TWI644595B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI644595B
TWI644595B TW105121618A TW105121618A TWI644595B TW I644595 B TWI644595 B TW I644595B TW 105121618 A TW105121618 A TW 105121618A TW 105121618 A TW105121618 A TW 105121618A TW I644595 B TWI644595 B TW I644595B
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Abstract

本發明之顯示裝置包含：基板，其具有分別排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板。上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者，上述複數個發光部係包含第1發光部與第2發光部，上述第1發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第1配線重合之區域，上述第2發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第2配線重合之區域。

Description

顯示裝置
本發明關於一種顯示裝置。
已知有包含發光區域之像素與光透過性之區域鄰接配置，以來自像素之發光顯示圖像且透過來自外部之光之顯示器，即所謂之透明顯示器之存在。
於日本專利特開2011-142290號公報及日本專利特開2014-107268號公報揭示有於包含發光區域之2個像素區域之間設置透過區域之有機發光顯示裝置。
俯視觀察透明顯示器，例如發光區域僅自一方向之兩側夾著透過區域之情形，容易產生視角特性惡化之現象或所謂之對所反射之外光著色之現象。
本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種抑制視角特性惡化之現象或抑制所謂之對反射外光之光著色之現象產生的技術。
本申請案中揭示之發明中，若簡單說明代表性者之概要，則如下所述。本發明之顯示裝置具有：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於 上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板。上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者，上述複數個發光部係包含第1發光部與第2發光部，上述第1發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第1配線重合之區域，上述第2發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第2配線重合之區域。
本發明之其他顯示裝置係將於第1方向延伸之複數條第1配線、於與上述第1方向交叉之第2方向延伸之複數條第2配線、由上述複數條第1配線與上述複數條第2配線包圍之透過區域彼此隔開配置，且具備與上述複數條第1配線與上述複數條第2配線之任一者重合之第1發光部、第2發光部、第3發光部、及第4發光部，上述透過區域係由上述第1、第2發光部、第3發光部及第4發光部包圍。
根據本發明，可抑制視角特性惡化之現象或所謂之對所反射之外光著色之現象之產生。
BK‧‧‧擋堤
CE‧‧‧共通電極
CH‧‧‧接觸孔
CS‧‧‧電容器
DL‧‧‧資料線
DL1‧‧‧資料線
DL2‧‧‧資料線
GL‧‧‧閘極線
GL1‧‧‧閘極線
GL2‧‧‧閘極線
IB‧‧‧發光部
IG‧‧‧發光部
IN1‧‧‧第1絕緣層
IN2‧‧‧第2絕緣層
IN3‧‧‧第3絕緣層
IR‧‧‧發光部
IW‧‧‧發光部
LE‧‧‧發光元件
LM‧‧‧微透鏡
LM2‧‧‧微透鏡
OL‧‧‧發光層
PC‧‧‧像素電路
PC1‧‧‧像素電路
PC2‧‧‧像素電路
PE‧‧‧像素電極
PL‧‧‧電源線
PW‧‧‧電源供給電路
PX‧‧‧全彩像素
SB‧‧‧陣列基板
SF‧‧‧密封膜
TFT1‧‧‧薄膜電晶體
TFT2‧‧‧薄膜電晶體
TP‧‧‧透過區域
XDV‧‧‧驅動電路
XW‧‧‧配線區域
YDV‧‧‧驅動電路
YW‧‧‧配線區域
圖1係顯示第1實施形態之有機EL顯示裝置之等價電路之一例之電路圖。
圖2係顯示第1實施形態之有機EL顯示裝置中發光部與透過區域之配置之一例之圖。
圖3係顯示圖2所示之有機EL顯示裝置之陣列基板之一例之俯視圖。
圖4係圖3所示之陣列基板之IV-IV切斷線之剖視圖。
圖5係顯示像素電路之等價電路之電路圖。
圖6係顯示陣列基板之其他一例之剖視圖。
圖7係顯示陣列基板之其他一例之剖視圖。
圖8係顯示陣列基板之其他一例之俯視圖。
圖9係圖8所示之陣列基板上之像素電路之IX-IX切斷線之剖視圖。
