TWI609248B - 用於校準雷射光束之聚焦的系統及方法 - Google Patents

Description

用於校準雷射光束之聚焦的系統及方法

本發明係大致有關於用於光刻之雷射技術，且，更特別有關於透過校準用以產生極紫外線(EUV)光之一雷射光束使極紫外線光產生最佳化。

半導體工業持續發展可印刷更小積體電路尺寸之微影技術。極紫外線(EUV)光(有時亦稱為軟x射線)通常被定義為具有在10與110奈米(nm)間之波長的電磁輻射。極紫外線微影術通常被視為包括在10至14nm之範圍內之波長的極紫外線光，且被用來在例如矽晶圓之基材中產生極小特徵(例如，次-32nm特徵)。這些系統必須具有高信賴性且提供符合經濟效益之生產量及合理之處理範圍。

產生極紫外線光之方法包括，但不一定限於，將一材料轉換成具有在該極紫外線範圍中具有一或多數放射線之一或多數元素(例如，氙、鋰、錫、銦、銻、碲、鋁等)的一電漿狀態。在一通常被稱為雷射引發電漿(LPP)的該方法中，所欲電漿可藉由以一雷射光束照射例如一滴、串流或團材料之一靶材在一照射位置而產生，且該材料具有所需光譜線發射元素。

該光譜線發射元素可為一純形態或合金形態(例如，在所欲溫度為一液體之一合金)，或可以例如一液體之另一材料混合或分散。這靶材液滴被傳送至一所欲照射位置(例如，一主要焦點)且在雷射引發電漿極紫外線源電漿腔室內被一雷射源照射用以引發電漿及產生極紫外線光。例如來自一高功率CO₂雷射源之該雷射光束必須藉由一聚焦光學件聚焦在一位置上，且該靶材液滴將通過該位置且被計時以在它通過該位置時與該靶材液滴相交以便適當地撞擊該靶材液滴而獲得一良好電漿，及因此，良好極紫外線光。

在種種可能問題中，影響在該靶材上之高功率雷射源之聚焦的是與來該雷射源之雷射光束的準直問題，及由包括該聚焦光學件之光徑產生之像差。這聚焦光學件被通稱為一最後聚焦透鏡(FFL)，且可為一透鏡。

由該雷射源產生之雷射光束應是準直的，即，形成該雷射光束之光線是平行的。該聚焦光學件通常被設計為假設被該聚焦光學件接收之雷射光束是準直的一無限共軛。實務上，來自該雷射源之光束可發散，且該光束尺寸隨著距離增加，或收束，且該光束尺寸隨著距離減少。準直誤差亦由其他光學元件沿該雷射光束路徑產生。因此與在該雷射光束中一高度準直之偏差影響該雷射光束聚焦在該靶材液滴上，這會導致在該靶材液滴上之較小雷射功率，及較少極紫外線產生。

該聚焦光學件將該雷射光束聚焦在該靶材液滴 上。這聚焦光學件被通稱為一最後聚焦透鏡(FFL)。在該最後聚焦透鏡中之聚焦誤差會將該雷射源之功率分散在一大體積上，減少傳送至該靶材液滴之雷射源的功率。傳送至該靶材液滴之雷射源的較小功率會導致一較少極紫外線功率產生。

在光學技術中，例如藉由加入II-VI紅外線，已發展出被通稱為一可變半徑鏡(VRM)之一組件。該可變半徑鏡包含以一可變形反射表面覆蓋之一液體填充腔。藉由改變在該腔中之液體壓力，使該反射表面變形，因此改變該反射表面之有效半徑。因此藉由被該反射表面覆蓋之腔中的液體決定該可變半徑鏡之有效半徑。

對與高功率紅外線(CO₂)雷射一起使用而言，該可變半徑鏡之反射表面通常是一薄銅片，且該薄銅片具有多數光學塗層以增加在操作波長之反射率。雖然獲得之反射率高，例如，98%至99%，但是當與多千瓦高功率CO₂雷射一起使用時，該反射率值仍導致由該雷射光束至該反射表面中之明顯能量傳送，因此產生熱。為防止由過熱造成之熱破壞，該反射表面必須因此被冷卻。這已藉由使加壓液體流過該腔以藉此由該反射表面移除所產生之熱來達成。

