TWI674300B - 可溶於極性質子溶劑之自還原性金屬錯合物墨水及改良的固化方法 - Google Patents

可溶於極性質子溶劑之自還原性金屬錯合物墨水及改良的固化方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於適於在沈積及處理時形成金屬導電性膜之金屬錯合物。該等錯合物可具有高濃度金屬且可溶於極性質子溶劑(包括乙醇及水)中。該金屬錯合物可為共價錯合物且可包含第一配體及第二配體。可使用低溫處理將該錯合物轉化成金屬。該金屬導電性膜可具有低電阻率及接近純金屬之功函數。可使用鑄幣金屬(例如，Ag)。該等配體可為配位鍵結配體(包括胺及羧酸鹽配體)。該等配體可適於充分揮發。可以高產率達成具有高導電率之金屬。

Description

可溶於極性質子溶劑之自還原性金屬錯合物墨水及改良的固化方法 相關申請案
本申請案主張對2012年2月27日申請之美國臨時申請案第61/603,852號之優先權，其全文以引用方式併入本文中。
根據一些來源，預計印刷電子器件將在隨後7至10年內成為一個幾十億的行業，其中僅墨水即佔美元總額之10%至15%。尤其對大面積、撓性、輕質且低成本之裝置之期許促使人們增加對於可印刷電子器件作為基於矽之技術之快速成長性替代物的興趣。
更具體而言，業內需要印刷諸如銀、金及銅等金屬之較佳方法。該等金屬係重要的晶片組份，其在互連至有機場效電晶體源極電極及汲極電極之範圍內。一般而言，尤其對於商業應用及噴墨印刷而言，需要產生金屬結構之改良組合物及方法。例如，參見美國專利第7,270,694號；第7,443,027號；第7,491,646號；第7,494,608號(受讓方：Xerox)；美國專利申請案2010/0163810(「Metal Inks」)；美國專利申請案2008/0305268(「Low Temperature Thermal Conductive Inks」)；美國專利申請案2006/0130700(「Silver Containing Inkjet Inks」)；及美國專利申請案2009/0120800(「Organic Silver Complexes,Their Preparation Methods and their Methods for Forming Thin Layers」)，所有該等專利之全文均以引用方式併入本文中。
另外，業內需要可溶於極性質子溶劑(包括水)之自還原性金屬錯合物。例如，參見美國專利第7,824,580號(Silver-Containing Aqueous Formulation and Its Use to Produce Electrically Conductive or Reflective Coatings)及美國專利第8,022,580號(Water-Based Inks for Ink-Jet Printing)，該兩個專利之全文均以引用方式併入本文中。
本文提供組合物、裝置、製備組合物及裝置之方法以及使用組合物及裝置之方法、以及其他實施例。
一實施例提供組合物，其包含至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；且其中在25℃下該金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中具有至少100 mg/ml之溶解度。
在一實施例中，在25℃下金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中具有至少250 mg/ml之溶解度。在另一實施例中，在25℃下金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中具有至少500 mg/ml之溶解度。
在一實施例中，組合物包含至少一種極性質子溶劑。在另一實施例中，組合物包含水或乙醇。在又一實施例中，組合物包含PEG或PEG混合物(PEG係聚(乙二醇))。在一實施例中，組合物進一步包含至少一種極性質子溶劑，其中該極性質子溶劑係水、乙醇、胺或PEG。
在一實施例中，金屬錯合物僅包含一種金屬。
在一實施例中，金屬係呈(I)或(II)之氧化狀態。在另一實施例中，金屬係銀、金、銅、鉑或釕。在又一實施例中，金屬係銀。
在一實施例中，第一配體係單牙配體、雙牙配體或三牙配體。
在一實施例中，第一配體包含至少兩個胺基。在另一實施例中，第一配體包含至少兩個未經取代之胺基。在又一實施例中，第一配體包含至少兩個胺基，其中至少一個胺基經極性基團或直鏈烷烴取代。在另一實施例中，第一配體係乙二胺。
在一實施例中，第一配體在200℃或更低之溫度下加熱時揮發。在另一實施例中，第一配體在150℃或更低之溫度下加熱時揮發。
在一實施例中，第二配體係羧酸鹽。在另一實施例中，第二配體係包含直鏈、具支鏈或環狀烷基之羧酸鹽。在又一實施例中，第二配體係由-O-C(O)-R代表之羧酸鹽，其中R係具有5個或更少碳原子之烷基。在另一實施例中，第二配體係乙酸鹽或異丁酸鹽。
在一實施例中，第二配體在200℃或更低之溫度下加熱時揮發。在另一實施例中，第二配體在150℃或更低之溫度下加熱時揮發。
在一實施例中，金屬係銀，第一配體包含至少兩個未經取代之胺基，且第二配體係羧酸鹽。在一實施例中，金屬錯合物基本上由金屬、第一配體及第二配體組成。
在一實施例中，金屬錯合物係選自、 或。
在一實施例中，組合物具有在200℃或更低之溫度下開始之急劇分解轉變。在另一實施例中，組合物具有在150℃或更低之溫度下開始之急劇分解轉變。
在一實施例中，組合物實質上不含奈米粒子。在一實施例中，組合物可在25℃下儲存至少100小時而無金屬(0)之實質性沈積。
在一實施例中，組合物包含至少兩種金屬錯合物，每一者皆包含不同金屬，其中該至少兩種金屬錯合物適於在加熱時形成金屬合金。
在一實施例中，金屬錯合物係由式(II)代表： ，其中n係1或更大之整數，R係H或直鏈 烷烴，且R'係具支鏈、直鏈或環狀烷烴；其中該組合物進一步包含至少一種極性質子溶劑；且其中在25℃下該銀錯合物在該極性質子溶劑中具有至少250 mg/ml之溶解度。
另一實施例提供組合物，其包含至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發，且其中該金屬錯合物 由式(I)代表：；其中R1係視情況經取代之烷 基，R2係視情況經取代之伸烷基，其與該Ag及該兩個胺基一起形成4員、5員或6員環，且R3、R4、R5及R6各自獨立地係氫或經極性基團封端之烷基。
在一實施例中，R1係具有5個或更少碳原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基。在另一實施例中，R1經至少一個雜原子取代。
在一實施例中，R2係具有5個或更少碳原子之直鏈或具支鏈伸烷基。在另一實施例中，R2經至少一個雜原子取代。
在一實施例中，R3、R4、R5及R6每一者皆係氫。在另一實施例中，R3、R4、R5及R6中之至少一者係經極性基團封端之烷基。
