TWI616010B - 導電基板及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之一具體實施例，包括：(1)在一基板上形成一結晶透明導電層；(2)在該結晶透明導電層上形成一非晶性透明導電層；(3)藉由將該非晶性透明導電層圖案化，形成至少一圖案開口區，顯露出該結晶透明導電層之一部分；以及(4)在該至少一圖案開口區中形成一金屬層。

Description

導電基板及其製備方法
本申請案聲明主張，於2012年11月30日向KIPO申請之大韓民國專利申請案No.10-2012-0138364與No.10-2012-0138340之優先權，其揭露之內容係合併前述二案之全部內容。
本發明係關於一種導電基板及其製備方法。
在所屬技術領域中，有機發光裝置、有機太陽能電池等之陰極電極，基本上係使用銦錫氧化物(ITO)當作主要電極，且主要使用金屬製成的輔助電極(secondary electrode)，來防止因該ITO等之高電阻值而造成光學效率(optical efficiency)的喪失。
在形成該輔助電極之方法中，該輔助電極可由在ITO(沉積在基板上並佈滿整個基板)上沉積與圖案化金屬來形成，再鈍化該金屬或在一溝槽基板之溝槽部分形成該輔助電極，之後，在其上沉積該ITO電極當作主要電極。不過，此法並非合適的方法，因為製程數目過多且基板的價格正逐漸上漲。
在所屬技術領域中，需要研究一種導電基板與製備該導電基板之方法，其中，該導電基板係具有優良的性能，以及其製備方法簡易。
本發明提供一種可用來製備導電基板之方法，包括：(1)在一基板上形成一結晶透明導電層；(2)在該結晶透明導電層上形成一非晶性透明導電層； (3)藉由將該非晶性透明導電層圖案化，形成至少一圖案開口區，以顯露出該結晶透明導電層之一部分；以及(4)在該至少一圖案開口區中形成一金屬層；其中該結晶透明導電層未被圖案化，使得該結晶透明導電層被形成於該基板的一表面的整個表面上；以及其中在步驟(4)之後，在該金屬層上形成一金屬氧化物層。
本發明更提供一種導電基板，包括：一基板；一第一透明導電層，其係設置於該基板上；以及一第二透明導電層，其係設置於該第一透明導電層上，其中，該第二透明導電層中包含一金屬圖案；其中該第一透明導電層未被圖案化，使得該第一透明導電層被形成於該基板的一表面的整個表面上；以及其中該第二透明導電層包括一第二透明導電圖案及至少一圖案開口區，且該金屬圖案設置於該至少一圖案開口區中；其中該金屬圖案之上部面積為該圖案開口區上部面積之20%以上且小於100%。
本發明更提供一種隱密性膜(privacy film)，包含該導電基板。
此外，本發明提供一種電子裝置，包含該導電基板。
依本發明之一實施例，可利用簡單的製程製作出高效率之導電基板。此外，在本發明中，引入非晶性透明導電層與金屬層，用來讓結晶透明導電層之電阻損失(resistance loss)減至最小。
此外，依本發明之一實施例，因可不需如同習知技術在輔助電極上額外形成絕緣層的情況下製作該導電基板，所以可以減少製程的數目，因而使其具有價格上的競爭優勢。
10‧‧‧基板
20‧‧‧第一透明導電層
30‧‧‧第二透明導電層
40‧‧‧金屬層
50‧‧‧圖案開口區
60‧‧‧金屬氧化物層
圖1至3係本發明一實施例之用來製備導電基板方法之示意圖。
圖4至6係本發明一實施例之導電基板之示意圖。
圖7係本發明一實施例之有機發光裝置之示意圖。
以下將詳細描述本發明。
依本發明之一實施例，一種可用來製備導電基板之方法，包括：(1)在一基板上形成一結晶透明導電層；(2)在該結晶透明導電層上形成一非晶性透明導電層；(3)藉由將該非晶性透明導電層圖案化，形成至少一圖案開口區，以顯露出該結晶透明導電層之一部分；以及(4)在該至少一圖案開口區中形成一金屬層。
依本發明之一實施例，在該方法中，該結晶透明導電層係在步驟(1)中，形成於該基板上。
該基板之材料並不特別加以限制，可使用所屬技術領域中已知之材料。例如：玻璃、塑膠基板、塑膠膜等，但本發明並不以此為限。
步驟(1)之操作係使用下述方法：在該基板上形成該非晶性透明導電層，然後對該非晶性透明導電層進行熱處理，或在沉積製程中進行高溫沉積。
