TWI673556B

TWI673556B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI673556B
Application number: TW107107950A
Authority: TW
Inventors: 王培筠; 薛芷苓; 陳佳楷
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-03-08
Filing date: 2018-03-08
Publication date: 2019-10-01
Also published as: TW201939144A; CN108520895A; CN108520895B

Abstract

一種顯示面板包括基底、畫素陣列、複合絕緣層與封裝層。基底具有顯示區與外圍區，畫素陣列位於基底上且位於顯示區內，畫素陣列包括複數薄膜電晶體、複數電激發光元件與畫素定義層。複數電激發光元件分別電性連接對應的薄膜電晶體的汲極，畫素定義層位於薄膜電晶體上。複合絕緣層位於基底上且位於外圍區，複合絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層，第二絕緣層位於第一絕緣層與基底之間，溝槽貫穿第一絕緣層與第二絕緣層。封裝層位於畫素陣列與複合絕緣層上，封裝層與溝槽重疊。

Description

顯示面板

本發明是關於一種具有電子元件的基板，且特別是關於一種顯示面板。

在現在的顯示面板的製作程序中，基底會作為顯示面板的底層。完成後的顯示面板可劃分為顯示區與圍繞著顯示區的外圍區，而由於基底是作為顯示面板的底層，則基底也可劃分為對應的顯示區與外圍區。在顯示面板的製程中，多層的結構如金屬線路、絕緣層與電子元件等，會在垂直於基底的垂直方向上依序成形在所述基底上，多層絕緣層位於外圍區的部分會在所述垂直方向上被刀具加以切割，以去除多餘的部份而形成所述顯示面板。

在現有顯示面板的製作程序中，所述外圍區會被刀具加以切割，然而，刀具在切割時所產生的應力可能會導致切割處產生裂痕，裂痕便因為顯示面板的撓曲或形變而向顯示區的方向延伸，裂痕延伸的愈長，就愈有可能延伸至金屬線路或電子元件而造成其破損或斷裂，從而降低顯示面板的生產良率。現有顯示面板的外圍區的多層絕緣層，多半是採用無機材料，相較於有機材料，無機材料的機械性質較為硬且脆，因此一旦外圍區的切割處產生裂痕，此裂痕很容易延伸到顯示區中並破壞電性元件。

本發明之至少一實施例提出一種顯示面板，以避免外圍區在被切割時產生裂痕。

本發明之至少一實施例提出一種顯示面板，即使外圍區在被切割時產生了裂痕，也能阻止外圍區的裂痕往顯示區的方向延伸，以避免顯示面板的電性元件被裂痕破壞。

本發明之至少一實施例提出一種顯示面板包括基底、畫素陣列、複合絕緣層與封裝層。基底具有顯示區與外圍區，外圍區實質上圍繞顯示區。畫素陣列位於基底上且位於顯示區內，畫素陣列包括複數薄膜電晶體、複數電激發光元件與畫素定義層。各薄膜電晶體包括主動層、閘絕緣層、閘極、層間絕緣層、源極與汲極。閘絕緣層位於主動層上，閘極位於閘絕緣層上，層間絕緣層位於閘極上，源極與汲極位於層間絕緣層上且分別藉由複數第一接觸洞而電性連接主動層，該些第一接觸洞貫穿層間絕緣層與閘絕緣層。複數電激發光元件分別電性連接對應的薄膜電晶體的汲極，畫素定義層位於層間絕緣層上。複合絕緣層位於基底上且位於外圍區，複合絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層。第一絕緣層與層間絕緣層由同一材料層形成且直接連接，第二絕緣層位於第一絕緣層與基底之間，第二絕緣層與閘絕緣層由同一材料層形成且直接連接，且其中至少一溝槽貫穿第一絕緣層與第二絕緣層。封裝層位於畫素陣列與複合絕緣層上，封裝層與至少一溝槽重疊。

綜上所述，根據本發明所提出的顯示面板的諸多實施例，其可降低外圍區在被切割時產生裂痕的可能，且即使有裂痕產生，也可使裂痕無法延伸至顯示區，從而可避免顯示面板的電性元件因為裂痕而破損或斷裂。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟悉相關技藝者暸解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。

