TWI660299B - 輸入裝置與其控制方法及程式 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供輸入裝置，可適當地消除使IC卡之環形天線般的導體沿著驅動電極及檢測電極接近時導致之基準值的異常。 　　[解決手段] 在2維資料(檢測資料行列)之中將顯示物體接近的檢測資料特定為對象資料，並將對象資料所屬之2維資料的行選擇為對象行，將對象資料所屬之2維資料的列選擇為對象列。在環形天線等之導體接近靜電感測器(11)的狀態下進行基準值的更新，之後，在從靜電感測器(11)拿走導體的情況，對象行或對象列，是容易符合「第1模式」，該第1模式是顯示出具有比基準值還大之電容值的電容耦合部(12)為連續的情況。因此，在對象行及對象列的至少一方符合第1模式的情況，進行基準值的更新。

Description

輸入裝置與其控制方法及程式

[0001] 本發明，是關於在電腦或智慧型手機等之機器中用於資訊之輸入的觸控板或觸控感測器等之輸入裝置，特別是，關於使手指或筆等之物體接近而使電容量變化來將對應的資訊予以輸入的輸入裝置。

[0002] 作為智慧型手機等的輸入介面，具備用來檢測手指或筆等之物體之接觸位置的感測器的觸控板或觸控面板等之裝置是廣泛普及。檢測物體之接觸位置的感測器，存在有電阻膜式或光學式等各種類型，但電容式的感測器是構造比較簡易且可小型化，故近年較多採用於行動機器的輸入介面。 　　[0003] 於電容式的感測器，主要有著自電容式感測器與互電容式感測器。自電容式感測器，是檢測出檢測電極與物體(ground)之間電容量(自電容)的變化。因此，為了在複數個位置檢測自電容，必須要有與此相同數量的檢測電極。另一方面，互電容式的感測器，是檢測出伴隨著物體的接近之驅動電極與檢測電極之間電容量(互電容)的變化，故可用1個檢測電極來檢測複數個位置的互電容。因此，互電容式感測器是比自電容式感測器還適合多點檢測。 　　[0004] 使手指接近互電容式感測器中形成有互電容的部分(驅動電極與檢測電極之間的交差部分)的話，互電容會變小。一般來說，形成在驅動電極與檢測電極之間的互電容非常小，其變化更小，故容易因應溫度等而變化。於是，在一般的互電容式感測器，是讓用來求出互電容之變化的基準值在既定的時機適當更新。亦即，若手指等沒有接觸的狀態持續的話，檢測結果的互電容值設定作為新的基準值，在此之後，將從檢測結果的互電容值減去基準值的值作為表示互電容之變化的資料來使用。 　　[0005] 在互電容式感測器，當相對於地有著較大的電容耦合的物體(人體)接近的情況時，會產生互電容的減少，但例如硬幣等之與地的電容耦合較小的導體接近的話，互電容反而會變大。若只是互電容變大則不會當成物體的接近，但在此狀態進行上述基準值之更新的情況，若藉由拿走硬幣等而使互電容減少的話，該互電容的減少會被誤檢測為物體的接近所致。 　　[0006] 為了迅速地重新設定這種產生誤檢測的基準值，在下述之專利文獻1所記載的裝置，當互電容的變化量為既定之閾值以上的情況時，將該變化量作為積算值儲存於記憶部，而成為用來監視浮動電位之浮動導體用的浮動導體監視狀態。而且，當互電容的變化量與儲存在記憶部的積算值相對於基準值在正負反向地大致一致的情況，將重新測定過的互電容作為基準值來重新設定。在浮動導體監視狀態中辨識到手指之後沒有辨識到手指的情況，是推測硬幣等的導體不存在，故解除浮動導體監視狀態。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0007] 　　[專利文獻1] 日本特開2014-203205號公報

