TWI617131B - 放大電路 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種放大電路，包括第一放大器電路與第二級放大器。第二級放大器串接於第一放大器電路，以形成串級放大器電路。第一放大器電路包括第一級放大器與旁路電路。旁路電路包括第一電晶體。第一電晶體的第一端耦接於第一級放大器的輸入端，第一電晶體的第二端耦接於第一級放大器的輸出端，且第一電晶體的第三端耦接於電源電壓。第一電晶體的第一端更耦接於第一控制端，以由第一控制端接收控制電壓來控制第一電晶體的工作偏壓，藉此切換放大電路之操作模式。

Description

放大電路
本發明乃是關於一種放大電路，特別是指一種用以於不同操作模式下進行訊號調變的放大電路。
功率放大器為射頻發射電路中一個重要的元件，其主要的功能在於將訊號放大推出，因此功率放大器通常都會被設置在天線放射器的前端；同時，功率放大器也是整個射頻前端電路中最耗功耗的元件。目前智慧型電子裝置(如：智慧型手機、平板電腦…等)所使用的功率放大器係以砷化鎵功率放大器(GaAs PA)為主流。原因在於，砷化鎵具有高頻、高絕緣性、低耗電與低的諧波與噪音接收之特性，能因應傳輸量更高的4G訊號應用，甚至是未來更高端的5G訊號應用。
本發明提供一種放大電路，用以於不同操作模式下進行訊號調變。此種放大電路包括第一放大器電路與第二級放大器。第二級放大器串接於第一放大器電路，以形成串級放大器電路。第一放大器電路包括第一級放大器與旁路電路。第一級放大器具有一輸入端與一輸出端。旁路電路包括第一電晶體。第一電晶體的第一端耦接於第一級放大器的輸入端，第一電晶體的第二端耦接於第一級放大器的輸出端，且第一電晶體的第三端耦接於電源電壓。第一電晶體的第一端更耦接於第一控制端，以由第一控制端 接收控制電壓來控制第一電晶體的工作偏壓，藉此切換放大電路之操作模式。
本發明亦提供一種放大電路，包括放大器與旁路電路。放大器具有一輸入端與一輸出端。旁路電路包括第一電晶體。第一電晶體的第一端耦接於放大器的輸入端，第一電晶體的第二端耦接於放大器的輸出端，且第一電晶體的第三端耦接於電源電壓。第一電晶體的第一端更耦接於一控制端，以由此控制端接收控制電壓來控制第一電晶體的工作偏壓。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
IN‧‧‧輸入端
OUT‧‧‧輸出端
10‧‧‧第一放大器電路
110‧‧‧第一級放大器
110’‧‧‧放大器
120、120’‧‧‧旁路電路
20‧‧‧第二級放大器
VMODE1‧‧‧第一控制端
VMODE2‧‧‧第二控制端
Vb‧‧‧電源電壓
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
RB‧‧‧第一偏壓電阻
RE‧‧‧第二偏壓電阻
R1‧‧‧第一電阻
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
T3‧‧‧第三電晶體
T4‧‧‧第四電晶體
T5‧‧‧第五電晶體
圖1為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路之方塊圖。
圖2為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路之電路圖。
圖3A為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路中旁路電路的電路圖。
圖3B為根據本發明另一例示性實施例繪示之放大電路中旁路電路的電路圖。
圖4為根據本發明又一例示性實施例繪示之放大電路中旁路電路的電路圖。
圖5為根據本發明另一例示性實施例繪示之放大電路之電路圖。
在下文將參看隨附圖式更充分地描述各種例示性實施例，在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明概念可能以許多不同形式來體現，且不應解釋為限於本文中所闡述之例示性實 施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。在諸圖式中，類似數字始終指示類似元件。
以下將以多個實施例說明本發明所提供之放大電路，然而，下述實施例並非用以限制本發明。
〔放大電路的一實施例〕
