TWI622728B - 發光裝置及照明裝置 - Google Patents

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池田壽雄
川田琢也
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半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明的課題之一是提高發光裝置及照明裝置中的光的取出效率。本發明是一種發光裝置，包括：多個發光部；以及與多個發光部的各個重疊的多個半球狀構件，其中，以在彼此相鄰的部分不產生空隙的方式設置有多個半球狀構件。此外，當以半球狀構件的折射率為n，且以半球狀構件的底面的半徑為b時，發光部設置在以半球狀構件的底面中心為中心的半徑r是b/n的圓的內側。

Description

發光裝置及照明裝置
本發明的技術領域關於一種發光裝置及其製造方法。此外，本發明的技術領域還關於一種照明裝置及其製造方法。
近年來，對具有用作自發光型發光元件的電致發光(Electro Luminescence，下面也稱為EL)元件的發光裝置積極地進行研究開發。而且，需要將該發光裝置應用於有機EL顯示器、有機EL照明等。
由於EL元件可以進行面發光，因此當將EL元件利用於照明時，例如可以製造片狀照明(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開2009-130132號公報
在專利文獻1的技術中產生如下問題：在玻璃基板與大氣之間的介面上產生全反射，所以只能取出從EL元件發射的光中的幾十%左右。
鑒於上述問題，本發明的一個方式的課題之一是在發光裝置及照明裝置中提高光的取出效率。
此外，本發明的一個方式的課題之一是提供發光裝置及照明裝置的新的結構。此外，本發明的一個方式的課題之一是提供發光裝置及照明裝置的新的製造方法。
在本發明的一個方式中，從發光部發射的光經過半球狀構件被取出到外部。換言之，藉由經過半球狀構件，儘量抑制光的全反射。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：多個發光部；以及與多個發光部的各個重疊地設置的多個半球狀構件，其中，以在彼此相鄰的部分不產生空隙的方式設置有多個半球狀構件。換言之，將多個半球狀構件配置為最密填充結構。
本發明的另一個方式是一種發光裝置，包括：板狀構件；設置在板狀構件的一個表面上的多個發光部；以及以與多個發光部的各個重疊的方式設置在板狀構件的另一個表面上的多個半球狀構件，其中，以在彼此相鄰的部分不產生空隙的方式設置有所述多個半球狀構件。
本發明的另一個方式是一種發光裝置，包括：多個發光部；以及與多個發光部的各個重疊地設置的多個半球狀構件，其中，當以半球狀構件的折射率為n，且以半球狀構件的底面的半徑為b時，發光部設置在以半球狀構件的底面中心為中心的半徑r=b/n的圓的內側。
本發明的另一個方式是一種發光裝置，包括：板狀構 件；設置在板狀構件的一個表面上的多個發光部；以及以與多個發光部的各個重疊的方式設置在板狀構件的另一個表面上的多個半球狀構件，其中，當以半球狀構件的折射率為n，且以半球狀構件的底面的半徑為b時，發光部設置在以半球狀構件的底面中心為中心的半徑r=b/n的圓的內側。
本發明的另一個方式是一種使用上述發光裝置製造的照明裝置。
在本發明說明中，發光裝置是指進行發光的所有裝置。因此，有時將包括發光部的照明裝置簡單地稱為發光裝置。
發光裝置及照明裝置可以提高光的取出效率。
此外，發光裝置及照明裝置的各性能可以得到提高，例如可實現高品質的白色發光。
101‧‧‧發光部
103‧‧‧(半球狀)構件
105‧‧‧外部
107‧‧‧端部
108‧‧‧底面
109‧‧‧圓
111‧‧‧球狀構件
113‧‧‧面
121‧‧‧多角球狀構件
123‧‧‧底面
125‧‧‧圓
401‧‧‧第一電極
403‧‧‧EL層
405‧‧‧第二電極
501‧‧‧板狀構件
503‧‧‧半球狀構件
601‧‧‧發光部
603‧‧‧(半球狀)構件
605‧‧‧圓
607‧‧‧部分
700‧‧‧板狀構件
701‧‧‧電洞注入層
702‧‧‧電洞傳輸層
703‧‧‧發光層
704‧‧‧電子傳輸層
705‧‧‧電子注入層
800‧‧‧EL層
801‧‧‧EL層
803‧‧‧電荷產生層
1001‧‧‧外殼
1003‧‧‧光源
1101‧‧‧外殼
1103‧‧‧光源
a‧‧‧半徑
b‧‧‧半徑
r‧‧‧半徑
n‧‧‧折射率
在圖式中：圖1A和1B是示出發光裝置的一例的圖；圖2A和2B是示出發光裝置的一例的圖；圖3A和3B是示出發光裝置的一例的圖；圖4A和4B是示出發光裝置的一例的圖；圖5A至5C是示出發光裝置的一例的圖；圖6A和6B是示出發光裝置的一例的圖；圖7A至7C是示出發光裝置的一例的圖； 圖8A和8B是示出電子裝置的一例的圖；圖9A和9B是示出發光裝置的一例的圖。
下面將參照圖式詳細地說明實施方式。但是，以下所述的實施方式可藉由多種不同的方式來實施，並且本領域的普通技術人員易於理解，其方式和詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所述的實施方式的記載內容中。注意，在用來說明實施方式的所有圖式中，對同一部分或具有同樣功能的部分附上同一圖式標記，而省略其重複說明。
[實施方式1]
在本實施方式中，說明發光裝置的結構的一例。
圖1A是發光裝置的剖面圖的一例，而圖1B是發光裝置的平面圖的一例。
在圖1A中，發光裝置包括：發光部101(也稱為發光區)；以及與發光部101重疊地設置的半球狀構件103。而且，從發光部101發射的光經過半球狀構件103被取出到外部105(例如，大氣中)。
藉由經過半球狀構件103，可以儘量減少光的全反射，來提高取出效率。
此外，在半球狀構件103的端部107附近，難以抑制 光的全反射。這是因為如下緣故：當以半球狀構件103的底面108的半徑為b，以半球狀構件103的折射率為n，且發光部101設置在半徑r=b/n的圓109的外側的區域中時，從位置於該外側的區域中的發光部101發射的光在半球狀構件103與大氣之間產生全反射，而難以取出到外部。注意，圓109是從底面108的中心的半徑r=b/n的圓。
於是，較佳將發光部101設置在從半球狀構件103的底面108的中心的半徑r=b/n的圓109的內側。
如圖1A和1B所示，當將發光部101的平面形狀形成為圓形狀，且發光部101和半球狀構件103的中心相同時，發光部101的半徑a較佳為a≦b/n(=r)。
此外，發光部101的平面形狀也可以為橢圓狀、具有頂點的形狀或具有凹凸的形狀等。在此情況下，發光部101的長軸的1/2的長度a較佳為a≦b/n(=r)。例如，當如圖2A所示，發光部101是正方形時，對角線的1/2的長度a可以為a≦b/n(=r)。
