TWI627809B - 靜電放電防護電路 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種靜電放電防護電路，其一實施例包含：一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一警示電路，用來依據該偵測電壓產生一控制訊號，其中當該偵測電壓滿足一預設電壓條件時，該控制訊號反映一正常情形，當該偵測電壓不滿足該預設電壓條件時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號暫停一正常運作。

Description

靜電放電防護電路
本發明是關於防護電路，尤其是關於靜電放電防護電路。
傳統的靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）防護電路是偵測電源端（例如高電壓V DD端與低電壓V SS端）之電壓或偵測電源端與接地端之電壓來啟動保護機制。傳統的ESD防護電路放電時須經由電源端的路徑向接地端放電，且經由電源端的路徑一般而言較長而不利於即時放電，故傳統的ESD防護電路仍有改善的空間。相關先前技術可見於下列文獻：“Advances in Solid State Circuit Technologies”, Chapter 10。
鑑於傳統的ESD防護電路的缺點，本案申請人先前提出一種ESD防護電路如圖1所示。圖1之ESD防護電路100包含一第一端110、一第二端120、一偵測電路130以及一防護電路140，另外，一受保護電路10可耦接ESD防護電路100的第一端110與第二端120以獲得保護，該受保護電路10通常而言是耦接於一電源端12與一接地端之間，並接收來自第一端110與第二端120之訊號。ESD防護電路100之更詳細的說明可見於申請號為105114262之中華民國專利申請案。
承上所述，儘管防護電路140能夠在靜電發生時進行放電，受保護電路10仍可能在靜電發生時（或異常能量產生時）受到瞬間訊號波動的影響，雖然在ESD防護電路100之保護下，受保護電路10通常不致於損壞，但受保護電路10可能因該瞬間訊號波動的影響而當機（crash）或產生誤操作，導致受保護電路10需經由重新啟動或重置以恢復正常運作。
鑑於先前技術之不足，本發明之一目的在於提供一種靜電放電防護電路，以改善先前技術。
本發明揭露了一種靜電放電防護電路，其一實施例包含一第一端、一第二端、一偵測電壓產生電路、一比較電路、一控制電路以及一受保護電路。所述第一端用來接收一第一電壓。所述第二端用來接收一第二電壓。所述偵測電壓產生電路耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓。所述比較電路用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果。所述控制電路用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形。所述受保護電路用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作。
前述靜電放電防護電路之另一實施例包含一第一端、一第二端、一偵測電壓產生電路、一警示電路與一受保護電路。所述第一端用來接收一第一電壓。所述第二端用來接收一第二電壓。所述偵測電壓產生電路耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓。所述警示電路用來依據該偵測電壓產生一控制訊號，其中當該偵測電壓滿足一預設電壓條件時，該控制訊號反映一正常情形，當該偵測電壓不滿足該預設電壓條件時，該控制訊號反映一異常情形。所述受保護電路用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號暫停一正常運作。
前述靜電放電防護電路之又一實施例包含一第一端、一第二端、一偵測電壓產生電路、一比較電路以及一控制電路。所述第一端用來接收一第一電壓。所述第二端用來接收一第二電壓。所述偵測電壓產生電路耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓。所述比較電路包含：一第一反相器，用來依據該偵測電壓與一預設電壓範圍來產生一第一比較結果；以及一第二反相器，用來依據該偵測電壓與該預設電壓範圍來產生一第二比較結果。所述控制電路用來依據該第一與第二比較結果產生一控制訊號，其中當該第一與第二比較結果均指出該偵測電壓位於該預設電壓範圍內時，該控制電路透過該控制訊號反映一正常情形，當該第一與第二比較結果之任一個指出該偵測電壓位於該預設電壓範圍外時，該控制電路透過該控制訊號反映一異常情形並發出一電路防護警示。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
