TWI670790B - 基板處理裝置與基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置與方法，對基板實施使用處理液的處理，包括：基板保持單元，有自旋底座，並用以保持基板；隔斷構件，有與由基板保持單元保持的基板的上表面相向的基板相向面，並有比自旋底座大的直徑；隔斷構件升降單元，使隔斷構件在隔斷位置與退避位置間升降，隔斷位置是將基板相向面與上表面間的空間從上表面上的側方隔斷的位置，退避位置是從隔斷位置向上方退避的位置，且空間未從上表面上的側方被隔斷；以及多個防護板，包括環繞在基板保持單元周圍的筒狀內側防護板、及環繞在內側防護板周圍的筒狀外側防護板，多個防護板用以捕獲從基板與隔斷構件之間排出的處理液，外側防護板的內周端相較於內側防護板的內周端而位於徑向外側。

Description

基板處理裝置與基板處理方法
本發明關於一種基板處理裝置及基板處理方法。在做為處理對象的基板中，例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、有機電致發光(electroluminescence，EL)顯示裝置等平板顯示器(FlatPanelDisplay，FPD)用基板、光碟用基板、磁片用基板、光磁片用基板、光阻用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置的製造步驟中，為了對半導體晶片等基板的表面實施使用藥液等處理液的處理，有時使用對基板逐片進行處理的單片式基板處理裝置。此單片式的基板處理裝置在腔室內例如包括：使基板保持為大致水平並旋轉的自旋夾頭(spin chuck)、用於對通過此自旋夾頭而旋轉的基板供給處理液的噴嘴、在接近由自旋夾頭保持的基板的表面(上表面)的位置相向配置的隔斷構件、以及用於捕獲從基板排出的處理液並進行排液的處理杯(cup)。
如美國專利申請公開第2016/045938A1號公報所示，處理杯具備多個防護板(guard)。各防護板包括環繞在自旋夾頭周圍的圓筒狀的引導部、以及從引導部的上端向中心側朝斜上方延伸的圓筒狀的傾斜部。各傾斜部的上端構成為各防護板的內周端，並具有比基板與自旋底座大的直徑。各防護板的內周端在徑向上一致。
另外，在美國專利申請公開第2017/186599A1號公報的基板處理裝置的基板處理例中，一面將隔斷構件配置於從基板的表面向上方退避的退避位置，一面從配置於隔斷構件與基板的上表面之間的噴嘴噴出藥液，由此進行藥液處理。同樣地，一面將隔斷構件配置於退避位置，一面從配置於隔斷構件與基板的上表面之間的噴嘴噴出沖洗液，由此進行沖洗處理。
沖洗處理後，使隔斷構件接近基板的表面。在此狀態下，使自旋夾頭與隔斷構件沿同一方向旋轉。由此，將附著於基板表面的沖洗液甩掉並去除(乾燥)。
另外，美國專利申請公開第2015/234296A1號公報的隔斷構件中，為了更有效地將基板上方的上方空間與上方空間的側方空間隔斷而具備配置於由自旋夾頭保持的基板上方的圓板部、以及從與圓板部的周緣下垂的圓筒部。即，此隔斷構件包括：與由自旋夾頭保持的基板的上表面相向的基板相向面、以及與由自旋夾頭保持的基板的外周端相向的內周面。
本申請發明人等對使用美國專利申請公開第2015/234296A1號公報的隔斷構件來實施下述專利文獻2的基板處理例進行了研究。
即，對於具有圓板部與圓筒部的隔斷構件，一面將隔斷構件配置於從基板的表面向上方退避的退避位置，一面從配置於隔斷構件與基板的上表面之間的噴嘴噴出處理液(藥液或沖洗液)，由此進行藥液處理或沖洗處理。此時，使多個防護板中的一個防護板(退避位置用防護板)與基板的周端面相向。利用退避位置用防護板來捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
沖洗處理後，使隔斷構件接近基板的表面。另外，使與退避位置用防護板不同的防護板(隔斷位置用防護板)與隔斷構件的圓筒部的下端部相向。在該狀態下使基板乾燥。利用隔斷位置用防護板來捕獲從隔斷構件的圓筒部的下端部排出的處理液。
所述情況下，存在如下問題。即，美國專利申請公開第2015/234296A1號公報的隔斷構件由於具有對內周面進行劃分的圓筒部，因此被設置成比自旋底座大的直徑。在使用這種大直徑的隔斷構件的情況下，為了避免與防護板的內周端的干擾，需要擴大各防護板的內徑。
然而，若擴大了退避位置用防護板的內徑，則認為在藥液處理或沖洗處理中，基板的周緣部與退避位置用防護板的間隔變長，無法利用所期望的退避位置用防護板效率良好地捕獲從基板的周緣飛散的處理液(藥液或沖洗液)。即，退避位置用防護板的防液濺性能下降。不僅如此，由於處理液從隔斷構件的圓筒部的下端部的飛散方向為廣角，因此，在將隔斷構件配置於隔斷位置的狀態下進行的處理(例如乾燥處理)中，若擴大了退避位置用防護板的內徑，則擔心從隔斷構件的圓筒部的下端部飛散的處理液被原本未預料到的退避位置用防護板捕獲。所述情況下，擔心在退避位置用防護板中發生混合接觸。
即，期望一面避免隔斷構件與防護板的干擾，一面利用所期望的防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
因此，本發明的目的在於提供一種可一面避免隔斷構件與防護板的干擾，一面利用所期望的防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液的、基板處理裝置及基板處理方法。
本發明提供一種基板處理裝置，用於對基板實施使用處理液的處理的基板處理裝置，包括：基板保持單元，具有自旋底座，並用以保持所述基板；隔斷構件，具有與由所述基板保持單元保持的基板的上表面相向的基板相向面，並具有比所述自旋底座大的直徑；隔斷構件升降單元，使所述隔斷構件在隔斷位置與退避位置之間升降，其中，所述隔斷位置是將所述基板相向面與所述上表面之間的空間從所述上表面上的側方隔斷的位置，所述退避位置是從所述隔斷位置向上方退避的位置，且所述空間未從所述上表面上的側方被隔斷；以及多個防護板，包括環繞在所述基板保持單元周圍的筒狀的內側防護板、以及環繞在所述內側防護板周圍的筒狀的外側防護板，所述多個防護板用以捕獲從所述基板與所述隔斷構件之間排出的處理液，其中所述內側防護板和所述外側防護板為筒狀。且所述外側防護板的內周端相較於所述內側防護板的內周端而位於徑向外側。
根據所述構成，外側防護板的內周端相較於內側防護板的內周端而位於徑向外側。即，由外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑比由內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑大。
考慮將隔斷構件與多個防護板設置成使隔斷構件配置於退避位置、且內側防護板與基板的周端面相向的狀態。在此狀態下，由於內側防護板的內周端為比較小的直徑，因此可將基板的周緣部與內側防護板的內周端的徑向距離保持為最佳長度。因此，可利用內側防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液(防液濺性能提升)。
另外，考慮將隔斷構件與多個防護板設置成使隔斷構件配置於隔斷位置、且外側防護板與隔斷構件的周端相向的狀態。由於外側防護板的內周端為比較大的直徑，因此，在此狀態下可避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
根據以上，可一面避免隔斷構件與防護板(外側防護板)的干擾，一面利用所期望的防護板(內側防護板)效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
本實施形態中，所述內側防護板、所述外側防護板及所述隔斷構件被設置為，由所述外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑大於所述隔斷構件的外徑，且由所述內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑等於或小於所述隔斷構件的外徑。
根據所述構成，由外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑比隔斷構件的外徑大。因此，可切實地避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
另外，由內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑等於或小於隔斷構件的外徑。因此，可切實地防止從基板的周端部排出的處理液進入至內側防護板，由此可將內側防護板中的處理液的混合接觸防止於未然。
本實施形態中，所述隔斷構件更包括與由所述基板保持單元保持的所述基板的周端相向的內周面。
根據所述構成，在隔斷構件配置於隔斷位置的狀態下，可利用隔斷構件更有效地將基板上方的上方空間與上方空間的側方空間隔斷。在此狀態下使外側防護板與隔斷構件的周端相向。從基板上表面的周緣部排出的處理液由內周面承接。處理液從隔斷構件的內周面的下端緣朝徑向外側呈廣角飛散。具有此種內周面的隔斷構件所具有比自旋底座大的直徑，但即便在使用這種大直徑的隔斷構件的情況下，也能一面避免隔斷構件與防護板的干擾，一面利用所期望的防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
