TWI673483B - 用於藉由折射及具有感磁性之波之速度上的改變來測量溫度的方法 - Google Patents

用於藉由折射及具有感磁性之波之速度上的改變來測量溫度的方法 Download PDF

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TWI673483B
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Abstract

於此描述用於決定在真空腔室中使用熱感應器的基板臨場溫度的方法及設備。在一個實施例中，熱感應器具有一傳送器，該傳送器經配置以傳送電磁波；一接收器，該接收器經配置以接收電磁波；及一控制器，該控制器經配置以控制該傳送器及該接收器，其中該控制器自所傳送的該電磁波及所接收的該電磁波之間的一差異來決定一溫度。

Description

用於藉由折射及具有感磁性之波之速度上的改變來測量溫 度的方法
本發明之實施例相關於半導體裝置的製造。更特定地，實施例相關於製造期間測量半導體裝置的溫度。
快速熱處理(或RTP)意指在數秒或更低的時幅上快速加熱矽晶圓至高溫(高至攝氏1200度或更高)的半導體製造處理。然而在冷卻期間，晶圓溫度必須緩慢下降以防止導因於熱震動的錯位及晶圓破裂。快速加熱速率通常由高強度燈具或雷射來達成。使用RTP於半導體製造中的廣泛應用，包含摻雜物活化、熱氧化、金屬回流及化學氣相沉積。
測量處理溫度對控制RTP工具中的快速加熱及冷卻速率為重要的，以防止對在其中處理的矽晶圓之損壞。因此，RTP工具需要具有快速反應、精確且能夠精確測量約250攝氏度至1100攝氏度之溫度範圍中的溫度之溫度測量裝置。通常對RTP工具而言在以下兩能力間折衷：快速且精確地於溫度範圍之一端以相對低 的成本測量基板溫度的能力、及於溫度範圍之另一端測量該溫度的能力。
因此，存在有改良溫度測量裝置的需求。
於此描述用於決定在真空腔室中使用熱感應器的基板臨場溫度的方法及設備。在一個實施例中，熱感應器具有一傳送器，該傳送器經配置以傳送電磁波；一接收器，該接收器經配置以接收電磁波；及一控制器，該控制器經配置以控制該傳送器及該接收器，其中可操作該控制器以自所傳送的該電磁波及所接收的該電磁波之間的一差異來決定一溫度。
在另一實施例中，提供一處理腔室。該處理腔室包含一腔室主體及一基板支撐件，該基板支撐件設置於該腔室主體的一內部容積中。傳送器經定向以經過設置於該基板支撐件上的一基板來傳送電磁波。接收器經定向以接收由該傳送器發射的電磁波。控制器經配置以控制該傳送器及該接收器。可操作該控制器以自所傳送的該電磁波及所接收的該電磁波的一磁場變化來決定一溫度。
而在另一實施例中，提供用於設置於一處理腔室中的一基板的一溫度的非接觸測量之方法。該方法包含以下步驟：將一基板傳輸進入一處理腔室；引導一電磁波穿過設置於該處理腔室中的該基板；在通過該基板之後接收該電磁波；及基於所引導的該電磁波及所接 收的該電磁波之間的一改變的一度量指示來決定該基板的一溫度。
100‧‧‧處理腔室
101‧‧‧腔室主體
102‧‧‧燈具
103‧‧‧負載埠
104‧‧‧背側
105‧‧‧升降銷
107‧‧‧基板支撐件
108‧‧‧基板
111‧‧‧孔洞
114‧‧‧下方圓頂
116‧‧‧上方表面
122‧‧‧反射器
126‧‧‧入口
128‧‧‧上方圓頂
130‧‧‧出口
132‧‧‧中央軸件
134‧‧‧方向
136‧‧‧熱控制空間
141‧‧‧燈泡
143‧‧‧反射器
145‧‧‧燈頭
146‧‧‧信號
147‧‧‧信號
149‧‧‧通道
156‧‧‧處理氣體區域
158‧‧‧沖洗氣體區域
160‧‧‧底板
161‧‧‧流動路徑
162‧‧‧襯墊組件
163‧‧‧沖洗氣體來源
164‧‧‧沖洗氣體入口埠
165‧‧‧流動路徑
166‧‧‧流動路徑
169‧‧‧流動路徑
170‧‧‧開口
173‧‧‧處理氣體供應來源
175‧‧‧處理氣體入口埠
178‧‧‧氣體出口埠
180‧‧‧真空幫浦
182‧‧‧控制器
184‧‧‧功率供應
190‧‧‧熱感應器
191‧‧‧傳送器
192‧‧‧接收器
194‧‧‧感應器控制器
208‧‧‧下側
210‧‧‧正交角度
212‧‧‧第二角度
216‧‧‧位移
218‧‧‧中介角度
220‧‧‧正交角度
222‧‧‧第一角度
240‧‧‧中介信號
於是可以詳細理解上述本發明特徵的方式，可藉由參考實施例而具有本發明之更特定描述，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖式本發明典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本發明可允許其他有效實施例。
第1圖為具有熱感應器的處理腔室之示意截面視圖。
第2圖為展示於第1圖的處理腔室中的熱感應器之示意截面視圖。
為了便於理解，盡可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量揭露於一個實施例中的元件可有利地利用於其他實施例，而無須特定敘述。
本揭示案的實施例一般相關於用於快速測量基板溫度的設備及方法，該基板係於具有快速且極端的溫度改變之腔室中受到處理。溫度測量裝置可幫助控制基板溫度，以便最小化導因於過度加熱的損壞及可在基板處理期間損壞基板的熱震動瞬間。在一個實施例中，溫度控制裝置可使用無線電波繞射以快速且精確地測量基板溫度。在另一實施例中，溫度控制裝置可使用電磁波以快速且精確地測量基板溫度。
第1圖為根據一個實施例之具有熱感應器190的處理腔室100之示意截面視圖。可使用處理腔室100以處理一個或更多個基板，包含在基板的上方表面(例如第1圖中所描繪的基板108的上方表面116)上沉積一材料。處理腔室100包含腔室主體101，腔室主體101連接至上方圓頂128及下方圓頂114。在一個實施例中，上方圓頂128可由以下材料來製造：例如不鏽鋼、鋁、或包含石英的陶瓷、包含氣泡石英(例如，具有液包體的石英)、氧化鋁、氧化釔或藍寶石。上方圓頂128也可由塗覆金屬或陶瓷來形成。下方圓頂114可由光學透明或半透明材料(例如石英)來形成。下方圓頂114耦合至腔室主體101，或為腔室主體101的整體部分。腔室主體101可包含支撐上方圓頂128的底板160。