[發明所欲解決的課題] 　　[0008] 但是，於近年之筆記型PC等之觸控板，有著搭載NFC(Near Field Communication)的讀寫功能者。在這種觸控板，對操作面放上IC卡，藉此可進行IC卡之資料的讀取或寫入。 　　[0009] 通常，於IC卡埋入有用來進行讀寫與無線通訊的環形天線。若將IC卡載置於觸控板的操作面的話，環形天線會沿著驅動電極及檢測電極來接近，故會產生互電容的變化。此時，IC卡的環形天線是與地的電容耦合較小，故與硬幣等放在操作面的情況同樣地會使互電容增大。因此，在IC卡載置於操作面的狀態下進行基準值之更新的情況，若將IC卡從操作面拿走的話，會發生與上述硬幣等相同的誤檢測。 　　[0010] 假設，以在專利文獻1之裝置的操作面事先放置IC卡的狀態來將裝置的電源關閉後打開的情況，將IC卡放在操作面時所產生的互電容之變化(增大)不會被裝置檢測到，故不會轉移至浮動狀態監視狀態。因此，即使是將觸控板的電源打開之後將IC卡從操作面拿走，由於此時不是浮動狀態監視狀態，故會將互電容的減少作為物體的接近所致者而直接成為誤檢測。 　　[0011] 且，由於IC卡是由薄的絕緣體所形成，故在專利文獻1的裝置中將IC卡載置於操作面的狀態，為了拿走IC卡而使手指靠近的話，會檢測出透過IC卡而接近的手指所致之互電容的變化。其結果，在將IC卡從操作面拿走時會瞬間辨識到手指，而解除浮動狀態監視狀態。因此，會將拿走IC卡時之互電容的減少作為物體的接近所致者而直接成為誤檢測。 　　[0012] 本發明是有鑑於該情事而完成者，其目的是提供輸入裝置與其控制方法及程式，可適當地消除使IC卡之環形天線般的導體沿著驅動電極及檢測電極接近時導致之基準值的異常。 [用以解決課題的手段] 　　[0013] 本發明的第1觀點，是關於輸入裝置，其輸入伴隨著物體接近之電容量的變化所對應的資訊。該輸入裝置，具有：感測器部，其含有被施加有驅動電壓的複數個驅動電極、以及複數個檢測電極，且在前述複數個檢測電極與前述複數個驅動電極之間形成有複數個電容耦合部；電容量檢測部，其用來檢測形成在前述複數個驅動電極與前述複數個檢測電極之間的複數個前述電容耦合部的電容量；2維資料生成部，是將在前述電容量檢測部中所檢測出之1個前述電容耦合部的電容值與在該1個電容耦合部所設定之電容量的基準值之間的差予以顯示的1個檢測資料，對前述複數個電容耦合部的各個進行算出，並使各行對應1個前述檢測電極之複數個前述電容耦合部，使各列對應1個前述驅動電極之複數個前述電容耦合部，而以與前述電容耦合部之配置對應的方式來生成出配列有前述檢測資料的2維資料；基準值更新部，是根據前述電容量檢測部中所檢測出之前述複數個電容耦合部的前述電容值，來更新前述複數個電容耦合部的前述基準值；特定部，是從前述2維資料生成部所生成的前述2維資料之中，將顯示出物體接近前述電容耦合部的前述檢測資料特定為對象資料；以及判定部，是在根據前述對象資料所屬之前述2維資料的行來選擇的對象行、以及根據前述對象資料所屬之前述2維資料的列來選擇的對象列之至少一方，判定是否符合第1模式，該第1模式是顯示出具有比前述基準值還大之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。前述基準值更新部，是當前述對象行及前述對象列的至少一方或雙方被判定為符合前述第1模式的情況，進行前述基準值的更新。 　　[0014] 根據該構造，在使IC卡的環形天線般之與地的電容耦合較弱的導體沿著1個前述驅動電極與1個前述檢測電極來接近的情況，在由前述1個驅動電極與前述1個檢測電極所形成的1個前述電容耦合部，會容易使電容量增大。於前述1個電容耦合部中在電容量增大的狀態下更新前述1個電容耦合部的基準值，且在該更新後拿走前述導體的話，在前述1個電容耦合部，會對於更新後的前述基準值使電容量減少。藉由該電容量的減少，而在前述1個電容耦合部，得到顯示出物體接近的前述檢測資料。該檢測資料，是被特定為前述對象資料。 　　且，在前述1個檢測電極或前述1個驅動電極所形成的其他前述電容耦合部，使前述導體接近藉此容易使電容量減少。在該電容量的減少狀態中使前述其他電容耦合部的基準值各自更新，且在該更新後拿走前述導體的話，在前述其他電容耦合部，會對於更新後的前述基準值使電容量增大。因此，根據前述對象資料所屬之前述2維資料的行來選擇的前述對象行，或是根據前述對象資料所屬之前述2維資料的列來選擇的前述對象列，是容易符合前述第1模式，該第1模式是顯示出具有比前述基準值還大之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。 　　在前述對象行及前述對象列的至少一方或雙方符合前述第1模式的情況，有產生前述導體之接近所致之前述基準值之異常的可能性，故進行前述基準值的更新。藉此，消除前述基準值的異常。 　　[0015] 較佳可為，前述判定部，在前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象行鄰接之至少1個的鄰接行，進行是否符合第2模式的判定，該第2模式是顯示出具有與前述基準值近似之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況，在前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象列鄰接之至少1個鄰接列，進行是否符合前述第2模式的判定。前述基準值更新部，是在滿足前述對象行符合前述第1模式，且，前述鄰接行符合前述第2模式的第1條件、以及前述對象列符合前述第1模式，且，前述鄰接列符合前述第2模式的第2條件的至少一方或雙方的情況，進行前述基準值的更新。 　　[0016] 根據該構造，在使IC卡的環形天線般的前述導體沿著1個前述驅動電極與1個前述檢測電極來接近的情況，在與前述1個檢測電極鄰接之前述檢測電極的前述電容耦合部，或是與前述1個驅動電極鄰接之前述驅動電極的前述電容耦合部，容易使前述電容值對前述基準值的差變小。因此，與前述對象行鄰接的前述鄰接行，或與前述對象列鄰接的前述鄰接列，是容易符合前述第2模式，該第2模式是顯示出具有與前述基準值近似之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。因此，在滿足前述對象行符合前述第1模式，且，前述鄰接行符合前述第2模式的第1條件，或前述對象列符合前述第1模式，且，前述鄰接列符合前述第2模式的第2條件的情況，因前述導體的接近所致之前述基準值的異常產生的可能性會變更高。因此，在滿足前述第1條件或前述第2條件的情況進行前述基準值的更新，藉此更適當地消除前述基準值的異常。 　　[0017] 較佳可為，前述判定部，對前述對象行及前述鄰接行進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料算出1個第1評價值，且對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述第1評價值的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料、以及與該1個檢測資料在列方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述第1評價值，該第1評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度、以及前述鄰接行的前述電容值接近前述基準值的程度之雙方，對前述對象行所算出之前述第1評價值的系列中，若到達閾值的前述第1評價值為連續的話，則判定滿足前述第1條件。 　　較佳可為，前述判定部，對前述對象列及前述鄰接列進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料算出1個第2評價值，且對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述第2評價值的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料、以及與該1個檢測資料在行方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述第2評價值，該第2評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度、以及前述鄰接列的前述電容值接近前述基準值的程度之雙方，對前述對象列所算出之前述第2評價值的系列中，若到達閾值的前述第2評價值為連續的話，則判定滿足前述第2條件。 　　[0018] 根據該構造，在對前述對象行所算出之前述第1評價值的系列中，依據到達閾值的前述第1評價值是否為連續，來判定是否滿足前述第1條件。因此，關於前述對象行及前述鄰接行之前述第1模式及前述第2模式的判定變得簡易。 　　且，根據該構造，在對前述對象列所算出之前述第2評價值的系列中，依據到達閾值的前述第2評價值是否為連續，來判定是否滿足前述第2條件。因此，關於前述對象列及前述鄰接列之前述第1模式及前述第2模式的判定變得簡易。 　　[0019] 較佳可為，前述判定部，對前述對象行及前述鄰接行進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料，算出含有對象行評價值及鄰接行評價值的1個第1評價值群，且對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述第1評價值群的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象行評價值，該對象行評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度；根據與該1個檢測資料在列方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述鄰接行評價值，該鄰接行評價值是表示出前述鄰接行的前述電容值接近前述基準值的程度，對前述對象行所算出之前述第1評價值群的系列中，若包含到達閾值的前述對象行評價值與到達閾值的前述鄰接行評價值的前述第1評價值群為連續的話，則判定滿足前述第1條件。 　　較佳可為，前述判定部，對前述對象列及前述鄰接列進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料，算出含有對象列評價值及鄰接列評價值的1個第2評價值群，且對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述第2評價值群的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象列評價值，該對象列評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度；根據與該1個檢測資料在行方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述鄰接列評價值，該鄰接列評價值是表示出前述鄰接列的前述電容值接近前述基準值的程度，對前述對象列所算出之前述第2評價值群的系列中，若包含到達閾值的前述對象列評價值與到達閾值的前述鄰接列評價值的前述第2評價值群為連續的話，則判定滿足前述第2條件。 　　[0020] 根據該構造，在對前述對象行及前述鄰接行所算出之前述第1評價值群的系列中，依據包含到達閾值的前述對象行評價值與到達閾值的前述鄰接行評價值的前述第1評價值群是否為連續，來判定是否滿足前述第1條件。因此，根據獨立的評價值而容易正確地判定出前述對象行符合前述第1模式、前述鄰接行符合前述第2模式。 　　且，根據該構造，在對前述對象列及前述鄰接列所算出之前述第2評價值群的系列中，依據包含到達閾值的前述對象列評價值與到達閾值的前述鄰接列評價值的前述第2評價值群是否為連續，來判定是否滿足前述第2條件。因此，根據獨立的評價值而容易正確地判定出前述對象列符合前述第1模式、前述鄰接列符合前述第2模式。 　　[0021] 較佳可為，前述判定部，對前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料算出1個對象行評價值，且對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述對象行評價值的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象行評價值，該對象行評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度，在對前述對象行所算出之前述對象行評價值的系列中，若到達閾值的前述對象行評價值為連續的話，則判定前述對象行符合第1模式。 　　較佳可為，前述判定部，對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料算出1個對象列評價值，且對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述對象列評價值的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象列評價值，該對象列評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度，在對前述對象列所算出之前述對象列評價值的系列中，若到達閾值的前述對象列評價值為連續的話，則判定前述對象列符合第1模式。 　　[0022] 根據該構造，在對前述對象行所算出之前述對象行評價值的系列中，依據到達閾值的前述對象行評價值是否為連續，來判定前述對象行是否符合前述第1模式。 　　且，根據該構造，在對前述對象列所算出之前述對象列評價值的系列中，依據到達閾值的前述對象列評價值是否為連續，來判定前述對象列是否符合前述第1模式。 　　[0023] 較佳可為，前述判定部，對前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是從含有前述對象資料所屬之前述2維資料之行的複數個鄰接的行之中，在每個列選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，並將該選擇出之檢測資料的系列作為前述對象行來進行前述第1模式的判定。 　　較佳可為，前述判定部，對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是從含有前述對象資料所屬之前述2維資料之列的複數個鄰接的列之中，在每個行選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，並將該選擇出之檢測資料的系列作為前述對象列來進行前述第1模式的判定。 　　[0024] 在使IC卡之環形天線般的前述導體沿著1個前述檢測電極和與此鄰接的前述檢測電極來接近的情況，不只是前述對象資料所屬的行，與此鄰接的行亦容易出現前述第1模式，該第1模式是表示出具有比前述基準值還大的前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。在這種情況，是從含有前述對象資料所屬之行的複數個鄰接的行之中，在每個列選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，且該選擇出之檢測資料的系列容易符合前述第1模式。因此，將前述選擇出之檢測資料的系列作為前述對象行來進行前述第1模式的判定，藉此適當判定前述導體之接近所致之前述基準值的異常。 　　同樣地，在使前述導體沿著1個前述驅動電極和與此鄰接的前述驅動電極來接近的情況，不只是前述對象資料所屬的列，與此鄰接的列亦容易出現前述第1模式，該第1模式是表示出具有比前述基準值還大的前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。在這種情況，是從含有前述對象資料所屬之列的複數個鄰接的列之中，在每個行選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，且該選擇出之檢測資料的系列容易符合前述第1模式。因此，將前述選擇出之檢測資料的系列作為前述對象列來進行前述第1模式的判定，藉此適當判定前述導體之接近所致之前述基準值的異常。 　　[0025] 本發明的第2觀點，是關於輸入裝置的控制方法，其輸入伴隨著物體接近之電容量的變化所對應的資訊。前述輸入裝置，是含有：感測器部，其含有被施加有驅動電壓的複數個驅動電極、以及複數個檢測電極，在前述複數個檢測電極與前述複數個驅動電極之間形成有複數個電容耦合部；以及電容量檢測部，其檢測出在前述複數個驅動電極與前述複數個檢測電極之間所形成的複數個前述電容耦合部的電容量。該輸入裝置的控制方法，是具有：將在前述電容量檢測部中所檢測出之1個前述電容耦合部的電容值與在該1個電容耦合部所設定之電容量的基準值之間的差予以顯示的1個檢測資料，對前述複數個電容耦合部的各個進行算出，並使各行對應1個前述檢測電極之複數個前述電容耦合部，使各列對應1個前述驅動電極之複數個前述電容耦合部，而以與前述電容耦合部之配置對應的方式來生成出配列有前述檢測資料的2維資料；根據前述電容量檢測部中所檢測出之前述複數個電容耦合部的前述電容值，來更新前述複數個電容耦合部的前述基準值；從所生成的前述2維資料之中，將顯示出物體接近前述電容耦合部的前述檢測資料特定為對象資料；以及，在根據前述對象資料所屬之前述2維資料的行來選擇的對象行、以及根據前述對象資料所屬之前述2維資料的列來選擇的對象列之至少一方，判定是否符合第1模式，該第1模式是顯示出具有比前述基準值還大之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況。所謂的更新前述基準值，是包含：當前述對象行及前述對象列的至少一方或雙方被判定為符合前述第1模式的情況，進行前述基準值的更新。 　　[0026] 較佳可為，具有：在對前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象行鄰接之至少1個的鄰接行，進行是否符合第2模式的判定，該第2模式是顯示出具有與前述基準值近似之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況；以及，在對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象列鄰接之至少1個鄰接列，進行是否符合前述第2模式的判定。所謂的更新前述基準值，是包含：在滿足前述對象行符合前述第1模式，且，前述鄰接行符合前述第2模式的第1條件、以及前述對象列符合前述第1模式，且，前述鄰接列符合前述第2模式的第2條件的至少一方或雙方的情況，進行前述基準值的更新。 　　[0027] 本發明的第3觀點，是關於用來將上述第2觀點之輸入裝置的控制方法以電腦來實行的程式。 [發明的效果] 　　[0028] 根據本發明，可提供輸入裝置與其控制方法及程式，可適當地消除使IC卡之環形天線般的導體沿著驅動電極或檢測電極接近時導致之基準值的異常。