在一實施例中，R1係甲基或異丙基，R2係-CH2-CH2-，且R3、R4、R5及R6每一者皆係氫。
在一實施例中，組合物包含至少一種極性質子溶劑。在另一實施例中，組合物包含至少一種極性質子溶劑，且金屬錯合物在該極性質子溶劑中具有至少250 mg/ml之溶解度。
又一實施例提供方法，其包含：將墨水沈積於基板上，其中該墨水包含上文所述之組合物，及還原該組合物以產生金屬導電性膜。
在一實施例中，基板係有機基板，且墨水不與該有機基板反應。
在一實施例中，墨水在沈積之前實質上不含奈米粒子。在另一實施例中，墨水在沈積之後實質上不含奈米粒子。
在一實施例中，沈積步驟係藉由噴墨沈積來實施。
在一實施例中，還原步驟係藉由加熱來實施。在另一實施例中，還原步驟係藉由在250℃或更低、200℃或更低或150℃或更低之溫度下加熱來實施。在又一實施例中，還原步驟係藉由輻照來實施。
在一實施例中，金屬導電性膜係呈線形式，其中導電率為至少1,000 S/m、至少10,000 S/m或至少100,000 S/m。在另一實施例中，金屬導電性膜係呈線形式，且金屬導電性膜之功函數與自然金屬之功函數之間的差值小於25%、小於10%或小於5%。
在一實施例中，金屬導電性膜係呈包含重複圖案化結構之金屬柵格形式，該等重複圖案化結構形成頂點共用多邊形及具有不同數目頂點之多邊形狀結構之柵格狀網路。
另一實施例提供組合物，其包含：至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體 係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，且其中該第一配體不為氨，且其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；且其中在25℃下該金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中具有至少100 mg/ml之溶解度。
另一實施例提供組合物，其包含至少一種包含以下之組合物：(i)至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；(ii)至少一種溶劑，其中該溶劑係極性質子溶劑。在一實施例中，極性質子溶劑係胺化合物。
另一實施例提供製備組合物之方法，該組合物包含：至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；且其中在25℃下該金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中具有至少100 mg/ml之溶解度，該方法包含使包含該金屬及該第二配體之金屬錯合物與該第一配體反應。
另一實施例提供方法，其中該方法之還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。
在一實施例中，第一溫度為約75℃至約200℃。在一實施例中，第一溫度為約100℃至約160℃。在一實施例中，第二溫度為約200℃至約400℃。在一實施例中，第二溫度為約250℃至約350℃。在一實施例中，第一溫度為約100℃至約160℃，且第二溫度為約250℃至約350℃。
在其他實施例中，第一加熱步驟係實施第一加熱時間且第二加 熱步驟係實施第二加熱時間，且該第一加熱時間比該第二加熱時間長。在其他實施例中，第一加熱步驟係實施第一加熱時間且第二加熱步驟係實施第二加熱時間，且第一加熱時間為約3分鐘至約20分鐘，且其中第二加熱時間為約30秒至約2分鐘。
在其他實施例中，該方法之還原步驟僅包含第一加熱步驟，其中該加熱步驟之溫度及時間適於乾燥墨水，但不會產生至最終金屬導電性膜之完全轉化。
另一實施例提供方法，其包含：將墨水沈積於基板上，其中該墨水包含至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；及還原該組合物以產生金屬導電性膜，其中該還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。
至少一個實施例之至少一個優點係由於溶劑之極性特性而使得在墨水使用中具有更大靈活性。舉例而言，可使用額外基板。可避免毒性或致癌有機溶劑。另外，在至少一些實施例中，可達成較高溶質濃度。
可藉由使用第一較低溫度加熱步驟、隨後使用較高溫度加熱步驟來達成關於改良之製備金屬膜之方法之至少一個實施例之至少一個額外優點(較高之導電率及膜品質)。此外，金屬膜可在僅實施第一加熱步驟之後運送至使用者。然後使用者可視需要施加快速第二加熱步驟。
簡介
本文所引用之所有參考文獻均以引用方式併入。
微製作、印刷、噴墨印刷、電極及電子器件闡述於(例如)Madou,Fundamentals of Microfabrication,The Science of Miniaturization，第2版，2002中。
有機化學方法及結構闡述於(例如)March,Advanced Organic Chemistry，第6版，2007中。
為有助於使得能滿足印刷製程及其他應用之增長之需求，本文提供新穎的含金屬之墨水以用於導電性金屬膜之基於溶液之沈積，該等金屬膜包括鑄幣金屬膜，包括(例如)銀膜、金膜及銅膜。本文提供之金屬墨水方法係基於配位化學及可(例如)加熱或光化學輻照以產生金屬膜之自還原配體。
可採用圖案化方法(包括(例如)噴墨印刷及氣溶膠噴霧)來以特定預定圖案沈積金屬墨水，其可使用雷射或簡單加熱(包括低溫加熱)直接轉化成(例如)電路。
此方法之通用性使得可將多種設計及圖案印刷於多種基板上，且比習用沈積方法廉價得多，而無需微影。
此處所述使用極性質子溶劑之組合物及方法尤其適於沈積於有機溶劑可能不適宜或不推薦之有機基板上。
金屬錯合物
金屬錯合物可為金屬膜之前體。金屬有機及過渡金屬化合物、金屬錯合物、金屬及配體闡述於(例如)Lukehart,Fundamental Transition Metal Organometallic Chemistry,Brooks/Cole,1985；及Cotton及Wilkinson,Advanced Inorganic Chemistry：A Comprehensive Text，第4版，John Wiley,2000中。金屬錯合物可為均配或異配。金 屬錯合物可為單核、二核、三核及更高核數。金屬錯合物可為共價錯合物。
金屬錯合物可不含金屬-碳鍵結。
金屬錯合物可整體而言不帶電荷，因此不存在可直接鍵結至金屬中心之抗衡離子。舉例而言，在一實施例中，金屬錯合物不由[M]+[A]-代表，其中金屬錯合物及其配體係陽離子及陰離子對。在一實施例中，金屬錯合物可由ML1L2代表，其中M係金屬中心，且L1及L2分別係第一及第二金屬配體。M可具有由來自L1或L2之負電荷平衡之正電荷。
在一實施例中，金屬錯合物基本上由M、L1及L2組成。
