KR20200133095A - 유기발광표시장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 196
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 11
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- -1 region Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000596041 Homo sapiens Plastin-1 Proteins 0.000 description 2
- 101000596046 Homo sapiens Plastin-2 Proteins 0.000 description 2
- 229910015834 MSH1 Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100035181 Plastin-1 Human genes 0.000 description 2
- 102100035182 Plastin-2 Human genes 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 101150093855 msh1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100034157 DNA mismatch repair protein Msh2 Human genes 0.000 description 1
- 101001134036 Homo sapiens DNA mismatch repair protein Msh2 Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015837 MSH2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 나열되는 복수의 화소들을 구비한 유기발광표시장치에 있어서, 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 화소들 각각에 포함된 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드의 화소전극의 가장자리를 덮으며, 상기 화소전극의 일부를 노출하는 개구를 가져 발광영역을 정의하는 화소정의막; 상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이에 배치된 도전층; 상기 도전층은 상기 제1방향으로 연장된 제1연장부들 및 상기 제2방향으로 연장된 제2연장부들을 포함하며, 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역은 각각 상기 제1연장부들과 상기 제2연장부들이 교차하는 교차부들 중 어느 하나와 중첩하도록 배치된, 유기발광표시장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기발광표시장치에 관한 것이다.
유기발광표시장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하며, 하나의 전극인 캐소드(cathode)로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극인 애노드(anode)로부터 주입된 정공(hole)이 유기발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기발광표시장치는 캐소드, 애노드 및 유기발광층으로 이루어진 유기발광다이오드(organic light emitting device, OLED)를 포함하는 복수개의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기발광다이오드를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터 및 커패시터(Capacitor)가 형성되어 있다. 복수의 트랜지스터는 기본적으로 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함한다. 이러한 유기발광표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.
고해상도로 갈수록, 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 복수의 트랜지스터, 커패시터 및 이들에 신호를 전달하는 배선들을 중첩 배치하게 되며, 이에 따라 다양한 이슈가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 화소 간의 특성 차이를 최소화하면서 비대칭 칼라 시프트 현상을 줄이고 우수한 시인성을 확보할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 나열되는 복수의 화소들을 구비한 유기발광표시장치에 있어서, 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 화소들 각각에 포함된 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드의 화소전극의 가장자리를 덮으며, 상기 화소전극의 일부를 노출하는 개구를 가져 발광영역을 정의하는 화소정의막; 상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이에 배치된 도전층; 상기 도전층은 상기 제1방향으로 연장된 제1연장부들 및 상기 제2방향으로 연장된 제2연장부들을 포함하며, 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역은 각각 상기 제1연장부들과 상기 제2연장부들이 교차하는 교차부들 중 어느 하나와 중첩하도록 배치된, 유기발광표시장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하고, 상기 제1화소의 발광영역, 상기 제2화소의 발광영역, 및 상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 교차부들와 중첩하도록 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1화소 및 상기 제2화소는 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로 교번하여 배치되고, 상기 제3화소는 상기 제1화소의 중심점 및 상기 제2화소의 중심점을 꼭지점으로 하는 가상의 사각형의 중심점에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상의 박막트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에서 적층된 제1비아층 및 제2비아층;을 더 포함하고, 상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되며, 상기 제2연장부들은 제3배선부분; 및 상기 제3배선부분과 교번적으로 배치된 제4배선부분;을 포함하고, 상기 제3배선부분은 상기 제1연장부들과 교차하는 제1교차부들;을 형성하고, 상기 제1화소의 발광영역 또는 상기 제2화소의 발광영역은 각각 상기 제1교차부들 중 하나와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1화소의 발광영역의 중심점 또는 상기 제2화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 제1교차부들 중 하나와 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 상의 박막트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에서 적층된 제1비아층 및 제2비아층;을 더 포함하고, 상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되며, 상기 제2연장부들은 제3배선부분; 및 상기 제3배선부분과 교번적으로 배치된 제4배선부분;을 포함하고, 상기 제4배선부분은 상기 제1연장부들과 교차되어 제2교차부들;을 형성하고, 상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 제2교차부들 중 하나와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 제2교차부들과 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1연장부들은 제1배선부분 및 상기 제1배선부분과 교번적으로 배치된 제2배선부분을 포함하고, 상기 제1화소의 발광영역 또는 상기 제2화소의 발광영역은 각각 제1배선부분 중 하나와 중첩하며, 상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 제2배선부분 중 하나와 중첩하고, 상기 제2배선부분은 상기 제1방향으로 이격된 제1서브부분 및 제2서브부분을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전층은 상기 복수의 화소에 구동전압을 전달하는 배선일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1방향과 상기 제2방향은 수직일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들의 발광영역의 중심점은 각각 상기 교차부들 중 하나와 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하며, 상기 제1화소의 발광영역의 중심점, 상기 제2화소의 발광영역의 중심점 및 상기 제3화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 교차부들 중 하나와 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들은 펜타일 매트릭스 구조로 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층; 상기 기판과 상기 제1비아층 사이에 배치된 하부도전층;을 포함하며, 상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고, 상기 도전층은 상기 하부도전층과 콘택홀을 통해서 컨택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 나열되는 복수의 화소들을 구비한 유기발광표시장치에 있어서, 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 화소들 각각에 포함된 유기발광다이오드; 상기 유기발광다이오드의 화소전극의 가장자리를 덮으며, 상기 화소전극의 일부를 노출하는 개구를 가져 발광영역을 정의하는 화소정의막;을 포함하고, 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층; 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고, 제1연장부들과 제2연장부들이 교차하여 구비된 메쉬-홀(mesh-hole)들을 포함하는 메쉬 구조(mesh structure)의 도전층;을 포함하며, 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역은 상기 메쉬-홀(mesh-hole)들의 제1코너부 및 상기 제1코너부와 마주보는 제2코너부와 각각 중첩부들을 형성하는, 유기발광표시장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역의 중심점은 상기 도전층과 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 메쉬-홀(mesh-hole)들 중 적어도 하나의 제1메쉬-홀 및 상기 제1메쉬-홀과 인접한 제2메쉬-홀은 상기 제2방향으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층; 상기 기판과 상기 제1비아층 사이에 배치된 하부도전층;을 포함하며, 상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고, 상기 도전층은 상기 하부도전층과 콘택홀을 통해서 컨택될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전층 상에 배치된 상기 화소전극의 하면은 굴곡을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징 및 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 화소 간의 균일한 특성을 유지하면서, 유기발광표시장치의 비대칭 칼라 시프트 현상이 최소화되며, WAD의 균일성을 확보할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 어느 하나의 화소의 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 복수의 화소들의 발광영역을 나타낸 개략적인 배치도이다.