更詳細地說明，使用用於該非晶性透明導電層之材料，可以沉積製程或塗佈製程，在該基板上形成該非晶性透明導電層，之後，利用熱處理與在沉積步驟中進行高溫沉積，將該非晶性透明導電層結晶化。在所屬技術領域中之通常知識者，可依據所選用基板之玻璃轉換溫 度(Tg)，選擇且使用用來形成該結晶透明導電層之方法。該熱處理方法之詳細描述實例，說明如下：當該結晶透明導電層在一具有低玻璃轉換溫度之基板(如乙烯對苯二甲酸酯(PET)膜)上成形時，在用來沉積透明導電材料之沉積溫度120℃下進行沉積，然後該透明導電材料在Ar氣氛中、150℃額外進行熱處理30至50分鐘，得到該結晶透明導電層。當該結晶透明導電層在一具有高玻璃轉換溫度之基板(如玻璃)上成形時，提高沉積腔體的溫度進行沉積(高於該透明導電材料之沉積溫度，如200℃以上)。在所屬技術領域中之通常知識者，可依據該基板及目的適當地加以選擇。
該結晶透明導電層可包括一種以上選自由氧化銦(indium oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化銦錫(indium tin oxide)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)及透明導電聚合物所組成之群組，且本發明不僅限於此。
依本發明之一實施例，在該用來製備導電基板之方法中，於步驟(2)中，該非晶性透明導電層係形成在該結晶透明導電層上。
在此例中，該非晶性透明導電層可以上述之材料與形成該結晶透明導電層之方法來成形。
依本發明之一實施例，在該用來製備導電基板之方法中，於步驟(3)中，至少一圖案開口區係藉由將該非晶性透明導電層圖案化來成形，使該結晶透明導電層之一部分顯露出來。
可利用光微影方法(photolithography method)進行該非晶性透明導電層之圖案化，且本發明不以此為限。舉例來說，非晶性ITO之部分圖案，可透過雷射來結晶化，然後，將該經結晶化的圖案浸漬至草酸(oxalic acid)蝕刻液中，利用蝕刻選擇性來達成所需圖案。
在該非晶性透明導電層之圖案化製程中，由於該非晶性透明導電層下之該結晶透明導電層不會被蝕刻，因此，可以一個步驟完成 該透明導電層的圖案。
也就是說，該非晶性透明導電層可使用一種蝕刻液來圖案化，且可利用該非晶性透明導電層與該結晶透明導電層間對該蝕刻液在溶解度上的差異，僅選擇性地圖案化該非晶性透明導電層。至於該蝕刻液，考量該非晶性透明導電層與該結晶透明導電層間在溶解度上的差異，可使用在所屬技術領域中已知之材料。一般而言，氫氯酸(hydrochloric acid)：硝酸(nitric acid)：水=4：1：5之組成物係用來蝕刻該結晶透明導電層，而草酸系材料等係用於本發明之該非晶性透明導電層之圖案化製程中，且本發明不僅限於此。
在一較詳細之實施例中，在該非晶性透明導電層之圖案化製程中，蝕刻製程可使用5%草酸溶液來進行，且本例中，由於下方之結晶透明導電層至該非晶性透明導電層間，對草酸產生之蝕刻速率有差異，使得下方之結晶透明導電層不會被蝕刻，而被保留下來。
本例中，該非晶性透明導電層與該結晶透明導電層間對蝕刻液在溶解度方面的差異，可因組成該透明導電層之組成物而改變，但某一特性部分可為一常見現象：當在該非晶性透明導電層與該結晶透明導電層間之界面上，該非晶性透明導電層之一部分以磊晶生長(epitaxial growth)而結晶，蝕刻後，該圖案開口區之厚度需要小於該非晶性透明導電層實際沉積時之厚度。
在以此方式圖案化後，可依所屬技術領域中具有通常知識者之需求，來選擇操作上方該非晶性透明導電層之該結晶製程。
依本發明之一實施例，在該用來製備導電基板之方法中，形成該至少一圖案開口區，且之後於步驟4中，該金屬層係形成於其上。
該金屬層可包括一種以上選自由銀(silver)、鋁(aluminum)、銅(copper)、釹(neodymium)、鉬(molybdenum)及其合金所組成之群組，但本發明不僅限於此。該金屬層可利用沉積或電鍍製 程來成形。
當該金屬層以電鍍製程成形時，用來將該非晶性透明導電層圖案化的光微影製程，在操作時可不需要移除光阻，且由於電鍍是在該結晶透明導電層顯露之圖案開口區內進行，可形成該結晶透明導電層與該金屬層平行存在之結構。在本例中，電鍍的區域可僅在該結晶透明導電層顯露之圖案開口區內執行。特別是，該金屬層以電鍍方式形成時，受表面張力的作用，使得該金屬層之上部具有半球型的形狀。因此，接著，當沉積外加之材料時，可改善堆疊覆蓋的狀態。接著，藉由移除光阻及對該金屬層進行熱處理，可製得導電基板之成品。
如上所述，在本發明之一實施例中，如圖1所示為用來製備導電基板之方法，包含利用電鍍方式形成該金屬層。
再者，當該金屬層利用該沉積製程成形時，用來對該非晶性透明導電層圖案化的光微影製程，在操作時可不需要移除光阻，且該金屬層可形成於該結晶透明導電層顯露之圖案開口區內，然後，藉由剝離(lift-off)方式移除光阻及對該金屬層進行熱處理，可製得導電基板之成品。
