TWI657300B - 陣列基板 - Google Patents

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Abstract

一種陣列基板，包括基板、多條第一訊號線、多個子畫素、多條參考電位線、多個第一接合墊、多個第二接合墊、多條第一扇出線、多條第二扇出線、多條第一連接線、多條第二連接線與第一參考電位線。最靠近第二接合墊的第一連接線與最靠近第一接合墊的第二連接線之間具有容置空間。第一參考電位線位於容置空間，且電性連接於參考電位線。

Description

陣列基板
本發明是有關於一種陣列基板，且特別是有關於一種包含參考電位線的陣列基板。
隨著時代的進展，市場對顯示面板之解析度的要求越來越高。為了獲得更高解析度的顯示面板，必須要提高資料線的密集度。然而，過於密集的資料線導致其他的訊號線沒有足夠的空間可以設置。再者，顯示面板的解析度可能因為顯示面板中陣列基板之線路佈局困難或空間不足而無法提升。
本發明提供一種陣列基板，能夠增加陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)周邊區空間的利用率。更甚者，因周邊區空間的利用率(例如：空置空間)增加，可使得陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)於超高解析度(例如：8K或16K)時，仍可讓陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)子畫素所需要的線路設置於陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)上。
本發明的至少一實施例提供一種陣列基板，包括基板、多條第一訊號線、多個子畫素、多條參考電位線、第一接合墊群、第二接合墊群、多條第一扇出線、多條第二扇出線、多條第一連接線、多條第二連接線與第一參考電位線。基板具有主動區以及位於主動區至少一側的周邊區。多條第一訊號線、多個子畫素以及多條參考電位線位於主動區。多個子畫素分別電性連接至第一訊號線。第一接合墊群、第二接合墊群、多條第一扇出線以及多條第二扇出線位於周邊區。第一接合墊群具有多個第一接合墊。第二接合墊群具有多個第二接合墊。多條第一扇出線與多條第二扇出線分別電性連接至第一接合墊與第二接合墊。多條第一連接線電性連接第一扇出線至對應的第一訊號線。多條第二連接線電性連接第二扇出線至對應的第一訊號線。最靠近第二接合墊的第一連接線與最靠近第一接合墊的第二連接線之間具有一容置空間。第一參考電位線位於容置空間，且電性連接於參考電位線。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1、2‧‧‧陣列基板
110、210‧‧‧驅動電路
120、220‧‧‧接合墊群
122、222‧‧‧接合墊
130、230‧‧‧扇出線
140、240‧‧‧連接線
140A、240A‧‧‧連接部
140B、240B‧‧‧延伸部
140C、240C‧‧‧轉折部
142、144、146、242、244、246‧‧‧轉折角
150、250‧‧‧電子元件
152、252、324B、R12、R22‧‧‧接觸窗
310‧‧‧第一訊號線
322‧‧‧第一參考電位線
3221‧‧‧連接分支
3222‧‧‧匯流線
324A‧‧‧傳導結構
326‧‧‧第二參考電位線
328‧‧‧參考電位線
332‧‧‧第一導線
334‧‧‧第二導線
336‧‧‧第三導線
340‧‧‧第二訊號線
A、W‧‧‧距離
AA‧‧‧主動區
B、D‧‧‧間距
C‧‧‧容置空間
I1、I2‧‧‧絕緣層
L1、L2、L3、L4‧‧‧扇出寬度
O1、O2、O3、O4‧‧‧開口
R1、R2‧‧‧修復線
R11、R21‧‧‧第一部分
R13、R23‧‧‧第二部分
RA‧‧‧周邊區
SB‧‧‧基板
SPX‧‧‧子畫素
SPX1‧‧‧第一畫素電極
SPX2‧‧‧第二畫素電極
T1、T2、T3‧‧‧主動元件
TD‧‧‧共用電壓訊號
TP1、TP2‧‧‧接合墊