設置一陣列的輻射加熱燈具102於下方圓頂114下方，用以加熱其他組件外，設置於處理腔室100內的基板支撐件107的背側104。交替地，設置該陣列的輻射加熱燈具102於上方圓頂128上方，用以加熱其他組件外，設置於處理腔室100內的基板108的上方表面116。在沉積期間，基板108可經由裝載埠103被帶入處理腔室100且置於基板支撐件107上。可適用燈具102以加熱基板108至預先決定溫度，以便於供應進入處理腔室的處理氣體之熱分解，以沉積材料於基板108的上方表面116上。在一個範例中，沉積於基板108上的材料可為群組III、群組IV及/或群組V材料、或包含 群組III、群組IV及/或群組V摻雜物的材料。例如，沉積材料可為下列之其中一者或多者：砷化鎵、氮化鎵、或氮化鋁鎵。可適用燈具102以快速加熱基板108至約300攝氏度至約1200攝氏度的溫度，例如約300攝氏度至約950攝氏度。
燈具102可包含被可選的反射器143(相鄰於下方圓頂114且在下方圓頂114下方設置)環繞的燈泡141，以在處理氣體通過以便於將材料沉積於基板108的上方表面116上時加熱基板108。燈具102被安置為繞著基板支撐件107的軸件132增加的半徑之環狀群組。軸件132由石英形成且包含中空部分或其中的孔穴，而減低了靠近基板108中央的輻射能量之側向位移，因而便於一致的照射基板108。
在一個實施例中，每個燈具102耦合至功率分布板(未顯示)，經由功率分布板，功率被供應至每個燈具102。放置燈具102於燈頭145內，在被處理期間或處理後可冷卻燈頭145，該處理係藉由例如將冷卻流體導入位於燈具102之間的通道149。燈頭145傳導地冷卻下方圓頂114，部分因為燈頭145與下方圓頂114很靠近。燈頭145也可冷卻燈壁及反射器143的壁。如果需要，燈頭145可與下方圓頂114接觸。
展示基板支撐件107為處於升高的處理位置，但可藉由致動器(未展示)垂直移動至處理位置下方的裝載位置，以允許升降銷105接觸下方圓頂114。升 降銷105通過基板支撐件107中的孔洞111且將基板108由基板支撐件107提高。機械手臂(未展示)可接著進入處理腔室100以占用且經由裝載埠103從處理腔室100移除基板108。放置新的基板於基板支撐件107上，接著可提高至處理位置以放置基板108，上方表面116(其中裝置多在上方表面116上面朝上形成)與基板支撐件107的前側110接觸。
設置於處理腔室100中的基板支撐件107將處理腔室100的內部容積分隔成處理氣體區域156(基板支撐件107的前側110上方)及沖洗氣體區域158(基板支撐件107下方)。基板支撐件107在處理期間藉由中央軸件132旋轉，以最小化處理腔室100內的熱及處理氣體流動空間不一致性的影響，因此便於基板108的一致處理。基板支撐件107藉由中央軸件132支撐，中央軸件132在裝載及卸載期間(且在一些範例中，在基板108處理期間)在往上及往下的方向134上移動基板108。基板支撐件107可由具有低熱質量或低熱容量的材料形成，使得被基板支撐件107吸收及發射的能量最小化。基板支撐件107可由碳化矽或塗覆碳化矽的石墨形成，以吸收來自燈具102的輻射能量且快速地傳導輻射能量至基板108。在一個實施例中，基板支撐件107在第1圖中被展示成具有中央開口的環，以便於基板中央曝露於由燈具102產生的熱輻射下。基板支撐件107可自基板108邊緣支撐基板108。在另一實施例中，基板 支撐件107也可為不含中央開口的碟狀構件。而在另一實施例中，基板支撐件107也可為碟狀或橢圓盤狀的基板支撐件，或由個別指狀物延伸的複數個插銷，例如三個插銷或五個插銷。
在一個實施例中，上方圓頂128及下方圓頂114由光學透明或半透明材料(例如石英)形成。上方圓頂128及下方圓頂114為薄的以最小化熱記憶體。在一個實施例中，上方圓頂128及下方圓頂114可具有約3mm及約10mm之間的厚度，例如約4mm。藉由將熱控制流體(例如冷卻氣體)經由入口126導入熱控制空間136及經由出口130抽出熱控制流體，可熱控制上方圓頂128。在一些實施例中，經過熱控制空間136的冷卻流體循環可減低於上方圓頂128的內表面上的沉積。
可在腔室主體101內設置襯墊組件162，且襯墊組件162被底板160的內圓周環繞。襯墊組件162可由處理阻抗性材料形成，且一般將處理容積(亦即，處理氣體區域156及沖洗氣體區域158)屏蔽於腔室主體101的金屬壁外。可穿過襯墊組件162設置開口170(例如狹縫閥)且與裝載埠103對齊，以允許基板108的通過。
經由形成於底板160的側壁中的處理氣體入口埠175，將供應自處理氣體供應來源173的處理氣體導入處理氣體區域156。也可在襯墊組件162中形成額外的開口(未展示)以允許氣體流經。處理氣體入口埠 175經配置以在一般徑向朝內的方向上引導處理氣體。在薄膜形成處理期間，基板支撐件107位於處理位置中，而相鄰於處理氣體入口埠175且處於與處理氣體入口埠175約相同的高度，因而允許處理氣體沿著流動路徑169流動，流動路徑169係跨過基板108的上方表面116而界定。處理氣體經由氣體出口埠178離開處理氣體區域156(沿著流動路徑165)，氣體出口埠178位於處理腔室100相對於處理氣體入口埠175的相對側上。可藉由耦合至氣體出口埠178的真空幫浦180，而便於經由氣體出口埠178移除處理氣體。當處理氣體入口埠175及氣體出口埠178相互對齊且設置大致於相同高度，相信此平行安置將致能跨過基板108的一般平坦、一致的氣體流動。可藉由基板108經由基板支撐件107的旋轉來提供進一步的徑向一致性。
將供應自沖洗氣體來源163的沖洗氣體經由沖洗氣體入口埠164導入沖洗氣體區域158，沖洗氣體入口埠164在底板160的側壁中形成。設置沖洗氣體入口埠164於處理氣體入口埠175下方的一高度。沖洗氣體入口埠164經配置以在一般徑向朝內的方向上引導沖洗氣體。如果需要，沖洗氣體入口埠164可經配置以在朝上的方向上引導沖洗氣體。在薄膜形成處理期間，基板支撐件107位於一位置中，使得沖洗氣體沿著流動路徑161跨過基板支撐件107的背側104流動。不受任何特定理論限制，相信沖洗氣體之流動能防止或實質避免 處理氣體流動進入沖洗氣體區域158，或減低處理氣體擴散進入沖洗氣體區域158(亦即，基板支撐件107下方的區域)。沖洗氣體離開沖洗氣體區域158(沿著流動路徑166)且經由氣體出口埠178排出處理腔室，氣體出口埠178位於處理腔室100相對於沖洗氣體入口埠164的相對側上。