此外，如圖2B所示，發光部101和半球狀構件103的中心也可以不同。在此情況下，可以將發光部101設置在半徑r=b/n的圓109的內側。
如圖3A和3B所示，也可以使用具有比半球面大的球面的球狀構件111代替半球狀構件。藉由具有比半球面大的球面，取出光的部分的面積增加，所以可以提高取出效率。
注意，球狀構件111中的形成發光部101的部分較佳是平面。因此，球狀構件111包括其一部分是平面的球狀構件。
此外，在使用球狀構件111的情況下，較佳將發光部101設置在從球狀構件111的具有最大半徑b的面113的中心的半徑r=b/n的圓109的內側。另外，n是球狀構件111的折射率。
像這樣，藉由調整設置發光部101的位置，可以將光的取出效率提高到三倍左右。
此外，如圖9A和9B所示，也可以使用底面是多角形的多角球狀構件121代替半球狀構件及球狀構件。作為多角球狀構件，可以舉出圖9A和9B所示的六角球狀構件(底面是六角形狀)、八角球狀構件(底面是八角形狀)等。另外，多角球狀構件121的頂部可以具有頂點或被加工為曲面。在頂部具有頂點的情況下，具有連接底面的頂點和頂部的頂點的曲線，並且側面具有多個曲面。
此外，在使用多角球狀構件121的情況下，較佳將發光部101設置在從多角球狀構件121的底面123的中心的半徑r=b'/n的圓125的內側。注意，n是多角球狀構件121的折射率。在此，b'是連接底面123的中心和外周的直線之間的最短距離。
接著，說明發光部101的詳細內容。
圖4A和4B是發光部101的結構的一例。
發光部101包括依次層疊第一電極401、EL層403和 第二電極405的發光元件(也稱為EL元件)。
第一電極401設置在光的取出方向的半球狀構件103一側，並且第一電極401使用透光材料形成。作為透光材料，可以使用氧化銦、氧化銦氧化錫合金(也稱為ITO)、氧化銦氧化鋅合金(也稱為IZO)、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。
此外，作為第一電極401，可以使用金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等的金屬材料。或者，也可以使用上述金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料(或其氮化物)時，可以將它減薄為具有透光性的程度。
對EL層403的結構沒有特別的限制，可以適當地層疊包含電子傳輸性高的物質的層(也稱為電子傳輸層)、包含電洞傳輸性高的物質的層(也稱為電洞傳輸層)、包含電子注入性高的物質的層(也稱為電子注入層)、包含電洞注入性高的物質的層(也稱為電洞注入層)和包含雙極性的物質(電子及電洞的傳輸性高的物質)的層(也稱為雙極性層)等而使用。
在本實施方式中，如圖4A所示，EL層403具有依次層疊電洞注入層701、電洞傳輸層702、發光層703、電子傳輸層704和電子注入層705的結構。下面具體示出構成各層的材料。
電洞注入層701是與第一電極401接觸地設置的包含具有高電洞注入性的物質的層。可以使用鉬氧化物、釩氧 化物、釕氧化物、鎢氧化物或錳氧化物等。另外，也可以使用如下材料形成電洞注入層701，即：酞菁類化合物諸如酞菁(簡稱：H2Pc)或酞菁銅(簡稱：CuPc)等；芳香胺化合物諸如4,4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、N,N'-雙[4-[雙(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：DNTPD)等；或高分子等諸如聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等。
此外，作為電洞注入層701，可以使用在具有高電洞傳輸性的物質中包含受體物質的複合材料。注意，藉由使用在具有高電洞傳輸性的物質中包含受體物質的複合材料，可以選擇用於形成電極的材料而不考慮電極的功函數。換言之，作為第一電極401，不僅可以使用功函數高的材料，而且還可以使用功函數低的材料。作為受體物質，可舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等。此外，可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可舉出屬於元素週期表中的第四至第八族的金屬的氧化物。具體來說，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸是較佳的，因為它們的電子接受性高。尤其是，使用氧化鉬，因為它在大氣中也穩定且其吸濕性低，而容易處理較佳。
作為用於複合材料的具有高電洞傳輸性的物質，可以使用各種化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴和高分子化合物(低聚物、樹狀聚合物、聚合體等)。此 外，用於複合材料的有機化合物較佳是具有高電洞傳輸性的有機化合物。具體地，使用具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質較佳。然而，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用上述材料之外的物質。下面具體地示出可用於複合材料的有機化合物。
例如，作為芳香胺化合物，可以舉出N,N'-二(對-甲苯基)-N,N'-二苯基-對-苯二胺(簡稱：DTDPPA)、4,4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、N,N'-雙[4-[雙(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)等。
作為可用於複合材料的咔唑衍生物，明確而言，可以舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。
此外，作為可以用於複合材料的咔唑衍生物，還可以使用4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