C1c1、C1c2‧‧‧液晶電容
Cst1、Cst2‧‧‧儲存電容
圖1A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的示意圖。
圖1B是沿圖1A的線AA’的剖面示意圖。
圖1C是圖1A的局部電路佈局圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的示意圖。
圖3是圖1A與圖2子畫素的電路佈局示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。本文所使用的“連接”指兩元件之間沒有一個或多個居間元件，即“直接連接”。“電性連接”指兩元件之間可為“直接連接”與“間接連接”，即兩元件之間可具有一個或多個居間元件。
應當理解，儘管術語“第一”與“第二”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而 不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“約”或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的“約”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範 圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
本文使用的“第一導電膜層”、“第二導電膜層”與“第三導電膜層”分別指於不同道製程所形成。“第一導電膜層”比“第二導電膜層”更早形成於基板，“第二導電膜層”比“第三導電膜層”更早形成於基板。本文使用的“單層”導電結構指包含“第一導電膜層”、“第二導電膜層”或“第三導電膜層”三者中的其中一個，“雙層”導電結構指包含“第一導電膜層”、“第二導電膜層”或“第三導電膜層”三者中的其中兩個。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的示意圖。圖1B是沿圖1A的線AA’的剖面示意圖。圖1C是圖1A的局部電路佈局圖。
請參考圖1A與圖1B，陣列基板1包括基板SB、多條第一訊號線310、多個子畫素SPX、多條參考電位線328、第一接合墊群120、第二接合墊群220、多條第一扇出線130、多條第二扇出線230、多條第一連接線140、多條第二連接線240與第一參考電位線322。
基板SB具有主動區AA以及位於主動區AA至少一側的周邊區RA。舉例而言，多條第一訊號線310與多個子畫素SPX位於主動區AA，多條參考電位線328、第一接合墊群120、第二接合墊群220、多條第一扇出線130、多條第二扇出線230、多條第一連接線140、多條第二連接線240與第一參考電位線322位於周邊區RA。
第一接合墊群120與第二接合墊群220位於基板SB的周邊區RA上。第一接合墊群120具有多個第一接合墊122。第二接合墊群220具有多個第二接合墊222。相鄰的第一接合墊122或相鄰的第二接合墊222的中心之間的距離為W，W例如為約30微米至約52微米，但不限於此。
在本實施例中，陣列基板1可選擇性的還包括第一驅動電路110與第二驅動電路210。第一驅動電路110電性連接至第一接合墊群120。第二驅動電路210電性連接至第二接合墊群220。在一實施例中，第一驅動電路110及第二驅動電路210舉例為閘極驅動電路或源極驅動電路。第一驅動電路110與第二驅動電路210其中至少一者，可包括積體電路晶片及/或軟性電路板。舉例而言，若第一驅動電路110或第二驅動電路210其中至少一者為積體電路晶片且電性連接至第一接合墊群120或第二接合墊群220，則積體電路晶片僅設置於基板SB上；或者，若第一驅動電路110或第二驅動電路210其中至少一者為積體電路晶片設置於軟性電路板上且電性連接至第一接合墊群120或第二接合墊群220，而軟性電路板部份設置於基板SB上。在圖1A與圖2A以積體電路晶片僅設置於基板SB上為範例，但不限於此。
