TWI673116B - 塗佈方法 - Google Patents

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TWI673116B
TWI673116B TW107113486A TW107113486A TWI673116B TW I673116 B TWI673116 B TW I673116B TW 107113486 A TW107113486 A TW 107113486A TW 107113486 A TW107113486 A TW 107113486A TW I673116 B TWI673116 B TW I673116B
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吉田省吾
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吉田隆一
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之將藥液塗佈於基板之塗佈方法具備溶劑供給步驟與藥液供給步驟。於溶劑供給步驟，對基板W供給溶劑。藥液供給步驟係於溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液。溶劑供給步驟具備第1步驟。第1步驟係使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑F自溶劑噴嘴噴出。

Description

塗佈方法
本發明係關於將藥液塗佈於基板之塗佈方法。基板為半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescent：電致發光)用基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、太陽電池用基板等。
於日本專利特開2002-175966號公報中，揭示一種於基板上形成光阻膜之塗佈方法。塗佈方法具備溶劑供給步驟與藥液供給步驟。溶劑供給步驟係將溶劑滴下至基板。更詳細而言，溶劑供給步驟係將溶劑滴下至靜止之基板之中心部。滴下溶劑後，於溶劑供給步驟，使基板旋轉而甩掉溶劑。於藥液供給步驟，使基板旋轉，且將藥液(具體而言，係光阻膜材料)滴下至基板。滴下藥液後，於藥液供給步驟，使基板旋轉而甩掉藥液。
如上述，塗佈方法具備溶劑供給步驟。因此，於藥液供給步驟中，可將藥液同心圓狀擴展。換言之，於藥液供給步驟中，可防止藥液向基板周緣部之一部分細長地延伸。藉此，可抑制於基板與藥液之間產生氣泡。
然而，於包含此種構成之先前例之情形時，具有如下問題。
先前之塗佈方法中，亦有難以將藥液適當地塗佈於基板之情形。例如，有藥液僅塗佈於基板之一部分之情形。此種現象稱為「斷膜」或「殘膜」等。再者，有例如形成於基板上之藥液之塗膜不具有均一膜厚之情形。
尤其，基板包含形成於其上表面之凹部時，將藥液適當地塗佈於基板進而變困難。例如，有藥液僅進入一部分凹部，未進入其他凹部之情形。
本發明係鑑於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可將藥液適當地塗佈於基板之塗佈方法。
本發明為達成此種目的，而採取如下之構成。
即，本發明之塗佈方法係將藥液塗佈於基板之塗佈方法，且具備：對基板供給溶劑之溶劑供給步驟，以及於上述溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液之藥液供給步驟；上述溶劑供給步驟具備第1步驟，其係使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出。
於第1步驟，使基板旋轉，使溶劑噴嘴遍及中心位置與周緣位置而移動，且使溶劑自溶劑噴嘴噴出。溶劑噴嘴位於中心位置時，溶劑噴嘴使溶劑落下至基板之中心部。溶劑噴嘴位於周緣位置時，溶劑噴嘴 使溶劑落下至基板之周緣部。如此，第1步驟對基板之中心部及基板之周緣部皆同樣地供給溶劑。藉此，第1步驟可遍及基板全體均一地供給溶劑。
藥液供給步驟係於溶劑供給步驟之後進行。由於遍及基板全體均一地供給溶劑，故藥液供給步驟可將藥液適當地供給於基板。如此，根據本塗佈方法，可將藥液適當地塗佈於基板。
於上述塗佈方法中，較佳為上述第1旋轉速度大於0rpm且未達500rpm，上述溶劑噴嘴具有噴出溶劑之噴出口，於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動期間，基板旋轉之次數為基板之半徑除以上述噴出口之尺寸之基準值以上。
第1旋轉速度比較低。藉此，假設基板具有凹部之情形時，溶劑可容易進入凹部。藉由溶劑進入凹部，於藥液供給步驟中藥液可順利地進入凹部。
再者，於第1步驟中，溶劑噴嘴於中心位置與周緣位置之間移動期間，基板旋轉之次數為基準值以上。換言之，於第1步驟中，溶劑噴嘴於中心位置與周緣位置之間移動期間，基板旋轉基準值以上之次數。因此，溶劑落下至基板之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板全體更均一地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，於上述第1步驟中，較佳為上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動之期間為上述基準值除以第1旋轉速度之第1基準時間以上。換言之，於上述塗佈方法中，於第1步驟中，較佳為溶劑噴嘴花費第1基準時間以上之時間，於中心位置與周緣位置之間移動。藉此，溶劑同樣地落下至基板之幾乎所有部分。藉此，第1 步驟可遍及基板全體更均一地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，較佳為上述溶劑供給步驟具備保持於基板上盛有溶劑之狀態之盛液步驟。於盛液步驟中，可使溶劑較佳地佈滿於基板。假設基板具有凹部之情形時，溶劑可更容易進入凹部。
於上述塗佈方法中，較佳為上述溶劑供給步驟具備第2步驟，其使基板以第2旋轉速度旋轉，使上述溶劑噴嘴遍及上述中心位置與上述周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出。第2步驟係與第1步驟類似之步驟。即，第2步驟係使基板旋轉，使溶劑噴嘴遍及中心位置與周緣位置而移動，且使溶劑自溶劑噴嘴噴出。藉此，第2步驟可遍及基板全體均一地供給溶劑。由於溶劑供給步驟除第1步驟外亦具備第2步驟，故可遍及基板全體更均一地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，較佳為上述第2旋轉速度大於0rpm且未達500rpm。第2旋轉速度比較低。藉此，假設基板具有凹部之情形時，溶劑可容易進入凹部。藉由溶劑進入凹部，於藥液供給步驟中藥液可順利地進入凹部。
於上述塗佈方法中，較佳為上述溶劑供給步驟具備使基板旋轉而將形成於基板上之溶劑之膜厚減薄之薄膜化步驟。溶劑供給步驟具備薄膜化步驟。因此，藥液供給步驟將藥液供給於比較薄之溶劑之膜上。其結果，可較佳地防止藥液之塗膜之厚度不均。
於上述塗佈方法中，上述第1旋轉速度較佳為500rpm以上。第1旋轉速度比較高。藉此，假設基板具有凹部之情形時，溶劑不易進入凹部。因此，假設基板具有凹部之情形時，可不以溶劑填滿凹部而以溶劑覆蓋凹部之上方。以下，將不以溶劑填滿凹部而以溶劑覆蓋凹部之上 方稱為「以溶劑蓋住凹部」。由於以溶劑蓋住凹部，故於藥液供給步驟中，可不以藥液填滿凹部而以藥液覆蓋凹部之上方。以下，將不以藥液填滿凹部而以藥液覆蓋凹部之上方稱為「以藥液蓋住凹部」。
於上述塗佈方法中，較佳為上述溶劑噴嘴具有噴出溶劑之噴出口，於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動期間，基板旋轉之次數為基板之半徑除以上述噴出口之尺寸之基準值之±20%之範圍內。換言之，於上述塗佈方法中，於第1步驟中，較佳為溶劑噴嘴於中心位置與周緣位置之間移動期間，基板旋轉基準值之±20%之範圍內之次數。藉此，溶劑落下至基板之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板全體更均一地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，於上述第1步驟中，較佳為上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動之期間係上述基準值除以上述第1旋轉速度之第1基準時間之±20%之範圍內。換言之，於上述塗佈方法中，於第1步驟中，較佳為溶劑噴嘴花費第1基準時間之±20%範圍內之時間，於中心位置與周緣位置之間移動。藉此，溶劑同樣地落下至基板之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板全體更均一地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，較佳為上述溶劑供給步驟具備使基板旋轉而將形成於基板上之溶劑之膜厚減薄之薄膜化步驟。溶劑供給步驟具備薄膜化步驟。因此，藥液供給步驟將藥液供給於比較薄之溶劑之膜上。其結果，可較佳地防止藥液之塗膜之厚度不均。
