TWI663744B - 發光二極體顯示器 - Google Patents
發光二極體顯示器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI663744B TWI663744B TW107109949A TW107109949A TWI663744B TW I663744 B TWI663744 B TW I663744B TW 107109949 A TW107109949 A TW 107109949A TW 107109949 A TW107109949 A TW 107109949A TW I663744 B TWI663744 B TW I663744B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light
- layer
- light emitting
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 208
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 25
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光二極體顯示器，包括基板、積體電路、畫素定義層以及至少一發光二極體。積體電路設置於基板上。畫素定義層包覆積體電路且具有畫素開口區。至少一發光二極體設置於畫素定義層的畫素開口區中，且與積體電路電性連接。
Description
本發明是有關於一種顯示器，且特別是有關於一種發光二極體顯示器。
發光二極體顯示器包括背板及設置於背板上的多個微型發光二極體。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示器具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示器，發光二極體顯示器還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示器被視為下一世代的顯示技術。
本發明提供一種發光二極體顯示器，性能佳。
本發明的發光二極體顯示器，包括基板、積體電路、畫素定義層以及至少一發光二極體。積體電路設置於基板上。畫素定義層包覆積體電路且具有畫素開口區。在基板的一垂直方向上，畫素開口區未與積體電路重疊。至少一發光二極體設置於畫素定義層的畫素開口區中，且與積體電路電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的積體電路具有靠近基板的底面、遠離基板的頂面以及連接於底面與頂面之間的側壁，而畫素定義層遮蔽積體電路的頂面及積體電路的側壁。
在本發明的一實施例中，上述的積體電路具有靠近基板的底面、遠離基板的頂面以及連接於底面與頂面之間的側壁，而畫素定義層與積體電路的頂面接觸。
在本發明的一實施例中，上述的積體電路具有接墊，畫素定義層更具有第一開口，畫素定義層的第一開口與積體電路的接墊重疊，而發光二極體顯示器更包括第一連接圖案。部分的第一連接圖案位於畫素定義層的第一開口中，而至少一發光二極體透過第一連接圖案與積體電路的接墊電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的畫素定義層具有定義出畫素開口區的側壁，而發光二極體顯示器更包括至少一反射圖案及第一絕緣層。至少一反射圖案設置於畫素定義層的側壁上。第一絕緣層覆蓋至少一發光二極體、至少一反射圖案及畫素定義層，且具有與畫素定義層之第一開口重疊的第二開口。部分的第一連接圖案設置在第一絕緣層上，且位於畫素開口區與第二開口中。
在本發明的一實施例中，上述的至少一發光二極體具有發光層、第一電極及第二電極，發光層具有相對的第一側及第二側，基板位於發光層的第一側，第一電極及第二電極位於發光層的第二側，而至少一發光二極體的第一電極透過第一連接圖案與積體電路的接墊電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層更具有第三開口，而發光二極體顯示器更包括第二連接圖案及共用導電圖案。第二連接圖案設置於第一絕緣層上，且透過第三開口與至少一發光二極體的第二電極電性連接。共用導電圖案電性連接至第二連接圖案，以與至少一發光二極體的第二電極電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體顯示器更包括第二絕緣層。第二絕緣層覆蓋第一連接圖案、第二連接圖案及第一絕緣層。第二絕緣層具有第四開口，而共用導電圖案透過第四開口與第二連接圖案電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的畫素定義層具有定義出畫素開口區的側壁，而第一連接圖案直接覆蓋畫素定義層的部分側壁。