도 4a는 복수의 화소의 발광영역과 도전층과의 관계를 나타낸 배치도이다.
도 4b는 도 4a 중 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 5a은 도 4a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 5b은 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
도 6는 본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예에 따른 배치도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 배치도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예의 시뮬레이션 결과이다.
도 8b는 본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예의 시뮬레이션 결과이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 어느 하나의 화소의 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 복수의 화소들의 발광영역을 나타낸 개략적인 배치도이다.
도 4a는 복수의 화소의 발광영역과 도전층과의 관계를 나타낸 배치도이다.
도 4b는 도 4a 중 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 5a은 도 4a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 5b은 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
도 6는 본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예에 따른 배치도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 배치도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예의 시뮬레이션 결과이다.
도 8b는 본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예의 시뮬레이션 결과이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광표시장치는 화상이 구현되는 표시영역(DA) 및 그 주변의 비표시영역인 주변영역(PA)을 포함한다. 표시영역(DA)에는 복수의 화소(PX)들이 배치되어, 소정의 이미지를 제공한다.
각 화소(PX)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출하며, 유기발광다이오드(OLED, organic light emitting diode)를 포함한다. 또한, 각 화소(PX)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT), 커패시터(Capacitor) 등의 소자가 더 포함될 수 있다.
본 명세서에서의 화소(PX)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색 또는 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 부화소를 나타낸다.
주변영역(PA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)의 화소(PX)들에 인가할 전기적 신호를 제공하는 스캔 구동부 및 데이터 구동부 등, 및 구동전압 및 공통전압과 같은 전원을 제공하는 전원선들을 포함할 수 있다. 또한, 주변영역(PA)에는 인쇄회로기판 등이 접속할 수 있는 단자부를 구비할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치에 포함될 수 있는 하나의 화소(PX)의 등가회로도들이다.
도 2a를 참조하면, 각 화소(PX)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC), 및 상기 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.
화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD, 또는 구동전압)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 2a에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 화소회로(PC)는 3개 이상의 박막트랜지스터 및/또는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 일 예로, 화소회로(PC)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소회로(PC)는 7개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 각 화소(PX)는 화소회로(PC), 및 상기 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터는 신호선(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압선(VL), 및 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
도 2b에서는 각 화소(PX)가 신호선(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압선(VL), 및 구동전압선(PL)에 연결된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 신호선(SL, SL-1, EL, DL) 중 적어도 어느 하나, 초기화전압선(VL)과 구동전압선(PL) 등은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
복수의 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(driving TFT, T1), 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT, T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
신호선은 스캔신호(Sn)를 전달하는 스캔선(SL), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(SL-1), 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광 제어선(EL), 스캔선(SL)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달하는 데이터선(DL)을 포함한다. 구동전압선(PL)은 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달하며, 초기화전압선(VL)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 화소전극을 초기화하는 초기화전압(Vint)을 전달한다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 메인 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(GE2)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 하나의 전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 게이트전극(G4)은 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)과 초기화전압선(VL)에 연결되어 있으며, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)에 연결되어 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 하부 구동전압선(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7) 및 유기발광다이오드(OLED)의 하나의 전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 한다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 게이트전극(G7)은 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 유기발광다이오드(OLED)의 하나의 전극에 연결되어 있으며, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)은 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4) 및 초기화전압선(VL)에 연결되어 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)를 초기화시킨다.
도 2b에서는 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)가 이전 스캔선(SL-1)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 구동하고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 별도의 신호선(예컨대, 이후 스캔선)에 연결되어 상기 신호선에 전달되는 신호에 따라 구동될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(Cst2)은 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(캐소드)은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
도 2b에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 복수의 화소(R, G, B)들의 발광영역을 나타낸 개략적인 배치도이다. 본 실시예에서, 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B)라 함은 각 화소의 발광영역을 나타내며, 상기 발광영역은 화소정의막의 개구에 의해서 정의될 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.