本實施形態中，所述內側防護板及所述外側防護板分別具備隨著朝向徑向內側而朝向上方的傾斜部。而且也可為，所述外側防護板的所述傾斜部相較於所述內側防護板的所述傾斜部而被配置於上方，且各傾斜部的上端形成為各防護板的內周端。
根據所述構成，外側防護板的所述傾斜部相較於內側防護板的所述傾斜部而被配置於上方。各傾斜部的上端形成為各防護板的內周端。
本實施形態中，還包括：旋轉單元，用以使由所述基板保持單元保持的基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉；防護板升降單元，使所述多個防護板中的至少一者升降；及控制裝置，控制所述隔斷構件升降單元、所述旋轉單元及所述防護板升降單元。而且也可為，所述控制裝置執行第一處理步驟，在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置於所述退避位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述內側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉；及第二處理步驟，在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置於所述隔斷位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述外側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉。
根據所述構成，外側防護板的內周端相較於內側防護板的內周端而位於徑向外側。即，由外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑比由內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑大。
另外，第一處理步驟中，將隔斷構件配置於退避位置，且內側防護板與基板的周端面相向。由於內側防護板的內周端為比較小的直徑，因此可將基板的周緣部與內側防護板的內周端的徑向距離保持為最佳長度。因此，可利用內側防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液(防液濺性能提升)。
第二處理步驟中，將隔斷構件配置於隔斷位置，且外側防護板與隔斷構件的周端相向。由於外側防護板的內周端為比較大的直徑，因此，可避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
根據以上，可一面避免隔斷構件與防護板(外側防護板)的干擾，一面利用所期望的防護板(內側防護板)效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
本實施形態中，還包括：具有設置於所述隔斷構件外側的第一處理液噴出口的第一噴嘴、及對所述第一噴嘴供給第一處理液的第一處理液單元。而且也可為，所述控制裝置在所述第一處理步驟中還執行利用所述第一處理液單元將第一處理液從所述第一處理液噴出口朝所述基板的上表面噴出的步驟。
根據所述構成，在將隔斷構件配置於退避位置、且使內側防護板與基板的周端面相向的第一處理步驟中，將第一處理液從設置於隔斷構件外側的第一處理液噴出口朝基板的上表面噴出。被供給至基板的上表面的第一處理液由於基板旋轉所產生的離心力而移動至基板的上表面的周緣部，並從基板的上表面的周緣部朝徑向外側飛散。飛散的第一處理液由內側防護板捕獲。由於內側防護板的內周端為比較小的直徑，因此可將基板的周緣部與內側防護板的內周端的徑向距離保持為最佳長度。因此，可利用內側防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的第一處理液。
本實施形態中，還包括：具有開口於所述基板相向面的第二處理液噴出口的第二噴嘴、及對所述第二噴嘴供給第二處理液的第二處理液單元。而且也可為，所述控制裝置在所述第二處理步驟中還執行利用所述第二處理液單元將所述第二處理液從所述第二處理液噴出口朝所述基板的上表面噴出的步驟。
根據所述構成，在將隔斷構件配置於隔斷位置、且使外側防護板與隔斷構件的周端相向的第二處理步驟中，從開口於基板相向面的第二處理液噴出口朝基板的上表面噴出第二處理液。被供給至基板的上表面的第二處理液由於基板旋轉所產生的離心力而移動至基板的上表面的周緣部，並從基板的上表面的周緣部朝徑向外側飛散。飛散的第二處理液由外側防護板捕獲。由於外側防護板的內周端為比較大的直徑，因此，在此狀態下可避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
本發明提供一種基板處理方法，在包含具有自旋底座並用以保持基板的基板保持單元的基板處理裝置中被執行。所述基板處理方法包括：第一處理步驟，在將包含筒狀的內側防護板與外側防護板的多個防護板中的所述內側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，使所述基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉，其中，所述筒狀的內側防護板具有比所述自旋底座大的直徑並將與所述基板的上表面相向的隔斷構件配置於從所述基板的所述上表面退避的退避位置，且環繞在所述基板保持單元的周圍，所述外側防護板是環繞在所述內側防護板周圍的筒狀的外側防護板，且具有相較於所述內側防護板的內周端而位於徑向外側的內周端，其中所述內側防護板和所述外側防護板為筒狀；及第二處理步驟，在將所述隔斷構件配置於隔斷位置、且將多個防護板中的所述外側防護板配置成與位元於所述隔斷位置的所述隔斷構件的周端相向的狀態下，使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉，其中，所述隔斷位置是將所述基板相向面與所述上表面之間的空間從所述上表面上的側方隔斷的位置。
根據所述方法，外側防護板的內周端相較於內側防護板的內周端而位於徑向外側。即，由外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑大於由內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑。
另外，第一處理步驟中，將隔斷構件配置於退避位置，且內側防護板與基板的周端面相向。由於內側防護板的內周端為比較小的直徑，因此可將基板的周緣部與內側防護板的內周端的徑向距離保持為最佳長度。因此，可利用內側防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液(防液濺性能提升)。
第二處理步驟中，將隔斷構件配置於隔斷位置，且外側防護板與隔斷構件的周端相向。由於外側防護板的內周端為比較大的直徑，因此，可避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
根據以上，可一面避免隔斷構件與防護板(外側防護板)的干擾，一面利用所期望的防護板(內側防護板)效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的處理液。
本實施形態中是，所述第一處理步驟更包括將第一處理液從設置於所述隔斷構件外側的第一處理液噴出口朝所述基板的上表面噴出的步驟。
根據所述方法，在將隔斷構件配置於退避位置、且使內側防護板與基板的周端面相向的第一處理步驟中，將第一處理液從設置於隔斷構件外側的第一處理液噴出口朝基板的上表面噴出。被供給至基板的上表面的第一處理液由於基板旋轉所產生的離心力而移動至基板的上表面的周緣部，並從基板的上表面的周緣部朝徑向外側飛散。飛散的第一處理液由內側防護板捕獲。由於內側防護板的內周端為比較小的直徑，因此可將基板的周緣部與內側防護板的內周端的徑向距離保持為最佳長度。因此，可利用內側防護板效率良好地捕獲從基板的周緣部排出的第一處理液。
本實施形態中，所述第二處理步驟更包括將第二處理液從開口於所述基板相向面的第二處理液噴出口朝所述基板的上表面噴出的步驟。
根據所述方法，在將隔斷構件配置於隔斷位置、且使外側防護板與隔斷構件的周端相向的第二處理步驟中，從開口於基板相向面的第二處理液噴出口朝基板的上表面噴出第二處理液。被供給至基板的上表面的第二處理液由於基板旋轉所產生的離心力而移動至基板的上表面的周緣部，並從基板的上表面的周緣部朝徑向外側飛散。飛散的第二處理液由外側防護板捕獲。由於外側防護板的內周端為比較大的直徑，因此，在此狀態下可避免外側防護板與隔斷構件的干擾。
本發明中所述的或者另一目的、特徵以及效果通過接下來參照附圖進行敘述的實施形態的說明而明確。
圖1是自上觀察本發明的一實施形態的基板處理裝置1的示意圖。
基板處理裝置1是對矽晶片等基板W逐片進行處理的單片式裝置。本實施形態中，基板W為圓板狀的基板。基板處理裝置1包括：利用處理液及沖洗液對基板W進行處理的多個處理單元2、載置對經處理單元2處理的多片基板W進行收容的基板收容器的裝載埠(load port)LP、在裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W的分度器機器人(indexer robot)IR及基板搬送機器人CR、以及對基板處理裝置1進行控制的控制裝置3。分度器機器人IR在基板收容器與基板搬送機器人CR之間搬送基板W。基板搬送機器人CR在分度器機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。多個處理單元2例如具有相同的構成。
