TWI631412B - Reflective reticle base and reflective reticle, and reflective reticle base and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Reflective reticle base and reflective reticle, and reflective reticle base and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

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TWI631412B
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Abstract

本發明提供一種反射型光罩基底及藉此製作之反射型光罩、以及提供一種半導體裝置之製造方法，該反射型光罩基底即便在EUV曝光機之曝光光源高功率化之情形時，亦可抑止如下情況：於保護膜與鄰接於其之相位偏移膜圖案之材料之間，因由熱擴散所致之相互擴散而導致對EUV光之反射率產生變動。
上述反射型光罩基底係於基板12上依序形成有多層反射膜13、保護膜14、及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜16，保護膜14包含含有釕作為主要成分之材料，相位偏移膜16包含含有鉭之鉭系材料層，並且於保護膜14之表面上或作為保護膜14之一部分與相位偏移層16接觸之側，形成抑止保護膜14與相位偏移膜16間之相互擴散且含有釕與氧之防擴散層15，藉此抑止保護膜14與相位偏移膜圖案之材料之間之熱擴散。

Description

反射型光罩基底及反射型光罩、以及反射型光罩基底及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種作為用以製造於半導體裝置之製造等中使用之曝光用光罩之原版的反射型光罩基底及藉此製作之反射型光罩、以及半導體裝置之製造方法。
半導體製造中之曝光裝置之光源的種類係隨著使波長逐漸變短為波長436nm之g射線、波長365nm之i射線、波長248nm之KrF雷射、波長193nm之ArF雷射而不斷進化，為了實現更微細之圖案轉印，而提出有使用波長為13.5nm附近之極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)之EUV微影。於EUV微影中，由於材料間之對EUV光之吸收率之差較小等，故而使用反射型之光罩。作為反射型光罩，例如提出有如下光罩：於基板上形成反射曝光之光之多層反射膜，且吸收曝光之光之相位偏移膜於用以保護該多層反射膜之保護膜之上形成為圖案狀。入射至搭載於曝光機(圖案轉印裝置)之反射型光罩的光於具有相位偏移膜圖案之部分被吸收，於不具有相位偏移膜圖案之部分由多層反射膜反射，藉此，光學影像通過反射光學系統而轉印至半導體基板上。於相位偏移膜圖案中入射之曝光之光之一部分與由多層反射膜反射之光具有約180度之相位差而被反射(相位偏移)，藉此獲得對比度。
與此種EUV微影用之反射型光罩及用以製作其之光罩基底相關的技術由專利文獻1~4等揭示。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-080659號公報
[專利文獻2]日本專利特開2009-212220號公報
[專利文獻3]日本專利特開2005-268750號公報
[專利文獻4]日本專利特開2010-092947號公報
EUV曝光機係尚未達到正式之商用化之技術，曝光光源之功率亦為選擇適於研究開發用途(於現狀下，使用15W左右之光源)之狀態。然而，於正式之商用化時，當然必須獲得固定程度以上之產能，為此必須提高曝光光源之功率。若曝光光源成為高功率，則曝光(圖案之轉印)時之反射型光罩中的每單位時間之發熱量亦變多(由於由相位偏移膜吸收之光之能量被轉換為熱)，因由該熱所致之熱擴散，而導致於保護膜與鄰接於其之相位偏移膜圖案之材料之間產生相互擴散。有因此種相互擴散導致對EUV光之反射率產生變動，而因反覆使用導致作為反射型之光罩之功能降低(無法獲得如設計預期之對比度)之虞。
鑒於上述方面，本發明之目的在於提供一種反射型光罩基底及藉此製作之反射型光罩、以及提供一種半導體裝置之製造方法，該反射型光罩基底即便在EUV曝光機之曝光光源高功率化之情形時，亦可抑止如下情況：於保護膜與鄰接於其之相位偏移膜圖案之材料之間，因由熱擴散所致之相互擴散而導致對EUV光之反射率產生變動。
為了解決上述問題，本發明具有以下構成。
(構成1)
一種反射型光罩基底，其特徵在於：於基板上依序形成有多層 反射膜、保護膜、及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜，且上述保護膜包含含有釕作為主要成分之材料，上述相位偏移膜包含含有鉭之鉭系材料層，並且於上述保護膜表面上，或於作為上述保護膜之一部分與上述相位偏移膜接觸之側，形成有抑止與上述相位偏移膜間之相互擴散且含有釕與氧之防擴散層。
(構成2)
如構成1之反射型光罩基底，其特徵在於：上述鉭系材料層與上述防擴散層鄰接。
(構成3)
如構成1或2之反射型光罩基底，其特徵在於：上述防擴散層之膜厚為0.2nm以上、1.5nm以下。
(構成4)
如構成1至3中任一項之反射型光罩基底，其特徵在於：上述相位偏移膜由積層構造形成，且最表面層為鉻系材料層。
(構成5)
如構成4之反射型光罩基底，其特徵在於：上述鉻系材料層含有碳。
(構成6)
如構成1至3中任一項之反射型光罩基底，其特徵在於：上述相位偏移膜由積層構造形成，且最表面層為釕系材料層。
(構成7)
如構成1至6中任一項之反射型光罩基底，其特徵在於：上述相位偏移膜係藉由濺鍍法而成膜，且具有自成膜開始至成膜結束為止不暴露於大氣中而連續成膜而成之積層構造。
(構成8)
如構成1至7中任一項之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述 相位偏移膜上形成有蝕刻光罩膜。
(構成9)
如構成1至8中任一項之反射型光罩基底，其特徵在於：上述多層反射膜之最上層為矽(Si)，且於上述最上層與上述保護膜之間具有含有矽與氧之矽氧化物層。
(構成10)
一種反射型光罩，其特徵在於：藉由如構成1至9中任一項之反射型光罩基底而製作。
(構成11)
一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光光源的曝光裝置設置如構成10之反射型光罩，而將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕膜。
(構成12)
如構成11之半導體裝置之製造方法，其特徵在於：上述曝光光源之功率(電力)為80W以上。
根據本發明之反射型光罩基底(藉此製作之反射型光罩)，於保護膜表面上，或於作為保護膜之一部分與相位偏移膜接觸之側，形成有含有釕與氧之防擴散層，故而即便在EUV曝光機之曝光光源為高功率的使用環境下亦可抑制保護膜與相位偏移膜(吸收體膜)之間之因熱擴散導致之相互擴散，從而抑制EUV光之反射率之降低。因此，可獲得抑制相位偏移效果之降低之反射型光罩。又，根據本發明之半導體裝置之製造方法，可提供一種於半導體裝置之製造中同樣抑制反射型光罩中之相位偏移效果之降低的製造方法。
10‧‧‧反射型光罩基底
11‧‧‧背面導電膜
12‧‧‧基板
13‧‧‧多層反射膜
14‧‧‧Ru系保護膜
15‧‧‧防擴散層
16‧‧‧相位偏移膜
16a‧‧‧相位偏移膜圖案
17‧‧‧蝕刻光罩膜
17a‧‧‧蝕刻光罩膜圖案
18‧‧‧抗蝕膜
18a‧‧‧抗蝕膜圖案
20‧‧‧反射型光罩
30‧‧‧附抗蝕膜之半導體基板(被轉印基板)
31‧‧‧雷射電漿X射線源(曝光光源)
32‧‧‧縮小光學系統
50‧‧‧圖案轉印裝置(曝光裝置)
160‧‧‧相位偏移膜
161‧‧‧鉭系材料層
162‧‧‧鉻系材料層
163‧‧‧釕系材料層
圖1係用以說明本發明之EUV微影用反射型光罩基底之概略構成 的圖。