도 3을 참조하면, 제1 행(1N)에는 적색 화소(R) 및 청색 화소(B)가 제1 방향으로 교번하여 배치되고, 제1 행(1N)에 인접한 제2 행(2N)에는 녹색 화소(G)들이 제1 방향으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제3 행(3N)에는 적색 화소(R) 및 청색 화소(G)가 교번하여 배치되고, 제3 행(3N)에 인접한 제4 행(4N)에는 녹색 화소(G)들이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 이와 같은 화소 배치가 기 설정된 소정의 행까지 반복될 수 있다.
제2 행(2N)에 배치되는 녹색 화소(G)들은 제1 행(1N)의 적색 화소(R)들 및 청색 화소(B)들과 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 따라서, 제1 열(1M)에는 적색 화소(R) 및 청색 화소(B)가 제2 방향으로 교번하여 배치되고, 제2 열(2M)에는 녹색 화소(G)가 제2 방향으로 소정의 간격으로 이격하여 배치될 수 있다. 이와 같은 화소 배치가 기 설정된 소정의 열까지 반복될 수 있다. 이 때, 청색 화소(B) 및 적색 화소(R)의 면적은 녹색 화소(G)보다 크게 형성되어 있다. 또는, 청색 화소(B)의 면적이 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)보다 크게 형성될 수 있다.
이와 같은 화소 배치 구조를 다르게 표현하면, 녹색 화소(G)의 중심점을 사각형의 중심점으로 하는 가상의 사각형(VS)의 꼭지점 중에 서로 마주보는 제1, 제3 꼭지점에는 적색 화소(R)가 배치되며, 나머지 꼭지점인 제2, 제4 꼭지점에 청색 화소(B)가 배치되어 있다고 표현할 수 있다. 이 때, 가상의 사각형(VS)은 직사각형, 마름모, 정사각형 등 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 화소 배치 구조는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 3에서 가상의 사각형(VS)의 중심점에 녹색 화소(G) 대신 청색 화소(B)가 배치되며, 가상의 사각형(VS)의 꼭지점 중에 서로 마주보는 제1, 제3 꼭지점에는 적색 화소(R)가 배치되며, 나머지 꼭지점인 제2, 제4 꼭지점에 녹색 화소(G)가 배치될 수 있다.
이러한 화소 배치 구조를 펜타일 매트릭스(PenTile Matrix) 구조라고 하며, 인접한 화소를 공유하여 색상을 표현하는 렌더링(Rendering) 구동을 적용함으로써, 작은 수의 화소로 고해상도를 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 화소 배치 구조는 상기 펜타일 매트릭스 구조에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명은 스트라이프(Strip) 배열, 모자익(Mosic) 배열, 델타(Delta) 배열을 갖는 화소 배치 구조에 적용될 수 있다. 또한, 본 발명은 백색광을 내는 백색 화소를 더 포함하는 화소 배치 구조에도 적용될 수 있다.
본 실시예에서, 화소들은 제1 내지 제3 화소로 구분될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제3 화소들은 각각 적색 화소(R), 청색 화소(B), 및 녹색 화소(G)에 대응할 수 있다.
도 4a는 복수의 화소의 발광영역과 도전층과의 관계를 나타낸 배치도이며, 도 4b는 도 4a 중 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치는 복수의 화소들을 포함하며, 상기 복수의 화소들은 도전층(CM)과 연결될 수 있다.
복수의 화소는 복수의 적색 화소(R), 복수의 녹색 화소(G), 및 복수의 청색 화소(B)를 포함할 수 있다. 전술한 것과 같이, 복수의 화소들은 펜타일 구조로 배열될 수 있다.
본 실시예에서, 복수의 화소들은 발광영역(OP)을 포함하며, 상기 발광영역(OP)은 후술할 화소정의막의 개구로 정의될 수 있다. 일부 실시예에서, 청색 화소(B)의 발광영역(OP3)은 적색 화소(R)의 발광영역(OP1) 및 녹색 화소(G)의 발광영역(OP2)에 비해서 크게 구비될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 적색 화소(R)의 발광영역(OP1)이 청색 화소(B)의 발광영역(OP3) 및 녹색 화소(G)의 발광영역(OP2)에 비해서 크게 구비될 수 있는 등 여러 실시예가 가능하다.
상기 발광영역(OP)은 발광영역의 중심점(Ct)을 포함할 수 있다. 상기 발광영역의 중심점(Ct)을 지나는 가상의 직선은 발광영역(OP)의 평면상 면적을 이등분(二等分) 할 수 있다. 예를 들어, 적색 화소의 발광영역(OP1)은 적색 화소의 발광영역의 중심점(Ct1)을 포함할 수 있다. 상기 적색 화소의 발광영역의 중심점(Ct1)을 제1방향으로 지나는 제1직선(ST1)은 적색 화소의 발광영역(OP1)의 평면상 면적을 이등분 할 수 있다. 따라서, 이등분된 적색 화소의 발광영역(OP1)의 평면상 면적(RS1, RS2)은 같을 수 있다. 다른 예로, 녹색 화소의 발광영역(OP2)은 녹색 화소의 발광영역의 중심점(Ct2)을 포함할 수 있다. 상기 녹색 화소의 발광영역의 중심점(Ct2)을 제1방향으로 지나는 제2직선(ST2)은 녹색 화소의 발광영역(OP2)의 평면상 면적을 이등분 할 수 있다. 따라서, 이등분된 청색 화소의 발광영역(OP2)의 평면상 면적(BS1, BS2)은 같을 수 있다. 또 다른 예로, 청색 화소의 발광영역(OP3)은 청색 화소의 발광영역의 중심점(Ct3)을 포함할 수 있다. 상기 청색 화소의 발광영역의 중심점(Ct3)을 제1방향으로 지나는 제3직선(ST3)은 청색 화소의 발광영역(OP3)의 평면상 면적을 이등분 할 수 있다. 따라서, 이등분된 녹색 화소의 발광영역(OP3)의 평면상 면적(GS1, GS2)는 같을 수 있다.
