TWI668540B - 製造機台的狀況監控方法、半導體製造系統及其狀況監控方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種製造機台的狀況監控方法。上述方法包括在一半導體製造機台中依據一製造流程之多個操作程序來處理一基板。上述方法更包括在各操作程序中，量測來自半導體製造機台之一實際振動波形。上述方法還包括比較在其中一操作程序中所量測到之實際振動波形和關聯於該操作程序之一預期振動波形。此外，上述方法包括基於上述比較，在實際振動波形與預期振動波形上對應的資料點之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

Description

製造機台的狀況監控方法、半導體製造系統及其狀況監控方法

本發明實施例關於一種半導體技術，特別是有關於一種半導體製造系統及其製造機台的狀況監控方法。

近年來，半導體積體電路(semiconductor integrated circuits)經歷了指數級的成長。在積體電路材料以及設計上的技術進步下，產生了多個世代的積體電路，其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即，製程中所能產出的最小元件或者線)縮小時，功能密度(亦即，每一晶片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。一般而言，此種尺寸縮小的製程可以提供增加生產效率以及降低製造成本的好處，然而，此種尺寸縮小的製程亦會增加製造與生產積體電路的複雜度。

積體電路，是藉由一系列的半導體製造機台(簡稱為製造機台)處理晶圓而產出。每個製造機台通常是依據一預先定義或預先決定的製程程式(process recipe)，在晶圓上執行一積體電路製造工作(又稱為一製造流程(manufacturing process)或製程)，其中上述製程程式界定上述製程的各種參數。例如，積體電路製造通常使用需要多個在生產上和支援上相關的製造機台來完成多道製程，而積體電路製造者需要關注於監測每一製造機台的硬體及相關聯的製程，以確認及維持積體電路製造的穩定性、可重複性及良率。此種機台監測可藉由一錯誤偵測及分類(fault detection and classification，FDC)系統來完成，其在製程中監測製造機台，並識別出發生於上述製造機台且可能造成製程偏離原本預期狀況的錯誤。

雖然目前現有的製造機台的狀況監控方法及系統已經足以達成其目標，但這些方法及系統不能在各方面令人滿意。

本揭露一些實施例提供一種製造機台的狀況監控方法。上述方法包括在一半導體製造機台中依據一製造流程之多個操作程序來處理一基板。上述方法更包括在各操作程序中，量測來自半導體製造機台之一實際振動波形。上述方法還包括比較在其中一操作程序中所量測到之實際振動波形和關聯於該操作程序之一預期振動波形。此外，上述方法包括基於上述比較，在實際振動波形與預期振動波形上對應的資料點之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

本揭露一些實施例提供一種半導體製造系統的狀況監控方法。上述方法包括在一半導體製造廠內移動一傳送構件，以傳送一基板。上述方法更包括量測傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料。上述方法還包括比較在其中一選 定位置時所量測到之實際振動資料和關聯於該選定位置之一預期振動資料。此外，上述方法包括基於上述比較，在實際振動資料與預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

本揭露一些實施例提供一種半導體製造系統，包括一傳送構件、一檢測裝置及一錯誤偵測及分類系統。傳送構件配置用於在一半導體製造廠內傳送一基板。檢測裝置設置於傳送構件上。錯誤偵測及分類系統配置用於接收檢測裝置所量測到傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料，及比較在其中一選定位置時所量測到之實際振動資料和關聯於該選定位置之一預期振動資料，並在實際振動資料與預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

1‧‧‧半導體製造系統

10‧‧‧網路

20‧‧‧資料庫

30、30a、30b、30c‧‧‧製造機台

31‧‧‧反應腔室

311‧‧‧頂殼

312‧‧‧底蓋/傳送構件

31A‧‧‧開口

31B‧‧‧開口

32‧‧‧晶舟

321‧‧‧旋轉平台

322‧‧‧加熱器

33‧‧‧下腔室

34‧‧‧升降機構

341‧‧‧螺桿

342‧‧‧螺帽滑件

35‧‧‧機械手臂

40‧‧‧檢測裝置

41‧‧‧基座

411‧‧‧中心支柱

412‧‧‧開孔

42‧‧‧質量塊

43‧‧‧彈簧

44‧‧‧壓電元件

45‧‧‧線路

46‧‧‧外殼

50‧‧‧先進製程控制系統

60‧‧‧錯誤偵測及分類系統

70‧‧‧其他實體

80‧‧‧傳送裝置

81‧‧‧軌道

82‧‧‧懸吊式載具/傳送構件

83‧‧‧晶圓承載盒

100‧‧‧製造機台的狀況監控方法

101-105‧‧‧操作

200‧‧‧半導體製造系統的狀況監控方法

201-205‧‧‧操作

S1‧‧‧上表面

S2‧‧‧下表面

P1-P4‧‧‧位置點

W‧‧‧晶圓

第1圖顯示根據本發明一些實施例之一半導體製造系統的方塊圖。

第2圖顯示根據一些實施例之一製造機台的示意圖。

第3圖顯示根據一些實施例之一檢測裝置的示意圖。

第4圖顯示根據一些實施例之一製造機台的狀況監控方法的簡化流程圖。

第5A圖至第5E圖顯示根據一些實施例，一製造機台所實施製造流程之多個主要操作程序的示意圖。

第6A、6B圖顯示根據一些實施例，一製造機台在一晶圓裝載程序中之預期振動波形對時間之關係圖表，及製造機台在 晶圓裝載程序中所量測到之實際振動波形對時間之關係圖表。

第7A、7B圖顯示根據一些實施例，一製造機台在一晶圓傳送程序中之預期振動波形對時間之關係圖表，及製造機台在晶圓傳送程序中所量測到之實際振動波形對時間之關係圖表。

第8A、8B圖顯示根據一些實施例，一製造機台在一晶圓處理程序中之預期振動波形對時間之關係圖表，及製造機台在晶圓處理程序中所量測到之實際振動波形對時間之關係圖表。

第9圖顯示根據一些實施例之一半導體製造系統之部分的上視示意圖。

第10圖顯示根據一些實施例之一半導體製造系統的狀況監控方法的簡化流程圖。

以下揭露之實施方式或實施例是用於說明或完成本發明之多種不同技術特徵，所描述之元件及配置方式的特定實施例是用於簡化說明本發明，使揭露得以更透徹且完整，以將本揭露之範圍完整地傳達予同領域熟悉此技術者。當然，本揭露也可以許多不同形式實施，而不局限於以下所述之實施例。