相似地，在沖洗處理期間，基板支撐件107可位於升高的位置以允許沖洗氣體側向流動跨過基板支撐件107的背側104。發明領域中具有通常知識者應理解：為了圖示目的展示處理氣體入口埠、沖洗氣體入口埠、及氣體出口埠，因為氣體入口或出口埠的位置、大小、或數量等為可調整的，以進一步便於基板108上一致的材料沉積。
可選地，可放置反射器122於上方圓頂128或下方圓頂114的外部，以將由基板108輻射或基板108傳送的紅外光反射回到基板108上。由於反射的紅外光，藉由包含否則可逸散出處理腔室100的熱將改良加熱的效率。反射器122可由金屬製成，例如鋁或不鏽鋼。反射器122可具有入口126及出口130以乘載流體(例如水)的流動以冷卻反射器122。如果需要，可藉由將反射面積以高反射性塗覆層(例如金塗覆層)塗覆來改善反射效率。
可設置一個或更多個熱感應器190於燈頭145及上方圓頂128中，以測量基板108的熱發射。每 個熱感應器190包含傳送器191及接收器192，且耦合至至少一個感應器控制器194。可設置熱感應器190於燈頭145中的不同位置處，以便於在處理期間檢視(亦即，感應)基板108的不同位置。在一個實施例中，設置熱感應器190於燈頭145下方的腔室主體101的部分上。自基板108的不同位置感應溫度便於決定是否出現溫度反常或不一致性。該等溫度不一致性可導致薄膜形成的不一致性，例如厚度及成分。雖然第1圖中圖示了一個熱感應器190(包括傳送器191及接收器192)，可使用一個或更多個額外的熱感應器190以獲得基板108的邊緣至邊緣溫度剖面。思量可安置熱感應器190以決定基板108的複數個預先決定位置處的溫度。
例如，可放置及/或定向每個熱感應器190以檢視基板108的區域且感應該區域的熱狀態。在一些實施例中，可徑向定向基板108的區域。例如，在旋轉基板108的實施例中，熱感應器190可檢視或界定具有與基板108的中央實質相同的一中央的基板108的中央部分中的中央區域，帶有環繞該中央區域且與其同心的一個或更多個區域。然而，該等區域不須為同心或徑向定向。在一些實施例中，可以非徑向方式在基板108的不同位置處安置區域，例如以Cartesian格狀安置。
可設置熱感應器190的傳送器191於燈具102之間(例如，在通道149中)且定向而實質斜向基板108的上方表面116。在一些實施例中，將傳送器191 及接收器192以實質相似角度定向斜向基板108。在其他實施例中，可定向傳送器191及接收器192相互稍微離開彼此。例如，傳送器191及接收器192可具有相互約5度內的定向角度。
在處理期間，控制器182自熱感應器190(或自感應器控制器194)接收溫度的一度量指示且基於該度量分開地調整輸送至每個燈具102(或個別燈具群組或燈具區域)的功率。控制器182可包含獨立對多種燈具102或燈具區域供電的功率供應184。控制器182也可包含感應器控制器194。控制器182可經配置以產生基板108上所需溫度剖面，且基於對自熱感應器190接收的度量與預先決定的溫度剖面或目標設定點之比較，控制器182可調整對燈具及/或燈具區域的功率，以使指示基板的側向溫度剖面的所觀察(感應)的熱資訊符合所需溫度剖面。控制器182也可調整對燈具及/或燈具區域的功率，以使一個基板的熱處理符合另一基板的熱處理，以防止腔室效能隨著時間飄移。
可操作熱感應器190以偵測基板108上的溫度，例如，感應器控制器194可指示傳送器191發送一傳送信號146。傳送信號146可與基板108或其他可修改、衰減、或變更傳送信號146的主體相互作用。接收信號147(被變更的傳送信號146)被引導遠離基板108至接收器192。接收器192接著將接收信號147傳達至感應器控制器194。感應器控制器194可比較傳送信號 146與接收信號147以決定溫度。第2圖中更詳細討論熱感應器190。
第2圖為展示於第1圖的處理腔室中的熱感應器190之示意截面視圖。雖然一個或更多個傳送器191可引導基板108的上方表面116、基板108的下側208、或兩者之組合處的一個或更多個傳送信號146，機制為相似的，且討論可參考單一傳送器。亦即，傳送器191以第一角度222引導基板108的下側208處的傳送信號146自正交角度210、220至基板108的下側208。傳送信號146藉由基板108變更，例如藉由改變信號的第一角度222(繞射至中介角度218)，如展示為傳播穿過基板108的中介信號240。中介角度218可取決於基板108的屬性以及基板108的溫度。基板的屬性與中介角度218產生信號146、147的位移216。中介信號240離開基板108的上方表面116，可在上方表面116再次繞射至第二角度212，而作為接收信號147接著被接收器192偵測到。在一個實施例中，第一角度222及第二角度212實質相似，在第二實施例中，第一角度222及第二角度212不相似。
熱感應器190可在相關聯於電磁波傳送的一個或更多個法則上運作。熱感應器190可利用基板108的屬性以造成傳送信號146中的改變。該等屬性產生自傳送信號146至取決於溫度的接收信號147的位移216，且根據地，可使用以決定基板108的溫度。在一 個實施例中，可將基板108的溫度偵測為基板108的折射及密度中的改變之函數。例如，矽具有在攝氏0度時約2.3290g．cm3及在攝氏1414度時約2.57g．cm3的密度。電磁波在波通過媒介(例如基板108)且隨著基板108的動態密度變化時，在速率上改變且折射。因此，傳送信號中的改變可指示基板108密度中的改變，而可接著關聯於基板108的溫度。此外，也可使用測量傳送信號146的速度(在傳送信號146傳播通過基板108時被基板108密度影響)，以產生關於基板108溫度的資訊。在另一實施例中，電磁波可決定基板108的電磁場。基板的電磁場中的改變關聯於基板108溫度中的改變。
熱感應器190可衰減至相同波長或頻譜，或衰減至不同波長或頻譜。例如，使用於處理腔室100的基板可為成分上同質的，或可具有不同成分的領域，例如特徵位置。使用衰減至不同波長的熱感應器190可允許具有不同成分及不同發射的基板領域之監視來回應熱能量。