請參照圖1，圖1為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路之方塊圖。本實施例所提供之放大電路至少包括第一放大器電路10與一第二級放大器20。為便於說明，以下敘述中將本實施例所提供之放大電路舉例為一三級放大器電路並據以說明之。即如圖1所示，第二級放大器20係串接於第一放大器電路10，且第三級放大器30係串接於第二級放大器20，以形成一個三級放大器電路。
第一放大器電路10包括第一級放大器110與並聯於第一級放大器110的旁路電路120。本實施例所提供之放大電路的主要特點在於，透過第一控制端VMODE1來控制旁路電路120，便能使整個放大電路可選擇地操作於雙模模式(Dual Mode)下，即線性模式(Linear Mode)與非線性模式(Non-linear Mode)。簡單來說，透過旁路電路120的設置，可以使得三級放大器電路作為二級放大器電路來使用，其中三級放大器電路係操作於非線性模式下，而二級放大器電路係操作於線性模式下。
須說明地是，於本實施例中，放大電路為一功率放大電路，第一級放大器110為第一級驅動放大器，第二級放大器20為第二級驅動放大器，且第三級放大器30為第三級功率放大器。
接著，將進一步闡述本實施例所提供之放大電路的工作原理。
請參照圖2，圖2為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路之電路圖，故透過圖2即能進一步瞭解到旁路電路120的主要電路架構。如圖2所示，第一級放大器110具有一輸入端IN與一輸出端OUT。另外，旁路電路120包括第一電晶體T1。第一電晶體T1的第 一端(於圖2中以①標示)透過耦接於第一級放大器110的輸入端IN，第一電晶體T1的第二端(於圖2中以②標示)耦接於第一級放大器110的輸出端OUT，且第一電晶體T1的第三端(於圖2中以③標示)耦接於一電源電壓Vb。
尤其，第一電晶體T1的第一端更耦接於第一控制端VMODE1，以由第一控制端VMODE1接收控制電壓來控制第一電晶體T1的工作偏壓，藉此切換放大電路之操作模式。簡言之，於本實施例中，第一電晶體T1即為一開關的角色，當第一電晶體T1被關斷時，整個旁路電路120視為開路，於是放大電路係為一個三級放大器電路，並操作於非線性模式；然而，當第一電晶體T1導通時，相較於第一級放大器110，整個旁路電路120的等效電阻很小，於是放大電路相當於一個二級放大器電路，並操作於線性模式。
復如圖2所示，旁路電路120更包括一偏壓電路，且此偏壓電路至少包括一第一偏壓電阻RB，其中第一偏壓電阻RB的一端耦接於第一電晶體T1的第一端，且第一偏壓電阻RB的另一端耦接於第一控制端VMODE1。此外，旁路電路120還包括一第二偏壓電阻RE，其中第二偏壓電阻RE的一端耦接於第一電晶體T1的第二端，第二偏壓電阻RE的另一端則耦接一參考電位或接地，用以穩定第一電晶體T1的工作點。
於本實施例中，第一電晶體T1即為一開關的角色。舉例來說，第一電晶體T1為一雙極性接面電晶體，其中第一電晶體T1之第一端為基極，第一電晶體T1之第二端為射極，且第一電晶體T1之第三端為集極。由圖2可看出，第一電晶體T1於旁路電路120中係設置為一射極隨耦器(Emitter Follower)。由於射極隨耦器具有射極輸出之電壓會隨輸入電壓而變，以及射極之輸出信號與輸入信號同相位的特性，因此將使得整個旁路電路120即便在高功率下仍能具有良好的線性度。也因為如此，整個功率放大電路適合以砷化鎵(GaAs)作為主要元件的材料。
承上述，若第一電晶體T1為一雙極性接面電晶體，於第一控制端VMODE1之控制電壓的控制下，當第一電晶體T1的工作偏壓落於第一電晶體T1的截止區，第一電晶體T1便截止，使得放大電路維持為一個三級放大器電路，並操作於非線性模式。另一方面，於第一控制端VMODE1之控制電壓的控制下，當第一電晶體T1的工作偏壓落於第一電晶體T1的主動區，第一電晶體則導通，於是如前述，放大電路便相當於一個二級放大器電路，且操作於線性模式。
接下來，將進一步說明本實施例所提供之放大電路中旁路電路120的其他實施例。為便於理解，於以下繪示各實施例的圖式中，各電晶體之第一端、第二端與第三端係分別以①、②、③標示。