[0030] ＜第1實施形態＞ 　　以下，針對本發明之實施形態的輸入裝置一邊參照圖式一邊說明。 　　圖1為表示本發明之實施形態之輸入裝置之構造之一例的圖。圖1所示的輸入裝置，具有：含有靜電感測器11的感測器部10、處理部20、記憶部30、介面部40。 　　[0031] 本實施形態的輸入裝置，是使手指或筆等之物體接近靜電感測器11，藉此輸入該接近位置之靜電感測器11之電容量變化所對應的資訊。又，本說明書的「接近」是意指靠近，並不限定有無接觸。 　　[0032] [感測器部10] 　　感測器部10，是在操作面上的複數個檢測位置，各自檢測出手指或筆等之物體之接近的裝置，在圖1的例子，是含有：靜電感測器11、驅動部13、電容量檢測部14。 　　[0033] 靜電感測器11，是在複數個檢測位置檢測伴隨著物體之接近的電容量變化。靜電感測器11，是含有複數個驅動電極Ed與複數個檢測電極Es。在複數個驅動電極Ed與複數個檢測電極Es之間，形成有因應物體的接近而使電容量變化的複數個電容耦合部12。 　　[0034] 複數個驅動電極Ed，是各自往Y方向(在圖1為縱方向)延伸，且在X方向(在圖1為橫方向)平行地並排。複數個檢測電極Es，是各自往X方向延伸，且在Y方向平行地並排。複數個驅動電極Ed與複數個檢測電極Es是交錯成格子狀，在該各交錯位置形成有電容耦合部12。又，在圖1的例子中驅動電極Ed及檢測電極Es雖畫成單純的帶狀，但亦可為例如將複數個菱形電極予以依附連接而成者，亦可為其他的形狀。 　　[0035] 驅動部13，是依照處理部20之後述的感測器控制部21的控制，來對靜電感測器11之複數個驅動電極Ed的各個施加驅動電壓。例如驅動部13，是從複數個驅動電極Ed依序選擇1個驅動電極Ed，來對所選擇的1個驅動電極Ed施加既定振幅的脈衝電壓。 　　[0036] 電容量檢測部14，是根據對各驅動電極Ed施加驅動電壓而在各電容耦合部12出入的電荷，來檢測各電容耦合部12的電容量。例如電容量檢測部14，是含有對檢測電極Es的電容耦合部12供給電荷的電荷放大器，而在對驅動電極Ed施加驅動電壓時使檢測電極Es保持一定的電壓。因應供給至電容耦合部12的電荷來使電荷放大器輸出的訊號，是成為與電容耦合部12的電容量因應的訊號。藉由設置複數個電荷放大器，可並行地進行複數個檢測電極Es之電容量的檢測。且，電容量檢測部14，亦可透過數據多工器來將複數個檢測電極Es連接於各電荷放大器。藉由使用數據多工器，來將複數個檢測電極Es的各個依序選擇來連接於電荷放大器，而可進行電容量的檢測。 　　[0037] 感測器部10，是將電容量檢測部14所輸出之電容量的檢測結果的訊號，以未圖示的類比-數位轉換器轉換成數位值。感測器部10，是將各電容耦合部12之電容量的檢測結果，作為數位的電容值S來輸出至處理部20。 　　[0038] [處理部20] 　　處理部20，是控制輸入裝置之全體動作的電路，例如含有依照程式的命令碼來進行處理的電腦或專用的邏輯電路而構成。處理部20的處理，是全部根據電腦的程式來進行亦可，將其一部分或全部以邏輯電路來進行亦可。 　　[0039] 在圖1的例中，處理部20，是具有：時序控制部21、2維資料生成部22、基準值更新部23、特定部24、判定部25、座標演算部26。 　　[0040] 時序控制部21，是控制感測器部10之檢測的時序。具體來說，時序控制部21，是控制該等之電路，來使驅動部13之驅動電極Ed的選擇與驅動電壓的發生、以及電容量檢測部14之檢測電極Es的選擇與檢測動作在適當的時機進行。 　　[0041] 2維資料生成部22，是對複數個電容耦合部12的各個來算出1個檢測資料D，該檢測資料D是表示：在電容量檢測部14所檢測出之1個電容耦合部12的電容值S與對該1個電容耦合部12所設定之電容量的基準值B之間的差「B-S」。基準值B，是手指等之物體沒有接近電容耦合部12時之電容耦合部12的電容值，是在各個電容耦合部12設定。 　　[0042] 2維資料生成部22，是將對複數個電容耦合部12的各個所算出的一群檢測資料D，作為行列形式的2維資料33來儲存於記憶部30。2維資料33的各行是與1個檢測電極Es的複數個電容耦合部12對應，2維資料33的各列是與1個驅動電極Ed的複數個電容耦合部12對應。2維資料33的各檢測資料D，是配列成與靜電感測器11之操作面之電容耦合部12之行列狀的配置對應。 　　[0043] 例如圖1所示般，於記憶部30，使各電容耦合部12之電容量的基準值B作為基準值行列31來儲存。2維資料生成部22，是將電容量檢測部14所檢測出之各電容耦合部12的電容值，作為電容值行列32來儲存於記憶部30。2維資料生成部22，是進行從基準值行列31減算該電容值行列32的行列演算，並將演算結果作為2維資料33(檢測資料的行列)儲存於記憶部30。 　　[0044] 基準值更新部23，是根據電容量檢測部14所檢測出之複數個電容耦合部12的電容值S，來更新複數個電容耦合部12的基準值B。例如基準值更新部23，是根據後述之特定部24的處理結果等，而在判定物體沒有接近靜電感測器11的狀態下持續一定時間的情況進行基準值B的更新。1個電容耦合部12的基準值B，是對該1個電容耦合部12所檢測出之最新的電容值S亦可，對該1個電容耦合部12在一定期間所檢測出之電容值S的平均亦可。 　　[0045] 且，基準值更新部23，亦在後述的判定部25中得到顯示出基準值B有異常的判定結果的情況，進行基準值B的更新。 　　[0046] 特定部24，是從由2維資料生成部22所生成的2維資料33之中，將表示出手指等之物體接近電容耦合部12的檢測資料D特定為「對象資料」。例如特定部24，是在檢測資料D到達既定閾值的情況(從基準值B扣去電容值S的差「B-S」超過閾值的情況)，將此特定為對象資料。又，特定部24，在因後述之基準值B的異常而使電容值S大幅減少的情況，亦將該檢測資料D特定為對象資料。 　　[0047] 且，特定部24，是針對構成2維資料33的各檢測資料D，判定物體有無接近，並生成將該判定結果以二值的資料(「1」與「0」等)來表示的接近判定行列。 　　[0048] 座標演算部26，是根據特定部24所生成的接近判定行列，來演算物體接近之位置的座標。例如，座標演算部26，是根據接近判定行列，特定出各個物體接近的區域，並根據所特定之區域內之檢測資料D的峰值等，將區域內的一點作為物體之接近位置的座標來計算。 　　[0049] 判定部25，是針對與對象資料對應之2維資料33的行與列，進行判定是否符合基準值B之異常產生之情況之既定的模式。判定部25所判定之基準值B的異常，是如後述般，在使IC卡之環形天線般的導體沿著驅動電極Ed及檢測電極Es接近的狀態下進行基準值B之更新的情況所產生的異常。 　　[0050] (針對2維資料33之行的模式判定) 　　判定部25，在進行對2維資料33之行的判定的情況，是將特定部24所特定之對象資料所屬之2維資料33的行選擇作為「對象行」。判定部25，是對所選擇的對象行判定是否符合「第1模式」，並對與對象行鄰接的行(鄰接行)判定是否符合「第2模式」。「第1模式」，是表示出具有比基準值B還大之電容值S(S＞B)的電容耦合部12為連續的模式。「第2模式」，是表示出具有與基準值B近似之電容值S(S≒B)的電容耦合部12為連續的模式。 　　[0051] 判定部25，在對對象行與其鄰接行進行第1模式及第2模式之判定的情況，具體來說，是對每個對象行的檢測資料D算出1個第1評價值H1。該第1評價值H1，是表示對象行的電容值S超過基準值B的程度、以及鄰接行的電容值S近似於基準值B的程度之雙方的值。判定部25，在對對象行的1個檢測資料D算出1個第1評價值H1的情況，是根據對象行之中含有該1個檢測資料D的一連串的檢測資料、以及與該1個檢測資料D在列方向鄰接的至少1個檢測資料D，來算出第1評價值H1。 　　[0052] 本實施形態中，第1評價值H1例如是以下式來表示。 　　[0053][0054] 式(1)的「H11」，是表示對象行的電容值S超過基準值B的程度的「對象行評價值」。對對象行的1個檢測資料D(i,j)所算出的對象行評價值H11，例如是以下式來表示。 　　[0055][0056] 但是，「i」是表示2維資料33之行之順序的整數，「j」是表示2維資料33之列之順序的整數。「D(i,j)」是表示2維資料33之i行j列的檢測資料D。「α」及「β」是表示加權係數。例如，加權係數α的值設定成「-1」，加權係數β的值設定成「-2」。檢測資料D是藉由「B-S」所算出的值，是當電容值S超過基準值B則變負數的值。因此，在加權係數α、β設定為負值的情況，電容值S超過基準值B的程度越大，則對象行評價值H11越往正的方向增大。 　　[0057] 式(1)的「H12」，是表示鄰接行的電容值S近似於基準值B之程度的「鄰接行評價值」。對對象行的1個檢測資料D(i,j)所算出的鄰接行評價值H12，例如是以下式來表示。 　　[0058][0059] 式(3)的「γ」為加權係數，例如設定成「-2」。在加權係數γ設定成負值的情況，鄰接行評價值H12的符號為負。鄰接行評價值H12，是與檢測資料D(i,j)之列方向鄰接的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j+1)的絕對值越小(鄰接行的電容值S越近似於基準值B)則越接近零。 　　[0060] 因此，對象行評價值H11與鄰接行評價值H12之和亦即第1評價值H1，是在檢測資料D(i,j)與其前後的對象資料D(i-1,j)、D(i+1,j)中，電容值S越比基準值B大則越往正的方向增大。