多條第一扇出線130與多條第二扇出線230位於基板SB的周邊區RA上。多條第一扇出線130的一端電性連接至對應的多個第一接合墊122。多條第二扇出線230的一端電性連接至對應的第二接合墊222。
在一實施例中，部分第一參考電位線322位於第一扇出線130與第二扇出線230之間。在一實施例中，第一參考電位線322實質上為Y字形。第一參考電位線322連接於多個第一接合墊122其中一者與多個第二接合墊222其中一者。在部份實施例中，第一參考電位線322包括連接分支3221與匯流線3222，連接分支3221串接最靠近第二接合墊群220的第一接合墊122以及最靠近第一接合墊群120的第二接合墊222，且連接分支3221與匯流線3222連接。由於第一參考電位線322同時連接到多個第一接合墊122其中一個以及多個第二接合墊222其中一個，第一驅動電路110與第二驅動電路210可以共同控制施加共通訊號(COM)或固定電位於第一參考電位線322的訊號。因此，第一參考電位線322的訊號能夠更穩定，其中，固定電位也可依實際需求來加以調整。然本發明並不以此為限，第一參考電位線322也可為浮置訊號(floating)，本領域人員可視實際需求，而提供第一參考電位線322的電位。第一參考電位線322例如包括雙層導電結構、單層導電結構或上述組合。
多條第一訊號線310位於基板SB的主動區AA上。在一實施例中，多條第一訊號線310從基板SB的周邊區RA延伸至主動區AA。在一實施例中，多條第一訊號線310實質上互相平行。第一訊號線310例如為直線形或鋸齒形(Zigzag)。多條第一訊號線310例如是掃描線或資料線。在圖1A與圖2A多條第一訊號線310為資料線為示範例，但不限於此。於其它實施例中，第一訊號 線310也可為掃描線。於部份實施例中，若陣列基板1更包含多條第二訊號線340，則多條第一訊號線310會與多條第二訊號線340之功能不同，例如：多條第一訊號線310可為資料線，而多條第二訊號線340可為掃描線為範例。
多條第一連接線140分別位於對應第一訊號線310與對應第一扇出線130之間。第一連接線140電性連接第一扇出線130至對應的第一訊號線310。在一實施例中，第一連接線140包括靠近第一扇出線130的第一連接部140A以及與其連接的第一延伸部140B。第一延伸部140B位於第一連接部140A與對應的第一訊號線310之間。第一延伸部140B實質上彼此平行。在一實施例中，第一連接部140A與第一延伸部140B之間可具有轉折角142。於一實施例中，兩相鄰的第一連接線140轉折角142互為鏡像對稱圖案。
多條第二連接線240分別位於對應第一訊號線310與對應第二扇出線230之間。第二連接線240電性連接第二扇出線230至對應的第一訊號線310。在一實施例中，第二連接線240包括靠近第二扇出線230的第二連接部240A以及與其連接的第二延伸部240B。第二延伸部240B位於第二連接部240A與對應的第一訊號線310之間。第二延伸部240B實質上彼此平行。第二延伸部240B例如與第一延伸部140B平行。在一實施例中，第二連接部240A與第二延伸部240B之間可具有轉折角242。於一實施例中，兩相鄰的第二連接線240轉折角242互為鏡像對稱圖案。
最靠近第二接合墊222的第一連接線140與最靠近第一接合墊122的第二連接線240之間具有一容置空間C。部分第一參考電位線322位於容置空間C中，舉例而言，匯流線3222位於容置空間C中。在一實施例中，容置空間C的寬度例如為約60微米至約110微米。
在一較佳實施例中，陣列基板1可選擇性的更包括位於周邊區RA上的轉接墊TP1/TP2，於本實施例中轉接墊TP1/TP2可為單層導電結構或多層導電結構。部分轉接墊TP1位於對應的第一連接線140和對應的第一扇出線130之間。部分轉接墊TP2位於對應的第二連接線240和對應的第二扇出線230之間。在一實施例中，相鄰的部分轉接墊TP1或相鄰的部分轉接墊TP2的中心之間的距離為A。在本實施例中，A例如為約40微米至約55微米，然本發明並不以此為限。
於部份實施例中，第一連接線140可透過部分轉接墊TP1而電性連接至第一扇出線130。第一扇出線130的一端與第一接合墊群120連接，第一扇出線130的另一端則與部分轉接墊TP1連接。