圖2是用以說明處理單元2的構成例的圖解性剖面圖。圖3是隔斷構件8的底視圖。圖4是處理杯13的剖面圖。
如圖2所示，處理單元2包括：箱形的腔室4、在腔室4內將一片基板W以水平的姿勢加以保持並使基板W圍繞著穿過基板W的中心的鉛垂的旋轉軸線A1旋轉的自旋夾頭(spin chuck)(基板保持單元) 5、用以朝基板的上表面供給藥液(第一處理液)的藥液供給單元(第一處理液單元) 6、用以朝由自旋夾頭5保持的基板W的上表面供給沖洗液(第一處理液)的沖洗液供給單元(第一處理液單元) 7、與由自旋夾頭5保持的基板W的上表面相向的隔斷構件8、用以在隔斷構件8的內部沿上下插通，並朝由自旋夾頭5保持的基板W的上表面的中央部噴出處理液的中心軸噴嘴9、用以朝中心軸噴嘴9供給做為比重比空氣大且具有比水低的表面張力的低表面張力液體的有機溶劑(第二處理液)的有機溶劑供給單元(第二處理液單元)10、用以朝中心軸噴嘴9供給液體的疏水劑(第二處理液)的疏水劑供給單元(第二處理液單元)11、用以朝中心軸噴嘴9供給惰性氣體的惰性氣體供給單元12、以及環繞著自旋夾頭5的筒狀的處理杯13。
如圖2所示，腔室4包括收容自旋夾頭5的箱狀的隔壁14、將潔淨空氣(由篩檢程式過濾了的空氣)從隔壁14的上部送至隔壁14內的做為送風單元的風機·過濾·單元(fan filter unit，FFU)15、以及從隔壁14的下部將腔室4內的氣體排出的排氣管道(duct)16。FFU15配置於隔壁14的上方並被安裝於隔壁14的頂部。FFU15從隔壁14的頂部將潔淨空氣向下送至腔室4內。排氣管道16連接於處理杯13的底部，並朝設在設置有基板處理裝置1的工廠中的排氣處理設備匯出腔室4內的氣體。因而，通過FFU15及排氣管道16而形成在腔室4內向下方流動的向下流(downflow)。基板W的處理是在腔室4內形成有向下流的狀態下進行。
如圖2所示，做為自旋夾頭5，採用沿水平方向夾著基板W並將基板W保持為水平的夾持式夾頭。具體而言，自旋夾頭5包括：自旋馬達M、與此自旋馬達M的驅動軸一體化的自旋軸17、大致水平地安裝於自旋軸17上端的圓板狀的自旋底座18。自旋底座18的直徑與基板W的直徑相等、或者大於基板W的直徑。
如圖2所示，在自旋底座18的上表面18a，在其周緣部配置著多個(3個以上。例如4個)夾持銷19。多個夾持銷19是在自旋底座18的上表面18a的外周部，在與基板W的外周形狀對應的圓周上空開適當的間隔(例如等間隔)而配置。
藥液供給單元6包括藥液噴嘴21、連接於藥液噴嘴21並供給源於藥液供給源的藥液的藥液配管22、插裝於藥液配管22的藥液閥23及第一流量調整閥24。藥液噴嘴21是從藥液噴出口21a(第一處理液噴出口)例如以連續流的狀態噴出液體的直式噴嘴(straight nozzle)。例如，藥液噴出口21a形成於藥液噴嘴21的主體(body)的下端，並從藥液噴出口21a向下噴出藥液。第一流量調整閥24包括：內部設置有閥座的閥體(valve body)、使閥座開閉的閥元件(valve element)、使閥元件在開位置與閉位置之間移動的致動器(actuator)。其他流量調整閥也相同。
當藥液閥23打開時，從藥液噴出口21a向下方噴出藥液。當藥液閥23關閉時，停止從藥液噴出口21a噴出藥液。通過第一流量調整閥24來調整藥液從藥液噴出口21a的噴出流量。藥液也可為包含例如硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機堿(例如，TMAH：四甲基氫氧化銨(tetramethyl ammonium hydroxide)等)、表面活性劑及防腐劑中的至少一者的液體。
藥液供給單元6更包括：在前端部安裝有藥液噴嘴21的噴嘴臂25、以及使噴嘴臂25例如圍繞著規定的擺動軸線擺動並使藥液噴嘴21移動的第一噴嘴移動單元26。第一噴嘴移動單元26包括馬達等。第一噴嘴移動單元26使藥液噴嘴21在處理位置與退避位置之間移動，其中，所述處理位置是將從藥液噴嘴21噴出的藥液供給至基板W的上表面的位置，所述退避位置是俯視時藥液噴嘴21向自旋夾頭5的側方退避的位置。
沖洗液供給單元7包括沖洗液噴嘴27、連接於沖洗液噴嘴27並供給源於沖洗液供給源的沖洗液的沖洗液配管28、以及插裝於沖洗液配管28的沖洗液閥29及第二流量調整閥30。沖洗液噴嘴27是從沖洗液噴出口(第一處理液噴出口)27a例如以連續流的狀態噴出液體的直式噴嘴。例如，沖洗液噴出口27a形成於沖洗液噴嘴27的主體的下端，並從沖洗液噴出口27a向下噴出沖洗液。
當沖洗液閥29打開時，從沖洗液噴出口27a向下方噴出沖洗液。當沖洗液閥29關閉時，停止從沖洗液噴出口27a噴出沖洗液。通過第二流量調整閥30來調整沖洗液從沖洗液噴出口27a的噴出流量。沖洗液是水。本實施形態中，水是純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm～100ppm左右)的氨水中的任一者。
沖洗液供給單元7更包括：在前端部安裝有沖洗液噴嘴27的噴嘴臂31、以及使噴嘴臂31例如圍繞著規定的擺動軸線擺動並使沖洗液噴嘴27移動的第二噴嘴移動單元32。第二噴嘴移動單元32包括馬達等。第二噴嘴移動單元32使沖洗液噴嘴27在處理位置與退避位置之間移動，其中，所述處理位置是將從沖洗液噴嘴27噴出的沖洗液供給至基板W的上表面的位置，所述退避位置是俯視時沖洗液噴嘴27向自旋夾頭5的側方退避的位置。
隔斷構件8包括隔斷板41、可一體旋轉地設置於隔斷板41的上自旋軸42。隔斷板41是比基板W的直徑大的圓板狀。隔斷板41包括：以水平的姿勢得到保持的圓板部43、以及從圓板部43的外周部向下方延伸的圓筒部44。圓板部43與圓筒部44同軸。圓板部43相較於圓筒部44的下端而被配置於上方。在圓板部43的中央部形成有將隔斷板41及上自旋軸42沿上下貫通的圓筒狀的貫通孔45。貫通孔45的內周壁由圓筒面劃分。貫通孔45中沿上下插通著中心軸噴嘴9。
隔斷板41包含向下凹陷的杯狀的內表面。隔斷板41的內表面包括與基板W的上表面的上方相向的基板相向面41a、以及在隔斷構件8處於隔斷位置的狀態下與基板W的外周端及自旋底座18的外周面(外周端)18b相向的內周面41b。圓板部43的下表面相當於基板相向面41a。基板相向面41a是與基板W的上表面平行的平坦面。
圓筒部44的內周面相當於內周面41b。內周面41b包括從基板相向面41a向斜下方朝外側延伸的環狀的內傾斜部。此內傾斜部具有相對於旋轉軸線A1的傾斜角連續發生變化的圓弧狀的剖面。此內傾斜部的剖面向下敞開。內周面41b的內徑隨著接近內周面41b的下端而增加。內周面41b的下端具有比自旋底座18的外徑大的內徑。
中心軸噴嘴9沿著穿過隔斷板41及基板W的中心的鉛垂的軸線、即旋轉軸線A1在上下方向上延伸。中心軸噴嘴9與隔斷板41一同升降。
中心軸噴嘴9沿著穿過隔斷板41及基板W的中心的鉛垂的軸線、即旋轉軸線A1在上下方向上延伸。中心軸噴嘴9配置於自旋夾頭5的上方，並插通於隔斷板41及上自旋軸42的內部空間。中心軸噴嘴9與隔斷板41及上自旋軸42一同升降。
上自旋軸42可相對旋轉地支撐於在隔斷板41的上方水平延伸的支撐臂46。在隔斷板41及上自旋軸42上耦合有包含電動馬達等的構成的隔斷板旋轉單元47。隔斷板旋轉單元47使隔斷板41及上自旋軸42相對於支撐臂46而圍繞著旋轉軸線A1旋轉。
另外，在支撐臂46上耦合有包含電動馬達、滾珠絲杠等的構成的隔斷構件升降單元48。隔斷構件升降單元48使隔斷構件8(隔斷板41及上自旋軸42)及中心軸噴嘴9與支撐臂46一同沿鉛垂方向升降。
隔斷構件升降單元48使隔斷板41在下隔斷位置(圖2中以虛線圖示。隔斷位置)與退避位置(圖2中以實線圖示)之間升降，其中，所述下隔斷位置是基板相向面41a接近由自旋夾頭5保持的基板W的上表面、且圓筒部44的下端的高度相較於基板W高度而位於下方的位置，所述退避位置是相較於下隔斷位置而大幅度向上方退避的位置。
隔斷構件升降單元48能夠在上隔斷位置(圖8C及圖8D所示的隔斷板41的位置。隔斷位置)、下隔斷位置及退避位置將隔斷板41加以保持。下隔斷位置是在基板相向面41a與基板W的上表面之間形成隔斷空間的位置。此隔斷空間並未與其周圍的空間完全隔離，但實質上被與其周圍的空間隔斷。上隔斷位置是相較於下隔斷位置而稍靠上方(上方數毫米)的位置。在隔斷板41被配置於上隔斷位置的狀態下，也在基板相向面41a與基板W的上表面之間形成隔斷空間。
中心軸噴嘴9包括：在貫通孔45的內部沿上下延伸的圓柱狀的套管(casing)50、以及在套管50的內部沿上下插通的第一噴嘴配管51、第二噴嘴配管52及第三噴嘴配管53。套管50包括：圓筒狀的外周面50a、以及設置於套管50的下端部並與基板W的上表面的中央部相向的基板相向面50b。第一噴嘴配管51～第三噴嘴配管53分別為內管(inner tube)。
