氧化鋁層與基底層的合計厚度)，例如成為20μm～70μm之比較厚者。陽極化處理，可用公知的各種方法來進行，但為了提升放熱性，是適當選擇處理條件來得到有效的陽極層為佳。
又，本實施形態的陽極化處理，並不限於硬質陽極化處理，通常的陽極化處理亦可發揮出同樣的效果。陽極層的厚度，只要為通常的陽極化處理所形成的厚度(例如1μm以上)的話，能發揮出同樣的效果。但是，硬質陽極化處理，在運用之際難以受傷，比起通常的陽極化處理，有著膜剝落的虞慮較小的優點。
接著，如圖4(c)所示般，僅對外側面S2進行再加工，該外側面S2是全面被施以陽極化處理的鋁構件之外側面，亦即與流體加熱部1相對向之側配置在相反側。再加工，是進行陽極層的去除與鏡面加工施做，藉此，僅使鋁構件的外側面成為鏡面加工面，其他的面是維持著被陽極化處理的面。鏡面加工面，是將陽極層以研削除去之後另外進行研磨處理來形成亦可，使用公知的鏡面加工研削技術只研削陽極層來形成亦可。
使用如上述般所得到之外側面被鏡面加工且內側面被陽極化處理的鋁構件，以包覆流體加熱部1之外側的方式來組合該等，且，將發熱體10a安裝至設在側壁部之端面的細孔，藉此可製作加熱器。
又，由以上的順序來製作的加熱器，是只有傳熱構件10b的外側面成為被鏡面加工的面，且外側面以外之所有的面(包含內側面及端面)成為被陽極化處理的面。但是，亦可對於傳熱構件10b的端面進行研磨處理等之使放熱性降低的處理。且，亦可僅對內側面進行陽極化處理，並對其他所有的面進行鏡面加工或成為加工素面(在通常的加工之後，沒有進行表面處理等)。
以下，參照圖1等，詳細說明本實施形態之流體控制裝置100之更具體的構造。
氣化部4，是具備本體40，其將不銹鋼製的氣化區塊41與氣體加熱區塊42予以連結而構成。氣化區塊體41，是在上部形成有液供給口，在內部形成有氣化室41a。於氣體加熱區塊42，形成有氣體加熱室42a，其連通於從氣化室41a的上部延伸的氣體流路，且在上部形成有氣體排出口。氣體加熱室42a，具有在圓筒狀的空間內設有圓柱狀之加熱促進體的構造，使圓筒狀空間與加熱促進體之間的間隙成為氣體流路。於氣化區塊41與氣體加熱區塊42之間的氣體連通部，中介有具通孔的密封墊片43，使氣體通過該等之具通孔的密封墊片43的通孔，藉此防止氣體的波動。
預加熱部2，是具備預加熱區塊21，其透過液體填充用閥3來連接於氣化部4的氣化區塊41。於預加熱區塊21的內部形成有液貯留室23。液貯留室23，是連通於設在側面的液流入通口22及設在上表面的液流出口。預加熱區塊21，是將從圖外的貯液槽以既定壓力壓送過來的液體原料L貯留在液貯留室23，並在供給至氣化室41a之前使用第1加熱器12來預熱。又，亦可在液貯留室23內配置增加表面積用之圓柱狀的加熱促進體。
液體填充用閥3，是將與預加熱區塊21和氣化區塊體41連通的供給路4使用閥機構來進行開閉或是開度調整，藉此控制液體原料L對氣化部4的供給量。作為液體填充用閥3，例如可使用氣動閥。於氣化區塊41的液供給口，中介設有形成有細孔的密封墊片44，使液體原料通過密封墊片44的細孔，藉此調整對氣化室41a內的供給量。