另外，作為可以用於複合材料的芳香烴，例如可以舉 出2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)、2-叔丁基-9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-聯蒽(bianthryl)、10,10'-二苯基-9,9'-聯蒽、10,10'-雙(2-苯基苯基)-9,9'-聯蒽、10,10'-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'-聯蒽、蒽、並四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。除了上述之外，還可以使用並五苯、六苯並苯等。像這樣，使用具有1×10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率且具有14個至42個碳原子的芳香烴更佳。
另外，可用於複合材料的芳香烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳香烴，例如可舉出4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。
此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N'-雙(4- 丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等的高分子化合物。
電洞傳輸層702是包含具有高電洞傳輸性的物質的層。作為具有高電洞傳輸性的物質，可以使用芳族胺化合物諸如4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：TPD)、4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱：TDATA)、4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱：MTDATA)、4,4'-雙[N-(螺-9,9'-二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等。上述物質主要是各自具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。然而，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用上述材料之外的物質。包含具有高電洞傳輸性的物質的層不侷限於單層，而可以是由上述物質構成的兩層以上的疊層。
此外，作為電洞傳輸層702，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)等高分子化合物。
發光層703是包含發光物質的層。作為發光層703的種類，可以採用以發光中心材料為主要成分的所謂的單膜的發光層或在主體材料中分散有發光中心材料的所謂的主體-客體型的發光層。
對於使用的發光中心材料沒有限制，可以使用已知的發射螢光或發射磷光的材料。作為螢光發光材料，例如， 除了可以舉出N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基二苯乙烯-4,4'-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)等以外，還可以舉出發光波長為450nm以上的4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯(簡稱：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、N,N"-(2-叔丁基蒽-9,10-二基二-4,1-亞苯基)雙[N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺](簡稱：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPPA)、N,N,N',N',N",N",N"',N"'-八苯基二苯並[g,p]屈(chrysene)-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡稱： DPhAPhA)、香豆素545T、N,N'-二苯基喹吖啶酮(簡稱：DPQd)、紅熒烯、5,12-雙(1,1'-聯苯-4-基)-6,11-二苯基並四苯(簡稱：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(簡稱：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪(quinolizin)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCM2)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)並四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)苊並(acenaphtho)[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：BisDCJTM)等。作為磷光發光材料，除了雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶-N,C2']銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)以外，還可以舉出：發光波長在470nm至500nm的範圍內的雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶-N,C2']銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：FIrpic)、雙[2-(3',5'-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2']銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱： Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4',6'-二氟苯基)]吡啶-N,C2']銥(III)乙醯丙酮(簡稱：FIracac)；發光波長為500nm(綠色發光)以上的三(2-苯基吡啶)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、三(乙醯丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、雙(苯並[h]喹啉)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bzq)2