於部份實施例中，第二連接線240可透過部分轉接墊TP2而電性連接至第二扇出線230。第二扇出線230一端與第二接合墊群220連接，第二扇出線230的另一端則與部分轉接墊TP2連接。
第一扇出線130連接第一接合墊群120的一端具有第一扇出寬度L1。第一扇出線130連接部分轉接墊TP1的另一端具有 第二扇出寬度L2。在一實施例中，第二扇出線230連接第二接合墊群220的一端也具有第一扇出寬度L1，且第二扇出線230連接部分轉接墊TP2的另一端也具有第二扇出寬度L2。第二扇出寬度L2大於第一扇出寬度L1。
在一實施例中，陣列基板1可選擇性的更包括位於周邊區RA上的第一修復線R1與第二修復線R2。
第一修復線R1包括第一部分R11、第二部分R13以及接觸窗R12。第一部分R11位於第一扇出線130與第一參考電位線322之間。第一部分R11的一端與其中一個第一接合墊122電性連接，例如：第一部分R11的一端與第一部份R11所對應的第一接合墊122電性連接。
在本實施例中，第一部分R11與第二部分R13屬於不同的導電膜層。舉例來說，第一部分R11屬於第二導電膜層，且第二部分R13屬於第一導電膜層，其中第一導電膜層與第二導電膜層之間可夾設有絕緣層(圖未示)。因此，第一部分R11與第二部分R13需要透過接觸窗R12以互相電性連接。在本實施例中，第二部分R13與部分轉接墊TP1屬於不同的導電膜層。舉例來說，部分轉接墊TP1屬於第二導電膜層，且第二部分R13屬於第一導電膜層。第二部分R13與轉接墊TP1部分重疊。
在一實施例中，當第一訊號線310能傳遞正常的訊號時，第二部分R13與第一訊號線310相分隔開。當第一訊號線310不能傳遞正常的訊號時(故障時)，熔接第二部分R13與對應的轉接 墊TP1，使第一修復線R1的訊號能傳遞至對應的第一訊號線310。
第二修復線R2包括第一部分R21、第二部分R23以及接觸窗R22。第一部分R21位於第二扇出線230與第一參考電位線322之間。第一部分R21的一端與其中一個第二接合墊222電性連接。
在本實施例中，第一部分R21與第二部分R23屬於不同的導電膜層。舉例來說，第一部分R21屬於第二導電膜層，且第二部分R23屬於第一導電膜層，其中第一導電膜層與第二導電膜層之間可夾設有絕緣層(圖未示)。因此，第一部分R21與第二部分R23需要透過接觸窗R22以互相電性連接。在本實施例中，第二部分R23與部分轉接墊TP2屬於不同的導電膜層。舉例來說，部分轉接墊TP2屬於第二導電膜層，且第二部分R23屬於第一導電膜層。第二部分R23與轉接墊TP2部分重疊。
在一實施例中，當第一訊號線310能傳遞正常的訊號時，第二部分R23與第一訊號線310相分隔開。當第一訊號線310不能傳遞正常的訊號時(故障時)，熔接第二部分R23與對應的轉接墊TP2，使第二修復線R2的訊號能傳遞至對應的第一訊號線310。
於另一實施例中，轉接墊TP1或TP2可以為雙層導電結構(例如：第一導電膜層與第二導電膜層)，轉接墊TP1或TP2更包括另一接觸窗(未圖示)可當作導電膜層的轉接層，舉例而言可經由轉接墊TP1/TP2(雙層導電結構)的另一接觸窗(未圖示)將驅動電路110、120訊號經由第一導電膜層或第二導電膜層從周邊區RA 延伸進入顯示區AA。
請參考圖1A與圖1C在一實施例中，陣列基板1可選擇性的更包括位於周邊區RA的多個電子元件150與250。電子元件150位於第一扇出線130與部份第一訊號線310之間。電子元件250位於第二扇出線230與部份第一訊號線310之間。在本實施例中，電子元件150與250可包括抗靜電元件為範例，且每個抗靜電元件150或250包括至少一個二極體，以圖1C為例每兩個抗靜電元件150位於相鄰的兩條第一連接線140之間或者每兩個抗靜電元件250位於相鄰的兩條第二連接線240之間。電子元件150的一端電性連接至對應的第一連接線140，第一連接線140電性連接至對應的第一訊號線310或者電子元件250的一端電性連接至對應的第二連接線240，第二連接線240電性連接至對應的第一訊號線310，則抗靜電元件可用以防止對應的第一訊號線310電流過大而造成短路現象。