도전층(CM)은 복수의 제1연장부들(L1) 및 복수의 제2연장부들(L2)을 포함할 수 있다. 복수의 제1연장부들(L1) 및 복수의 제2연장부들(L2)은 일체(一體)로 구비될 수 있다.
제1연장부들(L1)은 제1방향으로 연장되어 배치되며, 동일 행에 배치된 복수의 화소들과 연결될 수 있다. 제1연장부들(L1)은 제1배선부분(PL1) 및 제1배선부분(PL1)과 교번적으로 배치된 제2배선부분(PL2)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 행(1N)을 따라 연장된 제1배선부분(PL1)은 교번적으로 배치된 청색 화소(B) 및 적색 화소(R)와 연결될 수 있다. 제2 행(2N)을 따라 연장된 제2배선부분(PL2)은 녹색 화소(G)들과 연결될 수 있다.
제2연장부들(L2)은 제2방향으로 연장되어 배치되며, 동일 열에 배치된 복수의 화소들과 연결될 수 있다. 제2연장부들(L2)은 제3배선부분(PL3) 및 제3배선부분(PL3)과 교번적으로 배치된 제4배선부분(PL4)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 열(1M)을 따라 연장된 제3배선부분(PL3)은 교번적으로 배치된 청색 화소(B)와 적색 화소(R)와 연결될 수 있다. 제2 열(2M)을 따라 연장된 제4배선부분(PL4)은 녹색 화소(G)들과 연결될 수 있다.
제1연장부들(L1) 및 제2연장부들(L2)은 교차하여 교차부들(C)을 형성할 수 있다. 교차부들(C)은 제1교차부들(C1)과 제2교차부들(C2)을 포함할 수 있다. 제1교차부들(C1)은 제3배선부분(PL3)과 제1연장부들(L1)이 교차하여 형성될 수 있으며, 제2교차부들(C2)은 제4배선부분(PL4)과 제1연장부들(L1)이 교차하여 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 열(1M)을 따라 연장된 제3배선부분(PL3)은 제1방향을 따라 연장되어 배치된 제1연장부들(L1)과 교차하여 제1교차부들(C1)을 형성할 수 있다. 또한, 제2 열(2M)을 따라 연장된 제4배선부분(PL4)은 제1방향을 따라 배치된 제1연장부들(L1)과 교차하여 제2교차부들(C2)을 형성할 수 있다.
청색 화소의 발광영역(OP3) 또는 적색 화소의 발광영역(OP1)은 각각 제1교차부들(C1) 중 어느 하나와 중첩할 수 있다. 녹색 화소의 발광영역(OP2)은 각각 제2교차부들(C2) 중 어느 하나와 중첩할 수 있다. 즉, 복수의 화소들의 발광영역(OP)은 각각 교차부들(C) 중 어느 하나와 중첩할 수 있다.
본 실시예에서, 복수의 화소들의 발광영역의 중심점(Ct)은 각각 교차부들(C) 중 어느 하나와 중첩될 수 있다. 청색 화소의 발광영역의 중심점(Ct3) 또는 적색 화소의 발광영역의 중심점(Ct1)은 각각 제1교차부들(C1) 중 어느 하나와 중첩될 수 있으며, 녹색화소의 발광영역의 중심점(Ct2)은 각각 제2교차부들(C2) 중 어느 하나와 중첩될 수 있다.
다른 관점에서 보면, 상기 도전층(CM)은 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)이 교차하여 구비된 메쉬-홀(mesh-hole)들(MSH)을 포함하는 메쉬 구조(mesh structure)일 수 있다. 메쉬-홀(mesh-hole)들(MSH)의 제1코너부(N1) 및 상기 제1코너부(N1)와 마주보는 제2코너부(N2)가 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역(OP)과 각각 중첩부들(OVL)을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 복수의 화소들의 상기 발광영역의 중심점(Ct)은 도전층(CM)과 중첩될 수 있다.
도전층(CM)은 복수의 콘택홀(CNT)에 의해서 하부도전층(UCM)과 컨택될 수 있다. 도전층(CM)이 하부도전층(UCM)에 컨택됨에 따라, 도전층(CM)은 하부도전층(UCM)과 동일한 전압을 제공할 수 있다. 예컨대, 하부도전층(UCM) 및 도전층(CM)은 구동전압(ELVDD)을 전달하는 배선일 수 있다. 도전층(CM)이 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)을 포함함에 따라, 구동전압(ELVDD)은 표시영역(DA, 도 1 참조) 전반에 걸쳐 균일하게 제공될 수 있다.
본 실시예에서, 이러한 도전층(CM)의 배치는 측면 시야각에 따른 비대칭 칼라 시프트를 최소화하기 위해서 도입된 것일 수 있다. 즉, 복수의 화소들의 발광영역(OP)에 각각 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)의 교차부들(C)이 중첩되도록 설계함으로써, 복수의 화소들의 발광영역(OP)의 대칭성을 증가시킬 수 있다.