如上所述，在本發明之一實施例中，包含利用該沉積製程來形成該金屬層之該用來製備導電基板之方法，如圖2所示。
需要時，一包含有機材料之絕緣層可外加成形於該金屬層上。
再者，依本發明之一實施例，該用來製備導電基板之方法，可更包括在步驟(3)或(4)之後，對該非晶性透明導電層進行熱處理之製程。藉由該熱處理之製程，可使該非晶性透明導電層結晶化及該金屬層緻密化。
該透明導電層是否結晶化，可由量測該透明導電層之電阻來判斷。本例中，當電阻顯示為該結晶化透明導電層之電阻值時，幾乎 可以判斷已經完成結晶，但是，關於是否充分結晶，當該透明導電層浸漬於用於該非晶性透明導電層之該蝕刻液中，可以觀察到電阻值有很大的變化時，可判斷為尚未達到充分結晶。其理由為因為充分結晶之透明導電層對金屬蝕刻液的反應很小，電阻不會大幅增加。
另一種測量該透明導電層之結晶度的方法為，觀察該經結晶化之透明導電層之平面晶粒尺寸。利用該結晶透明導電層與該非晶性透明導電層相同的成形厚度，在該非晶性透明導電層圖案化後，利用另一方法進行額外加熱處理的情況下，當該晶粒尺寸類似於該結晶透明導電層區域之晶粒尺寸時，可判斷該非晶性透明導電層已經結晶化。
然而，另外一種測量該透明導電層之結晶度的方法為，觀察樣本的剖面結構。觀察該剖面結構時，生長之柱狀結構中，該結晶透明導電層底部生長之晶粒是小的，及頂部生長之晶粒是大的，且在本例中，當上方該非晶性透明導電層之薄膜更經結晶化時，在該結晶透明導電層的該柱狀結構之頂部再次成長出新的柱狀結構，而可辨認出其間之界面。
最後，判斷結晶化最簡單的方法為測量表面電阻(sheet resistance)。舉例來說，由於非晶性ITO之表面電阻大約為270Ω/□，而結晶ITO之表面電阻約為50Ω/□，所以量測該透明導電層結晶化前後之表面電阻，可用來判斷該透明導電層是否已經結晶化。
再者，依本發明之一實施例，該用來製備導電基板之方法，可更包含在步驟(4)之後，於該金屬層上設置一金屬氧化物層。
該金屬氧化物層可藉由將該金屬層浸漬於一氧化劑溶液中之方式來成形。更詳細說明，氧化反應只會在被選擇性顯露之該金屬層表面部分進行，將該金屬層浸漬於該氧化劑溶液中，結果使該金屬氧化物層形成於該金屬層上。該金屬氧化物層可用來當作該金屬層之絕緣層。
該氧化劑溶液可適用於所屬技術領域中已知之材料，沒有特別的限制，只要該氧化劑溶液係能夠氧化該金屬層之材料即可。例如：當該金屬層包含Cu，NaOH就可用於當該氧化劑溶液，結果使該金屬氧化物層CuO可形成於該金屬層之頂部表面上。本例中，NaOH與該結晶透明導電層間不存在反應性，因此不影響導電性。
如上所述，依本發明之一實施例，該用來製備導電基板之方法，更包含在該金屬層上形成該金屬氧化物層，如圖3所示。
再者，依本發明之一實施例，該導電基板包含：一基板；一第一透明導電層，設置於該基板上；以及一第二透明導電層，設置於該第一透明導電層上，其中，該第二透明導電層內包含一金屬圖案。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，由於該基板、該透明導電層、該金屬層等已如上所述，其詳細之敘述將予以省略。
在該第二透明導電層中之該金屬圖案，可以在第一透明導電層(其為該結晶透明導電層)上形成該非晶性透明導電層之方式成形；藉由對該非晶性透明導電層圖案化，形成至少一圖案開口區，來顯露該第一透明導電層；且如上述，在該至少一圖案開口區中形成該金屬層。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，該第一透明導電層與該第二透明導電層係彼此接觸設置，該第一透明導電層與該第二透明導電層之兩彼此接觸表面之成分材料可與彼此相同。
再者，該第一透明導電層與該第二透明導電層係彼此接觸設置，且從第一透明導電層與該第二透明導電層彼此接觸之表面方向來觀察晶粒結構，其中在一柱狀結構中，互相接觸之一上部與一下部具有一界面，該柱狀結構之上部寬度與下部寬度係互不相同。
該金屬圖案之厚度可小於該第二透明導電層之厚度，但不 僅限於此。再者，該金屬圖案之厚度可為該第二透明導電層厚度之80%至120%，但不僅限於此。
該第一透明導電層、第二透明導電層與該金屬圖案之代表厚度可各自獨立為50至2000nm，但不僅限於此。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，該第二透明導電層可包含一第二透明導電圖案與至少一圖案開口區，且該金屬圖案可設置於該至少一圖案開口區中。本例中，該金屬圖案之上部面積可為該圖案開口區之上部面積之20%以上及100%之下，以及該金屬圖案之上部面積可為該圖案開口區之上部面積之80%以上及100%之下，但本發明不僅限於此。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，當該第二透明導電層之厚度設為D，且其頂部高度設為0，該金屬圖案之頂部位置D2可滿足下列方程式1：[方程式1]-0.2D<D2<0.2D。