在下文中所使用的空間相關用詞，例如“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，是為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間 的關係。除了在圖式中繪示的方位之外，這些空間相關用詞也意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。例如，裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，而在此所使用的空間相關用詞也可依此相同解釋。此外，若實施例中敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的情況，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使得上述第一特徵與第二特徵未直接接觸的情況。

以下不同實施例中可能重複使用相同的元件標號及/或文字，這些重複是為了簡化與清晰的目的，而非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。另外，在圖式中，結構的形狀或厚度可能擴大，以簡化或便於標示。必須了解的是，未特別圖示或描述之元件可以本領域技術人士所熟知之各種形式存在。

第1圖顯示根據本發明一些實施例之一半導體製造系統1的方塊圖。半導體製造系統1可以是一虛擬積體電路製造系統(或一虛擬晶圓製造廠(virtual wafer manufacturing facility))。半導體製造系統1實施一系列的半導體製造流程(semiconductor manufacturing processes)以產出積體電路裝置。例如，半導體製造系統1可以實施半導體製造流程於一基板(或一晶圓)上以產生材料層、圖案特徵、及/或積體電路。上述基板包括一半導體基板(或晶圓)、一光罩、或其他任何基底物質。為了清楚起見，第1圖中之半導體製造系統1是被簡化，以便於更能理解本發明的概念。在半導體製造系統1中可以加入其他 的特徵，並且在半導體製造系統1之其他實施方式中，以下所述的某些特徵也可以被更換或移除。

半導體製造系統1包括一網路10，用以使得多種實體(例如一資料庫20、一製造機台30、一檢測裝置40、一先進製程控制(advanced process control，APC)系統50、一錯誤偵測及分類(fault detection and classification，FDC)系統60、及其他實體70)能夠彼此互相通信。在一些實施例中，半導體製造系統1可以包括不只一個上述各種實體，並且更包括在所述實施例中沒有繪示出的其他實體。在第1圖之實施例中，半導體製造系統1的各個實體透過網路10和其他實體互動，以提供服務給其他實體及/或接受其他實體的服務。網路10可以為單一網路或多種不同的網路，例如內部網路、網際網路、其他網路、或上述的組合。網路10包括有線通訊頻道、無線通訊頻道、或兩者的組合。

資料庫20用以儲存關聯於半導體製造系統1的資料，尤其是關聯於半導體製造流程的資料。在一些實施例中，資料庫20儲存從製造機台30、檢測裝置40、先進製程控制系統50、錯誤偵測及分類系統60、其他實體70、及上述的組合收集來的資料。例如，資料庫20可以儲存下列資料：關聯於由製造機台30所處理之基板(為了方便說明，下文中僅以晶圓來表示被處理之基板)之晶圓特徵的資料、關聯於製造機台30所實施用以處理晶圓之製程參數的資料、關聯於由檢測裝置40所量測及收集到製造機台30在半導體製造流程中之狀況的資料、關聯於先進製程控制系統50及錯誤偵測及分類系統60對上述晶圓 特徵、製程參數及/或製造機台30之狀況進行分析的資料、及其他關聯於半導體製造系統1的資料。在一些實施例中，製造機台30、檢測裝置40、先進製程控制系統50、錯誤偵測及分類系統60、及其他實體70之每一者可具有一對應的資料庫。

製造機台30用以執行一半導體製造流程(簡稱為製程)。根據一些實施例，製造機台30可以為一化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)機台、一物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)機台、一蝕刻(etching)機台、一熱氧化(thermal oxidation)機台、一離子佈植(ion implantation)機台、一化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)機台、一快速升溫退火(rapid thermal annealing，RTA)機台、一光微影(photolithography)機台、一擴散(diffusion)機台、或者其他半導體製造機台。

第2圖顯示根據一些實施例之製造機台30的示意圖。在第2圖之實施例中，製造機台30為一化學氣相沉積(CVD)機台，例如包括一爐管(furnace)，用以執行一化學氣相沉積製程。在一晶圓W被置入製造機台30之後，於一高溫環境下受到化學氣相沉積製程的處理，其表面上可形成一薄膜。

製造機台30包括一反應腔室31、一晶舟32及一下腔室33。反應腔室31具有一頂殼311及一底蓋312。頂殼311在其縱向軸線(亦即，圖中之Z軸方向)上延伸一高度。頂殼311之上端呈封閉。頂殼311之下端則呈開放，且允許晶舟32被移入或移出反應腔室31，以進行晶圓W之批次處理(batch processing)。底蓋312以可分離的方式連接頂殼311，且可密封 頂殼311之下端。例如，底蓋312由一升降機構34所驅動而可相對頂殼311進行移動，當底蓋312移動至如第2圖中所示之位置且與頂殼311之下端連接時，可在反應腔室31中建立一密封環境。由於底蓋312可用於將晶圓W傳送至反應腔室31內，故以下說明中亦將底蓋312稱作一”傳送構件”。

晶舟32設置於底蓋312之上表面S1且朝向反應腔室31。在沉積製程中，晶舟32用以支持及保持複數個垂直疊放的晶圓W，且允許反應氣體(reactant gas)水平地流經晶圓W的表面，以在其上形成所需的薄膜厚度。為了簡明之目的，在第2圖中未繪示出和反應腔室31側壁上之開口31A、31B連接之供氣、排氣系統，也未繪示出用以使反應氣體均勻地分布於反應腔室31內的氣流引導結構(例如風扇及/或噴嘴管)。在一些實施例中，晶舟32之底部連接有一旋轉平台321，用以在沉積製程中轉動晶舟32，以提高晶圓W的沉積均勻度。旋轉平台321上亦具有一加熱器322，用以加熱晶圓W，以促進其上之薄膜形成。