金屬錯合物可不含陰離子，例如鹵離子、氫氧根、氰離子、亞硝酸根、硝酸根、硝醯基、疊氮化物、氰硫酸根、異氰硫酸根、四烷基硼酸根、四鹵代硼酸根、六氟磷酸根、三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、硫酸根及/或碳酸根。
在一實施例中，金屬錯合物不含氟原子，尤其對於銀及金錯合物而言。
包含金屬錯合物之組合物可實質上或完全不含粒子、微粒子及奈米粒子。具體而言，包含金屬錯合物之組合物可實質上或完全不含奈米粒子(包括金屬奈米粒子)或不含膠體材料。關於形成導電性墨水之膠體方法，例如，參見美國專利第7,348,365號。舉例而言，奈米粒子之含量可小於1 wt.%、小於0.1 wt.%、或小於0.01 wt.%或小於0.001 wt.%。可使用業內已知方法來檢查粒子之組成，該等方法包括(例如)SEM及TEM、光譜術(包括UV-Vis)、電漿子共振及諸如此類。奈米粒子之直徑可為(例如)1 nm至500 nm或1 nm至100 nm。
包含金屬錯合物之組合物亦可不含薄片。
金屬錯合物亦可適用於形成材料，例如氧化物及硫化物，包括 ITO及ZnO。
在一實施例中，金屬錯合物不為醇鹽。
在一實施例中，金屬錯合物具有吸水性且可有效地潤濕親水性表面。在一實施例中，金屬錯合物不與有機基板反應。
在一實施例中，組合物包含至少兩種具有相同或不同金屬中心之不同金屬錯合物。在另一實施例中，組合物包含至少兩種不同金屬錯合物，每一者包含不同金屬中心，其中該至少兩種金屬錯合物適於在加熱時形成金屬合金。金屬合金及去合金化步驟係闡述於(例如)2011年5月4日申請之美國臨時申請案61/482,571中。
金屬中心
金屬及過渡金屬為業內已知。例如，參見上文所引用之Cotton及Wilkinson之教材。可使用鑄幣金屬，包括銀、金及銅。可使用鉑。可使用釕。可使用鎳、鈷及鈀。舉例而言，可使用鉛、鐵及錫。用於導電性電子器件之金屬之其他實例為業內已知且可視需要使用。可使用具有不同金屬之金屬錯合物之混合物。可形成合金。
金屬錯合物可僅包含一個金屬中心。或者，金屬錯合物可僅包含一或兩個金屬中心。
金屬可呈(I)或(II)之氧化狀態。
金屬中心可與第一配體及第二配體錯合。可使用其他配體，即第三配體、第四配體及諸如此類。
金屬中心可於多個位點錯合，包括與三個、四個、五個或六個錯合位點錯合。
金屬中心可包含用於形成導電線之金屬，尤其彼等用於半導體及電子器件工業中之金屬。
金屬之其他實例包括銦及錫。
在具體實施例中，金屬中心係銀。
第一配體
第一配體可向金屬提供σ電子供給或配位鍵結。σ供給為業內已知。例如，參見美國專利第6,821,921號。第一配體可適於在加熱時揮發，而不會形成固體產物。第一配體可在(例如)250℃或更低、或200℃或更低、或150℃或更低之溫度下加熱時揮發。可在氧之存在或不存在下進行加熱。第一配體可為金屬還原劑。第一配體可呈中性狀態，並非陰離子或陽離子。
第一配體可為單牙配體。第一配體亦可為多牙配體，包括(例如)雙牙或三牙配體。
第一配體可為包含至少兩個氮之胺化合物。配體可對稱或不對稱。第一配體可為包含至少兩個氮之不對稱胺化合物。
第一配體可包含(例如)至少兩個胺基。第一配體可包含(例如)至少兩個未經取代之胺基。未經取代之胺係比醇更強之還原劑且能夠與極性質子溶劑形成均勻溶液。此外，一或多個胺基可獨立地經一或多個極性基團取代。此外，第一配體可包含(例如)未經取代之胺端基及經直鏈烷烴取代之胺基。
在一實施例中，第一配體包含兩個一級胺端基且不包含二級胺基。在另一實施例中，第一配體包含一個一級胺端基及一個二級胺端基，其中該二級胺端基經直鏈烷烴或極性基團取代。在又一實施例中，第一配體包含兩個一級胺端基及一個二級胺基。
第一配體可為(例如)包含硫之配體(例如四氫噻吩)或胺。胺配體為業內已知。例如，參見上文所引用之Cotton及Wilkinson之教材，第118頁。
第一配體可為胺，包括烷基胺。烷基可為直鏈、具支鏈或環狀。可使用橋接伸烷基來將多個氮連接在一起。在胺中，碳原子之數目可為(例如)15或更小、或10或更小或5或更小。
第一配體(包括胺)之分子量可為(例如)約1,000 g/mol或更小、或約500 g/mol或更小、或約250 g/mol或更小。
在一實施例中，第一配體不為膦。在一實施例中，第一配體不為四氫噻吩。在一實施例中，第一配體不包含含有硫之配體。在一實施例中，第一配體不包含含氟配體。
在具體實例中，第一配體係乙二胺。
在一實施例中，第一配體不為氨。
第二配體
第二配體不同於第一配體且可在加熱金屬錯合物時揮發。舉例而言，在一些實施例中，其可釋放二氧化碳以及揮發性小有機分子。第二配體可適於在加熱時揮發而不會形成固體產物。第二配體可在(例如)250℃或更低、或200℃或更低、或150℃或更低之溫度下加熱時揮發。可在氧之存在或不存在下進行加熱。第二配體可為陰離子。其可自還原。
第二配體可為業內已知之羧酸鹽。例如，參見上文所引用之Cotton及Wilkinson之教材，第170至172頁。羧酸鹽(包括羧酸銀)為業內已知。例如，參見美國專利第7,153,635號、第7,445,884號、第6,991,894號及第7,524,621號。
第二配體可為包含烴(例如直鏈、具支鏈或環狀烷基)之羧酸鹽。在一實施例中，第二配體不包含芳族基團。
第二配體可為由-O-C(O)-R代表之羧酸鹽，其中R係烷基，其中R具有10個或更少碳原子、或5個或更少碳原子。R可為直鏈、具支鏈或環狀。視需要，第二配體可經氟化，例如，包含三氟甲基。在一實施例中，第二配體不為脂肪酸羧酸鹽。第二配體可為脂肪族羧酸鹽。第二配體可不為甲酸鹽配體。
第二配體可為由-N(H)-C(O)-R代表之醯胺，其中R係具有10個或 更少碳原子、或5個或更少碳原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基。第二配體亦可為含N之雙牙螯合劑。
第二配體(包括羧酸鹽)之分子量可為(例如)約1,000 g/mol或更小、或約500 g/mol或更小、或約250 g/mol、或約150 g/mol或更小。
在一實施例中，第二配體不包含含氟配體。
在具體實施例中，第二配體係乙酸鹽或異丁酸鹽。
在一實施例中，第二配體不為胺基甲酸鹽或碳酸鹽。在極性質子溶劑中之溶解度
此處所述金屬錯合物可溶於至少一種極性質子溶劑中。極性質子溶劑為業內已知且闡述於(例如)Loudon,Organic Chemistry，第4版，New York：Oxford University Press,2002中，其全文以引用方式併入本文中。一般而言，極性質子溶劑可具有高極性及高介電常數。極性質子溶劑可包含(例如)至少一個結合至氧或氮之氫原子。極性質子溶劑可包含(例如)至少一個酸性氫。極性質子溶劑可包含(例如)至少一個非共用電子對。極性質子溶劑可展示(例如)氫鍵結。
氫鍵結溶劑之黏度固有地大於非氫鍵結溶劑，且因此更適於噴墨印刷。此外，高溶劑沸點(由於能量上更大之分子間力所致)及極性墨水性質使得其能夠成為形成品質高於完全地烴或芳族烴遞送系統之薄膜及結構之系統並具有競爭力，此係由於較慢之受控乾燥時間、表面張力及表面潤濕性質所致。