且，第1評價值H1，是在與檢測資料D(i,j)之列方向鄰接的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j+1)中，電容值S越接近基準值B則越往正的方向增大。 　　[0061] 判定部25，是對對象行的各檢測資料D算出上述的第1評價值H1，並對作為其結果所得到之第1評價值H1的系列來進行判定。亦即，判定部25，是在第1評價值H1的系列中，當到達既定閾值的第1評價值H1連續既定個數以上的情況，判定對象行符合第1模式，且，判定鄰接行符合第2模式。以下，將對象行符合第1模式，且，鄰接行符合第2模式的情形稱為「第1條件」。 　　基準值更新部23，是在判定部25判定滿足「第1條件」的情況，視為基準值B產生異常，而實行基準值B的更新處理。 　　[0062] (針對2維資料33之列的模式判定) 　　另一方面，判定部25，在進行對2維資料33之列的判定的情況，是將特定部24所特定之對象資料所屬之2維資料33的列選擇作為「對象列」。判定部25，是對所選擇的對象列判定是否符合「第1模式」，並對與對象列鄰接的列(鄰接列)判定是否符合「第2模式」。 　　[0063] 判定部25，在對對象列與其鄰接列進行第1模式及第2模式之判定的情況，具體來說，是對每個對象列的檢測資料D算出1個第2評價值H2。該第2評價值H2，是表示對象列的電容值S超過基準值B的程度、以及鄰接列的電容值S近似於基準值B的程度之雙方的值。判定部25，在對對象列的1個檢測資料D算出1個第2評價值H2的情況，是根據對象列之中含有該1個檢測資料D的一連串的檢測資料、以及與該1個檢測資料D在行方向鄰接的至少1個檢測資料D，來算出第2評價值H2。 　　[0064] 本實施形態中，第2評價值H2例如是以下式來表示。 　　[0065][0066] 式(4)的「H21」，是表示對象列的電容值S超過基準值B的程度的「對象列評價值」。對對象列的1個檢測資料D(i、j)所算出的對象列評價值H21，例如是以下式來表示。 　　[0067][0068] 但是，式(3)的「ν」及「η」是表示加權係數。例如，加權係數ν是與加權係數α設定成相同值「-1」，加權係數η是與加權係數β設定成相同值「-2」。在加權係數ν、η設定為負值的情況，電容值S超過基準值B的程度越大，則對象列評價值H21越往正的方向增大。 　　[0069] 式(4)的「H22」，是表示鄰接列的電容值S近似於基準值B之程度的「鄰接列評價值」。對對象列的1個檢測資料D(i、j)所算出的鄰接列評價值H22，例如是以下式來表示。 　　[0070][0071] 式(6)的「κ」為加權係數，例如設定成與加權係數γ相同值「-2」。在加權係數κ設定成負值的情況，鄰接列評價值H22的符號為負。鄰接列評價值H22，是與檢測資料D(i,j)之行方向鄰接的檢測資料D(i-1,j)、D(i+1,j)的絕對值越小(鄰接列的電容值S越接近基準值B)則越接近零。 　　[0072] 因此，對象列評價值H21與鄰接列評價值H22之和亦即第2評價值H2，是在檢測資料D(i,j)與其前後的對象資料D(i,j-1)、D(i,j+1)中，電容值S越比基準值B大則越往正的方向增大。且，第2評價值H2，是在與檢測資料D(i,j)之行方向鄰接的檢測資料D(i-1,j)、D(i+1,j)中，電容值S越接近基準值B則越往正的方向增大。 　　[0073] 判定部25，是對對象列的各檢測資料D算出上述的第2評價值H2，並對作為其結果所得到之第2評價值H2的系列來進行判定。亦即，判定部25，是在第1評價值H1的系列中，當到達既定閾值的第2評價值H2連續既定個數以上的情況，判定對象列符合第1模式，且，判定鄰接列符合第2模式。以下，將對象列符合第1模式，且，鄰接列符合第2模式的情形稱為「第2條件」。 　　基準值更新部23，是在判定部25判定滿足「第2條件」的情況，視為基準值B產生異常，而實行基準值B的更新處理。 　　[0074] [記憶部30] 　　記憶部30，是將在處理部20中使用於處理的常數資料或變數資料(基準值行列31、電容值行列32、2維資料33)予以儲存。在處理部20包含電腦的情況，記憶部30亦可將在該電腦實行的程式PRG予以儲存。記憶部30，例如，構成為含有：DRAM或SRAM等之揮發性記憶體、快閃記憶體等之非揮發性記憶體。 　　[0075] [介面部40] 　　介面部40，是在輸入裝置與其他的控制裝置(搭載輸入裝置的資訊機器之控制用IC等)之間交換資料用的電路。處理部20，是將儲存於記憶部30的資訊(物體之座標的演算結果等)從介面部40輸出至未圖示的控制裝置。 　　[0076] 收納於記憶部30的程式PRG，是事先寫入至記憶部30的ROM等亦可，從未圖示的上位裝置透過介面部40將下載的東西儲存於記憶部30亦可，將藉由未圖示的讀取裝置等來從光碟或USB記憶體等之媒體讀取出來的東西寫入至記憶部30亦可。 　　[0077] 在此，參照圖2～圖6，針對在IC卡的環形天線載置於靜電感測器11的狀態下，在基準值B之更新進行的情況所產生之基準值B的異常進行說明。 　　[0078] 圖2，是用來說明物體之接近所致之驅動電極Ed與檢測電極Es之間的電容量(以下有記載成「互電容」的情況)的變化的圖。若對驅動電極Ed施加驅動電壓Vd的話，如圖2A所示般，會在驅動電極Ed與檢測電極Es之間產生電場。電容量檢測部14，是根據伴隨著驅動電壓Vd的施加而供給至檢測電極Es的電荷Qx來檢測互電容。 　　[0079] 手指等的物體1，是相對於地具有較大的電容耦合，其電容量與互電容相比之下是充分地大，故如圖2B所示般是視為接地。 　　因此，若物體1接近驅動電極Ed與檢測電極Es之間的話，跨越該等之電極之間的電力線Fx的一部分會被物體1給遮蔽。因此，在視為接地的物體1接近的情況，互電容會相對地減少。 　　[0080] 圖3，是表示在有接地的環狀導體接近的情況與IC卡的環形天線接近的情況下，檢測資料D之模式不同的圖。圖3A表示將有接地的環狀導體放置在靜電感測器11的情況之2維資料33的例子、圖3B表示將IC卡放置在靜電感測器11的情況之2維資料33的例子。 　　[0081] 圖3的例子中，驅動電極Ed的根數為27，檢測電極Es的根數為16。左端的列之「Y0」～「Y15」是表示2維資料33的各行，上端的行之「X0」～「X26」是表示2維資料33的各列。欄內的各個數值是表示檢測資料D的值，但為了容易觀看全體的數值，使值為「0」的部分成為空欄。檢測資料D，是具有從基準值B扣掉電容值S之「B-S」的值，故正值代表電容值S比基準值BS還小，亦即，表示因物體的接近而使互電容減少。 　　[0082] 將接地的環狀導體放置於靜電感測器11的情況之2維資料33，是如圖3A所示般，接近導體之位置的檢測資料D均為比較大的正值。另一方面，IC卡的環形天線，是以絕緣物覆蓋，故與接地的環狀導體不同，是與地絕緣。且，環形天線的尺寸比較小，故對地的電容耦合比較弱。由於有著上述的差異，在將IC卡放置於靜電感測器11的情況之2維資料33，是顯示出與圖3A不同的檢測資料D之模式。 　　[0083] 參照圖3B，在外接於環形天線之外形的矩形範圍的四角，檢測資料D是成為負值，電容值S比基準值B還大。且，與環形天線的導體接近的位置之檢測資料D是成為正值，但其絕對值是比接地之環狀導體的情況還小。因此，與環形天線的導體接近的位置，是不會被判定為物體接近的位置。若將IC卡持續放在靜電感測器11的話，會使判定物體沒有接近靜電感測器11的狀態持續，故基準值更新部23會實行基準值B的更新處理。 　　[0084] 圖4，是表示在放置IC卡的狀態下更新基準值B之後，拿走IC卡時之2維資料33之例子的圖。圖4的上段，是表示在放置IC卡之圖3B的狀態下進行基準值B的更新之後的2維資料33。藉由基準值B的更新，各電容值S是等於基準值B，故2維資料33的各檢測資料D會暫時成為零。若在此狀態下從靜電感測器11拿走IC卡的話，會如圖4的下段所示般，得到大致相當於將圖3B之各檢測資料D的符號予以反轉的2維資料33。在圖3B中為負值之矩形區域之四角的檢測資料D，在圖4之下段的2維資料33中成為正值。由於較大正值的檢測資料D是表示物體的接近，故在圖4之下段的2維資料33，會判定為物體接近於矩形範圍的四角。 　　[0085] 圖5為用來說明在接近靜電感測器的物體與靜電感測器的各電極之間所形成的寄生電容的圖。圖5A表示與地的電容耦合較強的手指等之物體1接近靜電感測器11的情況、圖5B表示與地的電容耦合較弱的導電性之物體1接近靜電感測器11的情況。在各圖中，「Cfg」表示形成在物體1與地之間的電容，「Cm」表示形成在驅動電極Ed與檢測電極Es之間的電容，「Cfd」表示形成在驅動電極Ed與物體1之間的電容，「Cfs」表示形成在檢測電極Es與物體1之間的電容，「Cbd」表示形成在驅動電極Ed與地之間的電容，「Cbs」表示形成在檢測電極Es與地之間的電容。 　　[0086] 電容量檢測部14，是根據供給至保持在一定電位之檢測電極Es的電荷Qx，來檢測出驅動電極Ed與檢測電極Es之間的電容量(互電容)。該電荷Qx，主要是受到電容Cm、Cfs、Cfd、Cfg的影響。圖5A的情況，是使物體1視為接地，故檢測電極Es為一定電位的話，電容Cfs的電荷量幾乎不會變化。因此，電荷Qx不太會受到電容Cfs、Cfd、Cfg的影響，而大致與電容Cm的電容量成比例。