如圖2所示，第一噴嘴配管51包括沿鉛垂方向延伸的鉛垂部分。如圖3所示，第一噴嘴配管51的下端在套管50的基板相向面50b開口並形成有第一噴出口(第一處理液噴出口)51a。對第一噴嘴配管51供給源於有機溶劑供給單元10的液體的有機溶劑。有機溶劑供給單元10包括：連接於第一噴嘴配管51的上游端側的有機溶劑配管56、插裝於有機溶劑配管56的中途部的有機溶劑閥57、以及對有機溶劑配管56的開度進行調整的第三流量調整閥58。當有機溶劑閥57打開時，從第一噴出口51a向下方噴出液體的有機溶劑。當有機溶劑閥57關閉時，停止從第一噴出口51a噴出液體的有機溶劑。通過第三流量調整閥58來調整液體的有機溶劑從第一噴出口51a的噴出流量。
本實施形態中，有機溶劑例如為異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，但做為此種有機溶劑，除IPA以外，例如可例示甲醇、乙醇、丙酮、乙二醇(ethylene glycol，EG)及氫氟醚(hydrofluoroether，HFE)。另外，做為有機溶劑，不僅是僅包含單體成分的情況，也可為與其他成分混合而成的液體。例如，可為IPA與丙酮的混合液，或者也可為IPA與甲醇的混合液。
如圖2所示，第二噴嘴配管52包括沿鉛垂方向延伸的鉛垂部分。如圖3所示，第二噴嘴配管52的下端在套管50的基板相向面50b開口並形成有第二噴出口(第二處理液噴出口)52a。對第二噴嘴配管52供給源於疏水劑供給單元11的液體的疏水劑。疏水劑供給單元11包括：連接於第二噴嘴配管52的上游端側的疏水劑配管59、插裝於疏水劑配管59的中途部的疏水劑閥60、以及對疏水劑配管59的開度進行調整的第四流量調整閥61。當疏水劑閥60打開時，從第二噴出口52a向下方噴出液體的疏水劑。當疏水劑閥60關閉時，停止從第二噴出口52a噴出液體的疏水劑。通過第四流量調整閥61來調整液體的疏水劑從第二噴出口52a的噴出流量。疏水劑可為矽系的疏水劑，或者也可為金屬系的疏水劑。
矽系的疏水劑是使矽(Si)自身及包含矽的化合物疏水化的疏水劑。矽系疏水劑例如是矽烷偶聯劑。矽烷偶聯劑例如包含六甲基二矽氮烷(hexamethyl disilazane，HMDS)、四甲基矽烷(tetramethylsilane，TMS)、氟化烷基氯矽烷、烷基二矽氮烷及非氯系疏水劑中的至少一者。非氯系疏水劑例如包含二甲基矽烷基二甲基胺、二甲基矽烷基二乙基胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲基氨基)二甲基矽烷、N,N-二甲基氨基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲基胺及有機矽烷化合物中的至少一者。
金屬系的疏水劑例如是具有高配位性、且主要通過配位元鍵來使金屬疏水化的溶劑。此疏水劑例如包含具有疏水基的胺、及有機矽化合物中的至少一者。
如圖3所示，第三噴嘴配管53包括沿鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第三噴嘴配管53的下端在套管50的基板相向面50b開口並形成有第三噴出口53a。對第三噴嘴配管53供給源於惰性氣體供給單元12的惰性氣體。惰性氣體供給單元12包括連接於第三噴嘴配管53的上游端側的惰性氣體配管62、插裝於惰性氣體配管62的中途部的惰性氣體閥63、以及對惰性氣體配管62的開度進行調整的第五流量調整閥64。當惰性氣體閥63打開時，從第三噴出口53a向下方噴出惰性氣體。當惰性氣體閥63關閉時，停止從第三噴出口53a噴出惰性氣體。通過第五流量調整閥64來調整惰性氣體從第三噴出口53a的噴出流量。惰性氣體不限於氮氣，也可為氦氣或氬氣等其他惰性氣體。另外，惰性氣體可為氮氣，或者也可為氮氣與氮氣以外的氣體的混合氣體。
另外，通過中心軸噴嘴9的筒狀的外周壁(套管50的外周面50a)與貫通孔45的筒狀的內周面45a形成了筒狀間隙65(參照圖3)。筒狀間隙65做為供惰性氣體流通的流路而發揮功能。筒狀間隙65的下端呈環繞著中心軸噴嘴9的環狀地開口，並形成有周圍中央氣體噴出口66(參照圖3)。
如圖2及圖4所示，處理杯13相較於由自旋夾頭5保持的基板W而被配置於外側(遠離旋轉軸線A1的方向)。
以下，主要參照圖4來說明處理杯13的構成。
處理杯13包括圓筒構件70、在圓筒構件70的內側環繞在自旋底座18周圍的多個杯71～杯73(第一杯71～第三杯73)、接住飛散在基板W周圍的處理液(藥液、沖洗液、有機溶劑、疏水劑等)的多個防護板74～防護板77(第一防護板74、第二防護板75、第三防護板76及第四防護板77)、以及使多個防護板74～防護板77單獨升降的防護板升降單元78。處理杯13相較於由自旋夾頭5保持的基板W的外周而被配置於外側(遠離旋轉軸線A1的方向)。
各杯71～杯73是圓筒狀(圓環狀)，且環繞在自旋夾頭5的周圍。從內側起第二個的第二杯72相較於第一杯71而被配置於外側，最外側的第三杯73相較於第二杯72而被配置於外側。第三杯73例如與第二防護板75為一體，且與第二防護板75一同升降。各杯71～杯73形成有向上敞開的環狀的槽。
第一杯71的槽上連接有第一排液配管79。引導至第一杯71的槽中的處理液(主要是沖洗液)穿過第一排液配管79被送至機器外的排液處理設備，並在此排液處理設備中進行排液處理。
第二杯72的槽上連接有第二排液配管80。引導至第二杯72的槽中的處理液(主要是藥液)穿過第二排液配管80被送至機器外的排液處理設備，並在此排液處理設備中進行排液處理。
第三杯73的槽上連接有第三排液配管81。引導至第三杯73的槽中的處理液(例如疏水劑)穿過第三排液配管81被送至機器外的回收設備，並在此回收設備中進行回收處理。
最內側的第一防護板74環繞在自旋夾頭5的周圍，且具有相對於保持在自旋夾頭5之基板W的旋轉軸線A1而大致旋轉對稱的形狀。第一防護板74包括環繞在自旋夾頭5周圍的圓筒狀的下端部83、從下端部83的上端向外側(遠離基板W的旋轉軸線A1的方向)延伸的筒狀部84、從筒狀部84的上表面外周部向鉛垂上方延伸的圓筒狀的中段部85、以及從中段部85的上端向內側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)朝斜上方延伸的圓環狀的第一傾斜部86。下端部83位於第一杯71的槽上，且在第一防護板74與第一杯71最接近的狀態下收容於第一杯71的槽的內部。第一防護板74的內周端74a(第一傾斜部86的前端)在俯視時形成為相較於由自旋夾頭5保持的基板W而為大直徑的圓形。另外，第一傾斜部86如圖2等所示，其剖面形狀是直線狀。
從內側起第二個的第二防護板75在第一防護板74的外側環繞在自旋夾頭5的周圍，且具有相對於保持在自旋夾頭5之基板W的旋轉軸線A1而大致旋轉對稱的形狀。第二防護板75包括與第一防護板74同軸的圓筒部87、以及從圓筒部87的上端向中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方延伸的第二傾斜部88。第二防護板75的內周端75a(第二傾斜部88的前端)在俯視時形成為相較於由自旋夾頭5保持的基板W而為大直徑的圓形。再者，第二傾斜部88如圖4所示，其剖面形狀是直線狀。
圓筒部87位於第二杯72的槽上。另外，第二傾斜部88被設置成與第一防護板74的第一傾斜部86的上方重疊，且是以在第一防護板74與第二防護板75最接近的狀態下保持微小間隙地接近第一傾斜部86的方式而形成。
從內側起第三個的第三防護板76在第二防護板75的外側環繞在自旋夾頭5的周圍，且具有相對於保持在自旋夾頭5的基板W的旋轉軸線A1而大致旋轉對稱的形狀。第三防護板76包括與第二防護板75同軸的圓筒部89、以及從圓筒部89的上端向中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方延伸的第三傾斜部90。第三防護板76的內周端76a(第三傾斜部90的前端)在俯視時形成為相較於由自旋夾頭5保持的基板W而為大直徑的圓形。第三傾斜部90如圖4所示，其剖面形狀是直線狀。
圓筒部89位於第三杯73的槽上。另外，第三傾斜部90被設置成與第二防護板75的第二傾斜部88在上方重疊，且是以在第二防護板75與第三防護板76最接近的狀態下保持微小間隙地靠近第二傾斜部88的方式而形成。
最外側的第四防護板77在第三防護板76的外側環繞在自旋夾頭5的周圍，且具有相對於保持在自旋夾頭5的基板W的旋轉軸線A1而大致旋轉對稱的形狀。第四防護板77包括與第三防護板76同軸的圓筒部91、以及從圓筒部91的上端向中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方延伸的第四傾斜部92。第四防護板77的內周端77a(第四傾斜部92的前端)在俯視時形成為相較於由自旋夾頭5保持的基板W而為大直徑的圓形。第四傾斜部92如圖4所示，其剖面形狀是直線狀。
在各傾斜部86、傾斜部88、傾斜部90、傾斜部92的前端(各防護板74～防護板77的內周端74a～內周端77a)形成有向下方彎折的翻折部。
即，處理杯13能夠折疊，通過由防護板升降單元78使四個防護板74～防護板77中的至少一者升降來進行處理杯13的展開及折疊。
通過防護板升降單元78的驅動，使處理杯13在上位置(傾斜部86、傾斜部88、傾斜部90、傾斜部92的前端相較於基板W的上表面而在上方的位置)與下位置(傾斜部86、傾斜部88、傾斜部90、傾斜部92的前端相較於基板W的上表面而在下方的位置)之間升降。