以下說明內容之用語是參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋是以本說明書之說明或定義為準。
本發明揭露了一種靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）防護電路，能夠避免靜電發生時（或異常能量產生時）之瞬間訊號波動對一受保護電路造成嚴重影響。本發明能夠應用於多種電路像是乙太網路電路及其它需要ESD防護之電路，且適用於採用差動訊號之電路，但本發明之應用並不以此為限。
請參閱圖2，其顯示本發明之靜電放電防護電路之一實施例。如圖2所示，本實施例之靜電放電防護電路200包含一第一端210、一第二端220、一偵測電壓產生電路230、一警示電路240以及一受保護電路250。第一端210用來接收一第一電壓（例如一差動訊號之一正端訊號之電壓），第二端220用來接收一第二電壓（例如一差動訊號之一負端訊號之電壓）。偵測電壓產生電路230耦接於第一端210與第二端220之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓，舉例而言，偵測電壓產生電路230包含一第一阻抗310（例如電阻及/或電容）與一第二阻抗320（例如電阻及/或電容）如圖3所示，第一阻抗310耦接於第一端210與警示電路240之間，第二阻抗320耦接於第二端220與警示電路240之間，當該第一阻抗310之阻抗值等於該第二阻抗320之阻抗值時，該偵測電壓反映第一端210與第二端220之一共模電壓。
請繼續參閱圖2。警示電路240用來依據該偵測電壓產生一控制訊號，其中當該偵測電壓滿足一預設電壓條件時，該控制訊號反映一正常情形，當該偵測電壓不滿足該預設電壓條件時，該控制訊號反映一異常情形，舉例而言，該預設電壓條件為一預設電壓範圍（例如由一高電壓門檻與一低電壓門檻所定義之範圍），當該偵測電壓位於該預設電壓範圍內時，該控制訊號反映該正常情形，否則反映該異常情形達一預定時間；另舉例而言，該預設電壓條件為至少一參考電壓（例如一電壓範圍的上限與下限），當該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映該正常情形，否則反映該異常情形達一預定時間。受保護電路250用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作，舉例而言，受保護電路250可依該控制訊號暫停一正常運作（亦即受保護電路250在該正常情形下的運作）以達到該防護運作，另舉例而言，受保護電路250可依該控制訊號暫停一工作時脈之輸出以達到該防護運作，本領域具有通常知識者可參酌申請人之中華民國專利申請案（專利申請號：103122921）來瞭解如何暫停一工作時脈之輸出。
請參閱圖4，其顯示警示電路240之一實施例。圖4之警示電路400包含一比較電路410與一控制電路420。比較電路410用來依據該偵測電壓與該預設電壓條件來產生至少一比較結果，控制電路420用來依據該至少一比較結果產生該控制訊號。控制電路420之一實施例包含一D型正反器、一閂鎖電路或一邏輯閘之組合，可以將該至少一比較結果的瞬間變化轉換為一電路防護警示達一預定時間。舉例而言，若控制電路420包含一D型正反器（後稱DFF），該至少一比較結果輸入至DFF之一時脈埠、一警示電壓（例如一高電壓）輸入至DFF之一訊號輸入埠、DFF之一非反相輸出端的電壓於該時脈埠之至少一比較結果發生準位變化時由一正常電壓（例如一低電壓）變成該警示電壓、以及DFF之一重置端於該輸出端之電壓變成該警示電壓達一預定時間後將該非反相輸出端之電壓重置為該正常電壓，藉由上述，控制電路420得以將該至少一比較結果的瞬間變化轉換為一電路防護警示達一預定時間。上述預定時間的實施可藉由一已知的計數器或一已知/自行開發的計時電路來實現。