圖10係顯示陣列基板之其他一例之剖視圖。
圖11係顯示陣列基板之其他一例之剖視圖。
圖12係顯示發光部與透過區域之配置之其他一例之圖。
圖13係顯示發光部與透過區域之配置之其他一例之圖。
圖14係顯示第2實施形態之有機EL顯示裝置中之發光部與透過區域之配置之一例之圖。
圖15係顯示圖14所示之有機EL顯示裝置之陣列基板之一例之俯視圖。
圖16係圖15所示之陣列基板之XVI-XVI切斷線之剖視圖。
圖17係顯示發光部與透過區域之配置之其他一例之圖。
圖18係顯示發光部與透過區域之配置之其他一例之圖。
圖19係顯示第3實施形態之有機EL顯示裝置中之發光部與透過區域之配置之一例之圖。
圖20係顯示圖19所示之有機EL顯示裝置之陣列基板之一例之俯視圖。
圖21係顯示發光部與透過區域之配置之其他一例之圖。
以下，關於本發明之實施形態，基於圖式進行說明。對於出現之構成要件中具有相同功能者附註相同符號，省略其說明。以下，作為本發明之實施形態，對於對顯示裝置之一種即有機EL顯示裝置應用本發明之情形之例進行說明。
[第1實施形態]
本發明之第1實施形態之有機EL顯示裝置包含陣列基板SB(參照圖4)、連接於陣列基板SB之可撓性電路基板、及驅動積體電路。於陣 列基板SB配置發出RGB等各色光之複數個發光元件LE(參照圖5)，且藉由控制發光元件LE之各者之亮度而實現全彩顯示。於本實施形態中，發光元件LE為OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)，但亦可為其他種類之發光元件。另，亦可藉由白色LED與彩色濾光片而實現全彩顯示。
圖1係顯示第1實施形態之有機EL顯示裝置之等價電路之一例之電路圖。圖1所示之電路係物理性地形成於陣列基板SB(參照圖4)上或驅動積體電路內。於陣列基板SB上配置有複數個像素電路PC、複數條閘極線GL、複數條資料線DL、及複數條電源線PL。複數個像素電路PC係矩陣狀配置於陣列基板SB之顯示區域內。像素電路PC分別相當於1個單位像素。又，圖像所含之1個全彩像素PX(參照圖2)係藉由發出複數色之光之複數個單位像素而表現。對於像素電路PC之列設置有1條閘極線GL，閘極線GL之各者係連接於構成對應之列之像素電路PC。又，對於像素電路PC之行設置有1條資料線DL，資料線DL之各者連接於構成對應之行之像素電路PC。又，複數條閘極線GL之一端連接於驅動電路YDV，複數條資料線DL之一端連接於驅動電路XDV。驅動電路YDV係對閘極線GL輸出掃描信號，驅動電路XDV係將與單位像素之顯示灰階對應之映像信號之電位供給至資料線DL。映像信號係輸入由掃描信號選擇之像素電路PC。對於像素電路PC之細節係予以後述。
圖2係顯示第1實施形態之有機EL顯示裝置中之發光部IB、IG、IR、IW與透過區域TP之配置之一例之圖。於陣列基板SB上設置有延伸於圖2之縱方向且排列於橫方向之複數個配線區域XW、及延伸於圖2之橫方向且排列於縱方向之複數個配線區域YW。於配線區域XW之各者，配置排列於圖2之橫方向之1或複數條資料線DL與電源線PL。於配線區域YW之各者，配置排列於圖2之縱方向之1或複數條閘極線 GL。又，於位於陣列基板SB上且由配線區域XW與配線區域YW所劃分之區域內，設置有使入射至陣列基板SB之顯示區域之外光透過之透過區域TP。又，表現全彩之像素PX之各者係具有將配線區域XW與配線區域YW交叉之交叉部作為中心，位於交叉部之上下左右之4個發光部IR、IG、IB、IW。發光部IB、IW以俯視時與配線區域XW重合之方式設置，發光部IR、IG以俯視時與配線區域YW重合之方式設置。配線區域XW與配線區域YW交叉之交叉部係自彼此鄰接於上下方向及左右方向之4個透過區域TP觀看位於中央。
發光部IB、IG、IR、IW分別為藍色、綠色、紅色、白色之發光元件LE(參照圖5)之發光區域。發光部IB、IG、IR、IW之各者相當於單位像素，藉由經由資料線DL自驅動電路XDV供給之映像信號之電位，控制發光部IB、IG、IR、IW之各者之亮度。於透過區域TP之左右方向之兩側，分別至少鄰接發光部IR、IG。於透過區域之上下方向之兩側，分別至少鄰接發光部IB、IW。於圖2之例中，藍色發光部IB與白色發光部IW沿上下方向夾著透過區域TP，紅色發光部IR與綠色發光部IG沿左右方向夾著透過區域TP。
進而對於發光部IB、IG、IR、IW與透過區域TP之關係進行說明。圖3係顯示圖2所示之有機EL顯示裝置之陣列基板SB之一例之俯視圖，圖4係圖3所示之陣列基板SB之IV-IV切斷線之剖視圖。於陣列基板SB之顯示區域內，配置有排列於圖3之橫方向且延伸於縱方向之複數條資料線DL1、DL2與複數條電源線PL，且配置有排列於圖3之縱方向且延伸於橫方向之複數條閘極線GL。此處，於圖2中之配線區域XW之各者，配置有包含資料線DL1中之1條與資料線DL2中之1條、及電源線PL中之1條之1個縱配線群。於縱配線群中，資料線DL1、資料線DL2、電源線PL以自右起依序鄰接之方式排列。又，於圖2中之配線區域YW之各者，配置有包含閘極線GL1中之1條與閘極 線GL2中之1條之1個橫配線群。於橫配線群中，閘極線GL1中之1條與閘極線GL2中之1條以自下起依序鄰接之方式排列。透過區域TP由縱配線群及橫配線群包圍。透過區域TP之形狀為四角之角變圓之形狀。