如圖2B中所說明般，該電容Cm的電容量，是使視為接地的物體接近而藉此減少。 　　[0087] 另一方面，圖5B的情況，電容Cfg的電容量比較小，故物體1的電位會變動。因此，電荷Qx亦受到電容Cfs、Cfd、Cfg的影響。若電容Cfd、Cfs的電容量充分地比電容Cfg還小的話，驅動電極Ed與檢測電極Es之間的電容量Cds是以下式表示。 　　[0088][0089] 但是，「Cm」、「Cfs」、「Cfd」、「Cfg」，是分別表示相同符號之電容的電容量。由式(7)可得知，在未視為接地的物體1接近的情況之驅動電極Ed與檢測電極Es之間的電容量Cds，是比電容Cm的電容量還大。 　　[0090] 圖6為用來說明靜電感測器11的各電極與環形天線產生電容耦合的圖。圖6A表示內藏於IC卡90之環形天線AT的例子、圖6B表示在檢測電極Es及驅動電極Ed與環形天線AT之間形成有電容耦合之區域的例子。 　　[0091] 如圖6A所示般，在IC卡90的內部埋入有橢圓狀的環形天線AT，於環形天線AT連接有IC晶片91。若將IC卡90載置於靜電感測器11的操作面的話，是如圖6B所示般，產生使環形天線AT與電極(Es、Ed)以彼此近乎平行地狀態來接近的區域(虛線所示的區域)。在檢測電極Es1、Es2與環形天線AT接近的區域，是分別形成有電容Cfs1、Cfs2。在驅動電極Ed1、Ed2與環形天線AT接近的區域，是分別形成有電容Cfd1、Cfd2。若該等電容的電容量越大，則式(7)之右邊2項目的分子會變大，而使電容量Cds變大。因此，在2個檢測電極Es1、Es2與2個驅動電極Ed1、Ed2交錯的4個位置中，使各字的電容量Cds變大。如圖4的下段所示般，在外接於環形天線AT之外形的矩形範圍的四角，檢測資料D會變大是因為上述的理由所致。 　　[0092] 在本實施形態的輸入裝置，是要判定上述基準值B的異常，故利用出現於2維資料33的檢測資料D之模式。在圖4B之下段所示的2維資料33之例子中，以粗四方形所包圍出的檢測資料D(3,1)、D(3,13)、D(22,1)及D(22,13)，是具有超過既定閾值的正值。因此，特定部24，是將該等的檢測資料D特定為對象資料。通常，對象資料是表示物體的接近。但是，在產生上述基準值B之異常的情況，於2維資料33，會表現出與對象資料關連的2個特徵。 　　[0093] 第1特徵，是在對象資料所屬的行或列中，負值的檢測資料D為連續。負值的檢測資料D，是表示電容值S比基準值B還大，故負值的檢測資料D連續，代表著具有比基準值B還大之電容值S(S＞B)的電容耦合部12為連續。相當於該第1特徵的檢測資料D之模式為「第1模式」。 　　[0094] 第2特徵，是與對象資料所屬的行鄰接的行，或與對象資料所屬的列鄰接的列中，接近於零的檢測資料D為連續。接近於零的檢測資料D，是表示電容值S近似於基準值B，故接近於零的檢測資料D為連續，代表著具有與基準值B近似之電容值S(S≒B)的電容耦合部12為連續。相當於該第2特徵的檢測資料D之模式為「第2模式」。 　　[0095] 針對判定部25所致之第1模式及第2模式的判定方法，參照圖7～圖10進行具體說明。 　　[0096] 判定部25，在進行行方向之第1模式及第2模式之判定的情況，是將對象資料所屬之2維資料33的行選擇作為對象行。在圖4之下段所示的2維資料33之情況，對於對象資料D(3,1)及D(22,1)的對象行為「Y1」，對於對象資料D(3,13)及D(22,13)的對象行為「Y13」。 　　[0097] 判定部25，在進行列方向之第1模式及第2模式之判定的情況，是將對象資料所屬之2維資料33的列選擇作為對象列。在圖4之下段所示的2維資料33之情況，對於對象資料D(3,1)及D(3,13)的對象列為「X3」，對於對象資料D(22,1)及D(22,13)的對象列為「X22」。 　　[0098] 判定部25，是對於所選擇之對象行的各檢測資料D，算出以式(1)～(3)所表示的第1評價值H1。圖7，是針對第1評價值H1的算出方法進行說明用的圖。圖7A，表示以箭頭所示之對象行的1個檢測資料D(i,j)與其周圍的檢測資料D，圖7B表示對該等之檢測資料D的演算內容。如圖7B所示般，判定部25，是對於在對象行連續的檢測資料D(i-1,j)、D(i,j)、D(i+1,j)乘上作為加權係數的「-1」、「-2」、「-1」。且判定部25，是將在列方向與檢測資料D(i,j)鄰接的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j+1)變換成絕對值，並乘上作為加權係數的「-2」。判定部25，是對各檢測資料D將該等的演算結果予以相加藉此算出第1評價值H1。 　　[0099] 判定部25，是對於所選擇之對象列的各檢測資料D，算出以式(4)～(6)所表示的第2評價值H2。圖8，是針對第2評價值H2的算出方法進行說明用的圖。圖8A，表示以箭頭所示之對象列的1個檢測資料D(i,j)與其周圍的檢測資料D，圖8B表示對該等之檢測資料D的演算內容。如圖8B所示般，判定部25，是對於在對象列連續的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j)、D(i,j+1)乘上作為加權係數的「-1」、「-2」、「-1」。且判定部25，是將在行方向與檢測資料D(i,j)鄰接的檢測資料D(i-1,j)、D(i+1,j)變換成絕對值，並乘上作為加權係數的「-2」。判定部25，是對各檢測資料D將該等的演算結果予以相加藉此算出第2評價值H2。 　　[0100] 圖9為表示第1評價值H1之算出結果之例子的圖。圖9A，是表示對象行及鄰接行符合第1模式及第2模式之情況的算出結果。圖9B及圖9C，是表示鄰接行的電容值S與基準值B之間的差較大之情況的算出結果。圖9D，是表示對象行中比基準值B還大的電容值S沒有連續之情況的算出結果。若比較該等之算出結果，鄰接行不符合第2模式之圖9B及圖9C的情況，或是對象行不符合第1模式之圖9D的情況，第1評價值H1是明確地比圖9A的情況還要小。因此，可根據第1評價值H1來判定對象行符合第1模式，且，鄰接行符合第2模式的「第1條件」是否滿足。同樣地，可根據第1評價值H2來判定對象列符合第2模式，且，鄰接列符合第2模式的「第2條件」是否滿足。 　　[0101] 圖10，是表示根據圖4之下段之2維資料33的例子所算出之第1評價值H1之系列及第2評價值H2之系列的圖。圖10A表示第1評價值H1之系列的算出結果，圖10B表示第2評價值H2之系列的算出結果。在各圖以粗四方形包圍者，是表示值為「60」以上的評價值。在第1模式及第2模式的特徵顯著表現的位置，是值「60」以上的評價值為連續。因此，判定部25，是在第1評價值H1的系列中達到既定閾值者有連續既定數以上的情況，判定滿足「第1條件」。且，判定部25，是在第2評價值H2的系列中達到既定閾值者有連續既定數以上的情況，判定滿足「第2條件」。 　　[0102] 接著，針對本實施形態之輸入裝置的動作，參照圖11及圖12的流程圖進行說明。 　　[0103] 圖11，是用來說明關於2維資料33之生成與對象資料之特定的動作之一例的流程圖。輸入裝置的處理部20，是以既定的周期反覆實行圖11所示的處理。 　　[0104] 感測器控制部21，是控制感測器部10的驅動部13或電容量檢測部14，來分別檢測出形成在靜電感測器11的複數個電容耦合部12的電容值S。2維資料生成部22，是針對靜電感測器11的各電容耦合部12，來算出檢測資料D，該檢測資料D是表示所檢測的電容值S與電容量的基準值B之間的差(B-S)，且生成行列形式的2維資料33(ST100)，該2維資料33的成分為各電容耦合部12的檢測資料D。 　　[0105] 特定部24，是從所生成的2維資料33之中，將表示出物體接近電容耦合部12的檢測資料D特定為對象資料(ST105)。 　　[0106] 使表示出物體接近的對象資料在特定部24被特定的情況(ST110)，座標演算部26，是根據所特定的對象資料來算出物體之接近位置的座標(ST115)。 　　[0107] 圖12，是用來說明關於基準值B之更新的動作之一例的流程圖。輸入裝置的處理部20，是以既定的時序反覆實行圖12所示的處理。 　　[0108] 基準值更新部23，是根據在特定部24周期性地特定的對象資料，或是在座標演算部26算出之物體之接近位置的座標等，來監視沒有對靜電感測器11進行操作的無操作狀態。無操作狀態，是例如沒有任何物體接近的狀態，或是接近的物體沒有移動的狀態。基準值更新部23，是判定無操作狀態是否持續既定時間以上(ST200)。 　　[0109] 在無操作狀態持續既定時間以上的情況(ST200)，基準值更新部23，是判定是否在特定部24特定有1個以上的對象資料(是否有物體接近靜電感測器11) (ST205)。在特定部24沒有特定出對象資料的情況(物體沒有接近靜電感測器11的情況)，基準值更新部23，是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0110] 在特定有1個以上的對象資料的情況，判定部25是從其中選擇1個對象資料(ST210)，並對選擇的對象資料所屬之對象行的各檢測資料D來算出第1評價值H1(ST215)。 　　[0111] 判定部25，是在對對象行所算出之第1評價值H1的系列中，判定到達既定閾值的第1評價值H1是否連續既定個數以上(ST220)。