請參閱圖5，其顯示比較電路410之一實施例。圖5之比較電路410包含一參考電壓產生電路510與一比較器520。參考電壓產生電路510可包含一或多個參考電壓產生單元，用來產生該至少一參考電壓；比較器520可包含一或多個比較單元，用來比較該偵測電壓與該至少一參考電壓以產生該至少一比較結果。圖5之實施例中，參考電壓產生電路510與比較器520之任一個單獨而言為習知技藝，其細節在此不予贅述。
請參閱圖6，其顯示比較電路410之另一實施例。圖6之比較電路410包含一第一比較器610與一第二比較器620。第一比較器610用來依據該偵測電壓與該預設電壓條件來產生一第一比較結果，舉例來說，該預設電壓條件是一預設電壓範圍之一高電壓門檻，當該偵測電壓低於該高電壓門檻，該第一比較結果反映該正常情形，其中該高電壓門檻是依據第一比較器610之操作電壓（例如後述之V DD1與V SS1）與第一比較器610之電路架構（例如圖8或圖9之架構）來產生。第二比較器620用來依據該偵測電壓與該預設電壓條件來產生一第二比較結果，舉例來說，該預設電壓條件是一預設電壓範圍之一低電壓門檻，當該偵測電壓高於該低電壓門檻，該第二比較結果反映該正常情形，其中該低電壓門檻是依據第二比較器620之操作電壓（例如後述之V DD2與V SS2）與第二比較器620之電路架構（例如圖8或圖9之架構）來產生。
請參閱圖7，其顯示圖6之實施例的一實施樣態。圖7之比較電路410包含一偵測電壓輸入端710、一第一比較結果輸出端720、一第二比較結果輸出端730、一第一反相器740以及一第二反相器750，其中偵測電壓輸入端710、第一比較結果輸出端720與第一反相器740對應圖6之第一比較器610，偵測電壓輸入端710、第二比較結果輸出端730與第二反相器750對應圖6之第二比較器620。偵測電壓輸入端710用來接收該偵測電壓。第一比較結果輸出端720用來輸出一第一比較結果。第二比較結果輸出端730用來輸出一第二比較結果。第一反相器740耦接於一第一高電壓端V DD1與一第一低電壓端V SS1（例如一低電端電源端或是一接地端）之間，以及耦接於偵測電壓輸入端710與第一比較結果輸出端720之間，第一反相器740用來依據該偵測電壓以及一第一參考電壓（例如一預設電壓範圍之一高電壓門檻）輸出一第一比較結果，其中該第一參考電壓與第一反相器740之架構有關，例如相關於反相器之架構所決定的輸出條件。第二反相器750耦接於一第二高電壓端V DD2（其可以均等於或相異於第一高電壓端V DD1）與一第二低電壓端V SS2（其可以均等於或相異於第一低電壓端V SS2）之間，以及耦接於偵測電壓輸入端710與第二比較結果輸出端730之間，第二反相器750用來依據該偵測電壓以及一第二參考電壓（例如一預設電壓範圍之一低電壓門檻）輸出一第二比較結果，其中該第二參考電壓小於該第一參考電壓，且該第二參考電壓與第二反相器750之架構有關，例如相關於反相器之架構所決定的輸出條件。
承上所述，實施本發明者可依其需求來設計該第一與第二參考電壓。舉例而言，第一高電壓端V DD1提供一第一高電壓，第一低電壓端V SS1提供一第一低電壓，該第一參考電壓不小於該第一高電壓與該第一低電壓的平均，該第二高電壓端V DD2提供一第二高電壓，第二低電壓端V SS2提供一第二低電壓，該第二參考電壓不大於該第二高電壓與該第二低電壓的平均。本發明具有通常知識者可從以下關於圖8與圖9之揭露來瞭解及推衍該第一與第二參考電壓之設計。
請參閱圖8，其顯示圖7之第一反相器740與第二反相器750之一實施例。圖8中，一第一P型金氧半導體（PMOS）電路810與一第一N型金氧半導體（NMOS）電路820對應圖7之第一反相器740，一第二PMOS電路830與一第二NMOS電路840對應圖7之第二反相器750。第一PMOS電路810耦接偵測電壓輸入端710、第一高電壓端V DD1與第一比較結果輸出端720，第一PMOS電路810用來於該偵測電壓低於該第一參考電壓時電性連接第一高電壓端V DD1與第一比較結果輸出端720，從而輸出第一高電壓端V DD1之一第一高電壓以作為該第一比較結果；一第一NMOS電路820耦接偵測電壓輸入端710、第一低電壓端V SS1與第一比較結果輸出端710，第一NMOS電路820用來於該偵測電壓高於該第一參考電壓時電性連接第一低電壓端V SS1與第一比較結果輸出端720，從而輸出第一低電壓端V SS1之一第一低電壓以作為該第一比較結果。此外，第二PMOS電路830耦接偵測電壓輸入端710、第二高電壓端V DD2與第二比較結果輸出端730，第二PMOS電路830用來於該偵測電壓低於該第二參考電壓時電性連接第二高電壓端V DD2與第二比較結果輸出端730，從而輸出第二高電壓端V DD2之一第二高電壓以作為該第二比較結果；第二NMOS電路840耦接偵測電壓輸入端710、第二低電壓端V SS2與第二比較結果輸出端730，第二NMOS電路840用來於該偵測電壓高於該第二參考電壓時電性連接第二低電壓端V SS2與第二比較結果輸出端730，從而輸出第二低電壓端V SS2之一第二低電壓以作為該第二比較結果。