於上下方向，鄰接於1個透過區域TP之兩側(上下)配置有2個像素電路PC1。又，於左右方向，鄰接於1個透過區域TP之兩側(左右)配置有2個像素電路PC2。此處，鄰接於某透過區域TP下方之像素電路PC1亦鄰接於其下方之透過區域TP，鄰接於透過區域TP之右方之像素電路PC2亦鄰接於其右方之透過區域TP。因此，於1個透過區域TP之周圍設置有2個像素電路PC1、2個像素電路PPC2。
包含發光部IB、IW之像素電路PC1之列、與包含發光部IR、IG之像素電路PC2之列係分別對應於閘極線GL1之任一者與閘極線GL2之任一者。又，像素電路PC1之行、與像素電路PC2之行分別對應於資料線DL1之任一者與資料線DL2之任一者。像素電路PC1連接於對應之閘極線GL1及對應之資料線DL1，像素電路PC2連接於對應之閘極線GL2及對應之資料線DL2。
像素電路PC1及像素電路PC2分別具有薄膜電晶體TFT1、TFT2、電容器CS、發光元件LE(參照圖5)。發光元件LE包含像素電極PE、發光層OL、及共通電極CE(參照圖4)。另，共通電極CE與其他像素電路PC1、PC2所含之共通電極CE一體化。俯視時，像素電路PC1與閘極線GL1、GL2重合，像素電路PC2與資料線DL1、DL2重合。再者，對於像素電路PC1、PC2之各者，俯視時，薄膜電晶體TFT2或電容器CS係與發光元件LE所含之像素電極PE或位於該像素電極PE上之發光部IR、IG、IB、IW之任一者重合。又，發光部IR、IG、IB、IW中鄰接於透過區域TP之上下方向者以與橫配線群所含之閘極線GL1、GL2重合之方式配置，鄰接於透過區域TP之左右方向者以與縱配線群所含 之資料線DL1、DL2重合之方式配置。
如圖4所示，於第1實施形態之陣列基板SB上，依序積層有半導體層(未於圖4中圖示)、第1絕緣層IN1、第1導電層(未於圖4中圖示)、第2絕緣層IN2、第2導電層、第3絕緣層IN3、第3導電層、形成有擋堤BK之有機絕緣層、發光層OL、共通電極CE之層、及密封膜SF。於半導體層，形成有電容器CS之1個電極、或薄膜電晶體TFT1、TFT2之通道，於第1導電層，形成有電容器CS之另1個電極、或閘極線GL1、GL2、薄膜電晶體TFT1、TFT2之閘極。於第2導電層，形成有電源線PL、資料線DL1、DL2、及像素電路PC1、PC2內之配線。於第3導電層，形成有像素電極PE。陣列基板SB例如包含玻璃等之透明材料，半導體層例如包含多晶矽或氧化物半導體之半導體材料。第1至第3導電層為圖案化之金屬薄膜，共通電極CE為例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc oxide：氧化銦鋅)之透明導電膜。第1至第3絕緣膜IN1、IN2、IN3包含無機絕緣材料，擋堤BK或密封膜SF包含有機絕緣材料。另，亦可於半導體層與陣列基板SB之間，設置用以防止半導體膜之污染之基底膜。
擋堤BK係於俯視時覆蓋像素電極PE中之周邊部，且亦覆蓋第3絕緣層IN3上之區域中自像素電極PE之外緣至外側之特定寬度之區域。像素電極PE與發光層OL係連接於像素電極PE上未形成擋堤BK之區域(擋堤開口)，於該擋堤開口中於共通電極CE與像素電極PE之間流動電流。因此，該擋堤開口成為發光部IB、IG、IR、IW。另一方面，如圖3、4所示，於透過區域TP，未形成可以金屬形成之導電膜、即配線或薄膜電晶體等之各種電路，亦未設置發光層OL。藉此，透過區域TP使來自陣列基板SB之上下之光透過。另，透過區域亦可不設置共通電極CE。
圖5係顯示像素電路PC1、PC2之等價電路之電路圖。發光元件 LE具有陽極、及電性連接於供給基準電位之電源供給電路PW(參照圖1)之陰極。發光元件LE之陽極相當於像素電極PE(參照圖4)，陰極相當於共通電極CE中發光部IR、IG、IB、IW上之區域。又，薄膜電晶體TFT2具有電性連接於發光元件LE之陽極之源極、電性連接於電源線PL之汲極、及閘極。電容器CS具有電性連接於電源線PL之第1電極、及電性連接於薄膜電晶體TFT2之閘極之第2電極。薄膜電晶體TFT1具有汲極、電性連接於薄膜電晶體TFT2之閘極之源極、及閘極。像素電路PC1所含之薄膜電晶體TFT1之閘極係電性連接於閘極線GL1，汲極係電性連接於資料線DL1。另一方面，像素電路PC2所含之薄膜電晶體TFT1之閘極係電性連接於閘極線GL2，汲極係電性連接於資料線DL2。另，像素電路PC亦可與圖5所示者不同。又，源極與汲極係根據電壓高低而定者，薄膜電晶體TFT1、TFT2為p型之情形、或採用其他驅動方式之情形時，源極與汲極亦可相反。又，構成TFT之半導體亦可為LTPS(Low Temperature Ploy-Silicon：低溫多晶矽)，又可為TAOS(Transparent Amorphous Oxide Semiconductors：氧化物半導體)，或可為使用LTPS之TFT與使用TAOS之TFT相混之構成。