이하, 도 5a 및 도 5b를 참조하며, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치의 적층구조를 살펴보면서, 도전층(CM)의 영향에 대해서 설명하기로 한다. 도 5a은 도 4a의 I-I'선에 따른 단면도이다. 도 5b는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
기판(110)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelene n napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(110)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(110)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(110) 상에 위치하여, 기판(110)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(110) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(110)과 버퍼층(111) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(111)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNX)으로 구비될 수 있다.
상기 버퍼층(111) 상부에는 각 화소(R, G, B) 당 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 도 5에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 2a 또는 도 2b의 화소회로(PC)에 포함된 박막트랜지스터(TFT) 중 어느 하나 일 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 경우에 따라서, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 생략될 수 있다. 또한, 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 데이터 신호를 전달하는 데이터선과 연결될 수 있다. 게이트전극(GE)은 스캔 신호를 전달하는 스캔선과 연결될 수 있다.
반도체층(Act)은 상기 버퍼층(111) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(A1)은 채널영역과 상기 채널영역 양옆에 캐리어가 농도가 높은 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
반도체층(Act)을 덮도록 제1게이트절연층(112)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(112) 상부에는 상기 반도체층(Act)과 중첩되도록 게이트전극(GE)이 배치된다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트전극(GE)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 상기 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(113) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(Cst2)이 배치될 수 있다. 상부 전극(Cst2)은 그 아래의 게이트전극(GE)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(GE) 및 상부 전극(Cst2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(Cst1)으로 기능할 수 있다.
이는 스토리지 커패시터(Cst)와 박막트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있음을 의미한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있음은 물론이다.
상부 전극(Cst2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(115)은 상기 상부 전극(Cst2)을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 층간절연층(115)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 층간절연층(115) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(SE)과 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
층간절연층(115) 상에는 하부도전층(UCM)이 더 배치될 수 있다. 즉, 하부도전층(UCM)은 상기 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)과 동일층에 배치되어 동일한 물질로 구비될 수 있다. 하부도전층(UCM)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 하부도전층(UCM)은 구동전압(ELVDD)을 전달하는 배선으로, 각 화소(B, G)마다 배치될 수 있다. 하부도전층(UCM)은 화소의 발광영역인 화소정의막(119)의 개구(OP2, OP3)와 중첩되어 형성될 수 있다. 하부도전층(UCM)과 화소전극(221G, 221B) 사이에는 제1비아층(117) 및 제2비아층(118)이 배치되는 바, 하부도전층(UCM)이 화소의 발광영역과 중첩된다고 하더라도 발광영역에 미치는 영향은 없다고 할 수 있다.
소스전극(SE), 드레인전극(DE) 및 하부도전층(UCM)을 덮도록 제1비아층(117)이 배치될 수 있다. 제1비아층(117)은 그 상부에 배치되는 도전층(CM)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1비아층(117)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 제1비아층(117)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제1비아층(117)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등의 무기절연물질을 포함할 수 있다.
제1비아층(117) 상에는 도전층(CM)이 배치된다. 도전층(CM)은 제1비아층(117)을 관통하는 콘택홀(CNT)을 통해서 하부도전층(UCM)과 컨택될 수 있다. 도 5b 참조하면, 도전층(CM) 중 제3배선부분(PL3)은 콘택홀(CNT)을 통해서 하부도전층(UCM)과 컨택될 수 있다.
도전층(CM)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
도전층(CM)을 덮도록 제2비아층(118)이 배치될 수 있다. 제2비아층(118)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 제2비아층(118)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제2비아층(118)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등의 무기절연물질을 포함할 수 있다.
상기 제2비아층(118) 상부에는 화소전극(221B, 221G)이 배치된다. 화소전극(221B, 221G)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221B, 221G)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221B, 221G)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(221B, 221G)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
화소정의막(119)은 화소전극(221B, 221G) 각각의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(119)은 각 화소들에 대응하는 개구(OP2, OP3), 즉 적어도 화소전극(221B, 221G)의 일부가 노출되도록 하는 개구(OP2, OP3)를 가짐으로써 화소의 발광영역을 정의하는 역할을 한다. 즉, 상기 개구(OP2, OP3)는 각 화소의 발광영역(OP)으로 지칭될 수 있다.
화소정의막(119)은 각 화소전극(221B, 221G)의 가장자리와 화소전극(221B, 221G) 상부의 대향전극(223)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(221B, 221G)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
화소정의막(119)의 개구(OP2, OP3)에 의해서 노출된 화소전극(221B, 221G) 상에는 유기발광층을 포함하는 중간층(222G, 222B)이 배치된다. 중간층(222G, 222B)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(222G, 222B)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 유기발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층(222G, 222B)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
물론 중간층(222G, 222B)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 중간층(222G, 222B)은 복수개의 화소전극(221G, 221B)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수개의 화소전극(221G, 221B)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.
중간층(222G, 222B) 상부에는 대향전극(223)이 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
대향전극(223)은 복수개의 유기발광다이오드(OLED(G), OLED(B))들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수개의 화소전극(221G, 221B)들에 대응할 수 있다.
도면에 도시하고 있지 않으나, 대향전극(223) 상부에는 대향전극(223)을 보호하면서 광 추출효율을 향상시키는 캡핑층이 형성될 수 있다. 캡핑층은 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 캡핑층은 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 및/또는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 캡핑층은 생략될 수 있다.