極性質子溶劑之實例包括水、直鏈或具支鏈醇及經羥基封端之多元醇(包括二醇)。極性質子溶劑亦可為(例如)乙二醇及更高碳數二醇、以及不對稱醇。溶劑之具體實例包括水、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、乙酸、甲酸、氨及PEG(聚(乙二醇))。可使用具有較低分子量且充當液體及/或溶劑之PEG形式。舉例而言，PEG分子量可為500 g/mol或更小、或400 g/mol或更小或300 g/mol或更小。
可溶於極性質子溶劑之金屬錯合物尤其適用於沈積於有機基板上，因為在該等情況下可能不推薦有機溶劑。
在25℃下此處所述金屬錯合物在至少一種極性質子溶劑中可具有至少50 mg/ml、100 mg/ml、或至少150 mg/ml、或至少200 mg/ml、或至少250 mg/ml、或至少300 mg/ml、或至少400 mg/ml、或至少500 mg/ml之溶解度。舉例而言，在25℃下金屬錯合物在水中可具有至少50 mg/ml、至少100 mg/ml、或至少150 mg/ml、或至少200 mg/ml、或至少250 mg/ml、或至少300 mg/ml、或至少400 mg/ml、或至少500 mg/ml之溶解度。此外，在25℃下金屬錯合物在乙醇中可具有至少50 mg/ml、100 mg/ml、或至少150 mg/ml、或至少200 mg/ml、或至少250 mg/ml、或至少300 mg/ml、或至少400 mg/ml、或至少500 mg/ml之溶解度。此外，在25℃下金屬錯合物在PEG中可具有至少50 mg/ml、100 mg/ml、或至少150 mg/ml、或至少200 mg/ml、或至少250 mg/ml、或至少300 mg/ml、或至少400 mg/ml或至少500 mg/ml之溶解度。
在一實施例中，組合物實質上或完全不含有機溶劑。有機溶劑之量可為(例如)小於30 wt.%、小於20 wt.%、小於10 wt.%、小於5 wt.%、小於3 wt.%、小於1 wt.%、小於0.1 wt.%或小於0.01 wt.%。
極性質子溶劑可包括(例如)至少一種胺溶劑。胺溶劑可具有(例如)約200 g/mol或更小、或約100 g/mol或更小之分子量。胺溶劑可為(例如)至少一種單牙胺、至少一種雙牙胺及/或至少一種多牙胺。胺溶劑可為(例如)至少一種一級胺或至少一種二級胺。在一實施例中，胺溶劑包含至少一個鍵結至至少一種一級或二級胺之烷基。在一具體實施例中，胺溶劑包含至少兩個由直鏈或具支鏈烷基連接之一級或二級胺基。在另一具體實施例，胺溶劑包含至少兩個由至少一種二級胺連接之直鏈或具支鏈烷基。胺溶劑之實例包括(例如)N,N-二甲基乙二 胺。胺溶劑之優點包括(例如)改良之溶解度且因此更高之金屬錯合物濃度。
混合溶劑系統
此處所述金屬錯合物亦可用於混合溶劑系統。混合溶劑系統可包含(例如)兩種或更多種極性質子溶劑。在一實施例中，可使用1：9至9：1之乙二醇對小的單質子PEG之範圍。在另一實施例中，可使用1：19至19：1之乙二醇對小的單質子PEG之範圍。在又一實施例中，可使用1：99至99：1之乙二醇對小的單質子PEG之範圍。亦可使用其他PEG混合物。
混合溶劑系統亦可包含至少一種胺溶劑。胺溶劑在混合溶劑系統中之體積百分比可為(例如)約30%至約70%、或約10%至約90%、或約5%至約95%、或約1%至約99%。
金屬錯合物之特性
金屬錯合物可具有在小於250℃或小於200℃或小於150℃或小於120℃之溫度下開始之急劇分解轉變。
金屬錯合物組合物可在約25℃下儲存至少100小時或至少250小時、或至少500小時、或至少1,000小時、或至少6個月，而無金屬(0)之實質性沈積。此儲存可無溶劑進行或在溶劑中進行。組合物可在較低溫度(例如小於25℃)下儲存以提供較長穩定性。舉例而言，一些組合物可在0℃下儲存極長時間段，包括(例如)至少30天、或至少90天、或至少365天。或者，舉例而言，一些組合物可在-35℃或更低下儲存極長時間段，包括(例如)至少30天、或至少90天或至少365天。
金屬錯合物可包含(例如)至少25 wt.%金屬、或至少50 wt.%金屬、或至少60 wt.%金屬、或至少70 wt.%金屬。在轉化成金屬後，此提供金屬之有效使用及良好的導電率。
金屬錯合物可適於提供商業上有用之足夠穩定性亦及足夠反應 性以提供低成本、高品質產品。熟習此項技術者可使第一配體及第二配體適於達成具體應用所需之平衡。
製備組合物之方法
金屬錯合物可藉由多種方法來製備，包括彼等US 2011/0111138中所闡述者，該專利之全文以引用方式併入。在一實施例中，金屬或銀羧酸鹽錯合物係藉由使金屬或銀羧酸鹽乙酸鹽與羧酸反應從而發生交換反應以形成新金屬或銀羧酸鹽錯合物來製備。例如，參見實例1中之反應(1)，其中R可為(例如)烷基，包括直鏈、具支鏈或環狀烷基，包括(例如)具有10個或更少、或5個或更少碳原子之烷基。反應之產率可為(例如)至少50%、或至少70%或至少90%。
在一實施例中，金屬或銀羧酸鹽錯合物係不使用金屬氧化物(包括Ag2O)來製備。例如，參見實例1中之比較反應(2)。在一實施例中，未使用固態反應來製備金屬或銀羧酸鹽。
在一實施例中，金錯合物係藉由氯化金錯合物(其亦與諸如四氫噻吩或膦等σ供體錯合)與羧酸銀錯合物之反應來製備。結果係氯化銀沈澱。例如，參見下文反應(5)。
在一實施例中，金屬錯合物係藉由交換諸如第一配體等配位鍵結配體來製備。舉例而言，四氫噻吩可交換為胺。例如，參見下文反應(6)。
在一些實施例中，可根據以下例示性反應(3)及(4)來製備此處所述金屬錯合物(R係直鏈、具支鏈或環狀烷基)。胺化合物與羧酸銀之間之化學計量比可為(例如)至少13：1、或至少15：1或至少20：1。所得金屬錯合物藉助配體與極性質子溶劑之間之H鍵相互作用可溶於極性質子溶劑(例如乙醇或水)。
墨水之沈積
可使用業內已知方法來沈積墨水，包括(例如)旋塗、移液、噴墨印刷、刮塗、棒式塗佈、浸塗、微影或平版印刷、凹版印刷、膠版印刷、絲網印刷、平版印刷、柔版印刷、網版印刷、滴注、狹縫式模具、卷對卷、噴射、壓印、輥塗、噴塗、淋塗及氣溶膠遞送(例如噴霧)。可使墨水調配物及基板適應沈積方法。亦參見上文所引用之書籍Direct Write Technologies。例如，第7章闡述噴墨印刷。可使用接觸及非接觸沈積。可不使用真空沈積。可使用液體沈積。可實施塗佈及印刷。
可使墨水之黏度適應沈積方法。例如，黏度可適於噴墨印刷。黏度可為(例如)約500 Cps或更小。或者，黏度可為(例如)1,000 Cps或更大。在具體實施例中，墨水不含任一固體材料。或者，可調適墨水中之固體之濃度。墨水中之固體之濃度可為(例如)約500 mg/mL或更小、或約250 mg/mL或更小、或約100 mg/mL或更小、或約150 mg/mL或更小、或約100 mg/mL或更小。更低量可為(例如)約1 mg/mL 或更大、或約10 mg/mL或更大。可利用該等上限及下限實施例來制定範圍，包括(例如)約1 mg/mL至約500 mg/mL。另外，可調適墨水之潤濕性質。