於圖3之像素電路PC1、PC2中，薄膜電晶體TFT1與閘極線GL1、GL2、資料線DL1、DL2之連接、或薄膜電晶體TFT2與電源線PL之連接、且像素電路PC1、PC2內之連接係相同。
以下進而對圖3所示之像素電路PC1進行說明。薄膜電晶體TFT1之通道位於半導體層，自鄰接於閘極線GL1之下側且與資料線DL1重合之部分朝圖3之右側延伸。又，通道係與閘極線GL1中朝下側突出之部分交叉。通道之左端連接於資料線DL1，右端連接於第2導電層之第1配線。其次，第1配線向右延伸，且半途朝下側彎曲。第1配線係於向右延伸之區間中之中間部，連接於與薄膜電晶體TFT2之閘極一體化之第2配線。電容器CS之第2電極位於半導體層，且連接於第1 配線之下端。第2電極自該連接之部分向右側延伸至電源線PL之近前。又，電容器CS之第1電極位於第1導電層，與第2電極對向，自第1配線之下端之右方延伸至與電源線PL重合之部分。薄膜電晶體TFT2係如圖3所示，設置於電容器CS上且第1配線之右側，位於半導體層之通道係自與電源線PL重合之部分朝左側延伸。通道係於中間部與薄膜電晶體TFT2之閘極對向。通道之右端連接於電源線PL，左端連接於位於第2導電層之第3配線。第3配線稍向左延伸，經由接觸孔CH而連接於像素電極PE。
其次，進而對圖3所示之像素電路PC2進行說明。薄膜電晶體TFT1之通道位於半導體層，如圖3所示自鄰接於閘極線GL2之上側且與資料線DL2重合之部分朝右側延伸。又，通道與資料線DL1交叉，進而與朝閘極線GL2之上側突出之部分交叉。通道之左端連接於資料線DL2，右端連接於第2導電層之第1配線。其次，第1配線係向上延伸，途中朝右側彎曲。第1配線係於向上延伸之區域之中間部，連接於與薄膜電晶體TFT2之閘極一體化之第2配線。電容器CS之第2電極位於半導體層，連接於第1配線之右端。第2電極自該連接部分朝上側，延伸至像素電路PC1所含之薄膜電晶體TFT1之近前側。又，電容器CS之第1電極位於第1導電層，且與第2電極對向，自第1配線之下端之上方延伸至像素電路PC1所含之薄膜電晶體TFT1之近前側，進而向左彎曲延伸至與電源線PL重合。薄膜電晶體TFT2設置於電容器CS之左方且第1配線之上側，位於半導體層之通道係自與電源線PL重合之部分朝右側延伸，進而於電容器CS之近前側向下延伸。通道係於向下延伸之部分之中間部與薄膜電晶體TFT2之閘極對向。通道之左端連接於電源線PL，下端連接於位於第2導電層之第3配線。第3配線自與通道連接之位置稍向下延伸，經由接觸孔CH而連接於像素電極PE。
透過區域TP係沿1個方向(例如縱方向)觀察，設置於包含發光區域之2個像素區域之間，於與其交叉之方向(例如橫方向)中，於透過區域TP之間未設置發光區域，僅設置配線之構造中產生如下問題。該構造中，實質上透過區域TP於交叉之方向(例如橫方向)延伸配置。即，透過區域TP構成延伸於該交叉之方向(例如橫方向)之狹縫。如此，該狹縫作為繞射光柵發揮功能，產生視角特性惡化之現象或所謂之對反射之外光著色之現象，有使畫質大幅劣化之顧慮。另一方面，於本實施形態之有機EL顯示裝置中，藉由發光部之配置，透過區域TP之上下左右被發光部所包圍。如此，透過區域TP未構成狹縫。因此，可抑制視角特性惡化之現象或所謂之對反射之外光著色之現象之產生。
此處，發光部IR、IG、IB、IW之配置亦可與圖2之例不同。只要透過區域TP自縱方向(第1方向)觀察被複數個發光部中任一者之至少一部分夾著，又，透過區域TP自橫方向(與第1方向交叉之第2方向)觀察被複數個發光部中任一者之至少一部分夾著即可。再者，亦可以與配線區域XW、YW中寬度較寬者重合之方式配置綠色發光部IG與白色發光部IW，以與寬度較窄者重合之方式配置紅色發光部IR與藍色發光部IB。於圖2中，配線區域XW之寬度較配線區域YW之寬度形成得更寬。此處，配線區域XW之寬度為縱配線群之寬度(如圖3所示自電源線PL之左端至資料線DL1之右端之寬度)，配線區域YW之寬度為橫配線群之寬度(如圖3所示自閘極線GL1之下端至閘極線GL2之上端之寬度)。如此，可增大對人眼影響較大之色(辨識性高之顏色)、及對高亮度發光支配性之色之發光部IG、IW，且即便減小對人眼影響較小之色(辨識性低之顏色)之發光部IR、IB，亦可儘可能增大透過區域TP，容易維持被人眼認知之畫質且確保透過區域TP。再者，亦可以與配線區域XW、YW中寬度較寬者重合之方式配置藍色發光部IB。 藉由將辨識性低之藍色發光部IB配置於寬度較寬之配線區域，可增大辨識性低之色之發光部之面積，謀求提高辨識性低之色之亮度。亦可以與配線區域XW、YW中寬度較窄者重合之方式配置發光部IG或IW。這是因為即便配置於寬度較窄之配線區域且發光部之面積變小，亦因係辨識性高之色，故對畫質劣化或高亮度發光之阻礙幾乎無影響。
另，透過區域TP之剖面構造亦可與圖4之例不同。圖6係顯示陣列基板SB之其他一例之剖視圖。圖6相對於圖4之例，不同處在於第1絕緣層IN1、第2絕緣層IN2、第3絕緣層IN3以避開透過區域TP之方式設置。於圖6之例中，藉由去除透過區域TP內之第1絕緣層IN1、第2絕緣層IN2、第3絕緣層IN3而形成有凹部。對俯視時重合於透過區域TP之凹部，填充有作為平坦化膜發揮功能之密封膜SF。藉此，可進而提高透過區域中之光之透過率。