또한, 본원에 따른 유기발광표시장치는 복수의 유기발광다이오드(OLED)들을 외기로 부터 보호하기 위한 밀봉부재가 더 구비될 수 있다.
밀봉부재는 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층으로 구비될 수 있다. 이 때, 무기봉지층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 유기봉지층은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 박막봉지층은 제1무기봉지층, 유기봉지층, 제2무기봉지층이 적층된 구조로 구비될 수 있다.
또는, 밀봉부재로 실런트 또는 프릿에 의해서 기판(110)과 합착되는 밀봉기판을 이용할 수도 있다.
한편, 상기 밀봉부재 상부에는 터치입력을 감지하는 입력감지부재, 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소가 더 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 도전층(CM)은 화소정의막(119)의 개구(OP2, OP3)와 중첩되어 있도록 배치되고 있다. 도전층(CM)의 형상에 따라, 제2비아층(118) 상면에 수직으로 굴곡이 형성될 수 있다. 이러한 굴곡은 복수의 화소들의 화소전극(222A) 및/또는 중간층(222B), 대향전극까지 영향을 미칠 수 있다.
발광영역 내부에 형성된 굴곡 또는 단차는 중간층(222B)에서 발생되는 빛의 난반사 또는 상하/좌우 비대칭 반사를 유발할 수 있으며, 이에 따라 시야각(방위각)에 따른 컬러 시인성이 다르게 나타날 수 있다.
만일, 도 6과 같이, 제1연장부들(L1)이 녹색 화소의 발광영역(OP2)을 지나지 않는 경우 제1연장부들(L1)과 제4배선부분(PL4)이 교차하여 제2교차부들(C2)이 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 적색 화소(R) 및 청색 화소(B)의 하부에는 제1방향 및 제2방향으로 도전층(CM)이 배치되지만, 녹색 화소(G)에는 제2방향으로만 도전층(CM)이 배치될 수 있다. 적색 화소(R) 및 청색 화소(B)와 녹색 화소(G)는 각 화소의 발광영역(OP)에 중첩되는 도전층(CM)의 배치가 상이해질 수 있다. 즉, 적색 화소(R) 및 청색 화소(B) 내부에 형성되는 굴곡 또는 단차는 녹색 화소 내부에 형성되는 굴곡 또는 단차와 상이할 수 있다. 따라서, 시야각(방위각)에 따른 컬러 시프트가 증가할 수 있다.
이러한 현상을 최소화하기 위해서, 본 실시예에 있어서는 각 화소의 발광영역(OP)에 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)이 중첩되도록 배치하고 있다. 또한, 복수의 화소의 발광영역의 중심점(Ct)이 각각 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)의 교차부들(C)에 포함되도록 배치하고 있다. 즉, 복수의 화소들의 발광영역(OP)에 중첩되는 도전층(CM)의 배치를 동일해질 수 있다. 도전층(CM)로 인한 발광영역 내부에 형성된 굴곡 또는 단차가 대칭을 이룸으로써, 방위각에 따른 컬러 시프트가 감소할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 배치도이다. 도 7에 있어서, 도 4a 및 도 6과 동일한 참조부호는 동일 부재를 의미하는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는 복수의 화소들을 포함하며, 상기 복수의 화소들은 도전층(CM)과 연결될 수 있다. 제1연장부들(L1)은 제1배선부분(PL1) 및 상기 제1배선부분(PL1)과 교번적으로 배치된 제2배선부분(PL2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1배선부분(PL1)은 청색 화소의 발광영역(OP3) 또는 적색 화소의 발광영역(OP1)과 중첩될 수 있다. 제2배선부분(PL2)은 녹색 화소의 발광영역(OP2)과 중첩하며, 제1방향으로 이격된 제1서브부분(PLS1) 및 제2서브부분(PLS2)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1배선부분(PL1)과 제3배선부분(PL3)은 교차하여 교차부들(C)을 형성할 수 있다. 제2배선부분(PL2)과 제4배선부분(PL4)은 교차되지 않을 수 있다. 따라서 녹색화소의 발광영역(OP2) 하부에 도전층(CM)은 십자가(+) 모양으로 배치될 수 있다.
다른 관점에서는, 도전층(CM)은 제1연장부들(L1)과 제2연장부들(L2)이 교차하여 구비된 메쉬-홀(mesh-hole)들(MSH)을 포함하는 메쉬 구조(mesh structure)일 수 있으며, 메쉬-홀(mesh-hole) 중 적어도 하나의 제1 메쉬-홀(MSH1) 및 상기 제1 메쉬-홀(MSH1)과 인접한 제2 메쉬-홀(MSH2)은 제2방향으로 연결될 수 있다.
복수의 화소들의 발광영역(OP) 내부에서 도전층(CM)의 배치가 동일할 수 있다. 도전층(CM)로 인한 발광영역(OP) 내부에 형성된 굴곡 또는 단차가 대칭을 이룸으로써, 시야각(방위각)에 따른 컬러 시프트를 감소시킬 수 있다.
이하에서는 시뮬레이션 결과들을 통해 복수의 화소의 발광영역 내에서 대칭적으로 배치된 도전층의 효과에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 8a는 본 발명의 실시예의 컬러 시프트에 대한 시뮬레이션 결과이다. 도 8b는 본 발명의 비교 실시예(도 6의 실시예)의 컬러 시프트에 대한 시뮬레이션 결과이다.