對基板W供給處理液(藥液、沖洗液、有機溶劑、疏水劑等)或基板W的乾燥是在防護板74～防護板77中的任一者與基板W的周端面相向的狀態下進行。
為了實現第一防護板74與基板W的周端面相向的狀態(圖8A所示的狀態。以下有時稱為“第一防護板相向狀態”)，將四個防護板74～防護板77全部配置於上位置。在第一防護板相向狀態下，從處於旋轉狀態的基板W的周緣部排出的處理液全部由第一防護板74接住。在由處理單元2執行的基板處理例中，在後述藥液步驟S3(第一處理步驟。參照圖7)中，在處理杯13處於第一防護板相向狀態的狀態下執行。
另外，為了實現第二防護板75與基板W的周端面相向的狀態(以下有時稱為“第二防護板相向狀態”)，將第一防護板74配置於下位置，並將剩餘三個防護板75～防護板77配置於上位置。在第二防護板相向狀態下，從處於旋轉狀態的基板W的周緣部排出的處理液全部由第二防護板75接住。在由處理單元2執行的基板處理例中，在後述沖洗步驟S4(參照圖7)中，在處理杯13處於第二防護板相向狀態的狀態下執行。
另外，為了實現第三防護板76與基板W的周端面相向的狀態(以下有時稱為“第三防護板相向狀態”)，將第一防護板74及第二防護板75配置於下位置，並將剩餘兩個防護板76、防護板77配置於上位置。在第三防護板相向狀態下，從處於旋轉狀態的基板W的周緣部排出的處理液全部由第三防護板76接住。在由處理單元2執行的基板處理例中，在後述沖洗步驟S4(參照圖7)中，在處理杯13處於第三防護板相向狀態的狀態下執行。
另外，為了實現第四防護板77與基板W的周端面相向的狀態(以下有時稱為“第四防護板相向狀態”)，將第一防護板74～第三防護板76配置於下位置，並將剩餘的防護板77配置於上位置。在第四防護板相向狀態下，從處於旋轉狀態的基板W的周緣部排出的處理液全部由第四防護板77接住。在由處理單元2執行的基板處理例中，在後述沖洗步驟S4(參照圖7)中，在處理杯13處於第四防護板相向狀態的狀態下執行。
如圖4所示，本實施形態中，相較於自旋底座18的外徑D1而隔斷構件8(隔斷板41)的外徑D2為大直徑(D2＞D1)。
另外，第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a相較於第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a而位於徑向外側。即，由第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a劃分的圓周的直徑D4大於由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3(D4＞D3)。直徑D4與直徑D3之間的距離L1例如是5mm。
另外，本實施形態中，由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3與隔斷構件8的外徑D2大致相等(D3≒D2)。
另外，關於第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a的徑向位置，以使基板W的周緣部與第一防護板74及第二防護板75之間的徑向距離L2成為可利用第一防護板74及第二防護板75切實地捕獲從基板W的周緣部飛散的處理液(藥液、沖洗液)的最佳長度的方式進行設置。
圖5是用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成的方塊圖。
控制裝置3例如是使用微電腦所構成。控制裝置3包括中央處理器(central processing unit，CPU)等運算單元、固定記憶體件(memory device)、硬碟驅動器(hard disk drive)等記憶單元、以及輸入輸出單元。記憶單元中儲存著運算單元所執行的程式。
另外，控制裝置3中連接有自旋馬達M、隔斷構件升降單元48、隔斷板旋轉單元47及防護板升降單元78等做為控制物件。控制裝置3按照預定的程式來控制自旋馬達M、隔斷構件升降單元48、隔斷板旋轉單元47及防護板升降單元78等的動作。
另外，控制裝置3按照預定的程式對藥液閥23、沖洗液閥29、有機溶劑閥57、疏水劑閥60、惰性氣體閥63等進行開閉。另外，控制裝置3按照預定的程式來調整第一流量調整閥24、第二流量調整閥30、第三流量調整閥58、第四流量調整閥61、第五流量調整閥64等的開度。
以下，說明對在做為器件形成面的表面形成有圖案的基板W進行處理的情況。
圖6是將做為基板處理裝置1的處理物件的基板W的表面Wa放大顯示的剖面圖。做為處理對象的基板W例如是矽晶片，並在做為其圖案形成面的表面Wa形成有圖案100。圖案100例如是微細圖案。如圖6所示，圖案100也可為將具有凸形狀(柱狀)的結構體101配置成矩陣狀的圖案。所述情況下，結構體101的線寬W1例如設置成10nm～45nm左右，圖案100的間隙W2例如設置成10nm～數μm左右。圖案100的膜厚T例如是1μm左右。另外，關於圖案100，例如縱橫比(膜厚T相對於線寬W1之比)例如也可為5～500左右(典型來說是5～50左右)。
另外，圖案100也可為將由微細的溝槽(trench)所形成的線狀圖案反復排列而成者。另外，圖案100也可通過在薄膜上設置多個微細孔(空隙(void)或孔隙(pore))而形成。
圖案100例如包含絕緣膜。另外，圖案100也可包含導體膜。更具體而言，圖案100由層疊有多個膜的層疊膜形成，進而也可包含絕緣膜與導體膜。圖案100也可為包含單層膜的圖案。絕緣膜也可為矽氧化膜(SiO2 膜)或矽氮化膜(SiN膜)。另外，導體膜可為將用於低電阻化的雜質導入而成的非晶矽膜，或者也可為金屬膜(例如金屬配線膜)。
另外，圖案100也可為親水性膜。做為親水性膜，可例示正矽酸四乙酯(Tetraethyl orthosilicate，TEOS)膜(矽氧化膜的一種)。
圖7是用以說明在處理單元2中執行的基板處理例的內容的流程圖。圖8A～8E是說明所述基板處理例的示意性圖。
參照圖1～圖7來說明第一基板處理例。適當參照圖8A～圖8E。
未處理的基板W(例如直徑300mm的圓形基板)由分度器機器人IR及基板搬送機器人CR從基板收容器C搬入至處理單元2，並搬入至腔室4內，基板W在使其表面Wa(參照圖6等)朝向上方的狀態下被傳遞至自旋夾頭5，基板W被保持於自旋夾頭5(圖7的S1：搬入基板W)。將基板W朝腔室4的搬入是且在將防護板74～防護板77配置於下位置的狀態下，且使藥液噴嘴21及沖洗液噴嘴27退避至退避位置的狀態下進行。
基板搬送機器人CR退避至處理單元2外之後，控制裝置3對自旋馬達M進行控制，使自旋底座18的旋轉速度上升至規定的液處理速度(在約10rpm～1200rpm的範圍內，例如約800rpm)，並維持為所述液處理速度(圖7的S2：基板W開始旋轉)。
若基板W的旋轉達到液處理速度，則控制裝置3執行朝基板W的上表面供給藥液的藥液步驟S3(第一處理步驟。參照圖7)。
具體而言，控制裝置3對第一噴嘴移動單元26進行控制，使藥液噴嘴21從退避位置移動至處理位置。由此，將藥液噴嘴21配置於基板W的上方。例如，如圖8A所示，也可將藥液噴嘴21配置於基板W的上表面中央部上。
另外，配置於處理位置後，控制裝置3對防護板升降單元78(參照圖2)進行控制，使第一防護板74～第四防護板77上升至上位置，由此使第一防護板74與基板W的周端面相向(實現第一防護板相向狀態)。即，藥液步驟S3是在將隔斷構件8配置於退避位置、且處理杯13的第一防護板相向狀態下執行。
在藥液步驟S3中，控制裝置3將藥液閥23打開。由此，從藥液噴嘴21的藥液噴出口21a朝旋轉狀態的基板W的上表面(表面Wa(參照圖6))噴出藥液。被供給至基板W的上表面的藥液受到基板W旋轉所產生的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，使用藥液對基板W的上表面的整個區域進行處理。
移動至基板W的周緣部的藥液從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散。從基板W的周緣部飛散的藥液由第一防護板74的內壁擋住，並沿著第一防護板74的內壁流下，經由第一杯71及第一排液配管79(參照圖2)被送至機器外的排液處理設備。
如上所述，關於第一防護板74的內周端74a的徑向位置，以使基板W的周緣部與第一防護板74之間的徑向距離L2成為可利用第一防護板74切實地捕獲從基板W的周緣部飛散的藥液的最佳長度的方式進行設置。因此，可利用第一防護板74效率良好地捕獲從基板W的周緣部排出的藥液。
若從開始噴出藥液起經過預定的期間，則控制裝置3將藥液閥23關閉，並停止從藥液噴嘴21噴出藥液。由此，藥液步驟S3結束。然後，控制裝置3對第一噴嘴移動單元26(參照圖2)進行控制，使藥液噴嘴21回到退避位置。
繼而，控制裝置3執行用以將基板W上的藥液置換為沖洗液並從基板W上將藥液排除的沖洗步驟S4(第一處理步驟。參照圖7)。具體來說，控制裝置3對第二噴嘴移動單元32(參照圖2)進行控制，使沖洗液噴嘴27從退避位置移動至處理位置。由此將沖洗液噴嘴27配置於基板W的上方。例如，如圖8B所示，也可將沖洗液噴嘴27配置於基板W的上表面中央部上。另外，控制裝置3對防護板升降單元78(參照圖2)進行控制，使處於第一防護板相向狀態的處理杯13的第一防護板74下降至下位置，由此使第二防護板75與基板W的周端面相向(實現第二防護板相向狀態)。即，沖洗步驟S4是在將隔斷構件8配置於退避位置、且處理杯13的第二防護板相向狀態下執行。