於上述塗佈方法中，於上述溶劑供給步驟中，較佳為僅進行上述第1步驟與上述薄膜化步驟。可縮短溶劑供給步驟所需要之時間。再者，可減低溶劑供給步驟所使用之溶劑量。假設基板具有凹部之情形 時，可更佳地以溶劑蓋住凹部。其結果，於藥液供給步驟中可更佳地以藥液蓋住凹部。
於上述塗佈方法中，較佳為上述藥液供給步驟中供給於基板之藥液具有200cP以上之黏度。藥液具有比較高之黏度。因此，假設基板具有凹部之情形時，藥液不易進而進入凹部。藉此，假設基板具有凹部之情形時，可更佳地以藥液蓋住凹部。
於上述塗佈方法中，上述第1步驟中，較佳為上述溶劑噴嘴自上述中心位置向上述周緣位置移動。溶劑噴嘴於中心位置較周緣位置更先噴出溶劑。於中心位置，溶劑噴嘴可順利地對基板供給溶劑。再者，將溶劑噴嘴自中心位置移動至周緣位置。因此，可自基板之中心部遍及周緣部順利地供給溶劑。
於上述塗佈方法中，較佳為自溶劑噴嘴噴出之溶劑棒狀地流下。溶劑噴嘴可使溶劑較佳地落下至基板上。
於上述塗佈方法中，較佳為基板於俯視時具有圓形狀。換言之，於上述塗佈方法中，較佳為基板為圓形基板。溶劑供給步驟可遍及基板全體更均一地供給溶劑。同樣地，藥液供給步驟可遍及基板全體更均一地供給藥液。
於上述塗佈方法中，較佳為基板具有形成於基板之上表面之凹部。即使基板具有凹部之情形時，本塗佈方法之溶劑供給步驟亦可遍及基板全體均一地供給溶劑。其結果，藥液供給步驟可將藥液適當地供給於基板。如此，基板具有凹部之情形時，本塗佈方法具有尤其高之實用性。
此處，「凹部」例如係形成於基板之上表面之圖案之一部 分。
1‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧旋轉保持部
15‧‧‧驅動部
21‧‧‧溶劑供給部
23‧‧‧溶劑供給源
24‧‧‧配管
25‧‧‧開閉閥
26‧‧‧溶劑噴嘴
26a‧‧‧噴出口
27‧‧‧移動機構
27a‧‧‧臂部
27b‧‧‧軸部
27c‧‧‧驅動部
31‧‧‧藥液供給部
33‧‧‧藥液供給源
34‧‧‧配管
35‧‧‧開閉閥
36‧‧‧藥液噴嘴
36a‧‧‧噴出口
37‧‧‧移動機構
37a‧‧‧臂部
37b‧‧‧軸部
37c‧‧‧驅動部
38‧‧‧防飛散杯
39‧‧‧控制部
41、41a、41b‧‧‧凹部
43‧‧‧凸部
A‧‧‧旋轉中心
B‧‧‧落下區域
C‧‧‧中心部
D‧‧‧噴出口26a之尺寸
E‧‧‧周緣部
F‧‧‧溶劑
G、G1、G2、G3‧‧‧藥液
L1‧‧‧路徑
L2‧‧‧軌跡
N‧‧‧基準值
Pa‧‧‧中心位置
Pb‧‧‧周緣位置
Pc‧‧‧退避位置
r‧‧‧基板W之半徑
R1‧‧‧第1旋轉速度
R2‧‧‧第2旋轉速度
S10~S16‧‧‧步驟
S20~S26‧‧‧步驟
T1‧‧‧第1基準時間
T2‧‧‧第2基準時間
W‧‧‧基板
雖然為了說明發明而圖示有當前認為較佳之若干個形態，但應理解，發明並非限定於如圖示之構成及手段。
圖1係顯示實施例1之基板處理裝置之概略構成之圖。
圖2係溶劑噴嘴之側視圖。
圖3係溶劑噴嘴之仰視圖。
圖4係實施例1之基板處理裝置之俯視圖。
圖5係說明溶劑噴嘴之位置之側視圖。
圖6A-6F係模式性顯示實施例1之溶劑供給步驟之圖。
圖7係顯示實施例1之塗佈方法之順序之流程圖。
圖8係說明第1步驟之動作之俯視圖。
圖9係模式性顯示落下區域之俯視圖。
圖10A、10B係模式性顯示實施例1之藥液供給步驟之圖。
圖11A-11D係模式性顯示比較例之塗佈方法之圖。
圖12A、12B係實施例1之第1步驟之概念圖。
圖13A、13B係比較例之溶劑供給步驟之概念圖。
圖14係藥液噴嘴之仰視圖。
圖15係實施例2之基板處理裝置之俯視圖。
圖16係顯示實施例2之塗佈方法之順序之流程圖。
圖17A-17C係模式性顯示實施例2之溶劑供給步驟之圖。
圖18A-18C係模式性顯示實施例2之藥液供給步驟之圖。
圖19係顯示實施例2之旋轉步驟之圖。
圖20A、20B係實施例2之第1步驟之概念圖。
[實施例1]
以下，參照圖式說明本發明之實施例1。
1.基板處理裝置1之概要
圖1係顯示實施例1之基板處理裝置之概略構成之圖。基板處理裝置1將藥液塗佈於基板(例如半導體晶圓)W。
基板處理裝置1具備可旋轉地保持基板W之旋轉保持部11。旋轉保持部11包含旋轉卡盤13與驅動部15。旋轉卡盤13以大致水平姿勢保持基板W。旋轉卡盤13藉由吸附基板W之下表面之中央部而保持基板W。驅動部15連結於旋轉卡盤13之下部。驅動部15使旋轉卡盤13及基板W一體旋轉。基板W繞旋轉中心A旋轉。旋轉中心A與垂直方向大致平行。基板W包含中心部C與周緣部E。旋轉中心A通過基板W之中心部C。驅動部15例如為馬達。
基板處理裝置1具備將溶劑供給於基板W之溶劑供給部21。溶劑供給部21具備溶劑供給源23、配管24、開閉閥25、溶劑噴嘴26及移動機構27。溶劑供給源23貯存溶劑。配管24具有與溶劑供給源23連通連接之第1端。配管24具有與溶劑噴嘴26連通連接之第2端。開閉閥25設置於配管24上。開閉閥25開閉配管24內之溶劑之流路。溶劑噴嘴26噴出溶劑。移動機構27移動溶劑噴嘴26。
溶劑例如為有機溶劑。溶劑例如為稀釋劑、PGMEA(丙二醇甲醚乙酸酯)、乳化乙酯、IPA(異丙醇)等。
基板處理裝置1具備將藥液供給於基板W之藥液供給部31。藥液供給部31具備藥液供給源33、配管34、開閉閥35、藥液噴嘴36及移動機構37。藥液供給源33貯存藥液。配管34具有與藥液供給源33連通連接之第1端。配管34具有與藥液噴嘴36連通連接之第2端。開閉閥35設置於配管34上。開閉閥35開閉配管34內之藥液之流路。藥液噴嘴36噴出藥液。移動機構37移動藥液噴嘴36。
藥液例如係於基板W上形成塗膜之塗佈液。塗膜例如為光阻膜、保護膜、絕緣膜、SOG(Spin On Glass：旋塗玻璃)膜或SOD(Spin On Dielectric：旋塗介電質)膜。絕緣膜意指包含層間絕緣膜。塗佈液包含例如聚醯亞胺等樹脂。塗佈液例如為光阻膜材料、保護膜材料、絕緣膜材料、SOG膜材料或SOD膜材料。
基板處理裝置1具備防飛散杯38。防飛散杯38配置於旋轉卡盤13周圍。防飛散杯38擋住自基板W飛散之處理液(即藥液或溶劑等)並將其回收。
基板處理裝置1具備控制部39。控制部39統一控制上述各構成。具體而言，控制部39控制驅動部15，調整基板W之旋轉速度(例如每1分鐘之旋轉數[rpm])。控制部39控制移動機構27、37，使溶劑噴嘴26及藥液噴嘴36移動。控制部39控制開閉閥25、35，切換溶劑及藥液之供給、停止。
控制部39具有預先設定用以處理基板W之處理條件之處理製程等。處理條件例如為基板W之旋轉速度、溶劑噴嘴26之位置、溶劑之供給量、藥液噴嘴36之位置及藥液之供給量相關之資訊等。控制部39係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU：Central Processing Unit： 中央處理單元)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory：隨機存取記憶體)、及記憶各種資訊之固定磁盤等記憶媒體等而實現。
2.溶劑噴嘴26及與其關聯之構成
圖2係溶劑噴嘴26之側視圖。溶劑噴嘴26為直線型噴嘴。溶劑噴嘴26自溶劑噴嘴26之下表面噴出溶劑F。溶劑噴嘴26將溶劑F向下方噴出。
圖3係溶劑噴嘴26之仰視圖。溶劑噴嘴26具有噴出溶劑F之噴出口26a。噴出口26a形成於溶劑噴嘴26之下表面。噴出口26a具有大致圓形。噴出口26a具有尺寸D。尺寸D例如為噴出口26a之直徑。
圖4係基板處理裝置1之俯視圖。圖4省略移動機構37之圖示。
基板W於俯視時具有圓形狀。基板W為圓形基板。基板W具有半徑r。
