TWI623743B - 氣體感測器 - Google Patents
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Abstract
一種氣體感測器包括第一基板、至少一第一電極、感測結構、至少一第二電極以及第二基板。至少一第一電極位於第一基板上。感測結構位於至少一第一電極與第一基板上。感測結構包括第一半導體層及第二半導體層，其中第一半導體層具有第一導電型，覆蓋第一基板與至少一第一電極上；第二半導體層具有第二導電型，位於第一半導體層上。至少一第二電極覆蓋感測結構。第二基板覆蓋至少一第二電極與感測結構。
Description
本發明是有關於氣體感測器，且特別是有關於一種具有量測多種界面/接面的氣體感測器。
習知的半導體氣體感測器依據使用的感測材料的不同，氣體感測器可對不同的氣體進行偵測。
然而，習知的半導體製程難以將多種類型的感測器形成於單一基板上，其可歸因於需要多道光罩製程，以致於需要高昂的製造成本。此外，習知的半導體製程通常需要多個腔體以進行多種材料的製程。否則，在單一腔體中進行多種材料的製程易造成交叉汙染的問題。
本發明提供一種氣體感測器，其可在單一腔體中進行多種材料的製備，以利於將多種類型的感測器形成於單一基板上。
本發明提供一種氣體感測器，其具有量測多種界面/接面的功能，以提升氣體感測器的選擇性（selectivity）與靈敏度（sensitivity）。
本發明提供一種氣體感測器包括第一基板、至少一第一電極、感測結構、至少一第二電極以及第二基板。至少一第一電極位於第一基板上。感測結構位於至少一第一電極與第一基板上，感測結構包括第一半導體層及第二半導體層，其中第一半導體層位於至少一第一電極上，具有第一導電型；第二半導體層位於第一半導體層上，具有第二導電型。至少一第二電極覆蓋感測結構。第二基板覆蓋至少一第二電極與感測結構。
在本發明的一實施例中，上述第一基板與第二基板各包括孔洞材料。
在本發明的一實施例中，上述至少一第一電極與至少一第二電極分別延伸至第一基板與第二基板的孔洞中。
在本發明的一實施例中，上述第一半導體層與第二半導體層其中之一的材料包括n型半導體材料，上述第一半導體層與第二半導體層其中之另一的材料包括p型半導體材料。
在本發明的一實施例中，上述第一半導體層與第二半導體層直接接觸。
在本發明的一實施例中，上述至少一第一電極包括多個第一電極，上述至少一第二電極包括多個第二電極。
在本發明的一實施例中，上述多個第一電極包括第一指叉電極與第二指叉電極，第一指叉電極具有第一主體部以及多個第一延伸部，第二指叉電極具有第二主體部以及多個第二延伸部，其中第一主體部以及第二主體部相對設置，且多個第一延伸部以及多個第二延伸部以相互排列的方式設置。
在本發明的一實施例中，上述多個第二電極包括第三指叉電極與第四指叉電極，第三指叉電極具有第三主體部以及多個第三延伸部，第四指叉電極具有第四主體部以及多個第四延伸部，其中第三主體部以及第四主體部相對設置，且多個第三延伸部以及多個第四延伸部以相互排列的方式設置。
在本發明的一實施例中，上述第一基板、至少一第一電極、感測結構、至少一第二電極或第二基板的形成方法包括三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
在本發明的一實施例中，上述至少一第一電極或至少一第二電極具有與外部線路連接的端點。
在本發明的一實施例中，上述第一基板與第二基板的形成方法包括壓印法、真空抽濾法或其組合。
在本發明的一實施例中，上述形成至少一第一電極、形成第一半導體層、形成第二半導體層以及形成至少一第二電極的步驟包括三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
基於上述，本發明之氣體感測器可藉由三維列印法將多種類型的感測器形成於單一基板上，其中三維列印法僅需依據所欲形成的材料種類更換不同墨水，故在單一腔體中進行多種材料製備時，不會造成交叉汙染的問題。亦即，本發明之氣體感測器可節省習知半導體製程所需之多道光罩製程，以降低生產成本並提高穩定性。此外，本發明的氣體感測器具有不同導電型之半導體層，因此具有量測多種界面的功能，以提升氣體感測器的選擇性（selectivity）與靈敏度（sensitivity）。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為依照本發明一實施例的氣體感測器的立體分解圖。圖2為圖1中沿剖面線I-I’的剖面示意圖。
