TWI642931B - 缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法 - Google Patents

Abstract

本發明之缺陷檢查裝置中，自射出部(3)射出雷射光，於基板(9)之主表面(91)上形成雷射光之光點。藉由光點移動機構(5)，使雷射光之光點在主表面(91)上面移動。於受光部(4)中，當雷射光之光點通過主表面(91)上之缺陷之位置時，接受來自光點之散射光，以取得該散射光之強度。於環境氣體調整部(6)中，至少將雷射光之光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低。藉此，能抑制主表面(91)上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。

Description

缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法

本發明係關於一種缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法。

習知，利用有一種檢查半導體基板等基板之主表面之缺陷之缺陷檢查裝置。例如，於日本專利特表2014-524033號公報之裝置中，一面對形成於晶圓上之照明區進行掃描，一面將自照明區散射之光朝感測器導引，且使用該感測器之輸出對晶圓上之缺陷進行檢測。

再者，於日本專利特開2011-106974號公報中，在搭載於電子顯微鏡之光學顯微鏡中，將自暗視場照明單元射出之雷射朝配置有樣本之真空槽內導引。此外，來自樣本之散射光，經由物鏡、成像光學系統等被導向固體攝影元件而進行樣本之像的成像。藉此，於固體攝影元件中，取得顯示樣本之圖像。此外，於日本專利特開2001-235430號公報之表面檢查裝置中，自準分子雷射朝晶圓射出雷射光束，且藉由CCD將來自晶圓之光轉換為對應光強度之電信號，而取得顯示晶圓表面之圖像。於該裝置中，為了防止硫酸銨附著於光學構件表面，將晶圓及光學構件收容於密封容器內，且朝內部供給惰性氣體。

於基板之檢查中，為了檢測更微小粒徑之粉粒、即為了提高粉粒之檢測精度，可考慮增大照射在主表面上之雷射光之強 度。藉由高強度之雷射光之照射，來自微小粒徑之粉粒之散射光量增加，從而變得可對此種之粉粒進行檢測。然而，本案發明者又確認存在有以下之現象，即、若增大雷射光之強度，會造成粉粒在基板之主表面上生長。為了在基板上形成高精細之圖案，並不希望粉粒之生長。因此，為了增大雷射光之強度而提高粉粒之檢測精度，需要有一種用來抑制主表面上之粉粒因雷射光之照射而生長之方法。

本發明係應用於缺陷檢查裝置，其目的在於抑制主表面上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。

本發明之缺陷檢查裝置，其包含：射出部，其射出雷射光，於基板之主表面形成上述雷射光之光點；受光部，其接受來自上述光點之散射光，取得上述散射光之強度；光點移動機構，其於上述主表面上移動上述光點；及環境氣體調整部，其至少將上述光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低。

根據本發明，可抑制主表面上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。

本發明之一形式中，上述環境氣體調整部具備朝上述光點附近噴出惰性氣體之噴嘴。

上述環境氣體調整部也可具備：處理腔，其至少收容上述基板；及減壓機構，其對上述處理腔內進行減壓。

本發明之其他形式中，上述環境氣體調整部具備：處理腔，其至少收容上述基板；及氣體供給部，其朝上述處理腔內供給惰性氣體。該情況下，較佳為，上述環境氣體調整部更具備對上 述處理腔內進行減壓之減壓機構。