在本發明的一實施例中，上述的至少一發光二極體具有發光層、第一電極及第二電極，發光層具有相對的第一側及第二側，基板及第一電極位於發光層的第一側，第二電極位於發光層的第二側，而發光二極體顯示器更包括保護層及共用導電圖案。保護層設置於畫素定義層、第一連接圖案及至少一發光二極體上，且具有與至少一發光二極體之第二電極重疊的第五開口。共用導電圖案設置於保護層上，其中共用導電圖案透過第五開口與至少一發光二極體的第二電極電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的至少一發光二極體具有發光層、第一電極及第二電極，發光層具有相對的第一側及第二側，基板、第一電極及第二電極位於發光層的第一側，而發光二極體顯示器更包括第二連接圖案、保護層及共用導電圖案。第二連接圖案覆蓋畫素定義層的另一部分的側壁，且與至少一發光二極體的第二電極電性連接，其中第一連接圖案與第二連接圖案在結構上分離。保護層覆蓋畫素定義層、第一連接圖案、至少一發光二極體及第二連接圖案，其中保護層具有第六開口。共用導電圖案設置於保護層上，其中共用導電圖案透過第六開口與第二連接圖案電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的畫素定義層的光學密度值為OD，而3 ≤ OD ≤ 4。
在本發明的一實施例中，上述的畫素定義層具有厚度H1，而600 μm ≤ H1 ≤700 μm。
在本發明的一實施例中，上述的畫素定義層的材料包括深色絕緣材料。
基於上述，本發明一實施例的發光二極體顯示器的畫素定義層包覆積體電路。也就是說，用以驅動發光二極體的積體電路係設置在畫素定義層下。藉此，積體電路不易被察覺，而有助於提升發光二極體顯示器的視覺效果。此外，由於積體電路設置在既有之畫素定義層下，因此，發光二極體顯示器不需挪出額外的基板區域（面積）供積體電路設置，而能讓出更多的基板區域（面積）供其它構件（例如：更多的發光二極體）使用，進而提升發光二極體顯示器的性能（例如：解析度、亮度等）。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A至圖1M為本發明一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖。圖2為本發明一實施例之發光二極體顯示器的上視示意圖。特別是，圖1M對應於圖2的剖線A-A’。此外，為清楚表達起見，圖2省略圖1M之黏著層120、反射圖案150及保護層196的繪示。
請參照圖1A，首先，提供基板110。舉例而言，在本實施例中，基板110的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、不透光/反射材料（例如：導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。
請參照圖1B 及圖1C，接著，將積體電路130設置於基板110上。舉例而言，在本實施例中，可先在基板110上形成黏著層120，再將積體電路130設置於黏著層120上，以使積體電路130透過黏著層120固定於基板110上。在本實施例中，黏著層120的材料例如是光阻。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，黏著層120也可使用其它適當材料。此外，本發明也不限制積體電路130一定要利用黏著層120固定於基板110上，根據其它實施例，積體電路130也可利用其它方式固定於基板110上。
請參照圖1C，在本實施例中，積體電路130具有靠近基板110的底面130a、遠離基板110的頂面130b以及連接於底面130a與頂面130b之間的側壁130c。積體電路130還具有多個接墊132，多個接墊132位於積體電路130的頂面130b。積體電路130用以驅動發光二極體160（繪於圖1M）。在本實施例中，積體電路130係指未經封裝的裸晶（die），但本發明不以此為限。
請參照圖1D及圖2，接著，形成預定畫素定義層140’。預定畫素定義層140’具有畫素開口區142。在基板110的一垂直方向z上，畫素開口區142未與積體電路130重疊。畫素開口區142位於積體電路130的面積外。畫素開口區142的邊界係由預定畫素定義層140’的側壁140a所定義。也就是說，積體電路130的側壁130c被預定畫素定義層140’所覆蓋。請參照圖1E，接著，形成反射圖案150，其中反射圖案150設置於預定畫素定義層140’的側壁140a上。反射圖案150用以反射發光二極體160發出的光束（未繪示），以使光束朝指定方向（例如：朝上的方向）出射，進而提升發光二極體顯示器10的亮度。在本實施例中，反射圖案150的材料例如為金屬、合金、其它反射材料或其組合，但本發明不以此為限。
請參照圖1F至圖1I及圖2，接著，將發光二極體160設置於畫素開口區142中，且令發光二極體160與積體電路130電性連接。
請參照圖1F，首先，可提供發光二極體160，發光二極體160包括第一型半導體層161、第二型半導體層162、設置於第一型半導體161與第二型半導體層162之間的發光層163、與第一型半導體層161電性連接的第一電極164以及與第二型半導體層162電性連接的第二電極165。在本實施例中，發光層163具有相對的第一側（例如：下側）及第二側（例如：上側），基板110位於發光層163的第一側（例如：下側），而第一電極164及第二電極165皆位於發光層163的第二側（例如：上側）。換言之，在本實施例中，發光二極體160可以是水平式發光二極體。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，發光二極體也可以是其它類型的發光二極體，例如：垂直式發光二極體、覆晶式發光二極體等，以下將於後續段落配合其它圖式舉例說明之。