請參閱圖9，其顯示圖8之實施例之一實施變化的示意圖。圖9中，第一PMOS電路810包含複數個PMOS電晶體，該些PMOS電晶體分別經由複數個第一開關910耦接至第一高電壓端V DD1，該些第一開關910的至少一個導通以確保第一PMOS電路810之運作，且導通的第一開關910之數目愈多，該第一參考電壓愈高，換言之，該些第一開關910之一整體導通狀態決定了該第一參考電壓；此外，第二NMOS電路840包含複數個NMOS電晶體，該些NMOS電晶體分別經由複數個第二開關920耦接至第二低電壓端V SS2，該些第二開關920的至少一個導通以確保第二NMOS電路840之運作，且導通的第二開關920之數目愈多，該第二參考電壓愈低，換言之，該些第二開關920之一整體導通狀態決定了該第二參考電壓。請注意，圖9之電晶體數目與開關之數目是示範性的以供理解之用，非用以限制本發明之實施範圍。
依據圖9之實施例，第一PMOS電路810之複數個PMOS電晶體的數量大於第一NMOS電路820之至少一NMOS電晶體的數量，第二PMOS電路830之至少一PMOS電晶體的數量小於第二NMOS電路840之複數個NMOS電晶體的數量，然此並非本發明之實施限制。上述電晶體數量差異所帶來的效果亦可由其它方式來實現，舉例而言，第一PMOS電路810之一有效電晶體通道寬度大於第一NMOS電路820之一有效電晶體通道寬度，以及第二PMOS電路830之一有效電晶體通道寬度小於第二NMOS電路840之一有效電晶體通道寬度，由於有效電晶體通道寬度之控制屬本領域之通常知識，其細節在此不予贅述。
請注意，圖2之受保護電路250可分開地被實施，換言之，如圖10所示，靜電放電防護電路1000包含第一端210、第二端220、偵測電壓產生電路230與警示電路240。由於本領域具有通常知識者能夠參酌圖2至圖9之實施例的揭露來瞭解圖10之實施例的實施細節與變化，亦即圖2至圖9之實施例的技術特徵均可合理應用於圖10之實施例中，因此，在不影響揭露與可實施性之要求的前提下，重複及冗餘之說明在此予以節略。另請注意，本發明之靜電放電防護電路是於偵測到靜電或異常能量時，及時發出警示，以令一受保護電路得以即時因應；儘管本發明非著眼於排放靜電或異常能量，但可結合既存的或自行開發的靜電放電防護電路以排放靜電或異常能量，所述既存的靜電放電防護電路例如是申請人之中華民國專利申請案（申請號：105114262）所載之電路。
綜上所述，本發明能夠於靜電發生時（或異常能量產生時）發出一電路防護警示給一受保護電路，使該受保護電路及時執行一防護運作，從而避免靜電（或異常能量）造成嚴重影響。
雖然本發明之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本發明，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇，換言之，本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧待防護電路
12‧‧‧電源端
100‧‧‧靜電放電防護電路
110‧‧‧第一端
120‧‧‧第二端
130‧‧‧偵測電路
140‧‧‧防護電路
200‧‧‧靜電放電防護電路
210‧‧‧第一端
220‧‧‧第二端
230‧‧‧偵測電壓產生電路
240‧‧‧警示電路
250‧‧‧受保護電路
310‧‧‧第一阻抗
320‧‧‧第二阻抗
410‧‧‧比較電路
420‧‧‧控制電路
510‧‧‧參考電壓產生電路
520‧‧‧比較器
610‧‧‧第一比較器
620‧‧‧第二比較器
710‧‧‧偵測電壓輸入端
720‧‧‧第一比較結果輸出端
730‧‧‧第二比較結果輸出端
740‧‧‧第一反相器
750‧‧‧第二反相器
810‧‧‧第一PMOS電路
820‧‧‧第一NMOS電路
830‧‧‧第二PMOS電路
840‧‧‧第二NMOS電路
910‧‧‧第一開關
920‧‧‧第二開關
1000‧‧‧靜電放電防護電路
VDD1‧‧‧第一高電壓端