電子元件150或250的另一端可分別藉由接觸窗152或252而電性連接至對應的導線，例如：第一導線332、第二導線334或第三導線336，其中第一導線332、第二導線334與第三導線336可具有共通電位(COM)或其它合適的電位，然而本發明不以此為限。於部份實施例中，第一連接線140以及第二連接線240可與第一導線332、第二導線334以及第三導線336部份重疊。在一些實施例中，電子元件150或250可包括抗靜電元件、數字標號、對準圖案(box in box)或其他電子元件、或前述至少一種。其中當電子元件150或250為數字標號時可用以標 示製程順序；當電子元件150或250為對準圖案(box in box)時可用以當做光罩或量測的定位標示。
請參考圖1A與圖1B，第一參考電位線322與第一導線332、第二導線334以及第三導線336部份重疊。在一實施例中，第一參考電位線322可以跨過第一導線332、第二導線334以及第三導線336。在一實施例中，第一參考電位線322包括雙層導電結構及/或單層導電結構。
請繼續參考圖1A與圖1B，第一參考電位線322可例如：藉由傳導結構324A而與第二參考電位線326電性連接。
在本實施例中，第一參考電位線322、第二參考電位線326與傳導結構324A屬於不同的導電膜層。舉例來說，第一參考電位線322屬於第二導電膜層，第二參考電位線326屬於第一導電膜層，傳導結構324A屬於第三導電膜層。第一導電膜層與第二導電膜層之間夾有絕緣層I2，第二導電膜層與第三導電膜層之間夾有絕緣層I1。在本實施例中，第一訊號線310、第一連接線140以及第二連接線240屬於第二導電膜層。第二參考電位線326分別與第一訊號線310、第一連接線140以及第二連接線240交錯，例如：第二參考電位線326分別與第一訊號線310、第一連接線140以及第二連接線240實質上垂直。因此，第二參考電位線326跨過多條第一訊號線310、多條第一連接線140以及多條第二連接線240。
在本實施例中，第一參考電位線322與第二參考電位線 326藉由傳導結構324A而電性連接。絕緣層I2具有暴露出第二參考電位線326的多個開口O4。第一參考電位線322具有對應開口O4的開口O2，部分絕緣層I1會填入開口O2中，且填入開口O2的部分絕緣層I1具有開口O3。傳導結構324A填入開口O3與開口O4而電性連接至第二參考電位線326。絕緣層I1還具有暴露出第一參考電位線322的多個開口O1。傳導結構324A填入開口O1而電性連接至第一參考電位線322。在一實施例中，開口O1與開口O4(或開口O3)可交替排列，但不限於此。
若，陣列基板1包括位於主動區AA的多條第一訊號線310、多條第二訊號線340、多個子畫素SPX以及多條參考電位線328。子畫素SPX可分別電性連接至對應的第一訊號線310與第二訊號線340。在一實施例中，第一訊號線310與第二訊號線340分別為資料線與掃描線，且彼此交錯。子畫素SPX電性連接對應的至少一條資料線與對應的至少一條掃描線。在本實施例中，所述相鄰兩條第一訊號線的間距為B。以65吋~85吋顯示面板為範例，間距B可約為124微米至165微米，然本發明並不以此為限。以65吋~85吋顯示面板為範例，第一訊號線(例如：資料線)310總共可為23040條，第二訊號線(例如：掃描線)340可為1920條，而一個顏色子畫素(例如：紅色子畫素)搭配1D1G(one data line and one gate line)電路佈局，所需要的第一訊號線(例如：資料線)310可約為8000條(8K)，則可稱為超高解析度(8K)之顯示面板，然本發明並不以此為限。以65吋~85吋顯示面板為例，第一訊號線310舉例而言可 以為23040條，第二訊號線340舉例而言可以為1920條，而一個顏色子畫素(例如：紅色子畫素)搭配2DhG(two data lines and half gate line)電路佈局，所需要的第一訊號線(例如：資料線)310可約為4000條(4K)，則可稱為高解析度(4K)之顯示面板，然本發明並不以此為限。