請參照圖1與圖2，本發明一實施例的氣體感測器100包括第一基板102、至少一第一電極104、感測結構110、至少一第二電極112以及第二基板114。第一基板102可例如是可撓性基板或是剛性基板。舉例而言，第一基板102的材料可例如是玻璃、聚對苯二甲酸乙烯酯（poly ethylene terephthalate；PET）、苯二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride；PVC）、聚丙烯（polypropylene；PP）、聚環烯烴聚合物（Cyclo olefin polymer；COP）、聚乙烯（polyethylene；PE）或其組合。另外，第一基板102的材料也可例如是紙張、玻璃纖維、氧化鋁、聚丙烯（polypropylene；PP）、全氟磺酸聚合物（perfluoro sulfonic acid polymer）、奈米纖維素、醋酸纖維素（cellulose acetate）、聚碸（polysulfone）、聚乙烯胺（polyvinylamine）、聚醯胺（polyamide）、聚呋喃（polyfuran）等市售濾膜當多孔基板。在一些實施例中，第一基板102的表面是平面。在另一些實施例中，第一基板102的表面是非平面，例如是曲面、凹面、斜面或其組合的表面。第一基板102的形成方法包括購買市售預製含有過濾層或含有過濾層及支撐層之薄膜、押出成型、射出成型、吹塑成型、靜電紡織法、乾燥法、塗佈法、陽極氧化法、相轉化法、壓印法、真空抽濾法、三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
第一電極104位於第一基板102上。在本實施例中，第一電極104為多個，其分離設置於第一基板102上，但本發明不以此為限。第一電極104可例如是指叉狀電極。更具體地說，第一電極104包括第一電極104a與第一電極104b。第一電極104a與第一電極104b均為指叉狀電極。在一實施例中，指叉狀電極可具有主體部204a、204b以及多個延伸部304a、304b，其中主體部204a、204b沿一方向延伸，而延伸部304a、304b沿另方向延伸。在本實施例中，第一電極104a的主體部204a與電一電極104b的主體部204b相對設置，且第一電極104a的延伸部304a與第一電極104b的延伸部304b以相互交替排列的方式設置，但本發明不以此為限。
第一電極104的材料包括導體材料。導體材料可以是金屬或是合金，例如是銀（Ag）、金（Au）、銅（Cu）、鉑（Pt）、鋁（Al）或其組合。第一電極104的形成方法可例如是三維列印法（3D printing）、噴墨印刷法（Ink Jet Printing）或其組合。
感測結構110形成於第一基板102與第一電極104上。感測結構110包括第一半導體層106及第二半導體層108，其中第一半導體層106具有第一導電型，位於第一基板102與第一電極104上；第二半導體層108具有第二導電型，位於第一半導體層106上。在一實施例中，第一導電型與第二導電型不同，且第一半導體層106與第二半導體層108直接接觸，因此可使得感測結構110具有量測多種界面/接面的功能。舉例而言，第一半導體層106可例如是p型半導體層；第二半導體層108可例如是n型半導體層，且第一半導體層106與第二半導體層108直接接觸。如此一來，感測結構110具有量測p型界面、n型界面以及p-n接面的功能。
另外，在一實施例中，第一半導體層106不僅形成於第一電極104上，且還形成於相鄰的兩個第一電極104a、104b之間的間隙，以增加第一電極104與第一半導體層106之間的接觸面積。
第一半導體層106及第二半導體層108的材料可例如是n型半導體材料或p型半導體材料。更具體地說，在一些實施例中，第一半導體層106是n型半導體材料；而第二半導體層108的材料為p型半導體材料。在另一些實施例中，第一半導體層106是p型半導體材料；而第二半導體層108的材料為n型半導體材料。n型半導體材料可例如是氧化鋅（ZnO）、二氧化鈦（TiO
2）、二氧化鋯（ZrO
2）、二氧化鉿（HfO
2）、二氧化錫（SnO
2）、氧化鐵（Fe
2O
3）、三氧化鎢（WO
3）、三氧化鉬（MoO
3）、五氧化二釩（V
2O
5）或其組合。p型半導體材料可例如是氧化鎳（NiO）、氧化銅（CuO）、氧化鈷（CoO）或其組合。