VSS1‧‧‧第一低電壓端
VDD2‧‧‧第二高電壓端
VSS2‧‧‧第二低電壓端
［圖1］顯示一既存的靜電放電防護電路； ［圖2］顯示本發明之靜電放電防護電路之一實施例； ［圖3］顯示圖2之偵測電壓產生電路的一實施例； ［圖4］顯示圖2之警示電路的一實施例； ［圖5］顯示圖4之比較電路的一實施例； ［圖6］顯示圖4之比較電路的另一實施例； ［圖7］顯示圖6之實施例的一實施樣態； ［圖8］顯示圖7之第一與第二反相器之一實施例； ［圖9］顯示圖7之第一與第二反相器之另一實施例；以及 ［圖10］顯示本發明之靜電放電防護電路之另一實施例。

Claims (10)

  1. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓，其中該第一端是一差動訊號的一輸入端；一第二端，用來接收一第二電壓，其中該第二端是該差動訊號的另一輸入端；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一比較電路，用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果；一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作。
  2. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓； 一比較電路，用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果；一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作，其中該偵測電壓產生電路包含一第一阻抗與一第二阻抗，該第一阻抗耦接於該第一端與該比較電路之間，該第二阻抗耦接於該第二端與該比較電路之間。
  3. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一比較電路，用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果；一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形；以及 一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作，其中該比較電路包含：一參考電壓產生電路，用來產生該至少一參考電壓；以及一比較器，用來接收該偵測電壓與該至少一參考電壓以產生該至少一比較結果。
  4. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一比較電路，用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果；一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作，其中該比較電路包含：一偵測電壓輸入端，用來接收該偵測電壓；一第一比較結果輸出端，用來輸出一第一比較結果； 一第二比較結果輸出端，用來輸出一第二比較結果；一第一反相器，耦接於一第一高電壓端與一第一低電壓端之間以及耦接於該偵測電壓輸入端與該第一比較結果輸出端之間，該第一反相器用來依據該偵測電壓以及一第一參考電壓輸出一第一比較結果；以及一第二反相器，耦接於一第二高電壓端與一第二低電壓端之間以及耦接於該偵測電壓輸入端與該第二比較結果輸出端之間，用來依據該偵測電壓以及一第二參考電壓輸出一第二比較結果，其中該第二參考電壓小於該第一參考電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之靜電放電防護電路，其中該第一反相器包含：一第一P型金氧半導體(PMOS)電路，耦接該偵測電壓輸入端、該第一高電壓端與該第一比較結果輸出端，該第一PMOS電路用來於該偵測電壓低於該第一參考電壓時電性連接該第一高電壓端與該第一比較結果輸出端，從而輸出該第一高電壓端之一第一高電壓以作為該第一比較結果；以及一第一N型金氧半導體(NMOS)電路，耦接該偵測電壓輸入端、該第一低電壓端與該第一比較結果輸出端，該第一NMOS電路用來於該偵測電壓高於該第一參考電壓時電性連接該第一低電壓端與該第一比較結果輸出端，從而輸出該第一低電壓端之一第一低電壓以作為該第一比較結果；以及該第二反相器包含： 一第二PMOS電路，耦接該偵測電壓輸入端、該第二高電壓端與該第二比較結果輸出端，該第二PMOS電路用來於該偵測電壓低於該第二參考電壓時電性連接該第二高電壓端與該第二比較結果輸出端，從而輸出該第二高電壓端之一第二高電壓以作為該第二比較結果；以及一第二NMOS電路，耦接該偵測電壓輸入端、該第二低電壓端與該第二比較結果輸出端，該第二NMOS電路用來於該偵測電壓高於該第二參考電壓時電性連接該第二低電壓端與該第二比較結果輸出端，從而輸出該第二低電壓端之一第二低電壓以作為該第二比較結果。