又，發光部IR、IG、IB、IW亦可設置於凹部之側面。即，亦可於凹部之側面，配置有像素電極PE、發光層OL、及共通電極CE。圖7係顯示陣列基板SB之其他一例之剖視圖。於圖7之例中，像素電極PE係設置於自第3絕緣層IN3之上表面經由第1至第3絕緣層IN1、IN2、IN3之側面向該凹部之底面上延伸之區域，且設置有以覆蓋像素電極PE之端部之方式亦位於該凹部之底面之擋堤BK。又，發光層OL亦以覆蓋像素電極PE且連接於除端部外之像素電極PE之方式設置，像素電極PE中未被擋堤BK覆蓋之部分為發光部IR、IG、IB、IW。藉此，可增大發光部IR、IG、IB、IW，提高顯示亮度。
圖8係顯示陣列基板SB之其他一例之俯視圖，圖9係圖8所示之陣列基板SB上之像素電路PC1、PC2之IX-IX切斷線之剖視圖。圖8及圖9所示之例相對於圖6所示之例，主要不同處為於透過區域TP之上方設置微透鏡LM。於圖8及圖9之例中，俯視時透過區域TP之中央部與微 透鏡LM之中央部以重合之方式設置，微透鏡LM以不與發光部IR、IG、IB、IW重合之方式設置。圖9之箭頭顯示自上方入射之外光行進之路徑。由圖9可知，藉由微透鏡LM，可使入射至較透過區域TP更廣之區域之光透過，且較無微透鏡LM之情形更提高透過率。此處，微透鏡LM亦可藉由SiN形成，又可與密封膜SF一體形成。
圖10係顯示陣列基板SB之其他一例之剖視圖。圖10所示之例相對於圖9所示之例，不同處在於密封膜SF具有凹漥，於該凹漥嵌設微透鏡LM、及於透過區域TP內且陣列基板SB與密封膜SF之間設置有另1個微透鏡LM2。即便為圖10所示之形狀，亦可使入射至較透過區域TP更廣之區域之光透過，且較無微透鏡LM、LM2之情形更提高透過率。
再者，亦可使微透鏡LM組合至圖7之例中。圖11係顯示陣列基板SB之其他一例之剖視圖。於圖11之例中，與圖7之例主要不同處在於密封膜SF具有凹漥，且於該凹漥嵌設有微透鏡LM。於圖11之例中，於透過區域TP之整面設置有擋堤BK。藉此，與圖4之例相比，可提高透過區域TP之透過率，亦提高發光部IR、IG、IB、IW之亮度。
圖12係顯示發光部IR、IG、IB與透過區域TP之配置之其他一例之圖。圖12係顯示不存在白色發光部IW，而藉由光之3原色表現全彩之像素PX之有機EL顯示裝置之例。於圖12之例中，鄰接於透過區域TP之各者之左右配置1個綠色發光部IG，於該透過區域TP之各者之上下，鄰接1個藍色發光部IB、及1個紅色發光部IR。此處，1個藍色發光部IB、與1個紅色發光部IR之組合稱為橫發光群。沿圖12之左右方向觀看，透過區域TP之各者由2個綠色發光部IG夾著，沿圖12之上下方向觀看，透過區域TP之各者由2個橫發光群夾著。將配線區域XW與配線區域YW交叉之部位設為交叉部。於上下鄰接之交叉部之間，綠色發光部IG以重合於配線區域XW之方式設置。於左右鄰接之交叉 部之間，自左起依序設置有藍色發光部IB與紅色發光部IR，發光部IB、IR係俯視時重合於配線區域XW。
像素PX設置於各交叉部。如圖12所示，像素PX包含鄰接於交叉部上方之1個綠色發光部IG、鄰接於交叉部左方之1個紅色發光部IR、及鄰接於交叉部右方之1個藍色發光部IB。對於像素電路PC予以省略說明，但發光部IR、IG、IB與薄膜電晶體TFT2、電容器CS重合，發光部IR、IG、IB重合於資料線DL1、2或閘極線GL1、2之方面與圖2之例同樣。此處，綠藍紅之各發光部之位置並未限定於本實施形態，可根據需要適時更換。例如，亦可於寬度較寬之配線區域配置辨識性高之色之發光部IW，又可於寬度較寬之配線區域配置辨識性低之色之發光部IB或發光部IR。
圖13係顯示發光部IB、IG、IR、IW與透過區域TP之配置之其他一例之圖。於本圖之例中，與圖2之例不同，於鄰接於上下或左右之2個交叉部之間，配置有發光部IR、IG、IB、IW中之2個。於該2個交叉部中之一者，鄰接發光部IR、IG、IB、IW中之1者，於另一者鄰接發光部IR、IG、IB、IW中另1者。又，像素PX設置於各交叉部，像素PX包含鄰接於交叉部上方之發光部IB、鄰接於交叉部下方之發光部IR、鄰接於交叉部左方之發光部IW、及鄰接於交叉部右方之發光部IG。對於像素電路PC予以省略說明，但發光部IR、IG、IB、IW與薄膜電晶體TFT2、電容器CS重合，發光部IR、IG、IB、IW重合於資料線DL1、2或閘極線GL1、2之方面與圖2之例同樣。
[第2實施形態]
以下，對本發明之第2實施形態之有機EL顯示裝置，以與第1實施形態之不同點為中心予以說明。
圖14係顯示第2實施形態之有機EL顯示裝置中之發光部IR、IG、IB、IW與透過區域TP之配置之一例之圖。於陣列基板SB上設置有延 伸於圖14之縱方向之複數個配線區域XW、及延伸於圖14之橫方向之複數個配線區域YW。於配線區域XW之各者，配置資料線DL1(參照圖15)與電源線PL。於配線區域YW之各者配置閘極線GL1(參照圖15)。又，單位像素之各者對應於配線區域XW與配線區域YW交叉之交叉部而設置。又，顯示全彩之像素PX由2列2行之單位像素構成。於像素PX中，右上、左上、右下、左下之單位像素分別對應於發光部IR、發光部IG、發光部IW、發光部IB。