感測結構110可偵測的氣體例如是包括一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO
2）、氨（NH
3）、氫（H
2）、水（H
2O）、二氧化硫（SO
2）、硫化氫（H
2S）、氧（O
2）、臭氧（O
3）、一氧化碳（CO）、甲烷（CH
4）、乙烯（C
2H
4）、乙炔（C
2H
2）、氯（Cl
2）、揮發性有機化合物（Volatile Organic Compounds, VOC）常見如醇類中的甲醇（CH
3OH）、乙醇（C
2H
5OH）、酮類中的丙酮（C
3H
6O）、醛類中的甲醛、苯類中的苯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙烯或其組合。
第一半導體層106與第二半導體層108的形成方法可例如是三維列印法、噴墨印刷法或其組合。三維列印法以及噴墨印刷法只需依據所欲形成的材料種類更換不同墨水，故在單一腔體中將第一半導體層106以及第二半導體層108形成於第一基板102與第一電極104時，不會造成交叉汙染的問題。如此一來，可解決習知半導體製程難以將多種類型的感測器形成於單一基板上的問題。
第二電極112覆蓋感測結構110。在本實施例中，第二電極112為多個，其分離設置於感測結構110上，但本發明不以此為限。第二電極112可例如是指叉狀電極。更具體地說，第二電極112包括第二電極112a與第二電極112b。在一些實施例中，第二電極112a與第二電極112b均為指叉狀電極。指叉狀電極可具有主體部212a、212b以及多個延伸部312a、312b，其中主體部212a、212b沿第一方向延伸，而延伸部312a、312b沿第二方向延伸。第一方向和第二延伸方向不同。在一些實施例中，第一方向和第二延伸方向相互垂直。在本實施例中，第二電極112a的主體部212a與第二電極112b的主體部212b相對設置，且第二電極112a的延伸部312a與第二電極112b的延伸部312b以交替排列的方式設置，但本發明不以此為限。
第二電極112的材料包括導體材料。導體材料可以是金屬或是合金，例如是銀（Ag）、金（Au）、銅（Cu）、鉑（Pt）、鋁（Al）或其組合。第二電極112的形成方法可例如是三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
此外，第二半導體層108還位於相鄰的兩個第二電極112a、112b之間的間隙，以增加第二電極112與第二半導體層108之間的接觸面積。
第二基板114覆蓋第二電極112與感測結構110。第二基板114可例如是可撓性基板或是剛性基板。舉例而言，第二基板114的材料可例如是玻璃、聚對苯二甲酸乙烯酯（poly ethylene terephthalate；PET）、苯二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride；PVC）、聚丙烯（polypropylene；PP）、聚環烯烴聚合物（Cyclo olefin polymer；COP）、聚乙烯（polyethylene；PE）或其組合。另外，第二基板114的材料也可例如是紙張、玻璃纖維、氧化鋁、聚丙烯（polypropylene；PP）、全氟磺酸聚合物（perfluoro sulfonic acid polymer）、奈米纖維素、醋酸纖維素（cellulose acetate）、聚碸（polysulfone）、聚乙烯胺（polyvinylamine）、聚醯胺（polyamide）、聚呋喃（polyfuran）等市售濾膜當多孔基板。第二基板114的形成方法包括壓印法、真空抽濾法、三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
為了更具體地描述本發明本實施例的氣體感測器100具有量測多種界面/接面的功能，底下以圖1所繪示的氣體感測器100舉例說明。
請參照圖1，第一電極104a、104b彼此分離，設置於第一基板102上，且第一半導體層106位於第一電極104a與第一電極104b上及其兩者之間。第一電極104a與第一電極104b可以分別具有與外部線路連接的單一個端點或是多個端點。在一實施例中，第一電極104a具有與外部線路連接的端點C、F；第一電極104b具有與外部線路連接的端點B。在第一半導體層106可以是p型半導體材料的實施例中，第一半導體層106與第一電極104a及第一電極104b形成p型感測器。如此一來，在第一電極104a及第一電極104b之間的距離為已知的情況下，可藉由量測端點B-C之間的電阻、電壓、電流等變化來偵測氣體的種類、濃度或其組合。