10、10a~10k、10m~10s‧‧‧顯示面板

100‧‧‧基底

110‧‧‧顯示區

120‧‧‧外圍區

130‧‧‧電路區

200‧‧‧畫素陣列

201‧‧‧第一接觸洞

202‧‧‧第二接觸洞

210‧‧‧薄膜電晶體

211‧‧‧主動層

212‧‧‧閘絕緣層

213‧‧‧閘極

214‧‧‧層間絕緣層

215‧‧‧源極

216‧‧‧汲極

220‧‧‧電激發光元件

221‧‧‧下電極

222‧‧‧上電極

223‧‧‧發光層

230‧‧‧畫素定義層

231‧‧‧開口

240‧‧‧緩衝層

250‧‧‧平坦層

300‧‧‧複合絕緣層

310‧‧‧第一絕緣層

320‧‧‧第二絕緣層

330‧‧‧第三絕緣層

340‧‧‧有機絕緣填料

400‧‧‧封裝層

410‧‧‧第一無機薄膜封裝層

420‧‧‧第二無機薄膜封裝層

430‧‧‧有機薄膜封裝層

500、500a、500b、500c‧‧‧溝槽

501‧‧‧第一溝槽

5011‧‧‧第一間隔

502‧‧‧第二溝槽

5021‧‧‧第二間隔

600‧‧‧擋牆

700‧‧‧閘極驅動電路

Dc‧‧‧周向方向

Dr‧‧‧徑向方向

Dv‧‧‧垂直方向

[圖1]為本發明第一實施例之顯示面板的上視圖；[圖2]為圖1之顯示面板於線段2-2處的剖視圖；[圖3]為本發明第二實施例之顯示面板的剖視圖；[圖4]為本發明第三實施例之顯示面板的剖視圖；[圖5]為圖4之顯示面板的上視圖；[圖6]為本發明第四實施例之顯示面板的上視圖；[圖7]為本發明第五實施例之顯示面板的剖視圖；[圖8]為本發明第六實施例之顯示面板的剖視圖；[圖9]為本發明第七實施例之顯示面板的剖視圖；[圖10]為本發明第八實施例之顯示面板的剖視圖；[圖11]為本發明第九實施例之顯示面板的剖視圖；[圖12]為本發明第十實施例之顯示面板的剖視圖；[圖13]為本發明第十一實施例之顯示面板的剖視圖；[圖14]為本發明第十二實施例之顯示面板的剖視圖；[圖15]為本發明第十三實施例之顯示面板的剖視圖； [圖16]為本發明第十四實施例之顯示面板的剖視圖；[圖17]為本發明第十五實施例之顯示面板的剖視圖；[圖18]為本發明第十六實施例之顯示面板的剖視圖；[圖19]為本發明第十七實施例之顯示面板的剖視圖；[圖20]為本發明第十八實施例之顯示面板的剖視圖；以及[圖21]為本發明第十九實施例之顯示面板的剖視圖。

請參照圖1與圖2，圖1為本發明第一實施例之顯示面板10的上視圖，圖2為圖1之顯示面板10於線段2-2處的剖視圖。在本實施例中，顯示面板10是一種自發光顯示面板，但不限於此。顯示面板10包括基底100、畫素陣列200、複合絕緣層300與封裝層400。基底100具有顯示區110與外圍區120，外圍區120實質上圍繞顯示區110。圖1的顯示面板10省略繪示封裝層400及部分元件，以方便顯示封裝層400下的元件與結構。

如圖1所示，顯示面板10對應於基底100的顯示區110與外圍區120而區分為兩個部份，顯示面板10在對應於顯示區110的部分可用來產生影像，而在對應於外圍區120的部分則無法產生影像。如圖2所示，畫素陣列200位於基底100上且位於顯示區110內。畫素陣列200包括複數薄膜電晶體210、複數電激發光元件220與畫素定義層230。封裝層400位於畫素陣列200與複合絕緣層300上，且實質上覆蓋畫素陣列200與複合絕緣層300。

如圖2所示，在本實施例中，各薄膜電晶體210包括主動層211、閘絕緣層212、閘極213、層間絕緣層214、源極215與汲極216。閘絕緣層212位於主動層211上，閘極213位於閘絕緣層212上，層間絕緣層214 位於閘極213上，源極215與汲極216位於層間絕緣層214上。複數第一接觸洞201舉例係貫穿層間絕緣層214與閘絕緣層212，導電材料填充於第一接觸洞201中，源極215與汲極216可分別藉由對應的第一接觸洞201而電性連接對應的主動層211。

複數電激發光元件220分別電性連接對應的薄膜電晶體210的汲極216，且畫素定義層230位於層間絕緣層214上。畫素定義層230可用來分隔這些電激發光元件220，使這些電激發光元件220於空間上可各自獨立，以分別形成獨立的畫素。在本實施例中，畫素定義層230與電激發光元件22共同位於平坦層250上；在其他實施例中，電激發光元件220可位於畫素定義層230之上。在本實施例中，電激發光元件220為有機發光二極體(OLED)；在其他實施中，電激發光元件220可以是任何一種適當的發光元件。在本實施例中，畫素定義層230為有機材料，但不限於此；在其他實施例中，畫素定義層230為無機材料。

複合絕緣層300位於基底100上且位於外圍區120，複合絕緣層300包括第一絕緣層310與第二絕緣層320，第二絕緣層320位於第一絕緣層310與基底100之間。在本實施例中，第一絕緣層310與層間絕緣層214由同一材料層形成且直接連接，而第二絕緣層320與閘絕緣層212由同一材料層形成且直接連接，但不限於此。在顯示面板10的製程中，第二絕緣層320與閘絕緣層212會先在同一製程步驟中以同一材料同時成形，而第一絕緣層310與層間絕緣層214則會在第二絕緣層320與閘絕緣層212成形之後的另一製程步驟中以同一材料同時成形。