(acac))、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2')銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4'-全氟苯基苯基)吡啶]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2')銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2'-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3']銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C2')銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-三苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II)(簡稱：PtOEP)、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(單菲咯啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](單菲咯啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等。可以考慮各發光元件中的發光顏色從上述材料或其他已知材料中選擇發光中心材料。
在使用主體材料的情況下，例如可以舉出：金屬配合 物諸如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯[h]喹啉)鈹(II)(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚鹽)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(簡稱：Znq)、雙[2-(2-苯並噁唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnPBO)、雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnBTZ)等；雜環化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-***(簡稱：TAZ)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)、紅菲繞啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)等；芳香胺化合物諸如NPB(或α-NPD)、TPD、BSPB等。另外，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、嵌二萘衍生物、屈衍生物、二苯並[g,p]屈衍生物等的縮合多環芳香化合物，明確而言，可以舉出9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱：DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱：YGAPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4- (10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPBA)、N,9-二苯基-N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基屈、N,N,N',N',N",N",N"',N"'-八苯基二苯並[g,p]屈-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、9,9'-聯蒽(簡稱：BANT)、9,9'-(二苯乙烯-3,3'-二基)二菲(簡稱：DPNS)、9,9'-(二苯乙烯-4,4'-二基)二菲(簡稱：DPNS2)、3,3',3"-(苯-1,3,5-三基)三嵌二萘(簡稱：TPB3)等。只要從這些材料及已知的物質中選擇如下物質：包含具有比分別分散的發光中心物質的能隙(在磷光發光時是三重態能量)大的能隙(三重態能量)的物質，並呈現符合每個層應該具有的傳輸性的傳輸性。
電子傳輸層704是包含具有高電子傳輸性的物質的層。例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬配合物等的層，例如三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉)鈹(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：BAlq)等。或者，也可以使用具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物 等諸如雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(簡稱：Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]鋅(簡稱：Zn(BTZ)2)等。除金屬配合物之外，還可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-***(簡稱：TAZ)、紅菲繞啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)等。在此提及的物質主要是各自具有10-6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質。注意，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以將上述材料之外的物質用作電子傳輸層704。
電子傳輸層704並不只限於單層，而可以是包含上述物質的層的兩層以上的疊層。
此外，也可以在電子傳輸層704和發光層703之間設置控制電子載子的遷移的層。這是對上述那樣的電子傳輸性高的材料添加少量的電子捕捉性高的物質而成的層，並且藉由抑制電子載子的遷移，可以調節載子平衡。這種結構對由於電子穿過發光層703而發生的問題(例如，元件的使用壽命的降低)的抑制發揮很大的效果。