視需要，可使用諸如表面活性劑、分散劑及/或黏合劑等添加劑來控制一或多種墨水性質。在一實施例中，不使用添加劑。在一實施例中，不使用表面活性劑。
可使用噴嘴來沈積前體，且噴嘴直徑可(例如)小於100微米、或小於50微米。不存在微粒可有助於防止噴嘴堵塞。
在沈積時，可去除溶劑，且可開始將金屬前體轉化成金屬之初始步驟。
基板
眾多種固體材料可經受金屬墨水之沈積。可使用聚合物、塑膠、金屬、陶瓷、玻璃、矽、半導體及其他固體。可使用有機及無機基板。可使用聚酯型基板。可使用紙基板。可使用印刷電路板。可使用用於本文所述應用中之基板。
基板可包含電極及其他結構，包括導電性或半導電性結構。
在具體實施例中，基板係有機基板，例如凱通(kapton)或PET。
墨水至金屬之轉化
可將包含金屬錯合物之墨水及組合物沈積並轉化成包括導電性金屬膜之金屬結構。可形成線、圓點、圓形及頂點共用多邊形。可藉由加熱或輻照將墨水還原成導電性金屬膜。可使用雷射光。可控制金屬膜周圍之氣氛。例如，可包括或不包括氧。可消除揮發性副產物。
亦可在室溫下利用反應性氣體來實施金屬之還原。適宜反應性氣體之實例包括形成肼之氣體(例如H2/N2)。
墨水在沈積之前可(例如)實質上或完全不含奈米粒子。墨水在沈積之後但在還原成金屬之前可(例如)實質上或完全不含奈米粒子。墨 水在沈積及還原成金屬之後可(例如)實質上或完全不含奈米粒子。
可藉由在(例如)250℃或更低、或200℃或更低、或150℃或更低、或120℃或更低、或100℃或更低之溫度下加熱來實施還原製程。所獲得之導電性金屬膜可具有(例如)至少1,000 S/m、或至少10,000 S/m、或至少100,000 S/m、或至少200,000 S/m、或至少500,000 S/m、或至少106 S/m之導電率。
在沈積及固化後之金屬線
金屬線及膜可為連貫且連續的。可觀察到連續金屬化具有顆粒間之良好的連接性及低表面粗糙度。
金屬線及膜之厚度可為1000 nm或更小、或500 nm或更小、或250 nm或更小、或100 nm或更小。
線寬度可為(例如)1微米至500微米、或5微米至300微米。若使用奈米級圖案化方法，則線寬度可小於1微米。
亦可製備圓點、圓形及頂點共用多邊形。
在一實施例中，墨水調配物可轉化成金屬線及膜，而不形成大量金屬粒子、微粒子或奈米粒子。
金屬線及膜可利用藉由其他方法(例如濺射)製備之金屬及線之特性來製備。
金屬線及膜可為(例如)至少90 wt.%金屬、或至少95 wt.%金屬、或至少98 wt.%金屬。
根據AFM量測，金屬線及膜可相對平滑(例如，<8 nm)。
可使用金屬線及膜來接合諸如電極或其他導電性結構等結構。
根據此處所述方法獲得之金屬線及膜可具有與自然金屬之功函數實質上相同之功函數。舉例而言，差值可為25%或更小、或10%或更小、或5%或更小。
可形成線及柵格。可製備多層及多組份金屬特徵。
應用
藉由直接寫入法(包括噴墨印刷)來沈積及圖案化闡述於(例如)Pique,Chrisey(編輯)，Direct-Write Technologies for Rapid Prototyping Applications,Sensors,Electronics,and Integrated Power Sources,Academic Press,2002中。
一種應用係形成半導體裝置，包括電晶體及場效電晶體。電晶體可包含有機組份，包括共軛或導電性聚合物。
應用包括電子器件、印刷電子器件、撓性電子器件、太陽能電池(包括倒置式太陽能電池)、顯示器、螢幕、輕質裝置、LED、OLED、有機電子裝置、催化、燃料電池、RFID及生物醫學。
可使用經沈積之金屬作為晶種層以供與(例如)隨後電鍍一起使用。
其他技術應用闡述於(例如)以下文獻中：「Flexible Electronics」，B.D.Gates,Science，第323卷，2009年3月20日，1566-1567，包括2D及3D應用。
闡述方法及應用之專利文獻之實例包括(例如)美國專利公開案2008/0305268、2010/0163810、2006/0130700及美國專利第7,014,979號、第7,629,017號、第6,951,666號、第6,818,783號、第6,830,778號、第6,036,889號、第5,882,722號。
金屬柵格
此處所述墨水及金屬錯合物組合物可適於ITO替代結構(包括金屬柵格)。例如，參見2011年10月28日申請之美國臨時申請案61/553,048。可製備單一金屬結構或多金屬結構(包括合金)。
重複圖案化結構(包括「柵格」及「微柵格」)為業內已知且闡述於(例如)Neyts等人，J.Appl.Phys.103：093113(2008)；Cheknane,Prog.Photovolt：Res.Appl.19：155-159(2011)；Layani等人， ACSNANO 3(11)：3537-3542(2009)；USP 6,831,407及US 2008/0238310中，所有該等文件之全文均以引用方式併入本文中。
重複圖案化結構可形成頂點共用多邊形及具有不同數目頂點之多邊形狀結構之柵格狀網路。
重複圖案化結構可具有任一幾何形狀，其包括(例如)Neyts等人，J.Appl.Phys.103：093113(2008)；Cheknane,Prog.Photovolt：Res.Appl.19：155-159(2011)；USP 6,831,407及US 2008/0238310；及Layani等人，ACSNANO 3(11)：3537-3542(2009)中所述之三角幾何形狀、矩形幾何形狀、六邊形幾何形狀及重疊圓形幾何形狀。
重複圖案結構可包含(例如)線及/或孔。孔之邊心距可為(例如)約100微米至100,000微米或約1000微米至10,000微米。線之寬度可為(例如)約100微米至10,000微米或約500微米至2,000微米。線之深度可為(例如)1微米至100微米、或1微米至20微米、或1微米至10微米、或1微米至5微米或小於1微米、或小於100 nm。
重複圖案化結構可允許(例如)至少50%光子穿過、或至少80%光子穿過、或至少85%光子穿過、或至少90%光子穿過、或至少95%光子穿過、或至少97%光子穿過、或至少98%光子穿過、或至少99%光子穿過。
重複圖案化結構可形成於(例如)剛性基板(例如玻璃)或撓性有機基板(包括聚合物基板)上。
重複圖案化結構可具有許多應用。重複圖案化結構可納入(例如)高阻抗電極中。重複圖案化結構可納入(例如)所有類型之波導或反射器。欲由金屬圖案利用及操縱之電磁輻射之波長可確定孔間距及線寬度。
重複圖案化結構亦可納入(例如)生物感測器中。具有高表面積之金屬圖案能夠固定鎖鑰(lock and key)分析物檢測，其可藉由柵格或所 穿過輻射之光學變化來分析。
重複圖案化結構可納入(例如)電漿子共振器中。若柵格於彼此之上堆疊或入射輻射水平穿過柵格，則可使光學增益裝置與雷射腔相似。此外，重複圖案化結構可用於Mach-Zehnder干涉儀。此外，重複圖案化結構可由惰性材料來製備且具有高表面積，且其中重複圖案化結構適於流通式異質觸媒載體。