在沖洗步驟S4中，控制裝置3將沖洗液閥29打開。由此，從沖洗液噴嘴27的沖洗液噴出口27a朝旋轉狀態的基板W的上表面(表面Wa(參照圖6))噴出沖洗液。被供給至基板W的上表面的沖洗液受到基板W旋轉所產生的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，利用沖洗液將附著於基板W上的藥液沖洗掉。
從基板W的周緣部飛散的沖洗液從基板W的周緣部朝基板W的側方被排出。從基板W的周緣部飛散的沖洗液由第二防護板75的內壁擋住，並沿著第二防護板75的內壁流下，經由第二杯72及第二排液配管80被送至機器外的排液處理設備。
如上所述，關於第二防護板75的內周端75a的徑向位置，以使基板W的周緣部與第二防護板75之間的徑向距離L3成為可利用第二防護板75切實地捕獲從基板W的周緣部飛散的沖洗液的最佳長度的方式進行設置。因此，可利用第二防護板75效率良好地捕獲從基板W的周緣部排出的沖洗液。
若從開始供給沖洗液起經過預定的期間，則控制裝置3將沖洗液閥29關閉，並停止從沖洗液噴嘴27噴出沖洗液。由此，沖洗步驟S4結束。然後，控制裝置3對第二噴嘴移動單元32進行控制，使沖洗液噴嘴27回到退避位置。
繼而，控制裝置3執行置換步驟S5(第二處理步驟。參照圖7)。置換步驟S5是將基板W上的沖洗液置換為表面張力低於沖洗液(水)的有機溶劑(本例中為IPA)的步驟。
具體來說，控制裝置3對隔斷構件升降單元48進行控制，使隔斷板41下降，如圖8C所示，將其配置於上隔斷位置。由此，在基板相向面41a與基板W的上表面之間形成隔斷空間。
另外，控制裝置3對防護板升降單元78進行控制，使處於第二防護板相向狀態的處理杯13的第二防護板75及第三防護板76下降至下位置，由此使第四防護板77與基板W的周端面相向(實現第四防護板相向狀態)。即，置換步驟S5是在將隔斷構件8配置於上隔斷位置、且處理杯13的第四防護板相向狀態下執行。如上所述，由第四防護板77的內周端77a劃分的圓周的直徑D4大於隔斷構件8的外徑D2，因此，即便在處理杯13成為第四防護板相向狀態的情況下，也避免隔斷構件8與第四防護板77的干擾。
在置換步驟S5中，控制裝置3一面將基板W的旋轉維持為槳葉速度，一面將有機溶劑閥57打開。由此，如圖8C所示，從中心軸噴嘴9的第一噴出口51a朝基板W的上表面中央部噴出有機溶劑。被供給至基板W的上表面中央部的有機溶劑受到基板W旋轉所產生的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，將基板W的上表面上的沖洗液置換為有機溶劑。
有機溶劑從基板W的周緣部向側方飛散。從基板W的周緣部飛散的有機溶劑由隔斷構件8的內周面41b擋住後，從隔斷板41的圓筒部44的下端緣向側方飛散。此時，有機溶劑從隔斷板41的圓筒部44的下端緣呈廣角飛散。飛散的有機溶劑被第四防護板77的內壁捕獲。本實施形態中，如上所述，由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3與隔斷構件8的外徑D2大致相等(參照圖4。D3≒D2)，因此，即便在有機溶劑從隔斷板41呈廣角飛散的情況下，也能切實地防止有機溶劑進入至第一防護板74或第二防護板75。所捕獲的有機溶劑沿著第四防護板77的內壁流下，在腔室4的底壁上穿過而被送至機器外的排液處理設備。
若從打開有機溶劑閥57起經過預定的期間，則控制裝置3將有機溶劑閥57關閉。由此，置換步驟S5結束。
繼而，控制裝置3執行疏水劑步驟S6(第二處理步驟。參照圖7)。疏水劑步驟S6是朝基板W的上表面供給液體的疏水劑，並將基板W的上表面所存在的有機溶劑置換為疏水劑的步驟。
具體來說，控制裝置3一面保持將隔斷板41配置於上隔斷位置的狀態，一面對防護板升降單元78進行控制，使處於第四防護板相向狀態的處理杯13的第三防護板76上升至上位置，由此使第三防護板76與基板W的周端面相向(實現第三防護板相向狀態)。即，置換步驟S5是在將隔斷構件8配置於上隔斷位置、且處理杯13的第三防護板相向狀態下執行。如上所述，由第三防護板76的內周端76a劃分的圓周的直徑D3大於隔斷構件8的外徑D2，因此，即便在處理杯13成為第三防護板相向狀態的情況下，也避免隔斷構件8與第三防護板76的干擾。
在疏水劑步驟S6中，控制裝置3一面將基板W的旋轉維持為槳葉速度，一面將疏水劑閥60打開。由此，如圖8D所示，從中心軸噴嘴9的第二噴出口52a朝基板W的上表面中央部噴出疏水劑。被供給至基板W的上表面中央部的有機溶劑移動至基板W的周緣部。由此，將基板W的上表面上的有機溶劑置換為疏水劑。
疏水劑從基板W的周緣部向側方飛散。從基板W的周緣部飛散的疏水劑由隔斷構件8的內周面41b擋住後，從隔斷板41的圓筒部44的下端緣向側方飛散。此時，疏水劑從隔斷板41的圓筒部44的下端緣呈廣角飛散。飛散的疏水劑被第三防護板76的內壁捕獲。本實施形態中，如上所述，由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3與隔斷構件8的外徑D2大致相等(參照圖4。D3≒D2)，因此，即便在疏水劑從隔斷板41呈廣角飛散的情況下，也能切實地防止疏水劑進入至第一防護板74或第二防護板75。所捕獲的疏水劑沿著第三防護板76的內壁流下，並沿著第二防護板75的內壁流下，經由第二杯71及第三排液配管81(參照圖2)而被送至機器外的排液處理設備。
若從打開疏水劑閥60起經過預定的期間，則控制裝置3將疏水劑閥60關閉。由此，疏水劑步驟S6結束。
繼而，控制裝置3執行置換步驟S7(第二處理步驟。參照圖7)。置換步驟S7是將基板W上所存在的疏水劑置換為有機溶劑(本例中為IPA)的步驟。
具體來說，控制裝置3一面保持將隔斷板41配置於上隔斷位置的狀態，一面對防護板升降單元78進行控制，使處於第三防護板相向狀態的處理杯13的第三防護板76下降至下位置，由此使第四防護板77與基板W的周端面相向(實現第四防護板相向狀態)。
在所述狀態下，控制裝置3一面將基板W的旋轉維持為液處理速度，一面將有機溶劑閥57打開。由此，如圖8C所示，從中心軸噴嘴9(第一噴嘴配管51)的第一噴出口51a朝基板W的上表面中央部噴出有機溶劑。被供給至基板W的上表面中央部的有機溶劑受到由基板W的旋轉產生的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，將基板W的上表面上所存在的疏水劑置換為有機溶劑。
有機溶劑從基板W的周緣部向側方飛散。從基板W的周緣部飛散的有機溶劑由隔斷構件8的內周面41b擋住後，從隔斷板41的圓筒部44的下端緣向側方飛散。飛散的有機溶劑被第四防護板77的內壁擋住，並沿著第四防護板77的內壁流下，在腔室4的底壁上穿過而被送至機器外的排液處理設備。
若從打開有機溶劑閥57起經過預定的期間，則控制裝置3將有機溶劑閥57關閉。由此，置換步驟S7結束。
繼而，進行使基板W乾燥的乾燥步驟S8(第二處理步驟。參照圖7)。具體而言，控制裝置3一面將處理杯13的狀態保持為第四防護板相向狀態，一面對隔斷構件升降單元48進行控制，使隔斷板41下降，如圖8E，將其配置於下隔斷位置。即，乾燥步驟S8是在將隔斷構件8配置於下隔斷位置、且處理杯13的第四防護板相向狀態下執行。
在所述基板處理例的乾燥步驟S8中，控制裝置3在隔斷板41被配置於隔斷位置的狀態下，對自旋馬達M進行控制，使基板W加速至比藥液步驟S3～置換步驟S7的各步驟中的旋轉速度大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)為止，並使基板W以所述乾燥旋轉速度旋轉。由此，大的離心力施加至基板W上的液體，且附著於基板W上的液體被甩到基板W的周圍。
另外，在乾燥步驟S8中，控制裝置3將惰性氣體閥63打開。由此，如圖8E所示，從中心軸噴嘴9的第三噴出口53a朝基板W的上表面中央部噴出惰性氣體。此時惰性氣體的噴出流量例如是150(升/分鐘)。即，在空間內，除至今為止穿過中心軸噴嘴9的外周壁(套管50的外周面50a)與貫通孔45的筒狀的內周面45a之間的間隙所供給的惰性氣體以外，還被供給從第三噴出口53a噴出的惰性氣體。
若從基板W的加速起經過規定期間，則控制裝置3對自旋馬達M進行控制，由此使由自旋夾頭5引起的基板W的旋轉停止(圖7的步驟S9)。然後，控制裝置3對隔斷構件升降單元48進行控制，使隔斷板41上升並將其配置於退避位置。
然後，將基板W從腔室4內搬出(圖7的步驟S10)。具體來說，控制裝置3使基板搬送機器人CR的手部進入至腔室4的內部。而且，控制裝置3使自旋夾頭5上的基板W保持於基板搬送機器人CR的手部。然後，控制裝置3使基板搬送機器人CR的手部從腔室4內退避。由此，將處理後的基板W從腔室4搬出，一系列的基板處理例結束。所搬出的基板W從基板搬送機器人CR被傳遞至分度器機器人IR，並通過分度器機器人IR而收納於基板收容器C中。
根據以上，根據本實施形態，第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a相較於第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a而位於徑向外側。即，由第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a劃分的圓周的直徑D4大於由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3(D4＞D3)。