首先，請參照圖3A，圖3A為根據本發明例示性實施例繪示之放大電路中旁路電路的電路圖。當放大電路操作於非線性模式下時，為了避免影響放大電路的正常運作，於一實施例中，便將旁路電路120設計為如圖3A所示之電路架構。
相較於圖2所示之旁路電路120，於圖3A中，旁路電路120更包括第二電晶體T2、第三電晶體T3、第一電阻R1、第一電容C1與第二電容C2。第一電容C1耦接於第一電晶體T1的第一端與第一級放大器110的輸入端之間，且第二電容C2耦接於第一電晶體T1的第二端與第一級放大器110的輸出端之間。第二電晶體T2之第一端與第三電晶體T3之第一端相耦接，且第二電晶體T2之第三端透過第一電阻R1耦接於第一偏壓電阻RB與第一控制端VMODE1之間。再者，第三電晶體T3之第三端耦接於第一電晶體T1之第二端與第二電容C2之間，第二電晶體T2之第一端與第三端相耦接，且第二電晶體T2與第三電晶體T3之第二端均耦接一參考電位或接地。另外說明，第二電晶體T2與第三電晶體T3均為雙極性接面電晶體，其中第二電晶體T2與第三電晶體T3之第一端為基極，第二電晶體T2與 第三電晶體T3之第二端為射極，且第二電晶體T2與第三電晶體T3之第三端為集極。
也就是說，於本實施例中，第二電晶體T2與第三電晶體T3於旁路電路120中的設置係類似於一個電流鏡的架構。如此一來，便能使由第一級放大器110的輸出端OUT看向旁路電路120之等效電阻為一大電阻，以避免影響放大電路於非線性模式下的正常運作。
然而，對於雙極性接面電晶體來說，當其集極-射極電壓改變時，其基極-集極的空乏寬度(或稱空乏區)的大小也會跟著改變(即，厄力效應；Early Effect)，使得流經第二電晶體T2的電流將不等於由第一級放大器110的輸出端OUT流出的電流。因此，於另一實施例中，另將旁路電路120設計為如圖3B所示之電路架構。
相較於圖3A所示之旁路電路120，於圖3B中，旁路電路120更包括第四電晶體T4。第四電晶體T4之第一端與第三端相耦接並透過第一電阻R1耦接於第一偏壓電阻RB與第一控制端VMODE1之間，且第四電晶體T4之第二端耦接於第二電晶體T2之第一端與第三端。另外說明，第四電晶體T4為雙極性接面電晶體，其中第四電晶體T4之第一端為基極，第四電晶體T4之第二端為射極，且第四電晶體T4之第三端為集極。
由於多了第四電晶體T4的壓降，便能夠更精準地複製流經第二電晶體T2之一定比例的電流，前述之厄力效應即能獲得改善。
於圖3B所示之旁路電路120的電路架構中，多了第四電晶體T4的壓降雖能達到精準地複製流經第二電晶體T2之一定比例的電流之功效，但也表示電源電壓Vb需要多提供第四電晶體T4的壓降。在放大電路運作的過程中，電源電壓Vb(如：電池電壓)會逐漸下降，為了避免電源電壓Vb降低而使得圖3B所示之旁路電路120無法正常運作，於又一實施例中係將旁路電路120設計為如圖4所示之電路架構。
相較於圖2所示之旁路電路120，於圖4中，旁路電路120更包括第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第一電容C1與第二電容C2。如圖4所示，第一電容C1耦接於第一電晶體T1的第一端與第一級功率放大器110的輸入端之間，且第二電容C2耦接於第一電晶體T1的第二端與第一級放大器110的輸出端之間。第二電晶體T2之第一端與第三電晶體T3之第一端相耦接，第三電晶體T3之第三端耦接於第一電晶體T1之第二端與第二電容C2之間，且第二電晶體T2與第三電晶體T3之第二端均耦接一參考電位或接地。再者，第四電晶體T4之第一端透過第一偏壓電阻RB耦接於第一電晶體T1之第一端與第一電容C1，第四電晶體T4之第二端耦接於第二電晶體T2之第三端，且第四電晶體T4之第三端耦接至第二電晶體T2之第一端。此外，第五電晶體T5之第一端與第三端相耦接，並進一步耦接至第四電晶體T4之第一端，第四電晶體T4之第三端耦接於第一控制端VMODE1，且第五電晶體T5之第三端耦接於第二控制端VMODE2，以分別地由第一控制端VMODE1與第二控制端VMODE2接收控制電壓。
另外說明，第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5均為雙極性接面電晶體，其中第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第一端為基極，第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第二端為射極，且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第三端為集極。還須說明地是，於另一實施例中，前述之第一控制端VMODE1與第二控制端VMODE2為同一個控制端。