更具體地說，p型感測器可偵測的氣體例如是一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO
2）、氨（NH
3）、氫（H
2）、水（H
2O）、二氧化硫（SO
2）、硫化氫（H
2S）、氧（O
2）、臭氧（O
3）、一氧化碳（CO）、甲烷（CH
4）、乙烯（C
2H
4）、乙炔（C
2H
2）、氯（Cl
2）、揮發性有機化合物（Volatile Organic Compounds, VOC）常見如醇類中的甲醇（CH
3OH）、乙醇（C
2H
5OH）、酮類中的丙酮（C
3H
6O）、醛類中的甲醛、苯類中的苯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙烯或其組合。另外，p型感測器可偵測的氣體濃度範圍例如是介於10 ppb~100000 ppm之間。
第二電極112a、112b彼此分離，設置於第二半導體層108上，且第二電極112a與第二電極112b之間具有第二半導體層108。第二電極112a與第二電極112b可以分別具有與外部線路連接的單一個端點或是多個端點。在一實施例中，第二電極112a具有與外部線路連接的端點A、E；第二電極112b具有與外部線路連接的端點D。在第二半導體層108可以是n型半導體材料的實施例中，第二半導體層108與第二電極112a及第二電極112b形成n型感測器。如此一來，在第二電極112a及第二電極112b之間的距離為已知的情況下，可藉由量測端點D-E之間的電阻、電壓、電流等變化來偵測氣體的種類、濃度或其組合。
更具體地說，n型感測器可偵測的氣體例如是一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO
2）、氨（NH
3）、氫（H
2）、水（H
2O）、二氧化硫（SO
2）、硫化氫（H
2S）、氧（O
2）、臭氧（O
3）、一氧化碳（CO）、甲烷（CH
4）、乙烯（C
2H
4）、乙炔（C
2H
2）、氯（Cl
2）、揮發性有機化合物（Volatile Organic Compounds, VOC）常見如醇類中的甲醇（CH
3OH）、乙醇（C
2H
5OH）、酮類中的丙酮（C
3H
6O）、醛類中的甲醛、苯類中的苯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙烯或其組合。另外，n型感測器可偵測的氣體濃度範圍例如是介於10 ppb~100000 ppm。
在一實施例中，具有p型半導體材料的第一半導體層106與具有n型半導體材料的第二半導體層108直接接觸，以與第一電極104及第二電極112形成p-n接面型感測器。如此一來，在第一電極104及第二電極112之間的距離為已知的情況下，可藉由量測端點A-F之間的電阻、電壓、電流等變化來偵測氣體的種類、濃度或其組合。
更具體地說，p-n接面型感測器可偵測的氣體例如是一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO
2）、氨（NH
3）、氫（H
2）、水（H
2O）、二氧化硫（SO
2）、硫化氫（H
2S）、氧（O
2）、臭氧（O
3）、一氧化碳（CO）、甲烷（CH
4）、乙烯（C
2H
4）、乙炔（C
2H
2）、氯（Cl
2）、揮發性有機化合物（Volatile Organic Compounds, VOC）常見如醇類中的甲醇（CH
3OH）、乙醇（C
2H
5OH）、酮類中的丙酮（C
3H
6O）、醛類中的甲醛、苯類中的苯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙烯或其組合。另外，p-n接面型感測器可偵測的氣體濃度範圍例如是介於10 ppb~100000 ppm。
基於上述，本發明一實施例的氣體感測器100具有量測n型、p型及p-n接面的功能。換句話說，此氣體感測器100是將多種類型的感測器形成於單一基板上，以提升氣體感測器的選擇性與靈敏度。