圖2(a)~(f)係表示實施例1之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
圖3(a)~(e)係表示實施例2之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
圖4(a)~(f)係表示實施例3之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
圖5(a)~(f)係表示實施例4之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
圖6係用以說明使用本發明之EUV微影用反射型光罩之半導體裝置之製造方法的概略圖。
圖7(a)~(d)係表示作為比較例之自先前之EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施態樣進行具體說明。再者，以下之實施態樣係將本發明具體化時之一形態，並非將本發明限定於該範圍內。
<反射型光罩基底之構成及其製造方法>
圖1係用以說明本發明之EUV微影用反射型光罩基底之構成的概略圖。如該圖所示，反射型光罩基底10係具有基板12、多層反射膜13、Ru系保護膜14、防擴散層15、及相位偏移膜16且將其等依序積層而成，該多層反射膜13反射作為曝光之光之EUV光，該Ru系保護膜14係用以保護該多層反射膜13且由以釕為主要成分之材料形成，該防擴散層15係由含有釕與氧之材料形成，該相位偏移膜16係用以吸收EUV光並且反射一部分之EUV光，使其相位偏移。又，於基板12之背面側，形成靜電吸附用之背面導電膜11。
以下，對各層逐一進行說明。
<<基板>>
為了防止因EUV光之曝光時之熱所導致的吸收體膜圖案之變形，基板12較佳為使用具有0±5ppb/℃之範圍內之低熱膨脹係數之基板。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之原材料，可使用例如SiO2-TiO2系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。
就至少獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，基板12之形成轉印圖案(下述相位偏移膜構成該轉印圖案)之側之主表面以成為高平坦度之方式被表面加工。於EUV曝光之情形時，在基板12之形成轉印圖案之側之主表面的132mm×132mm之區域中，平坦度較佳為0.1μm以下，進而較佳為0.05μm以下，尤佳為0.03μm以下。又，與形成相位偏移膜之側為相反側之主表面係於設置於曝光裝置時被靜電吸附之面，於其142mm×142mm之區域中，平坦度較佳為1μm以下，進而較佳為0.5μm以下，尤佳為0.3μm以下。再者，於本說明書中，平坦度係由TIR(Total Indicated Reading，總指示讀數)表示之表示表面之翹曲(變形量)之值，且係將以基板表面為基準而由最小平方法決定之平面作為焦平面而位於較該焦平面靠上之基板表面之最高之位置、與位於較焦平面靠下之基板表面之最低之位置之高低差的絕對值。
又，於EUV曝光之情形時，作為基板12而要求之表面平滑度較佳為基板12之形成轉印圖案之側之主表面的表面粗糙度以均方根粗糙度(RMS)計為0.1nm以下。再者，表面平滑度可由原子力顯微鏡測定。
進而，基板12為了防止因形成於其上之膜(多層反射膜13等)之膜應力導致之變形，較佳為具有高剛性。尤佳為具有65GPa以上之高楊氏模數。
<<多層反射膜>>
多層反射膜13係於EUV微影用反射型光罩中賦予反射EUV光之功 能者，而成為週期性地積層折射率不同之元素而成之多層膜之構成。
一般而言，使用如下多層膜作為多層反射膜13，該多層膜係將作為高折射率材料之輕元素或其化合物之薄膜(高折射率層)、與作為低折射率材料之重元素或其化合物之薄膜(低折射率層)交替地積層40~60週期左右而成。多層膜可將自基板12側依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層構造作為1週期而積層複數週期，亦可將自基板12側依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層構造作為1週期而積層複數週期。再者，多層反射膜13之最表面之層、即多層反射膜13之與基板12為相反側之表面層較佳為設為高折射率層。於上述多層膜中，於將自基板12依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層構造作為1週期而積層複數週期之情形時，最上層成為低折射率層，但於此情形時，若低折射率層構成多層反射膜13之最表面，則其容易被氧化而導致反射型光罩之反射率減少，故而較佳為於最上層之低折射率層上進而形成高折射率層而製成多層反射膜13。另一方面，於上述多層膜中，於將自基板12側依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層構造作為1週期而積層複數週期之情形時，最上層成為高折射率層，故而只要保持該狀態即可。
於本實施形態中，作為高折射率層，採用含有Si之層。作為含有Si之材料，除了Si單質以外，亦可為於Si中含有B、C、N、O之Si化合物。藉由使用含有Si之層作為高折射率層，可獲得EUV光之反射率優異之EUV微影用反射型光罩。又，於本實施形態中，作為基板12較佳地使用玻璃基板，故而Si與其之密接性亦優異。又，作為低折射率層，使用選自Mo、Ru、Rh及Pt中之金屬單質或其等之合金。例如，作為對於波長13~14nm之EUV光之多層反射膜13，較佳為使用將Mo膜與Si膜交替地積層40~60週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。再 者，亦可藉由矽(Si)形成作為多層反射膜13之最上層之高折射率層，且於該最上層(Si)與Ru系保護膜14之間形成含有矽與氧之矽氧化物層。藉此，可提高光罩耐清洗性(相位偏移膜圖案之耐膜剝落性)。
此種多層反射膜13之單獨之反射率通常為65%以上，上限通常為73%。再者，多層反射膜13之各構成層之厚度、週期只要根據曝光波長適當選擇即可，而且以滿足布勒格(Bragg)法則之方式選擇。於多層反射膜13中，雖高折射率層及低折射率層分別存在複數層，但高折射率層彼此、以及低折射率層彼此之厚度亦可不同。又，多層反射膜13之最表面之Si層之膜厚可於不使反射率降低之範圍內調整。最表面之Si(高折射率層)之膜厚可設為3~10nm。
多層反射膜13之形成方法於該技術領域中為公知，但可藉由利用例如離子束濺鍍法將各層成膜而形成。於上述之Mo/Si週期多層膜之情形時，藉由例如離子束濺鍍法，首先使用Si靶於基板12上成膜厚度4nm左右之Si膜，其後使用Mo靶成膜厚度3nm左右之Mo膜，將其作為1週期，積層40~60週期，而形成多層反射膜13(最表面之層為Si層)。
<<Ru系保護膜>>
Ru系保護膜14係為了保護多層反射膜13不受下述EUV微影用反射型光罩之製造步驟中之乾式蝕刻或清洗之影響，而形成於多層反射膜13之上。Ru系保護膜14包含含有釕作為主要成分之材料(主要成分：50at%以上)，可為Ru金屬單質，亦可為於Ru中含有Nb、Zr、Y、B、Ti、La、Mo、Co、Re等金屬之Ru合金，亦可含有氮。又，亦可將Ru系保護膜14設為3層以上之積層構造，將最下層與最上層設為包含含有上述Ru之物質之層，且使Ru以外之金屬或合金介置於最下層與最上層之間。
此種包含Ru或其合金等之Ru系保護膜14之厚度只要能發揮作為 該保護膜之功能，則無特別限制，但就EUV光之反射率之觀點而言，較佳為1.5~8.0nm，更佳為1.8~6.0nm。
作為Ru系保護膜14之形成方法，可無特別限制地採用與公知之膜形成方法相同之方法。作為具體例，可列舉濺鍍法及離子束濺鍍法。
<<相位偏移膜>>