測試已顯示當通過該可變半徑鏡之流體在該反射表面中產生造成該雷射光束之聚焦不穩定的微擾時，該可變半徑鏡不適用於在一雷射引發電漿極紫外線源之光學系統中的最後聚焦透鏡之前。

因此，需要的是一種在一雷射引發電漿極紫外線系統中校準在該靶材上之雷射光束之聚焦，同時避免由可變半徑鏡流體流造成之雷射光束之聚焦不穩定的方法。

在一實施例中提出一種系統，其包含：一可變半徑鏡，具有一可變形反射表面且組配成可在該反射表面接收及反射一雷射光束，該可變半徑鏡具有組配成可通過一冷卻材料以冷卻該可變半徑鏡之一冷卻腔，及組配成可收納一聚焦材料且使該反射表面隨著該收納之聚焦材料之變形壓力而變形的一聚焦腔；一冷卻控制器，係組配成可提供該冷卻材料至該冷卻腔；及一壓力控制器，係組配成可以該變形壓力提供該聚焦材料至該聚焦腔。

在另一實施例中提出一種系統，其中該壓力控制器係進一步組配成可調整該聚焦材料之變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差。在一實施例中，藉由調整該聚焦材料之變形壓力以最大化一測得之極紫外線功率，來最小化該雷射聚焦誤差。在另一實施例中，藉由調整該聚焦材料之變形壓力以最小化該雷射光束之一測得發散誤差，來最小化該雷射聚焦誤差。

在又一實施例中提出一種系統，其中該冷卻控制器係進一步組配成可以一質量流提供該冷卻材料至一冷卻腔輸入埠，且該質量流係隨著該可變半徑鏡之一測得溫度而改變。

在再一實施例中提出一種系統，其中該壓力控 制器係進一步組配成可以一足夠低質量流提供該聚焦材料至該聚焦腔以避免在該反射表面中造成一微擾。

在一實施例中提出一種校準雷射光束之聚焦的方法，其包含：將一冷卻材料收納在一可變半徑鏡之一冷卻腔中；將一聚焦材料收納在該可變半徑鏡之一聚焦腔中，該聚焦腔安裝有一反射表面，該聚焦材料具有一變形壓力；在該反射表面接收一雷射光束且反射該接收之雷射光束至一聚焦光學件，且該聚焦光學件將該雷射光束聚焦在一極紫外線放射靶材上；及調整該聚焦材料之變形壓力，藉此使該可變半徑鏡之反射表面變形以最小化在該極紫外線放射靶材上之一雷射聚焦誤差。

在另一實施例中提供一種方法，其中調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差之步驟包含：調整該聚焦材料之該變形壓力以最大化由該極紫外線放射靶材所產生之一測得極紫外線功率。

在又一實施例中提供一種方法，其中調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差之步驟包含：調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化該雷射光束之一測得發散誤差。

在再一實施例中提供一種方法，其中收納一冷卻材料於該可變半徑鏡之一冷卻腔中之步驟更包含以一質量流收納該冷卻材料，且該質量流係隨著該可變半徑鏡之一測得溫度而改變。

在另一實施例中提供一種方法，其中收納該聚 焦材料於該聚焦腔中之步驟更包含以一足夠低質量流收納該聚焦材料以避免在該反射表面中造成一微擾。

100‧‧‧雷射引發電漿極紫外線光源

110‧‧‧冷卻控制器

112‧‧‧溫度感測器

120‧‧‧可變半徑鏡(VRM)