移動機構27具有臂部27a、軸部27b及驅動部27c。臂部27a於大致水平方向延伸。臂部27a具有保持溶劑噴嘴26之前端部。溶劑噴嘴26配置於較保持於旋轉保持部11之基板W更高之位置。臂部27a具有連接於軸部27b之基端部。軸部27b支持臂部27a。軸部27b於大致垂直方向延伸。軸部27b配置於防飛散杯38之外方。驅動部27c連結於軸部27b。驅動部27c使軸部27b旋轉。藉由軸部27b之旋轉，溶劑噴嘴26繞軸部27b回旋。
移動機構27使溶劑噴嘴26移動至中心位置Pa、周緣位置Pb及退避位置Pc。於俯視時，中心位置Pa為與基板W之中心部C重疊之位置。於俯視時，周緣位置Pb為與基板W之周緣部E重疊之位置。於俯視時， 退避位置Pc為不與基板W重疊之位置。
圖5係說明溶劑噴嘴26之位置之側視圖。中心位置Pa係基板W之中心部C之上方之位置。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26位於旋轉中心A上。周緣位置Pb為基板W之周緣部E之上方之位置。
雖省略圖示，但移動機構37使藥液噴嘴36移動至中心位置Pa與退避位置Pc。藥液噴嘴36之中心位置Pa可為與溶劑噴嘴26之中心位置Pa相同之位置，亦可為與溶劑噴嘴26之中心位置Pa不同之位置。藥液噴嘴36之退避位置Pc亦同樣。
3.實施例1之塗佈方法
圖6A係模式性顯示實施塗佈方法之基板W之圖。首先，例示實施塗佈方法之基板W。
塗佈方法係對大致水平保持於旋轉保持部11之基板W實施。基板W之上表面大致水平。但，基板W之上表面並非平坦。基板W之上表面具有階差。
具體而言，基板W具有凹部41與凸部43。凹部41與凸部43分別形成於基板W之上表面。凹部41向下方凹陷。凸部43向上方突出。
凹部41包含凹部41a與凹部41b。凹部41a配置於基板W之中心部C。凹部41b配置於基板W之周緣部E。
凹部41與凸部43例如為形成於基板W之上表面之圖案之一部分。即，基板W具有形成於基板W之上表面之圖案。凹部41例如為空隔、孔或溝。孔意指包含導通孔、通孔及接觸孔等。凸部43例如為線、點或側壁。
圖7係顯示實施例1之塗佈方法之順序之流程圖。例示藉由基板處理裝置1執行之塗佈方法。
塗佈方法包含溶劑供給步驟(步驟S10)與藥液供給步驟(步驟S20)。溶劑供給步驟係將溶劑F供給於基板W。溶劑供給步驟亦稱為「預濕潤」。藥液供給步驟係於溶劑供給步驟之後進行。藥液供給步驟係將藥液供給於基板W。
溶劑供給步驟包含第1步驟(步驟S11)、盛液步驟(步驟S12)、第2步驟(步驟S13)及薄膜化步驟(步驟S14)。藥液供給步驟包含中心噴出步驟(步驟S21)與旋轉步驟(步驟S22)。
針對各步驟進行說明。於以下之說明中，各構成係根據控制部39之控制而動作。
<步驟S11>第1步驟
圖8係說明第1步驟動作之俯視圖。第1步驟係使基板W以第1旋轉速度R1旋轉，使溶劑噴嘴26遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且使溶劑F自溶劑噴嘴26噴出。更詳細而言，第1步驟中，使溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。圖8係顯示溶劑噴嘴26移動之路徑L1。路徑L1係於俯視時與基板W之徑向近似之曲線。第1步驟進行1次溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb之移動。於第1步驟，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb之整個期間，自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。
圖6B、6C係模式性顯示第1步驟之圖。溶劑F自溶劑噴嘴26向垂直下方落下。落下之溶劑F呈棒形狀或柱形狀。即，自溶劑噴嘴26噴出之溶劑F以棒形狀或柱形狀流下。於溶劑噴嘴26與基板W之間，形成 溶劑F之液柱。溶劑F之液柱於大致垂直方向延伸。
溶劑F落下至基板W之上表面。即，溶劑F與基板W之上表面接觸。溶劑F相對於基板W之上表面大致垂直地落下。溶劑F落下至基板W後，溶劑F於基板W之上表面於大致水平方向擴展。
第1旋轉速度R1比較小。具體而言，第1旋轉速度R1較佳為大於0rpm且未達500rpm。更佳為，第1旋轉速度R1大於0rpm且300rpm以下。進而佳為，第1旋轉速度R1為100rpm以上且200rpm以下。
第1旋轉速度R1較佳為固定。第1步驟中，溶劑噴嘴26之移動速度較佳為固定。
參照圖6B。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26噴出之溶劑F落下至凹部41a。溶劑F自凹部41a之正上方落下至凹部41a。由於第1旋轉速度R1比較低，故溶劑F進入凹部41a。藉由溶劑F填滿凹部41a。
參照圖6C。溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，溶劑噴嘴26噴出之溶劑F落下至凹部41b。溶劑F自凹部41b之正上方落下至凹部41b。由於第1旋轉速度R1比較低，故溶劑F進入凹部41b。藉由溶劑F填滿凹部41b。
再者，於基板W之上表面上形成溶劑F之膜。溶劑F之膜遍及基板W之上表面全體。溶劑F之膜覆蓋基板W之上表面全體。
此處，將基板W之半徑r除以噴出口26a之尺寸D之值稱為基準值N(參照式(1))。
N=r/D...(1)
將基準值N除以第1旋轉速度R1之值稱為第1基準時間T1(參照式 (2))。
T1=N/R1...(2)
溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉之次數為基準值N以上。換言之，溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉基準值N以上之次數。溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動之期間為第1基準時間T1以上。換言之，溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1以上之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。
例如，基板W之半徑r為150[mm]，噴出口26a之尺寸D為3[mm]，第1旋轉速度R1為150[rpm]。該情形時，基準值N為50，第1基準時間T1為20[sec](1/3[min])。即，溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉50周以上。溶劑噴嘴26花費20[sec]以上之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。
圖9係模式性顯示落下區域B之俯視圖。落下區域B係溶劑F落下至基板W之區域。某時點之落下區域B具有與噴出口26a大致相同之大小。某時點之落下區域B之位置於俯視時與該時點之噴出口26a之位置大致相同。
藉由溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動，落下區域B自中心部C向周緣部E移動。藉由溶劑噴嘴26移動且基板W旋轉，落下區域B於俯視時以旋渦狀(螺旋狀)移動。圖9係顯示落下區域B之軌跡L2。
溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉基準值N以上之次數。溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1以上之時間，自中心位置Pa向周緣位置Pb移動。其結果，落下區域B遍及基板W之上表 面幾乎所有部分。即，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。
如上述，於第1步驟中，溶劑F落下至中心部C，亦落下至周緣部E。溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。如此，遍及基板W全體均一地供給溶劑F。溶劑F進入各凹部41。
<步驟S12>盛液步驟
圖6D係模式性顯示盛液步驟之圖。盛液步驟係於第1步驟之後進行。盛液步驟係於基板W上保持盛有溶劑F之狀態。盛液步驟中，使基板W之旋轉速度自第1旋轉速度R1降低，且停止溶劑F自溶劑噴嘴26之噴出。盛液步驟之基板W之旋轉速度較佳為0rpm以上且10rpm以下。盛液步驟亦可例如使基板W靜止。盛液步驟亦可例如使溶液噴嘴26於周緣位置Pb靜止。藉此，盛液步驟結束後，可迅速開始第2步驟。盛液步驟之期間較佳為例如5[sec]以上。盛液步驟之期間較佳為例如30[sec]以下。