於Ru系保護膜14之上，介隔將於以下進行說明之防擴散層15形成相位偏移膜16。相位偏移膜16用以吸收EUV光並且使一部分反射而使相位偏移。即，於相位偏移膜16經圖案化之反射型光罩中，在殘留有相位偏移膜16之部分，一面吸收EUV光，一面以不對圖案轉印產生影響之方式使一部分反射，而形成與來自多層反射膜13之反射光之相位差。相位偏移膜16以對EUV光之反射率成為1~30%且來自相位偏移膜16之反射光與來自多層反射膜13之反射光之相位差成為170~190度的方式形成。相位偏移膜16之膜厚根據所使用之材料及反射率之設計值，並且以成為相位差包含於上述範圍內之條件之方式適當設定。
相位偏移膜16只要具有吸收EUV光之功能且可藉由蝕刻等去除，則其材料並無特別限定，但於本實施形態中，就蝕刻選擇性等觀點而言，使用鉭單質或含有鉭之鉭系材料，可為含有Ta與B之TaB合金、含有Ta與Si之TaSi合金、含有Ta與其他過渡金屬(例如Pt、Pd、Ag)之Ta合金、或者於Ta金屬或該等合金中添加N、O、H、C等而成之鉭系化合物等。
此種包含鉭或鉭化合物之相位偏移膜16可藉由DC(Direct Current，直流)濺鍍法或RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法等濺鍍法等公知之方法形成。
又，就平滑性之觀點而言，相位偏移膜16之結晶狀態較佳為非晶狀或微晶之構造。若相位偏移膜16不平滑，則存在相位偏移膜圖案 之邊緣粗糙度變大從而圖案之尺寸精度變差之情況。相位偏移膜16之較佳之表面粗糙度為0.5nmRMS以下，更佳為0.4nmRMS以下，進而較佳為0.3nmRMS以下。
由於Ta之EUV光之吸收係數較大，且可容易地藉由氯系氣體或氟系氣體進行乾式蝕刻，故而Ta為加工性優異之相位偏移膜材料。藉由進而於Ta中添加B或Si、Ge等，可容易地獲得非晶狀之材料，從而可容易地提高相位偏移膜16之平滑性。又，若於Ta中添加N或O，則相位偏移膜16對氧化之耐受性提高，故而獲得可提高經時之穩定性之效果。
再者，相位偏移膜16不僅由一層鉭系材料層形成，亦包括由與其他材料層之積層而形成者，關於此，將藉由以下之實施例之說明而變得更明確。具體而言，其他材料層可為鉻系材料層與釕系材料層，且鉻系材料可為Cr單質或含有Cr與其他過渡金屬(例如Pt、Pd、Ag)之Cr合金、或者於Cr金屬或Cr合金中添加N、O、H、C等而成之鉻系化合物。釕系材料可為Ru金屬單質，亦可為於Ru中含有Nb、Zr、Y、B、Ti、La、Mo、Co、Re等金屬之Ru合金。又，亦可為於Ru金屬或該等合金中添加N、O、H、C等而成之釕系化合物。於藉由鉭系材料層與其他材料層之積層構造形成相位偏移膜16之情形(於鉭系材料層之上積層其他材料層之情形)時，較佳為自成膜開始至成膜結束為止不暴露於大氣中而連續成膜。藉此，可防止於鉭系材料層161之表面形成氧化層(氧化鉭層)之情況(無需用以去除氧化鉭層之步驟)。
相位偏移膜16中之鉭系材料層與鉻系材料層之積層順序、積層數量並無特別限定，例如可為自基板12側之Ta/Cr之2層構造、Cr/Ta之2層構造、Ta/Cr/Ta之3層構造、Cr/Ta/Cr之3層構造、Ta/Cr/Ta/Cr之4層構造、Cr/Ta/Cr/Ta之4層構造、Ta/Ta/Cr/Cr之4層構造、Cr/Cr/Ta/Ta之4層構造等，又，亦可為除其等以外之構造。然而，如以下之實施例 所示，更佳為與防擴散層15鄰接之材料設為鉭系材料層，又，更佳為相位偏移膜16之最表面層設為鉻系材料層。其原因在於：藉此可使鉻系材料層亦具有作為對於鉭系材料層之防氧化膜之功能(藉由使Ta為最上層，可抑止其被氧化而導致蝕刻速率降低)。進而，於將鉻系材料層設為相位偏移膜16之最表面層之情形時，就光罩清洗時之耐化學性之觀點而言，更佳為含有碳之材料，具體而言，更佳為設為CrC、CrCO、CrCN、CrCON、CrCH、CrCOH、CrCHN、CrCONH。Ta及Cr除單金屬以外亦包括氮化物或氧化物、合金，亦可未必為相同材料、組成。
對於相位偏移膜16中之鉭系材料層與釕系材料層之積層順序、積層數量亦無特別限定，例如可為自基板12側之Ta/Ru之二層構造、Ta/Ru/Ta之三層構造、Ta/Ru/Ta/Ru之四層構造、Ta/Ta/Ru/Ru之四層構造等，又，亦可為除其等以外之構造。然而，如以下之實施例所示，更佳為與防擴散層15鄰接之材料設為鉭系材料層，又，更佳為將相位偏移膜16之最表面層設為釕系材料層。藉此可使釕系材料層亦具有作為對於鉭系材料層之防氧化膜之功能。Ta及Ru除單金屬以外亦包括氮化物或氧化物、合金，亦可未必為相同材料、組成。
進而，於相位偏移膜16中，亦可積層鉭系材料層、釕系材料層、及鉻系材料層，對於積層順序、積層數量亦無特別限定。例如，可為自基板12側之Ta/Ru/Cr之三層構造、Ta/Cr/Ru之三層構造等，又，亦可為除其等以外之構造。
<<防擴散層>>
本發明之目的在於，即便在EUV曝光機之曝光光源高功率化之情形時，亦可抑止如下情況：於反射型光罩之Ru系保護膜14與鄰接於其之相位偏移膜圖案(相位偏移膜16)之材料之間產生因熱擴散導致之相互擴散，而由此導致對EUV光之反射率產生變動；作為用以解決該 問題之方法，於Ru系保護膜14之表面上，或於作為Ru系保護膜14之一部分與相位偏移膜16接觸之側，具有防擴散層15。藉由形成防擴散層15，即便在EUV曝光機之曝光光源為高功率之使用環境下，亦可抑制保護膜與相位偏移膜之間之因熱擴散導致之相互擴散，藉此抑制EUV光之反射率之降低，而即便反覆使用反射型光罩亦可抑止相位偏移效果降低。
防擴散層15由含有釕(Ru)與氧(O)之材料形成，只要含有Ru與O即可，此外，亦可含有N或H等。Ru可為Ru金屬單質，亦可為Ru合金(較佳為與保護膜材料相同之材料系)。例如，於保護膜為Ru之情形時，作為防擴散層15之材料，可列舉RuO、RuON等。於保護膜為Ru合金(例如RuNb)之情形時，作為防擴散層15之材料，可列舉RuNbO、RuNbON等。就因熱擴散導致之相互擴散之抑制及對EUV光之反射率之觀點而言，防擴散層15之釕(Ru)與氧(O)之比率(原子%)較理想為於將Ru設為1時O為0.8以上、2.2以下，較佳為1.0以上、2.0以下。
作為防擴散層15之形成、產生方法，可為藉由濺鍍法(離子束濺鍍、DC濺鍍、RF濺鍍)之方法、或藉由在大氣中、氧氣、臭氧氣體環境中對Ru系保護膜14之表面進行退火處理而產生防擴散層之方法。再者，於藉由濺鍍法在Ru系保護膜14上積層之情形時，可自由選擇上述例示等之材料而形成防擴散層15，但於對Ru系保護膜14之表面進行退火處理而形成防擴散層15之情形時，成為基於Ru系保護膜14之材料之氧化膜等。又，於藉由濺鍍法積層之情形時係於Ru系保護膜14之上新積層防擴散層15(膜厚增加)，但於對Ru系保護膜14之表面進行退火處理之情形時，整體之膜厚不會增加，而Ru系保護膜14之一部分(與相位偏移膜16接觸之側)具有防擴散層15之功能。
就抑制熱擴散之效果及對EUV光之反射率特性之觀點而言，防擴散層15之膜厚較佳為設為0.2nm以上、1.5nm以下。若未達0.2nm， 則無法充分發揮抑制熱擴散之效果，故而不佳，又，若超過1.5nm，則對EUV光之反射率低於63%，故而不佳。更佳為0.3nm以上、1.2nm以下，進而較佳為0.5nm以上、1.0nm以下。
<<背面導電膜>>
於基板12之背面側(多層反射膜13之形成面之相反側)形成靜電吸附用之背面導電膜11。靜電吸附用之背面導電膜11所要求之電氣特性通常為100Ω/sq以下。關於背面導電膜11之形成方法，可藉由例如磁控濺鍍法或離子束濺鍍法並使用鉻、鉭等金屬或合金之靶而形成。背面導電膜11之厚度只要滿足作為靜電吸附用之功能則無特別限定，通常為10~200nm。
以上，對本實施形態之反射型光罩基底10之構成，針對各層逐一進行了說明。再者，作為反射型光罩基底，亦可為於相位偏移膜16上具有蝕刻光罩膜或抗蝕膜者，關於此，將藉由以下之實施例之說明而變得更明確。作為蝕刻光罩膜之代表性之材料，可設為矽(Si)或於矽(Si)中添加氧、氮、碳、氫而成之材料。具體而言，可列舉Si、SiO、SiN、SiON、SiC、SiCO、SiCN、SiCON等。將藉由以下之實施例進行說明，藉由形成蝕刻光罩膜，可使抗蝕膜之厚度變薄，從而對圖案之微細化有利。再者，於例如相位偏移膜16之最表面層之材料係由氯系氣體(亦可含有氧)蝕刻之材料之情形時，蝕刻光罩膜之材料選定為對氯系氣體具有耐受性且可被氟系氣體蝕刻之材料，於相位偏移膜16之最表面層之材料係由氟系氣體(亦可含有氧)蝕刻之材料之情形時，蝕刻光罩膜之材料選定為對氟系氣體具有耐受性且可被氯系氣體(亦可含有氧)蝕刻之材料。於此情形時，就抗蝕膜之薄膜化之觀點而言，較佳為選定可被不含氧之氯系氣體蝕刻之材料。