而且，在藥液步驟S3及沖洗步驟S4中，將隔斷構件8配置於退避位置，且第一防護板74及第二防護板75分別與基板W的周端面相向。由於第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a分別為比較小的直徑，因此可將基板W的周緣部與第一防護板74及第二防護板75之間的徑向距離L2保持為最佳長度。因此，可利用第一防護板74或第二防護板75效率良好地捕獲從基板W的周緣部飛散的處理液(藥液或沖洗液)(防液濺性能提升)。
在置換步驟S5及疏水劑步驟S6中，將隔斷構件8配置於上隔斷位置，且第三防護板76及第四防護板77分別與配置於隔斷位置的隔斷構件8的圓筒部44的下端緣相向。第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a分別為比較大的直徑，因此可避免隔斷構件8與第三防護板76及第四防護板77的干擾。
在乾燥步驟S8中，將隔斷構件8配置於下隔斷位置，且第四防護板77與配置於下隔斷位置的隔斷構件8的圓筒部44的下端緣相向。第四防護板77的內周端77a為比較大的直徑，因此可避免隔斷構件8與第四防護板77的干擾。
根據以上，可一面避免隔斷構件8與第三防護板76及第四防護板77的干擾，一面利用所期望的防護板(第一防護板74及第二防護板75)效率良好地捕獲從基板W的周緣部排出的處理液。
另外，由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3與隔斷構件8的外徑D2大致相等(參照圖4。D3≒D2)，因此，在置換步驟S5、置換步驟S7及疏水劑步驟S6中，即便在處理液(有機溶劑、疏水劑)從隔斷板41呈廣角飛散的情況下，也能切實地防止處理液進入至第一防護板74或第二防護板75。由此可將在第一防護板74或第二防護板75中發生處理液的混合接觸防止於未然。
以上對本發明的實施形態進行了說明，但本發明還能以其他形態實施。
例如，將由第一防護板74及第二防護板75的內周端74a、內周端75a劃分的圓周的直徑D3設為與隔斷構件8的外徑D2大致相等而進行了說明，但也可設置成比隔斷構件8的外徑D2小的直徑。
另外，在所述實施形態中，使第三防護板76及第四防護板77的內周端76a、內周端77a兩者比其他防護板短，但也可僅使做為最外側防護板的第四防護板77的內周端77a短。其中，所述情況下，在將隔斷構件8配置於隔斷位置(上隔斷位置或下隔斷位置)的狀態下執行的處理(相當於所述基板處理例的置換步驟S5、置換步驟S7及疏水劑步驟S6)中，需要使第四防護板77必須與配置於隔斷位置的隔斷構件8的圓筒部44的下端緣相向。
另外，也可使第一防護板74的內周端74a的徑向位置與第二防護板75的內周端75a的徑向位置互不相同。另外，也可使第三防護板76的內周端76a的徑向位置與第四防護板77的內周端77a的徑向位置互不相同。
另外，關於處理杯13的各防護板74～防護板77的傾斜部86、傾斜部88、傾斜部90、傾斜部92，其剖面形狀例如也可一面描繪光滑且凸的圓弧一面進行延伸。
進而，舉例說明瞭處理杯13為三段的杯的情況，但處理杯13若具備內側防護板及外側防護板，則可為二段、三段的杯，或者也可為四段以上的多段杯。
另外，將隔斷構件8的內周面41b設為具有圓弧狀的剖面而進行了說明，但隔斷構件8的內周面41b也可具有彎曲狀(例如，彎曲成直角)的剖面。
另外，在所述實施形態中，做為隔斷構件8，舉例說明瞭由支撐臂46支撐的支撐型的隔斷構件，但還可採用支撐於自旋夾頭5的自旋底座18並與自旋夾頭5的旋轉一同旋轉的從動型的隔斷構件。
另外，在所述基板處理步驟中，當沖洗步驟結束時，將基板W的旋轉速度從液處理速度階段性地減速至槳葉速度(零或約40rpm以下的低旋轉速度。例如約10rpm)，然後，也可執行將基板W的旋轉速度維持為槳葉速度的槳葉沖洗步驟。
所述情況下，在乾燥步驟S8中，也可採用在槳葉狀的液膜中開孔且將所述孔擴展於基板W整個區域，由此使基板W乾燥的所謂開孔乾燥。
另外，在所述實施形態中，針對基板處理裝置為對包含半導體晶片的基板W進行處理的裝置的情況進行了說明，但基板處理裝置也可為對液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁片用基板、光磁片用基板、光阻用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板進行處理的裝置。
雖針對本發明的實施形態進行了詳細的說明，但這些只不過是為了明確本發明的技術內容而使用的具體例，本發明不應限定於這些具體例來解釋，本發明的範圍僅由隨附的權利要求書來限定。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧自旋夾頭(基板保持單元)
6‧‧‧藥液供給單元(第一處理液單元)
7‧‧‧沖洗液供給單元(第一處理液單元)
8‧‧‧隔斷構件
9‧‧‧中心軸噴嘴
10‧‧‧有機溶劑供給單元(第二處理液單元)
11‧‧‧疏水劑供給單元(第二處理液單元)
12‧‧‧惰性氣體供給單元
13‧‧‧處理杯
14‧‧‧隔壁
15‧‧‧自旋底座[FFU]
16‧‧‧排氣管道
17‧‧‧自旋軸
18‧‧‧自旋底座
18a‧‧‧上表面
18b‧‧‧外周面(外周端)
19‧‧‧夾持銷
21‧‧‧藥液噴嘴
21a‧‧‧藥液噴出口(第一處理液噴出口)
22‧‧‧藥液配管
23‧‧‧藥液閥
24‧‧‧第一流量調整閥
25‧‧‧噴嘴臂
26‧‧‧第一噴嘴移動單元
27‧‧‧沖洗液噴嘴
27a‧‧‧沖洗液噴出口(第一處理液噴出口)
28‧‧‧沖洗液配管
29‧‧‧沖洗液閥
30‧‧‧第二流量調整閥
31‧‧‧噴嘴臂
32‧‧‧第二噴嘴移動單元
41‧‧‧隔斷板
41a‧‧‧基板相向面
41b‧‧‧內周面
42‧‧‧上自旋軸
43‧‧‧圓板部
44‧‧‧圓筒部
45‧‧‧貫通孔
45a‧‧‧內周面
46‧‧‧支撐臂
47‧‧‧隔斷板旋轉單元
48‧‧‧隔斷構件升降單元
50‧‧‧套管
50a‧‧‧外周面
50b‧‧‧基板相向面
51‧‧‧第一噴嘴配管
51a‧‧‧第一噴出口(第二處理液噴出口)
52‧‧‧第二噴嘴配管
52a‧‧‧第二噴出口(第二處理液噴出口)
53‧‧‧第三噴嘴配管
53a‧‧‧第三噴出口
56‧‧‧有機溶劑配管
57‧‧‧有機溶劑閥
58‧‧‧第三流量調整閥
59‧‧‧疏水劑配管
60‧‧‧疏水劑閥
61‧‧‧第四流量調整閥
62‧‧‧惰性氣體配管
63‧‧‧惰性氣體閥
64‧‧‧第五流量調整閥
65‧‧‧筒狀間隙
66‧‧‧周圍中央氣體噴出口
70‧‧‧圓筒構件
71‧‧‧第一杯
72‧‧‧第二杯
73‧‧‧第三杯
74‧‧‧第一防護板
74a‧‧‧內周端
75‧‧‧第二防護板
75a‧‧‧內周端
76‧‧‧第三防護板
76a‧‧‧內周端
77‧‧‧第四防護板
77a‧‧‧內周端
78‧‧‧防護板升降單元
79‧‧‧第一排液配管
80‧‧‧第二排液配管
81‧‧‧第三排液配管
83‧‧‧下端部
84‧‧‧筒狀部
85‧‧‧中段部
86‧‧‧第一傾斜部
87‧‧‧圓筒部
88‧‧‧第二傾斜部
89‧‧‧圓筒部
90‧‧‧第三傾斜部
91‧‧‧圓筒部
92‧‧‧第四傾斜部
100‧‧‧圖案
101‧‧‧結構體
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧基板搬送機器人
D1‧‧‧外徑
D2‧‧‧外徑
D3‧‧‧直徑
D4‧‧‧直徑
IR‧‧‧分度器機器人
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧徑向距離
L3‧‧‧徑向距離
LP‧‧‧裝載埠
M‧‧‧自旋馬達
S‧‧‧HMD
S1、S2、S9、S10‧‧‧步驟
S3‧‧‧藥液步驟(第一處理步驟)
S4‧‧‧沖洗步驟(第一處理步驟)
S5‧‧‧置換步驟(第二處理步驟)
S6‧‧‧疏水劑步驟(第二處理步驟)
S7‧‧‧置換步驟(第二處理步驟)
S8‧‧‧乾燥步驟(第二處理步驟)
T‧‧‧膜厚
W‧‧‧基板
W1‧‧‧線寬
W2‧‧‧間隙
Wa‧‧‧表面