如圖1與圖2所示，在本實施例中，顯示面板10更包括至少一溝槽500。溝槽500位於外圍區120的複合絕緣層300，且封裝層400與溝槽500重疊。如圖1與圖2所示，封裝層400是在垂直於基底100的垂直方向Dv上與溝槽500重疊，封裝層400是位於顯示面板10在垂直方向Dv上的頂層，且封裝層400會完全覆蓋溝槽500。

在本實施例中，溝槽500在垂直於基底100的垂直方向Dv上朝基底100延伸。換言之，溝槽500貫穿複合絕緣層300的至少一層。在本實施例中，如圖2所示，溝槽500貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320。

藉此，當顯示面板10的外側邊緣(即外圍區120遠離顯示區110的一側)被刀具切割時，刀具所施加的應力至少會有部份被溝槽500吸收，如此可減低產生裂痕的機會。即使顯示面板10的外側邊緣因為切割或撓曲而產生裂痕，此裂痕也會被溝槽500阻擋，而不會延伸至顯示區110中。

請參照圖1，溝槽500實質上環繞顯示區110，例如溝槽500以環形方式連續不中斷地環繞顯示區110一周，但不限於此；在其他實施例中，溝槽500也可以分段地環繞顯示區110，容後詳述。

如圖2所示，在本實施例中，畫素陣列200更包括緩衝層240，緩衝層240位於基底100與主動層211之間。複合絕緣層300更包括第三絕緣層330，第三絕緣層330位於基底100與第二絕緣層320之間。在一些實施例中，第三絕緣層330與緩衝層240由同一材料層形成。舉例來說，在顯示面板10的製程中，第三絕緣層330與緩衝層240會在同一製程步驟中以同一材料同時成形，且第三絕緣層330與緩衝層240的製程步驟會先於第二絕緣層320與閘絕緣層212的製程步驟。

如圖1與圖2所示，在本實施例中，基底100更具有電路區 130，電路區130位於顯示區110與外圍區120之間，緩衝層240、閘絕緣層212與層間絕緣層214均可從顯示區110延伸至電路區130。顯示面板10更包括閘極驅動電路700，閘極驅動電路700位於基底100上且位於電路區130內，閘極驅動電路700電性連接畫素陣列200。例如，閘極驅動電路700可透過顯示面板10中的對應線路(圖未示)連接畫素陣列200中的薄膜電晶體210。畫素定義層230也會從顯示區110延伸至電路區130，且閘極驅動電路700可被畫素定義層230覆蓋。在本實施例中，閘極驅動電路700為閘極陣列(Gate on Array，GOA)，但不限於此。

如圖1與圖2所示，在本實施例中，封裝層400包括第一無機薄膜封裝層410、第二無機薄膜封裝層420與有機薄膜封裝層430。第一無機薄膜封裝層410位於畫素陣列200與複合絕緣層300上且覆蓋溝槽500，而有機薄膜封裝層430位於第一無機薄膜封裝層410與第二無機薄膜封裝層420之間。在本實施例中，第一無機薄膜封裝層410會先成形，接著有機薄膜封裝層430成形在第一無機薄膜封裝層410上，最後第二無機薄膜封裝層420成形在有機薄膜封裝層430上，且第二無機薄膜封裝層420與第一無機薄膜封裝層410會共同包住有機薄膜封裝層430，但不以此為限。

如圖2所示，在本實施例中，複合絕緣層300更包括有機絕緣填料340，有機絕緣填料340位於溝槽500內。如圖2所示，有機絕緣填料340完全填充溝槽500且接觸溝槽500至少一側壁(如圖2的溝槽500的右側側壁)的第一絕緣層310與第二絕緣層320。有機絕緣填料340舉例係與畫素定義層230由同一材料層形成，換句話說，在顯示面板10的製程中，有機絕緣填料340與畫素定義層230會在同一製程步驟中以同一材料同時成形。在本實施例中，當有機絕緣填料340、畫素定義層230與電激發光元件220成形之後，封裝層400會成形於畫素陣列200與複合絕緣層300之上，且封裝層400的第一無機薄膜封裝層410會覆蓋溝槽500與有機絕緣填料340。因溝槽500中的有機絕緣填料340具有更佳的柔韌性，因此有機絕緣填料340可吸收應力，以減少裂痕的產生或阻擋裂痕的延伸。

如圖2所示，在本實施例中，各電激發光元件220包括下電極221、上電極222與發光層223。下電極221位於層間絕緣層214與畫素定義層230之間，上電極222可位於畫素定義層230與封裝層400之間，而發光層223位於下電極221以及上電極222之間。並且，畫素定義層230具有複數開口231，而發光層223分別位於這些開口231中。在本實施例中，上電極222舉例係為全面性地設置於畫素定義層230上，上電極222的材料舉例為金屬。

如圖2所示，在本實施例中，畫素陣列200更包括平坦層250，且平坦層250位於層間絕緣層214與畫素定義層230之間。平坦層250具有複數第二接觸洞202，第二接觸洞202之中具有導電材料。這些電激發光元件220的下電極221可分別藉由對應的第二接觸洞202電性連接至對應的薄膜電晶體210的汲極216。在本實施例中，畫素定義層230與平坦層250可從顯示區110延伸至電路區130，且閘極驅動電路700可被畫素定義層230以及平坦層250覆蓋。