於盛液步驟中，溶劑F之膜形成於基板W上。溶劑F之膜覆蓋基板W之上表面全體。溶劑F之膜比較厚。凹部41及凸部43皆被溶劑F滲入。
<步驟S13>第2步驟
圖6E係模式性顯示第2步驟之圖。第2步驟係於盛液步驟之後進行。第2步驟與第1步驟類似。第2步驟係使基板W以第2旋轉速度R2旋轉，使溶劑26遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。具體而言，第2步驟中，使溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa。第2步驟之溶劑噴嘴26之移動方向與第1步驟之溶劑噴嘴26之移動方 向相反。於第2步驟，進行1次溶劑噴嘴26自周緣位置Pb向中心位置Pa之移動。於第2步驟，溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa之整個期間，自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。
第2旋轉速度R2比較小。具體而言，第2旋轉速度R2較佳為大於0rpm且未達500rpm。更佳為，第2旋轉速度R2大於0rpm且300rpm以下。進而佳為，第2旋轉速度R2為100rpm以上且200rpm以下。
第2旋轉速度R2亦可與第1旋轉速度R1相同。第2旋轉速度R2亦可與第1旋轉速度R1不同。
第2旋轉速度R2較佳為固定。第2步驟之溶劑噴嘴26之移動速度較佳為固定。
此處，將基準值N除以第2旋轉速度R2之值稱為第2基準時間T2(參照式(3))。
T2=N/R2...(3)
溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa期間，基板W之旋轉次數為基準值N以上。換言之，溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa期間，基板W旋轉基準值N以上之次數。溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa之期間為第2基準時間T2以上。換言之，溶劑噴嘴26花費第2基準時間T2以上之時間，自周緣位置Pb移動至中心位置Pa。
例如，基板W之半徑r為150[mm]，噴出口26a之尺寸D為3[mm]，第2旋轉速度R2為300[rpm]。該情形時，基準值N為50，第2基準時間T2為10[sec](1/6[mim])。即，溶劑噴嘴26自周緣位置Pb移動至中心位置Pa期間，基板W旋轉50周以上。溶劑噴嘴26花費10[sec]以上之時間，自周緣位置Pb移動至中心位置Pa。
如上述，第2旋轉速度R2高於第1旋轉速度R1之情形時，第2基準時間T2短於第1基準時間T1。例如，第2旋轉速度R2為第1旋轉速度R1之2倍之情形時，第2基準時間T2為第1基準時間T1之一半。該情形時，可縮短第2步驟所需之時間。
於第2步驟中，溶劑F落下至中心部C，亦落下至周緣部E。溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。如此，遍及基板W全體均一地供給溶劑F。溶劑F進入各凹部41。
<步驟S14>薄膜化步驟
圖6F係模式性顯示薄膜化步驟之圖。薄膜化步驟係於第2步驟之後進行。薄膜化步驟中，使基板W旋轉，停止自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。
薄膜化步驟之基板W之旋轉速度大於第1旋轉速度R1。薄膜化步驟之基板W之旋轉速度大於第2旋轉速度R2。薄膜化步驟之基板W之旋轉速度較佳為數百[rpm]至數千[rpm]。薄膜化步驟之期間較佳為例如1[sec]。
於薄膜化步驟，甩掉基板W上之溶劑F。於薄膜化步驟，使基板W上之溶劑F飛散至基板W之外。薄膜化步驟減薄形成於基板W上之溶劑F之膜厚。藉由薄膜化步驟，溶劑F之膜厚遍及基板W全體變得更均一。但，薄膜化步驟未使基板W上之溶劑F乾燥。薄膜化步驟結束時，溶劑F之薄膜亦保持覆蓋基板W之上表面全體之狀態。
藉由薄膜化步驟之結束，而結束溶劑供給步驟。溶劑供給步驟結束後，開始藥液供給步驟。
<步驟S21>中心噴出步驟
圖10A係模式性顯示中心噴出步驟之圖。中心噴出步驟係使藥液噴嘴36於中心位置Pa靜止，自藥液噴嘴36噴出藥液G。中心噴出步驟可使基板W旋轉，亦可使基板W靜止。
將藥液G供給於基板W之中心部C。將藥液G供給於溶劑F之膜上。藥液G進入凹部41a。
<步驟S22>旋轉步驟
圖10B係模式性顯示旋轉步驟之圖。旋轉步驟係於中心噴出步驟之後進行。於旋轉步驟，使基板W旋轉，停止自藥液噴嘴36之噴出藥液G。
藥液G於基板W之上表面於水平方向順利地擴展。藥液G於基板W之上表面全體順利地擴展。於基板W上形成藥液G之塗膜。
藥液G順利地進入各凹部41。換言之，將凹部41內之溶劑F順利地置換成藥液G。各凹部41被藥液G填滿。
藉由旋轉步驟之結束，而結束藥液供給步驟。實施例1之塗佈方法如上。
4.實施例1與比較例之對比與探討
接著，例示比較例之塗佈方法之順序。且，將實施例1之塗佈方法與比較例之塗佈方法進行對比。
圖11A-11D係模式性顯示比較例之塗佈方法之圖。為方便起見，圖11A-11D係使用與實施例1相同之符號，表示比較例之塗佈方法。
比較例之塗佈方法具備溶劑供給步驟與藥液供給步驟。
於溶劑供給步驟，將溶劑F供給於靜止之基板W之中心部C(圖11A)。接著，於溶劑供給步驟，使基板W旋轉(圖11B)。藉此，溶劑F擴展至基板W之上表面全體。溶劑F僅進入凹部41a。溶劑F未進入凹部41a以外之凹部41。
於藥液供給步驟，將藥液G供給於基板W之中心部C(圖11C)。接著，於藥液供給步驟，使基板W旋轉(圖11D)。藉此，藥液G於基板W之上表面擴展。於基板W上形成藥液G之塗膜。藥液G僅進入凹部41a。藥液G未進入凹部41a以外之凹部41。
如此，於比較例之塗佈方法中，藥液G未適當地進入各凹部41。藥液G同樣地未進入複數個凹部41。於複數個凹部41之間，進入凹部41之藥液G之量不均。藥液G向凹部41之進入方法對應於凹部41之位置而不同。
關於比較例之塗佈方法中藥液G未適當地進入各凹部41之理由，本發明人等推測如下。
圖12A、12B係比較例之溶劑供給步驟之概念圖。於比較例之溶劑供給步驟中，基板W靜止，溶劑F落下至基板W之中心部C。因此，溶劑F可容易進入至凹部41a之底部(參照圖12A)。
於比較例之溶劑供給步驟中，溶劑F未落下至中心部C以外。於基板W之中心部C以外之部分，溶劑F僅於大致水平方向流動。因此，溶劑F不易進入凹部41a以外之凹部41(參照圖12B)。
其結果，於比較例之藥液供給步驟中，藥液G可順利地進入凹部41a，但藥液G不易順利地進入凹部41a以外之凹部41。
如此，於比較例之塗佈方法中，由於溶劑F同樣地未進入各凹部41，故無法將藥液G適當地塗佈於基板W。
相對於此，於實施例1之塗佈方法中，如上述，不論凹部41之位置，藥液G皆適當地進入各凹部41。於實施例1之塗佈方法中，藥液G亦同樣地進入任一凹部41。本發明人等針對實施例1之塗佈方法中，藥液G適當地進入各凹部41之理由，進行如下推測。
圖13A、13B係實施例1之第1步驟之概念圖。於第1步驟中，基板W之第1旋轉速度R1比較小，且溶劑F落下至中心部C。因此，溶劑F落下至中心部C時，溶劑F不太於基板W之旋轉方向移動。換言之，即使溶劑F落下至基板W上，亦不易分散溶劑F朝下移動之能量。藉此，溶劑F可容易進入至凹部41a之底部(參照圖13A)。
再者，於第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb期間，基板W旋轉基準值N以上之次數。於第1步驟中，溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1以上之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。藉此，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，溶劑F亦可容易進入凹部41a以外之凹部41之底部(參照圖13B)。
其結果，於實施例1之藥液供給步驟中，藥液G可順利地進入各凹部41。