121‧‧‧輸出埠

122‧‧‧輸入埠

124‧‧‧冷卻腔

125‧‧‧埠

126‧‧‧聚焦腔

127‧‧‧反射表面

130‧‧‧壓力控制器

135‧‧‧光學計量模組

140‧‧‧極紫外線功率感測器

150‧‧‧液滴產生器

152‧‧‧液滴

160‧‧‧聚焦光學件

165‧‧‧焦點

170‧‧‧雷射源

172‧‧‧雷射光束

174‧‧‧反射光束

200‧‧‧聚焦方法

210,220,230,240‧‧‧步驟

圖1係依據一實施例之一雷射引發電漿極紫外線系統之圖。

圖2係依據一實施例之一聚焦方法的流程圖。

在本方法中，在一雷射引發電漿(LPP)極紫外線雷射源中之一極紫外線(EUV)放射靶材上之一雷射源的聚焦誤差，例如校準誤差係使用具有一聚焦腔及一分開之冷卻腔之一可變半徑鏡(VRM)來校準。在該聚焦腔中之一聚焦材料的壓力使安裝在該聚焦腔之一反射表面，改變該反射表面之半徑使得當該可變半徑鏡之反射表面反射來自一雷射源之光至一聚焦光學件，且最小化聚焦誤差，因此將更多雷射能量傳送至該極紫外線放射靶材且最大化該極紫外線功率。藉由以不在該反射表面產生多數微擾之一足夠低質量流保持該聚焦材料之壓力，該可變半徑鏡可校準聚焦且不在該反射表面中產生會干擾該雷射光束之聚焦之多數微擾。

圖1係依據一實施例之一雷射引發電漿極紫外線光源100之圖。例如一高功率CO₂雷射之一雷射源170產生一雷射光束172。雷射光束172被一可變半徑鏡(VRM)120之一反射表面127接收，且該反射表面127反射該雷射光束172成為一反射光束174至一聚焦光學件160。在一實施例中為 一透鏡之聚焦光學件160將該反射光束174聚焦至一焦點165。該雷射光束之測量係由一光學計量模組135提供。一液滴產生器150產生及噴出一適當極紫外線放射靶材之多數液滴152至焦點165。液滴152在焦點165被照射，產生發射極紫外線光之一電漿。獲得之極紫外線光係藉由一極紫外線功率感測器140測量。未顯示的是一橢圓形集光器，該橢圓形集光器聚焦來自該電漿之極紫外線光，用以將該產生之極紫外線光傳送至，例如，未顯示之一微影系統。

可變半徑鏡120具有一聚焦腔126及一冷卻腔124。反射表面127係安裝在該聚焦腔125之前方。反射表面127可為一薄金屬片，且該薄金屬片可選擇地具有適用於雷射源170之波長的抗反射塗層。在聚焦腔126中之一聚焦材料的壓力使反射表面127變形。該聚焦材料可為一氣體或一液體(例如水)。這變形改變反射表面127之一半徑，藉此改變反射至且通過聚焦光學件160之反射光束174的聚焦。

藉由改變反射表面127之半徑，壓力控制器130校準影響在焦點165照射該液滴152之該反射光束174之聚焦的可能問題以最大化極紫外線功率。該等問題包括在反射表面127接收之該雷射光束172的準直。

壓力控制器130透過一埠125以一變形壓力且以不會在該反射表面中產生多數微擾之一足夠低質量流提供聚焦材料至聚焦腔126。以該足夠低質量流提供聚焦材料至聚焦腔126使雷射聚焦誤差可最小化且不將會干擾該雷射 光束之聚焦的多數微擾導入該反射表面。

為達到該方法之目的，以一足夠低質量流提供聚焦材料表示以在反射表面127中產生多數微擾之一程度以下之一質量流在該聚焦腔中保持該變形壓力。該質量流程度將依據，例如，可變半徑鏡120之一或多數特性、壓力控制器130之多數特性、雷射源170及光徑之多數特性、及聚焦光學件160之聚焦要求而特定地實施。在一實施例中這質量流程度可藉由觀察增加質量流之程度直到由該質量流造成之微擾產生一不必要程度之雷射聚焦誤差為止來決定，如在此進一步說明地，如藉由減少測得之極紫外線功率、或減少測得之雷射光束品質中之一或多者來決定。

藉由被提供至聚焦腔126之該聚焦材料的變形壓力，壓力控制器130調整反射表面127之變形，且改變其半徑。藉由改變該變形壓力，例如由一第一穩態變形壓力至一第二穩態變形壓力，壓力控制器110防止在反射表面127中之微擾。

壓力控制器130調整被提供至聚焦腔126之該聚焦材料之變形壓力以校準在焦點165照射液滴152之反射光束174的聚焦而最小化一雷射聚焦誤差。

在一實施例中，藉由最大化來自被提供至該焦點之該極紫外線放射靶材液滴的一測得之極紫外線功率，壓力控制器130最小化雷射聚焦誤差。極紫外線功率感測器140決定由在焦點165被照射之液滴152所產生之極 紫外線功率。極紫外線功率感測器140可為例如由IMEC International生產之一光二極體極紫外線感測器，或所屬技術領域中習知之其他極紫外線感測器。壓力控制器130使用這感測之極紫外線功率調整該聚焦材料對聚焦腔126之變形壓力。最大化在焦點165被照射之液滴152上的雷射能量，使由該液滴發射之極紫外線功率最大化且因此最小化雷射聚焦誤差。