本實施形態中，流體控制部6，是高溫對應型的壓力式控制裝置，例如可具有專利文獻2所記載的構造。高溫對應型的壓力式控制裝置，例如具備：以在內部設有氣體流路為本體的閥區塊、中介於氣體流路的金屬製隔膜閥體、於縱方向並排的放熱墊塊及壓電驅動元件、中介在金屬隔膜閥體之下游側的氣體流路且形成有微細孔的孔口構件(孔口板等)、以及檢測金屬隔膜閥體與孔口構件之間之氣體流路內之壓力的流量控制用壓力檢測器。放熱墊塊，是以不變鋼材等所形成，即使在氣體流路流動有高溫的氣體亦可防止壓電驅動元件成為耐熱溫度以上的情況。高溫對應型的壓力式控制裝置，是構成為：在壓電驅動元件非通電時，金屬隔膜閥體是抵接於閥座而關閉氣體流路，另一方面，對壓電驅動元件通電藉此使壓電驅動元件伸張，使金屬隔膜閥體藉由自我彈性力復歸至原本的倒盤子形狀而使氣體流路開通。
圖5是示意表示流體控制部6(壓力式流量控制裝置)之構造例的圖。壓力式流量控制裝置6，具備：孔口構件71、以金屬隔膜閥體及壓電驅動元件所構成的控制閥80、設在孔口構件71與控制閥80之間的壓力檢測器72及溫度檢測器73。孔口構件71是作為限縮部而設置者，亦可取代此而使用臨界噴嘴或音速噴嘴。孔口或噴嘴的口徑，例如設定成10μm～500μm。
壓力檢測器72及溫度檢測器73，是透過AD轉換器來連接於控制電路82。AD轉換器，亦可內藏在控制電路82。控制電路82，亦連接於控制閥80，基於壓力檢測器72及溫度檢測器73的輸出等而生成控制訊號，藉由該控制訊號來控制控制閥80的動作。
壓力式流量控制裝置6，可進行與以往相同的流量控制動作，可使用壓力檢測器72，基於上游壓力P1(孔口構件71上游側的壓力)來控制流量。壓力式流量控制裝置6，在其他的態樣中，亦可在孔口構件71的下游側具備壓力檢測器，成為基於上游壓力P1及下游壓力P2來檢測流量的構造。
在壓力式流量控制裝置6，當符合臨界膨張條件P1/P2≧約2(其中，P1：限縮部上游側的氣體壓力(上游壓力)，P2：限縮部下游側的氣體壓力(下游壓力)，約2是氮氣的情況)時，通過限縮部之氣體的流速會固定在音速，利用流量不是由下游壓力P2而是由上游壓力P1來決定的原理，來進行流量控制。在符合臨界膨張條件時，限縮部下游側的流量Q，是藉由Q=K 1・P1(K 1為流體的種類與依存於流體溫度的常數)來賦予，使流量Q與上游壓力P1成比例。且，具備下游壓力感測器的情況，即使是上游壓力P1與下游壓力P2的差變小，而沒有符合臨界膨張條件的情況，亦可算出流量，根據由各壓力感測器所測量到的上游壓力P1及下游壓力P2，可由既定的計算式Q=K 2・P2 m(P1-P2)n(在此K2為流體的種類與依存於流體溫度的常數，m、n為以實際的流量為基準所導出的指數)來算出流量Q。
控制電路82，是基於壓力檢測器72的輸出(上游壓力P1)等，由上述的Q=K1．P1或Q=K2．P2m(P1-P2)n以演算來求出流量，並對控制閥80進行回授控制來使該流量接近使用者所輸入的設定流量。由演算所求出的流量，亦可作為流量輸出值來表示。
且，在本實施形態的流體控制裝置100，是如圖1所示般，使墊塊區塊50連結於氣體加熱區塊42，使流體控制裝置6的閥區塊連結於墊塊區塊50。以跨越氣體加熱區塊42與墊塊區塊50的方式來固定之流路區塊5內的氣體流路，是使氣體加熱區塊42的氣體加熱室42a與墊塊區塊50的氣體流路連通。墊塊區塊50的氣體流路，是連通於流體控制裝置6之閥區塊的氣體流路。且，在流體控制部6之下游側的氣體流路，設有截止閥56，可因應必要來阻斷氣體的流動。作為截止閥56，例如可使用公知的空氣驅動閥或電磁閥。截止閥56的下游側，是例如連接於半導體製造裝置的製程腔室，在氣體供給時使製程腔室的內部藉由真空泵來減壓，並將既定流量的原料氣體供給至製程腔室。