下腔室33位於反應腔室31下方，用以便利於晶圓W被載入或載出晶舟32之操作。在第2圖之實施例中，上述用以驅動底蓋312之升降機構34為一導螺桿(lead screw)，設置於下腔室33內，可將一螺桿341之旋轉運動轉換成一螺帽滑件342之直線運動，進而使連接於螺帽滑件342之底蓋312沿著Z軸方向發生上下移動。為了簡明之目的，第2圖中未繪示出用以驅使螺桿341發生旋轉運動之機構。在一些實施例中，上述供氣、抽氣系統所包括之幫浦、管線、及/或其他部件亦可以設置於 下腔室33內(圖未示)。

請回到第1圖，在一些實施例中，檢測裝置40用以量測及收集製造機台30在半導體製造流程中之狀況的資料。例如，檢測裝置40可包括一振動計(vibration meter)，用以在半導體製造流程中量測來自製造機台30之振動波形。此資訊可被用來判斷製造機台30之運作狀況(及/或其所執行的半導體製造流程)是否為正常、即將發生異常、或者已經偏離原本預期狀況而須立即停止運作。

在一些實施例中，檢測裝置40設置於製造機台30中之一可動構件上。例如，在第2圖之實施例中，檢測裝置40安裝於爐管之底蓋312(傳送構件)上，且可隨著底蓋312進行移動。關於移動底蓋312之操作程序在後面段落中配合參照第5A-5E圖會再做進一步說明。

在一些實施例中，檢測裝置40設置於製造機台30中不直接暴露於反應氣體及高溫環境下的位置。例如，在第2圖之實施例中，檢測裝置40可安裝於底蓋312之下表面S2且朝向下腔室33。如此一來，能夠避免檢測裝置40受到反應腔室31內之化學品侵蝕及高溫的影響，以具有較長的使用壽命及穩定的量測表現。然而，本揭露實施例也可以有許多其他的變化及修改。例如，檢測裝置40亦可以埋設於底蓋312內(不暴露在外)。或者，檢測裝置40亦可以安裝於下腔室33之側壁上而不隨著底蓋312(傳送構件)進行移動。

第3圖顯示根據一些實施例之檢測裝置40的示意圖。在第3圖之實施例中，檢測裝置40為一壓電式振動感測器 (piezoelectric vibration sensor)，其包括一基座41、一質量塊42、一彈簧43、一壓電元件44、及複數條線路45。如第3圖所示，彈簧43、質量塊42及壓電元件44是依序地安裝在和基座41連接之一中心支柱411上(亦即，質量塊42是夾設在彈簧43與壓電元件44之間)。基座41之一外側形成有一開孔412，用以與一固定元件(例如螺栓，圖未示)結合，並使得檢測裝置40固定於被測物(例如製造機台30之底蓋312)上。各線路45之一端電性連接於壓電元件44，另一端則延伸至檢測裝置40之外部，藉此導出所量測到的電訊號(例如電壓V)。

透過上述結構配置，當檢測裝置40受振時(例如，當製造機台30之底蓋312所發生之振動傳導至檢測裝置40時)，質量塊42施加於壓電元件44的力會隨之變化，且該力的變化與被測物之振動加速度成正比。由此，進一步利用壓電元件44之壓電效應即可得到與被測物之振動加速度成正比的電壓值。換句話說，檢測裝置40所量測到之電壓值(單位例如為微伏(μV))可用來表示被測物之振動加速度大小(單位例如為重力加速度單位(G))。

在一些實施例中，檢測裝置40亦可包括一外殼46。如第3圖所示，外殼46可以結合於基座41上，並包覆質量塊42、彈簧43及壓電元件44，以降低檢測裝置40所量測的電訊號受到外界環境(例如溫度變化)之影響。應瞭解的是，為了量測被測物之振動情況，檢測裝置40亦可能採用其他種量測原理之振動感測器(例如渦電流式、電容式或光纖式位移感測器、雷射式速度感測器(Linear Velocity Transducer)、加速度感測器、或壓 電阻式(Piezoresistive)MEMS加速規)而並不以上述實施例為限。

請再回到第1圖，先進製程控制(APC)系統50用以監測被處理晶圓的晶圓特徵，並可利用線上量測資料(例如，上述由檢測裝置40所收集到的資料)、製程模式、及多種演算法，來提供中間製程目標的動態微調，進而達到晶圓的最終產品目標。上述製程目標的微調又可稱為控制行動(control actions)，其補償了可能造成晶圓特徵變化的硬體工具問題及/或製程問題。先進製程控制系統50可以即時(real time)、晶圓對晶圓(wafer-to-wafer)、批次對批次(batch-to-batch)、或上述組合等方式來執行控制行動。

在一些實施例中，先進製程控制系統50執行控制行動以修改由製造機台30所執行用來處理晶圓的製程程式。例如，先進製程控制系統50(依據被處理晶圓之檢測資料、製程模式、及各種演算法)針對每個被處理之晶圓修改預先決定的製程程式(尤其是，由製造機台30所實施的製程參數，例如處理時間、氣體流率、反應腔室壓力、溫度、晶圓溫度、及其他製程參數)，以確保每個被處理之晶圓都能達到最終產品目標。在一些實施例中，先進製程控制系統50(依據上述由檢測裝置40所收集到的資料)執行控制行動以修改由製造機台30所執行之預先決定的製程程式，並停止製造機台30之運作(例如，停止反應腔室31內之旋轉平台321的運轉及停止供應反應氣體至反應腔室31內等)，以避免製程目標異常及/或晶圓報廢。

錯誤偵測及分類(FDC)系統60藉由監測製造機台 30在半導體製造流程中所實施的製程參數(包括上述由檢測裝置40所收集到的資料)，以及監測製造機台30在半導體製造流程中實施的製程參數所得到的晶圓特徵，以評估製造機台30的狀況及偵測其是否已發生錯誤，例如機台狀況劣化。關於利用量測裝置40監控製造機台30狀況的實施方式在後面段落會做進一步介紹。