在到達閾值的第1評價值H1有連續既定個數以上的情況，滿足第1條件，故基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0112] 在第1評價值H1的系列中到達閾值的第1評價值H1沒有連續既定個數以上的情況(ST220)，判定部25，是對於在步驟ST210所選擇的對象資料所屬之對象列的各檢測資料D來算出第2評價值H2(ST225)。 　　[0113] 判定部25，是在對對象列所算出之第2評價值H2的系列中，判定到達既定閾值的第2評價值H2是否連續既定個數以上(ST230)。在到達閾值的第2評價值H2有連續既定個數以上的情況，滿足第2條件，故基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0114] 在第2評價值H2的系列中到達閾值的第2評價值H2沒有連續既定個數以上的情況(ST230)，判定部25，若有其他對象資料的話(ST235)，是對該其他對象資料重複進行步驟ST210以後的處理。對於在特定部24所特定之所有的對象資料，進行有步驟ST210～ST230之處理的情況，判定部25，是結束對現在之2維資料33的判定處理。 　　[0115] 如以上說明般，根據本實施形態，在使IC卡的環形天線般之與地的電容耦合較弱的導體沿著1個驅動電極Ed與1個檢測電極Es來接近的情況，藉由該1個驅動電極Ed與該1個檢測電極Es來形成的1個電容耦合部12，會容易使電容量增大。於該1個電容耦合部12中在電容量增大的狀態下更新該1個電容耦合部12的基準值B，且在該更新後從靜電感測器11拿走導體的話，在該1個電容耦合部12，會對於更新後的基準值B使電容量減少。藉由該電容量的減少，而在該1個電容耦合部，得到顯示出物體接近的檢測資料D。該檢測資料D，是特定為對象資料。且，在該1個檢測電極Es或該1個驅動電極Ed所形成的其他電容耦合部12，是使環形天線等之導體接近藉此容易使電容量減少。在該電容量的減少狀態中使其他電容耦合部12的基準值B各自更新，且在該更新後從靜電感測器11拿走導體的話，在其他電容耦合部12，會對於更新後的基準值B使電容量增大。因此，根據對象資料所屬之2維資料33的行來選擇的對象行，或是根據對象資料所屬之2維資料33的列來選擇的對象列，是容易符合「第1模式」，該第1模式是顯示出具有比基準值B還大之電容值的電容耦合部12為連續的情況。在對象行及對象列的至少一方符合第1模式的情況，有環形天線等之導體之接近所致之基準值B產生異常的可能性，故進行基準值B的更新。因此，不用如以往的裝置般使用更新基準值B之前之電容值S的資訊，便可根據2維資料33之檢測資料D的模式來判定基準值B有無異常。於是，即使是例如在電源打開之前就已經接近的環形天線等之導體在電源打開之後被拿走的情況，亦可適當地判定基準值B的異常並迅速地消除。 　　[0116] 且，根據本實施形態，在使IC卡的環形天線般的線狀導體沿著1個驅動電極Ed與1個檢測電極Es來接近的情況，在與該1個檢測電極Es鄰接之檢測電極Es的電容耦合部12，或是與該1個驅動電極Ed鄰接之驅動電極Ed的電容耦合部12，容易使電容值S對基準值B的差變小。因此，與對象行鄰接的鄰接行，或是與對象列鄰接的鄰接列，是容易符合「第2模式」，該第2模式是顯示出具有與基準值B近似之電容值S的電容耦合部12為連續的情況。因此，在滿足對象行符合第1模式，且，鄰接行符合第2模式的「第1條件」，或對象列符合第1模式，且，鄰接列符合第2模式的「第2條件」的情況，因環形天線等之導體的接近所致之基準值B的異常產生的可能性會變更高。因此，在滿足「第1條件」或「第2條件」的情況進行基準值B的更新，藉此更適當地消除基準值B的異常。 　　[0117] 此外，根據本實施形態，在對對象行所算出之第1評價值H1的系列中，依據到達閾值的第1評價值H1是否連續既定個數以上，來判定是否滿足「第1條件」。且，在對對象列所算出之第2評價值H2的系列中，依據到達閾值的第2評價值H2是否連續既定個數以上，來判定是否滿足「第2條件」。因此，在對象行的模式判定或對象行的模式判定中，是根據1個評價值(H1、H2)來判定第1模式及第2模式，可使關於判定的演算簡易化。 　　[0118] ＜第2實施形態＞ 　　接著，針對本發明的第2實施形態進行說明。第2實施形態的輸入裝置，是將上述第1實施形態之輸入裝置之判定部25的處理予以變更而成者，其他構造是與第1實施形態的輸入裝置相同。以下，以與第1實施形態之輸入裝置的相異處為中心來進行說明。 　　[0119] 在第2實施形態的輸入裝置中，判定部25，在對對象行及鄰接行進行第1模式及第2模式之判定的情況，是對每個對象行的檢測資料D算出1個第1評價值群。該第1評價值群，是包含已經說明過的對象行評價值H11(式(2))與鄰接行評價值H12(式(3))。亦即，判定部25，並不是將對象行評價值H11與鄰接行評價值H12相加來算出第1評價值H1(式(1))，而是分別獨立地算出對象行評價值H11與鄰接行評價值H12。 　　[0120] 判定部25，在對對象行的各檢測資料D所算出之第1評價值群(對象行評價值H11及鄰接行評價值H12)的系列中，將含有到達既定閾值的對象行評價值H11與到達既定閾值的鄰接行評價值H12的第1評價值群予以特定，並計算該特定的第1評價值群連續的個數。所謂到達既定閾值的對象行評價值H11，是例如在式(2)中「α＜0」且「β＜0」的情況，為比既定的正閾值還要大的對象行評價值H11。且，所謂到達既定閾值的鄰接行評價值H12，是例如在式(3)中「γ=1」的情況，為比既定的正閾值還要小的鄰接行評價值H12。在含有上述般之對象行評價值H11及鄰接行評價值H12的第1評價值群有連續既定個數以上的情況，判定部25是判定滿足「第1條件」。 　　[0121] 且，判定部25，在對對象列及鄰接列進行第1模式及第2模式之判定的情況，是對每個對象列的檢測資料D算出1個第2評價值群。該第2評價值群，是包含已經說明過的對象列評價值H21(式(5))與鄰接行評價值H22(式(6))。亦即，判定部25，並不是將對象列評價值H21與鄰接列評價值H22相加來算出第2評價值H2(式(4))，而是分別獨立地算出對象列評價值H21與鄰接列評價值H22。 　　[0122] 判定部25，在對對象列的各檢測資料D所算出之第2評價值群(對象列評價值H21及鄰接列評價值H22)的系列中，將含有到達既定閾值的對象列評價值H21與到達既定閾值的鄰接列評價值H22的第2評價值群予以特定，並計算該特定的第2評價值群連續的個數。所謂到達既定閾值的對象列評價值H21，是例如在式(5)中「ν＜0」且「η＜0」的情況，為比既定的正閾值還要大的對象列評價值H21。且，所謂到達既定閾值的鄰接列評價值H22，是例如在式(6)中「κ=1」的情況，為比既定的正閾值還要小的鄰接列評價值H22。在含有上述般之對象列評價值H21及鄰接列評價值H22的第2評價值群有連續既定個數以上的情況，判定部25是判定滿足「第2條件」。 　　[0123] 圖13，是用來說明在行方向的判定所使用之第1評價值群(對象行評價值H11、鄰接行評價值H12)的算出方法的圖。圖13A，表示以箭頭所示之對象行的1個檢測資料D(i,j)與其周圍的檢測資料D。圖13B表示算出對象行評價值H11的情況之對各檢測資料D的演算內容、圖13C表示算出鄰接行評價值H12的情況之對各檢測資料D的演算內容。如圖13B所示般，判定部25，是對於在對象行連續的檢測資料D(i-1,j)、D(i,j)、D(i+1,j)乘上加權係數的 「-1」、「-2」、「-1」，並將該等的演算結果予以相加藉此算出對象行評價值H11。且判定部25，是將在列方向與檢測資料D(i,j)鄰接的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j+1)分別變換成絕對值並相加，藉此算出鄰接行評價值H12。 　　[0124] 圖14，是用來說明在列方向的判定所使用之第2評價值群(對象列評價值H21、鄰接列評價值H22)的算出方法的圖。圖14A，表示以箭頭所示之對象列的1個檢測資料D(i,j)與其周圍的檢測資料D。圖14B表示算出對象列評價值H21的情況之對各檢測資料D的演算內容、圖14C表示算出鄰接列評價值H22的情況之對各檢測資料D的演算內容。如圖14B所示般，判定部25，是對於在對象列連續的檢測資料D(i,j-1)、D(i,j)、D(i,j+1)乘上加權係數的 「-1」、「-2」、「-1」，並將該等的演算結果予以相加藉此算出對象列評價值H21。且判定部25，是將在行方向與檢測資料D(i,j)鄰接的檢測資料D(i-1,j)、D(i+1,j)分別變換成絕對值並相加，藉此算出鄰接列評價值H22。 　　[0125] 圖15，是用來說明關於第2實施形態之基準值B之更新的動作之一例的流程圖。圖15所示的流程圖，是將圖12所示之流程圖的步驟ST215～ST230變更為步驟ST215A～ST230A而成者，其他步驟是與圖12所示的流程圖相同。以下，僅說明與圖12所示的流程圖相異之處。 　　[0126] 判定部25，是在步驟ST210選擇1個對象資料後，對該選擇的對象資料所屬之對象行的各檢測資料D，算出第1評價值群(對象行評價值H11及鄰接行評價值H12) (ST215A)。判定部25，是在所算出之第1評價值群的系列中，特定出對象行評價值H11及鄰接行評價值H12各自到達既定閾值的第1評價值群，並判定該特定的第1評價值群是否連續既定個數以上(ST220A)。