請參照圖3，圖3為本發明第二實施例之顯示面板10a的剖視圖，其中圖3的實施例沿用圖1與圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖3所示，在第二實施例中，溝槽500a更貫穿第三絕緣層330。在本實施例中，溝槽500a貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330，溝槽500a舉例係暴露出基底100的上表面，有機絕緣填料340可與基底100接觸，相較於第一實施例，溝槽500a在垂直方向Dv上比溝槽500更深，且有機絕緣填料340在垂直方向Dv上亦更深入複合絕緣層300中，因此，溝槽500a與其中的有機絕緣填料340能吸收更多的應力且具有更大的阻擋面積，故能更有效地避免裂痕的產生與阻止裂痕的延伸。

請參照圖4與圖5，圖4為本發明第三實施例之顯示面板10b的剖視圖，圖5為圖4之顯示面板10b的上視圖，其中圖4與圖5的實施例沿用圖1與圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。圖5的顯示面板10b省略繪示封裝層400及部分元件，以方便顯示封裝層400下的元件與結構。

如圖4與圖5所示，在第三實施例中，溝槽500b之數量係為兩個，其為第一溝槽501與第二溝槽502。第一溝槽501與第二溝槽502舉例可相隔一距離且不連接，但不以此為限。第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間。如圖5所示，在本實施例中，第一溝槽501與第二溝槽502在顯示面板10b的徑向方向Dr上彼此分隔，第二溝槽502環繞顯示區110，而第一溝槽501環繞第二溝槽502。此外，有機絕緣填料340分別位於第一溝槽501與第二溝槽502中。相較於第一實施例，溝槽500b的數量比溝槽500多，因此，第一溝槽501、第二溝槽502與其中的有機絕緣填料340能吸收更多的應力，並且即使在裂痕穿過第一溝槽501的情況下，仍有第二溝槽502可以阻擋裂痕的延伸，進而減少裂痕延伸至顯示區110的風險。

如圖4所示，在本實施例中，第一溝槽501與第二溝槽502分別貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330；在一些實施例中，第一溝槽501與第二溝槽502可以僅貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320；在一些實施例中，第一溝槽501與第二溝槽502的其中之一者僅貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320，而其中之另一者則貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330。

請參照圖6，圖6為本發明第四實施例之顯示面板10c的上視圖，其中圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖6所示，在第四實施例中，溝槽500c之數量係為多個，其為複數第一溝槽501與複數第二溝槽502，第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間。複數第二溝槽502沿著顯示面板10c的周向方向Dc排列並環繞顯示區110，且複數第二溝槽502在周向方向Dc上彼此舉例為等距間隔。複數第一溝槽501沿著顯示面板10c的周向方向Dc排列並環繞這些第二溝槽502，且複數第一溝槽501在周向方向Dc上彼此舉例為等距間隔。並且，第一溝槽501與第二溝槽502在顯示面板10c的徑向方向Dr上彼此分隔。此外，有機絕緣填料340分別位於複數第一溝槽501與複數第二溝槽502中。

在本實施例中，複數第一溝槽501與複數第二溝槽502是交錯排列的。舉例來說，每兩個相鄰的第一溝槽501之間會在周向方向Dc上相距有第一間隔5011，且每兩個相鄰的第二溝槽502之間會在周向方向Dc上相距有第二間隔5021。在徑向方向Dr上，第一間隔5011與第二間隔5021會彼此錯開而不會彼此重疊，換句話說，任一第二間隔5021會在徑向方向Dr上與對應的第一溝槽501重疊，且任一第二溝槽502會在徑向方向Dr上與對應的第一間隔5011重疊。藉此設置，即使裂痕穿過第一溝槽501之間的第一間隔5011而往顯示區110方向延伸，與此第一間隔5011在徑向方向Dr上重疊的第二溝槽502仍可以阻擋裂痕的延伸。

在本實施例中，通過設置多個第一溝槽501與多個第二溝槽502在控制裂痕的發生及延伸問題上可更有彈性，舉例來說，若在切割製程中，位於顯示面板10c的短邊處的較易發生裂痕或較易產生較大的裂痕，則可在顯示面板10c的短邊處設置長度較長的第一溝槽501及/或第二溝槽502，及/或寬度較大的第一溝槽501及/或第二溝槽502，且顯示面板10c的短邊處之第一溝槽501及/或第二溝槽502之數量可少於顯示面板10c的長邊處之第一溝槽501及/或第二溝槽502之數量，藉此可更彈性地控制裂痕的發生機率及阻擋裂痕的延伸區域。