雖然聲波無法穿越真空，無線電波為能夠穿越真空的電磁波。聲音由物質(例如空氣或水)中的壓力變化組成因而無法穿越真空。然而，無線電波(例如可見光、紅外光、紫外光、X射線及伽馬射線)為容易穿越真空的電磁波，使得無線電波適用於真空環境，例如電漿處理腔室，諸如此類。
在一個實施例中，熱感應器190衰減至紅外光波長，例如700奈米至1mm，例如約3μm。熱感應器190可產生連續波，例如正弦波。然而，應理解可為任何合適的波，例如脈衝波。脈衝波可有利地具有較低雜訊，使得脈衝波為熱感應器190的使用所需。例如，脈衝波可測量針對脈衝波自傳送器至接收器的時間變化且比較對抗多種基板溫度的時間變化。
穿越材料媒介的電磁波真實速度取決於該媒介之密度。不同材料造成不同延遲量(因為電磁波的吸收及重新發射處理)。不同材料具有更緊密聚集的原子，因而原子之間的距離量也較低。針對基板108的密度變化取決於材料的天性以及某些屬性，例如基板108的溫度。此外，電磁波的速度取決於材料及電磁波所穿越材料的密度。電磁波的速度越過給定距離梯度地改變。因此，藉由分析電磁波由輸入至輸出的變化，我們可將溫度偵測為基板108的折射及密度中的改變之函數。可藉由比較頻率及速度與折射的改變為溫度函數而在特定點處驗證溫度。
例如，聲波的速度在保持20攝氏度之乾空氣中為約343m/s或約767mph。波的速度取決於媒介(亦即，空氣或基板)的溫度。聲音的速度可表示為v=331m/s+0.6T，其中v為波的速度，T為空氣在攝氏中的度數之溫度，331m/s為乾空氣於0攝氏度中的聲音速度，且0.6為一常數。隨著溫度增加，聲音的速度 也以每攝氏度0.6m/s的速率增加。聲音的速度也取決於媒介的可壓縮性及慣性。導因於媒介的可壓縮性的速度變化可表示為v2=(彈性屬性/慣性屬性)。其中彈性屬性通常為媒介的燈泡模組或Young’s模組，且慣性屬性為媒介的密度。可將這些相同原則應用至電磁波以測量真空氣壓中基板的溫度。
在另一實施例中，可使用經配置以偵測感磁性的感應器190來決定基板108的溫度。使用Curie-Weiss法則，可使用磁場變化以測量基板108中的溫度。感磁性與測量磁場所經基板之溫度反向成比例。因此，在基板108處測量磁場指示測量的溫度。
在一個實施例中，傳送器191可為置於基板下方的磁鐵的形式。在一個實施例中，接收器192可為感應器的形式，該感應器用於使用傳送器191所提供的場以測量基板108的感磁性。可在反射器平板中或下方放置磁鐵(亦即，傳送器191)且相對於基板的磁場控制及隔絕。基板108磁場中的改變可表示為使用Curie’s法則的溫度函數，亦即，χ=M/H=Mμ0/B=C/T。其中χ為在基板108上應用磁場感應的感磁性；M為每單位容積的磁矩，H為巨觀的磁場，μ0為自由空間的磁導率；B為磁場；C為材料特定的Curie常數；而T為(基板)溫度。
熱感應器190針對不同溫度範圍及操作條件可具有不同實施例。在一個實施例中，熱感應器190可 經配置針對一般目的且可操作於約250攝氏度(500華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度。一般目的之熱感應器可包括操作於約0.65μm波長(或約0.7μm及約1.1μm之間；或約0.9μm及約1.9μm之間)的窄頻帶輻射溫度計。一般目的之熱感應器可具有固態光電偵測器(例如Si或Ge等)、約0.9mm直徑的光學解析度、及約250：1的距離率(D-ratio)。
在另一實施例中，熱感應器190可為具有兩色率的高溫計的高精確度熱感應器。該兩色代表使用於熱量測的兩個分離的波長。可於約650攝氏度(1200華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用高精確度熱感應器。高精確度熱感應器可使用針對約0.8μm及約0.9μm的兩色頻帶來操作。優勢地，高精確度熱感應器獨立於發射率、波動及/或視野路徑擾動，且針對移動目標自動補償。
而在另一實施例中，熱感應器190可為可程式化的/高效能的熱感應器。可於約100攝氏度(212華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用可程式化的/高效能的熱感應器。可程式化的/高效能的溫度計可具有內建信號調節及數位計算、在約2μm及約20μm之間的寬或窄帶之頻帶選擇、雙向介面、複數個可程式化功能(例如最大/最小/差分/維持)、針對不同材料成分的可程式化大氣溫度、及透鏡視野的選擇(例如LED或雷射)。
而在另一實施例中，熱感應器190可為高溫一般目的熱感應器。可於約250攝氏度(500華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用高溫一般目的熱感應器。高溫一般目的熱感應器可操作於窄頻帶，例如約0.65μm，或約0.7-1.1μm、或約0.9-1.9μm。高溫一般目的熱感應器可具有固態光電偵測器(例如Si或Ge等)、約0.9mm直徑的光學解析度、及約250：1的距離率。
而在另一實施例中，熱感應器190可為高穩定度熱感應器。可在約300攝氏度(600華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度針對複雜的應用操作高穩定度熱感應器。高穩定度熱感應器可由一個或更多個窄頻帶輻射溫度計組成。例如，高穩定度熱感應器在選擇的頻帶外可在約3.9μm的頻帶中針對玻璃操作及/或經熱氣體、在約5.0μm的頻帶中針對玻璃表面操作、在約4.2μm及約5.3μm之間的頻帶中針對內燃氣體操作。高穩定度熱感應器可具有熱電偵測器、截波穩定化、且具有適用於1mm目標為100：1距離率的光學解析度。高穩定度熱感應器具有約30msec的反應時間且可具有約4mA至約20mA的類比輸出。
而在另一實施例中，熱感應器190可為高速、兩色率熱感應器。可在約150攝氏度(300華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度操作高速、兩色率熱感應器。高速、兩色率溫度計可具有窄頻帶， 例如約0.8μm及約2.1μm之間的第一帶及約0.9μm及約2.4μm之間的第二帶。高速、兩色率熱感應器可額外具有內部震動檢查。優勢地，高速、兩色率熱感應器大幅獨立於發射率、波動及/或視野路徑擾動，且針對移動目標自動補償。