可量測該等結構之透明度及電子導電率。
有許多應用且包括觸控螢幕，包括電阻、電容及其他種類之觸控螢幕。
銀錯合物之其他實施例
此處所述金屬錯合物包括可溶於極性質子溶劑及在低溫(<200℃)下金屬化之自還原性銀錯合物。該等銀錯合物與溶劑形成氫鍵以產生基於供體-受體質子相互作用之均勻金屬墨水。
在具體實施例中，此處所述金屬錯合物係銀錯合物。銀錯合物可為由式(I)代表之金屬有機化合物：
R1可為(例如)視情況經取代之直鏈、具支鏈或環狀烷基。R1可(例如)經至少一個雜原子取代。R1可包含(例如)10個或更少碳原子、或5個或更少碳原子、或4個或更少碳原子、或3個或更少碳原子。R1之具體實例包括甲基及異丁基。
R2可為(例如)視情況經取代之直鏈、具支鏈或環狀伸烷基。R2可(例如)經至少一個雜原子取代。R2可包含(例如)5個或更少碳原子、 或4個或更少碳原子、或3個或更少碳原子、或2個或更少碳原子。R2可與Ag及該兩個胺基形成環。該環可為4員環、5員環或6員環。R2之具體實例包括「-CH2-CH2-」及「-CH2-CH2-CH2-」。
R3、R4、R5及R6可獨立地為(例如)氫、極性基團(例如經多封端之烷基)或直鏈烷烴。在一實施例中，R3、R4、R5及R6每一者皆係氫。在另一實施例中，R3、R4、R5及R6每一者皆係極性取代基。在又一實施例中，R3、R4、R5及R6中之一者係極性取代基或直鏈烷烴，且另三者係氫。在又一實施例中，R3、R4、R5及R6中之兩者係極性取代基，且另兩者係氫。在再一實施例中，R3及R4中之一者係極性取代基，且R5及R6中之一者係極性取代基。
該銀錯合物可溶於至少一種極性質子溶劑。在25℃下該銀錯合物在水、乙醇、二醇、PEG或其任一混合物中可具有50 mg/ml或更大、或100 mg/ml或更大、或150 mg/ml或更大、或200 mg/ml或更大、或250 mg/ml或更大、或500 mg/ml或更大之溶解度。
在具體實施例中，極性質子可溶銀錯合物由式(II)代表： ；其中n係1或更大之整數；R係H 或直鏈烷烴；且R'係具支鏈、直鏈或環狀烷烴。
R可為(例如)10個或更少碳原子、或5個或更少碳原子、或3個或更少碳原子。R可為(例如)甲基、乙基、正丙基、正丁基。
R'可為(例如)視情況經取代之直鏈、具支鏈或環狀烷烴。R1可包含(例如)10個或更少碳原子、或5個或更少碳原子、或4個或更少碳原子、或3個或更少碳原子。R'之具體實例包括甲基及異丁基。
n可為(例如)5或更小、或4或更小、或3或更小、或2或更小。
使用低溫及高溫加熱之其他實施例
另一實施例提供方法，其包含：將墨水沈積於基板上，其中該墨水包含至少一種包含至少一種金屬及至少一種第一配體及一種第二配體之金屬錯合物，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且亦在加熱該金屬錯合物時揮發；及還原該組合物以產生金屬導電性膜，其中該還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。視需要可使用第三及第四及更多個加熱步驟。在許多實施例中，僅需要兩個加熱步驟。
另一實施例提供方法，其中該方法之還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。
第一溫度可為在整個第一加熱步驟中使用之固定溫度，或第一溫度可在整個第一加熱步驟中在各範圍內變化。同樣，第二溫度可為在整個第二加熱步驟中使用之固定溫度，或第二溫度可在整個第二加熱步驟中在各範圍內變化。在許多實施例中，第一溫度及第二溫度係固定的，或至少在實驗誤差內固定。
在一實施例中，第一溫度為約75℃至約200℃。在一實施例中，第一溫度為約100℃至約160℃。在一實施例中，第二溫度為約200℃至約400℃。在一實施例中，第二溫度為約250℃至約350℃。在一實施例中，第一溫度為約100℃至約160℃，且第二溫度為約250℃至約350℃。
在其他實施例中，第一加熱步驟係實施第一加熱時間且第二加熱步驟係實施第二加熱時間，且該第一加熱時間比該第二加熱時間 長。在其他實施例中，第一加熱步驟係實施第一加熱時間且第二加熱步驟係實施第二加熱時間，且第一加熱時間為約3分鐘至約20分鐘，且其中第二加熱時間為約30秒至約2分鐘。
在其他實施例中，該方法之還原步驟僅包含第一加熱步驟，其中該加熱步驟之溫度及時間適於乾燥墨水，但不會產生至最終金屬導電性膜之完全轉化。
膜厚度可為(例如)5 nm至85 nm、或10 nm至50 nm、或25 nm至35 nm。多個步驟之加熱溫度及時間可適於該厚度。利用更高度濃縮之墨水(例如，200 mg/mL而非100 mg/mL)可製備更厚之膜。
可將薄金屬膜(例如，銀膜)之導電率與金屬塊(例如，銀塊)之導電率進行比較，且該兩個導電率可相媲美。該等膜可具有(例如)金屬塊體之導電率之20%至50%、或30%至40%。
其他實施例係提供於以下非限制性工作實例中。
工作實例1-羧酸銀前體
製備兩種羧酸銀化合物以用作發明性錯合物之前體。例如，參見美國專利申請案2011/0111138。對於其合成而言，比較基於Ag2O之已知方法(下文反應2)與更清潔、更廉價之基於乙酸銀之方法(下文反應1)。下文顯示該等方法，且顯示兩個實例性R基團。Ag2O方法(反應2)依賴於固態反應，無法進行至完成且不產生分析純材料。相比之下，羧酸與乙酸銀之間之複分解反應(反應1)進行至完成，提供分析純化合物，且以定量產率進行。對於異丁酸鹽及環丙酸鹽而言，來自此反應(1)之兩種銀錯合物之元素分析分別係C,24.59；H,3.72及C,24.68；H,2.56。對於異丁酸鹽及環丙酸鹽而言，理論值分別係C,24.64；H,3.62及C,24.90；H,2.61。因此，方法(1)優於(2)。
可自銀錯合物製備可用於產生金屬銀膜、線及結構之Ag-羧酸鹽胺化合物之文庫。
工作實例2-乙二胺異丁酸銀墨水之製備
在典型製備中，根據實例1製備1.0 g異丁酸銀並將其放置於含有經鐵氟龍(Teflon)塗佈之磁力攪拌棒之25 mL 1頸14/20圓底燒瓶中。向此中添加13當量乙二胺。反應進行2 h並攪拌，然後在真空中去除有機物，得到灰色至無色易潮解固體(乙二胺異丁酸銀)。下文顯示該結構：
該化合物係42.29 wt.%金屬。其可溶於乙醇及水。該化合物具有吸水性。
工作實例3-墨水之製備
然後將來自實例2之此固體墨水前體以100 mg/mL增量以至多500 mg/mL之濃度溶解於極性質子溶劑(例如，乙醇)中。亦製備250 mg/mL之墨水。
工作實例4-膜之製備及表徵
經由滴注墨水且然後在約145℃下在鋁塊上加熱來測試初始金屬化。
在實例4A中，經由以介於rpm 500至1000 rpm之間之RPM旋塗10 秒至30秒將墨水(使用乙醇作為溶劑)沈積至未經處理之蓋玻片上。然後在鋁塊上對蓋玻片實施金屬化。
使用4點探針來獲得片電阻並經由輪廓儀或橫截面電子顯微鏡來測定厚度。在160℃下將膜加熱10 min。