請參照圖7，圖7為本發明第五實施例之顯示面板10d的剖視圖，其中圖7的實施例沿用圖1與圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖7所示，顯示面板10d更包括至少一擋牆600。擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，擋牆600可環繞顯示區110，且溝槽500位於擋牆600以及畫素陣列200之間，而封裝層400則接觸並覆蓋於擋牆600上。在本實施例中，擋牆600與畫素定義層230可由同一材料層形成，換句話說，在顯示面板10d的製程中，擋牆600與畫素定義層230會在同一製程步驟中以同一材料同時成形。除此之外，在本實施例中，有機絕緣填料340與畫素定義層230可由同一材料層形成，因此在顯示面板10d的製程中，擋牆600、有機絕緣填料340與畫素定義層230可在同一製程步驟中以同一材料同時成形。

如圖7所示，在本實施例中，在顯示面板10d的製程中，在擋牆600、有機絕緣填料340、畫素定義層230與電激發光元件220成形之後，封裝層400會再成形於畫素陣列200、複合絕緣層300與擋牆600之上，且封裝層400的第一無機薄膜封裝層410覆蓋溝槽500、有機絕緣填料340、第一絕緣層310與擋牆600。並且，在封裝層400的成形過程中，有機薄膜封裝層430會因為擋牆600的關係而被限制在擋牆600所圍繞的範圍內，使得有機薄膜封裝層430不容易溢出，從而有效定義有機薄膜封裝層430所在的區域並確保材料不會浪費。

在一些實施例中，第一無機薄膜封裝層410可位在擋牆600之內並覆蓋溝槽500、有機絕緣填料340與擋牆600之內的第一絕緣層310，而第二無機薄膜封裝層420則可覆蓋擋牆600與擋牆600之外的第一絕緣層310。舉例來說，如圖7至圖9所示，第一無機薄膜封裝層410或第二無機薄膜封裝層420可覆蓋擋牆600與擋牆600之外的第一絕緣層310；並且，在基底100的法線方向(圖式的垂直方向)上，第一無機薄膜封裝層410或第二無機薄膜封裝層420可覆蓋閘極驅動電路700、畫素定義層230、平坦層 250、溝槽500、500a、500b以及擋牆600，而有機薄膜封裝層430可覆蓋閘極驅動電路700、畫素定義層230、平坦層250以及溝槽500、500a、500b，但有機薄膜封裝層430不覆蓋擋牆600之全部，亦即有機薄膜封裝層430僅會覆蓋擋牆600的一部分。在一些實施例中，第一無機薄膜封裝層410及第二無機薄膜封裝層420可共同覆蓋擋牆600，例如第一無機薄膜封裝層410可覆蓋溝槽500、有機絕緣填料340、擋牆600之內的第一絕緣層310與擋牆600靠近顯示區110的半邊，而第二無機薄膜封裝層420可覆蓋擋牆600遠離顯示區110的半邊與擋牆600之外的第一絕緣層310。

請參照圖8，圖8為本發明第六實施例之顯示面板10e的剖視圖，其中圖8的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖8所示，在第六實施例中，顯示面板10e更包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，且溝槽500a位於擋牆600以及畫素陣列200之間，而封裝層400則接觸並覆蓋於溝槽500a、有機絕緣填料340與擋牆600上。在本實施例中，擋牆600的功能及設置方式可參考圖7的實施例，在此不贅述。

請參照圖9，圖9為本發明第七實施例之顯示面板10f的剖視圖，其中圖9的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖9所示，在第七實施例中，顯示面板10f更包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，且溝槽500b位於擋牆600以及畫素陣列200之間，而封裝層400則接觸並覆蓋於溝槽500b、有機絕緣填料340與擋牆600上。在本實施例中，擋牆600的功能及設置方式可參考圖7的實施例，在此不贅述。

請參照圖10，圖10為本發明第八實施例之顯示面板10g的剖視圖，其中圖10的實施例沿用圖1與圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖10所示，在第八實施例中，溝槽500貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320，而第一無機薄膜封裝層410的一部分與有機薄膜封裝層430的一部分填入溝槽500內。具體而言，在封裝層400成形並覆蓋於畫素陣列200與複合絕緣層300上的製程步驟之前，溝槽500中沒有填入有機絕緣填料340或任何填料，而在封裝層400的第一無機薄膜封裝層410成形時，其除了覆蓋畫素陣列200與複合絕緣層300之外，還會流入溝槽500中，並在溝槽500的內表面形成一層第一無機薄膜封裝層410，接著在封裝層400的有機薄膜封裝層430的成形過程中，有機薄膜封裝層430會流入溝槽500且覆蓋在溝槽500中的第一無機薄膜封裝層410上，並填入溝槽500。本實施例與圖1與圖2的實施例不同之處在於溝槽500中並非填入有機絕緣填料340，而是填入第一無機薄膜封裝層410的一部分與有機薄膜封裝層430的一部分，此外，在有機薄膜封裝層430的成形過程中，溝槽500可讓過多的有機薄膜封裝層430流入，故除了圖1與圖2的實施例所提到的優點外，本實施例之溝槽500亦有防止有機薄膜封裝層430溢流的功能。