請參照圖1F，在本實施例中，接著，可將發光二極體160設置於與畫素開口區142重疊的部分黏著層120上，以使發光二極體160固定在畫素開口區142中。請參照圖1G，接著，形成第一絕緣材料層170’，以覆蓋發光二極體160、反射圖案150及預定畫素定義層140’。在本實施例中，第一絕緣材料層170’係透光。第一絕緣材料層170’的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。
請參照圖1H，接著，圖案化第一絕緣材料層170’及預定畫素定義層140’，以形成畫素定義層140及第一絕緣層170。畫素定義層140具有第一開口144。第一絕緣層170具有第二開口174、接觸窗176和第三開口178。在基板110的一垂直方向z上，畫素定義層140的第一開口144與積體電路130的接墊132重疊設置，畫素定義層140的第一開口144未與發光二極體160重疊。第一絕緣層170的第二開口174與畫素定義層140的第一開口144重疊。第一絕緣層170的接觸窗176及第一絕緣層170的第三開口178位於畫素開口區142，且分別與發光二極體160的第一電極164及發光二極體160的第二電極165重疊。
值得注意的是，畫素定義層140包覆積體電路130。在本實施例中，畫素定義層140係完全地遮蔽積體電路130的頂面130b及側壁130c，且與積體電路130的頂面130b及側壁130c接觸。簡言之，在本實施例中，畫素定義層140除了用以定義畫素開口區142外，更可做為封裝積體電路130（例如：裸晶）的材料使用。
畫素定義層140的材質是絕緣材料。舉例而言，在本實施例中，畫素定義層140的材質可以是遮光絕緣材料。遮光絕緣材料的光學密度值可落在3至4的範圍。遮光絕緣材料例如是包括深色絕緣材料，例如：黑色光阻、黑色樹脂或 其它適當材料。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，畫素定義層140的材質也可以是透光絕緣材料，例如：透光光阻、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其它適當材料。
畫素定義層140具有厚度H1，其中畫素定義層140的厚度H1大於積體電路130的高度H2。舉例而言，在本實施例中，畫素定義層140的厚度H1可落在600 μm至700 μm的範圍，但本發明不以此為限。
請參照圖1I，接著，在第一絕緣層170上形成第一連接圖案182以及第二連接圖案184。部分的第一連接圖案182位於第一絕緣層170的接觸窗176、第一絕緣層170的第二開口174及畫素定義層140的第一開口144中，而發光二極體160的第一電極164透過第一連接圖案182與積體電路130的接墊132電性連接。部分的第二連接圖案184位於第一絕緣層170的第三開口178中，而與發光二極體160的第二電極165電性連接。在本實施例中，第一連接圖案182及第二連接圖案184例如為透光導電圖案。透光導電圖案的材質例如包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。
請參照圖1J，接著，形成第二絕緣材料層190’，以覆蓋第一連接圖案182、第二連接圖案184以及第一絕緣層170。在本實施例中，第二絕緣材料層190’係透光。第二絕緣材料層190’的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。
請參照圖1J及圖1K，接著，圖案化第二絕緣材料層190’，以形成第二絕緣層190。第二絕緣層190具有第四開口192，其中第四開口192與第二連接圖案184重疊。在本實施例中，第四開口192位於畫素開口區142外，且位於畫素定義層140的上方，但本發明不以此為限。
請參照圖1L，接著，於第二絕緣層190上形成共用導電圖案194。共用導電圖案194透過第二絕緣層190的第四開口192與第二連接圖案184電性連接。共用導電圖案194透過第二連接圖案184與發光二極體160的第二電極165電性連接。在本實施例中，共用導電圖案194的材質以選用具有低電阻率的材料為佳，例如：金屬、合金、其它適當材料或其組合。
在本實施例中，共用導電圖案194例如是遮光導電圖案，共用導電圖案194不與發光二極體160重疊，以免阻擋發光二極體160發出的光束、影響發光二極體顯示器10的亮度。請參照圖1I及圖2，舉例而言，在本實施例中，共用導電圖案194包括多個分支部194a及至少一匯流部194b。分支部194a及匯流部194b皆設置於畫素開口區142外。各分支部194a的延伸方向y與匯流部194b的延伸方向x交錯。各分支部194a配置於相鄰兩行的畫素開口區142之間，且與匯流部194b電性連接。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，遮光的共用導電圖案194也可設計為其它適當圖形。此外，本發明也不限制共用導電圖案194一定要是遮光導電圖案，在其它實施例中，共用導電圖案194也可以是透光導電圖案。