俯視時，發光部IR、IG、IB、IW之各者係自透過區域TP之上下方向中一側(上側)向左右方向中一側(左側)連續延伸，發光部IR、IG、IB、IW之各者之形狀為L字型。又，發光部IR、IG、IB、IW之各者以鄰接於透過區域TP之上側及左側之方式配置。發光部IR、IG、IB、IW之各者係俯視時分別與配線區域XW及配線區域YW重合。
圖15係顯示圖14所示之有機EL顯示裝置之陣列基板SB之一例之俯視圖。圖16係圖15所示之陣列基板SB之XVI-XVI切斷線之剖視圖。圖15、16係分別對應於第1實施形態之圖3、4。於陣列基板SB之顯示區域內，配置有排列於圖15之橫方向且延伸於縱方向之複數條資料線DL1與複數條電源線PL，進而配置有排列於圖15之縱方向且延伸於橫方向之複數條閘極線GL1。此處，於圖15中之配線區域XW之各者，配置有包含資料線DL1中之1條、與電源線PL中之1條而成之1個縱配線群。於縱配線群中，資料線DL1、電源線PL以自右起依序鄰接之方式排列。又，於圖15中之配線區域YW之各者，配置有包含閘極線GL1中之一條與延伸於橫方向之1條配線之1個橫配線群。
又，於上下方向，鄰接於1個透過區域TP之兩側(上下)配置有2個像素電路PC1。於本實施形態中，對於1個透過區域TP設置有1個像素電路PC1。關於像素電路PC1之細節，與圖4所示者相同。俯視時，像 素電路PC1所含之薄膜電晶體TFT2或電容器CS係與發光部IR、IG、IB、IW、或構成其之像素電極PE重合。
又，圖16相對於圖6所示之構造，主要不同處在於不存在資料線DL2。該不同係因不存在像素電路PC2所致。
發光部IR、IG、IB、IW之形狀未限定於圖14所示者。圖17係顯示發光部IR、IG、IB、IW與透過區域TP之配置之其他一例之圖。於圖17之例中，發光部IR、IG、IB、IW之各者係自交叉部沿上下方向延伸，且自交叉部向左右方向中之一者延伸。發光部IR、IG、IB、IW之形狀為T字狀。若改變觀察角度，則位於重合於發光部IR、IG、IB、IW之各者之交叉部之左上、右上、左下、右下，且於上下方向及左右方向上彼此相鄰之4個透過區域TP，其發光部自於上下方向相鄰之一對透過區域TP(右上、右下之透過區域TP)之間，連續延伸至於左右方向相鄰之二對透過區域TP之間。又，以左右方向成為T字之上下方向之方式配置有發光部IR、IG、IB、IW，再者，T字之上下之朝向無關發光部IR、IG、IB、IW之位置皆為相同(朝右)。
圖18係顯示發光部IR、IG、IB、IW與透過區域TP之配置之另一例之圖。圖18之例中，發光部IR、IG、IB、IW之形狀為T字狀，發光部IR、IG、IB、IW之各者具有自交叉部於上下方向延伸之部分之方面與圖17之例相同。另一方面，於圖18之例中，位於某列之發光部IR、IG、IB、IW之各者自交叉部向左右方向中之一者(例如右方)延伸，但位於其下一列之發光部IR、IG、IB、IW之各者係自交叉部向左右方向中之另一者(例如左方)延伸。換言之，以左右方向成為T字之上下方向之方式配置有發光部IR、IG、IB、IW，再者，T字之上下之朝向係以交替相反之方式(向右之列與向左之列交替顯示)排列。
[第3實施形態1
以下，對於本發明之第3實施形態之有機EL顯示裝置，以與第2 實施形態之不同點為中心進行說明。
圖19係顯示第3實施形態之有機EL顯示裝置中之發光部IR、IG、IB、IW與透過區域TP之配置之一例之圖。單位像素之各者，以相當於配線區域XW與配線區域YW交叉之交叉部之方式設置，顯示全彩之像素PX由2列2行之單位像素構成之方面，與第2實施形態同樣。另一方面，圖19之例與圖14、17、18之例不同處主要係發光部IR、IG、IB、IW之形狀為十字。於圖19之例中，發光部IR、IG、IB、IW之各者存在於該發光部之左上、右上、左下、右下，自彼此鄰接於上下方向及左右方向之4個透過區域TP觀察位於中央。又，發光部IR、IG、IB、IW之各者自交叉部沿上下左右延伸。若改變觀察角度，則發光部IR、IG、IB、IW之各者具有分別延伸於鄰接於上下方向之二對透過區域TP之間之第1部分、及分別延伸於鄰接於左右方向之二對透過區域TP之間之第2部分，且第1部分與第2部分於各自之中央連續連接。此處，亦可省略發光部IW而以發光部IR、IG、IB之3色構成像素，且於除發光部IW外之區域擴張其他色之發光區域。
圖20係顯示圖19所示之有機EL顯示裝置之陣列基板SB之一例之俯視圖。於圖20之例與圖15之例不同處主要在於配合發光部IR、IG、IB、IW之形狀而使像素電極PE之形狀成為十字型。於圖19之例中，發光部IR、IG、IB、IW之各者係重合於資料線DL1與閘極線GL1，但對控制該發光部IR、IG、IB、IW之亮度之像素電路PC1，自位於重合之資料線DL1左方之資料線DL1供給映像信號。這是因為使位於透過區域TP上方之像素電路PC1與像素電極PE連接之接觸孔CH較連接於該像素電路PC1之資料線DL1，位於更接近鄰近之資料線DL1之位置。亦可以自資料線DL1對重合於該資料線DL1之像素電路PC1供給映像信號之方式配置接觸孔CH。