前述係本發明之實施例，可修改本發明之其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍。

Claims (20)

  1. 一種熱感應器，包括：一傳送器，該傳送器經配置以傳送電磁波至一基板之一近側；一接收器，該接收器經配置以接收電磁波，該電磁波係從該基板之一遠側於該基板內折射通過該基板，所接收到之電磁波與所傳送之電磁波之間具有一位移；及一控制器，該控制器經配置以控制該傳送器及該接收器，其中該控制器經配置以使得該傳送器在經測量之一初始位置處朝向該基板之該近側傳送電磁波，其中控制器進一步經配置以在相對於該初始位置之一第二經測量位置處從該基板之該遠側測量該接收器所接收到之折射電磁波的位移，其中可操作該控制器以由所傳送之電磁波與所接收到之折射電磁波之間所測量到的位移來決定一溫度。
  2. 如請求項1所述之熱感應器，其中當決定所傳送之電磁波與所接收到之電磁波之間所測量到的位移時，可操作該控制器以決定該溫度為折射及密度變化量的函數。
  3. 如請求項1所述之熱感應器，其中當決定所傳送之電磁波與所接收到之電磁波之間所測量到的 位移時，可操作該控制器以決定該溫度為所接收到之電磁波的速度變化量的函數。
  4. 如請求項1所述之熱感應器，其中該傳送器經配置以產生無線電波。
  5. 如請求項4所述之熱感應器，其中該傳送器經配置以產生連續電磁波。
  6. 如請求項4所述之熱感應器，其中該傳送器經配置以產生脈衝電磁波。
  7. 如請求項4所述之熱感應器，其中該傳送器具有約250攝氏度及2500攝氏度之間的一操作溫度。
  8. 一種處理腔室，包括：一腔室主體；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該腔室主體的一內部容積中；一傳送器，該傳送器經定向以經過設置於該基板支撐件上的一基板之一近側來傳送電磁波；一接收器，該接收器經定向以接收該傳送器所發射之電磁波，該電磁波係從該基板之一遠側於該基板內折射通過該基板，所接收到之電磁波與所傳送之電磁波之間具有一位移；及一控制器，該控制器經配置以控制該傳送器及該接 收器，其中該控制器經配置以使得該傳送器在經測量之一初始位置處朝向該基板之該近側傳送電磁波，其中控制器進一步經配置以在相對於該初始位置之一第二經測量位置處從該基板之該遠側測量該接收器所接收到之折射電磁波的位移，其中可操作該控制器以由所傳送之電磁波與所接收到之電磁波的一磁場變化來決定一溫度，其中該磁場變化為所傳送之電磁波與所接收到之折射電磁波之間所測量到的位移。
  9. 如請求項8所述之處理腔室，其中該腔室主體包括：一下方圓頂；一上方圓頂；及一輻射加熱燈具陣列，係配置以穿過該下方圓頂來加熱設置於該基板支撐件上之一基板。
  10. 如請求項8所述之處理腔室，其中該傳送器及該接收器經定向以斜向該基板支撐件的一基板支撐表面。
  11. 如請求項8所述之處理腔室，其中該傳送器及該接收器經定向為相互約5度內。
  12. 如請求項8所述之處理腔室，其中該傳送器經配置以產生無線電波。
  13. 如請求項12所述之處理腔室，其中該傳 送器經配置以產生連續電磁波。
  14. 如請求項12所述之處理腔室，其中該傳送器經配置以產生脈衝電磁波。
  15. 如請求項12所述之處理腔室，其中該傳送器具有約250攝氏度及2500攝氏度之間的一操作溫度。
  16. 一種用於設置於一處理腔室中的一基板的一溫度的非接觸測量之方法，該方法包括以下步驟：將一基板傳輸進入一處理腔室；引導一電磁波穿過設置於該處理腔室中在經測量之一初始位置處的該基板之一近側；在經引導之電磁波在相對於該初始位置之一第二經測量位置處從該基板之一遠側於該基板內折射通過該基板之後接收電磁波；及基於所引導之電磁波與所接收到之電磁波之間的一改變的一度量指示來決定該基板的一溫度，其中該改變係為在相對於該初始位置之一第二經測量位置處從所傳送之電磁波與所接收到之折射電磁波之間所測量到的位移。
  17. 如請求項16所述之方法，其中引導電磁波穿過設置於該處理腔室中的該基板之步驟進一步 包括以下步驟：引導一無線電波穿過該基板。
  18. 如請求項17所述之方法，其中引導無線電波穿過設置於該處理腔室中的該基板之步驟進一步包括以下步驟：產生該電磁波之脈衝。
  19. 如請求項16所述之方法，其中引導電磁波穿過設置於該處理腔室中的該基板之步驟進一步包括以下步驟：引導一電磁波斜向穿過該基板。
  20. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟：將該處理腔室中的該基板退火；或將一材料沉積於該基板上，該材料係選擇自以下所組成的群組：一群組III材料、群組IV材料、一群組V材料、及包含一群組III材料摻雜物、一群組IV材料摻雜物、及群組V材料摻雜物的一材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717176B (zh) * 2019-12-26 2021-01-21 陳瑞凱 一種高溫磁性溫度計之校正方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2543048B (en) 2015-10-05 2022-06-08 Equinor Energy As Estimating flow rate at a pump
JP6869101B2 (ja) * 2017-05-12 2021-05-12 株式会社ダイセル 接着剤層形成装置、半導体チップ製造ライン、及び積層体の製造方法
US11942345B2 (en) * 2022-07-15 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Automated substrate placement to chamber center