對於圖4所示之旁路電路120來說，若不設置第五電晶體T5，且若第四電晶體T4之第二端與第一端耦接，以及第二電晶體T2之第二端與第一端耦接，第四電晶體T4之第二端的電壓至少需大於兩個電晶體的門檻電壓。然而，若以圖4所示之旁路電路120的電路架構來說，第四電晶體T4之第二端的電壓僅需至少大於一個電 晶體的門檻電壓即可。如此一來，在放大電路運作的過程中，即便電源電壓Vb逐漸下降，也能避免旁路電路120因電源電壓Vb降低而無法正常運作。
值得注意地是，於前述各實施例中，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5可被同時替換為複數個金氧半場效電晶體，且第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第一端為閘極，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第二端為源極，以及第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5之第三端為汲極。
值得注意地是，當第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4與第五電晶體T5均為金氧半場效電晶體時，第一電晶體T1於各實施例之旁路電路120中係設置為一源極隨耦器(Source Follower)。由於源極隨耦器具有電壓增益約等於1的特性，因此能使得整個旁路電路120即便在高功率下仍具有良好的線性度。也因為如此，整個放大電路適合以砷化鎵(GaAs)作為主要元件的材料。
〔放大電路的另一實施例〕
請參見圖5，圖5為根據本發明另一例示性實施例繪示之放大電路之電路圖。於本實施例中，放大電路主要包括放大器110’與旁路電路120’。
如圖5所示，放大器110’具有一輸入端IN與一輸出端OUT，且旁路電路包括第一電晶體T1。第一電晶體T1的第一端透過耦接於放大器110’的輸入端IN，第一電晶體T1的第二端耦接於放大器110’的輸出端OUT，第一電晶體T1的第三端耦接於電源電壓Vb。尤其，第一電晶體T1的第一端更耦接於一控制端VMODE，以由控制端VMODE接收一控制電壓來控制第一電晶體T1的工作偏壓。
須說明地是，於本實施例中，放大電路為一功率放大電路，且放大器110’為一驅動放大器。
此外，旁路電路120’更包括一偏壓電路，復如圖5所示，此偏壓電路至少包括一第一偏壓電阻RB，第一偏壓電阻RB的一端耦接於第一電晶體T1的第一端，且第一偏壓電阻RB的另一端耦接於控制端VMODE。此外，旁路電路120’還包括一第二偏壓電阻RE，其中第二偏壓電阻RE的一端耦接於第一電晶體T1的第二端，第二偏壓電阻RE的另一端則耦接一參考電位或接地，用以穩定第一電晶體T1的工作點。
如同前述圖1~圖4所述的實施例，於本實施例中，第一電晶體T1亦為一開關的角色。舉例來說，第一電晶體T1為一雙極性接面電晶體，其中第一電晶體T1之第一端為基極，第一電晶體T1之第二端為射極，且第一電晶體T1之第三端為集極。如圖5所示，第一電晶體T1於旁路電路120’中係設置為一射極隨耦器(Emitter Follower)。由於射極隨耦器具有射極輸出之電壓會隨輸入電壓而變，以及射極之輸出信號與輸入信號同相位的特性，因此將使得整個旁路電路120’即便在高功率下仍能具有良好的線性度。也因為如此，整個放大電路適合以砷化鎵(GaAs)作為主要元件的材料。
須說明地是，本實施例所提供之放大電路的工作原理類似於前述圖1~圖4所述之實施例所提供之第一放大器電路10。也就是說，若如前述舉例中第一電晶體T1為一雙極性接面電晶體，當控制端VMODE控制第一電晶體T1的工作偏壓並使其落於第一電晶體T1的截止區時，第一電晶體T1便截止。於是，使得放大器110’之輸入端IN所接收之訊號便會經由放大器110’調變後由放大器110’之輸出端OUT輸出。另一方面，當控制端VMODE控制第一電晶體T1的工作偏壓並使其落於第一電晶體T1的主動區時，第一電晶體T1則導通。於是，放大器110’之輸入端IN所接收之訊號便會直接地透過旁路電路120’輸出至放大器110’之輸出端OUT。