在另一實施例中，藉由最小化該雷射光束之一測得發散誤差，壓力控制器130最小化雷射聚焦誤差。光學計量模組135測量來自雷射源170之雷射光束的品質。該等測量在所屬技術領域中是習知的且可藉由使用例如一波前感測裝置之市售裝置達成。壓力控制器130使用這測量值，或來自光學計量模組135之其他雷射光束品質測量，以調整該聚焦材料對聚焦腔126之變形壓力。因此使該雷射光束發散之測量值最佳化可最小化雷射聚焦誤差。

在又一實施例中，壓力控制器130可使用該雷射光束之測得極紫外線功率及測得發散誤差之一組合來調整該聚焦材料對該聚焦腔126之變形壓力以最小化雷射聚焦誤差。

用於以一所欲變形壓力且以一足夠低質量流提供聚焦材料之一壓力控制器130例可為一或多數泵及貯器之一組合，且該泵及貯器之組合係，如所屬技術領域中習知地，藉由一控制器控制以提供一穩態壓力之聚焦材料至聚焦腔126之埠125。壓力控制器130使用一控制器依據來 自極紫外線功率感測器140之輸入來保持聚焦材料之一所欲變形壓力，且該控制器可為例如微處理器之可程式邏輯裝置。例如特定變形壓力之參數將依據，例如可變半徑鏡120、雷射源170、及聚焦光學件160之組態特定地實施，且可藉由所屬技術領域中具有通常知識者按照在此之教示決定。

一冷卻控制器110以一非零質量流提供一冷卻材料至冷卻腔124之一輸入埠122。該冷卻材料可為一氣體或一液體(例如水)。在該方法中，冷卻材料之一非零質量流表示足以移除由未被反射表面127反射之雷射光束172之部份所造成之熱的通過冷卻腔124之冷卻材料之一質量流。與可變半徑鏡120熱耦合之一溫度感測器112感測供冷卻控制器110使用之可變半徑鏡溫度。由聚焦腔126分開冷卻腔124可避免由通過冷卻腔124之冷卻材料之質量流在聚焦腔126及反射表面127上造成的多數微擾。

一冷卻控制器110例包含用以使該冷卻材料循環通過冷卻腔124之一泵，及回應溫度感測器112而控制該泵之速度的一泵控制器。該泵控制器可為例如一微處理器之可程式邏輯裝置，且該可程式邏輯裝置被程式化以讀取溫度感測器122及控制該泵，例如增加該泵之速度以隨著增加溫度而增加該冷卻流。

圖1中所示之實施例顯示具有輸入埠122及輸出埠121之一冷卻腔124；其他實施例可使用一不同數目之埠以支持冷卻材料流動通過冷卻腔124。所示之聚焦腔126具 有一單一埠125。通過一單一埠提供該聚焦材料至該聚焦腔，最小化通過該聚焦腔之流體流，因此有助於避免在反射表面127上之微擾。

以下請參閱圖2，顯示依據一實施例之一聚焦方法200的流程圖。

在步驟210中，將一非零質量流之冷卻材料收納在一可變半徑鏡冷卻腔中。在一實施例中，冷卻控制器110提供一非零質量流之冷卻材料至冷卻腔124之輸入埠122。流過冷卻腔124之冷卻材料移除由雷射光束172轉移至反射表面127之熱。

在步驟220中，將一足夠低質量流之聚焦材料提供至該可變半徑鏡聚焦腔。在一實施例中，壓力控制器130以一變形壓力且以一足夠低質量流通過埠125提供聚焦材料至聚焦腔126。如在此另外所述，一足夠低質量流表示以在反射表面127中產生多數微擾之一程度以下之一質量流在該聚焦腔中保持該變形壓力。一變形壓力及一足夠低質量流之該聚焦材料使反射表面127變形，且改變其半徑。以一足夠低質量流提供該聚焦材料決定反射表面127之半徑且不將會干擾該雷射光束之聚焦的多數微擾導入該反射表面。