在一些實施例中，錯誤偵測及分類系統60實施統計式製程控制(statistical process control，SPC)以追蹤及分析製造機台30的狀況。例如，錯誤偵測及分類系統60可以實施一或多個統計式製程控制(SPC)圖表，其藉由依時序將關聯於上述製程的統計式製程控制資料繪製成圖表，來記錄製造機台30的歷史製程資料。上述統計式製程控制資料包括關聯於由製造機台30所實施的製程參數(及/或晶圓特徵)。當統計式製程控制資料指出上述製程參數偏離一可接受的目標時(換言之，當錯誤偵測及分類系統60偵測到一錯誤或異常時)，錯誤偵測及分類系統60可觸發一警示，通知製造機台30的一操作者，以暫停製造機台30所執行的操作程序、採取另一個行動、或上述的組合，使得製造機台30的任何問題可被識別及補救。

在後續介紹的實施例中，錯誤偵測及分類系統60監測關聯於製造機台30的製程參數，以監控製造機台30(例如，一化學氣相沉積(CVD)機台)的狀況。更明確來說，藉由評估製造機台30在製程期間之製程參數(例如，一振動加速度大小)，錯誤偵測及分類系統60可以偵測製造機台30的一錯誤或異常，例如製造機台30之一部份的劣化狀況。

第4圖顯示根據一些實施例之一製造機台的狀況監控方法100的簡化流程圖。為了說明，將配合參照第1至3圖及第5至8圖一起描述流程圖。另外，在一些其他實施例中，後續所述製造流程之部分操作程序可以被更換或取消。應瞭解的是，後續關於化學氣相沉積(CVD)機台之狀況的討論僅為例示，製造機台的狀況監控方法100也可以由半導體製造系統1實施以監控任何種類的製造機台30及製造機台30中任何模組的狀況。

如第4圖所示，製造機台的狀況監控方法100包括操作101，其中，關聯於製造機台30之預期振動波形被收集。在一些實施例中，可以在製造機台30(例如，化學氣相沉積機台)執行的製造流程之各操作程序中，利用量測裝置40(例如，振動感測器)量測及收集來自製造機台30之振動資料，並將收集到的振動資料傳送至資料庫20進行儲存。

第5A圖至第5E圖顯示根據一些實施例，製造機台30所實施製造流程之多個主要操作程序的示意圖。在第5A圖中，多個晶圓W透過一機械手臂35被裝載至停留在下腔室33內之晶舟32(以下，簡稱此操作程序為一晶圓裝載程序)。在第5B圖中，在晶舟32裝載滿晶圓W之後，透過升降機構34的驅動，底蓋312(傳送構件)朝著頂殼311方向移動，並將晶舟32上之晶圓W送入反應腔室31(以下，簡稱此操作程序為一晶圓傳送程序)。在第5C圖中，在底蓋312與頂殼311之下端連接之後，可在反應腔室31中建立一密封環境。繼之，晶圓W在反應腔室31內受到一化學氣相沉積處理，例如在一高溫環境下，藉由反應氣體 (reactant gas)流經晶圓W的表面，並在其上形成沉積薄膜(以下，簡稱此操作程序為一晶圓處理程序)。在第5D圖中，在沉積製程結束之後，透過升降機構34的驅動，底蓋312朝著下腔室33方向移動，並將晶舟32上之晶圓W送出反應腔室31(此程序亦稱為一晶圓傳送程序)。在第5E圖中，晶圓W透過機械手臂35從晶舟32上卸載(以下，簡稱此操作程序為一晶圓卸載程序)。

應瞭解的是，製造機台30所實施之操作程序僅為例示，以便於後續說明，而並非用以限定本揭露。在一些實施例中，上述操作程序也可以被更換或取消，或者一些其他操作程序也可以被加入製造流程中。

在一些實施例中，在製造機台30所實施之各操作程序中，量測裝置40可以即時量測及收集來自製造機台30之振動資料。例如，量測裝置40可以一規律的時間間隔(例如0.5秒)來記錄製造機台30在各操作程序中之振動資料，亦即在各操作程序中，量測裝置40可以量測及記錄多筆振動資料。之後，上述振動資料可被傳送至資料庫20進行儲存。

在一些實施例中，在製造機台30未發現任何錯誤或異常且所有晶圓W可被適當處理(例如，沒有微粒或異物附著於晶圓W表面、或者沉積薄膜的厚度、均勻度與預期目標均符合)的情況下，操作101可以重複多次(例如數次或數十次)，亦即，利用量測裝置40收集製造機台30實施多次製造流程時各操作程序之多筆振動資料，再將上述振動資料傳送至資料庫20進行儲存。

應瞭解的是，上述振動資料在被儲存於資料庫20 中之前，可經過進一步處理。例如，關聯於上述製造流程之各操作程序之多筆振動資料之一平均值(mean value)可經過錯誤偵測及分類系統60計算求得且儲存於資料庫20中。另外，關聯於各操作程序之多筆振動資料之一標準差(standard deviation)亦可經過錯誤偵測及分類系統60計算求得且儲存於資料庫20中。

如此一來，可以在資料庫20中儲存關聯於製造機台30之各操作程序中振動狀況的大數據樣式(big data pattern)，進而得到關聯於製造機台30之各操作程序的一預期振動波形(亦即，製造機台30處於正常運作時之振動波形)。例如，第6A、7A、8A圖分別顯示根據一些實施例，儲存於資料庫20中之製造機台30在一晶圓裝載程序(第5A圖)、一晶圓傳送程序(第5B圖)或一晶圓處理程序(第5C圖)中之一預期振動波形對時間之關係圖表(T-charts)。

如第4圖所示，製造機台的狀況監控方法100更包括操作102，其中，另一批次的晶圓W在製造機台30中被處理。根據一些實施例，此批次的晶圓W可依據第5A圖至第5E圖所揭露之相同操作程序被處理。

製造機台的狀況監控方法100還包括操作103，其中，利用量測裝置40(在執行操作102同時)收集來自製造機台30之振動資料。在一些實施例中，在製造機台30所實施上述製造流程之各操作程序中，量測裝置40再次量測及收集來自製造機台30之振動資料。例如，在第5A圖至第5E圖所揭露之各操作程序中，利用量測裝置40即時量測及收集來自製造機台30之振動 資料，其中量測裝置40可以一規律的時間間隔來量測製造機台30在各操作程序中之振動資料。