該特定的第1評價值群有連續既定個數以上的情況，基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0127] 在第1評價值群的系列中，含有到達閾值的評價值(H11、H12)的第1評價值群沒有連續既定個數以上的情況(ST220A)，判定部25，是對步驟ST210中所選擇的對象資料所屬之對象列的各檢測資料D，來算出第2評價值群(對象列評價值H21及鄰接列評價值H22)(ST225A)。判定部25，是在所算出之第2評價值群的系列中，特定出對象列評價值H21及鄰接列評價值H22各自到達既定閾值的第2評價值群，並判定該特定的第2評價值群是否連續既定個數以上(ST230A)。該特定的第2評價值群有連續既定個數以上的情況，基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0128] 在第2評價值群的系列中，含有到達閾值的評價值(H21、H22)的第2評價值群沒有連續既定個數以上的情況(ST230A)，判定部25，若有其他對象資料的話(ST235)，是對該其他對象資料重複進行步驟ST210以後的處理。 　　[0129] 如以上說明般，根據本實施形態，在對對象行及對象列所算出之第1評價值群的系列中，依據包含到達既定閾值的對象行評價值H11與到達既定閾值的鄰接行評價值H12的第1評價值群是否連續既定個數以上，來判定是否滿足「第1條件」。且，在對對象列及鄰接列所算出之第2評價值群的系列中，依據包含到達既定閾值的對象列評價值H21與到達既定閾值的鄰接列評價值H22的第2評價值群是否連續既定個數以上，來判定是否滿足「第2條件」。因此，依據獨立的評價值而可各自正確地判定對象行或對象列符合第1模式、鄰接行或鄰接列符合第2模式。 　　[0130] ＜第3實施形態＞ 　　接著，針對本發明的第3實施形態進行說明。第3實施形態的輸入裝置，是將上述第1實施形態之輸入裝置之判定部25的處理予以變更而成者，其他構造是與第1實施形態的輸入裝置相同，以下，以與第1實施形態之輸入裝置的相異處為中心來進行說明。 　　[0131] 在第3實施形態的輸入裝置中，判定部25，在對對象行進行第1模式之判定的情況，是對每個對象行的檢測資料D算出1個對象行評價值H11(式(2))。亦即，本實施形態的判定部25，並不是將對象行評價值H11與鄰接行評價值H12相加來算出第1評價值H1(式(1))，而是由第1評價值H1來算出簡易的對象行評價值H11。 　　[0132] 判定部25，是在對對象行所算出之對象行評價值H11的系列中，判定到達既定閾值的對象行評價值H11是否連續既定個數以上。所謂到達既定閾值的對象行評價值H11，是例如在式(2)中「α＜0」且「β＜0」的情況，為比既定的正閾值還要大的對象行評價值H11。在到達既定閾值的對象行評價值H11連續既定個數以上的情況，判定部25，是判定對象行符合第1模式。 　　[0133] 且，判定部25，在對對象列進行第2模式之判定的情況，是對每個對象列的檢測資料D算出1個對象列評價值H21(式(5))。亦即，本實施形態的判定部25，並不是將對象列評價值H21與鄰接列評價值H22相加來算出第2評價值H2(式(4))，而是由第2評價值H2來算出簡易的對象列評價值H21。 　　[0134] 判定部25，是在對對象列所算出之對象列評價值H21的系列中，判定到達既定閾值的對象列評價值H21是否連續既定個數以上。所謂到達既定閾值的對象列評價值H21，是例如在式(5)中「ν＜0」且「η＜0」的情況，為比既定的正閾值還要大的對象列評價值H21。在到達既定閾值的對象列評價值H21連續既定個數以上的情況，判定部25，是判定對象列符合第1模式。 　　[0135] 圖16，是用來說明關於第3實施形態之基準值B之更新的動作之一例的流程圖。圖16所示的流程圖，是將圖12所示之流程圖的步驟ST215～ST230變更為步驟ST215B～ST230B而成者，其他步驟是與圖12所示的流程圖相同。以下，僅說明與圖12所示的流程圖相異之處。 　　[0136] 判定部25，是在步驟ST210選擇1個對象資料後，對該選擇的對象資料所屬之對象行的各檢測資料D，算出對象行評價值H11(ST215B)。判定部25，是在所算出之對象行評價值H11的系列中，判定到達既定閾值的對象行評價值H11是否連續既定個數以上(ST220B)。在到達既定閾值的對象行評價值H11連續既定個數以上的情況，基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0137] 在對象行評價值H11的系列中，到達既定閾值的對象行評價值H11沒有連續既定個數以上的情況(ST220B)，判定部25，是對於在步驟ST210所選擇的對象資料所屬之對象列的各檢測資料D，算出對象列評價值H21(ST225B)。判定部25，是在所算出之對象列評價值H21的系列中，判定到達既定閾值的對象列評價值H21是否連續既定個數以上(ST230B)。在到達既定閾值的對象列評價值H21連續既定個數以上的情況，基準值更新部23是實行基準值B的更新處理(ST240)。 　　[0138] 在對象列評價值H21的系列中，到達閾值的對象列評價值H21沒有連續既定個數以上的情況(ST230B)，判定部25，在有其他對象資料的情況(ST235)，是對其他對象資料重複進行步驟ST210以後的處理。 　　[0139] 如以上說明般，根據本實施形態，在對對象行所算出之對象行評價值H11的系列中，依據到達既定閾值的對象行評價值H11是否連續既定個數以上，來判定對象行是否符合第1模式。且，在對對象列所算出之對象列評價值H21的系列中，依據到達既定閾值的對象列評價值H21是否連續既定個數以上，來判定對象列是否符合第1模式。因此，可用簡易的演算來判定對象行或對象列符合第1模式。 　　[0140] ＜第4實施形態＞ 　　接著，針對本發明的第4實施形態進行說明。第4實施形態的輸入裝置，是在上述第1～第3實施形態之輸入裝置的判定部25中，變更對象行及對象列之選擇的方法而成者，其他構造是與第1～第3實施形態的輸入裝置相同，以下，以與該等之實施形態之輸入裝置的相異處為中心來進行說明。 　　[0141] 上述各實施形態的判定部25，是將對象資料所屬的行選擇成為對象行，將對象資料所屬的列選擇成為對象列。另一方面，本實施形態的判定部25，是從包含對象資料所屬之行的複數個鄰接的行之中來選擇對象行，從包含對象資料所屬之列的複數個鄰接的列之中來選擇對象列。 　　[0142] 亦即，判定部25，對對象行進行第1模式之判定的情況，是從含有對象資料所屬之2維資料33之行的複數個鄰接的行之中，在每個列選擇出表示電容值S相對較大的1個檢測資料D，並將該選擇出之檢測資料D的系列作為對象行來進行第1模式的判定。 　　[0143] 且，判定部25，對對象列進行第1模式之判定的情況，是從含有對象資料所屬之2維資料33之列的複數個鄰接的列之中，在每個行選擇出表示電容值S相對較大的1個檢測資料D，並將該選擇出之檢測資料D的系列作為對象列來進行第1模式的判定。 　　[0144] 圖17為用來說明第4實施形態之對象行之選擇方法的圖。圖17中，以粗四方形包圍的檢測資料D(1,12)為對象資料，以圓形包圍的檢測資料D的系列為對象行。判定部25，是在由檢測資料D(1,12)所屬的行Y12、以及與此鄰接的行Y11及Y13所成的範圍中，選擇對象行的各檢測資料D。亦即，判定部25，是將行Y11～Y13的範圍中每個列之最小值的檢測資料D(電容值S相對較大的檢測資料D)，選擇成為對象行的檢測資料D。例如列X4中，行Y11～Y13之範圍的檢測資料D(4,11)、D(4,12)、D(4,13)的值分別為「-14」、「-1」、「12」。判定部25，是將該等之中最小值的檢測資料D(4,11)選擇作為對象行的檢測資料。 　　[0145] 在使IC卡之環形天線般的線狀導體沿著1個檢測電極Es和與此鄰接的檢測電極Es來接近的情況(對檢測電極Es以稍微傾斜的狀態來接近的情況等)，不只是對象資料所屬的行，與此鄰接的行亦容易出現第1模式，該第1模式是表示出具有比基準值B還大的電容值S的電容耦合部12為連續的情況。即使是這種情況，根據本實施系形態，是從含有對象資料所屬之行的複數個鄰接的行之中，在每個列選擇出表示電容值S相對較大的1個前述檢測資料D，且該選擇出之檢測資料D的系列容易符合第1模式。因此，將該檢測資料D的系列作為對象行來進行第1模式的判定，藉此可適當判定線狀導體之接近所致之基準值B的異常。且，根據本實施形態，亦對於對象列，與對象行同樣地從複數個鄰接的列之中來選擇，故可適當判定線狀導體沿著1個驅動電極Ed和與此鄰接的驅動電極Ed來接近之情況之基準值B的異常。 　　[0146] 以上，雖針對本發明的幾個實施形態進行了說明，但本發明不僅限於上述的實施形態，包含各種的變形。 　　[0147] 在上述第1～第3實施形態，是在滿足關於1個對象資料之行方向的「第1條件」及列方向的「第2條件」之至少一方的情況來使基準值更新，但在本發明的其他實施形態，亦可在滿足「第1條件」及「第2條件」之雙方的情況來使基準值更新。 　　[0148] 上述各實施形態的第1評價值H1(對象行評價值H11及鄰接行評價值H12)的算出方法或第2評價值H2(對象列評價值H21及鄰接列評價值H22)的算出方法為一例，本發明並不限定於該例子。在各評價值的算出所使用的檢測資料或加權係數，可因應基準值的異常狀態等來任意設定。