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US5049806A (en) * 1988-12-28 1991-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Band-gap type voltage generating circuit for an ECL circuit
TW200300968A (en) * 2001-12-11 2003-06-16 Applied Materials Inc Waveguides such as SiGeC waveguides and method of fabricating the same
US20150221535A1 (en) * 2014-01-31 2015-08-06 Andrew Nguyen Temperature measurement using silicon wafer reflection interference

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072055A (en) * 1975-03-17 1978-02-07 Elliott Stanley B Visual-type temperature-responsive device
US4201446A (en) * 1978-10-20 1980-05-06 Honeywell Inc. Fiber optic temperature sensor using liquid component fiber
US4215576A (en) * 1979-01-22 1980-08-05 Rockwell International Corporation Optical temperature sensor utilizing birefringent crystals
US5560712A (en) * 1982-08-06 1996-10-01 Kleinerman; Marcos Y. Optical systems for sensing temperature and thermal infrared radiation
US4756627A (en) * 1984-08-17 1988-07-12 Sperry Corporation Optical temperature sensor using photoelastic waveguides
US4890245A (en) * 1986-09-22 1989-12-26 Nikon Corporation Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor
US4839515A (en) * 1987-03-13 1989-06-13 I.V.P. Co. Fiber optic transducer with fiber-to-fiber edge coupling
US5052820A (en) * 1987-06-08 1991-10-01 Electric Power Research Institute, Inc. Thermal refractive materials for optical sensor application
US5258602A (en) * 1988-02-17 1993-11-02 Itt Corporation Technique for precision temperature measurements of a semiconductor layer or wafer, based on its optical properties at selected wavelengths
US4891499A (en) * 1988-09-09 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature uniformity control and slip-free heating in lamp heated single-wafer rapid thermal processing systems
US5229303A (en) * 1989-08-29 1993-07-20 At&T Bell Laboratories Device processing involving an optical interferometric thermometry using the change in refractive index to measure semiconductor wafer temperature
US5049816A (en) 1990-05-31 1991-09-17 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate minority carrier lifetime measurements
WO1992002912A1 (en) * 1990-08-06 1992-02-20 Schier J Alan Sensing apparatus
US5377126A (en) * 1991-09-13 1994-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate
JPH0618433A (ja) * 1992-06-30 1994-01-25 Mitsubishi Electric Corp ボンディング装置及び方法
AU4689293A (en) * 1992-07-15 1994-02-14 On-Line Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring layer processing
US5263776A (en) * 1992-09-25 1993-11-23 International Business Machines Corporation Multi-wavelength optical thermometry