請參照圖11，圖11為本發明第九實施例之顯示面板10h的剖視圖，其中圖11的實施例沿用圖3與圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖11所示，在第九實施例中，溝槽500a更貫穿第三絕緣層330。並且，由於溝槽500a貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330，因此第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430會延伸到第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330。相較於第八實施例，溝槽500a在垂直方向Dv上比溝槽500更深，且有機薄膜封裝層430在垂直方向Dv上亦更深入複合絕緣層300中，因此，溝槽500a與其中的有機薄膜封裝層430能吸收更多的應力，並能更有效地避免裂痕的產生與阻止裂痕的延伸。

請參照圖12，圖12為本發明第十實施例之顯示面板10i的剖視圖，其中圖12的實施例沿用圖4與圖11的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖12所示，在第十實施例中，第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間。第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430會分別延伸到第一溝槽501與第二溝槽502中。第一溝槽501、第二溝槽502與其中的有機薄膜封裝層430能吸收更多的應力，並且即使在裂痕穿過第一溝槽501的情況下，仍有第二溝槽502可以阻擋裂痕的延伸，進而減少裂痕延伸至顯示區110的風險。

請參照圖13，圖13為本發明第十一實施例之顯示面板10j的剖視圖，其中圖13的實施例沿用圖7與圖10的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖13所示，在第十一實施例中，溝槽500貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320，而顯示面板10j更包括至少一擋牆600，且第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430會延伸到溝槽500中。並且，在有機薄膜封裝層430的成形過程中，有機薄膜封裝層430會受到擋牆600的限制而不易溢流出去，且溝槽500也可讓過多的有機薄膜封裝層430流入，因而擋牆600與溝槽500互相配合可更有效地防止有機薄膜封裝層430溢流。

請參照圖14，圖14為本發明第十二實施例之顯示面板10k的剖視圖，其中圖14的實施例沿用圖8與圖11的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖14所示，在第十二實施例中，溝槽500a貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330，而第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430會延伸到溝槽500a中。並且，顯示面板10k包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，且溝槽500a位於擋牆600以及畫素陣列200之間，而封裝層400則接觸並覆蓋於擋牆600上，且第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430的一部分會填入溝槽500a中。

請參照圖15，圖15為本發明第十三實施例之顯示面板10m的剖視圖，其中圖15的實施例沿用圖4與14的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖15所示，在第十三實施例中，第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間，而第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430會分別延伸到第一溝槽501與第二溝槽502中。並且，顯示面板10m包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，且溝槽500b(第一溝槽501與第二溝槽502)位於擋牆600以及畫素陣列200之間，而封裝層400則接觸並覆蓋於擋牆600上，且第一無機薄膜封裝層410與有機薄膜封裝層430的一部分會分別填入第一溝槽501與第二溝槽502中。

請參照圖16，圖16為本發明第十四實施例之顯示面板10n的剖視圖，其中圖16的實施例沿用圖1及圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖16所示，在第十四實施例中，溝槽500貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320，而有機薄膜封裝層430會延伸到溝槽500中，第一無機薄膜封裝層410和第二無機薄膜封裝層420並不延伸到溝槽500中。在本實施例中，溝槽500中沒有填入有機絕緣填料340，而在封裝層400的第一無機薄膜封裝層410成形時，會覆蓋畫素陣列200與複合絕緣層300，但不會覆蓋溝槽500，因而在第一無機薄膜封裝層410成形之後，溝槽500中並不存在第一無機薄膜封裝層410的一部分。接著在封裝層400的有機薄膜封裝層430的成形過程中，有機薄膜封裝層430會流入溝槽500，並填入溝槽500。換言之，溝槽500中僅具有有機薄膜封裝層430。此外，在有機薄膜封裝層430的成形過程中，溝槽500可讓過多的有機薄膜封裝層430流入，因而溝槽500亦有防止有機薄膜封裝層430溢流的功能。並且，相較於一般無機絕緣材料，溝槽500中的有機薄膜封裝層430會具有更佳的柔韌性，因此溝槽500中的有機薄膜封裝層430可吸收應力，以減少裂痕的產生或阻擋裂痕的延伸。

請參照圖17，圖17為本發明第十五實施例之顯示面板10o的剖視圖，其中圖17的實施例沿用圖3與圖16的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖17所示，在第十五實施例中，溝槽500a更貫穿第三絕緣層330。並且，由於溝槽500a貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330，因此有機薄膜封裝層430會延伸到第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330。溝槽500a在垂直方向Dv上比溝槽500更深，且有機薄膜封裝層430在垂直方向Dv上亦更深入複合絕緣層300中，因此，溝槽500a與其中的有機薄膜封裝層430能吸收更多的應力，並能更有效地避免裂痕的產生與阻止裂痕的延伸。

請參照圖18，圖18為本發明第十六實施例之顯示面板10p的剖視圖，其中圖18的實施例沿用圖9與圖17的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖18所示，在第十六實施例中，第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間。有機薄膜封裝層430會分別延伸到第一溝槽501 與第二溝槽502中。第一溝槽501、第二溝槽502與其中的有機薄膜封裝層430能吸收更多的應力，並且即使在裂痕穿過第一溝槽501的情況下，仍有第二溝槽502可以阻擋裂痕的延伸，進而減少裂痕延伸至顯示區110的風險。