[0149]

10‧‧‧感測器部

11‧‧‧靜電感測器

12‧‧‧電容耦合部

13‧‧‧驅動部

14‧‧‧電容量檢測部

20‧‧‧處理部

21‧‧‧感測器控制部

22‧‧‧2維資料生成部

23‧‧‧基準值更新部

24‧‧‧特定部

25‧‧‧判定部

26‧‧‧座標演算部

30‧‧‧記憶部

31‧‧‧基準值行列

32‧‧‧電容值行列

33‧‧‧2維資料

40‧‧‧介面部

90‧‧‧IC卡

91‧‧‧IC晶片

Ed‧‧‧驅動電極

Es‧‧‧檢測電極

AT‧‧‧環形天線

PRG‧‧‧程式

D‧‧‧檢測資料

S‧‧‧電容值

B‧‧‧基準值

H1‧‧‧第1評價值

H2‧‧‧第2評價值

H11‧‧‧對象行評價值

H12‧‧‧鄰接行評價值

H21‧‧‧對象列評價值

H22‧‧‧鄰接列評價值

[0029] 　　圖1為表示本發明之實施形態之輸入裝置之構造之一例的圖。 　　圖2為用來說明物體之接近所致之互電容之變化的圖。圖2A表示物體沒有接近的狀態、圖2B表示物體接近的狀態。 　　圖3為表示在有接地的環狀導體接近的情況與IC卡的環形天線接近的情況下，檢測資料的模式不同的圖。圖3A表示將有接地的環狀導體放置在靜電感測器的情況之2維資料的例子、圖3B表示將IC卡放置在靜電感測器的情況之2維資料的例子。 　　圖4為表示在放置IC卡的狀態下更新基準值之後，拿走IC卡時之2維資料之例子的圖。 　　圖5為用來說明在接近靜電感測器的物體與靜電感測器的各電極之間所形成的寄生電容的圖。圖5A表示與地的電容耦合較強的手指等之物體接近靜電感測器的情況、圖5B表示與地的電容耦合較弱的導電性之物體接近靜電感測器的情況。 　　圖6為用來說明靜電感測器的各電極與環形天線產生電容耦合的圖。圖6A表示內藏於IC卡之環形天線的例子、圖6B表示在檢測電極及驅動電極與環形天線之間形成有電容耦合之區域的例子。 　　圖7為用來說明第1實施形態中在行方向之判定所使用之第1評價值的算出方法的圖。圖7A表示對象行之1個檢測資料與其周圍的檢測資料、圖7B表示對各檢測資料的演算內容。 　　圖8為用來說明第1實施形態中在列方向之判定所使用之第2評價值的算出方法的圖。圖8A表示對象列之1個檢測資料與其周圍的檢測資料、圖8B表示對各檢測資料的演算內容。 　　圖9為表示第1評價值之算出結果之例子的圖。圖9A表示符合第1模式及第2模式之情況的算出結果、圖9B及圖9C表示在鄰接行中電容值與基準值之間的差較大之情況的算出結果、圖9D表示在對象行中比基準值還大的電容值沒有連續之情況的算出結果。 　　圖10為表示根據圖4之2維資料的例子所算出之第1評價值之系列及第2評價值之系列的圖。圖10A表示第1評價值之系列的算出結果、圖10B表示第2評價值之系列的算出結果。 　　圖11為用來說明關於2維資料的生成與對象資料之特定的動作之一例的流程圖。 　　圖12為用來說明關於第1實施形態之基準值之更新的動作之一例的流程圖。 　　圖13為用來說明第2實施形態中在行方向之判定所使用之第1評價值群的算出方法的圖。圖13A表示對象行之1個檢測資料與其周圍的檢測資料、圖13B表示算出對象行評價值的情況之對各檢測資料的演算內容、圖13C表示算出鄰接行評價值的情況之對各檢測資料的演算內容。 　　圖14為用來說明第2實施形態中在列方向之判定所使用之第2評價值群的算出方法的圖。圖14A表示對象列之1個檢測資料與其周圍的檢測資料、圖14B表示算出對象列評價值的情況之對各檢測資料的演算內容、圖14C表示算出鄰接列評價值的情況之對各檢測資料的演算內容。 　　圖15為用來說明關於第2實施形態之基準值之更新的動作之一例的流程圖。 　　圖16為用來說明關於第3實施形態之基準值之更新的動作之一例的圖。 　　圖17為用來說明第4實施形態之對象行之選擇方法的圖。

Claims (9)

1. 一種輸入裝置，其輸入伴隨著物體接近之電容量的變化所對應的資訊，其特徵為，具有：感測器部，其含有被施加有驅動電壓的複數個驅動電極、以及複數個檢測電極，且在前述複數個檢測電極與前述複數個驅動電極之間形成有複數個電容耦合部；電容量檢測部，其用來檢測形成在前述複數個驅動電極與前述複數個檢測電極之間的複數個前述電容耦合部的電容量；2維資料生成部，是將在前述電容量檢測部中所檢測出之1個前述電容耦合部的電容值與在該1個電容耦合部所設定之電容量的基準值之間的差予以顯示的1個檢測資料，對前述複數個電容耦合部的各個進行算出，並使各行對應1個前述檢測電極之複數個前述電容耦合部，使各列對應1個前述驅動電極之複數個前述電容耦合部，而以與前述電容耦合部之配置對應的方式來生成出配列有前述檢測資料的2維資料；基準值更新部，是根據前述電容量檢測部中所檢測出之前述複數個電容耦合部的前述電容值，來更新前述複數個電容耦合部的前述基準值；特定部，是從前述2維資料生成部所生成的前述2維資料之中，將顯示出物體接近前述電容耦合部的前述檢測資料特定為對象資料；以及判定部，是在根據前述對象資料所屬之前述2維資料的行來選擇的對象行、以及根據前述對象資料所屬之前述2維資料的列來選擇的對象列之至少一方，判定是否符合第1模式，該第1模式是顯示出具有比前述基準值還大之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況，前述基準值更新部，是當前述對象行及前述對象列的至少一方或雙方被判定為符合前述第1模式的情況，進行前述基準值的更新。
2. 如請求項1所述之輸入裝置，其中，前述判定部，在前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象行鄰接之至少1個的鄰接行，進行是否符合第2模式的判定，該第2模式是顯示出具有與前述基準值近似之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況，在前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象列鄰接之至少1個鄰接列，進行是否符合前述第2模式的判定，前述基準值更新部，是在滿足前述對象行符合前述第1模式，且，前述鄰接行符合前述第2模式的第1條件、以及前述對象列符合前述第1模式，且，前述鄰接列符合前述第2模式的第2條件的至少一方或雙方的情況，進行前述基準值的更新。
3. 如請求項2所述之輸入裝置，其中，前述判定部，對前述對象行及前述鄰接行進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料算出1個第1評價值，對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述第1評價值的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料、以及與該1個檢測資料在列方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述第1評價值，該第1評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度、以及前述鄰接行的前述電容值接近前述基準值的程度之雙方，對前述對象行所算出之前述第1評價值的系列中，若到達閾值的前述第1評價值為連續的話，則判定滿足前述第1條件，前述判定部，對前述對象列及前述鄰接列進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料算出1個第2評價值，對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述第2評價值的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料、以及與該1個檢測資料在行方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述第2評價值，該第2評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度、以及前述鄰接列的前述電容值接近前述基準值的程度之雙方，對前述對象列所算出之前述第2評價值的系列中，若到達閾值的前述第2評價值為連續的話，則判定滿足前述第2條件。
4. 如請求項2所述之輸入裝置，其中，前述判定部，對前述對象行及前述鄰接行進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料，算出含有對象行評價值及鄰接行評價值的1個第1評價值群，對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述第1評價值群的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象行評價值，該對象行評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度；根據與該1個檢測資料在列方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述鄰接行評價值，該鄰接行評價值是表示出前述鄰接行的前述電容值接近前述基準值的程度，對前述對象行所算出之前述第1評價值群的系列中，若包含到達閾值的前述對象行評價值與到達閾值的前述鄰接行評價值的前述第1評價值群為連續的話，則判定滿足前述第1條件，前述判定部，對前述對象列及前述鄰接列進行前述第1模式及前述第2模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料，算出含有對象列評價值及鄰接列評價值的1個第2評價值群，對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述第2評價值群的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象列評價值，該對象列評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度；根據與該1個檢測資料在行方向鄰接的至少1個前述檢測資料，來算出前述鄰接列評價值，該鄰接列評價值是表示出前述鄰接列的前述電容值接近前述基準值的程度，對前述對象列所算出之前述第2評價值群的系列中，若包含到達閾值的前述對象列評價值與到達閾值的前述鄰接列評價值的前述第2評價值群為連續的話，則判定滿足前述第2條件。
5. 如請求項1所述之輸入裝置，其中，前述判定部，對前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是對前述對象行的每個前述檢測資料算出1個對象行評價值，對前述對象行的1個前述檢測資料算出1個前述對象行評價值的情況，根據前述對象行之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象行評價值，該對象行評價值是表示出前述對象行的前述電容值超過前述基準值的程度，在對前述對象行所算出之前述對象行評價值的系列中，若到達閾值的前述對象行評價值為連續的話，則判定前述對象行符合第1模式，前述判定部，對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是對前述對象列的每個前述檢測資料算出1個對象列評價值，對前述對象列的1個前述檢測資料算出1個前述對象列評價值的情況，根據前述對象列之中含有該1個檢測資料的一連串的前述檢測資料，來算出前述對象列評價值，該對象列評價值是表示出前述對象列的前述電容值超過前述基準值的程度，在對前述對象列所算出之前述對象列評價值的系列中，若到達閾值的前述對象列評價值為連續的話，則判定前述對象列符合第1模式。
6. 如請求項1至5中任一項所述之輸入裝置，其中，前述判定部，對前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是從含有前述對象資料所屬之前述2維資料之行的複數個鄰接的行之中，在每個列選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，並將該選擇出之檢測資料的系列作為前述對象行來進行前述第1模式的判定，對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是從含有前述對象資料所屬之前述2維資料之列的複數個鄰接的列之中，在每個行選擇出表示前述電容值相對較大的1個前述檢測資料，並將該選擇出之檢測資料的系列作為前述對象列來進行前述第1模式的判定。
7. 一種輸入裝置的控制方法，其輸入伴隨著物體接近之電容量的變化所對應的資訊，其特徵為，前述輸入裝置，含有：感測器部，其含有被施加有驅動電壓的複數個驅動電極、以及複數個檢測電極，且在前述複數個檢測電極與前述複數個驅動電極之間形成有複數個電容耦合部；電容量檢測部，其用來檢測形成在前述複數個驅動電極與前述複數個檢測電極之間的複數個前述電容耦合部的電容量，且具有以下步驟：將在前述電容量檢測部中所檢測出之1個前述電容耦合部的電容值與在該1個電容耦合部所設定之電容量的基準值之間的差予以顯示的1個檢測資料，對前述複數個電容耦合部的各個進行算出，而生成2維資料，該2維資料是使各行對應1個前述檢測電極之複數個前述檢測資料，並使各列對應1個前述驅動電極之複數個前述檢測資料；根據前述電容量檢測部中所檢測出之前述複數個電容耦合部的前述電容值，來更新前述複數個電容耦合部的前述基準值；從所生成的前述2維資料之中，將顯示出物體接近前述電容耦合部的前述檢測資料特定為對象資料；以及在根據前述對象資料所屬之前述2維資料的行來選擇的對象行、以及根據前述對象資料所屬之前述2維資料的列來選擇的對象列之至少一方，來判定是否符合第1模式，該第1模式是顯示出具有比前述基準值還大之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況，所謂的更新前述基準值，是包含：當前述對象行及前述對象列的至少一方或雙方被判定為符合前述第1模式的情況，進行前述基準值的更新。
8. 如請求項7所述之輸入裝置的控制方法，其具有以下步驟：在前述對象行進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象行鄰接之至少1個的鄰接行，判定是否符合第2模式，該第2模式是顯示出具有與前述基準值近似之前述電容值的前述電容耦合部為連續的情況；以及在對前述對象列進行前述第1模式之判定的情況，是在與前述對象列鄰接之至少1個鄰接列，進行是否符合前述第2模式的判定，所謂的更新前述基準值，是包含：在滿足前述對象行符合前述第1模式，且，前述鄰接行符合前述第2模式的第1條件、以及前述對象列符合前述第1模式，且，前述鄰接列符合前述第2模式的第2條件的至少一方或雙方的情況，進行前述基準值的更新。
9. 一種程式，是用來在電腦實行請求項7或8所述之輸入裝置的控制方法。