請參照圖2，本發明一實施例的氣體感測器100的製造方法包括以下步驟。形成至少一第一電極104於第一基板102上。形成感測結構110於第一基板102與第一電極104上，其中形成感測結構110的步驟包括形成第一半導體層106於第一基板與第一電極104上，其中第一半導體層106具有第一導電型。接著，形成第二半導體層108於第一半導體層106上，其中第二半導體層108具有第二導電型。形成至少一第二電極112於感測結構110上。覆蓋第二基板114於第二電極112與感測結構110上。
在一實施例中，第一基板102與第二基板114的形成方法可例如是購買市售預製含有過濾層或含有過濾層及支撐層之薄膜、押出成型、射出成型、吹塑成型、靜電紡織法、乾燥法、塗佈法、陽極氧化法、相轉化法、壓印法、真空抽濾法、三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
在一實施例中，形成第一電極104、第一半導體層106、第二半導體層108以及第二電極112的步驟例如是三維列印法、噴墨印刷法或其組合，其中三維列印法以及噴墨印刷法只需依據所欲形成的材料種類更換不同墨水，故在單一腔體中將不同材料的第一半導體層106以及第二半導體層108形成於第一基板102與第一電極104時，不會造成交叉汙染的問題。如此一來，可解決習知半導體製程難以將多種類型的感測器形成於單一基板上的問題。
另外，在一些實施例中，形成至第一電極104、形成第一半導體層106、形成第二半導體層108以及形成第二電極112的步驟是以相同的方式形成。在另一些實施例中，形成至第一電極104、形成第一半導體層106、形成第二半導體層108以及形成第二電極112的步驟是以不同的方式形成。
值得注意的是，本實施例的三維列印法或噴墨印刷法還能將第一電極104、第一半導體層106、第二半導體層108以及第二電極112形成在曲面、凹面、斜面、其組合或類似的表面上，此為習知的製造方法所難以達成。
圖3A~3C為依照本發明不同實施例的氣體感測器200的剖面示意圖，其中氣體感測器200大致相同於氣體感測器100，其不同之處僅在於氣體感測器200的第一基板202或第二基板214具有孔洞，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖3A至圖3C，本發明不同實施例的氣體感測器200包括第一基板202、至少一第一電極404、感測結構110、至少一第二電極412以及第二基板214。第一基板202及第二基板214可以都具有孔洞或是只有其中之一具有孔洞。
如圖3A、3B所示，在一些實施例中，第一基板202及第二基板214其中之一具有孔洞。舉例來說，如圖3A所示，第一基板202可以具有孔洞216，使得第一電極404可延伸至第一基板202的孔洞216中，以增加第一電極404與第一基板202之間的附著力，藉此提升氣體感測器200的穩定性。除此之外，如圖3B所示，第二基板214也可以具有孔洞218，使得第二電極412可延伸至第二基板214的孔洞218中，以提升第二電極412與第二基板214之間的附著力，藉此提升氣體感測器200的穩定性。
如圖3C所示，在另一些實施例中，第一基板202及第二基板214可以分別具有孔洞216、218。如此一來，第一電極404及第二電極412可分別延伸至第一基板202及第二基板214的孔洞216、218中，使得第一電極404與第一基板202之間的附著力，以及第二電極412與第二基板214之間的附著力都能夠增加，以進一步提升氣體感測器200的穩定性。
第一基板202及第二基板214的材料例如是紙張、玻璃纖維、氧化鋁、聚丙烯（polypropylene；PP）、全氟磺酸聚合物（perfluoro sulfonic acid polymer）、奈米纖維素、醋酸纖維素（cellulose acetate）、聚碸（polysulfone）、聚乙烯胺（polyvinylamine）、聚醯胺（polyamide）、聚呋喃（polyfuran）等第一基板202及第二基板214的形成方法可例如是購買市售預製含有過濾層或含有過濾層及支撐層之薄膜、以三維列印法噴印、押出成型、射出成型、吹塑成型、靜電紡織法、乾燥法、塗佈法、陽極氧化法、相轉化法、壓印法、真空抽濾法或其組合。