在實例4B中，使墨水(使用乙醇作為溶劑)泵送更久並據信其更乾。使用與實例4A中所用類似之蓋玻片及實驗參數並改良導電率。在160℃下將膜加熱10 min。
在實例4C中，使用單獨極性溶劑(丙二醇丁醚)並經由旋塗將墨水溶液沈積至載玻片上。在145℃下將樣品加熱10分鐘。
表1列示對(例如)4A、4B及4C所採集之數據。
工作實例5-金屬柵格研究
以250 mg/mL之濃度製備存於乙醇中之乙二胺銀墨水。在蓋玻片上以不同RPM實施旋塗，其中駐留時間為30秒。在160℃下實施金屬化10分鐘。在一些情形下，藉由立即施加第二墨水層並旋塗來產生具有兩個塗層之樣品，其中在層施加之間無處理。
表2顯示結果。
注意：在實例5-E及5-F中，在旋塗墨水之前，將載玻片在烘箱中乾燥並在乾燥器中冷卻。
工作實例6-乙二胺乙酸銀
亦製備此化合物。由於乙酸銀市面有售，故無需進行羧酸鹽複分解。金屬含量為47.52 wt.%。其可溶於乙醇及水。該化合物極具吸水性。
工作實例7-混合溶劑系統 材料
載玻片(1英吋×1英吋)
丙二醇丁醚
乙二醇
乙二胺異丁酸銀墨水
實驗
在第一實驗中，製備90%丙二醇丁醚及10%乙二醇(v：v)之溶液且該等組份產生均勻可完全混合之混合物。然後使用此溶液來製備350 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水溶液。然後用此墨水來旋塗未經處理之載玻片並在160℃下金屬化30 min，得到有光澤的金屬膜。
在第二實驗中，製備95%丙二醇丁醚及5%乙二醇(v：v)之溶液且該等組份產生均勻可完全混合之混合物。然後使用此溶液來製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水溶液。然後旋塗未經處理之載玻片並在 145℃下金屬化10 min，得到有光澤的金屬膜。
結果
使用納入乙二醇之混合PEG溶劑系統能夠達成乙二胺異丁酸銀墨水之濃度增加(因為墨水在此溶劑中之極佳溶解度)，同時仍維持大部分溶劑(丙二醇丁醚)之塗佈性質。濃度隨著所用乙二醇之量而變化；即，乙二醇之體積百分比越大，更多之銀錯合物將溶解。另外，極大地減小墨水結晶或溶解之傾向，從而提供具有較長壽命之墨水。
第一個實驗結果
第二個實驗結果
工作實例8-胺溶劑 實驗
實例8A：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以800 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化10分鐘。
實例8B：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以800 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化10分鐘。
在獲得片電阻後，經由以800 RPM旋塗5秒來添加第二層。然後再對樣品實施金屬化10分鐘。
實例8C：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以800 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化20分鐘。
實例8D：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以800 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化1分鐘。
經由以800 RPM旋塗5秒來添加第二層。然後再對樣品實施金屬化10分鐘。
實例8E：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以800 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化1分鐘。
經由以800 RPM旋塗5秒來添加第二層。然後再對樣品實施金屬化1分鐘。
經由以800 RPM旋塗5秒來添加第三層，並將整個樣品金屬化10分鐘。
實例8F：製備250 mg/mL乙二胺異丁酸銀墨水於50%丙二醇丁醚及50% N,N-二甲基乙二胺(v：v)之溶劑系統中之溶液。經由以1000 RPM旋塗5秒來沈積溶液。在147℃下對樣品實施金屬化30秒。
經由以1000 RPM旋塗5秒來添加第二層。然後再對樣品實施金屬化30秒。
經由以1000 RPM旋塗5秒來添加第三層，並對整個樣品實施金屬化10分鐘。
結果 實例8A數據
實例8B數據
實例8C數據
實例8D數據
實例8E數據
實例8F數據
工作實例9
對銀墨水組使用新處理程序。此程序涉及在低溫下對所沈積金屬墨水實施預烘烤，隨後實施短暫高溫固化步驟。已顯示，利用預烘 烤步驟改良在較高溫度下烘烤後之最終導電率。使用預烘烤步驟將將能夠使得經預沈積之金屬特徵作為樣品傳送至對將快速固化技術應用至墨水感興趣之使用者。
此實例經設計已發現在300℃下最終固化1分鐘之前在130℃下預烘烤10分鐘達成與僅在300℃下固化之樣品相同之導電率。
材料
˙1"×1"載玻片，在烘箱中乾燥並在乾燥器中冷卻
˙以100 mg/mL存於IPA中之5 mL乙二胺異丁酸銀(IPA係異丙醇)
˙移液管
˙注射器式濾盤
˙旋塗機
方法
使用800 RPM之方案(其中駐留時間為5 s)及120 RPM之乾燥步驟(其中駐留時間為10 s)經由旋塗機來沈積墨水。將一組載玻片在130℃下預烘烤10 min，然後在300℃下固化1分鐘。將第二組樣品在350℃下固化5秒、20秒、25秒及30秒。在350℃下固化而不預烘烤之樣品看到減小之片電阻及增加之氧化外觀。經由4點探針來量測樣品上之片電阻。然後經由輪廓儀來收集該等樣品之厚度。
使用Microsoft Excel對自此實驗收集之數據進行統計分析。
實際上，無預烘烤步驟之樣品表現為具有較高量之氧化(樣品係白色/銀色)。為經預烘烤之樣品的樣品之顏色為更深之銀色。認為由於在350℃下之時間較長，故膜因氧化而更薄。
省略預烘烤製備之樣品表現為對玻璃不太黏著。與包括預烘烤之樣品相比，該等膜可容易地自玻璃擦掉。此亦會在進行輪廓儀量測時因刮痕而產生困難。
在130℃預烘烤10分鐘後，在300℃下固化1分鐘之樣品似乎比未經預烘烤之樣品具有更高之導電率。與在350℃下經20秒之33% Ag塊之峰值相比，在300℃下1分鐘之固化時間具有39%至35% Ag塊。
亦實施陳化研究。在一組樣品中，將膜在130℃下預烘烤10分鐘且然後在300℃下固化分鐘。另一組樣品經實質上相同處理，但在預烘烤與固化步驟之間在環境中陳化1週或2週。儘管陳化1週或2週，但導電率極為不同。

Claims (19)