圖21係顯示發光部IR、IG、IB、IW與透過區域TP之配置之其他 一例之圖。圖21之例與圖19之例不同處在於發光部IR、IG、IB、IW係去角之四角形形狀。該四角形之對角線自交叉部延伸於上下方向與左右方向，且重合於配線區域XW與配線區域YW。透過區域TP之形狀為了避開發光部IR、IG、IB、IW，因而成為對角線延伸於上下方向與左右方向之四角形。若改變觀察角度，則發光部IR、IG、IB、IW之各者具有於鄰接於上下方向之二對透過區域TP之間沿左右方向分別延伸之第1部分、於鄰接於左右方向之二對透過區域TP之間沿上下方向分別延伸之第2部分、及連接第1部分與第2部分之第3部分。第3部分係自第1部分延伸於上下方向之兩側，自第2部分延伸於左右方向之兩側。如此，與圖19之例相比，可使發光部IR、IG、IB、IW之面積變大，提高發光亮度。
於上述說明之第1實施形態至第3實施形態之各構造中，亦可於包含配置成矩陣狀之透過區域TP之複數個像素PX之周圍，配置與像素PX不同之無助於發光之像素，即所謂之虛設像素。該虛設像素亦可為與像素PX相同之構造，亦可為與像素PX不同之構造。例如，亦可不於與包圍虛設像素之配線群重合之位置配置發光部，亦可使透過區域之形狀或大小與像素PX不同。
儘管本文已描述目前被視為本發明之某些實施例的內容，但應瞭解，可對該內容作出各種修改，且隨附申請專利範圍意欲涵蓋落於本發明之真實精神及範疇內之所有此等修改。

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板；且上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；各個上述發光部係自任一上述透過區域之上述第1方向之一側連續延伸至上述第2方向之一側，而設置成L字狀。
  2. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板；且上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；各個上述發光部係於在上述第1方向及上述第2方向上彼此相鄰之4個上述透過區域中，自於上述第1方向及上述第2方向中之一方向相鄰之一對上述透過區域之間，分別連續延伸至於上述第1方向及上述第2方向中之另一方向相鄰之二對上述透過區域之間，而設置成T字狀。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中各個上述發光部係以上述第1方向及上述第2方向中之上述另一方向成為上述T字之上下朝向之方式配置；且上述複數個發光部係以上述T字之上下朝向成為相同之方式排列。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中各個上述發光部係以上述第1方向及上述第2方向之上述另一方向成為上述T字之上下朝向之方式配置；且排列於上述第1方向及上述第2方向中之上述一方向之上述發光部係以上述T字之上下朝向交替相反之方式排列。
  5. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板；且上述複數條第1配線包含複數條電源線及複數條資料線；上述複數個像素電路之各者配備於上述複數個發光部之各者；上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；各個上述發光部位於在上述第1方向及上述第2方向上彼此相鄰之4個上述透過區域之中央，且連續具有於在上述第1方向上相鄰之二對上述透過區域之間分別延伸之第1部分、及於在上述第2方向上相鄰之二對上述透過區域之間分別延伸之第2部分；上述複數條資料線包含第1資料線、及與上述第1資料線夾著上述透過區域而於第2方向上鄰接之第2資料線；上述複數個發光部具備像素電路，並且包含與上述第1資料線重合且不與上述第2資料線重合之第1發光部；上述像素電路包含與上述第1發光部之上述第1部分重合之第1區域、及自上述第1區域向上述第2方向且向上述第2資料線之側延伸之第2區域；上述第2資料線對上述像素電路供給映像信號。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中各個上述發光部進而具有第3部分；且上述第3部分係自上述第1部分沿上述第1方向之兩側延伸，且自上述第2部分沿上述第2方向之兩側延伸，而連接上述第1部分及上述第2部分；上述發光部之形狀為大致四角形；上述大致四角形具備於上述第1方向延伸之第1對角線及於上述第2方向延伸之第2對角線。