請參照圖1M，接著，形成保護層196，以覆蓋共用導電圖案194及第二絕緣層190。於此，便完成了本實施例之發光二極體顯示器10。
值得注意的是，發光二極體顯示器的畫素定義層140包覆積體電路130。也就是說，用以驅動發光二極體160的積體電路130係設置在畫素定義層140下。藉此，積體電路130不易被察覺，而有助於提升發光二極體顯示器10的視覺效果。此外，由於積體電路130係設置在既有之畫素定義層140下，因此，發光二極體顯示器10不需挪出額外的基板區域（面積）供積體電路130設置，而能讓出更多的基板區域（面積）供其它構件（例如：更多的發光二極體）使用，進而提升發光二極體顯示器10的性能（例如：解析度、亮度等）。再者，利用既有的畫素定義層140包覆（或者說，封裝）積體電路130，能省略積體電路130的封裝製程，且不增加發光二極體顯示器10的製程複雜度。
圖3為本發明另一實施例之發光二極體顯示器的上視示意圖。圖3的發光二極體顯示器10A與圖2的發光二極體顯示器10類似，兩者的差異在於：圖3之發光二極體顯示器10A的同一畫素開口142中可設置多個發光二極體160。請參照圖3，位於同一畫素開口142中的多個發光二極體160與積體電路130的同一接墊132電性連接。藉此，位於畫素開口區142的其中一個發光二極體160失效時，位於所述畫素開口142的另一發光二極體160仍可正常發光，而使發光二極體顯示器10A維持顯示功能。
圖4A至圖4K為本發明又一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖。圖4A至圖4K的發光二極體顯示器10B的製造流程與圖1A至圖1M的發光二極體顯示器10的製造流程相似，兩者主要的差異在於：發光二極體顯示器10的發光二極體160為水平式發光二極體，而發光二極體顯示器10B的發光二極體160B為垂直式發光二極體。詳述本實施例之發光二極體顯示器10B的製造流程如下。
請參照圖4A，首先，提供基板110。請參照圖4B 及圖4C，接著，將積體電路130設置於基板110上。在本實施例中，可先在基板110上形成黏著層120，再將積體電路130設置於黏著層120上，以使積體電路130固定於基板110上。
請參照圖4D，接著，形成預定畫素定義層140’。預定畫素定義層140’具有發光二極體顯示器10B的畫素開口區142。在基板110的一垂直方向z上，畫素開口區142未與積體電路130重疊。畫素開口區142位於積體電路130的面積以外。請參照圖4D及圖4E，接著，圖案化預定畫素定義層140’，以形成畫素定義層140。畫素定義層140具有第一開口144。在基板110的一垂直方向z上，畫素定義層140的第一開口144與積體電路130的接墊132重疊，畫素定義層140的第一開口144未與發光二極體160B（繪於圖4G）重疊。
請參照圖4F，接著，在畫素定義層140上形成第一連接圖案182B。第一連接圖案182B透過畫素定義層140的第一開口144與積體電路130的接墊132電性連接。在本實施例中，第一連接圖案182B可直接覆蓋畫素定義層140的部分側壁140a。第一連接圖案182B除了用以電性連接積體電路130的接墊132與發光二極體160B（繪於圖4G）的第一電極164外，第一連接圖案182B還能反射發光二極體160B發出的光束（未繪示），以使光束朝指定方向（例如：朝上的方向）出射。
請參照圖4F，在本實施例中，於形成第一連接圖案182B時，還可同時於畫素定義層140之另一部分的側壁140a上形成反射圖案150B。在本實施例中，第一連接圖案182B與反射圖案150B可形成於同一膜層，且彼此電性隔離。在本實施例中，反射圖案150B可直接覆蓋畫素定義層140之另一部分的側壁140a。反射圖案150B能反射發光二極體160B發出的光束（未繪示），以使光束朝指定方向（例如：朝上的方向）出射。
請參照圖4G，接著，將發光二極體160B設置於畫素定義層140的畫素開口區142中，且令發光二極體160B與積體電路130電性連接。發光二極體160B包括第一型半導體層161、第二型半導體層162、設置於第一型半導體161與第二型半導體層162之間的發光層163、與第一型半導體層161電性連接的第一電極164以及與第二型半導體層162電性連接的第二電極165。在本實施例中，發光層163具有相對的第一側（例如：下側）及第二側（例如：上側），基板110位於發光層163的第一側（例如：下側），而第一電極164及第二電極165分別位於發光層163的第一側（例如：下側）及發光層163的第二側（例如：上側）。換言之，本實施例的發光二極體160B是垂直式發光二極體。
在本實施例中，可將發光二極體160B設置在位於畫素開口區142內的部分第一連接圖案182B上。發光二極體160B的第一電極164與第一連接圖案182B電性連接。發光二極體160B的第一電極164可透過第一連接圖案182B與積體電路130的接墊132電性連接。
請參照圖4H，接著，形成保護材料層197’，以覆蓋畫素定義層140、第一連接圖案182B、反射圖案150B及發光二極體160B。請參照圖4H及圖4I，接著，圖案化保護材料層197’，以形成保護層197。保護層197具有第五開口197a。保護層197的第五開口197a與發光二極體160B之第二電極165重疊。
