TWI650402B - 有機電致發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種有機電致發光裝置，包括層疊設置的第一電極和電洞注入層，所述第一電極和所述電洞注入層之間形成歐姆接觸，所述電洞注入層的載子遷移率小於2×10-5
CM2
V-1
S-1
。本發明通過採用低遷移率的材料作為電洞注入層，使得該有機電致發光裝置中電洞的遷移率降低，從而能夠在OLED的發光層降低電洞的濃度，使得發光層中的電洞和電子的數量趨於平衡，提高了電洞和電子的複合區域，進而提高了OLED的電流效率。
Description
本發明是關於顯示技術領域，且特別是有關於一種有機電致發光裝置。
有機電致發光裝置(Organic Light-Emitting Device，簡稱OLED)是主動發光裝置，具有低功耗、色域廣、體積更薄等優點，有望成為下一代主流照明和平板顯示技術。目前，有機電致發光技術已經在智慧手機顯示螢幕等小尺寸面板上得到了廣泛的應用。
通常，OLED包括在基板上層疊設置的陽極、有機發光層和陰極，以及夾設在電極與發光層之間的載子功能層。在工作時，載子(即，電洞和電子)通過陽極、陰極被注入到有機發光層中，不同的載子在發光材料中結合從而以光的形式釋放其能量。
然而，電洞和電子的遷移率並不相同，從而影響OLED的電流效率。
因此，本發明要解決的技術問題在於克服現有技術中有
機電致發光裝置的電流效率較低的缺陷，從而提供一種有機電致發光裝置。
本發明提供了一種有機電致發光裝置，該有機電致發光裝置包括層疊設置的第一電極和電洞注入層，所述第一電極和所述電洞注入層之間形成歐姆接觸，所述電洞注入層的載子遷移率小於2×10-5CM2V-1S-1。
可選地，構成所述電洞注入層的材料包括第一電洞傳輸材料和P型摻雜材料。
可選地，所述P型摻雜材料選自F4TCNQ、NDP-9或FeCl3、MoO3、WO3等過渡金屬化合物。
可選地，所述第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.3eV至-4.8eV。
可選地，所述第一電洞傳輸材料為以下式(I)表示的結構之化合物：
其中，Ar1-Ar4彼此獨立地為取代或者無取代的苯基、聯苯基、聯三苯基、菲基；R1-R2彼此獨立地為H原子、鹵素原子、C1-C40的脂肪族直鏈、支鏈烴基。
可選地，所述第一電洞傳輸材料選自以下式(I-1)至(I-4)
或式(III)表示的結構之化合物，但不限於此：
可選地，所述P型摻雜材料與所述第一電洞傳輸材料的質量比在1：100到1：10之間。
可選地，所述電洞注入層的厚度為5nm至30nm。
可選地，所述有機電致發光裝置還包括與所述電洞注入層歐姆接觸的電洞傳輸層，其中構成所述電洞傳輸層的材料為第
二電洞傳輸材料，所述第二電洞傳輸材料的載子遷移率大於所述第一電洞傳輸材料的載子遷移率。
可選地，所述電洞傳輸層的載子遷移率大於1×10-4CM2V-1S-1。
可選地，所述第二電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.6eV至-5.1eV。
可選地，所述第二電洞傳輸材料為以下式(Ⅱ)表示的結構之化合物：
其中，Ar1-Ar2彼此獨立地為取代或未取代的C5-C30的芳香族基團；X為O或S；L為單鍵或選自C4-C10的芳香族基團；n大於等於1；a、b、c、d大於等於1；R1-R4為鹵素原子、羧基、C1-C30的脂肪族直鏈或支鏈烴基。
可選地，所述第二電洞傳輸材料選自以下式(Ⅱ-1)至(Ⅱ-5)或式(IV)表示的結構之化合物，但不限於此：
可選地，所述電洞傳輸層的厚度為50nm至200nm。
本發明的技術內容具有如下優點：
1.本發明實施例提供的有機電致發光裝置，包括層疊設置的第一電極和電洞注入層，所述第一電極和所述電洞注入層之間形成歐姆接觸，所述電洞注入層的載子遷移率小於2×10-5CM2V-1S-1。本發明通過採用低遷移率的材料作為電洞注入
層，使得該有機電致發光裝置中電洞的遷移率降低，從而能夠在OLED的發光層降低電洞的濃度，使得發光層中的電洞和電子的數量趨於平衡，提高了電洞和電子的複合區域，進而提高了OLED的電流效率。
2.本發明實施例提供的有機電致發光裝置，其中第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.3eV至-4.8eV。本發明通過HOMO能階低的第一電洞傳輸材料作為電洞注入層，能夠使得電洞注入層內的電洞的遷移率降低，達到在OLED的發光層降低電洞濃度的目的；此外，電洞注入層的材料中還有P型摻雜材料，由於該材料的LUMO能階與第一電洞傳輸材料的HOMO能階之間的能階交疊較小，能夠有效降低OLED的驅動電壓。
3.本發明實施例提供的有機電致發光裝置，其中P型摻雜材料的摻雜濃度為1wt%至10wt%。本發明通過P型摻雜材料的摻雜濃度，在降低電洞遷移率的同時，能夠保證在OLED的發光層中電洞和電子的數量趨於平衡，進而達到提高電洞電子複合區域的面積，提高OLED的電流效率。
4.本發明實施例提供的有機電致發光裝置，其中電洞傳輸層的厚度為50nm至200nm。本發明的電洞傳輸層與OLED的反射電極之間形成微腔結構，導致發生光的破壞性干涉和相長干涉，最終只保持預定波長的光的強度而降低其它波長的光的強度，而該厚度能夠保證光在電洞傳輸層中反射時產生合適的相位差，達到提高光的提取效率的目的。
為了更清楚地說明本發明具體實施方式或現有技術中的技術內容，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，對於所屬技術領域具有通常知識者而言，可以根據附圖獲得其他的附圖。
10‧‧‧基板
20‧‧‧第一電極
30‧‧‧電洞注入層
40‧‧‧電洞傳輸層
50‧‧‧發光層
60‧‧‧電子傳輸層
70‧‧‧電子注入層
80‧‧‧第二電極
圖1為根據本發明的一個實施例的OLED的結構示意圖。
下面將結合附圖對本發明的技術內容進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，所屬技術領域具有通常知識者在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，都屬於本發明保護的範圍。