作為電子注入層705，可以使用鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)和氟化鈣(CaF2)等。例如，可以使用在由具有電子傳輸性的物質構成的層中含有鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物的層，例如在Alq中含有鎂(Mg)的層等。另外，更佳的 是，作為電子注入層705使用在由具有電子傳輸性的物質構成的層中包含鹼金屬或鹼土金屬的層的結構。這是因為從第二電極405高效地注入電子的緣故。
第二電極405設置在與光的取出方向相反一側，並使用反射材料形成。作為反射材料，可以使用鋁、金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等的金屬材料。另外，第二電極405還稱為反射電極。
另外，如圖4B所示，也可以將多個上述EL層403層疊在第一電極401和第二電極405之間。在此情況下，在層疊了的第一EL層800和第二EL層801之間較佳設置電荷產生層803。可以使用上述複合材料形成電荷產生層803。此外，電荷產生層803也可以具有由複合材料構成的層和由其他材料構成的層的疊層結構。在此情況下，作為由其他材料構成的層，可以使用包含電子給予物質及電子傳輸性高的物質的層、由透明導電膜構成的層等。在具有這種結構的發光元件中，不容易產生能量移動、猝滅等的問題，且藉由使材料的選擇範圍更寬，可以容易形成發光效率高且使用壽命長的發光元件。此外，也容易從一方的EL層得到磷光發光而從另一方的EL層得到螢光發光。該結構可以與上述EL層的結構組合而使用。
尤其是，在獲取白色發光時使用圖4B的結構較佳，並且藉由與圖4A的結構組合，可以製造高品質的發光裝置及照明裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
[實施方式2]
在本實施方式中，說明發光裝置的結構及製造方法的一例。
圖5A是發光裝置的剖面圖的一例。
在圖5A中，在半球狀構件103的底面形成發光部101。
因為半球狀構件103設置在取出光的方向上，所以它使用透光材料形成。作為透光材料，可舉出玻璃或樹脂等。而且，可以採用蝕刻、電子束、雷射光束或金屬模具等，來將這種材料成形為半球狀。
另外，作為樹脂，可以使用聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。
發光部101可以應用圖4A或圖4B的結構。
首先，在半球狀構件103的底面形成構成發光部101的第一電極401。可以藉由使用上述材料並利用濺射法或真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的第一電極401。
在此，藉由使用掩模等將第一電極401形成為島狀，可以在圖1A和1B或圖2A或2B所示的位置上形成發光部101。另外，也可以藉由光刻法將第一電極401形成為島狀。
接著，在第一電極401上形成構成發光部101的EL 層403。可以藉由使用上述材料並利用真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的EL層403。
接著，在EL層403上形成構成發光部101的第二電極405。可以藉由使用上述材料並利用濺射法或真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的第二電極405。
在此，藉由覆蓋第一電極401地形成第二電極405，可以提高第二電極405的作為反射電極的功能。此外，藉由以在發光區(發光部101)中覆蓋EL層403的方式形成第二電極405，可以提高第二電極405的作為反射電極的功能。
另外，不將第一電極401形成為島狀，而將第二電極405形成為島狀。此外，也可以將第一電極401及第二電極405形成為島狀。另外，也可以將第一電極401、EL層403及第二電極405形成為島狀。
此外，雖然在圖5A中，在成形為半球狀的構件103上形成有發光部101，但是也可以在形成發光部101之後將構件103成形為半球狀。
另外，適當地設置連接到各電極的佈線及端子等來可以製造發光裝置。
圖5B及5C是發光裝置的剖面圖的另一例。
在圖5B及5C中，半球狀構件103包括板狀構件501及半球狀構件503。
在此，作為板狀構件501的材料，使用玻璃較佳，而作為半球狀構件503的材料，使用樹脂較佳。這是因為如 下緣故：容易在玻璃上形成發光部101，並且容易將樹脂成形為半球狀。但是，各構件的材料不侷限於此，而可以適當地選擇各材料。
在圖5B中，在板狀構件501的一個表面上形成發光部101。而且，在板狀構件501的另一個表面上形成半球狀構件503。
在圖5C中，在板狀構件501的一個表面上形成發光部101。而且，在板狀構件501的一個表面上覆蓋發光部101地形成半球狀構件503。
另外，發光部101的結構及製造方法與圖5A相同。
此外，如圖3A和3B所示，也可以使用球狀構件111。另外，如圖9A和9B所示，也可以使用多角球狀構件121。
此外，半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)包括因製造時的誤差而產生扁平狀態等的構件。可以採用能夠儘量減小在半球狀構件(或球狀的構件、多角球狀的構件)與大氣之間產生的全反射的形狀。
另外，也可以將半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)的折射率設定為大於或等於發光部所具有的發光層的折射率。由此，當光入射到半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中時，可以抑制全反射。此外，在圖5B所示的情況下，由於光依次入射到板狀構件及半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中，因此將半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)的折射率設定為大於或等 於板狀構件的折射率，並將板狀構件的折射率設定為大於或等於發光層的折射率。由此，當光入射到板狀構件中時及光入射到半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中時，可以抑制全反射。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
[實施方式3]
在本實施方式中說明發光裝置的結構及製造方法的一例。
圖6A是發光裝置的剖面圖的一例，而圖6B是發光裝置的平面圖的一例。
圖6A及6B所示的發光裝置包括多個發光部601及與發光部601的各個重疊地設置的多個半球狀構件603。換言之，包括發光部601和半球狀構件603成對的多個元件。