請參照圖4J，接著，在保護層197上形成共用導電圖案194B。共用導電圖案194B透過保護層197的第五開口197a與發光二極體160B的第二電極165電性連接。舉例而言，在本實施例中，共用導電圖案194B包括與發光二極體160B重疊的透明導電圖案，但本發明不以此為限。請參照圖4K，接著，形成保護層196，以覆蓋共用導電圖案194B及保護層197。於此，便完成了本實施例之發光二極體顯示器10B。發光二極體顯示器10B具有與前述之發光二極體顯示器10類似的功效及優點，於此便不再重述。
圖5A至圖5L為本發明再一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖。圖5A至圖5L的發光二極體顯示器10C的製造流程與圖1A至圖1M的發光二極體顯示器10的製造流程相似，兩者主要的差異在於：發光二極體顯示器10的發光二極體160為水平式發光二極體，而發光二極體顯示器10C的發光二極體160C覆晶式發光二極體。詳述本實施例之發光二極體顯示器10C的製造流程如下。
請參照圖5A，首先，提供基板110。請參照圖5B 及圖5C，接著，將積體電路130設置於基板110上。在本實施例中，可先在基板110上形成黏著層120，再將積體電路130設置於黏著層120上，以使積體電路130固定於基板110上。
請參照圖5D，接著，形成預定畫素定義層140’。預定畫素定義層140’具有發光二極體顯示器10C的畫素開口區142。在基板110的一垂直方向z上，畫素開口區142未與積體電路130重疊。畫素開口區142位於積體電路130的面積以外。請參照圖5D及圖5E，接著，圖案化預定畫素定義層140’，以形成畫素定義層140。畫素定義層140具有第一開口144。畫素定義層140的第一開口144位於發光二極體160C（繪於圖5H）的面積以外且與積體電路130的接墊132重疊。
請參照圖5F，接著，在畫素定義層140上形成第一連接圖案182C及第二連接圖案184C。第一連接圖案182C與第二連接圖案184C在結構上分離，且分別覆蓋畫素定義層140的相對兩側壁140a。第一連接圖案182C透過畫素定義層140的第一開口144與積體電路130的接墊132電性連接。
請參照圖5G至圖5H，接著，將發光二極體160C設置於畫素定義層140的畫素開口區142中，且令發光二極體160C與積體電路130電性連接。舉例而言，如圖5G所示，在本實施例中，可在位於畫素開口區142內的部分第一連接圖案182C及位於畫素開口區142內的部分第二連接圖案184C上分別形成導電膠198a及導電膠198b；接著，將發光二極體160C設置在位於畫素開口區142內的第一連接圖案182C及第二連接圖案184C上，以使發光二極體160C的第一電極164與第二電極165透過導電膠198a及導電膠198b分別與第一連接圖案182C及第二連接圖案184C電性連接。
請參照圖5H，發光二極體160C包括第一型半導體層161、第二型半導體層162、設置於第一型半導體161與第二型半導體層162之間的發光層163、與第一型半導體層161電性連接的第一電極164以及與第二型半導體層162電性連接的第二電極165。在本實施例中，第二型半導體層162具有相對的第一側（例如：下側）及第二側（例如：上側），基板110、第一電極164及第二電極165位於第二型半導體層162的第一側（例如：下側）。換言之，在本實施例中，發光二極體160C為覆晶式發光二極體。
請參照圖5I，接著，形成保護材料層199’，以覆蓋畫素定義層140、第一連接圖案182C、第二連接圖案184C及發光二極體160C。請參照圖5I及圖5J，接著，圖案化保護材料層199’，以形成保護層199。保護層199具有第六開口199a。第六開口199a與第二連接圖案184C重疊。在本實施例中，第六開口199a可位於畫素開口區142外，但本發明不以此為限。
請參照圖5K，接著，在保護層199上形成共用導電圖案194C。共用導電圖案194C透過保護層199的第六開口199a與第二連接圖案184C電性連接。第二連接圖案184C電性連接於共用導電圖案194C與發光二極體160C的第二電極165之間。在本實施例中，第一連接圖案182C用以電性連接積體電路130與發光二極體160C的第一電極164，第二連接圖案184C用以電性發光二極體160C的第二電極165與共用導電圖案194C；除此之外，第一連接圖案182C及第二連接圖案184C還能反射發光二極體160C發出的光束，以使光束朝指定方向出射，進而提升發光二極體顯示器10C的亮度。
請參照圖5L，接著，形成保護層196，以覆蓋共用導電圖案194C及保護層199。於此，便完成了本實施例之發光二極體顯示器10C。發光二極體顯示器10C具有與前述之發光二極體顯示器10類似的功效及優點，於此便不再重述。
綜上所述，本發明一實施例的發光二極體顯示器的畫素定義層包覆積體電路。也就是說，用以驅動發光二極體的積體電路係設置在畫素定義層下。藉此，積體電路不易被察覺，而有助於提升發光二極體顯示器的視覺效果。此外，由於積體電路設置在既有之畫素定義層下，因此，發光二極體顯示器不需挪出額外的基板區域（面積）供積體電路設置，而能讓出更多的基板區域（面積）供其它構件（例如：更多的發光二極體）使用，進而提升發光二極體顯示器的性能（例如：解析度、亮度等）。再者，利用既有的畫素定義層包覆（或者說，封裝）積體電路，能省略一般之積體電路的封裝製程，且不增加發光二極體顯示器的製程複雜度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10A、10B、10C‧‧‧發光二極體顯示器