如此，於實施例1之塗佈方法中，由於溶劑F同樣地進入各凹部41，故可將藥液G適當地塗佈於基板W。
5.實施例1之效果
根據實施例1之塗佈方法，實現以下效果。
於第1步驟，使基板W以第1旋轉速度R1旋轉，使溶劑噴嘴26遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且使溶劑F自溶劑噴嘴26噴出。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26使溶劑F落下至中心部C。溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，溶劑噴嘴26使溶劑F落下至周緣部E。如此，第1步驟同樣地將溶劑F供給於中心部C，亦供給於周緣部E。藉此，第1步驟可遍及基板W全體均一地供給溶劑F。因此，於藥液供給步驟中，藥液G遍及基板W全體順利地擴展。藉此，藥液供給步驟可將藥液G均一地塗佈於基板W。如此，根據本塗佈方法，可將藥液G適當地塗佈於基板W。
再者，根據第1步驟，可將溶劑F效率良好地供給於基板W全體。藉此，可抑制溶劑F之使用量，且遍及基板W全體均一地供給溶劑F。
由於第1旋轉速度R1比較低，故溶劑F可容易進入各凹部41b。藉由溶劑F進入凹部41，於藥液供給步驟中藥液G可順利地進入各凹部41。藉此，可將藥液G較佳地埋入各凹部41。
第1旋轉速度R1大於0rpm且未達500rpm之情形時，溶劑F可順利地進入各凹部41。第1旋轉速度R1大於0rpm且為300rpm以下之情形時，溶劑F可更順利地進入各凹部41。第1旋轉速度R1為100rpm以上且200rpm以下之情形時，溶劑F可進而更順利地進入各凹部41。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動期間，基板W之旋轉次數為基準值N以上。因此，於第1步驟中，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之期間為第1基準時間T1以上。因此，於第1步驟中，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa較周緣位置Pb更先噴出溶劑F。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26可將溶劑F順利地供給於基板W。附帶一提，溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，導致溶劑F落下至基板W之周端緣，有溶劑F大幅飛散之虞。相對於此，溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，無溶劑F大幅飛散之虞。
再者，於第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。因此，可自基板之中心部C遍及周緣部E順利地持續供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa開始供給溶劑F。藉此，第1步驟可順暢地開始溶劑F之供給。
自溶劑噴嘴26噴出之溶劑F棒狀流下。因此，溶劑噴嘴26可使溶劑F較佳地落下至基板W上。
溶劑供給步驟具備盛液步驟。因此，可使溶劑F較佳地滲入基板W。再者，溶劑F可更容易進入各凹部41。
溶劑供給步驟具備與第1步驟類似之第2步驟。藉此，可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
由於第2旋轉速度R2比較低，故溶劑F可容易進入各凹部41。
第2旋轉速度R2大於0rpm且未達500rpm之情形時，溶劑 F可順利地進入各凹部41。第2旋轉速度R2大於0rpm且300rpm以下之情形時，溶劑F可更順利地進入各凹部41。第2旋轉速度R2為100rpm以上且200rpm以下之情形時，溶劑F可進而更順利地進入各凹部41。
於第2步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動期間，基板W之旋轉次數為基準值N以上。因此，溶劑F同樣地落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第2步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
於第2步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之期間為第2基準時間T2以上。因此，溶劑F同樣地落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第2步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
溶劑供給步驟具備薄膜化步驟。因此，可較佳地減薄溶劑F之膜厚。藥液供給步驟係將藥液G供給於溶劑F之薄膜上。其結果，可於基板W上形成厚度大致均一之藥液G之塗膜。可較佳地防止藥液G之塗膜之厚度不均。
基板W於俯視時具有圓形狀。因此，溶劑供給步驟可遍及基板W全體，更均一地供給溶劑F。同樣地，藥液供給步驟可遍及基板W全體，更均一地供給藥液G。
基板W具有凹部41。該情形時，本塗佈方法之溶劑供給步驟亦可遍及基板W全體，均一地供給溶劑F。其結果，藥液供給步驟可將藥液G適當地塗佈於基板W。如此，基板W具有凹部41之情形時，本塗佈方法具有尤其高之實用性。
[實施例2]
以下，參照圖式說明本發明之實施例2。另，對與實施例1 相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。
實施例2之基板處理裝置1之概要與實施例1之基板處理裝置1之概要大致相同。因此，省略實施例2之基板處理裝置1之概要相關之說明。
1.藥液噴嘴36及與其關聯之構成
圖14係藥液噴嘴36之仰視圖。藥液噴嘴36為狹縫噴嘴。藥液噴嘴36具有噴出藥液G之噴出口36a。噴出口36a形成於藥液噴嘴36之下表面。噴出口36a具有細長形狀。噴出口36a具有大致長方形狀。
圖15係基板處理裝置1之俯視圖。圖15省略移動機構27之圖示。
移動機構37具有臂部37a、軸部37b及驅動部37c。臂部37a於大致水平方向延伸。臂部37a具有保持藥液噴嘴36之前端部。藥液噴嘴36配置於較保持於旋轉保持部11之基板W更高之位置。藥液噴嘴36以噴出口36a之長度方向於俯視時與基板W之徑向一致之方式配置。臂部37a具有連接於軸部37b之基端部。軸部37b支持臂部37a。軸部37b於大致垂直方向延伸。驅動部37c連結於軸部37b。驅動部37c使軸部37b於大致水平方向移動。驅動部37c配置於防飛散杯38之外方。藉由驅動部37c使軸部37b移動，而藥液噴嘴36於大致水平方向移動。更詳細而言，藥液噴嘴36於俯視時在與噴出口36a之長度方向相同之方向移動。噴出口36a之長度方向於俯視時與基板W之徑向一致之狀態下，藥液噴嘴36於俯視時向中心部C移動。
移動機構37遍及中心位置Pa、周緣位置Pb及退避位置Pc而 移動藥液噴嘴36。於俯視時，中心位置Pa為與基板W之中心部C重疊之位置。於俯視時，周緣位置Pb為與基板W之周緣部E重疊之位置。於俯視時，退避位置Pc為不與基板W重疊之位置。
藥液噴嘴36之中心位置Pa可為與溶劑噴嘴26之中心位置Pa相同之位置，亦可為與溶劑噴嘴26之中心位置Pa不同之位置。藥液噴嘴36之周緣位置Pb及退避位置Pc亦同樣。
2.實施例2之塗佈方法
接著，例示藉由基板處理裝置1執行之塗佈方法。圖16係顯示實施例2之塗佈方法之順序之流程圖。塗佈方法包含溶劑供給步驟(步驟S10)與藥液供給步驟(步驟S20)。
溶劑供給步驟包含第1步驟(步驟S15)與薄膜化步驟(步驟S16)。藥液供給步驟包含周緣噴出步驟(步驟S23)、噴出步驟(步驟S24)、積液步驟(步驟S25)及旋轉步驟(步驟S26)。針對各步驟進行說明。
<步驟S15>第1步驟
圖17A、17B係模式性顯示第1步驟之圖。第1步驟係使基板W以第1旋轉速度R1旋轉，使溶劑噴嘴26遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。更詳細而言，第1步驟係使溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。於第1步驟，進行1次溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb之移動。於第1步驟，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb之整個期間，自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。