도 8a 를 참조하면, 기준 색좌표 대비 주어진 시야각(방위각)에서의 WAD 변화 결과를 나타낸다. 위 시뮬레이션 결과는 시야각(방위각)에 따라서 WAD의 변화가 일정함을 나타낸다.
도 8b를 참조하면, 기준 색좌표 대비 시야각(방위각)에 따라서 WAD의 변화가 본 발명의 실시예와 차이가 있음을 확인할 수 있다. 특히, 상하방향(90도-270도)의 WAD 변화 차이가 크다.
본 발명의 실시예는 복수의 발광영역 내부에서 도전층(CM)의 단차를 대칭적으로 형성하여 시야각(방위각)에 따라 WAD 변화를 최소화할 수 있다. 본 발명의 실시예는 본 발명의 비교 실시예보다 기준 색좌표 대비 컬러 시프트가 75% 감소됨을 확인할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110: 기판
111: 버퍼층
112: 제1게이트절연층
113: 제2게이트절연층
115: 층간절연층
117: 제1비아층
118: 제2비아층
119: 화소정의막
222B, 222G: 중간층
223: 대향전극
221R, 221G, 221B: 화소전극
C: 교차부들
Ct: 발광영역의 중심점
CM: 도전층
CNT: 콘택홀
ST1,ST2,ST3: 제1직선, 제2직선, 제3직선
L1, L2: 제1연장부들, 제2연장부들
MSH: 메쉬-홀(mesh-hole)
N1, N2: 제1코너부, 제2코너부
OVL: 중첩부들
PL1, PL2, PL3, PL4: 제1배선부분, 제2배선부분, 제3배선부분, 제4배선부분
PLS1, PLS2: 제1서브부분, 제2서브부분
UCM: 하부도전층
111: 버퍼층
112: 제1게이트절연층
113: 제2게이트절연층
115: 층간절연층
117: 제1비아층
118: 제2비아층
119: 화소정의막
222B, 222G: 중간층
223: 대향전극
221R, 221G, 221B: 화소전극
C: 교차부들
Ct: 발광영역의 중심점
CM: 도전층
CNT: 콘택홀
ST1,ST2,ST3: 제1직선, 제2직선, 제3직선
L1, L2: 제1연장부들, 제2연장부들
MSH: 메쉬-홀(mesh-hole)
N1, N2: 제1코너부, 제2코너부
OVL: 중첩부들
PL1, PL2, PL3, PL4: 제1배선부분, 제2배선부분, 제3배선부분, 제4배선부분
PLS1, PLS2: 제1서브부분, 제2서브부분
UCM: 하부도전층
Claims (20)
- 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 나열되는 복수의 화소들을 구비한 유기발광표시장치에 있어서,
기판 상에 배치되며, 상기 복수의 화소들 각각에 포함된 유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드의 화소전극의 가장자리를 덮으며, 상기 화소전극의 일부를 노출하는 개구를 가져 발광영역을 정의하는 화소정의막;
상기 기판과 상기 유기발광다이오드 사이에 배치된 도전층;
상기 도전층은 상기 제1방향으로 연장된 제1연장부들 및 상기 제2방향으로 연장된 제2연장부들을 포함하며,
상기 복수의 화소들의 상기 발광영역은 각각 상기 제1연장부들과 상기 제2연장부들이 교차하는 교차부들 중 어느 하나와 중첩하도록 배치된, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하고,
상기 제1화소의 발광영역, 상기 제2화소의 발광영역, 및 상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 교차부들와 중첩하도록 배치된, 유기발광표시장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1화소 및 상기 제2화소는 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로 교번하여 배치되고,
상기 제3화소는 상기 제1화소의 중심점 및 상기 제2화소의 중심점을 꼭지점으로 하는 가상의 사각형의 중심점에 위치하는, 유기발광표시장치. - 제3항에 있어서,
상기 기판 상의 박막트랜지스터; 및
상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에서 적층된 제1비아층 및 제2비아층;을 더 포함하고,
상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되며,
상기 제2연장부들은 제3배선부분; 및 상기 제3배선부분과 교번적으로 배치된 제4배선부분;을 포함하고,
상기 제3배선부분은 상기 제1연장부들과 교차하는 제1교차부들;을 형성하고,
상기 제1화소의 발광영역 또는 상기 제2화소의 발광영역은 각각 상기 제1교차부들 중 하나와 중첩하는, 유기발광표시장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1화소의 발광영역의 중심점 또는 상기 제2화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 제1교차부들 중 하나와 중첩되는, 유기발광표시장치. - 제3항에 있어서,
상기 기판 상의 박막트랜지스터; 및
상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에서 적층된 제1비아층 및 제2비아층;을 더 포함하고,
상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되며,
상기 제2연장부들은 제3배선부분; 및 상기 제3배선부분과 교번적으로 배치된 제4배선부분;을 포함하고,
상기 제4배선부분은 상기 제1연장부들과 교차되어 제2교차부들;을 형성하고,
상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 제2교차부들 중 하나와 중첩하는, 유기발광표시장치. - 제6항에 있어서,
상기 제3화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 제2교차부들과 중첩되는, 유기발광표시장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1연장부들은 제1배선부분 및 상기 제1배선부분과 교번적으로 배치된 제2배선부분을 포함하고,
상기 제1화소의 발광영역 또는 상기 제2화소의 발광영역은 각각 상기 제1배선부분 중 하나와 중첩하며,
상기 제3화소의 발광영역은 각각 상기 제2배선부분 중 하나와 중첩하고,
상기 제2배선부분은 상기 제1방향으로 이격된 제1서브부분 및 제2서브부분을 포함하는, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 도전층은 상기 복수의 화소에 구동전압을 전달하는 배선인, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1방향과 상기 제2방향은 수직인, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 화소들의 발광영역의 중심점은 각각 상기 교차부들 중 하나와 중첩되는, 유기발광표시장치. - 제11항에 있어서,
상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하며,
상기 제1화소의 발광영역의 중심점, 상기 제2화소의 발광영역의 중심점 및 상기 제3화소의 발광영역의 중심점은 각각 상기 교차부들 중 하나와 중첩되는, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 화소들은 펜타일 매트릭스 구조로 배치된, 유기발광표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층;
상기 기판과 상기 제1비아층 사이에 배치된 하부도전층;을 포함하며,
상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고,
상기 도전층은 상기 하부도전층과 콘택홀을 통해서 컨택되는, 유기발광표시장치. - 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 나열되는 복수의 화소들을 구비한 유기발광표시장치에 있어서,