在一些實施例中，在操作103中由量測裝置40所實施之量測對應於在操作101中由量測裝置40所實施之量測。例如，在操作103中量測裝置40實施記錄之時點與在操作101中量測裝置40實施記錄之時點為相同(亦即，在操作101及103中，量測裝置40可以相同且規律的時間間隔來記錄上述各操作程序中之多筆振動資料)。另外或附加地，在操作103中量測裝置40實施量測之位置點與在操作101中量測裝置40實施量測之位置點亦可為相同。當然，本揭露實施例也可以有許多其他的變化及修改，例如，相對於操作101，在操作103中量測裝置40可以較小的時間間隔來記錄製造機台30之各操作程序中之多筆振動資料。

在操作103中，亦利用錯誤偵測及分類系統60將量測裝置40所收集來自製造機台30之振動資料轉變成對應上述各操作程序中之一實際振動波形。例如，第6B、7B、8B圖分別顯示根據一些實施例，由量測裝置40所收集且經由錯誤偵測及分類系統60運算處理後而得到製造機台30在一晶圓裝載程序(第5A圖)、一晶圓傳送程序(第5B圖)或一晶圓處理程序(第5C圖)中之一實際振動波形對時間之關係圖表(T-charts)。

製造機台的狀況監控方法100還包括操作104，其中，在操作103中所量測到的實際振動波形與在製造機台30預先執行之製造流程(操作101)中所收集到且儲存於資料庫20中之預期振動波形被進行比較。在一些實施例中，上述實際振動 波形與預期振動波形之比較由錯誤偵測及分類系統60來執行。

在一些實施例中，在比較上述實際振動波形與預期振動波形之前，錯誤偵測及分類系統60藉由分析上述波形對時間之關係圖表，可得到在各操作程序中實際振動波形與預期振動波形之間的振幅差值之一可接受的數值範圍。

在一些實施例中，上述振幅差值之可接受的數值範圍可以為在各操作程序中預期振動波形之一或數個標準差。例如，在第6A、7A、8A圖中，一上限控制(最大值)設定為預期振動波形之平均值加上一或數個標準差，一下限控制(最小值)設定為預期振動波形之平均值減掉一或數個標準差，而上、下限控制之間的差值即成為關聯於各操作程序之振幅差值之可接受的數值範圍。當然，本揭露實施例也可以有許多其他的變化及修改，例如，上述振幅差值之可接受的數值範圍也可以為在各操作程序中預期振動波形之最大振幅值的一特定比例(specific ratio)，且此比例可由操作者依據製造經驗或測試結果來決定，並對錯誤偵測及分類系統60進行設定。另外，各操作程序之振幅差值之可接受的數值範圍可能為相同或不同。

在操作104中，在各操作程序中實際振動波形與預期振動波形之間的振幅差值之可接受的數值範圍被決定後，錯誤偵測及分類系統60藉由比較在操作103中所量測到的實際振動波形與儲存於資料庫20中之預期振動波形，以判斷兩波形上對應的資料點之間的振幅差值是否超出上述可接受的數值範圍。若否，則製造機台的狀況監控方法100可以重複上述操作 102至104，直到所有晶圓W被處理。若是，則製造機台的狀況監控方法100繼續操作105，發出一警示(alarm condition)。

舉例來說，在第6B圖中，當一晶圓裝載程序中所量測到實際振動波形上之部分資料點超出一可接受的數值範圍時(例如圖中圈選的部分)，即表示用於將晶圓W裝載至晶舟32之機械手臂35的某部件可能發生劣化，造成晶圓W可能無法準確地被輸送至晶舟32上之既定位置，而與晶舟32周邊部件發生碰撞，造成異常振動產生。

在第7B圖中，當一晶圓傳送程序中所量測到實際振動波形上之部分資料點超出一可接受的數值範圍時(例如圖中圈選的部分)，即表示用於驅動底蓋312之升降機構34的某部件可能發生劣化(例如，螺桿341上之潤滑劑大量揮發)，並造成底蓋312在移動時產生異常振動。

在第8B圖中，當一晶圓處理程序中所量測到實際振動波形上之部分資料點超出一可接受的數值範圍時(例如圖中圈選的部分)，即表示關聯於沉積製程之製造機台30之某硬體部分(例如，旋轉平台321包含之內置馬達或齒輪、反應腔室31中之風扇、或下腔室33中之幫浦等)或者某製程步驟(例如，反應腔室31中進行之化學反應或氣流分配等)可能發生問題，而形成異常振動。

基於上述說明，當錯誤偵測及分類系統60偵測到製造機台30在某操作程序中特定時點之實際振動波形偏離於預期振動波形(亦即，偵測到一錯誤或異常)時，即表示關聯於此操作程序之製造機台30的某部份可能發生劣化。如此一來， 可以即時發現製造機台30之操作程序(時間點上)及關聯於操作程序之相關部分(位置點上)的錯誤或異常。

此外，為了避免上述某操作程序中之異常振動可能造成製造機台30或晶圓W受損，錯誤偵測及分類系統60可以發出一警示，通知製造機台30的操作者，以暫停製造機台30之運作、採取另一個行動、或上述的組合，使得製造機台30的任何問題被及時識別及補救。

在一些實施例中，錯誤偵測及分類系統60還可以實施一快速傅立葉轉換(Fast Fourier Transform)，將上述實際振動波形自一時域(time domain)波形轉換成一頻域(frequency domain)波形，其中所得到之頻域波形包括不同頻率下對振幅的資料。藉由分析此頻域波形，可以得到對應不同振動頻率之製造機台30中各振動源之振幅大小(上述振動源例如為馬達、幫浦、或風扇等，其分別具有不同振動頻率與振幅大小，且可以利用量測裝置40預先量測得到)，進而判斷為哪一振動源發生振動異常，以利於操作者更快速地識別問題及進行改善。

再者，量測裝置40除了用於製造機台30之錯誤偵測外，其也可以用於偵測半導體製造系統1中其他不同裝置(例如，第9圖中之一傳送裝置80)之錯誤或異常。

第9圖顯示根據一些實施例之半導體製造系統1之部分的上視示意圖。半導體製造系統1(例如為一半導體晶圓製造廠)包括複數個製造機台30、30a、30b、30c、及一傳送裝置80。製造機台30a、30b、30c與製造機台30(例如上述化學氣相沉積機台)可以為實施相同或不同製程的機台。傳送裝置80用 以在製造機台30、30a、30b、30c之間傳送基板，例如為晶圓或光罩(為了方便說明，下文中僅以晶圓來表示被傳送之基板)。