請參照圖19，圖19為本發明第十七實施例之顯示面板10q的剖視圖，其中圖19的實施例沿用圖7與圖16的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖19所示，在第十七實施例中，溝槽500貫穿第一絕緣層310與第二絕緣層320，而顯示面板10q更包括至少一擋牆600，且有機薄膜封裝層430會延伸到溝槽500中。並且，在有機薄膜封裝層430的成形過程中，有機薄膜封裝層430會受到擋牆600的限制而不易溢流出去，且溝槽500也可讓過多的有機薄膜封裝層430流入，因而擋牆600與溝槽500互相配合可更有效地防止有機薄膜封裝層430溢流。

請參照圖20，圖20為本發明第十八實施例之顯示面板10r的剖視圖，其中圖20的實施例沿用圖17與圖19的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖20所示，在第十八實施例中，溝槽500a貫穿第一絕緣層310、第二絕緣層320與第三絕緣層330，而有機薄膜封裝層430會延伸到溝槽500a中。並且，顯示面板10r更包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，且溝槽500a位於擋牆600以及畫素陣列200之間。封裝層400接觸並覆蓋於擋牆600上，且有機薄膜封裝層430的一部分會填入溝槽500a中。

請參照圖21，圖21為本發明第十九實施例之顯示面板10s的剖視圖，其中圖21的實施例沿用圖18與圖20的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

如圖21所示，在第十九實施例中，第二溝槽502位在第一溝槽501與畫素陣列200之間，而有機薄膜封裝層430會分別延伸到第一溝槽501與第二溝槽502中。並且，顯示面板10s更包括擋牆600，擋牆600位於外圍區120並位於第一絕緣層310上，封裝層400接觸並覆蓋於擋牆600上，舉例來說，第二無機薄膜封裝層420接觸並覆蓋於擋牆600上，且有機薄膜封裝層430的一部分會分別填入第一溝槽501與第二溝槽502中。

綜上所述，根據本發明所提出的顯示面板的諸多實施例，在顯示面板的外圍區設置有溝槽，且溝槽中還填有填料，藉由溝槽與填料來吸收應力並形成緩衝，從而可降低外圍區在被切割時產生裂痕的可能，且即使有裂痕產生，裂痕也會被溝槽與填料阻止而無法往顯示區的方向延伸。如此一來，可避免顯示面板的電性元件因為裂痕而破損或斷裂，確保顯示面板的品質。

雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種顯示面板，包括：一基底，具有一顯示區、一外圍區與一電路區，該外圍區實質上圍繞該顯示區，該電路區位於該顯示區與該外圍區之間；一畫素陣列，位於該基底上且位於該顯示區內，該畫素陣列包括：複數薄膜電晶體，各該薄膜電晶體包括：一主動層；一閘絕緣層，位於該主動層上；一閘極，位於該閘絕緣層上；一層間絕緣層，位於該閘極上；以及一源極與一汲極，位於該層間絕緣層上且分別藉由複數第一接觸洞而電性連接該主動層，該些第一接觸洞貫穿該層間絕緣層與該閘絕緣層；複數電激發光元件，分別電性連接對應的該薄膜電晶體的該汲極；以及一畫素定義層，位於該層間絕緣層上，其中各該電激發光元件包括：一下電極，位於該層間絕緣層與該畫素定義層之間；一上電極；以及一發光層，位於貫穿該畫素定義層的一開口中且位於該下電極以及該上電極之間，其中該畫素陣列更包括一平坦層位於該層間絕緣層與該畫素定義層之間，該平坦層具有複數第二接觸洞，其中該些電激發光元件的該下電極分別藉由該些第二接觸洞電性連接至對應的該薄膜電晶體的該汲極；一複合絕緣層，位於該基底上且位於該外圍區，該複合絕緣層包括：一第一絕緣層，與該層間絕緣層由同一材料層形成；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層與該基底之間，該第二絕緣層與該閘絕緣層由同一材料層形成，其中至少一溝槽貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層；以及一有機絕緣填料，該有機絕緣填料完全填充該至少一溝槽並與該至少一溝槽側壁處之該第一絕緣層與該第二絕緣層接觸；一封裝層，位於該畫素陣列與該複合絕緣層上，該封裝層與該至少一溝槽重疊，該封裝層包括一第一無機薄膜封裝層、一有機薄膜封裝層與一第二無機薄膜封裝層，該第一無機薄膜封裝層位於該畫素陣列與該複合絕緣層上，該有機薄膜封裝層位於該第一無機薄膜封裝層與該第二無機薄膜封裝層之間；至少一擋牆，位於該第一絕緣層上，其中該至少一溝槽位於該至少一擋牆以及該畫素陣列之間，該封裝層覆蓋該至少一擋牆，且第二無機薄膜封裝層更覆蓋該擋牆之外的該第一絕緣層；以及一閘極驅動電路，位於該基底上且位於該電路區內，該閘極驅動電路電性連接該畫素陣列，其中該畫素定義層以及該平坦層係從該顯示區延伸至該電路區，該閘極驅動電路係被該畫素定義層以及該平坦層覆蓋，該第二無機薄膜封裝層覆蓋該閘極驅動電路、該畫素定義層、該平坦層、該至少一溝槽以及該至少一擋牆，該有機薄膜封裝層覆蓋該閘極驅動電路、該畫素定義層、該平坦層以及該至少一溝槽但不覆蓋該至少一擋牆之全部，該至少一溝槽位於該閘極驅動電路以及該至少一擋牆之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該畫素陣列更包括一緩衝層位於該基底與該主動層之間，該複合絕緣層更包括一第三絕緣層位於該基底與該第二絕緣層之間，該第三絕緣層與該緩衝層由同一材料層形成。
如請求項2所述的顯示面板，其中該至少一溝槽更貫穿該第三絕緣層。
如請求項3所述的顯示面板，其中該至少一溝槽包括一第一溝槽與一第二溝槽，該第二溝槽位在該第一溝槽與該畫素陣列之間。
如請求項2所述的顯示面板，其中該至少一溝槽包括一第一溝槽與一第二溝槽，該第二溝槽位在該第一溝槽與該畫素陣列之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該至少一擋牆與該畫素定義層由同一材料層形成。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該有機絕緣填料與該畫素定義層由同一材料層形成。
如請求項1所述的顯示面板，其中該有機薄膜封裝層之一部分填入該至少一溝槽內。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一無機薄膜封裝層之一部分與該有機薄膜封裝層之一部分填入該至少一溝槽內。
如請求項1所述的顯示面板，其中該基底更具有一電路區，該電路區位於該顯示區與該外圍區之間，該顯示面板更包括一閘極驅動電路位於該基底上且位於該電路區內，該閘極驅動電路電性連接該畫素陣列，其中該畫素定義層以及該平坦層係從該顯示區延伸至該電路區，該閘極驅動電路係被該畫素定義層以及該平坦層覆蓋。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一絕緣層與該層間絕緣層直接連接。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第二絕緣層與該閘絕緣層直接連接。
一種顯示面板，包括：一基底，具有一顯示區、一外圍區與一電路區，該外圍區實質上圍繞該顯示區，該電路區位於該顯示區與該外圍區之間；一畫素陣列，位於該基底上且位於該顯示區內，該畫素陣列包括：複數薄膜電晶體，各該薄膜電晶體包括：一主動層；一閘絕緣層，位於該主動層上；一閘極，位於該閘絕緣層上；一層間絕緣層，位於該閘極上；以及一源極與一汲極，位於該層間絕緣層上且分別藉由複數第一接觸洞而電性連接該主動層，該些第一接觸洞貫穿該層間絕緣層與該閘絕緣層；複數電激發光元件，分別電性連接對應的該薄膜電晶體的該汲極；以及一畫素定義層，位於該層間絕緣層上，其中各該電激發光元件包括：一下電極，位於該層間絕緣層與該畫素定義層之間；一上電極；以及一發光層，位於貫穿該畫素定義層的一開口中且位於該下電極以及該上電極之間，其中該畫素陣列更包括一平坦層位於該層間絕緣層與該畫素定義層之間，該平坦層具有複數第二接觸洞，其中該些電激發光元件的該下電極分別藉由該些第二接觸洞電性連接至對應的該薄膜電晶體的該汲極；一複合絕緣層，位於該基底上且位於該外圍區，該複合絕緣層包括：一第一絕緣層，與該層間絕緣層由同一材料層形成；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層與該基底之間，該第二絕緣層與該閘絕緣層由同一材料層形成，其中至少一溝槽貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層；以及一有機絕緣填料，該有機絕緣填料完全填充該至少一溝槽並與該至少一溝槽側壁處之該第一絕緣層與該第二絕緣層接觸；一封裝層，位於該畫素陣列與該複合絕緣層上，該封裝層與該至少一溝槽重疊，該封裝層包括一第一無機薄膜封裝層、一有機薄膜封裝層與一第二無機薄膜封裝層，該第一無機薄膜封裝層位於該畫素陣列與該複合絕緣層上，該有機薄膜封裝層位於該第一無機薄膜封裝層與該第二無機薄膜封裝層之間；至少一擋牆，位於該第一絕緣層上，其中該至少一溝槽位於該至少一擋牆以及該畫素陣列之間，該封裝層覆蓋該至少一擋牆，且第一無機薄膜封裝層更覆蓋該擋牆之外的該第一絕緣層；以及一閘極驅動電路，位於該基底上且位於該電路區內，該閘極驅動電路電性連接該畫素陣列，其中該畫素定義層以及該平坦層係從該顯示區延伸至該電路區，該閘極驅動電路係被該畫素定義層以及該平坦層覆蓋，該第一無機薄膜封裝層覆蓋該閘極驅動電路、該畫素定義層、該平坦層、該至少一溝槽以及該至少一擋牆，該有機薄膜封裝層覆蓋該閘極驅動電路、該畫素定義層、該平坦層以及該至少一溝槽但不覆蓋該至少一擋牆之全部，該至少一溝槽位於該閘極驅動電路以及該至少一擋牆之間。