再者，該金屬圖案之頂部位置D2可滿足下列方程式2：[方程式2]-0.8D<D2<D。
由於該金屬層係形成於該圖案開口區(為第一透明導電層顯露區域)中，該第一透明導電層之頂部可接觸該金屬圖案之底部，結果使得該第一透明導電層與該金屬層彼此為電性連接。
該金屬圖案之平面形狀可為各種圖案形狀，包括規則圖案結構與不規則圖案結構等等，而且開口率(aperture ratio)可由所屬技術領域中通常知識者加以選擇、控制。
該金屬圖案與該第二透明導電層的界面可垂直於該第一透明導電層。再者，該金屬圖案與該第二透明導電層的界面可與該第一 透明導電層，在順時針方向形成一預定之角度，例如：該界面與該第一透明導電層，在順時針方向形成之角度可為10至170°與30至150°等等。該角度可為製程過程中自然形成。
該金屬圖案之高度與寬度比可為1以下與介於1/3至1，但不僅限於此。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，金屬氧化物圖案、金屬氮化物圖案或金屬氮氧化物圖案可更包含在該金屬圖案上。該金屬氧化物圖案、該金屬氮化物圖案或該金屬氮氧化物圖案可作為該金屬圖案之絕緣層。該金屬氧化物圖案、該金屬氮化物圖案或該金屬氮氧化物圖案可設置於該金屬圖案之頂部上，也可設置於該金屬圖案於該第二透明導電層上顯露之表面上。
依本發明之一實施例，在該導電基板中，該金屬圖案之至少一表面不接觸該第一透明導電層與該第二透明導電層，而且金屬氧化物圖案、該金屬氮化物圖案或該金屬氮氧化物圖案可更包含於該金屬圖案之至少一表面，其不接觸該第一透明導電層與該第二透明導電層。
該金屬氧化物層可藉由將該金屬層浸漬於該氧化劑溶液中，或在氧氣氣氛下將該對應基板進行熱處理來形成。更詳細說明，藉由將該金屬層浸漬於該氧化劑溶液中，或在氧氣氣氛下將該對應基板進行熱處理，氧化反應只會在該金屬層之表面部分(其係選擇性顯露者)發生，結果使在該金屬層上形成該金屬氧化物層。該金屬氧化物可當作該金屬層之該絕緣層或非發光層(non-emission layer)。當該層是用來當作該絕緣層時，該對應層不需要絕對是氧化物層，需要時，也可為氮化物層。不過，由於該氧化物層與該氮化物層兩者均可簡單透過該對應金屬的變化來獲得，所以，該金屬圖案與該金屬氧化物層可包含相同金屬。
本發明提供一種隱密性膜，其包含該導電基板。
本發明提供一種電子裝置，其包含該導電基板。
該電子裝置可為有機發光裝置、有機發光照明裝置、有機太陽能電池、觸控面板或顯示器，但不僅限於此。
依本發明之一實施例，圖7說明一種有機發光裝置。如圖7所示，該有機發光裝置可於該基板之螢幕部分(發光區域)之外緣上，自然地形成絕緣層區域(箭頭標示處)，且不同於習知技術，在製備該裝置時可具有不須額外的PAD成形製程來形成一電極端點之優點，當有機發光裝置材料之沉積製程與對應電極之沉積形成時，具有下述之結構：發光區域<有機發光裝置材料沉積區域<絕緣層區域、發光區域<對應電極區域<該有機發光裝置材料沉積區域<該絕緣層區域。
更詳細說明，該導電基板可用來當作該電子裝置之電極，本例中，該第一透明導電層可用來當作主要電極，而該金屬圖案可用來當作輔助電極。
依本發明之一實施例，該導電基板如圖4至6所示，說明如下。
依本發明之一實施例，可使用簡單的製程製作有效率之導電基板，再者，本發明中，引入非晶性透明導電層與金屬層，使結晶透明導電層之電阻損失減至最小。
以下以實施例說明本發明。然而，下列的例子僅用來說明本發明而已，並不限制本發明之範圍。
實施例
實施例1
(1)在玻璃基板上形成結晶透明導電層
在玻璃基板上形成一厚度300nm之結晶銦錫氧化物(ITO)薄膜，該結晶ITO薄膜之電阻為2x10 -4Ωcm，使用的材料與條件如下：沉積溫度：400℃(使用RF磁控濺鍍)
靶材：In2O3：SnO2=90mol%：10mol%，純度99.99%(Cerac公司產品)
RF功率：150W
沉積條件：沉積時間(30min)、壓力(10mtorr)
後段熱處理：400℃，1min。
(2)在結晶透明導電層上形成非晶性透明導電層
在結晶ITO薄膜上形成厚度300nm之非晶性ITO薄膜，該非晶性ITO薄膜之電阻為10x10-4Ωcm，所使用之材料、設備與條件如下：沉積溫度：110℃(使用RF磁控濺鍍)