第一參考電位線322經由第二參考電位線326電性連接於參考電位線328。在一實施例中，參考電位線328的電位可以約為0V。在一實施例中，參考電位線328可以是浮置的(floating)。在一實施例中，參考電位線328可以施加有固定的電位或可調整的電位。在本實施例中，參考電位線328與第一訊號線310皆屬於第二導電膜層，第二參考電位線326與第二訊號線340則屬於第一導電膜層。第二參考電位線326透過接觸窗324B而與參考電位線328電性連接。在一實施例中，每一排子畫素SPX對應一條參考電位線328，相鄰的兩條參考電位線328之間的間距D為約81微米至約82微米，然本發明並不以此為限。
圖2是依照本發明的一實施例的一種陣列基板的示意圖。在此必須說明的是，圖2和圖3的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖2和圖1A的主要差別在於：第一連接線140包括依序連接的第一連接部140A、第一延伸部140B以及第一轉折部 140C。第一轉折部140C連接第一延伸部140B與對應的第一訊號線310。第一連接線140靠近對應的第一訊號線310的部分具有至少兩個轉折角144/146。在一實施例中，第一轉折部140C具有轉折角146，且第一連接線140(或第一連接線140的第一轉折部140C)與第一訊號線310在第二參考電位線326上方連接。第一轉折部140C與第一延伸部140B之間具有轉折角144。第一轉折部140C連接第一延伸部140B的一端具有第三扇出寬度L3。第一轉折部140C連接第一訊號線310的另一端具有第四扇出寬度L4。
在本實施例中，第二連接線240包括依序連接的第二連接部240A、第二延伸部240B以及第二轉折部240C。第二連接線240靠近對應的該第一訊號線310的部分具有至少兩個轉折244/246。在一實施例中，第二轉折部240C具有轉折角246，且第二連接線240(或第二連接線240的第二轉折部240C)與第一訊號線310在第二參考電位線326上方連接。第二轉折部240C與第二延伸部240B之間具有轉折角244。在一實施例中，第二轉折部240C連接第二延伸部240B的一端也具有第三扇出寬度L3。第二轉折部240C連接第一訊號線310的另一端也具有第四扇出寬度L4。在一實施例中，第四扇出寬度L4大於第三扇出寬度L3。在一實施例中，第三扇出寬度L3大於第二扇出寬度L2，且第二扇出寬度L2大於第一扇出寬度L1。
由此可知，圖2的陣列基板2和圖1A的陣列基板1應用在相同尺寸顯示面板時，圖2的陣列基板2在顯示區AA可以容 納比陣列基板1較多的子畫素SPX。換句話說，由於陣列基板2比陣列基板1較可應用在更高解析度的顯示面板，陣列基板2的主動區AA的第一訊號線310將可比陣列基板1較多，則顯示面板周邊區RA空間的利用率對陣列基板2將更為重要。
在本實施例中，每個子畫素SPX位於對應之相鄰兩條第一訊號線310之間。由於顯示面板解析度提升，圖2所述相鄰兩條第一訊號線310的間距B相較於圖1A所示的間距B為更小，以85吋顯示面板為例，圖2間距B舉例為約81微米至約82微米，然本發明並不以此為限。相鄰的轉接墊TP1的中心之間的距離為A，距離A可約為40微米至55微米，然本發明並不以此為限。以85吋顯示面板為範例，第一訊號線(例如：資料線)310總共可以為46080條，第二訊號線(例如：掃描線)340可為3840條，而一個顏色子畫素(例如：紅色子畫素)搭配1D1G(one data line and one gate line)電路佈局，所需要的第一訊號線(例如：資料線)310可約為15360條(可視為約16K)，則可稱為超高解析度(16K)之顯示面板，然本發明並不以此為限。以85吋顯示面板為範例，第一訊號線(例如：資料線)310總共可以為46080條，第二訊號線(例如：掃描線)340可為3840條，而一個顏色子畫素(例如：紅色子畫素)搭配2DhG(two data lines and half gate line)電路佈局，所需要的第一訊號線(例如：資料線)310可約為8000條(可視為約8K)，則可稱為超高解析度(8K)之顯示面板，然本發明並不以此為限。