因此，若將本實施例所提供之放大電路與其他放大器串接成多級放大器電路(舉例來說，將本實施例所提供之放大電路再串接兩個放大器便能形成一個三級放大器電路)，此時，透過控制端VMODE來控制放大電路中的旁路電路120’，便能使整個三級放大電路可選擇地操作於雙模模式(Dual Mode)下，即線性模式(Linear Mode)與非線性模式(Non-linear Mode)。也就是說，於此例中，透過本實施例所提供之放大電路的運作，便能使得整個多級放大器電路選擇性地做為三級放大器電路或二級放大器電路，其中三級放大器電路係操作於非線性模式下，而二級放大器電路係操作於線性模式下。
亦須說明地是，於本實施例中，第一電晶體T1可被替換為金氧半場效電晶體，且第一電晶體T1之第一端為閘極，第一電晶體T1之第二端為源極，以及第一電晶體T1之第三端為汲極。此時，第一電晶體T1於本實施例之旁路電路120’中係設置為一源極隨耦器(Source Follower)。由於源極隨耦器具有電壓增益約等於1的特性，因此能使得整個旁路電路120’即便運作於高功率下仍具有良好的線性度。也因為如此，整個放大電路適合以砷化鎵(GaAs)作為主要元件的材料。
〔實施例的可能功效〕
綜上所述，本發明所提供之放大電路由於設置有旁路電路，故能依據電子裝置運作上的需求選擇性地操作於線性模式或非線性模式下。
再者，本發明所提供之放大電路的電路架構能使得整個放大電路正常且穩定地運作於非線性模式下，不會受到厄力效應的影響，且能使得旁路電路在電源電壓逐漸降低時仍得以正常運作。
除此之外，於本發明所提供之放大電路的旁路電路中，第一電晶體(如：雙極性接面電晶體或金氧半場效電晶體)係設置為射極隨耦器或源極隨耦器，故能使得旁路電路即便運作於高功率下也 能具有良好的線性度，如此一來，整個放大電路便適合以砷化鎵(GaAs)作為主要元件的材料。
以上所述僅為本發明之實施例，其並非用以侷限本發明之專利範圍。

Claims (17)

  1. 一種放大電路，用以於不同操作模式下進行訊號調變，包括：一第一放大器電路，包括：一第一級放大器，該第一級放大器具有一輸入端與一輸出端；以及一旁路電路，該旁路電路包括一第一電晶體，其中該第一電晶體的第一端耦接於該第一放大器的該輸入端，該第一電晶體的第二端耦接於該第一放大器的該輸出端，該第一電晶體的第三端耦接於一電源電壓；以及一第二級放大器，串接於該第一放大器電路之該第一級放大器之該輸出端，以形成一串級放大器電路；其中，該第一電晶體的第一端更耦接於一第一控制端，以由該第一控制端接收一控制電壓來控制該第一電晶體的一工作偏壓，以切換該放大電路之該操作模式。
  2. 如請求項1所述之放大電路，更包括一第三級放大器，串接於該第二級放大器，以形成該串級放大器電路，其中該放大電路為一功率放大電路，該第一級放大器為第一級驅動放大器，該第二級放大器為第二級驅動放大器，且該第三級放大器為第三級功率放大器。
  3. 如請求項1所述之放大電路，更包括一偏壓電路，該偏壓電路至少包括一第一偏壓電阻，該第一偏壓電阻的一端耦接於該第一電晶體的第一端，且該第一偏壓電阻的另一端耦接於該第一控制端。
  4. 如請求項1所述之放大電路，其中於該控制電壓的控制下，當該第一電晶體的該工作偏壓落於該第一電晶體的截止區，該第一電晶體截止，使得該放大電路操作於一非線性模式。
  5. 如請求項1所述之放大電路，其中於該控制電壓的控制下，當 該第一電晶體的該工作偏壓落於該第一電晶體的主動區或飽和區，該第一電晶體導通，使得該放大電路操作於一線性區模式。
  6. 如請求項3所述之放大電路，其中該旁路電路更包括一第二電晶體、一第三電晶體、一第一電阻、一第一電容與一第二電容；其中，該第一電容耦接於該第一電晶體的第一端與該第一級放大器的該輸入端之間，該第二電容耦接於該第一電晶體的第二端與該第一級放大器的該輸出端之間，該第二電晶體與該第三電晶體之第一端相耦接，該第二電晶體之第三端透過該第一電阻耦接於該第一偏壓電阻與該第一控制端之間，該第三電晶體之第三端耦接於該第一電晶體之第二端與該第二電容之間，該第二電晶體之第一端與第三端相耦接，且該第二電晶體與該第三電晶體之第二端均耦接一參考電位。