溶劑F自溶劑噴嘴26向垂直下方落下。落下之溶劑F呈棒形 狀或柱形狀。即，自溶劑噴嘴26噴出之溶劑F以棒形狀或柱形狀流下。於溶劑噴嘴26與基板W之間，形成溶劑F之液柱。溶劑F之液柱於大致垂直方向延伸。
溶劑F向基板W之上表面落下。即，溶劑F與基板W之上表面接觸。溶劑F相對於基板W之上表面大致垂直地落下。溶劑F落下至基板W後，溶劑F於基板W之上表面於大致水平方向擴展。
第1旋轉速度R1比較大。具體而言，第1旋轉速度R1較佳為500rpm以上。第1旋轉速度R1較佳為1000rpm以下。
第1旋轉速度R1較佳為固定。第1步驟之溶劑噴嘴26之移動速度較佳為固定。
參照圖17A。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26噴出之溶劑F落下至凹部41a。溶劑F自凹部41a之正上方落下至凹部41a。但，由於第1旋轉速度R1比較高，故溶劑F不易進入凹部41a。由於第1旋轉速度R1比較高，故溶劑F易於基板W之上表面於大致水平方向流動。
參照圖17B。溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，溶劑噴嘴26噴出之溶劑F落下至凹部41b。溶劑F自凹部41b之正上方落下至凹部41b。但，由於第1旋轉速度R1比較高，故溶劑F不易進入凹部41b。由於第1旋轉速度R1比較高，故溶劑F易使基板W之上表面於大致水平方向流動。
再者，於基板W之上表面上形成溶劑F之膜。溶劑F之膜遍及基板W之上表面全體。溶劑F之膜覆蓋基板W之上表面全體。
其結果，不以溶劑F填滿凹部41，而以溶劑F之膜覆蓋凹部41之上方。溶劑F之膜作為閉塞凹部41內之空間之蓋發揮功能。此處，將不以溶劑F填滿凹部41，而以溶劑F覆蓋凹部41之上方稱為「以溶劑F蓋住 凹部41」。
溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb期間，基板W之旋轉次數在基準值N之±20%之範圍內。換言之，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb期間，基板W旋轉基準值N之80%以上且基準值N之120%以下之次數。溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb之期間在第1基準時間T1之±20%之範圍內。換言之，溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1之80%以上且第1基準時間T1之120%以下之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。
例如，基板W之半徑r為150[mm]，噴出口26a之尺寸D為3[mm]，第1旋轉速度R1為600[rpm]。該情形時，基準值N為50，第1基準時間T1為5[sec](1/12[min])。因此，溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉40以上且60以下之次數。溶劑噴嘴26較佳為花費4[sec]以上且6[sec]以下之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。
藉由溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動，落下區域B自中心部C向周緣部E移動。藉由溶劑噴嘴26移動且基板W旋轉，落下區域B以中心部C為中心之旋渦狀(螺旋狀)地移動。
溶劑噴嘴26自中心位置Pa向周緣位置Pb移動期間，基板W旋轉基準值N之±20%範圍內之次數。溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1之±20%範圍內之時間，自中心位置Pa向周緣位置Pb移動。該等結果，落下區域B遍及基板W之上表面之幾乎所有部分。即，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。
如上述，於第1步驟中，溶劑F落下至中心部C，亦落下至周緣部E。溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。如此，遍及基板W全體均 一地供給溶劑F。溶劑F未進入凹部41。溶劑F蓋住各凹部41。
<步驟S16>薄膜化步驟
圖17C係模式性顯示薄膜化步驟之圖。薄膜化步驟係於第1步驟之後進行。薄膜化步驟係使基板W旋轉，停止自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。
薄膜化步驟之基板W之旋轉速度大於第1旋轉速度R1。薄膜化步驟之基板W之旋轉速度較佳為數百[rpm]至數千[rpm]。薄膜化步驟之期間較佳為例如1[sec]。
薄膜化步驟係甩掉基板W上之溶劑F。薄膜化步驟使基板W上之溶劑F向基板W之外飛散。薄膜化步驟係將形成於基板W上之溶劑F之膜厚減薄。藉由薄膜化步驟，溶劑F之膜厚遍及基板W全體變得更均一。但薄膜化步驟未使基板W上之溶劑F乾燥。薄膜化步驟結束時，溶劑F之薄膜仍保持覆蓋基板W之上表面全體之狀態。薄膜化步驟結束時，各凹部41亦保持被溶劑F蓋住之狀態。
藉由薄膜化步驟結束，而結束溶劑供給步驟。如上述，溶劑供給步驟僅進行第1步驟與薄膜化步驟。
<步驟S20>藥液供給步驟
藥液供給步驟供給具有比較高黏度之藥液G。藥液G較佳為具有例如200cP以上之黏度。藥液G更佳為具有例如400cP以上之黏度。
圖18A-18C係模式性顯示藥液供給步驟之圖。圖18A-18C之右側圖為俯視圖。圖18A-18C之左側圖為側視圖。
於藥液供給步驟中，周緣噴出步驟、噴出步驟及積液步驟 噴出藥液G。此處，區別各步驟噴出之藥液之情形時，將周緣噴出步驟噴出之藥液G稱為「藥液G1」，將噴出步驟噴出之藥液G稱為「藥液G2」，將積液步驟噴出之藥液G稱為「藥液G3」。
<步驟S23>周緣噴出步驟
圖18A係模式性顯示周緣噴出步驟之圖。於周緣噴出步驟，使基板W旋轉，使藥液噴嘴36於周緣位置Pb靜止，且使藥液G1自藥液噴嘴36噴出。於周緣噴出步驟，使基板W旋轉1次以上。於周緣噴出步驟，於基板W旋轉1次以上之整個期間，自藥液噴嘴36噴出藥液G1。
將藥液G1供給於周緣部E。將藥液G1以置於周緣部E之方式供給。由於凹部41b被溶劑F蓋住，故藥液G1未進入凹部41b。
<步驟S24>噴出步驟
圖18B係模式性顯示噴出步驟之圖。噴出步驟係於周緣噴出步驟之後進行。於噴出步驟，使基板W旋轉，藥液噴嘴36遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且自藥液噴嘴36噴出藥液G2。具體而言，於噴出步驟，使藥液噴嘴36自周緣位置Pb移動至中心位置Pa。基板W旋轉1次期間，藥液噴嘴36於徑向移動之距離較佳為噴出口36a之長度方向之長度以下。於噴出步驟，藥液噴嘴36自周緣位置Pb移動至中心位置Pa之整個期間，自藥液噴嘴36噴出藥液G2。
將藥液G2供給於周緣部E之內方。以將藥液G2置於基板W上之方式，供給藥液G2。置於基板W上之藥液G2於俯視時旋渦狀(螺旋狀)相連。如此，以於俯視時旋渦狀(螺旋狀)配藥液G2之方式，將藥液G2 供給於基板W。將藥液G2以無間隙地配之方式供給。由於凹部41被溶劑F蓋住，故藥液G2未進入凹部41之任一者。
<步驟S25>積液步驟
圖18C係模式性顯示積液步驟之圖。積液步驟係於噴出步驟之後進行。於積液步驟，使藥液噴嘴36靜止於中心位置Pa，且自藥液噴嘴36噴出藥液G3。於積液步驟，可使基板W旋轉，亦可使基板W靜止。
將藥液G3供給於中心部C。於中心部C形成藥液G3之積液。藥液G3之積液較藥液G1、G2更向上方***。中心部C之每單位面積之藥液G之量較中心部C以外之基板W部分之每單位面積之藥液G之量更大。由於凹部41a被溶劑F蓋住，故藥液G3未進入凹部41a。
<步驟S26>旋轉步驟
圖19係模式性顯示旋轉步驟之圖。旋轉步驟係於積液步驟之後進行。旋轉步驟係使基板W旋轉，停止自藥液噴嘴36噴出藥液G。
藥液G於基板W之上表面於大致水平方向順利地擴展。尤其藥液G3於大致水平方向順利地擴展。藥液G於基板W之上表面全體順利地擴展。於基板W上形成藥液G之塗膜。