而且，如圖6B所示，該多個元件配置為最密填充結構。雖然圖6A及6B示出了使用七個元件的情況，但是不侷限於此，而只要包括多個元件即可。另外，也可以多個半球狀構件603成為一體而構成一個構件(也稱為一體型構件)。一體型構件包括多個半球狀部分。
在圖6A及6B中，由於在彼此相鄰的發光部601之間有半球狀構件603，因此發光區的大小為不使用半球狀構件603的情況的1/3左右。當發光區成為1/3時，電流成為1/3，且耗電量(=電壓×電流)為1/3。
此外，藉由使用半球狀構件603，如上所述，光的取出效率提高到三倍左右。從而，即使發光區成為1/3，全光束也大概相同。
而且，考慮到能量效率(1m/W)=全光束(1m)/耗電量(W)的關係式，而在圖6A及6B所示的發光裝置中可以將能量效率提高到三倍左右。
此外，圖6A及6B所示的半球狀構件603的半徑為圖1A及1B所示的半球狀構件103的半徑b的1/3。並且，在半徑b的圓605的內側將元件配置為最密填充結構。藉由如圖6A及6B所示那樣地配置元件，可以使光的取出效率為與圖1A及1B相等，並使發光裝置的剖面的厚度為1/3。換言之，可以提供薄型且取出效率高的發光裝置。
在此，最密填充結構是指在多個半球狀構件彼此相鄰的部分607中，儘量不產生空隙地設置球狀構件的方式，也包括因製造時的誤差而產生多少空隙的情況。此外，只要最緻密地填充多個半球狀構件，而不一定需要如圖6B所示那樣地規定圓605。此外，如圖9A及9B所示，藉由使用多角球狀構件121，而底面成為多角形，所以可以減小多個多角球狀構件之間的空隙。
另外，設置發光部601的位置及發光部601的結構與圖1A至圖3B相同。
接著，說明具有多個元件的情況下的發光裝置的製造方法的一例。
圖7A是發光裝置的剖面圖的一例。
在圖7A中，在配置為最密填充結構的多個半球狀構件603的底面上形成發光部601。另外，如上所述，也可以多個半球狀構件603成為一體而構成一個構件。藉由使多個半球狀構件603成為一體，可以容易製造發光裝置。
發光部601可以應用圖4A或圖4B的結構。
首先，在各半球狀構件603上形成構成發光部601的第一電極401。可以藉由使用上述材料並利用濺射法或真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的第一電極401。
在此，藉由使用掩模等將各第一電極401形成為島狀，可以在圖1A和1B或圖2A和2B所示的位置上形成發光部601。另外，也可以藉由光刻法將第一電極401形成為島狀。
接著，在各第一電極401上形成構成發光部601的EL層403。可以藉由使用上述材料並利用真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的EL層403。
接著，在各EL層403上形成構成發光部601的第二電極405。可以藉由使用上述材料並利用濺射法或真空蒸鍍法等，形成單層或疊層的第二電極405。
在此，藉由覆蓋第一電極401地形成第二電極405，可以提高第二電極405的作為反射電極的功能。此外，藉由以在發光區(發光部601)中覆蓋EL層403的方式形成第二電極405，可以提高第二電極405的作為反射電極的功能。
另外，也可以不將第一電極401形成為島狀，而將第二電極405形成為島狀。此外，也可以將第一電極401及第二電極405形成為島狀。另外，也可以將第一電極401、EL層403及第二電極405形成為島狀。
此外，雖然在圖7A中，在成形為半球狀構件603上形成有發光部601，但是也可以在形成發光部601之後將構件603成形為半球狀。
另外，適當地設置連接到各電極的佈線及端子等來可以製造發光裝置。
圖7B及7C是發光裝置的剖面圖的另一例。
在圖7B及7C中，發光裝置包括板狀構件700及多個半球狀構件603。
在此，作為板狀構件700的材料，使用玻璃較佳，而作為半球狀構件603的材料，使用樹脂較佳。這是因為如下緣故：容易在玻璃上形成發光部601，並且容易將樹脂成形為半球狀。但是，各構件的材料不侷限於此，而可以適當地選擇各材料。
在圖7B中，在板狀構件700的一個表面上形成多個發光部601。而且，在板狀構件700的另一個表面上與各發光部601重疊地形成半球狀構件603。
在圖7C中，在板狀構件700的一個表面上形成多個發光部601。而且，在板狀構件700的一個表面上覆蓋各發光部601地形成半球狀構件603。
另外，發光部601的結構及製造方法與圖7A相同。
此外，如圖3A和3B所示，也可以使用球狀構件111。
此外，半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)包括因製造時的誤差而產生扁平狀態等的構件。例如，頂部或側部也可以具有平面。可以採用能夠儘量減小在半球狀構件(或球狀的構件、多角球狀的構件)與大氣之間產生的全反射的形狀。
另外，也可以將半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)的折射率設定為發光部所具有的發光層的折射率以上。由此，當光入射到半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中時，可以抑制全反射。此外，在圖7B所示的情況下，由於光依次入射到板狀構件及半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中，因此將半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)的折射率設定為板狀構件的折射率以上，並將板狀構件的折射率設定為發光層的折射率以上。由此，當光入射到板狀構件中時及光入射到半球狀構件(或球狀構件、多角球狀構件)中時，可以抑制全反射。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
[實施方式4]
在本實施方式中，說明電子裝置的一例。
圖8A是將本發明的發光裝置用作照明裝置的臺燈的例子。臺燈包括外殼1001及光源1003。而且，作為光源 1003使用本發明的發光裝置。
圖8B是將本發明的發光裝置用作室內的照明裝置的例子。照明裝置包括外殼1101及光源1103。而且，作為光源1103使用本發明的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。

Claims (11)

  1. 一種發光裝置，包括：基板；在該基板上的第一電極；在該第一電極上的發光層；在該發光層上的第二電極；以及在該第二電極上並與該第二電極接觸的半球狀構件，該半球狀構件的邊緣對準該第二電極的邊緣；其中該半球狀構件的折射率大於或等於該發光層的折射率；以及其中該半球狀構件的底部表面的面積大於該第一電極的面積。
  2. 一種發光裝置，包括：基板；在該基板上的第一電極；在該第一電極上的發光層；在該發光層上的第二電極；以及在該第二電極上並與該第二電極接觸的半球狀構件，該半球狀構件的邊緣對準該第二電極的邊緣；其中該半球狀構件的底部表面的面積大於該第一電極的面積，其中該半球狀構件的折射率為n，該基板被該半球狀構件覆蓋的區域的半徑為b，並且其中，該第一電極設置在以該基板的該區域的中心為 中心的一圓的內側，該圓的半徑r是b/n。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中該半球狀構件的折射率大於或等於該基板的折射率。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項所述的發光裝置，其中該半球狀構件包含樹脂。
  5. 一種發光裝置，包括：基板；在該基板上的第一表面上的多個第一電極；在該多個第一電極上的發光層；以及在該發光層上的第二電極層；以及在該第二電極層上並與該第二電極層接觸的多個半球狀構件，該多個半球狀構件的每一者與該多個第一電極的每一者重疊；其中該多個半球狀構件的每一者的底部表面的面積大於該多個第一電極的每一者的面積。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該多個半球狀構件配置為最密填充結構。
  7. 根據申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該多個半球狀構件的每一者的折射率大於或等於該基板的折射率。
  8. 根據申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該多個半球狀構件的每一者包含樹脂。
  9. 根據申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該多個半球狀構件的邊緣對準該第二電極層的邊緣。
  10. 根據申請專利範圍第1，2，5項任一項所述的發光裝置，其中該基板包含玻璃。
  11. 一種照明裝置，包含根據申請專利範圍第1，2，5項任一項所述的發光裝置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5827578B2 (ja) 2011-02-14 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 光学素子の作製方法
US9741968B2 (en) 2012-05-30 2017-08-22 Universal Display Corporation Luminaire and individually replaceable components
US9496522B2 (en) 2013-12-13 2016-11-15 Universal Display Corporation OLED optically coupled to curved substrate
CA2947393A1 (en) * 2014-04-28 2015-11-05 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Light emitter
US10503047B2 (en) 2015-06-09 2019-12-10 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Optomechanical doubly resonant 2D frequency doubling devices
WO2017158775A1 (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 パイオニア株式会社 発光装置及び発光システム
CN113994494A (zh) 2019-07-12 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置
JPWO2021069999A1 (zh) 2019-10-11 2021-04-15

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010019378A1 (en) * 2000-02-14 2001-09-06 Akira Yamaguchi Collimating plate, lighting apparatus and liquid crystal display apparatus
JP2001305306A (ja) * 2000-02-14 2001-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd コリメート板および照明装置ならびに液晶表示装置
JP2003121777A (ja) * 2001-10-18 2003-04-23 Sony Corp レンズアレイを用いた照明装置及び画像表示装置
JP2005236299A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Lumileds Lighting Us Llc Ｌｅｄを用いた照明システム
JP2009051200A (ja) * 2008-07-09 2009-03-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ露光ヘッドの製造方法
WO2009145298A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 シャープ株式会社 発光装置、面光源、液晶表示装置および発光装置の製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055892A (en) * 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
JP2773720B2 (ja) * 1995-12-19 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP4143181B2 (ja) * 1998-08-31 2008-09-03 キヤノン株式会社 露光装置及び画像形成装置
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP2003031353A (ja) 2001-07-10 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法ならびにそれを用いた表示パネル