在步驟230中，在該可變半徑鏡之一反射表面接收一雷射光束且將該雷射光束反射至一聚焦光學件，而該聚焦光學件將該反射光束聚焦在一極紫外線放射靶材上。在一實施例中，雷射源170將雷射光束172導引至反射 表面127且在此它被反射成反射光束174而到達聚焦光學件160。由壓力控制器130提供之一變形壓力及一足夠低質量流之該聚焦材料所決定的反射表面127之半徑改變在反射表面127接收之雷射光束172之特性而存在反射光束174中。該等改變藉由校準例如雷射光束172之準直之問題來最大化極紫外線功率。聚焦光學件160將反射光束174聚焦至焦點165，且來自液滴產生器150之液滴152在該焦點165被照射，因此產生一電漿，且該電漿接著產生極紫外線光。

在步驟240中，調整該聚焦材料之變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差。在多數實施例中，壓力控制器130調整該聚焦材料之變形壓力以透過一或多種方法最小化雷射聚焦誤差，如在此另外所述，例如藉由最大化所測得之極紫外線功率來最小化雷射聚焦誤差，或藉由最小化該雷射光束之測得發散誤差來最小化雷射聚焦誤差。藉由依據該等測量調整該變形壓力，壓力控制器130改變在反射表面127接收之雷射光束172之特性而存在反射光束174中。該等改變最小化該雷射聚焦誤差。舉例而言且如在此另外所述，藉由從一第一穩態變形壓力改變至一第二穩態變形壓力，冷卻控制器110藉由以該等第一與第二穩態變形壓力保持一足夠低質量流來防止在反射表面127中之微擾。

在此參照數實施例已說明所揭露之方法及裝置。所屬技術領域中具有通常知識者按照這揭露內容可了解其他實施例。可使用所述者以外之組態輕易地實現所述 方法及裝置之某些特性。

此外，亦可使用不同種類之雷射源、光徑、及/或聚焦透鏡。不同種類之泵、控制器、及/或控制邏輯裝置亦可使用且仍在本發明之範圍內。

又，亦應了解的是所述方法及裝置可以包括一製程、一裝置、或一系統之多種方式實施。應注意的是在此所述之方法的步驟順序可以改變且仍在本發明之範圍內。

應了解的是所提出之例子只是用以說明且可延伸至具有不同常規及技術之其他實施態樣及實施例。雖然說明了多數實施例，但是不是要限制本發明於在此揭露之該(等)實施例。相反地，意圖是要包含熟習所屬技術者了解之所有替代例、修改例及等效物。

在前述說明書中，本發明參照其特定實施例說明，但是所屬技術領域中具有通常知識者可了解本發明不限於此。可單獨地或組合地使用上述發明之各種特徵及特性。此外，在不偏離該說明書之廣義精神及範疇的情形下，本發明可使用在超出在此所述者之任何數目之環境及應用中。因此，該說明書及圖式應被視為是說明性的而限制性的。應了解的是在此使用之該等用語“包含”、“包括”、及“具有”係特別地應被解讀為開放型技術用語。

100‧‧‧雷射引發電漿極紫外線光源

110‧‧‧冷卻控制器

112‧‧‧溫度感測器

120‧‧‧可變半徑鏡(VRM)

121‧‧‧輸出埠

122‧‧‧輸入埠

124‧‧‧冷卻腔

125‧‧‧埠

126‧‧‧聚焦腔

127‧‧‧反射表面

130‧‧‧壓力控制器

135‧‧‧光學計量模組

140‧‧‧極紫外線功率感測器

150‧‧‧液滴產生器

152‧‧‧液滴

160‧‧‧聚焦光學件

165‧‧‧焦點

170‧‧‧雷射源

172‧‧‧雷射光束

174‧‧‧反射光束

Claims (17)