綜上所述，本發明的氣體感測器藉由三維列印法將多種類型的感測器形成於單一基板上，其中三維列印法僅需依據所欲形成的材料種類更換不同墨水，故在單一腔體中進行多種材料製備時，不會造成交叉汙染的問題。亦即，本發明之氣體感測器可節省習知半導體製程所需之多道光罩製程，以降低生產成本並提高穩定性。此外，本發明的氣體感測器具有不同導電型之半導體層，因此具有量測多種界面的功能，以提升氣體感測器的選擇性與靈敏度。另外，本發明的氣體感測器的第一基板與第二基板為孔洞材料，因此第一電極與第二電極可以分別延伸至第一基板與第二基板的孔洞中，以提升電極與基板之間的附著力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧氣體感測器
102、202‧‧‧第一基板
104、104a、104b、404、404a、404b‧‧‧第一電極
204a、204b、212a、212b‧‧‧主體部
304a、304b、312a、312b‧‧‧延伸部
106‧‧‧第一半導體層
108‧‧‧第二半導體層
110‧‧‧感測結構
112、112a、112b、412、412a、412b‧‧‧第二電極
114、214‧‧‧第二基板
216、218‧‧‧孔洞
102、202‧‧‧第一基板
104、104a、104b、404、404a、404b‧‧‧第一電極
204a、204b、212a、212b‧‧‧主體部
304a、304b、312a、312b‧‧‧延伸部
106‧‧‧第一半導體層
108‧‧‧第二半導體層
110‧‧‧感測結構
112、112a、112b、412、412a、412b‧‧‧第二電極
114、214‧‧‧第二基板
216、218‧‧‧孔洞
圖1為依照本發明一實施例的氣體感測器的立體分解圖。 圖2為圖1中沿剖面線I-I’的剖面示意圖。 圖3A至圖3C為依照本發明不同實施例的氣體感測器的剖面示意圖。
Claims (11)
- 一種氣體感測器，包括：至少一第一電極，位於第一基板上；感測結構，位於所述至少一第一電極與所述第一基板上，所述感測結構包括：第一半導體層，具有第一導電型，覆蓋所述第一基板與所述至少一第一電極；以及第二半導體層，具有第二導電型，位於所述第一半導體層上；至少一第二電極，覆蓋所述感測結構；以及第二基板，覆蓋所述至少一第二電極與所述感測結構，其中形成所述至少一第一電極、形成所述第一半導體層、形成所述第二半導體層以及形成所述至少一第二電極的步驟包括三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述第一基板與所述第二基板各包括孔洞材料。
- 如申請專利範圍第2項所述的氣體感測器，其中所述至少一第一電極與所述至少一第二電極分別延伸至所述第一基板與所述第二基板的孔洞中。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述第一半導體層與所述第二半導體層其中之一的材料為n型半導體材 料，所述第一半導體層與所述第二半導體層其中之另一的材料為p型半導體材料。
- 如申請專利範圍第4項所述的氣體感測器，其中所述第一半導體層與所述第二半導體層直接接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述至少一第一電極包括多個第一電極，所述至少一第二電極包括多個第二電極。
- 如申請專利範圍第6項所述的氣體感測器，其中所述多個第一電極包括第一指叉電極與第二指叉電極，所述第一指叉電極具有第一主體部以及多個第一延伸部，所述第二指叉電極具有第二主體部以及多個第二延伸部，其中所述第一主體部以及所述第二主體部相對設置，且所述多個第一延伸部以及所述多個第二延伸部以交替排列的方式設置。
- 如申請專利範圍第7項所述的氣體感測器，其中所述多個第二電極包括第三指叉電極與第四指叉電極，所述第三指叉電極具有第三主體部以及多個第三延伸部，所述第四指叉電極具有第四主體部以及多個第四延伸部，其中所述第三主體部以及所述第四主體部相對設置，且所述多個第三延伸部以及所述多個第四延伸部以交替排列的方式設置。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述第一基板、所述至少一第一電極、所述感測結構、所述至少一第二 電極或所述第二基板的形成方法包括三維列印法、噴墨印刷法或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述至少一第一電極或所述至少一第二電極具有與外部線路連接的端點。
- 如申請專利範圍第1項所述的氣體感測器，其中所述第一基板與所述第二基板的形成方法包括壓印法、真空抽濾法或其組合。
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