請參考圖3，圖3是圖1A與圖2子畫素的電路佈局示意圖。每個子畫素SPX可包括第一畫素電極SPX1、第二畫素電極SPX2、主動元件T1、主動元件T2以及主動元件T3，但不限於此。於其它實施例中，每個子畫素SPX可包括第一畫素電極SPX1或第二畫素電極SPX2其中一個以及主動元件T1、主動元件T2以及主動元件T3其中至少一個。於本實施例中，主動元件T1與主動元件T2的源極電性連接至第一訊號線(例如：資料線)310。主動元件T3的汲極電性連接至共用電壓訊號TD，參考電位線328用以提供共用電壓訊號TD，其中第一參考電位線322用以提供驅動電路110、120訊號傳遞至參考電位線328。主動元件T1、主動元件T2與主動元件T3的閘極電性連接至第二訊號線(例如：掃描線)340。其中，主動元件T1、主動元件T2與主動元件T3可連接同一條或不同條第二訊號線(例如：掃描線)340。主動元件T1的汲極電性連接至第一畫素電極SPX1，且電性連接至液晶電容C1c1與儲存電容Cst1。主動元件T2汲極與主動元件T3的源極電性連接至第二畫素電極SPX2，且電性連接至液晶電容C1c2與儲存電容Cst2。
本實施例中，利用轉折角144/146/244/246的設置，可較增加顯示面板周邊區RA空間的利用率。在相同尺寸的顯示面板中，使用陣列基板2的顯示面板可以設置更多的子畫素，增加顯示面板解析度。換句話說，因為第一連接線140與第二連接線240之間具有容置空間C，可較改善因主動區AA訊號線增加而造成周 邊區空間的利用率不足的情形。
本發明之前述陣列基板中，第一參考電位線可同時連接到第一接合墊以及第二接合墊。因此，第一驅動電路與第二驅動電路可以共同控制施加於第一參考電位線的訊號，使第一參考電位線的訊號能夠更穩定，增加顯示面板的顯示品質。
本發明之前述陣列基板中，第一參考電位線設置於容置空間中，能夠增加顯示面板周邊區空間的利用率。
本發明之前述陣列基板中，第一連接線以及第二連接線具有多個轉折角。因此，可更增加了顯示面板周邊區空間的利用率。
本發明之前述陣列基板中，因周邊區空間的利用率(例如：空置空間)增加，可使得前述陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)於超高解析度(例如：8K)時，仍可讓前述陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)子畫素所需要的線路設置於前述陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)上，而可不會減少超高解析度(例如：8K)之子畫素數目，更甚者，可增加子畫素數目，可使得前述陣列基板(例如：顯示面板中的陣列基板)應用於超高解析度(例如：16K)。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (13)

  1. 一種陣列基板，包括：一基板，具有一主動區以及位於該主動區至少一側的一周邊區；多條第一訊號線，位於該主動區；多個子畫素，位於該主動區，且分別電性連接至該些第一訊號線；多條參考電位線，位於該主動區；一第一接合墊群以及與該第一接合墊群分隔之一第二接合墊群，位於該周邊區，且該第一接合墊群具有多個第一接合墊，該第二接合墊群具有多個第二接合墊；多條第一扇出線與多條第二扇出線，位於該周邊區，且分別電性連接至該些第一接合墊以及該些第二接合墊；多條第一連接線，電性連接該些第一扇出線至對應的該些第一訊號線；多條第二連接線，電性連接該些第二扇出線至對應的該些第一訊號線，其中最靠近該些第二接合墊的該第一連接線與最靠近該些第一接合墊的該第二連接線之間具有一容置空間；一第一參考電位線，位於該容置空間，且電性連接於該些參考電位線；以及多個轉接墊，位於該周邊區，其中該些第一扇出線的一端與該第一接合墊群連接，該些第一扇出線的另一端與部分該些轉接墊連接，且該些第二扇出線的一端與該第二接合墊群連接，該些第二扇出線的另一端與與另一部分該些轉接墊連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包含一第二參考電位線，且該第一參考電位線經由該第二參考電位線電性連接於該些參考電位線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中，該第二參考電位線與該些第一訊號線交錯。