本發明之一較佳之形態中，缺陷檢查裝置更具備缺陷檢測部，該缺陷檢測部根據由上述受光部取得之上述散射光之強度，對上述主表面之缺陷進行檢測。

本發明也可應用於缺陷檢查裝置之缺陷檢查方法。

上述目的及其他之目的、特徵、形式及優點，藉由參照附圖且以下進行之本發明之詳細的說明，自可明瞭。

1‧‧‧缺陷檢查裝置

2‧‧‧檢查單元

3‧‧‧射出部

4‧‧‧受光部

5‧‧‧光點移動機構

6‧‧‧環境氣體調整部

9‧‧‧基板

10‧‧‧控制部

11‧‧‧載具保持部

12‧‧‧基板搬送部

31a、31b‧‧‧光源部

41a、41b‧‧‧檢測器

51‧‧‧工作台

52‧‧‧旋轉機構

53‧‧‧移動機構

61‧‧‧處理腔

62‧‧‧噴嘴

62a‧‧‧噴嘴

63‧‧‧氣體供給部

64‧‧‧減壓機構

90‧‧‧載具

91‧‧‧主表面

100‧‧‧缺陷檢測部

321、322、323‧‧‧反射鏡

411a、411b‧‧‧偏光片

421‧‧‧透鏡

422、423‧‧‧反射鏡

431‧‧‧集光器

432‧‧‧孔板

611‧‧‧開口部

612‧‧‧開閉機構

613‧‧‧氣體排出口

631‧‧‧閥

641‧‧‧閥

J1‧‧‧旋轉軸

J2‧‧‧光軸

L1~L4‧‧‧線

圖1為顯示缺陷檢查裝置之構成之圖。

圖2為顯示檢查單元之構成之圖。

圖3為顯示基板之檢查流程之圖。

圖4為顯示省略了惰性氣體之噴出之情況下之因重複檢查而引起之粉粒數之變化之圖。

圖5為顯示檢查單元之其他例子之圖。

圖6為顯示檢查單元之又一其他例子之圖。

圖1為顯示本發明之一實施形態之缺陷檢查裝置1之構成之圖。缺陷檢查裝置1，係檢測半導體基板等基板9之主表面上之缺陷。該缺陷主要為粉粒，缺陷檢查裝置1亦被稱作為微粒測量器(或微粒計數器)。以缺陷檢查裝置1檢測之缺陷，也可包含主表面上之凹穴等的粉粒以外之缺陷。本實施形態之基板9例如由矽形成。

缺陷檢查裝置1具備載具保持部11、基板搬送部 12、檢查單元2及控制部10。載具保持部11係保持載具90。載具90係可堆疊收容複數之基板9之收容器，也被稱作為FOUP(晶圓搬送盒)。基板9例如為圓板狀。基板搬送部12係配置於載具保持部11與檢查單元2之間。載置於載具保持部11之載具90內之未檢查之基板9，藉由基板搬送部12被搬入檢查單元2內。此外，後述之檢查後之基板9，藉由基板搬送部12被自檢查單元2搬出，且返回載具90內。

圖2為顯示檢查單元2之構成之圖。檢查單元2具備射出部3、受光部4、光點移動機構5、及環境氣體調整部6。光點移動機構5具備工作台51、旋轉機構52及移動機構53。工作台51例如藉由吸引吸附而以水平狀態保持基板9。旋轉機構52係以垂直於基板9之主表面91之旋轉軸J1為中心旋轉工作台51。移動機構53係使旋轉機構52、工作台51及基板9朝沿基板9之主表面91之一方向移動。

射出部3具備2個光源部31a、31b、及複數之反射鏡321、322、323。各光源部31a、31b係射出高強度之雷射光(例如紫外線之雷射光)。來自光源部31a之雷射光，經由反射鏡321、322被照射於基板9之一主表面91上。再者，反射鏡322係配置在後述之集光器431之內部，於該集光器431形成有供自反射鏡321射向反射鏡322之雷射光通過之開口。自反射鏡322射向基板9之主表面91之雷射光之路徑，係垂直於主表面91。如此，來自光源部31a之雷射光，自垂直於基板9之方向被照射於主表面91，且於主表面91形成該雷射光之光點。

來自光源部31b之雷射光，經由反射鏡323被照射 於基板9之主表面91上。自反射鏡323射向基板9之主表面91之雷射光之路徑，係呈銳角相對於主表面91傾斜。如此，來自光源部31b之雷射光，自相對於基板9傾斜之方向被照射於主表面91，且於主表面91形成有該雷射光之光點。於主表面91上，來自光源部31a之雷射光之光點、及來自光源部31b之雷射光之光點，被形成於大致相同之位置。於檢查單元2中，選擇利用例如2個光源部31a、31b中的一者。以下之說明中，將藉由2個光源部31a、31b中的被選擇之一者而形成於主表面91上之雷射光之光點簡稱為「雷射光之光點」。此外，雷射光係以聚光之狀態被照射於主表面91上。

受光部4具備2個檢測器41a、41b、透鏡421、複數之反射鏡422、423、集光器431及孔板432。透鏡421係在垂直於主表面91之方向上被配置在與主表面91上之雷射光之光點重疊之位置、即雷射光之光點之正上方。雷射光之光點，係位於透鏡421之光軸J2上。

如後述，雷射光之光點，連續移動於主表面91上。當雷射光之光點通過主表面91上之缺陷之位置時，自雷射光之光點整體，相對於光軸J2以較小之角度散射之散射光，入射於透鏡421。通過透鏡421之光，經由反射鏡422、423被導向檢測器41a，且於檢測器41a之受光面聚光。於檢測器41a中，取得該散射光之強度(全強度)，然後將顯示該強度之信號輸出至控制部10之缺陷檢測部100。

集光器431具有旋轉橢圓體狀之反射鏡，且包圍透鏡421之周圍。集光器431之中心軸，係與透鏡421之光軸J2大致一致。自雷射光之光點整體，相對於光軸J2以較大之角度散射 之散射光，由集光器431反射。來自集光器431之光，通過孔板432，且在檢測器41b之受光面聚光。於檢測器41b中，取得接受之光的強度，然後將顯示該強度之信號輸出至缺陷檢測部100。本實施形態中，於檢測器41a與反射鏡423之間、及檢測器41b與孔板432之間設置有偏光片411a、411b。

於檢查單元2中，旋轉機構52使基板9以旋轉軸J1為中心進行旋轉，並且，移動機構53在包含旋轉軸J1及透鏡421之光軸J2之面上朝沿主表面91之方向移動旋轉機構52。實際上，大致自於旋轉軸J1上配置有主表面91上之雷射光之光點之狀態，一面使基板9旋轉，一面由移動機構53緩慢且連續地移動旋轉機構52。藉此，雷射光之光點，在主表面91上之螺旋狀之路徑上連續移動(掃描)。於該路徑之各位置，根據藉由檢測器41a、41b取得之散射光之強度，藉由缺陷檢測部100檢測主表面91之缺陷之有無。

環境氣體調整部6具備處理腔61、噴嘴62及氣體供給部63。噴嘴62之前端，係配置於集光器431之下端與基板9之主表面91之間。噴嘴62經由閥631而連接有氣體供給部63。氣體供給部63係藉由朝噴嘴62供給惰性氣體，自噴嘴62朝雷射光之光點附近噴出惰性氣體。藉此，雷射光之光點附近，藉由惰性氣體而被沖洗。作為惰性氣體，例示有例如氮氣。

處理腔61係收容射出部3、受光部4、光點移動機構5、及噴嘴62。於處理腔61設置有能供基板9通過之開口部611、及進行開口部611之開閉之開閉機構612(參照圖1)。於藉由基板搬送部12朝處理腔61內搬入基板9時、及朝處理腔61外搬出基板9 時，藉由開閉機構612將開口部611開放。於後述之基板9之檢查時，藉由開閉機構612將開口部611關閉，而將處理腔61密封。

圖3為顯示缺陷檢查裝置1中之基板9之檢查流程之圖。於基板9之檢查中，首先，藉由基板搬送部12將保持於載具90內之檢查對象之基板9搬入檢查單元2之處理腔61內，且載置於圖2之工作台51上(步驟S11)。此時，藉由使設置於基板9之凹口等定位部抵接於設置在工作台51上之銷等，對工作台51上之基板9之方向進行調整。接著，自氣體供給部63開始朝噴嘴62供給惰性氣體，自噴嘴62連續地噴出惰性氣體(步驟S12)。藉此，在與透鏡421之光軸J2重疊之主表面91上之位置附近、即雷射光之射出時之主表面91上之光點附近，每單位體積之氧量或氧濃度(氧之比例)，變得較缺陷檢查裝置1之周圍之空氣低。

若開始惰性氣體之噴出後，則開始來自在射出部3被選擇之一光源部31a、31b之雷射光之射出、及藉由光點移動機構5進行之主表面91上之雷射光之光點之移動(步驟S13)。亦即，與惰性氣體之噴出同步，移動雷射光之光點。於受光部4之檢測器41a、41b中，於主表面91上之光點之位置上存在有粉粒或凹穴等缺陷之情況下，受到來自光點之散射光，進而取得該散射光之強度。並且，將顯示該強度之信號輸出至缺陷檢測部100。

於缺陷檢測部100中，當以受光部4取得了既定值以上之散射光之強度時，則有檢測出缺陷之存在(步驟S14)。詳細而言，顯示基板9之藉由旋轉機構52之旋轉角度、及旋轉機構52之藉由移動機構53之移動位置之信號，被時常輸入至缺陷檢測部100，且對產生該散射光之基板9上之位置、及自該散射光之強度 推定之缺陷之大小進行記憶。於缺陷檢測部100中，例如，預先準備顯示散射光之強度與缺陷之大小之關係之表格。實際上，每當以受光部4取得既定值以上之散射光之強度時，則對缺陷之位置及大小進行記憶(即，有檢測出缺陷)。

若雷射光之光點通過主表面91上之應檢查區域之全部位置，則停止雷射光之光點之移動，並且還停止來自射出部3之雷射光之射出(步驟S15)。此外，還停止來自噴嘴62之惰性氣體之噴出(步驟S16)。然後，藉由基板搬送部12將工作台51上之基板9搬出至處理腔61外，且返回載具90內(步驟S17)。

其次，於藉由缺陷檢查裝置1進行基板9之檢查時，對假定省略來自噴嘴62之惰性氣體之噴出之情況下之對基板9之影響進行敘述。在此，對藉由省略了噴嘴62及氣體供給部63之比較例之缺陷檢查裝置，重複地檢查相同之基板9時而檢測出之粉粒數之變化進行調查。圖4為顯示省略了惰性氣體之噴出之情況下之因重複檢查而引起之粉粒數之變化之圖。本實驗中，分3種狀況變更自射出部3射出之雷射光之強度。圖4中，以線L1、L2顯示使用最高強度之雷射光之情況下之粉粒數之變化，以線L3顯示使用第2高強度之雷射光之情況下之粉粒數之變化，且以線L4顯示使用最低強度之雷射光之情況下之粉粒數之變化。

於線L1~L4之任一者中，隨著檢查之重複次數之增大，粉粒數增加。此外，線L1、L2之斜率係大致相同，且遠大於線L3、L4之斜率。並且，線L3之斜率，係略大於線L4之斜率。如此，自射出部3射出之雷射光之強度越高，則相對於檢查之重複次數之粉粒數之增加率(變化率)變得越高。

由圖4中可考慮為較檢測界限小之粉粒(例如，以矽或金屬形成之粉粒)，係因重複之檢查而被增大至(生長成為)能檢測尺寸。藉由能量分散型X射線分析(EDX)，確認此種之粉粒含有大量的氧。因此，於比較例之缺陷檢查裝置中，可考慮為主表面91上之粉粒係因存在於雷射光之光點周圍之氧的影響而生長。實際上，於使用相同強度之雷射光之情況下，粉粒數之增加率也是按每片基板而異。再者，即使於在供給無塵乾燥空氣之空間內配置比較例之缺陷檢查裝置而進行基板9之檢查之情況下，主表面91上之粉粒也會生長。

相對於此，於缺陷檢查裝置1中，藉由環境氣體調整部6，將雷射光之光點附近之局部的氧濃度或氧量降低至較周圍之空氣低。藉此，能抑制主表面91上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。其結果，於缺陷檢查裝置1中，可於抑制粉粒之生長之狀態下實現使用高強度之雷射光而提高粉粒等之缺陷之檢測精度。此外，藉由在主表面91上之雷射光之光點附近配置噴嘴62，可藉由少流量之惰性氣體效率良好地降低雷射光之光點附近之氧濃度或氧量。

於圖2之檢查單元2中，藉由於形成被密封之內部空間之處理腔61內配置基板9，可於清潔之空間內進行基板9之檢查。此外，藉由朝處理腔61內供給惰性氣體，處理腔61內之壓力變得較大氣壓高，可抑制周圍之雜物進入處理腔61內。於圖2之檢查單元2中，處理腔61不需要被嚴密地密封。此外，也可根據具有噴嘴62之檢查單元2之設計，省略處理腔61。

圖5為顯示檢查單元2之其他例子之圖。於圖5之 檢查單元2中，取代在圖2之檢查單元2中被設置於雷射光之光點附近之噴嘴62，於處理腔61設置噴嘴62a。噴嘴62a例如被安裝於處理腔61之側壁。其他之構成，係與圖2之檢查單元2相同，對相同之構成則賦予相同之符號。

於具有圖5之檢查單元2之缺陷檢查裝置1中，於圖3之步驟S12中，開始來自噴嘴62a之惰性氣體之噴出。亦即，藉由氣體供給部63且經由噴嘴62a朝處理腔61內供給惰性氣體。此時，惰性氣體之流量，係較圖2之檢查單元2之流量多。並且，若自惰性氣體之供給開始經過既定時間後，則開始來自射出部3之雷射光之射出、及基板9上之雷射光之光點之移動(步驟S13)，於主表面91上存在有缺陷之情況下，檢測出該缺陷(步驟S14)。若雷射光之光點通過主表面91整體，則停止雷射光之光點之移動、來自射出部3之雷射光之射出、及惰性氣體之噴出(供給)(步驟S15、S16)。

如上述，於圖5之檢查單元2中，藉由環境氣體調整部6之氣體供給部63朝處理腔61內供給惰性氣體。藉此，可容易實現將處理腔61內之氧濃度、即基板9之周圍之氧濃度降低至較處理腔61外之空氣更低。其結果，可抑制主表面91上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。於圖5之檢查單元2中，也可自惰性氣體之供給開始經過既定時間，且在處理腔61內之氧濃度被降低一定程度之後，才降低惰性氣體之流量、或停止惰性氣體之供給。此外，也可安裝測量處理腔61內之氧濃度之氧濃度計，且以處理腔61內之氧濃度成為在較周圍之氧濃度低之既定範圍內之方式，控制惰性氣體之供給之ON/OFF(後述之圖6之檢查單元2中同樣如 此)。

圖6為顯示檢查單元2之又一其他例子之圖。於圖6之檢查單元2中，係於圖5之檢查單元2中追加減壓機構64。減壓機構64經由閥641被連接於處理腔61之氣體排出口613。減壓機構64被包含於環境氣體調整部6。

於具有圖6之檢查單元2之缺陷檢查裝置1中，在將基板9搬入處理腔61內且藉由開閉機構612(參照圖1)封閉開口部611後(圖3：步驟S11)，開始藉由減壓機構64進行處理腔61內之減壓(步驟S12)。若自減壓機構64之減壓開始經過既定時間後，則開始來自射出部3之雷射光之射出、及基板9上之雷射光之光點之移動(步驟S13)，且於主表面91上存在有缺陷之情況下，檢測該缺陷(步驟S14)。若雷射光之光點通過主表面91之整體，則停止雷射光之光點之移動、來自射出部3之雷射光之射出、及減壓機構64之減壓(步驟S15、S16)。然後，於藉由氣體供給部63朝處理腔61內供給惰性氣體且處理腔61內之壓力大致返回大氣壓之後，自處理腔61搬出基板9(步驟S17)。本處理例中，也可自氣體供給部63朝處理腔61內供給空氣等其他之氣體。

如上述，於圖6之檢查單元2中，藉由環境氣體調整部6之減壓機構64將處理腔61內減壓。藉此，可容易地實現將處理腔61內之氧量、即基板9之周圍之氧量降低至較周圍之空氣更低。其結果，可抑制主表面91上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。圖6之檢查單元2中，也可於自減壓機構64之減壓開始經過既定時間，且處理腔61內之壓力被降低一定程度之後，才停止減壓機構64之減壓動作。此外，也可安裝測量處理腔61內之壓 力之壓力計，以處理腔61內之壓力成為在較大氣壓低之既定範圍內之方式，控制減壓機構64之ON/OFF。

於圖6之檢查單元2中，也可與減壓機構64之對處理腔61內之減壓同步，藉由氣體供給部63朝處理腔61內供給惰性氣體。此情況下，可降低基板9周圍之氧濃度及氧量。其結果，可實現進一步抑制主表面91上之粉粒因雷射光之照射而生長之情況。較佳為，在與基板9之檢查同步，驅動氣體供給部63及減壓機構64之兩者之檢查單元2中，連接於氣體供給部63之噴嘴62a、及連接於減壓機構64之氣體排出口613，係在處理腔61中，分別設置於隔著工作台51而相互對向之2個壁部。也可於具有設置在雷射光之光點附近之噴嘴62之圖2之檢查單元2設置減壓機構64，且於基板9之檢查時，進行處理腔61內之減壓、及朝雷射光之光點附近之惰性氣體之供給。

於上述缺陷檢查裝置1中，可進行各式各樣之變形。

如上述，於圖2之檢查單元2中，雷射光之光點附近之氧濃度或氧量被降低，於圖5及圖6之檢查單元2中，處理腔61之內部空間整體之氧濃度或氧量被降低。因此，可說在缺陷檢查裝置1中，重要的是藉由環境氣體調整部6，至少將雷射光之光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低。