<反射型光罩及其製造方法>
使用上述所說明之本實施形態之反射型光罩基底10，可製作反 射型光罩。於EUV微影用反射型光罩之製造中，最佳為可進行高精細之圖案化之光微影法。
於本實施形態中，對利用光微影法之反射型光罩之製作進行說明。再者，由於以下將於實施例中一面參照圖式一面進行說明，故而此處僅進行概要說明。
於反射型光罩基底10之最表面(如以下之實施例所說明般，於相位偏移膜上或蝕刻光罩膜上)，形成抗蝕膜(於作為反射型光罩基底10具有抗蝕膜之情形時則不需要)，於該抗蝕膜描繪(曝光)所需圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕膜圖案。使用該抗蝕膜圖案作為光罩，而實施利用蝕刻氣體之乾式蝕刻，藉此對相位偏移膜16進行蝕刻而形成相位偏移膜圖案。再者，作為蝕刻氣體，可列舉Cl2、SiCl4、CHCl3、CCl4等氯系氣體、以特定之比率包含該等氯系氣體及O2之混合氣體、以特定之比率包含氯系氣體及He之混合氣體、以特定之比率包含氯系氣體及Ar之混合氣體、以及CF4、CHF3、C2F6、C3F6、C4F6、C4F8、CH2F2、CH3F、C3F8、SF6、F等氟系氣體、以特定之比率包含該等氟系氣體及O2之混合氣體或O2氣體。將藉由以下之實施例進行說明，於相位偏移膜由複數種材料之積層構造構成之情形時，進行複數次利用適於各材料之蝕刻氣體之蝕刻。
繼而，於藉由例如抗蝕剝離液去除抗蝕膜圖案後，進行使用酸性或鹼性之水溶液之濕式清洗，而獲得達成高反射率之EUV微影用反射型光罩。再者，將藉由以下之實施例進行說明，根據相位偏移膜之構成，亦存在如下情形：由於在對相位偏移膜之積層構造內之1層進行蝕刻時同時亦去除抗蝕膜，故而無需僅用以去除抗蝕膜圖案之步驟。又，亦存在如下情形：於設置蝕刻光罩膜之情形時，另外必需去除該蝕刻光罩膜之步驟。
<半導體裝置之製造方法>
使用上述本實施形態之反射型光罩，藉由微影技術於半導體基板上形成基於反射型光罩之相位偏移膜圖案之轉印圖案，並經過其他各種步驟，藉此可製造於半導體基板上形成有各種圖案等之半導體裝置。
作為更具體之例，對藉由圖6所示之圖案轉印裝置(曝光裝置)50，使用本實施形態之反射型光罩於附抗蝕膜之半導體基板(被轉印基板)30利用EUV光轉印圖案的方法進行說明。
搭載有本實施形態之反射型光罩20之圖案轉印裝置50包含雷射電漿X射線源(曝光光源)31、反射型光罩20、縮小光學系統32等。作為縮小光學系統32，使用X射線反射鏡。再者，基於產能之精確化之觀點等，雷射電漿X射線源(曝光光源)31使用功率為80W以上者。
藉由縮小光學系統32，由反射型光罩20反射之圖案通常縮小至1/4左右。例如，預先設定為使用13~14nm之波長範圍作為曝光波長，且光路成為真空中。於此種狀態下，使自雷射電漿X射線源31獲得之EUV光入射至反射型光罩20，並將於此處反射之光通過縮小光學系統32而轉印至附抗蝕膜之半導體基板30上(將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕膜)。
入射至反射型光罩20之EUV光於殘留有相位偏移膜16之部分被相位偏移膜16吸收而不反射，另一方面，於未殘留相位偏移膜16之部分，EUV光入射至多層反射膜13而反射。以如此之方式，由自反射型光罩20反射之光形成之影像入射至縮小光學系統32，經由縮小光學系統32之曝光之光於附抗蝕膜之半導體基板30上之抗蝕層形成轉印圖案(再者，於相位偏移膜16反射EUV光之一部分，該光之相位相對於自多層反射膜13反射之光偏移180度，藉此提高影像之對比度)。繼而，藉由將該已曝光之抗蝕層進行顯影，而可於附抗蝕膜之半導體基板30上形成抗蝕圖案。繼而，使用該抗蝕圖案作為光罩而實施蝕刻等，藉 此可於例如半導體基板上形成特定之配線圖案。藉由經過此種步驟、及其他必要之步驟，製造半導體裝置。
[實施例]
以下，一面參照圖式，一面對各實施例進行說明。再者，於各實施例中，對與圖1相同之構成要素使用相同符號，並簡化或省略說明。
[實施例1]
圖2係表示實施例1之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
如圖2(a)所示，實施例1之反射型光罩基底10包含背面導電膜11、基板12、多層反射膜13、Ru系保護膜14、防擴散層15、及相位偏移膜16。相位偏移膜16由鉭系材料層161及鉻系材料層162形成(依序自下而上積層)，且於相位偏移膜16之上形成蝕刻光罩膜17。
((反射型光罩基底))
首先，對實施例1之反射型光罩基底10進行說明。
(((背面導電膜)))
於SiO2-TiO2系玻璃基板12之背面，藉由磁控濺鍍法以下述條件形成包含CrN之背面導電膜11。
背面導電膜形成條件：Cr靶、Ar+N2氣體環境(Ar：90%、N2：10%)、膜厚20nm。
(((多層反射膜)))
繼而，於基板12之與形成有背面導電膜11之側為相反側的主表面上，形成多層反射膜13。形成於基板12上之多層反射膜13為了形成適於13.5nm之EUV光之多層反射膜，而採用Mo/Si週期多層反射膜。多層反射膜13係使用Mo靶及Si靶，並藉由離子束濺鍍(Ar氣體環境)於基板12上交替地積層Mo層及Si層而形成。首先，以4.2nm之厚度成膜Si 膜，繼而，以2.8nm之厚度成膜Mo膜。將其設為一週期，以同樣之方式積層40週期，最後以4.0nm之厚度成膜Si膜，從而形成多層反射膜13。
(((Ru系保護膜)))
繼而，藉由使用RuNb(Ru：80at%、Nb：20at%)靶之離子束濺鍍(Ar氣體環境)，以2.5nm之厚度成膜RuNb保護膜14。
(((防擴散層)))
繼而，對Ru系保護膜14之表面進行高濃度臭氧氣體處理。此情形時之臭氧氣體之濃度設為100體積%，處理時間為10分鐘，並將附多層反射膜之基板加熱至60度。藉此，於Ru系保護膜14之與相位偏移膜16接觸之側，形成RuO2(膜厚1.0nm)之防擴散層15。即，Ru系保護膜14之一部分具有防擴散層15之功能(2.5nm之Ru系保護膜14內之表層側1.0nm作為防擴散層15發揮功能)。
(((相位偏移膜)))
繼而，藉由DC濺鍍而積層TaN膜(鉭系材料層161)及CrCON膜(鉻系材料層162)，而形成相位偏移膜16。TaN膜係採用鉭靶，並於Ar氣體與N2氣體之混合氣體環境中藉由反應性濺鍍法而形成膜厚5nm之TaN膜(Ta：92.5at%、N：7.5at%)。CrCON膜係採用鉻靶，並於Ar氣體、CO2氣體與N2氣體之混合氣體環境中藉由反應性濺鍍而形成膜厚46nm之CrCON膜(Cr：45at%、C：10at%、O：35at%、N：10at%)(自TaN膜至CrCON膜之形成為止不接觸大氣而連續成膜)。
上述所形成之TaN膜與CrCON膜之波長13.5nm時之折射率n、及消光係數k分別如下。
TaN：n→0.94、k→0.034
CrCON：n→0.93、k→0.037
再者，上述TaN膜與CrCON膜之膜厚係以於波長13.5nm時反射 率成為2%且相位差成為180度之方式設定。
(((蝕刻光罩膜)))
繼而，藉由RF濺鍍，於相位偏移膜16上以膜厚5nm形成作為蝕刻光罩膜17之SiO2膜。
藉由上述，獲得實施例1之反射型光罩基底10。再者，於藉由與上述相同之製造方法製作之反射型光罩基底(無蝕刻光罩膜)之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.5%。繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.4%而大致無變化。推測其原因在於Ru系保護膜14與相位偏移膜16之間之熱擴散被防擴散層15抑制。即，藉由形成本發明之防擴散層15，即便在曝光光源為高功率之使用環境下亦可抑制保護膜與相位偏移膜之間之熱擴散，故而可抑制EUV光之反射率之降低，因此可獲得抑制了相位效果之降低之反射型光罩。