US5660472A (en) * 1994-12-19 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
JP3563224B2 (ja) * 1996-03-25 2004-09-08 住友電気工業株式会社 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置
KR970073700A (ko) * 1996-05-13 1997-12-10 제임스 조셉 드롱 반응 챔버에 대한 온도 조절 방법 및 장치
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US6395363B1 (en) * 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
US6116779A (en) * 1997-03-10 2000-09-12 Johnson; Shane R. Method for determining the temperature of semiconductor substrates from bandgap spectra
US6123766A (en) * 1997-05-16 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for achieving temperature uniformity of a substrate
US6062729A (en) * 1998-03-31 2000-05-16 Lam Research Corporation Rapid IR transmission thermometry for wafer temperature sensing
JP2000058423A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Toshiba Corp 熱処理方法及び熱処理装置
US6304328B1 (en) * 1998-08-14 2001-10-16 Research Foundation Of State University Of New York, The Office Of Technology Licensing, Suny Non-contact temperature and concentration measurement on liquid surfaces
US6770134B2 (en) 2001-05-24 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method for fabricating waveguides
US7734439B2 (en) * 2002-06-24 2010-06-08 Mattson Technology, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US7778533B2 (en) * 2002-09-12 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor thermal process control
US6768084B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-27 Axcelis Technologies, Inc. Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile
DE10301416B3 (de) * 2003-01-16 2004-07-15 Medizinisches Laserzentrum Lübeck GmbH Verfahren und Vorrichtung zur kontaktlosen Temperaturüberwachung und -regelung
US8658945B2 (en) * 2004-02-27 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Backside rapid thermal processing of patterned wafers
KR100601956B1 (ko) * 2004-06-28 2006-07-14 삼성전자주식회사 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치
NZ534673A (en) * 2004-08-12 2006-03-31 Agres Ltd Non-invasive sensor and method of use for measuring the temperature and composition of frozen food products
US8152365B2 (en) * 2005-07-05 2012-04-10 Mattson Technology, Inc. Method and system for determining optical properties of semiconductor wafers
EP1909083A4 (en) 2005-07-05 2011-12-14 Univ Hiroshima TEMPERATURE MEASURING DEVICE, THERMAL PROCESSING DEVICE USING SAME, AND TEMPERATURE MEASURING METHOD
US7543981B2 (en) * 2006-06-29 2009-06-09 Mattson Technology, Inc. Methods for determining wafer temperature
FR2910621B1 (fr) * 2006-12-21 2009-02-06 Renault Sas Procede et dispositif de controle de la qualite d'un cordon de soudure