1. 一種系統，包含：一可變半徑鏡(a variable radius mirror)，具有一可變形(deformable)反射表面，且組配成(configured to)可在該反射表面處接收及反射一雷射光束，該可變半徑鏡具有：一冷卻腔(cooling cavity)，係組配成可通過一冷卻材料以冷卻該可變半徑鏡；及一聚焦腔(focusing cavity)，係組配成可收納(receive)一聚焦材料，且使該反射表面隨著該收納之聚焦材料之變形壓力之一函數(function)而變形；一冷卻控制器，係組配成可提供該冷卻材料至該冷卻腔；及一壓力控制器，係組配成可以該變形壓力提供該聚焦材料至該聚焦腔，其中該壓力控制器係組配成可調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差(laser focus error)，該壓力控制器係藉由進一步組配成可調整該聚焦材料之該變形壓力以最大化來自被提供至一焦點之一極紫外線放射靶材液滴(EUV-emitting target droplet)之一經量測(measured)極紫外線功率。
2. 如請求項1之系統，更包含一雷射源，其組配成可產生 該雷射光束。
3. 如請求項1之系統，更包含一聚焦光學件(optic)，其組配成可由該可變半徑鏡之該反射表面接收該反射雷射光束，且聚焦該反射雷射光束在該焦點處。
4. 如請求項3之系統，更包含一極紫外線放射靶材液滴產生器，其組配成可提供該極紫外線放射靶材液滴至該焦點。
5. 如請求項1之系統，其中該壓力控制器係可藉由進一步組配成可調整該聚焦材料之該變形壓力，以最小化該雷射光束之一經量測發散(divergence)誤差，而組配成可最小化一雷射聚焦誤差。
6. 如請求項1之系統，其中該冷卻材料係一液體。
7. 如請求項1之系統，其中該聚焦材料係一液體。
8. 如請求項1之系統，其中該冷卻控制器係進一步組配成可以一質量流(mass flow)提供該冷卻材料至一冷卻腔輸入埠，且該質量流係隨著該可變半徑鏡之一經量測溫度之一函數而改變。
9. 如請求項1之系統，其中該壓力控制器係進一步組配成可以一足夠低(sufficiently low)之質量流提供該聚焦材料至該聚焦腔，以避免在該反射表面中造成一微擾(perturbation)。
10. 如請求項1之系統，其中該聚焦腔具有一單一埠且該壓力控制器係組配成可提供該聚焦材料至該單一埠。
11. 如請求項1之系統，其中該冷卻腔具有一輸入埠及一輸 出埠，且該冷卻控制器係組配成可提供該冷卻材料至該輸入埠。
12. 一種校準(correcting)雷射光束之聚焦的方法，包含：將一冷卻材料收納在一可變半徑鏡之一冷卻腔中；將一聚焦材料收納在該可變半徑鏡之一聚焦腔中，該聚焦腔安裝有一反射表面，該聚焦材料具有一變形壓力；在該反射表面接收一雷射光束且反射該接收之雷射光束至一聚焦光學件，且該聚焦光學件將該雷射光束聚焦在一極紫外線放射靶材上；及調整該聚焦材料之該變形壓力，藉此使該可變半徑鏡之該反射表面變形以最小化在該極紫外線放射靶材上之一雷射聚焦誤差，其中調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化該雷射聚焦誤差包含：調整該聚焦材料之該變形壓力以最大化由該極紫外線放射靶材所產生之一經量測極紫外線功率。
13. 如請求項12之方法，更包含：產生該雷射光束，及導引(directing)該雷射光束至該可變半徑鏡之該反射表面。
14. 如請求項12之方法，更包含：在該聚焦光學件處接收來自該可變半徑鏡之該反射光束，及藉由該聚焦光學件聚焦該接收之反射光束在該極紫外線放射靶材上。
15. 如請求項12之方法，其中調整該聚焦材料之該變形壓力以最小化一雷射聚焦誤差之該步驟更包含：調整該聚 焦材料之該變形壓力以最小化該雷射光束之一經量測發散誤差。
16. 如請求項12之方法，其中將該冷卻材料收納在該可變半徑鏡之一冷卻腔中之該步驟更包含：以一質量流收納該冷卻材料，且該質量流係該可變半徑鏡之一經量測溫度之一函數。
17. 如請求項12之方法，其中將該聚焦材料收納在該聚焦腔中之該步驟更包含：以一足夠低之質量流收納該聚焦材料，以避免在該反射表面中造成一微擾，其係藉由觀察增加質量流之程度直到由該質量流造成之微擾產生一不必要程度(undesirable level)之雷射聚焦誤差為止來決定，其係藉由減少經量測之極紫外線功率、或減少經量測之雷射光束品質中之一或多者來決定。