以上，雖針對本發明的實施形態進行了說明，但在不超脫本發明之主旨的範圍內，當然可進行各種的改變。
[產業上的可利用性]
本發明之實施形態的流體控制裝置，例如，可在MOCVD用的半導體製造裝置中，為了將高溫的原料氣體供給至製程腔室而使用。
1‧‧‧流體加熱部
2‧‧‧預加熱部
3‧‧‧液體填充用閥
4‧‧‧氣化部
5‧‧‧流路區塊
6‧‧‧流體控制測定部
7‧‧‧壓力檢測器
10‧‧‧加熱器
12‧‧‧第1加熱器
14‧‧‧第2加熱器
16‧‧‧第3加熱器
71‧‧‧孔口構件
80‧‧‧控制閥
100‧‧‧流體控制裝置
圖1為表示本發明之實施形態之流體控制裝置的示意圖。 　　圖2(a)及(b)是加熱器的分解立體圖，分別表示從斜上方觀看時、以及從斜下方觀看時。 　　圖3為表示本發明之實施形態之加熱器之傳熱構件之剖面的圖。 　　圖4為本發明之實施形態之加熱器之傳熱構件之製作工程的圖，(a)～(c)是分別表示不同的工程。 　　圖5為表示本發明之實施形態之流體控制部之構造例的示意圖。

Claims (6)

  1. 一種流體控制裝置，是具備：在內部設有流路或流體收容部的流體加熱部、以及加熱前述流體加熱部的加熱器，前述加熱器，具有：發熱體、以及與前述發熱體導熱連接並以包圍前述流體加熱部的方式來配置的傳熱構件，前述傳熱構件之與前述流體加熱部相對向的面，是含有為了提升放熱性而被表面處理過的面，前述傳熱構件，是由鋁或鋁合金所形成，具有：與前述流體加熱部相對向的面亦即內側面、以及位在前述內側面之相反側的外側面，前述傳熱構件的前述外側面為被鏡面加工過的面，前述傳熱構件的前述外側面以外之所有的面，是被陽極化處理過的面。
  2. 如請求項1所述之流體控制裝置，其中，前述流體加熱部，是含有：氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部。
  3. 一種流體控制裝置，其具備：作為流體加熱部之，氣化部、將供給至前述氣化部的液體予以預加熱的預加熱部、以及對從前述氣化部所送出的氣體進行控制或測定的流體控制測定部；以及加熱前述預加熱部的第1加熱器、加熱前述氣化部的第2加熱器、以及加熱前述流體控制測定部的第3加熱器，前述第1加熱器、前述第2加熱器、前述第3加熱器的各個，具有：發熱體、與前述發熱體導熱連接並以包圍前述流體加熱部的方式來配置的傳熱構件，各個前述傳熱構件之與前述流體加熱部相對向的面，是含有為了提升放熱性而被表面處理過的面，在加熱前述預加熱部的第1加熱器之傳熱構件與加熱前述氣化部的第2加熱器之傳熱構件之間的間隙，設有隔熱構件。
  4. 如請求項3所述之流體控制裝置，其中，前述各個傳熱構件，是由鋁或鋁合金所形成，與前述流體加熱部相對向的面亦即前述傳熱構件的內側面，含有被陽極化處理過的面，位在前述內側面之相反側的前述傳熱構件的外側面，含有研磨面或被鏡面加工過的面。
  5. 如請求項3或4所述之流體控制裝置，其中，前述第1加熱器、前述第2加熱器、以及前述第3加熱器，是構成為可分別獨立地將前述預加熱部、前述氣化部、以及前述流體控制測定部加熱至不同的溫度。
  6. 如請求項3或4所述之流體控制裝置，其進一步具備截止閥，是設在前述流體控制測定部的下游側，且在前述截止閥之閥的下游側流路與閥的上游側流路之間，進一步設有隔熱構件。
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