US7976216B2 (en) * 2007-12-20 2011-07-12 Mattson Technology, Inc. Determining the temperature of silicon at high temperatures
US8042996B2 (en) * 2008-06-09 2011-10-25 Black & Decker Inc. Non-contact thermometer
US7997121B2 (en) * 2008-07-11 2011-08-16 Savannah River Nuclear Solutions, Llc Milliwave melter monitoring system
CN201464075U (zh) * 2009-05-15 2010-05-12 武汉烽火富华电气有限责任公司 长程声表面波温度传感***
CN101644608B (zh) * 2009-05-20 2013-05-29 中国科学院声学研究所 一种集成式的声表面波无线温度传感器
US20110150035A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Hanson Ronald K Non-intrusive method for sensing gas temperature and species concentration in gaseous environments
US8543357B1 (en) * 2010-07-30 2013-09-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy RF power density and field characterization technique
US8967860B2 (en) 2011-02-07 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Low temperature measurement and control using low temperature pyrometry
CN102353473A (zh) * 2011-06-23 2012-02-15 成都赛康信息技术有限责任公司 基于声表面波的无线传感器网络远程温度在线监测***
US20130130184A1 (en) 2011-11-21 2013-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and Method for Controlling Wafer Temperature
CN102708394B (zh) * 2012-04-17 2016-02-17 重庆大学 基于saw的无源温度标签及其阅读器
CN202631151U (zh) * 2012-06-28 2012-12-26 河南省电力公司驻马店供电公司 无源无线开关柜温度在线监测***
US8772055B1 (en) * 2013-01-16 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Multizone control of lamps in a conical lamphead using pyrometers
US9568377B1 (en) * 2013-02-12 2017-02-14 U.S. Department Of Energy Nanocomposite thin films for optical temperature sensing
US9677949B1 (en) * 2013-10-29 2017-06-13 Nutech Ventures Fiber-optic sensor for strain-insensitive temperature measurements
WO2015081210A1 (en) * 2013-11-27 2015-06-04 New York University System and method for providing magnetic resonance temperature measurement for radiative heating applications
US10042083B2 (en) * 2014-07-16 2018-08-07 Elwha Llc Systems and methods for microwave sensing of object properties

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4956538A (en) * 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US5049806A (en) * 1988-12-28 1991-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Band-gap type voltage generating circuit for an ECL circuit
TW200300968A (en) * 2001-12-11 2003-06-16 Applied Materials Inc Waveguides such as SiGeC waveguides and method of fabricating the same
US20150221535A1 (en) * 2014-01-31 2015-08-06 Andrew Nguyen Temperature measurement using silicon wafer reflection interference

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717176B (zh) * 2019-12-26 2021-01-21 陳瑞凱 一種高溫磁性溫度計之校正方法

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