110‧‧‧基板
120‧‧‧黏著層
130‧‧‧積體電路
130a‧‧‧底面
130b‧‧‧頂面
130c、140a‧‧‧側壁
132‧‧‧接墊
140’‧‧‧預定畫素定義層
140‧‧‧畫素定義層
142‧‧‧畫素開口區
144‧‧‧第一開口
150、150B‧‧‧反射圖案
160、160B、160C‧‧‧發光二極體
161‧‧‧第一型半導體層
162‧‧‧第二型半導體層
163‧‧‧發光層
164‧‧‧第一電極
165‧‧‧第二電極
170’‧‧‧第一絕緣材料層
170‧‧‧第一絕緣層
174‧‧‧第二開口
176‧‧‧接觸窗
178‧‧‧第三開口
182、182B、182C‧‧‧第一連接圖案
184、184B‧‧‧第二連接圖案
190’‧‧‧第二絕緣材料層
190‧‧‧第二絕緣層
192‧‧‧第四開口
194、194B、194C‧‧‧共用導電圖案
194a‧‧‧分支部
194b‧‧‧匯流部
196、197、199‧‧‧保護層
199’‧‧‧保護材料層
197a‧‧‧第五開口
198a、198b‧‧‧導電膠
199a‧‧‧第六開口
A-A’‧‧‧剖線
H1‧‧‧厚度
H2‧‧‧高度
x、y、z‧‧‧方向
圖1A至圖1M為本發明一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖。 圖2為本發明一實施例之發光二極體顯示器的上視示意圖。 圖3為本發明另一實施例之發光二極體顯示器的上視示意圖。 圖4A至圖4K為本發明又一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖。 圖5A至圖5L為本發明再一實施例之發光二極體顯示器的製造流程的剖面示意圖
Claims (14)
- 一種發光二極體顯示器，包括： 一基板； 一積體電路，設置於該基板上； 一畫素定義層，包覆該積體電路且具有一畫素開口區，其中在該基板的一垂直方向上，該畫素開口區未與該積體電路重疊；以及 至少一發光二極體，設置於該畫素定義層的該畫素開口區中，且與該積體電路電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該積體電路具有靠近該基板的一底面、遠離該基板的一頂面以及連接於該底面與該頂面之間的一側壁，而該畫素定義層遮蔽該積體電路的該頂面及該積體電路的該側壁。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該積體電路具有靠近該基板的一底面、遠離該基板的一頂面以及連接於該底面與該頂面之間的一側壁，而該畫素定義層與該積體電路的該頂面接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該積體電路具有一接墊，該畫素定義層更具有一第一開口，該畫素定義層的該第一開口與該積體電路的該接墊重疊，而該發光二極體顯示器更包括： 一第一連接圖案，其中一部分的該第一連接圖案位於該畫素定義層的該第一開口中，而該至少一發光二極體透過該第一連接圖案與該積體電路的該接墊電性連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中該畫素定義層具有定義出該畫素開口區的一側壁，而該發光二極體顯示器更包括： 至少一反射圖案，設置於該畫素定義層的該側壁上；以及 一第一絕緣層，覆蓋該至少一發光二極體、該至少一反射圖案及該畫素定義層，且具有與該畫素定義層之該第一開口重疊的一第二開口，其中另一部分的該第一連接圖案設置在該第一絕緣層上以及位於該第二開口和該畫素開口區中。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體顯示器，其中該至少一發光二極體具有一發光層、一第一電極及一第二電極，該發光層具有相對的一第一側及一第二側，該基板位於該發光層的該第一側，該第一電極及該第二電極位於該發光層的該第二側，而該至少一發光二極體的該第一電極透過該第一連接圖案與該積體電路的該接墊電性連接。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體顯示器，其中該第一絕緣層更具有一第三開口，而該發光二極體顯示器更包括： 一第二連接圖案，設置於該第一絕緣層上，且透過該第三開口與該至少一發光二極體的該第二電極電性連接；以及 一共用導電圖案，電性連接至該第二連接圖案，以與該至少一發光二極體的該第二電極電性連接。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，更包括： 一第二絕緣層，覆蓋該第一連接圖案、該第二連接圖案及該第一絕緣層，其中該第二絕緣層具有一第四開口，而該共用導電圖案透過該第四開口與該第二連接圖案電性連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體顯示器，其中該畫素定義層具有定義出該畫素開口區的一側壁，而該第一連接圖案直接覆蓋該畫素定義層的一部分的該側壁。