在第9圖之實施例中，傳送裝置80包括一軌道81，其固定於晶圓製造廠之天花板且配置在製造機台30、30a、30b、30c之上方。傳送裝置80亦包括一懸吊式載具(overhead hoist vehicle)82，其配置用以沿著軌道81移動且在製造機台30、30a、30b、30c之間傳送晶圓。更具體來說，懸吊式載具82可以抓取一晶圓承載盒83，其中收容有一或多片的晶圓，並且更可以在軌道81上之一選定位置(如圖中之位置點P1、P2、P3或P4)將晶圓承載盒83傳送至製造機台30、30a、30b、30c中之一者以進行一晶圓處理，並在晶圓處理之後，再將晶圓承載盒83傳送至製造機台30、30a、30b、30c中之另一者以進行另一晶圓處理。

在第9圖之實施例中，上述量測裝置40(例如，上述振動感測器)安裝於懸吊式載具82上，故可與懸吊式載具82一起沿著軌道81移動而到達晶圓製造廠內之多個選定位置(例如，軌道81所分布的位置)。由於懸吊式載具82可用於在晶圓製造廠內傳送晶圓，故以下說明中亦將懸吊式載具82稱作一”傳送構件”。量測裝置40用以在懸吊式載具82傳送晶圓之過程中評估傳送裝置80之一操作參數(例如，一振動加速度大小)，以偵測傳送裝置80的一錯誤或異常，例如傳送裝置80之一部份的劣化狀況。

第10圖顯示根據一些實施例之一半導體製造系統的狀況監控方法200的簡化流程圖。為了說明，將配合參照第9 圖一起描述流程圖。應瞭解的是，由於半導體製造系統的狀況監控方法200與上述製造機台的狀況監控方法100之部分操作及概念雷同，故以下僅說明半導體製造系統的狀況監控方法200之不同技術特徵。

如第10圖所示，半導體製造系統的狀況監控方法200包括操作201，其中，關聯於半導體製造系統1中之一傳送構件(例如，懸吊式載具82)之預期振動波形被收集。在一些實施例中，可以在傳送構件82沿著軌道81傳送晶圓之過程中，利用量測裝置40量測及收集來自傳送構件82之振動資料，並將收集到的振動資料傳送至資料庫20進行儲存。在一些實施例中，量測裝置40可以即時量測及收集來自傳送構件82之振動資料。例如，量測裝置40可以一規律的時間間隔(例如0.5秒)來記錄傳送構件82在移動過程中之振動資料，亦即可以量測及記錄傳送構件82在軌道81上不同選定位置之多筆振動資料。之後，上述振動資料可被傳送至資料庫20進行儲存。

在一些實施例中，在傳送構件82傳送晶圓之過程中未發現任何錯誤或異常(例如，傳送構件82沿著軌道81移動時未產生任何異音)的情況下，操作201可以重複多次(例如，數次或數十次)，亦即，利用量測裝置40收集傳送構件82沿著軌道81重複繞轉多次之多筆振動資料，並將上述振動資料傳送至資料庫20進行儲存。

應瞭解的是，上述多筆振動資料在被儲存於資料庫20中之前，亦可經過錯誤偵測及分類系統60進一步計算處理而得到一平均值及一標準差等資料。

如此一來，可以在資料庫20中儲存關聯於上述傳送構件82移動至不同選定位置時振動狀況的大數據樣式(big data pattern)，進而得到傳送構件82沿著軌道81移動時之一預期振動波形(亦即，傳送構件82處於正常運作時之振動波形)。

如第10圖所示，半導體製造系統的狀況監控方法200更包括操作202，其中，另一批次的晶圓利用傳送構件82在晶圓製造廠內進行傳送。在一些實施例中，在操作202中傳送構件82傳送晶圓之速度與在操作201中為相同。

半導體製造系統的狀況監控方法200還包括操作203，其中，利用量測裝置40(在執行操作202同時)收集來自傳送構件82之振動資料。在一些實施例中，在傳送構件82沿著軌道81傳送晶圓之過程中，利用量測裝置40再次量測及收集傳送構件82於不同選定位置時之振動資料。

在一些實施例中，在操作203中由量測裝置40所實施之量測對應於在操作201中由量測裝置40所實施之量測。例如，在操作203中量測裝置40實施記錄之時點與在操作201中量測裝置40實施記錄之時點為相同(亦即，在操作201及203中，量測裝置40可以相同且規律的時間間隔來記錄傳送構件82移動過程中之多筆振動資料)。另外或附加地，在操作203中量測裝置40實施量測之位置點與在操作201中量測裝置40實施量測之位置點亦可為相同。

另外，在操作203中，亦利用錯誤偵測及分類系統60將量測裝置40所收集來自傳送構件82之振動資料轉變成一實際振動波形。

半導體製造系統的狀況監控方法200還包括操作204，其中，在操作203中所量測到的實際振動波形與(在操作201中)儲存於資料庫20中之預期振動波形被進行比較。在一些實施例中，上述實際振動波形與預期振動波形之比較由錯誤偵測及分類系統60來執行。錯誤偵測及分類系統60可以比較實際振動波形及預期振動波形，並判斷兩波形上對應的資料點之間的振幅差值是否超出一可接受的數值範圍(可以類似於第6-8圖所揭露之實施方法得到)。若否，則半導體製造系統的狀況監控方法200可以重複上述操作202至204。若是，則半導體製造系統的狀況監控方法200繼續操作205，發出一警示。

舉例來說，當錯誤偵測及分類系統60偵測到傳送構件82於某時間點之實際振動波形偏離於預期振動波形(亦即，兩波形之振幅差值超出可接受的數值範圍)時，即表示傳送裝置80的某部份可能發生劣化或異常。例如，軌道81之多個銜接部分之間可能發生相對偏移而造成異常振動產生。

在一些實施例中，為了避免傳送構件82在移動過程中之異常振動可能造成晶圓W受損，錯誤偵測及分類系統60可以在偵測到異常當下發出一警示，通知操作者，以暫停傳送構件82之移動、採取另一個行動、或上述的組合。如此一來，能夠即時識別傳送裝置80發生問題之位置點(例如，傳送構件82被暫停之位置點或其附近)，而有利於問題被迅速補救。

本發明實施例亦包括一電腦系統，其執行上述之各種方法和系統，例如監測及評估半導體製造系統1中之製造機台30或傳送裝置80之狀況。在一些實施例中，上述錯誤偵測 及分類(FDC)系統60包括上述電腦系統以監測製造機台30或傳送裝置80之狀況。在各種實施樣態中，上述電腦系統的裝置包括能夠和網路10(例如，一內部網路或網際網路)進行通訊的一網路通訊裝置或一網路運算裝置(例如，行動電話、膝上電腦、個人電腦、網路伺服器)。應可以理解的是，上述裝置中的每一者可以被實施作為上述電腦系統，用以依據如後述方式和網路10進行通訊。依據本發明各種實施例，上述電腦系統(例如，一近端電腦或一連網電腦系統)包括一匯流排元件或用於溝通信息之其他通信機制，其連接次系統和元件，例如一處理元件(例如，處理器、微控制器、數位訊號處理器(DSP)、其他處理元件、或上述之組合)、一系統記憶元件(例如，隨機存取記憶體(RAM))、一靜態儲存元件(例如，唯讀記憶體(ROM))、一磁碟元件(例如，一磁性元件、一光學元件、其他元件、或上述之組合)、一網路介面元件(例如，數據機、乙太網路卡、其他網路介面元件、或上述之組合)、一顯示元件(例如，陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)、其他顯示元件、或上述之組合)、一輸入元件(例如，鍵盤)、一游標控制元件(例如，滑鼠或軌跡球)、及一影像擷取元件(例如，類比或數位攝影機)。在一實施樣態中，上述磁碟元件包括具有一個或多個磁碟元件之一資料庫。

依據本發明一些實施例，上述電腦系統藉由處理器執行儲存在系統記憶元件中的包含一個或多個指令之一個或多個序列，以實施特定的操作。在一些實施例中，可從其他的電腦可讀取媒體(例如靜態儲存元件或磁碟元件)，將這些 指令讀入系統記憶元件。在另一些實施例中，也可使用硬體線路回路以取代(或組合)軟體指令來實現本發明。依據本發明各種實施例，在一電腦可讀取媒體上載入一邏輯(logic)，其係指參與提供指令給處理元件以供執行的任何媒體。此媒體可以有多種形式，包括但不限於：非揮發媒體和揮發性媒體。在一實施例中，上述電腦可讀取媒體為非暫時性(non-transitory)。在各種實施樣態中，非揮發媒體包括光碟或磁碟，例如磁碟元件，而揮發媒體包括動態記憶體，例如系統記憶元件。在一實施樣態中，關於執行指令的資料和資訊係透過一傳輸媒體傳遞到電腦系統，例如以聲波或光波的形式，包括在無線電波和紅外線資料通訊中所產生的。依據本發明各種實施例，傳輸媒體包括同軸電纜線、銅線、及光纖，包括包含匯流排的電線。

一些一般形式的電腦可讀取媒體包括，例如，軟碟(floppy disk)、軟碟機(flexible disk)、硬碟(hard disk)、磁帶(magnetic tape)、任何其他磁性媒體、CD-ROM、任何其他光學媒體、打孔卡片(punch cards)、紙帶(paper tape)、任何其他具有打孔模式的物理媒體、隨機存取記憶體(RAM)、可編程式唯讀記憶體(PROM)、可抹除可編程式唯讀記憶體(EPROM)、快閃可抹除可編程式唯讀記憶體(FLASH-EPROM)、任何其他的記憶經片或盒式磁盤、載波(carrier wave)、或電腦可以讀取的其他任何媒體。依據本發明各種實施例，上述電腦系統執行指令序列實施本發明。依據本發明其他的各種實施例，各種電腦系統，例如電腦系統，係藉由通訊連線耦接(例如，類似如LAN、WLAN、PTSN、及/ 或各種的其他有線或無線網路(包括電信(telecommunications)、無線、及手機網路)的通訊網路)，並執行指令序列以和其他系統協同實施本發明。依據本發明各種實施例，上述電腦系統透過通信連線及通信介面傳送及接收訊息、資料、資訊、以及指令，包括一或多個程式(換言之，應用程式碼)。上述處理元件可以執行接收之上述程式碼及/或儲存在上述磁碟元件或某些其他的非揮發儲存元件中用以執行的程式碼。

在適用的情況下，本發明的各種實施樣態可以使用硬體、軟體或硬體和軟體的組合來實現。此外，在適用的情況下，上述不同的硬體元件及/或軟體元件係併入包括軟體、硬體、或兩者的複合元件，而不背離本揭露的精神。在適用的情況下，上述各種硬體元件及/或軟體元件被區分為包括軟體、硬體、或兩者的次元件，而不背離本揭露的範圍。此外，在適用的情況下，需瞭解到軟體元件可以硬體元件實現，反之亦然。依據本揭露，軟體(例如電腦程式碼及/或資料)可以存儲在一個或多個電腦可讀媒體上。亦需瞭解的是，上述軟體可以使用一個或多個一般泛用或專用的電腦及/或電腦系統、連網的及/或沒有連網的。在適用的情況下，上述各種步驟的順序可以改變、併入複合步驟、及/或分別為次步驟，以提供在此所述的功能。

綜上所述，本揭露實施例具有以下優點：利用即時量測振動之手段以偵測半導體製造系統中各種製造機台、裝置或傳送構件之錯誤或異常。所量測到之實際振動波形可與在相同條件下量測得到之預期振動波形進行比較，故可以更精準 地判斷是否產生異常狀況。當一異常狀況發生時，錯誤偵測及分類系統可立即反應，並通知維修人員妥善處理，因此能夠減少或避免用於處理半導體基板之製造機台或其他支援裝置發生損壞，並減少晶圓報廢。

根據一些實施例，提供一種製造機台的狀況監控方法。上述方法包括在一半導體製造機台中依據一製造流程之多個操作程序來處理一基板。上述方法更包括在各操作程序中，量測來自半導體製造機台之一實際振動波形。上述方法還包括比較在其中一操作程序中所量測到之實際振動波形和關聯於該操作程序之一預期振動波形。此外，上述方法包括基於上述比較，在實際振動波形與預期振動波形上對應的資料點之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

根據一些實施例，製造機台的狀況監控方法更包括基於警示，暫停半導體製造機台之運作。

根據一些實施例，製造機台的狀況監控方法更包括在一預先執行的製造流程之各操作程序中，收集來自半導體製造機台之多筆振動資料。此外，製造機台的狀況監控方法包括將上述振動資料儲存於一資料庫，其中預期振動波形係由資料庫所得到。

根據一些實施例，製造機台的狀況監控方法更包括將實際振動波形自一時域波形轉換成一頻域波形。此外，製造機台的狀況監控方法包括基於頻域波形，得到對應不同振動頻率之半導體製造機台中各振動源之振幅大小，進而判斷為哪一振動源發生振動異常。

根據一些實施例，半導體製造機台包括一反應腔室，具有一頂殼及一底蓋。底蓋配置用於在上述操作程序中承載基板且可相對頂殼進行移動。實際振動波形係由設置於底蓋上之一檢測裝置所量測。

根據一些實施例，提供一種半導體製造系統的狀況監控方法。上述方法包括在一半導體製造廠內移動一傳送構件，以傳送一基板。上述方法更包括量測傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料。上述方法還包括比較在其中一選定位置時所量測到之實際振動資料和關聯於該選定位置之一預期振動資料。此外，上述方法包括基於上述比較，在實際振動資料與預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

根據一些實施例，半導體製造系統的狀況監控方法更包括基於警示，暫停傳送構件之移動。

根據一些實施例，傳送構件係一懸吊式載具，配置用於沿著一軌道移動且在上述選定位置之間傳送基板。實際振動波形係由設置於傳送構件上之一檢測裝置所量測。

根據一些實施例，傳送構件係一半導體製造機台用於承載基板之一底蓋，配置用於將基板送入及送出半導體製造機台之一反應腔室。實際振動波形係由設置於傳送構件上之一檢測裝置所量測。

根據一些實施例，提供一種半導體製造系統，包括一傳送構件、一檢測裝置及一錯誤偵測及分類系統。傳送構件配置用於在一半導體製造廠內傳送一基板。檢測裝置設置於 傳送構件上。錯誤偵測及分類系統配置用於接收檢測裝置所量測到傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料，及比較在其中一選定位置時所量測到之實際振動資料和關聯於該選定位置之一預期振動資料，並在實際振動資料與預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。

以上雖然詳細描述了實施例及它們的優勢，但應該理解，在不背離所附申請專利範圍限定的本揭露的精神和範圍的情況下，對本揭露可作出各種變化、替代和修改。此外，本申請的範圍不旨在限制於說明書中所述的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法和步驟的特定實施例。作為本領域的普通技術人員將容易地從本揭露中理解，根據本揭露，可以利用現有的或今後將被開發的、執行與在本揭露所述的對應實施例基本相同的功能或實現基本相同的結果的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附申請專利範圍旨在將這些製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟包括它們的範圍內。此外，每一個申請專利範圍構成一個單獨的實施例，且不同申請專利範圍和實施例的組合都在本揭露的範圍內。

Claims (10)

1. 一種製造機台的狀況監控方法，包括：在一半導體製造機台中依據一製造流程之複數個操作程序來處理一基板；在各該些操作程序中，量測來自該半導體製造機台之一實際振動波形；比較在該些操作程序中所量測到之該些實際振動波形和關聯於該些操作程序之複數個預期振動波形；以及基於上述比較，在該些實際振動波形中之一者與關聯的該預期振動波形上對應的資料點之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。
2. 如申請專利範圍第1項所述的製造機台的狀況監控方法，更包括：基於該警示，暫停該半導體製造機台之運作。
3. 如申請專利範圍第1項所述的製造機台的狀況監控方法，更包括：在一預先執行的製造流程之各操作程序中，收集來自該半導體製造機台之多筆振動資料；以及將該些振動資料儲存於一資料庫，其中該預期振動波形係由該資料庫所得到。
4. 如申請專利範圍第1項所述的製造機台的狀況監控方法，更包括：將該實際振動波形自一時域波形轉換成一頻域波形；以及基於該頻域波形，得到對應不同振動頻率之該半導體製造 機台中各振動源之振幅大小，進而判斷為哪一振動源發生振動異常。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的製造機台的狀況監控方法，其中，該半導體製造機台包括一反應腔室，具有一頂殼及一底蓋，該底蓋配置用於在該些操作程序中承載該基板且可相對該頂殼進行移動，該實際振動波形係由設置於該底蓋上之一檢測裝置所量測。
6. 一種半導體製造系統的狀況監控方法，包括：在一半導體製造廠內移動一傳送構件，以傳送一基板；量測該傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料；比較在該些選定位置時所量測到之該些實際振動資料和關聯於該些選定位置之複數個預期振動資料；以及基於上述比較，在該些實際振動資料中之一者與關聯的該預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。
7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造系統的狀況監控方法，更包括：基於該警示，暫停該傳送構件之移動。
8. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造系統的狀況監控方法，其中，該傳送構件係一懸吊式載具，配置用於沿著一軌道移動且在該些選定位置之間傳送該基板，該實際振動波形係由設置於該傳送構件上之一檢測裝置所量測。
9. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造系統的狀況監控方法，其中，該傳送構件係一半導體製造機台用於承載該 基板之一底蓋，且該底蓋配置用於將該基板送入及送出該半導體製造機台之一反應腔室，該實際振動波形係由設置於該傳送構件上之一檢測裝置所量測。
10. 一種半導體製造系統，包括：一傳送構件，配置用於在一半導體製造廠內傳送一基板；一檢測裝置，設置於該傳送構件上；以及一錯誤偵測及分類系統，配置用於接收該檢測裝置所量測到該傳送構件移動至各選定位置時之一實際振動資料，及比較在該些選定位置時所量測到之該些實際振動資料和關聯於該些選定位置之複數個預期振動資料，並在該些實際振動資料中之一者與關聯的該預期振動資料之間的一振幅差值超出一可接受的數值範圍時，發出一警示。