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之靜電放電防護電路，其中該第一PMOS電路之複數個PMOS電晶體分別經由複數個第一開關耦接至該第一高電壓端，該複數個第一開關的至少一個導通，且該複數個第一開關之一整體導通狀態決定了該第一參考電壓；該第二NMOS電路之複數個NMOS電晶體分別經由複數個第二開關耦接至該第二低電壓端，該複數個第二開關的至少一個導通，且該複數個第二開關之一整體導通狀態決定了該第二參考電壓。
  7. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓，其中該第一端是一差動訊號的一輸入端；一第二端，用來接收一第二電壓，其中該第二端是該差動訊號的另一輸入端；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓； 一比較電路，用來依據該偵測電壓與至少一參考電壓產生至少一比較結果；一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生一控制訊號，其中當該至少一比較結果指出該偵測電壓未達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一正常情形，當該至少一比較結果指出該偵測電壓達到該至少一參考電壓的任一個時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號執行一防護運作，其中該受保護電路藉由暫停一正常運作以達到該防護運作。
  8. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓，其中該第一端是一差動訊號的一輸入端；一第二端，用來接收一第二電壓，其中該第二端是該差動訊號的另一輸入端；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一警示電路，用來依據該偵測電壓產生一控制訊號，其中當該偵測電壓滿足一預設電壓條件時，該控制訊號反映一正常情形，當該偵測電壓不滿足該預設電壓條件時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號暫停一正常運作。
  9. 一種靜電放電防護電路，包含： 一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一警示電路，用來依據該偵測電壓產生一控制訊號，其中當該偵測電壓滿足一預設電壓條件時，該控制訊號反映一正常情形，當該偵測電壓不滿足該預設電壓條件時，該控制訊號反映一異常情形；以及一受保護電路，用來於接收到該控制訊號反映該異常情形時，依據該控制訊號暫停一正常運作，其中該預設電壓條件是一預設電壓範圍，且該警示電路包含：一比較電路，用來依據該偵測電壓與該預設電壓範圍來產生至少一比較結果；以及一控制電路，用來依據該至少一比較結果產生該控制訊號。
  10. 一種靜電放電防護電路，包含：一第一端，用來接收一第一電壓；一第二端，用來接收一第二電壓；一偵測電壓產生電路，耦接於該第一與第二端之間，用來依據該第一與第二電壓提供一偵測電壓；一比較電路，包含：一第一反相器，用來依據該偵測電壓與一預設電壓範圍來產生一第一比較結果；以及 一第二反相器，用來依據該偵測電壓與該預設電壓範圍來產生一第二比較結果；以及一控制電路，用來依據該第一與第二比較結果產生一控制訊號，其中當該第一與第二比較結果均指出該偵測電壓位於該預設電壓範圍內時，該控制電路透過該控制訊號反映一正常情形，當該第一與第二比較結果之任一個指出該偵測電壓位於該預設電壓範圍外時，該控制電路透過該控制訊號反映一異常情形並發出一電路防護警示。
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