JP4251801B2 (ja) * 2001-11-15 2009-04-08 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の駆動方法
JP2003317931A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Canon Inc Ｅｌ素子、およびその素子を用いた表示装置
JP2004227940A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネル、表示装置および製造方法
JP4495978B2 (ja) * 2003-03-07 2010-07-07 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子とこの素子を用いた面光源および表示装置
JP4232541B2 (ja) * 2003-06-04 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ装置の製造方法
JP4839687B2 (ja) * 2005-06-15 2011-12-21 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4449837B2 (ja) * 2005-06-27 2010-04-14 パナソニック電工株式会社 発光装置
WO2008041771A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Asahi Glass Co., Ltd. Glass coated light emitting element, wiring board with light emitting element, method for producing wiring board with light emitting element, lighting device and projector
US7535646B2 (en) * 2006-11-17 2009-05-19 Eastman Kodak Company Light emitting device with microlens array
WO2008069222A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
WO2008069112A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
WO2008069223A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
WO2008069162A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
WO2008069221A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
WO2008069219A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflective film and display device
WO2008069164A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflection film and display device
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
KR101115154B1 (ko) * 2008-05-23 2012-02-24 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
JP5038991B2 (ja) * 2008-08-07 2012-10-03 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の設計方法
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
JP2011060611A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Fujifilm Corp 有機電界発光装置及びその製造方法
JP2011059621A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Fujifilm Corp 光取り出し部材、並びに有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010019378A1 (en) * 2000-02-14 2001-09-06 Akira Yamaguchi Collimating plate, lighting apparatus and liquid crystal display apparatus
JP2001305306A (ja) * 2000-02-14 2001-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd コリメート板および照明装置ならびに液晶表示装置
JP2003121777A (ja) * 2001-10-18 2003-04-23 Sony Corp レンズアレイを用いた照明装置及び画像表示装置
JP2005236299A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Lumileds Lighting Us Llc Ｌｅｄを用いた照明システム
WO2009145298A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 シャープ株式会社 発光装置、面光源、液晶表示装置および発光装置の製造方法
JP2009051200A (ja) * 2008-07-09 2009-03-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ露光ヘッドの製造方法

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Publication number Publication date
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