再者，為了發揮防止熱擴散之效果，更佳為如本實施例般使鉭系材料層161與防擴散層15鄰接而形成。又，於以下方面較佳：即便於下述之自反射型光罩基底製作反射型光罩時，藉由使鉭系材料層161與防擴散層15鄰接形成，亦可使將鉭系材料層161圖案化時保護膜、防擴散層之損傷較少，從而獲得高反射率之反射型光罩。其原因在於：於使鉻系材料層162與防擴散層15鄰接而形成之情形時，由於將鉻系材料層162圖案化時所使用之蝕刻氣體係氯與氧之混合氣體(Cl2+O2)，故而會侵蝕Ru系保護膜。
又，如本實施例般，於如下方面較佳：藉由利用濺鍍法使相位偏移膜16形成為自成膜開始至成膜結束為止不暴露於大氣中而連續成膜而成之積層膜，可防止於鉭系材料層161之表面形成氧化層(氧化鉭層)。即，於包含鉭系材料層作為相位偏移膜之材料之情形時，若其 暴露於大氣中，則於其表面形成氧化鉭層。氧化鉭層若不使用氟系氣體作為蝕刻氣體，則無法蝕刻而導致製程複雜化，故而不佳(鉻系材料層係即便表面被氧化亦可由氯氣+氧氣之混合氣體蝕刻)，但根據本實施例可避免該問題。再者，就同樣之觀點而言，相位偏移膜16之最表面層較佳為設為鉻系材料層(最表面層之鉻系材料層具有作為防氧化層之功能)。
((反射型光罩))
繼而，使用上述反射型光罩基底10，製作反射型光罩20。
於反射型光罩基底10之蝕刻光罩膜17上，以40nm之厚度形成抗蝕膜18(圖2(b))，並於該抗蝕膜描繪(曝光)所需圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕膜圖案18a。使用該抗蝕膜圖案18a作為光罩，並藉由氟系氣體(CF4氣體)對SiO2膜進行乾式蝕刻，而形成蝕刻光罩膜圖案17a(圖2(c))。繼而，將抗蝕膜圖案18a與蝕刻光罩膜圖案17a作為光罩，並藉由Cl2與O2之混合氣體(以下簡稱為「Cl2+O2氣體」)對CrCON膜(鉻系材料層162)進行乾式蝕刻(圖2(d))，其後，藉由Cl2氣體對TaN膜(鉭系材料層161)進行乾式蝕刻，藉此形成相位偏移膜圖案16a(圖2(e))。最後，藉由氟系氣體(CF4氣體)去除蝕刻光罩膜圖案17a，藉此製作反射型光罩20(圖2(f))。再者，抗蝕膜18係於藉由Cl2+O2氣體進行乾式蝕刻(鉻系材料層162之蝕刻)時去除。
根據本實施例之反射型光罩20，如上所述般即便在曝光光源為高功率之使用環境下亦可抑制保護膜與相位偏移膜之間之熱擴散，故而可抑制EUV光之反射率之降低，因此，即便反覆使用亦可抑制相位效果之降低，因而可進行穩定之半導體裝置之製造，從而非常有用。又，本實施例之反射型光罩20由於最表面層為含有碳之鉻系材料層162，故而於具有光罩耐清洗性(對去除殘留碳之清洗液(例如酸系清洗液)之耐受性)之方面亦較為有用。反射型光罩通常於無光罩護膜之 環境下使用，而於使用反射型光罩時(真空中)殘留碳附著於反射型光罩，故而必須對去除殘留碳之清洗液具有耐受性。再者，鉻系材料層亦可進而含有氧、氮、氫等。
進而，根據本實施例之反射型光罩20，藉由在相位偏移膜16上形成有蝕刻光罩膜17，可使用以形成轉印圖案之抗蝕膜18薄膜化，從而可獲得具有微細圖案之反射型光罩。即，於無蝕刻光罩膜17之情形時，在對鉻系材料層162進行蝕刻時(圖2(c)→(d))，抗蝕膜圖案18a亦因含有O2之Cl2+O2氣體而被蝕刻，故而必須預先使抗蝕膜18之膜厚變厚(一般而言，抗蝕層需要Cr層之3倍左右之厚度)，但亦有抗蝕膜圖案18a若變得過高則崩塌之虞，故而為了製作微細之圖案需要更為薄膜之圖案。於本實施例中，藉由形成對相位偏移膜16之最表面層之材料具有蝕刻選擇性之蝕刻光罩膜17，可使抗蝕膜18薄膜化。
[實施例2]
圖3係表示實施例2之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
實施例2係除了相對於實施例1將相位偏移膜中之TaN膜(鉭系材料層161)及CrCON膜(鉻系材料層162)之各者之膜厚設為27nm、25nm且不形成蝕刻光罩膜以外(若鉻系材料層162之厚度為固定值以下，則藉由使抗蝕膜18變厚而成為可應對之範圍內(於本實施例中，以80nm之厚度形成抗蝕膜18))，以與實施例1同樣之方式製作反射型光罩基底及反射型光罩。因此，無需藉由氟系氣體對蝕刻光罩膜進行蝕刻之步驟，另一方面，最後需要藉由氧系氣體對抗蝕膜圖案18a進行蝕刻之步驟(圖3(d)→(e))。再者，上述TaN膜(鉭系材料層161)與CrCON膜(鉻系材料層162)之膜厚以於波長13.5nm時反射率成為2%且相位差成為180度之方式設定。
於藉由與上述相同之方法製作之反射型光罩基底(無蝕刻光罩膜) 之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.2%。繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.3%。與實施例1同樣地，得出反射率大致無變化之結果。
[實施例3]
圖4係表示實施例3之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
與實施例1之相位偏移膜16為TaN膜(鉭系材料層161)與CrCON膜(鉻系材料層162)相對，實施例3係藉由依序積層TaN膜(鉭系材料層161)與Ru膜(釕系材料層163)而形成相位偏移膜16，且將各自之膜厚設為5nm、27nm。
相位偏移膜16之形成係藉由利用DC濺鍍將TaN膜(鉭系材料層161)及Ru膜(釕系材料層163)積層而形成。TaN膜係採用鉭靶，並於Ar氣體與N2氣體之混合氣體環境中藉由反應性濺鍍法而形成膜厚5nm之TaN膜(Ta：92.5at%、N：7.5at%)。Ru膜係採用釕靶，並於Ar氣體環境中藉由濺鍍而形成膜厚27nm之Ru膜(自TaN膜至Ru膜之形成為止不接觸大氣而連續成膜)。
上述所形成之TaN膜與Ru膜之波長13.5nm時之折射率n、消光係數k分別如下。
TaN：n→0.94、k→0.034
Ru：n→0.888、k→0.017
再者，上述TaN膜與Ru膜之膜厚以於波長13.5nm時反射率成為26%且相位差成為180度之方式設定。
於藉由與上述相同之方法製作之反射型光罩基底(無蝕刻光罩膜)之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為 25.9%。繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為25.8%。與實施例1同樣地，得出反射率大致無變化之結果。
於實施例3之藉由反射型光罩基底之反射型光罩之製作中，於實施例1中係設為相位偏移膜之CrCON膜(鉻系材料層162)，而於實施例3中則係設為Ru膜(釕系材料層163)，故而不同點在於，於將抗蝕膜圖案18a及蝕刻光罩膜圖案17a作為光罩而進行蝕刻處理時(圖4(c)→(d))，藉由O2氣體對Ru膜進行乾式蝕刻，其他方面與實施例1相同。再者，抗蝕膜18係於藉由O2氣體對Ru膜進行乾式蝕刻時去除。
根據實施例3，藉由在相位偏移膜16中使用Ru膜(釕系材料層163)，可使相位偏移膜16整體之膜厚變薄(於下文進行敍述之比較例中，相位偏移膜為58nm，實施例1中為51nm，實施例2中為52nm，相對於此，於本實施例中為32nm，又，實施例4中為40nm)。藉此，可提供一種陰影效應減小之反射型光罩及反射型光罩基底，從而較為有用。
[實施例4]
圖5係表示實施例4之自EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
實施例4係除了相對於實施例3將相位偏移膜中之TaN膜(鉭系材料層161)與Ru膜(釕系材料層163)之各者之膜厚設為24nm、16nm以外，以與實施例3同樣之方式製作反射型光罩基底及反射型光罩。再者，上述TaN膜與Ru膜之膜厚以於波長13.5nm時反射率成為6%且相位差成為180度之方式設定。
於藉由與上述相同之方法製作之反射型光罩基底(無蝕刻光罩膜)之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為6.2%。 繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為6.1%。與實施例1同樣地，得出反射率大致無變化之結果。
[實施例5]
實施例5係除了以下方面以外以與實施例1同樣之方式製作反射型光罩基底及反射型光罩基底，即不同點在於：相對於實施例1，於在Ar氣體環境下藉由使用Ru靶之DC濺鍍以1.5nm之厚度成膜Ru保護膜14後，於Ar+O2混合氣體環境下藉由使用Ru靶之DC濺鍍以1.0nm之厚度形成RuO2之防擴散層15(組成比Ru：O=1：2)，而形成防擴散層。
於藉由與上述相同之方法製作之反射型光罩基底(無蝕刻光罩膜)之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.0%。繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為2.1%。與實施例1同樣地，得出反射率大致無變化之結果。
以上，對各實施例進行了說明。接下來，對與本發明之上述各實施例之比較例進行說明。
(比較例)
圖7係表示作為比較例之自先前之EUV微影用反射型光罩基底製作EUV微影用反射型光罩之步驟的模式圖。
於該比較例中，製作未形成本發明之防擴散層之EUV微影用反射型光罩。即，於上述實施例中，不於Ru系保護膜14上(或設為Ru系保護膜14之一部分)設置防擴散層15，而藉由DC濺鍍成膜58nm之TaN膜(相位偏移膜160)。此時，TaN膜之膜厚係以反射率成為3%且相位差 成為180度之方式設定。
於藉由與上述相同之方法製作之反射型光罩基底之狀態下，測定相位偏移膜表面之對EUV光之反射率，結果為3.4%。繼而，作為假定曝光光源為高功率之使用環境評價，於真空中實施80℃×1小時之加熱處理，並測定加熱處理後之吸收體膜表面之對EUV光之反射率，結果為1.8%。即，於比較例中，反射率自3.4%降低至1.8%，表示於曝光光源為高功率之使用環境下，無法獲得如設計預期之功能(相位偏移效果降低)。
如上所述，根據本實施例之反射型光罩基底(及藉此製作之反射型光罩)，於Ru系保護膜14之與相位偏移膜16接觸之側，形成有含有釕與氧之防擴散層15，故而即便在EUV曝光機之曝光光源為高功率之使用環境下，亦可抑制保護膜與相位偏移膜(吸收體膜)間之熱擴散，藉此抑制EUV光之反射率之降低，從而即便反覆使用反射型光罩，亦可抑止相位偏移效果降低(與先前例相比較亦可獲得顯著之不同)。又，於比較例中，抗蝕膜~相位偏移膜之厚度合計為158nm(抗蝕膜：100nm、相位偏移膜：58nm)，相對於此，於實施例中可更薄地形成(實施例1：96nm(抗蝕膜：40nm、蝕刻光罩膜：5nm、相位偏移膜：51nm)、實施例2：132nm(抗蝕膜：80nm、相位偏移膜：52nm)、實施例3：77nm(抗蝕膜：40nm、蝕刻光罩膜：5nm、相位偏移膜：32nm)、實施例4：85nm(抗蝕膜：40nm、蝕刻光罩膜：5nm、相位偏移膜：40nm))，從而於形成微細圖案方面有利。
再者，亦可由矽(Si)形成多層反射膜13之最上層，且於該最上層(Si)與Ru系保護膜14之間形成含有矽與氧之矽氧化物層。先前之反射型光罩係在多層反射膜上設置保護膜，而於Si層與保護膜之間，Si擴散至Ru系保護膜，進而受到氧化形成氧化矽，從而因受到反射型光罩之製造步驟或作為製品完成後之使用中的反覆清洗而產生膜剝落。 相對於此，藉由在多層反射膜13之最上層之Si與Ru系保護膜14之間形成含有矽與氧之矽氧化物層，抑制多層反射膜13之最上層與Ru系保護膜14間之擴散，而抑制EUV光之反射率之降低，又，光罩耐清洗性(相位偏移膜圖案之耐膜剝落性)提高。就抑制Si向保護膜移行之觀點而言，矽氧化物層之厚度較佳為0.2nm以上。又，就抑制EUV光之反射率降低之觀點而言，矽氧化物層之厚度較佳為3nm以下。基於上述兩個觀點之更佳之範圍為0.5~2nm。矽氧化物層可藉由離子束濺鍍法、濺鍍法、CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)、真空蒸鍍法等形成，又，亦可藉由對作為多層反射膜13之最上層之矽(Si)進行退火處理，而於最上層之矽層之表層形成矽氧化物層。

Claims (13)

  1. 一種反射型光罩基底，其特徵在於：於基板上依序形成有多層反射膜、保護膜、及使EUV光之相位偏移之相位偏移膜，上述保護膜包含含有釕作為主要成分之材料，並且於上述保護膜表面上，或於作為上述保護膜之一部分與上述相位偏移膜接觸之側，形成有抑止與上述相位偏移膜間之相互擴散且以含有釕為主成分之氧化層之防擴散層。
  2. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述相位偏移膜包含含有鉭之鉭系材料層，上述鉭系材料層與上述防擴散層鄰接。
  3. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述防擴散層之膜厚為0.2nm以上、1.5nm以下。
  4. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述防擴散層之釕與氧之比率為於將釕設為1時，氧為0.8以上且2.2以下。
  5. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述相位偏移膜由積層構造形成，且最表面層為鉻系材料層。
  6. 如請求項5之反射型光罩基底，其中上述鉻系材料層含有碳。
  7. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述相位偏移膜由積層構造形成，且最表面層為釕系材料層。
  8. 如請求項1之反射型光罩基底，其中於上述相位偏移膜上形成有蝕刻光罩膜。
  9. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述多層反射膜之最上層為矽(Si)，且於上述最上層與上述保護膜之間具有含有矽與氧之矽氧化物層。
  10. 一種反射型光罩，其特徵在於：藉由如請求項1至9中任一項之反射型光罩基底而製作。
  11. 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：以濺鍍法成膜於如請求項1至9中任一項之反射型光罩基底中之上述相位偏移膜，且自成膜開始至成膜結束為止不暴露於大氣中而連續成膜。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光光源的曝光裝置設置如請求項10之反射型光罩，而將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕膜。
  13. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中上述曝光光源之功率(電力)為80W以上。
TW103142022A 2013-12-25 2014-12-03 Reflective reticle base and reflective reticle, and reflective reticle base and method of manufacturing semiconductor device TWI631412B (zh)

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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP6361283B2 (ja) * 2014-05-23 2018-07-25 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
US9766536B2 (en) 2015-07-17 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask with multilayer structure and manufacturing method by using the same