기판 상에 배치되며, 상기 복수의 화소들 각각에 포함된 유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드의 화소전극의 가장자리를 덮으며, 상기 화소전극의 일부를 노출하는 개구를 가져 발광영역을 정의하는 화소정의막;을 포함하고,
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층;
상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고, 제1연장부들과 제2연장부들이 교차하여 구비된 메쉬-홀(mesh-hole)들을 포함하는 메쉬 구조(mesh structure)의 도전층;을 포함하며,
상기 복수의 화소들의 상기 발광영역은 상기 메쉬-홀(mesh-hole)들의 제1코너부 및 상기 제1코너부와 마주보는 제2코너부와 각각 중첩부들을 형성하는, 유기발광표시장치. - 제15항에 있어서,
상기 복수의 화소들의 상기 발광영역의 중심점은 상기 도전층과 중첩되는, 유기발광표시장치. - 제15항에 있어서,
상기 복수의 화소들은 서로 다른 색을 발광하는 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하는, 유기발광표시장치. - 제15항에 있어서,
상기 메쉬-홀(mesh-hole)들 중 적어도 하나의 제1메쉬-홀 및 상기 제1메쉬-홀과 인접한 제2메쉬-홀은 상기 제2방향으로 연결된, 유기발광표시장치. - 제15항에 있어서,
상기 기판과 상기 화소전극 사이에 배치된 제1비아층 및 제2비아층;
상기 기판과 상기 제1비아층 사이에 배치된 하부도전층;을 포함하며,
상기 도전층은 상기 제1비아층 및 상기 제2비아층 사이에 배치되고,
상기 도전층은 상기 하부도전층과 콘택홀을 통해서 컨택되는, 유기발광표시장치. - 제15항에 있어서,
상기 도전층 상에 배치된 상기 화소전극의 하면은 굴곡을 포함하는, 유기발광표시장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190057606A KR20200133095A (ko) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 유기발광표시장치 |
| US16/827,994 US11088215B2 (en) | 2019-05-16 | 2020-03-24 | Organic light-emitting display apparatus |
| CN202010382258.8A CN111952336A (zh) | 2019-05-16 | 2020-05-08 | 有机发光显示设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190057606A KR20200133095A (ko) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 유기발광표시장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200133095A true KR20200133095A (ko) | 2020-11-26 |
Family
ID=73231330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190057606A KR20200133095A (ko) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 유기발광표시장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11088215B2 (ko) |
| KR (1) | KR20200133095A (ko) |
| CN (1) | CN111952336A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102297348B1 (ko) | 2020-12-21 | 2021-09-03 | (주)유니젯 | 표시장치 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN208753326U (zh) * | 2018-11-05 | 2019-04-16 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN110098239B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法 |
| US11800761B2 (en) * | 2019-08-01 | 2023-10-24 | V-Finity, Inc. | LED display with pixel circuitry disposed on a substrate backside |
| CN112103315B (zh) * | 2020-09-15 | 2024-04-09 | 视涯科技股份有限公司 | 一种有机发光显示面板和显示装置 |
| CN113078191B (zh) * | 2021-03-23 | 2022-08-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113745304A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-03 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101373484B1 (ko) | 2006-12-29 | 2014-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| KR102045035B1 (ko) | 2013-07-19 | 2019-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| KR102194825B1 (ko) | 2014-06-17 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6535545B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2019-06-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102606279B1 (ko) | 2016-04-04 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102504948B1 (ko) | 2016-06-14 | 2023-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20180030363A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180089928A (ko) | 2017-02-01 | 2018-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102384774B1 (ko) | 2017-03-27 | 2022-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2019
- 2019-05-16 KR KR1020190057606A patent/KR20200133095A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-03-24 US US16/827,994 patent/US11088215B2/en active Active
- 2020-05-08 CN CN202010382258.8A patent/CN111952336A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102297348B1 (ko) | 2020-12-21 | 2021-09-03 | (주)유니젯 | 표시장치 |
| WO2022139060A1 (ko) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | (주)유니젯 | 표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11088215B2 (en) | 2021-08-10 |
| US20200365665A1 (en) | 2020-11-19 |
| CN111952336A (zh) | 2020-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |