JP6801574B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る半導体製造装置100の平面図である。半導体製造装置100は、ウエハの表面を処理するチャンバー部10を備える。チャンバー部10は、2つのデポチャンバー12を備える。デポチャンバー12は、高温および真空状態においてガスを反応させてウエハ上に成膜を行う。
Claims (11)
- ウエハの表面を処理するチャンバー部と、
前記チャンバー部の外に設けられたカメラと、
前記カメラに隣接して設けられ、モニタウエハを収納するモニタウエハストッカーと、
前記チャンバー部で処理された前記モニタウエハを、前記カメラの下部を通るように前記モニタウエハストッカーまで搬送するアーム駆動部と、
を備え、
前記カメラは、前記アーム駆動部に搭載された前記モニタウエハの表面を撮影し、前記モニタウエハストッカーに設けられていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記カメラは、大気中で前記モニタウエハを撮影することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記カメラによって撮影された画像を処理し、前記モニタウエハの表面の異常を検出する判定部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記判定部は、前記モニタウエハの表面の状態を表示する表示部を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記判定部は、前記モニタウエハの表面の異常を検出した場合にアラームを発することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体製造装置。
- 前記モニタウエハストッカーにはウエハカウンターが設けられ、
前記ウエハカウンターは、前記モニタウエハストッカーに収納された成膜済みのモニタウエハの数をカウントし、前記チャンバー部で実行される製品処理レシピに対してダミーラン用ウエハが不足する場合にアラームを発することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記モニタウエハストッカーにはウエハカウンターが設けられ、
前記ウエハカウンターは、前記モニタウエハストッカーが成膜済みのモニタウエハで満杯となった場合にアラームを発することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記チャンバー部は、前記モニタウエハを除膜することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記チャンバー部は、枚葉式CVD装置であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記モニタウエハストッカーはダウンフロー構造を備えることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記モニタウエハストッカーには、前記モニタウエハの収納部の側面において開閉可能な扉が設けられていることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2018195645A JP2018195645A (ja) | 2018-12-06 |
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JP2017096610A Active JP6801574B2 (ja) | 2017-05-15 | 2017-05-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6801574B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3438826B2 (ja) * | 1993-12-29 | 2003-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びその使用方法 |
US6813032B1 (en) * | 1999-09-07 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced embedded substrate inspection through process data collection and substrate imaging techniques |
JP2003109991A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 膜厚測定用モニター、モニターの再生方法 |
JP3804561B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2006-08-02 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5103025B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2012-12-19 | 九州電通株式会社 | シリコンウェハの表面層の除去方法 |
JP2010123733A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその処理方法、並びに記憶媒体 |
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2017
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018195645A (ja) | 2018-12-06 |
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