JP6556029B2 (ja) * 2015-11-18 2019-08-07 Hoya株式会社 レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法
SE538834C2 (sv) * 2015-12-29 2016-12-20 Cr Dev Ab Method of extracting information about a sample by nuclear magnetic resonance measurements
US10254640B2 (en) 2016-02-16 2019-04-09 AGC Inc. Reflective element for mask blank and process for producing reflective element for mask blank
JP6739960B2 (ja) * 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10276662B2 (en) 2016-05-31 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming contact trench
TWI730139B (zh) 2016-07-27 2021-06-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
KR20180057813A (ko) * 2016-11-22 2018-05-31 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크
WO2018159392A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6861095B2 (ja) * 2017-03-03 2021-04-21 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
KR101981890B1 (ko) * 2017-04-17 2019-05-23 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 노광용 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크
KR20240046295A (ko) * 2017-06-01 2024-04-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 디바이스
US10802393B2 (en) * 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
US11086215B2 (en) * 2017-11-15 2021-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet mask with reduced mask shadowing effect and method of manufacturing the same
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
JP6556885B2 (ja) * 2018-02-22 2019-08-07 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JPWO2019225737A1 (ja) 2018-05-25 2021-06-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP7361027B2 (ja) * 2018-05-25 2023-10-13 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US11300885B2 (en) * 2018-07-25 2022-04-12 Intel Corporation EUV phase-shift SRAF masks by means of embedded phase shift layers
JP6636581B2 (ja) * 2018-08-01 2020-01-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
US11194244B2 (en) 2018-12-21 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture
JP7250511B2 (ja) 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
US11275304B2 (en) 2019-05-22 2022-03-15 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask absorber matertals
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
US20200371427A1 (en) * 2019-05-22 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
KR102473558B1 (ko) * 2019-10-23 2022-12-05 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 하프톤 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
JP7475154B2 (ja) 2020-02-13 2024-04-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
KR20210127851A (ko) 2020-04-14 2021-10-25 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
JP7420027B2 (ja) * 2020-09-10 2024-01-23 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR102552039B1 (ko) * 2020-12-08 2023-07-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11940725B2 (en) 2021-01-27 2024-03-26 S&S Tech Co., Ltd. Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
JP7260078B2 (ja) * 2021-02-16 2023-04-18 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
US11762278B2 (en) 2021-06-16 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors
US20230069583A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle for an euv lithography mask and a method of manufacturing thereof
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors
KR20230072331A (ko) * 2021-11-17 2023-05-24 주식회사 인포비온 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법
WO2023112767A1 (ja) * 2021-12-13 2023-06-22 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP7272519B1 (ja) * 2021-12-13 2023-05-12 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
DE102022210492A1 (de) 2022-10-04 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur
DE102022202803A1 (de) 2022-03-22 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200428681A (en) * 2003-02-19 2004-12-16 Nichia Corp Nitride semiconductor device
TW201140230A (en) * 2009-11-18 2011-11-16 Hoya Corp Method of reproducing a substrate, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a substrate with a multilayer reflective film and method of manufacturing a reflective-type mask blank
TW201346428A (zh) * 2012-03-28 2013-11-16 Hoya Corp 光罩基底用基板、附有多層反射膜之基板、透過型光罩基底、反射型光罩基底、透過型光罩、反射型光罩及半導體裝置之製造方法
TW201351035A (zh) * 2012-03-30 2013-12-16 Hoya Corp 光罩基底用基板、附有多層反射膜之基板、透過型光罩基底、反射型光罩基底、透過型光罩、反射型光罩及半導體裝置之製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003005377A2 (en) * 2001-07-03 2003-01-16 The Regents Of The University Of California Passivating overcoat bilayer
JP4693395B2 (ja) 2004-02-19 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP4553239B2 (ja) * 2004-06-29 2010-09-29 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2006170916A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
FR2884965B1 (fr) * 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
JP2006332153A (ja) 2005-05-24 2006-12-07 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
DE102007028800B4 (de) * 2007-06-22 2016-11-03 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske
JP4602430B2 (ja) 2008-03-03 2010-12-22 株式会社東芝 反射型マスク及びその作製方法
KR101581977B1 (ko) 2008-03-31 2015-12-31 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법
JP5282507B2 (ja) * 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法
JP5372455B2 (ja) * 2008-10-04 2013-12-18 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにこれらの製造方法
JP5507876B2 (ja) 2009-04-15 2014-05-28 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
KR20120034074A (ko) 2009-07-08 2012-04-09 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
KR20130007533A (ko) * 2009-12-09 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 광학 부재
JP5543873B2 (ja) 2010-07-30 2014-07-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク
JP5685951B2 (ja) * 2011-01-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 反射型マスク、およびその製造方法
KR20140004101A (ko) * 2011-02-01 2014-01-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
US9659869B2 (en) * 2012-09-28 2017-05-23 Intel Corporation Forming barrier walls, capping, or alloys /compounds within metal lines
US20140170533A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-19 Sematech, Inc. Extreme ultraviolet lithography (euvl) alternating phase shift mask
JP6301127B2 (ja) * 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200428681A (en) * 2003-02-19 2004-12-16 Nichia Corp Nitride semiconductor device
TW201140230A (en) * 2009-11-18 2011-11-16 Hoya Corp Method of reproducing a substrate, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a substrate with a multilayer reflective film and method of manufacturing a reflective-type mask blank
TW201346428A (zh) * 2012-03-28 2013-11-16 Hoya Corp 光罩基底用基板、附有多層反射膜之基板、透過型光罩基底、反射型光罩基底、透過型光罩、反射型光罩及半導體裝置之製造方法
TW201351035A (zh) * 2012-03-30 2013-12-16 Hoya Corp 光罩基底用基板、附有多層反射膜之基板、透過型光罩基底、反射型光罩基底、透過型光罩、反射型光罩及半導體裝置之製造方法

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