由於各凹部41被溶劑F蓋住，故藥液G未進入凹部41之任一者。不以藥液G填滿凹部41，而以藥液G之塗膜覆蓋凹部41之上方。藥液G之塗膜作為閉塞凹部41內之空間之蓋發揮功能。此處，將不以藥液G填滿凹部41而以藥液G覆蓋凹部41之上方稱為「以藥液G蓋住凹部41」。
藉由旋轉步驟之結束，而結束藥液供給步驟。實施例2之 塗佈方法如上。
3.關於實施例2之探討
此處，本發明者等針對實施例2之塗佈方法中，可以藥液G較佳地蓋住凹部41之理由，進行如下推測。
圖20A、20B係實施例2之第1步驟之概念圖。於第1步驟中，基板W之第1旋轉速度R1比較大，且溶劑F落下至中心部C。因此，溶劑F落下至中心部C時，溶劑F於基板W之旋轉方向強力移動。換言之，若溶劑F落下(接觸)至基板W上，則易分散溶劑F朝下移動之能量。藉此，可較佳地抑制溶劑F進入凹部41a(參照圖20A)。
再者，於第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb期間，基板W旋轉基準值N之±20%範圍內之次數。於第1步驟中，溶劑噴嘴26花費第1基準時間T1之±20%範圍內之時間，自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。藉此，溶劑F均勻地落下至基板W全體。溶劑F未集中地落下至基板W之一部分。基板W不具有溶劑F局部落下之部分。藉此，可較佳地抑制溶劑F進入凹部41a以外之凹部41(參照圖20B)。
如此，於溶劑供給步驟中，可以溶劑F均一地蓋住各凹部41。
其結果，於藥液供給步驟中，可較佳地防止藥液G進入各凹部41。於藥液供給步驟中，可以藥液G均一地蓋住各凹部41。
如此，於實施例2之塗佈方法中，由於以溶劑F蓋住各凹部41，故可以藥液G較佳地蓋住各凹部41。
4.實施例2之效果
根據實施例2之塗佈方法，實現以下效果。
第1步驟係使基板W以第1旋轉速度R1旋轉，使溶劑26遍及中心位置Pa與周緣位置Pb而移動，且自溶劑噴嘴26噴出溶劑F。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26使溶劑F落下至中心部C。溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，溶劑噴嘴26使溶劑F落下至周緣部E。如此，第1步驟同樣地將溶劑F供給於中心部C，亦供給於周緣部E。藉此，於第1步驟，可遍及基板W全體均一地供給溶劑F。因此，於藥液供給步驟中，藥液G遍及基板W全體順利地擴展。藉此，藥液供給步驟可將藥液G均一地塗佈於基板W。如此，根據本塗佈方法，可將藥液G適當地塗佈於基板W。
由於第1旋轉速度R1比較高，故溶劑F不易進入凹部41。因此，可較佳地以溶劑F蓋住凹部41。由於凹部41被溶劑F蓋住，故於藥液供給步驟中，可以藥液G較佳地蓋住凹部41。
第1旋轉速度R1為500rpm以上之情形時，可更佳地以溶劑F蓋住凹部41。因此，可更佳地以藥液G蓋住凹部41。
第1旋轉速度R1為1000rpm以下之情形時，可較佳地防止溶劑F之乾燥。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動期間，基板W之旋轉次數在基準值N之±20%之範圍內。因此，於第1步驟中，溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之期間在第1基準時間T1之±20%之範圍內。因此，於第1步驟中， 溶劑F落下至基板W之幾乎所有部分。藉此，第1步驟可遍及基板W全體更均一地供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa較周緣位置Pb更先噴出溶劑F。溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，溶劑噴嘴26可將溶劑F順利地供給於基板W。附帶一提，溶劑噴嘴26位於周緣位置Pb時，導致溶劑F落下至基板W之周端緣，有溶劑F大幅飛散之虞。相對於此，溶劑噴嘴26位於中心位置Pa時，無溶劑F大幅飛散之虞。
再者，於第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。因此，可自基板之中心部C遍及周緣部E順暢地持續供給溶劑F。
於第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa開始供給溶劑F。藉此，第1步驟可順利地開始溶劑F之供給。
自溶劑噴嘴26噴出之溶劑F棒狀流下。因此，溶劑噴嘴26可使溶劑F較佳地落下至基板W上。
溶劑供給步驟具備薄膜化步驟。因此，可較佳地減薄溶劑F之膜厚。藥液供給步驟係將藥液G供給於溶劑F之薄膜上。其結果，可於基板W上形成厚度大致均一之藥液G之塗膜。可較佳地防止藥液G之塗膜之厚度不均。
溶劑供給步驟僅進行第1步驟與薄膜化步驟。因此，可縮短溶劑供給步驟所需要之時間。再者，可減低溶劑供給步驟所使用之溶劑F量。該等結果，可更佳地防止溶劑F進入凹部41。即，可更佳地以溶劑F蓋住凹部41。
藉由第1步驟與薄膜化步驟之組合，可較佳地抑制中心部C 與周緣部E之間溶劑F之量不均。
具體而言，於第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。若溶劑噴嘴26移動至周緣位置Pb，則不將溶劑F供給於中心部C。因此，於第1步驟結束之時點，中心部C之每單位面積之溶劑F量小於周緣部E之每單位面積之溶劑F量。另一方面，於薄膜化步驟中，周緣部E以較中心部C更快之速度移動。因此，周緣部E之溶劑F之減少量大於中心部C之溶劑之減少量。其結果，可抑制於薄膜化步驟結束之時點，中心部C之每單位面積之溶劑F量，與周緣部E之每單位面積之溶劑F量不均。
藥液G具有比較高之黏度。因此，藥液G更不易進入凹部41。藉此，藥液供給步驟可更佳地以藥液G蓋住凹部41。
藥液G具有200cP以上黏度之情形時，藥液供給步驟可更佳地以藥液G蓋住凹部41。藥液G具有400cP以上黏度之情形時，藥液供給步驟可更佳地以藥液G蓋住凹部41。
基板W於俯視時具有圓形狀。因此，溶劑供給步驟可遍及基板W全體，更均一地供給溶劑F。同樣地，藥液供給步驟可遍及基板全體W，更均一地供給藥液。
基板W具有凹部41。該情形時，本塗佈方法之溶劑供給步驟亦可遍及基板W全體，均一地供給溶劑F。其結果，藥液供給步驟可將藥液G適當地塗佈於基板W。如此，基板W具有凹部41之情形時，本塗佈方法具有尤其高之實用性。
本發明並非限定於上述實施形態，可如下述般變化實施。
(1)於上述各實施例1、2中，溶劑噴嘴26具有1個噴出口 26a，但並不限定於此。例如，溶劑噴嘴26亦可具有複數個噴出口26a。
(2)於上述各實施例1、2中，溶劑噴嘴26之噴出口26a具有大致圓形狀，但並不限定於此。例如，噴出口26a亦可具有橢圓形狀或多角形狀。例如，噴出口26a亦可具有細長形狀。例如，溶劑噴嘴26亦可為狹縫型噴嘴。
(3)於上述實施例1、2中，溶劑噴嘴26於第1步驟中自中心位置Pa移動至周緣位置Pb，但並不限定於此。溶劑噴嘴26於第1步驟中亦可自周緣位置Pb移動至中心位置Pa。
(4)於上述實施例1中，溶劑噴嘴26於第2步驟中自周緣位置Pb移動至中心位置Pa，但並不限定於此。溶劑噴嘴26於第2步驟中亦可自中心位置Pa移動至周緣位置Pb。
(5)於上述實施例1中，第1步驟中溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之朝向，與第2步驟中溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之朝向相反，但並不限定於此。第1步驟中溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之朝向，與第2步驟中溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之朝向亦可相同。
(6)於上述實施例2中，第1步驟中，溶劑噴嘴26自中心位置Pa移動至周緣位置Pb之期間在第1基準時間T1之±20%之範圍內，但並不限定於此。例如，第1步驟中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動之期間亦可在第1基準時間T1之±1[sec]之範圍內。換言之，第1步驟中，溶劑噴嘴26亦可花費第1基準時間T1之±1[sec]範圍內之時間，於中心位置Pa與周緣位置Pb之間移動。