  7. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板；且上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；上述複數個發光部包含第1發光部與第2發光部；上述第1發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第1配線重合之區域；上述第2發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第2配線重合之區域；於上述複數個發光部之下以避開上述複數個透過區域之方式設置層間膜；及於上述複數個透過區域分別設置光透過性之複數個平坦化膜。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中上述層間膜具有與各個上述平坦化膜對向之側面；且各個上述發光部係以達至於上述側面之方式設置。
  9. 如請求項7之顯示裝置，其中至少1個上述發光部分別位於各個上述透過區域之上述第1方向之兩側及上述第2方向之兩側。
  10. 如請求項7之顯示裝置，其中於各個上述透過區域之上述第1方向及上述第2方向中之一方向之兩側之各者，配置1個上述發光部；且於各個上述透過區域之上述第1方向及上述第2方向中之另一方向之兩側之各者，配置2個上述發光部。
  11. 如請求項7之顯示裝置，其中各個上述發光部係自任一上述透過區域之上述第1方向之一側連續延伸至上述第2方向之一側，而設置成L字狀。
  12. 如請求項7之顯示裝置，其中各個上述發光部係於在上述第1方向及上述第2方向上彼此相鄰之4個上述透過區域中，自於上述第1方向及上述第2方向中之一方向相鄰之一對上述透過區域之間，分別連續延伸至於上述第1方向及上述第2方向中之另一方向相鄰之二對上述透過區域之間，而設置成T字狀。
  13. 如請求項7之顯示裝置，其中各個上述發光部位於在上述第1方向及上述第2方向上彼此相鄰之4個上述透過區域之中央，且連續具有於在上述第1方向上相鄰之二對上述透過區域之間分別延伸之第1部分、及於在上述第2方向上相鄰之二對上述透過區域之間分別延伸之第2部分。
  14. 如請求項7之顯示裝置，其進而包含配置於上述複數個透過區域之各者上方之微透鏡。
  15. 如請求項7之顯示裝置，其中上述複數個發光部包含發光色為藍色之藍色發光部；且上述透過區域之各者係與包含上述第1配線之第1配線群及包含上述第2配線之第2配線群鄰接；上述藍色發光部與上述第1配線群及上述第2配線群中寬度較寬之配線群於俯視時重合。
  16. 如請求項7之顯示裝置，其中上述複數個發光部包含發光色為藍色之藍色發光部；且上述透過區域之各者係與包含上述第1配線之第1配線群及包含上述第2配線之第2配線群鄰接；上述藍色發光部與上述第1配線群及上述第2配線群中寬度較窄之配線群於俯視時重合。
  17. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板，包含發光色為綠色之複數個綠色發光部、發光色為白色之複數個白色發光部、及發光色為藍色之複數個藍色發光部；且上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；上述複數個發光部係相對於各個上述透過區域，以於上述第1方向附近與任一上述第2配線重合、且於上述第2方向附近與任一上述第1配線重合之方式排列；上述複數條第1配線及上述複數條第2配線中之一配線群包含寬度最寬之配線群，且以與上述複數個綠色發光部及上述複數個白色發光部重合之方式設置。
  18. 如請求項17之顯示裝置，其中上述複數條第1配線及上述複數條第2配線中之另一配線群以與上述複數個藍色發光部重合之方式設置。
  19. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：基板，其具有排列於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之複數個透過區域；複數條第1配線，其配置於上述基板，且於上述第1方向延伸；複數條第2配線，其配置於上述基板，且於上述第2方向延伸；及複數個發光部，其等配置於上述基板，包含發光色為綠色之複數個綠色發光部、及發光色為藍色之複數個藍色發光部；且上述複數條第1配線及上述複數條第2配線係包圍上述複數個透過區域之各者；上述複數個發光部包含第1發光部與第2發光部；上述第1發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第1配線重合之區域；上述第2發光部之至少一部分係與上述透過區域鄰接，且配置於與上述第2配線重合之區域；上述複數條第1配線及上述複數條第2配線中之一配線群之寬度較另一配線群之寬度寬；上述綠色發光部係於俯視時與上述一配線群重合；上述藍色發光部係於俯視時與上述另一配線群重合。
  20. 如請求項19之顯示裝置，其中上述綠色發光部係於俯視時不與上述另一配線群不重合；上述藍色發光部係於俯視時不與上述一配線群不重合。
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