在本發明的描述中，需要說明的是，雖然術語「第一」和「第二」可能在本文中用於描述各種特徵/要素，但是除非另有特別指明，這些特徵/要素不應當被這些術語限制。這些術語可以用來將一個特徵/要素與另一特徵/要素區分開來。因此，以下描述的第一特徵/要素可以稱為第二特徵/要素，類似地，以下討論的第二特徵/要素可以稱為第二特徵/要素，而不脫離本發明保護的範
圍。
本發明可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限於在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，並且將把本發明的構思充分傳達給所屬技術領域具有通常知識者，本發明將僅由申請專利範圍來限定。在附圖中，為了清晰起見，會誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是，當元件例如層被稱作「形成在」或「設置在」另一元件「上」時，該元件可以直接設置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作「直接形成在」或「直接設置在」另一元件上時，不存在中間元件。
如圖1所示，在本實施例中，提供了一種有機電致發光裝置。該有機電致發光裝置包括基板10，以及依次層疊設置在基板10上的第一電極20、電洞注入層30、電洞傳輸層40、發光層50、電子傳輸層60、電子注入層70、第二電極80。
其中，基板10可以是硬質基板，如玻璃或是可撓性基片。其中，可撓性基片可採用聚酯類、聚醯亞胺類化合物材料或者薄金屬片製備。該有機電致發光裝置的封裝可採用所屬技術領域具有通常知識者已知的任意合適方法，例如薄膜封裝。
第一電極20可以作為陽極，而對應的第二電極80為陰極。本發明實施例中的OLED以頂發光裝置為例，進行詳細描述，即本實施例中的第一電極20為透明陽極，第二電極80為金屬陰極。作為本發明的一種可選實施例，第二電極80為反射電極。
其中，第一電極20(即透明陽極)可以採用無機材料或有機導電聚合物。無機材料例如為銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、金屬氧化物或金、銅、銀等功函數較高的金屬，較佳為銦錫氧化物(ITO)。第二電極80(即金屬陰極或反射電極)例如為鋁、銀等導電性好的金屬材料，或者金屬導電氧化物。有機導電聚合物較佳為聚二氧乙基噻吩/聚苯乙烯基磺酸(簡稱PEDOT/PSS)、聚苯胺(簡稱PANI)中的一種。
電子注入層70可以採用金屬單質、金屬的氧族元素、具有鹵素的金屬化合物或金屬合金。電洞注入層30以及電洞傳輸層40將在下文描述。
電子傳輸層60的材料採用螢光染料化合物，例如為Alq、Znq、Gaq、Bebq、Bphen、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等其中之一。
發光層50的發光染料可以為螢光染料，也可以為磷光染料，或兩者的組合。
本發明可以為白光OLED，也可以為單色OLED，可用於照明或顯示領域。本發明實施例中的OLED以藍光頂發光裝置為例，進行詳細描述，但不以此為限。
可選的，電洞注入層30的厚度為5nm至30nm，其中電洞注入層30的材料可包括第一電洞傳輸材料和P型摻雜材料。該第一電洞傳輸材料例如為式(I)表示的結構之化合物(如上述)，其中，Ar1-Ar4彼此獨立地為取代或者無取代的苯基、聯苯基、聯
三苯基、菲基；R1-R2彼此獨立地為H原子、鹵素原子、C1-C40的脂肪族直鏈或支鏈烴基。電洞注入層30的載子遷移率小於2×10-5CM2V-1S-1。第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.3eV至-4.8eV。
第一電洞傳輸材料例如為式(I-1)至(I-4)或式(III)表示的結構之化合物(如上述)其中之一，但不以此為限。
其中，P型摻雜材料選自於NOVALED公司的有機摻雜劑，例如為2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌(F4TCNQ)、NDP-9、NDP-2或FeCl3、MoO3、WO3等過渡金屬化合物，但不限於此。其中摻雜濃度例如為1wt%至10wt%，較佳為3wt%至5wt%。
在一個實施例中，電洞傳輸層40的厚度為50nm至200nm，其中電洞傳輸層40的材料為第二電洞傳輸材料。該第二電洞傳輸材料例如為式(Ⅱ)表示的結構之化合物(如上述)，其中，Ar1-Ar2彼此獨立地為取代或未取代的C5-C30的芳香族基團；X為O或S；L為單鍵、選自C4-C10的芳香族基團；n大於等於1；R1-R4是鹵素原子、羧基、C1-C30的脂肪族直鏈或支鏈烴基。電洞傳輸層40的載子遷移率大於1×10-4CM2V-1S-1，即第二電洞傳輸材料的載子遷移率大於第一電洞傳輸材料的載子遷移率。第二電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.6eV至-5.1eV。
第二電洞傳輸材料例如為式(Ⅱ-1)至(Ⅱ-5)或式(IV)表示的結構之化合物(如上述)其中之一，但不以此為限。
以下將參照數個實施例和比較例，其中所涉及的材料均為市售或實驗室合成。雖然列舉了以下實施例和比較例，但不應根據下文所述的內容對本發明作出限制性的解釋。
實施例1
本實施例提供的有機電致發光裝置的結構為：ITO(厚度為20nm)/式(I-1)：F4TCNQ(4wt%，厚度為20nm)/式(Ⅱ-1)(76nm)/AND：perylene(3wt%，厚度為30nm)/Bphen(厚度為25nm)/Ag(厚度為16nm)/Alq3(厚度為65nm)。
其中，ITO：銦錫氧化物，為第一電極。
AND：9,10-二(2-萘基)蒽，為發光層的摻雜材料。
Perylene：苝，為發光層的主體材料。
Bphen：4,7-二苯基-1,10-菲囉啉，為電子傳輸層的材料。
Ag：銀，為第二電極。
Alq3：三(8-羥基喹啉)鋁，為光耦合層。
第一電洞傳輸材料為式(I-1)表示的結構之化合物(如上述)，其中P型摻雜材料為F4TCNQ，P型摻雜材料與第一電洞傳輸材料的質量比在4：100；電洞注入層30的厚度為20nm；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物(如上述)，電洞傳輸層40的厚度為76nm。