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中，該些第一訊號線包含資料線。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中，該些第一訊號線包含掃描線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括：多個電子元件，位於該周邊區，其中，部份該些電子元件位於該些第一扇出線與部份該些第一訊號線之間，另一部份該些電子元件位於該些第二扇出線與另一部份該些第一訊號線之間；以及多條導線，該些第一連接線以及該些第二連接線部分重疊該些導線，其中各該電子元件電性連接至該些導線中對應的一者，且該些電子元件位於該些導線與該些轉接墊之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括：一第一驅動電路，電性連接至該第一接合墊群；一第二驅動電路，電性連接至該第二接合墊群。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該第一參考電位線電性連接於該些第一接合墊的其中一者與該些第二接合墊的其中一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中每一該第一連接線靠近對應的該第一訊號線的部分具有至少兩個轉折角；以及每一該第二連接線靠近對應的該第一訊號線的部分具有至少兩個轉折。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中各該第一連接線包括一第一連接部與一第一延伸部，其中該第一連接部連接對應之多個轉接墊的其中之一與該第一延伸部，該第一延伸部連接該第一連接部與對應之多個第一訊號線的其中之一，且各該第二連接線包括一第二連接部與一第二延伸部，其中該第二連接部連接對應之多個轉接墊的其中之一與該第二延伸部，該第二延伸部連接該第二連接部與對應之多個第一訊號線的其中之一。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的陣列基板，其中該第一連接部與該第一延伸部具有一第一轉折角，且該第二連接部與該第二延伸部具有一第二轉折角。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的陣列基板，其中各該第一連接線更包括一第一轉折部，該第一轉折部兩端分別具有兩個轉折角，該第一轉折部連接該第一延伸部與對應之多個第一訊號線的其中之一，且各該第二連接線更包括一第二轉折部，該第二轉折部兩端分別具有另外兩個轉折角，該第二轉折部連接該第二延伸部與對應之多個第一訊號線的其中之一。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的陣列基板，其中該些第一扇出線連接該第一接合墊群的一端，與該些第二扇出線連接該第二接合墊群的一端，分別具有一第一扇出寬度，該些第一扇出線連接至少部分該些轉接墊的另一端，與該些第二扇出線連接至少部分該些轉接墊的另一端，分別具有一第二扇出寬度，該些第一轉折部連接該些第一延伸部的一端，與該些第二轉折部連接該些第二延伸部的一端，分別具有一第三扇出寬度，該些第一轉折部連接該些第一訊號線的另一端，與該些第二轉折部連接該些第一訊號線的另一端，分別具有一第四扇出寬度，且該第四扇出寬度大於該第三扇出寬度，該第三扇出寬度大於該第二扇出寬度，該第二扇出寬度大於該第一扇出寬度。
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