  1. 一種組合物，其包含：至少一種金屬錯合物，其包含：至少一種金屬，其中該至少一種金屬係銀，至少一種第一配體，該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第一配體係雙牙胺，及至少一種第二配體，該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；及兩種或多種極性質子溶劑，其中在25℃下該金屬錯合物在該等兩種或多種極性質子溶劑中具有至少100mg/ml之溶解度，其中在該組合物中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的，其中該組合物係經調配以供沈積在基板上，且所得沈積物係轉化成連續導電性金屬膜，且其中該組合物實質上不含包括微米粒子及奈米粒子之粒子。
  2. 如請求項1之組合物，其中在25℃下該金屬錯合物在該等兩種或多種極性質子溶劑中具有至少500mg/ml之溶解度。
  3. 如請求項1之組合物，其中該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係水，且該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係醇。
  4. 如請求項1之組合物，其中該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係水、醇或聚乙二醇(PEG)。
  5. 如請求項1之組合物，其中該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係PEG。
  6. 如請求項1之組合物，其中該至少一種第一配體係乙二胺。
  7. 如請求項1之組合物，其中該至少一種第二配體係羧酸鹽。
  8. 如請求項1之組合物，其中該至少一種第二配體係由-O-C(O)-R代表之羧酸鹽，其中R係具有5個或更少碳原子之烷基。
  9. 如請求項1之組合物，其中該至少一種第二配體係異丁酸鹽或乙酸鹽。
  10. 如請求項1之組合物，其中該組合物完全不含微米粒子及奈米粒子。
  11. 如請求項1之組合物，其中該金屬錯合物係由式(II)代表： 其中n係1或更大之整數，R係H或直鏈烷烴，且R'係具支鏈、直鏈或環狀烷烴；且其中在25℃下該金屬錯合物在該等兩種或多種極性質子溶劑中具有至少250mg/ml之溶解度。
  12. 一種組合物，其包含：至少一種金屬錯合物，其包含：至少一種金屬，其中該至少一種金屬係銀，至少一種第一配體，該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，且其中該第一配體包含至少一個胺基且不為氨，及至少一種第二配體，該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；及兩種或多種極性質子溶劑，其中在25℃下該金屬錯合物在該等兩種或多種極性質子溶劑 中具有至少100mg/ml之溶解度，其中在該組合物中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的，其中該組合物係經調配以供沈積在基板上，且所得沈積物係轉化成連續導電性金屬膜，且其中該組合物實質上不含包括微米粒子及奈米粒子之粒子。
  13. 一種組合物，其包含：(i)至少一種金屬錯合物，其包含：至少一種金屬，其中該至少一種金屬係銀，及至少一種第一配體及一種第二配體，其中該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；(ii)兩種或多種極性質子溶劑，其中該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係水，且該等兩種或多種極性質子溶劑中之至少一者係醇，其中在該組合物中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的，其中該組合物係經調配以供沈積在基板上，且所得沈積物係轉化成連續導電性金屬膜，且其中該組合物實質上不含包括微米粒子及奈米粒子之粒子。
  14. 一種組合物，其包含：至少一種金屬錯合物，其包含：至少一種金屬，其中該至少一種金屬係銀，至少一種第一配體，該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，其中該第一配體係雙牙胺，及 至少一種第二配體，該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；及兩種或多種極性質子溶劑，其中該金屬錯合物由式(I)代表： 其中：R1係未經取代或經取代之烷基，R2係未經取代或經取代之伸烷基，其與Ag及兩個胺基一起形成4員、5員或6員環，且R3、R4、R5及R6各自獨立地係氫或經極性基團封端之烷基，其中在該組合物中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的，且其中該組合物實質上不含包括微米粒子及奈米粒子之粒子。
  15. 一種產生金屬導電性膜之方法，其包含：將墨水沈積於基板上，其中該墨水包含如請求項1至14中任一項之組合物，及還原該組合物以產生金屬導電性膜。
  16. 如請求項15之方法，其中該沈積步驟係藉由噴墨沈積來實施。
  17. 如請求項15之方法，其中該還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。
  18. 一種製備組合物之方法，該組合物包含：至少一種金屬錯合物，其包含： 至少一種金屬，其中該至少一種金屬係銀，至少一種第一配體，該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，及至少一種第二配體，該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發；及兩種或多種極性質子溶劑，其中在25℃下該金屬錯合物在該等兩種或多種極性質子溶劑中具有至少100mg/ml之溶解度，其中在該組合物中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的，且其中該組合物實質上不含包括微米粒子及奈米粒子之粒子，該方法包含使包含該金屬及該第二配體之金屬錯合物與該第一配體反應，以形成該至少一種金屬錯合物，純化該金屬錯合物以去除未經反應的第一配體並形成經純化的金屬錯合物，及將該經純化的金屬錯合物溶解在該等兩種或多種極性質子溶劑中，以形成該組合物。
  19. 一種產生金屬導電性膜之方法，其包含：將實質上不含粒子之墨水沈積於基板上，其中該墨水包含至少一種金屬錯合物，其包含：至少一種金屬，至少一種第一配體，該第一配體係該金屬之σ供體且在加熱該金屬錯合物時揮發，及至少一種第二配體，該第二配體不同於該第一配體且在加熱該金屬錯合物時亦揮發，其中在該墨水中，該至少一種第一配體、該至少一種第二配體及該至少一種金屬之量係化學計量的；及還原該墨水以產生金屬導電性膜，其中該還原步驟包含至少兩個加熱步驟，包括第一加熱步驟及第二加熱步驟，其中該第 一加熱步驟係在第一溫度下實施且該第二加熱步驟係在第二溫度下實施，且其中該第一溫度低於該第二溫度。
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