(7)於上述各實施例1、2中，溶劑噴嘴26於中心位置Pa與 周緣位置Pb之間移動之路徑L1於俯視時係與基板W之徑向近似之曲線，但並不限定於此。例如，溶劑噴嘴26於俯視時，亦可於基板W之徑向移動。例如，溶劑噴嘴26於俯視時，亦可於中心位置Pa與周緣位置Pb之間直線移動。於本變化實施例中，亦可適當變更移動機構27之構造。例如，亦可將移動機構27之構造變更為與移動機構37同等之構造。
(8)於上述實施例1、2中，溶劑噴嘴26之移動速度於第1步驟中固定，但並不限定於此。溶劑噴嘴26之移動速度於第1步驟中亦可變動。
(9)於上述實施例1中，溶劑噴嘴26之移動速度於第2步驟中固定，但並不限定於此。溶劑噴嘴26之移動速度於第2步驟中亦可變動。
(10)於上述實施例1、2中，溶劑噴嘴26亦可於垂直方向可移動地設置。例如，於溶劑供給步驟中，溶劑噴嘴26亦可於水平方向及垂直方向移動。根據本變化實施例，可邊改變溶劑噴嘴26之高度位置，邊由溶劑噴嘴26將溶劑F噴出至基板W。根據本變化實施例，可改變基板W與溶劑噴嘴26之間隔，且溶劑噴嘴26可將溶劑F噴出至基板W。
(11)於上述實施例1中，於溶劑供給步驟，以溶劑F填滿凹部41，但並不限定於此。即，溶劑供給步驟亦可不以溶劑填滿凹部41。例如，於溶劑供給步驟，亦可將溶劑F塗佈於凹部41之內壁及底部之至少任一者。藉此，藥液G亦可順利地進入凹部41。
(12)於上述實施例2中，溶劑供給步驟中，溶劑F未進入凹部41，但並不限定於此。溶劑供給步驟中，只要可以溶劑F蓋住凹部41，則溶劑F可略微進入凹部41。
(13)於上述實施例1中，溶劑供給步驟具備盛液步驟，但並不限定於此。即，溶劑供給步驟亦可不具備盛液步驟。
(14)於上述實施例1中，溶劑供給步驟具備第2步驟，但並不限定於此。即，溶劑供給步驟亦可不具備第2步驟。
(15)於上述實施例1、2中，溶劑供給步驟具備薄膜化步驟，但並不限定於此。即，溶劑供給步驟亦可不具備薄膜化步驟。
(16)於上述實施例2中，薄膜化步驟之基板W之旋轉速度大於第1旋轉速度R1，但並不限定於此。例如，薄膜化步驟之基板W之旋轉速度亦可與第1旋轉速度R1相同。例如，薄膜化步驟之基板W之旋轉速度亦可低於第1旋轉速度R1。
(17)於上述實施例1中，於第1步驟之後，第2步驟之前，進行盛液步驟，但並不限定於此。例如，亦可於第2步驟之後進行盛液步驟。例如，亦可繼第1步驟後，進行第2步驟。
(18)亦可將實施例1之藥液供給步驟置換成實施例2之藥液供給步驟。具體而言，亦可於實施例1之溶劑供給步驟之後，進行實施例2之藥液供給步驟。藉由本變化實施例，亦可獲得與實施例1同樣之效果。
(19)亦可將實施例2之藥液供給步驟置換成實施例1之藥液供給步驟。具體而言，亦可於實施例2之溶劑供給步驟之後，進行實施例1之藥液供給步驟。藉由本變化實施例，亦可獲得與實施例2同樣之效果。
(20)實施例1之藥液噴嘴36亦可具有與實施例2說明之藥液噴嘴36相同之構造。例如，實施例1之藥液噴嘴36亦可具有實施例2說明之噴出口36a。或實施例1之藥液噴嘴36亦可具有與實施例2說明之藥液噴嘴36不同之構造。例如，實施例1之藥液噴嘴36亦可具有大致圓形狀之噴 出口。
(21)於上述實施例1、2中，藥液噴嘴36亦可於垂直方向可移動地設置。例如，於藥液供給步驟中，藥液噴嘴36亦可於水平方向及垂直方向移動。根據本變化實施例，可改變藥液噴嘴36之高度位置，且藥液噴嘴36可將藥液G噴出至基板W。根據本變化實施例，可改變基板W與藥液噴嘴36之間隔，且藥液噴嘴36可將藥液G噴出至基板W。
(22)於上述實施例1、2中，基板W具有凹部41，但並不限定於此。即，基板W亦可不具有凹部41。例如，基板W之上表面亦可為平坦。
(23)對於上述實施例1、2及上述(1)至(22)說明之各變化實施例，亦可進而將各構成置換或組合於其他變化實施例之構成等進行適當變更。本發明在不脫離其思想或本質下，可以其他具體形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，並非參照以上之說明，而應參照所附加之申請專利範圍。

Claims (15)

  1. 一種塗佈方法，其係將藥液塗佈於基板者，且具備：對基板供給溶劑之溶劑供給步驟，及於上述溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液之藥液供給步驟；上述溶劑供給步驟具備：第1步驟，其使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出；上述第1旋轉速度大於0rpm且未達500rpm，上述溶劑噴嘴具有噴出溶劑之噴出口，於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動期間，基板旋轉之次數為基板之半徑除以上述噴出口之尺寸之基準值以上。
  2. 如請求項1之塗佈方法，其中於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動之期間為上述基準值除以第1旋轉速度之第1基準時間以上。
  3. 如請求項1之塗佈方法，其中上述溶劑供給步驟具備：保持於基板上盛有溶劑之狀態之盛液步驟。
  4. 如請求項1之塗佈方法，其中上述溶劑供給步驟具備：第2步驟，其使基板以第2旋轉速度旋轉，並使上述溶劑噴嘴遍及上述中心位置與上述周緣位置移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出。
  5. 如請求項4之塗佈方法，其中上述第2旋轉速度大於0rpm且未達500rpm。
  6. 如請求項1至5中任一項之塗佈方法，其中上述溶劑供給步驟具備：使基板旋轉而將形成於基板上之溶劑之膜厚減薄之薄膜化步驟。
  7. 一種塗佈方法，其係將藥液塗佈於基板者，且具備：對基板供給溶劑之溶劑供給步驟，及於上述溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液之藥液供給步驟；上述溶劑供給步驟具備：第1步驟，其使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出；上述第1旋轉速度為500rpm以上；上述溶劑噴嘴具有噴出溶劑之噴出口，於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動期間，基板旋轉之次數係在基板之半徑除以上述噴出口之尺寸之基準值之±20%之範圍內。
  8. 如請求項7之塗佈方法，其中於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴於上述中心位置與上述周緣位置之間移動之期間為上述基準值除以上述第1旋轉速度之第1基準時間之±20%之範圍內。
  9. 一種塗佈方法，其係將藥液塗佈於基板者，且具備：對基板供給溶劑之溶劑供給步驟，及於上述溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液之藥液供給步驟；上述溶劑供給步驟具備：第1步驟，其使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出；上述第1旋轉速度為500rpm以上；上述溶劑供給步驟具備：使基板旋轉而將形成於基板上之溶劑之膜厚減薄之薄膜化步驟。
  10. 如請求項9之塗佈方法，其中上述溶劑供給步驟僅進行上述第1步驟與上述薄膜化步驟。
  11. 一種塗佈方法，其係將藥液塗佈於基板者，且具備：對基板供給溶劑之溶劑供給步驟，及於上述溶劑供給步驟之後，對基板供給藥液之藥液供給步驟；上述溶劑供給步驟具備：第1步驟，其使基板以第1旋轉速度旋轉，使溶劑噴嘴遍及基板之中心部上方之中心位置與基板之周緣部上方之周緣位置而移動，且使溶劑自上述溶劑噴嘴噴出；上述第1旋轉速度為500rpm以上；上述藥液供給步驟中對基板供給之藥液具有200cP以上之黏度。
  12. 如請求項1、7、9及11中任一項之之塗佈方法，其中於上述第1步驟中，上述溶劑噴嘴自上述中心位置向上述周緣位置移動。
  13. 如請求項1、7、9及11中任一項之之塗佈方法，其中自溶劑噴嘴噴出之溶劑棒狀地流下。
  14. 如請求項1、7、9及11中任一項之之塗佈方法，其中基板於俯視時具有圓形狀。
  15. 如請求項1、7、9及11中任一項之之塗佈方法，其中基板具有形成於基板之上表面之凹部。
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