  7. 如請求項6所述之放大電路，其中該旁路電路更包括一第四電晶體，該第四電晶體之第一端與第三端相耦接並透過該第一電阻耦接於該第一偏壓電阻與該第一控制端之間，且該第四電晶體之第二端耦接於該第二電晶體之第一端與第三端。
  8. 如請求項3所述之放大電路，其中該旁路電路更包括：一第二電晶體、一第三電晶體、一第一電容與一第二電容，其中該第一電容耦接於該第一電晶體的第一端與該第一級放大器的該輸入端之間，該第二電容耦接於該第一電晶體的第二端與該第一級放大器的該輸出端之間，該第二電晶體與該第三電晶體之第一端相耦接，該第三電晶體之第三端耦接於該第一電晶體之第二端與該第二電容之間，且該第二電晶體與該第三電晶體之第二端均耦接一參考電位；一第四電晶體，該第四電晶體之第一端透過該第一偏壓電阻耦接於該第一電晶體之第一端與該第一電容，該第四電晶體 之第二端耦接於該第二電晶體之第三端，且該第四電晶體之第三端耦接至該第二電晶體之第一端；以及一第五電晶體，該第五電晶體之第一端與第三端相耦接並更耦接至該第四電晶體之第一端；其中該第四電晶體之第三端耦接於該第一控制端，該第五電晶體之第三端耦接於一第二控制端，以分別地接收控制電壓。
  9. 如請求項8所述之放大電路，其中該第一控制端與該第二控制端為同一控制端。
  10. 如請求項8所述之放大電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體為複數個雙極性接面電晶體，且該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第一端為基極，該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第二端為射極，以及該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第三端為集極。
  11. 如請求項8所述之放大電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體為複數個金氧半場效電晶體，且該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第一端為閘極，該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第二端為源極，以及該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體之第三端為汲極。
  12. 一種放大電路，包括： 一放大器，該放大器具有一輸入端與一輸出端；以及一旁路電路，該旁路電路包括一第一電晶體，其中該第一電晶體的第一端耦接於該放大器的該輸入端，該第一電晶體的第二端耦接於該放大器的該輸出端，該第一電晶體的第三端耦接於一電源電壓；其中，該第一電晶體的第一端更耦接於一控制端，以由該控制端接收一控制電壓來控制該第一電晶體的一工作偏壓，從而控制該第一電晶體於截止與導通之間切換。
  13. 如請求項12所述之放大電路，其中該放大電路為一功率放大電路，該放大器為一驅動放大器，且該旁路電路更包括一偏壓電路，該偏壓電路至少包括一第一偏壓電阻，該第一偏壓電阻的一端耦接於該第一電晶體的第一端，且該第一偏壓電阻的另一端耦接於該控制端。
  14. 如請求項12所述之放大電路，其中於該控制電壓的控制下，當該第一電晶體的該工作偏壓落於該第一電晶體的截止區，該第一電晶體截止，使得該放大器之該輸入端所接收之一訊號經由該放大器調變後由該放大器之該輸出端輸出。
  15. 如請求項12所述之放大電路，其中於該控制電壓的控制下，當該第一電晶體的該工作偏壓落於該第一電晶體的主動區或飽和區，該第一電晶體導通，使得該放大器之該輸入端所接收之一訊號直接地透過該旁路電路輸出至該放大器之該輸出端。
  16. 如請求項12至15任一項所述之放大電路，其中該第一電晶體為一雙極性接面電晶體，且該第一電晶體之第一端為基極、該第一電晶體之第二端為射極，以及該第一電晶體之第三端為集極。
  17. 如請求項12至15任一項所述之放大電路，其中該第一電晶體 為一金氧半場效電晶體，且該第一電晶體之第一端為閘極、該第一電晶體之第二端為源極，以及該第一電晶體之第三端為汲極。
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