在本實施例中，第一電極20和電洞注入層30之間形成歐姆接觸，在第一電極20和電洞注入層30接觸面之間不產生明顯的附加阻抗，即接觸面之間的具有較低的勢壘高度，從而使得
電洞能夠很容易實現從第一電極20遷移至電洞注入層30。此外，電洞注入層30的載子遷移率為1.0×10-5cm2V-1S-1。通過採用低遷移率的材料作為電洞注入層30，使得該有機電致發光裝置中電洞的遷移率降低，從而能夠在OLED的發光層降低電洞的濃度，使得發光層中的電洞和電子的數量趨於平衡，提高了電洞和電子的複合區域，進而提高了OLED的電流效率。
此外，P型摻雜材料的LUMO能階為-4.9eV，第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.0eV，由於第一電洞傳輸材料的HOMO能階與P型摻雜材料的LUMO能階之間的能階交疊較小，能夠達到有效降低OLED的驅動電壓的目的，進而提高OLED的使用壽命。
在本實施例中，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%，摻雜有該濃度的電洞注入層30能夠在降低電洞遷移率的同時，保證在OLED的發光層50中電洞和電子的數量平衡，進而達到提高電洞電子複合區域的面積，提高OLED的電流效率。
其中，電洞注入層30的厚度為20nm，該厚度的電洞注入層30一方面能夠提高OLED的電流效率，另一方面能夠保證OLED的工作電壓穩定，進而提高了OLED的使用壽命。
在本實施例中，電洞傳輸層40的載子遷移率為2.8×10-4cm2V-1S-1，電洞的遷移率為3×10-4cm2V-1S-1，即電洞傳輸層40的載子遷移率與電洞的遷移率基本相等，能夠保證電洞的有效注入，提高電洞電子在發光層50的複合機率。
在本實施例中，第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.0eV，通過選用HOMO能階低的材料作為電洞注入層30中的第一電洞傳輸材料，能夠使得電洞注入層內的電洞的遷移率降低，達到在OLED的發光層降低電洞濃度的目的。此外，第二電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.4eV，由於第二電洞傳輸材料的HOMO能階低於第一電洞傳輸材料的HOMO能階，使得電洞注入層30的電洞遷移率降低，進而降低了OLED發光層50中的電洞濃度，提高了發光層50中電洞電子的複合面積，有效提高了OLED的電流效率。
在本實施例中，由於電洞傳輸層40與OLED的第二電極80(即反射電極)形成微腔結構，導致發生光的破壞性干涉和相長干涉，最終只保持預定波長的光的強度而降低其它波長的光的強度。
作為本實施例的一種可選實施方式，在進行微腔結構調整時，可以通過調節電洞傳輸層40的厚度，控制光線的透過率，從而調節光在電洞傳輸層40中反射時產生的相位差。
作為本發明的可變換實施例，現有技術中的任意有機發光二極體(OLED)，其電洞注入層結構符合本發明申請專利範圍的要求的均可以現實本發明的目的，屬於本發明的保護範圍。
實施例2
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-1)
表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為8wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-2)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例3
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-2)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(IV)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例4
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-3)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為8nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(IV)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為88nm。
實施例5
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-4)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30
的厚度為7nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-3)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為89nm。
實施例6
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(III)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為6nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-4)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為90nm。
實施例7
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(III)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為2wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-5)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例8
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(III)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為1wt%；第二電洞傳輸材