靶材：In2O3：SnO2=90mol%：10mol%，純度99.99%(Cerac公司產品)
RF功率：150W
沉積條件：沉積時間(30min)、壓力(10mtorr)
後段熱處理：400℃，1min。
(3)對非晶性透明導電層進行圖案化
使用光阻(JC800，Dongjin Semi Chem公司產品)與曝光機(Karl Suss，30mJ)，對該製備之非晶性ITO薄膜進行曝光，然後使用2.38%氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)顯影45秒，然後，在40℃以草酸溶液(3%)蝕刻該顯影後之薄膜5分鐘。
(4)金屬電鍍
透過濺鍍製程，在有該光阻之圖案上，沉積一銅晶種層，厚度約20nm，然後，將當作陽極與陰極之基板浸漬於硫酸銅溶液(CuSO4．5H2O 90g/l；H2SO4 180g/l)中，並使用電源供應裝置，施加順向脈衝電流，銅就在用來當作負極之該基板上形成。本例中，電鍍銅的電流密度維持在約60mA/cm2。
實施例2
如上述之實施例1，就在該金屬的電鍍製程之後，使用RTA設備，透過無電電鍍製程，在氧氣氣氛中、500℃溫度下，進行熱處理30分鐘來形成金屬氧化物層。
依本發明之一實施例，有效率的導電基板可以使用簡單製程來製備。再者，在本發明中，引入非晶性透明導電層與金屬層，可使結晶透明導電層之電阻損失減至最小。
再者，依本發明之一實施例，由於該導電基板的製備不需同習知在輔助基板上形成額外絕緣層，可減少製程數目，結果使得產品價格具有競爭力。

Claims (31)

  1. 一種製造導電基板之方法，該方法包括：(1)在一基板上形成一結晶透明導電層；(2)在該結晶透明導電層上形成一非晶性透明導電層；(3)藉由將該非晶性透明導電層圖案化，形成至少一圖案開口區，以顯露出該結晶透明導電層之一部分；以及(4)在該至少一圖案開口區中形成一金屬層；其中，該結晶透明導電層未被圖案化，使得該結晶透明導電層被形成於該基板的一表面的整個表面上；以及其中，在步驟(4)之後，在該金屬層上形成一金屬氧化物層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該步驟(1)係以下述方法操作：在該基板上形成該非晶性透明導電層，接著，對該非晶性透明導電層進行熱處理。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該步驟(1)係以下述方法操作：在該基板上高溫沉積一用於該透明導電層之材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該結晶透明導電層與該非晶性透明導電層包括一種以上選自由氧化銦、氧化鋅、氧化銦錫、氧化銦鋅及透明導電聚合物所組成之群組。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該非晶性透明導電層之圖案化係以光微影方法來執行。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該非晶性透明導電層之圖案化係使用一蝕刻溶液，且藉由該非晶性透明導電層與該結晶透明導電層對該蝕刻液之溶解度之差異，只有該非晶性透明導電層被選擇性地圖案化。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該蝕刻液包含一草酸類材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬層包含一種以上選自由銀、鋁、銅、釹、鉬及其合金所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬層係以沉積製程或電鍍方式形成。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：在步驟(3)或(4)之後，對該非晶性透明導電層進行熱處理。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬氧化物層係將該金屬層浸漬於一氧化劑溶液中所形成。