於處理腔61中，也可僅收容有基板9、光點移動機構5暨射出部3及受光部4之一部分，而將光源部31a、31b或檢測器41a、41b配置於處理腔61之外部。該情況下，供自光源部31a、31b朝向基板9之雷射光穿透之透光部、及供自基板9朝檢測器41a、41b之光穿透之透光部，係設置在處理腔61之壁部。此外， 射出部3及受光部4也可全部被配置於處理腔61之外部。並且，如後述，於射出部3及受光部4移動之情況下，也可於處理腔61內僅收容基板9。如此，藉由處理腔61至少收容基板9，可使用氣體供給部63或減壓機構64，容易地降低基板9周圍之氧濃度或氧量。

於缺陷檢查裝置1中，也可一面自2個光源部31a、31b之兩者射出雷射光一面進行基板9之檢查。

在主表面91上移動雷射光之光點之光點移動機構，也可藉由旋轉機構52及移動機構53之組合以外之構件來實現。例如，也可使用朝與主表面91平行且正交之2個方向移動工作台51之機構作為光點移動機構。此外，也可設置一體朝沿主表面91之方向移動射出部3及受光部4之光點移動機構。該情況下，雷射光之光點係在位置被固定之基板9之主表面91上移動。

以缺陷檢查裝置1檢查之基板不限於半導體基板，也可為玻璃基板或其他之基板。

上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，也可適宜地組合。

對發明詳細地進行了描述及說明，但已述之說明僅為例示而已並不侷限於此。因此，只要不超出本發明之範疇，即可實施多數之變形或形態。

Claims (8)

1. 一種檢測基板之主表面上之粉粒之缺陷檢查裝置，其包含：射出部，其射出雷射光，於上述主表面形成上述雷射光之光點；受光部，其接受來自上述光點之散射光，取得上述散射光之強度；光點移動機構，其於上述主表面上移動上述光點；及環境氣體調整部，其至少將上述光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低；上述環境氣體調整部具備朝上述光點附近噴出氮氣之噴嘴。
2. 一種檢測基板之主表面上之粉粒之缺陷檢查裝置，其包含：射出部，其射出雷射光，於上述主表面形成上述雷射光之光點；受光部，其接受來自上述光點之散射光，取得上述散射光之強度；光點移動機構，其於上述主表面上移動上述光點；及環境氣體調整部，其至少將上述光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低；上述環境氣體調整部具備：處理腔，其至少收容上述基板；及氣體供給部，其朝上述處理腔內供給氮氣。
3. 如請求項2之缺陷檢查裝置，其中，上述環境氣體調整部更具備對上述處理腔內進行減壓之減壓機構。
4. 如請求項1至3中任一項之缺陷檢查裝置，其中，更具備缺陷檢測部，該缺陷檢測部根據由上述受光部取得之上述散射光之強度，對上述主表面之缺陷進行檢測。
5. 一種缺陷檢查方法，係檢測基板之主表面上之粉粒之缺陷檢查裝置中之缺陷檢查方法，上述缺陷檢查裝置包含： 射出部，其射出雷射光，於上述主表面形成上述雷射光之光點；及受光部，其接受來自上述光點之散射光，取得上述散射光之強度；該缺陷檢查方法包含以下之步驟：a)至少將上述光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低之步驟；及b)與上述a)步驟同步，於上述主表面上移動上述光點之步驟；於上述a)步驟中，自噴嘴朝上述光點附近噴出氮氣。
6. 一種缺陷檢查方法，係檢測基板之主表面上之粉粒之缺陷檢查裝置中之缺陷檢查方法，上述缺陷檢查裝置包含：射出部，其射出雷射光，於上述主表面形成上述雷射光之光點；受光部，其接受來自上述光點之散射光，取得上述散射光之強度；及處理腔，其至少收容上述基板；該缺陷檢查方法包含以下之步驟：a)至少將上述光點附近之氧濃度或氧量降低為較周圍之空氣低之步驟；及b)與上述a)步驟同步，於上述主表面上移動上述光點之步驟；於上述a)步驟中，朝上述處理腔內供給氮氣。
7. 如請求項6之缺陷檢查方法，其中，於上述a)步驟中，對上述處理腔內進行減壓。
8. 如請求項5至7中任一項之缺陷檢查方法，其中，更具備：c)根據由上述受光部取得之上述散射光之強度，對上述主表面之缺陷進行檢測之步驟。