- 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體顯示器，其中該至少一發光二極體具有一發光層、一第一電極及一第二電極，該發光層具有相對的一第一側及一第二側，該基板及該第一電極位於發光層的該第一側，該第二電極位於該發光層的該第二側，而該發光二極體顯示器更包括： 一保護層，設置於該畫素定義層、該第一連接圖案及該至少一發光二極體上，且具有與該至少一發光二極體之該第二電極重疊的一第五開口；以及 一共用導電圖案，設置於該保護層上，其中該共用導電圖案透過該第五開口與該至少一發光二極體的該第二電極電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體顯示器，其中該至少一發光二極體具有一發光層、一第一電極及一第二電極，該發光層具有相對的一第一側及一第二側，該基板、該第一電極及該第二電極位於該發光層的該第一側，而該發光二極體顯示器更包括： 一第二連接圖案，覆蓋該畫素定義層的另一部分的該側壁，且與該至少一發光二極體的該第二電極電性連接，其中該第一連接圖案與該第二連接圖案在結構上分離； 一保護層，覆蓋該畫素定義層、該第一連接圖案、該至少一發光二極體及該第二連接圖案，其中該保護層具有一第六開口；以及 一共用導電圖案，設置於該保護層上，其中該共用導電圖案透過該第六開口與該第二連接圖案電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該畫素定義層的光學密度值為OD，而3 ≤ OD ≤ 4。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該畫素定義層具有厚度H1，而 600μm ≤ H1 ≤ 700μm。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器，其中該畫素定義層的材料包括深色絕緣材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107109949A TWI663744B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 發光二極體顯示器 |
| CN201810763177.5A CN108922884B (zh) | 2018-03-23 | 2018-07-12 | 发光二极管显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107109949A TWI663744B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 發光二極體顯示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI663744B true TWI663744B (zh) | 2019-06-21 |
| TW201941452A TW201941452A (zh) | 2019-10-16 |
Family
ID=64412016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107109949A TWI663744B (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 發光二極體顯示器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108922884B (zh) |
| TW (1) | TWI663744B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI692816B (zh) * | 2019-05-22 | 2020-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製作方法 |
| CN110444561B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-09-09 | 成都辰显光电有限公司 | 一种显示基板和显示面板 |
| TWI703750B (zh) * | 2019-12-23 | 2020-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN115327815A (zh) * | 2020-01-21 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光板、线路板以及显示装置 |
| TWI770813B (zh) | 2021-02-08 | 2022-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
| CN113838959A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-24 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管封装结构与微型发光二极管显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201703248A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130053053A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| TWI467528B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-01-01 | Au Optronics Corp | 發光二極體顯示面板及其製作方法 |
| KR102203100B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2021-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN106033800A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-19 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光结构以及具有该结构的有机发光器件和面板 |
-
2018
- 2018-03-23 TW TW107109949A patent/TWI663744B/zh active
- 2018-07-12 CN CN201810763177.5A patent/CN108922884B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201703248A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108922884A (zh) | 2018-11-30 |
| TW201941452A (zh) | 2019-10-16 |
| CN108922884B (zh) | 2020-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI663744B (zh) | 發光二極體顯示器 | |
| KR102520549B1 (ko) | 발광 표시 장치 | |
| TWI662334B (zh) | 顯示模組與顯示裝置 | |
| US11018089B2 (en) | Display devices and methods for manufacturing the same | |
| TWI652534B (zh) | 畫素結構與顯示面板 | |
| KR100753256B1 (ko) | 광학 디바이스 및 유기 ｅｌ 디스플레이 | |
| KR102476117B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| US10269777B2 (en) | Display apparatus comprising reflection structure | |
| US11133294B2 (en) | Transparent display panel | |
| KR101163861B1 (ko) | 발광소자, 전극 구조 및 발광 소자 패키지 | |
| JP2010073841A (ja) | 光学パッケージ素子、表示装置、および電子機器 | |
| JP2018018740A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| KR20170027267A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR20220031729A (ko) | 마이크로 발광 다이오드 칩 및 디스플레이 패널 | |
| TWI635626B (zh) | 發光裝置 | |
| KR20210028799A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN110875346A (zh) | 顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法 | |
| TW201838171A (zh) | 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法 | |
| TW202105000A (zh) | 顯示面板 | |
| TWI756995B (zh) | 顯示裝置 | |
| TWI797915B (zh) | 鏡面顯示器 | |
| US20220336716A1 (en) | Display device | |
| US20220181385A1 (en) | Display device | |
| US20230033031A1 (en) | Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| WO2021237530A1 (zh) | 显示设备及其制备方法 |