  12. 一種導電基板，包括：一基板；一第一透明導電層，其係設置於該基板上；以及一第二透明導電層，其係設置於該第一透明導電層上，其中，該第二透明導電層中包含一金屬圖案；其中，該第一透明導電層未被圖案化，使得該第一透明導電層被形成於該基板的一表面的整個表面上；以及 其中，該第二透明導電層包括一第二透明導電圖案及至少一圖案開口區，且該金屬圖案設置於該至少一圖案開口區中；其中，該金屬圖案之上部面積為該圖案開口區上部面積之20%以上且小於100%。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該第一透明導電層與該第二透明導電層係彼此接觸設置，且該第一透明導電層與該第二透明導電層互相接觸之兩表面之組成材料係彼此相同。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該第一透明導電層與該第二透明導電層係彼此接觸設置，且從第一透明導電層與該第二透明導電層互相接觸之表面方向觀察到一粒狀結構，其中在一柱狀結構中，互相接觸之一上部與一下部具有一界面，該柱狀結構之上部寬度與下部寬度彼此不同。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之厚度係小於該第二透明導電層之厚度。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之厚度為該第二透明導電層厚度之80至120%。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之上部面積為該圖案開口區上部面積之80%以上且小於100%。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，當該第二透明導電層之厚度設為D，且其頂部之高度設為0，該金屬圖案頂部之位置D2滿足下列方程式1：[方程式1] -0.2D<D2<0.2D。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，當該第二透明導電層之厚度設為D，且其頂部之高度設為0，該金屬圖案頂部之位置D2滿足下列方程式2：[方程式2]-0.8D<D2<D。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該第一透明導電層與該第二透明導電層，包括一種以上選自由氧化銦、氧化鋅、氧化銦錫、氧化銦鋅及透明導電聚合物所組成之群組。
  21. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬層包括一種一上選自由鋁、銅、釹、鉬及其合金所組成之群組。
  22. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該第一透明導電層之頂部與該金屬圖案之底部接觸。
  23. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，介於該金屬圖案與該第二透明導電層間之界面係垂直於該第一透明導電層。
  24. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之高度/寬度為1以下。
  25. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之高度/寬度為1/3至1。
  26. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，更包括：一金屬氧化物圖案、金屬氮化物圖案或金屬氮氧化物圖案，其在該金屬圖案上。
  27. 如申請專利範圍第12項所述之導電基板，其中，該金屬圖案之至少一表面不接觸該第一透明導電層與該第二透明導電層，且在該金屬圖案之至少一表面上更包含一金屬氧化物圖案、一金屬氮化物圖案或一金屬氮氧化物圖案，該表面為不與該第一透明導電層與該第二透明導電層接觸之表面。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之導電基板，其中，該金屬氧化物圖案設置於該金屬圖案之頂部及於該第二透明導電層上顯露之該金屬圖案之側部上。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之導電基板，其中，該金屬圖案與該金屬氧化物圖案、該金屬氮化物圖案或該金屬氮氧化物圖案包含相同之金屬。
  30. 一種適用於電子裝置之電極，其包含如申請專利範圍第12至29項中任一項所述之導電基板。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之電極，其中，該電子裝置係一有機發光裝置、一有機發光照明裝置或一有機太陽能電池。
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