料為式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例9
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-4)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為5nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為100nm。
實施例10
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-4)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為25nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-2)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為120nm。
實施例11
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-1)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為30nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-5)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度
為200nm。
實施例12
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-1)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為3wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-4)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例13
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-2)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為5wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-4)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例14
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-2)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為10wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-3)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
實施例15
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-3)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層30的厚度為12nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為3wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為65nm。
實施例16
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-2)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為F4TCNQ，電洞注入層30的厚度為11nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為10wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-4)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為50nm。
比較例1
本實施例提供一種有機電致發光裝置，包括基板，以及依次層疊設置在基板上的第一電極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、第二電極。具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-1)表示的結構之化合物，電洞注入層的厚度為40nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-4)，電洞傳輸層的厚度為100nm。
比較例2
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(I-2)表示的結構之化合物，電洞注入層的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為0.5wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
比較例3
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：電洞注入層的厚度為0nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為0wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-2)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為90nm。
比較例4
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(III)表示的結構之化合物，電洞注入層的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為0wt%；第二電洞傳輸材料為式(IV)表示的結構之化合物，電洞傳輸層的厚度為76nm。
比較例5
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(III)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層的厚度為12nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為3wt%；第二電洞傳輸材料為
式(Ⅱ-1)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為0nm。
比較例6
本實施例提供一種有機電致發光裝置，具體結構如同實施例1，與實施例1的差異在於：第一電洞傳輸材料為式(Ⅱ-5)表示的結構之化合物，P型摻雜材料為NDP-9，電洞注入層的厚度為10nm，P型摻雜材料的摻雜濃度為4wt%；第二電洞傳輸材料為式(Ⅱ-5)表示的結構之化合物，電洞傳輸層40的厚度為86nm。
接著，將上述實施例1至16與比較例1至6的有機電致發光裝置之電洞注入層的厚度及P型摻雜材料的摻雜濃度與電洞傳輸層的厚度整理如表1所示。
然後，將上述實施例1至16與比較例1至6的有機電致發光裝置的測試結果整理如表2所示。
根據上述表1和表2中實施例1和比較例6的數據可以
得知，實施例1中電流效率相較於比較例6中電流效率提高了10%，選用低遷移率的第一電洞傳輸材料作為電洞注入層，使得該OLED中電洞的遷移率降低，從而能夠在OLED的發光層降低電洞的濃度，使得發光層中的電洞和電子的數量趨於平衡，增大了電洞和電子的複合區域，有利於電子電洞的平衡進而可以有效提高OLED的電流效率；根據上述表1和表2中實施例1、3-6、9-11及比較例1的數據可以得知，電洞注入層的厚度減少，對應OLED的電流效率提高，當電洞注入層的厚度超過10nm時，OLED的電壓穩定；根據上述表1和表2中實施例2、3、7、8、12-16及比較例2的數據可以得知，P型摻雜材料的摻雜濃度降低，OLED的電流效率升高，當摻雜濃度超過4wt%時，注入勢壘能帶彎曲趨近於飽和，對應OLED的電壓穩定。因此，如比較例3-5所示，無論是否設置電洞注入層或電洞傳輸層，或者在電洞注入層中沒有P型摻雜，都不能實現本發明的目的。
顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬任何技術領域具有通常知識者而言，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明保護的申請專利範圍之中。
Claims (12)
- 一種有機電致發光裝置，包括：層疊設置的第一電極及電洞注入層；其中所述第一電極和所述電洞注入層之間形成歐姆接觸，所述電洞注入層的載子遷移率小於2×10-5CM2V-1S-1。
- 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光裝置，其中，構成所述電洞注入層的材料包括第一電洞傳輸材料和P型摻雜材料。
- 如申請專利範圍第2項所述的有機電致發光裝置，其中，所述P型摻雜材料選自F4TCNQ、NDP-9、FeCl3、MoO3及WO3中的至少一種，所述P型摻雜材料與所述第一電洞傳輸材料的質量比在1：100到1：10之間。
- 如申請專利範圍第2項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第一電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.3eV至-4.8eV，所述電洞注入層的厚度為5nm至30nm。
- 如申請專利範圍第2項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第一電洞傳輸材料為以下式(I)表示的結構之化合物，其中，Ar1-Ar4彼此獨立地為取代或者無取代的苯基、聯苯基、聯三苯基、菲基；R1-R2彼此獨立地為H原子、鹵素原子、C1-C40的脂肪族直鏈或支鏈烴基。
- 如申請專利範圍第5項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第一電洞傳輸材料選自以下式(I-1)至(I-4)表示的結構之化合物，
- 如申請專利範圍第2項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第一電洞傳輸材料為以下式(III)表示的結構之化合物，
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的有機電致發光裝置，更包括與所述電洞注入層歐姆接觸的電洞傳輸層，其中構成所述電洞傳輸層的材料為第二電洞傳輸材料，所述第二電洞傳輸材料的載子遷移率大於所述第一電洞傳輸材料的載子遷移率。
- 如申請專利範圍第8項所述的有機電致發光裝置，其中，所述電洞傳輸層的載子遷移率大於1×10-4CM2V-1S-1，所述第二電洞傳輸材料的HOMO能階為-5.6eV至-5.1eV，所述電洞傳輸層的厚度為50nm至200nm。
- 如申請專利範圍第8項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第二電洞傳輸材料為以下式(Ⅱ)表示的結構之化合物，其中，Ar1-Ar2彼此獨立地為取代或未取代的C5-C30的芳香族基團；X為O或S；L為單鍵或選自C4-C10的芳香族基團；n大於等於1；a、b、c、d大於等於1；R1-R4為鹵素原子、羧基、C1-C30的脂肪族直鏈或支鏈烴基。
- 如申請專利範圍第10項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第二電洞傳輸材料選自以下式(Ⅱ-1)至(Ⅱ-5)表示的結構之化合物，
- 如申請專利範圍第8項所述的有機電致發光裝置，其中，所述第二電洞傳輸材料選自以下式(IV)表示的結構之化合物，
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