圖1是自上觀察本發明的一實施形態的基板處理裝置的示意圖。 圖2是用以說明所述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例的圖解式剖面圖。 圖3是所述處理單元所具備的隔斷構件的底視圖。 圖4是所述處理單元所具備的處理杯的剖面圖。 圖5是用以說明所述基板處理裝置的主要部分的電性構成的方塊圖。 圖6是將做為所述基板處理裝置的處理物件的基板的表面放大顯示的剖面圖。 圖7是用以說明在所述處理單元中執行的基板處理例的內容的流程圖。 圖8A～圖8E是用以說明所述基板處理例的圖解圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，對基板實施使用處理液的處理，所述基板處理裝置包括： 　　基板保持單元，具有自旋底座，並用以保持所述基板； 　　隔斷構件，具有與由所述基板保持單元保持的所述基板的上表面相向的基板相向面，並具有比所述自旋底座大的直徑； 　　隔斷構件升降單元，使所述隔斷構件在隔斷位置與退避位置之間升降，其中所述隔斷位置是將所述基板相向面與所述上表面之間的空間從所述上表面上的側方隔斷的位置，所述退避位置是從所述隔斷位置向上方退避的位置，且所述空間未從所述上表面上的側方被隔斷；以及 　　多個防護板，包括環繞在所述基板保持單元周圍的內側防護板、以及環繞在所述內側防護板周圍的外側防護板，所述多個防護板用以捕獲從所述基板與所述隔斷構件之間排出的處理液，其中所述內側防護板和所述外側防護板為筒狀， 　　其中所述外側防護板的內周端相較於所述內側防護板的內周端而位於徑向外側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述內側防護板、所述外側防護板以及所述隔斷構件被設置為：由所述外側防護板的內周端劃分的圓周的直徑大於所述隔斷構件的外徑，且由所述內側防護板的內周端劃分的圓周的直徑等於或小於所述隔斷構件的外徑。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述隔斷構件更包括與由所述基板保持單元保持的所述基板的周端相向的內周面。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述內側防護板及所述外側防護板分別具備隨著朝向徑向內側而朝向上方的傾斜部，且 　　所述外側防護板的所述傾斜部相較於所述內側防護板的所述傾斜部而被配置於上方，且各所述傾斜部的上端形成為所述內側防護板和所述外側防護板的內周端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，更包括： 　　旋轉單元，用以使由所述基板保持單元保持的所述基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉； 　　防護板升降單元，使所述多個防護板中的至少一者升降；以及 　　控制裝置，控制所述隔斷構件升降單元、所述旋轉單元及所述防護板升降單元， 其中所述控制裝置執行： 　　第一處理步驟，在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置於所述退避位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述內側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉；及 　　第二處理步驟，在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置於所述隔斷位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述外側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板處理裝置，更包括： 　　第一噴嘴，具有設置於所述隔斷構件外側的第一處理液噴出口；以及 　　第一處理液單元，對所述第一噴嘴供給第一處理液， 其中所述控制裝置在所述第一處理步驟中還執行利用所述第一處理液單元將第一處理液從所述第一處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的基板處理裝置，更包括： 　　第二噴嘴，具有開口於所述基板相向面的第二處理液噴出口；以及 　　第二處理液單元，對所述第二噴嘴供給第二處理液， 其中所述控制裝置在所述第二處理步驟中還執行利用所述第二處理液單元將所述第二處理液從所述第二處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的步驟。
  8. 一種基板處理方法，在包含基板保持單元的基板處理裝置中被執行，所述基板保持單元具有自旋底座並用以保持基板，所述基板處理方法包括： 　　第一處理步驟，在將包含內側防護板與外側防護板的多個防護板中的所述內側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下，使所述基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉，其中，所述內側防護板具有比所述自旋底座大的直徑並將與所述基板的上表面相向的隔斷構件配置於從所述基板的所述上表面退避的退避位置，且環繞在所述基板保持單元的周圍，所述外側防護板是環繞在所述內側防護板周圍的所述外側防護板，且具有相較於所述內側防護板的內周端而位於徑向外側的內周端，其中所述內側防護板和所述外側防護板為筒狀；以及 　　第二處理步驟，在將所述隔斷構件配置於隔斷位置、且將所述多個防護板中的所述外側防護板配置成與位元於所述隔斷位置的所述隔斷構件的周端相向的狀態下，使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉，其中，所述隔斷位置是將基板相向面與所述上表面之間的空間從所述上表面上的側方隔斷的位置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理方法，其中所述第一處理步驟還包括將第一處理液從設置於所述隔斷構件外側的第一處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的基板處理方法，其中所述第二處理步驟還包括將第二處理液從開口於所述基板相向面的第二處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的步驟。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7017342B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7194645B2 (ja) * 2019-05-31 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN113024098B (zh) * 2021-03-09 2023-03-10 常州高光半导体材料有限公司 金属掩膜版切割防护设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI546881B (zh) * 2014-08-15 2016-08-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI578427B (zh) * 2014-02-17 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理裝置
TW201732893A (zh) * 2015-12-24 2017-09-16 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4172781B2 (ja) * 2003-08-26 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4762098B2 (ja) 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008130948A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置およびそれを備える基板処理装置
JP2009224692A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5978071B2 (ja) * 2012-08-31 2016-08-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6740028B2 (ja) * 2015-07-29 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6688112B2 (ja) * 2016-03-18 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN205944045U (zh) * 2016-07-19 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 冷却装置及半导体加工设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI578427B (zh) * 2014-02-17 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理裝置
TWI546881B (zh) * 2014-08-15 2016-08-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW201732893A (zh) * 2015-12-24 2017-09-16 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

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