TWI608554B - 使用經程式化缺陷設定一晶圓檢查流程 - Google Patents

Description

使用經程式化缺陷設定一晶圓檢查流程

本發明一般係關於使用經程式化缺陷設定一晶圓檢查流程。

以下描述及實例並非由於包含於此段落中而被認為係先前技術。

製造半導體裝置(諸如，邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量半導體製造程序處理一基板(諸如，一半導體晶圓)以形成半導體裝置之各種特徵部及多個層級。例如，微影蝕刻係包含將一圖案自一倍縮光罩傳送至配置在一半導體晶圓上之一光阻劑之一半導體製造程序。半導體製造程序之其他實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積，及離子植入。可在一單個半導體晶圓上之一配置中製造多個半導體裝置且接著將其等分割成個別半導體裝置。

在一半導體製造程序期間在各種步驟處使用檢查流程偵測晶圓上之缺陷以促進製造程序中之更高產率且因此更高利潤。檢查通常係製造半導體裝置(諸如，IC)之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，由於更小缺陷可引起裝置失敗，故檢查對於可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更重要。

存在用於設定檢查流程方法之許多當前使用方法。例如，一當前方法包含拿取具有一未知數目及位置之圖案化缺陷(可能沒有)之一 晶圓(覆蓋在晶片中)及使用「歷史性通用模式」及一實質上低臨限值檢查晶圓。實質上低臨限值意謂將可能偵測與所關注缺陷一起之一實質量之雜訊且需要在一掃描電子顯微鏡(SEM)上費力地檢視經偵測事件之所有者直至發現至少幾個圖案缺陷且將其等與雜訊分離。接著，可將圖案缺陷位置驅動至檢查器以檢查模式之全部或大部分以瞭解哪一個具有已發現缺陷之最高信號。

此方法之一優點係選擇最佳模式常常係非直觀的。例如，一晶圓檢查系統上之最短可用波長通常不將最佳信號提供給一給定缺陷類型。此外，用於明視場(BF)方法設定之產品晶圓之大部分將不含有所有類型之圖案缺陷(「類型」係大小、形狀、位置等之一組合)或甚至一非常有限數目之任一類型之所關注圖案缺陷。因此，在不使用許多許多晶圓用於模式資料收集之情況下不能知道各潛在缺陷類型之最佳模式。因此，資料收集耗費顯著時間，或最通常一晶圓廠選擇在一有限信號/雜訊資料集上冒險進行，因此冒著遺漏某些殺手缺陷類型之風險，這將引起晶圓產率暴跌且導致較少可銷售晶片。

另一當前使用方法包含將經程式化缺陷置於測試晶片內部(如相對於產品/可銷售晶片)，且發現最佳模式係使用該等經程式化缺陷。亦將雜訊資訊聚集在測試晶片上。然而，測試晶片不可表示所有類型之產品晶片。此外，產品晶片可在背景圖案中廣泛改變。一經程式化缺陷下方及緊鄰一經程式化缺陷之背景圖案將變更最佳於捕獲缺陷之模式。因此，若測試晶片與產品或可銷售晶片之背景圖案中存在差異，則接著可能使用測試晶片之選定為最佳模式之模式實際上可不係偵測產品晶片中之缺陷之最佳模式。此外，通常，在隨著時間發展之一程序上運行測試晶片。因此，若一最佳模式係使用一測試晶片上之經程式化缺陷選擇，則其可不再適用於當前產品晶片。

一額外當前使用方法包含將經程式化缺陷置於一晶圓上之劃線 區域中。劃線區域可緊鄰測試晶片或產品/可銷售晶片。接著可發現最佳模式係使用此等經程式化缺陷。然而，此等方法亦具有許多缺點。例如，可根本不收集雜訊資料或可僅將雜訊資料收集在劃線結構上。因此，雜訊資料可係局部雜訊且不表示真實晶圓寬度或晶片寬度，雜訊之最差案例。此外，背景圖案及通常薄膜堆疊及薄膜均勻性在劃線道中相較於產品晶片上之晶粒中係不同的。例如，劃線道通常包含量測厚度、覆蓋層、臨界尺寸等之測試墊及標靶。此等差異可導致選擇最佳用於偵測劃線道中之缺陷但不最佳用於偵測產品晶片中之缺陷之模式，其係其中檢查真正有關係的。此外，稍後將使用劃線區域切削晶圓(以切割)，藉此分割晶片，因此在此等區域中控制程序通常比晶粒中控制相當弱，其係因為劃線區域不對晶片功能及產率具有直接影響。因此，由於劃線與晶粒中區域之間存在顯著差異，故使用置於劃線區域中之經程式化缺陷挑選最佳模式可能導致選擇錯誤模式。

因此，發展不具有上文所述之缺陷之一或多者之晶圓檢查設定之方法及/或系統將係有利的。

各種實施例之下列描述不應以任何方式被解釋為限制隨附申請專利範圍之標的物。

一實施例係關於用於設定一晶圓檢查流程之一方法。該方法包含變更一產品晶片之一虛設區域之一設計，使得在一晶圓上印刷該虛設區域導致印刷多種缺陷。該等缺陷之兩者或兩者以上具有不同類型、一或多個不同特性、該設計中之不同內容，或其等之一組合。該方法亦包含使用一檢查系統之兩個或兩個以上光學模式掃描其上印刷經變更設計之一晶圓上之虛設區域，藉此運用檢查系統之一或多個偵測器產生針對兩個或兩個以上光學模式之各者之輸出。此外，該方法 包含選擇導致比藉由該兩個或兩個以上之光學模式之其他者產生之輸出更佳用於該等缺陷之一或多者之偵測之輸出之檢查系統之兩個或兩個以上之光學模式之至少一者。該方法進一步包含使用檢查系統之至少一選定光學模式掃描晶圓上之額外區域，藉此運用檢查系統產生額外輸出。該方法亦包含選擇導致最佳用於偵測用於晶圓檢查流程中之缺陷之一或多者之輸出及額外輸出之至少一選定光學模式之一或多者。其中藉由一或多個電腦系統執行變更及選擇步驟。

亦可如本文中進一步所描述執行上文所述之方法。因此，上文所述之方法可包含本文中所述之任何其他方法之任何其他步驟。此外，可藉由本文中所述之系統之任一者執行上文所述之方法。

另一實施例係關於一非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於設定一檢查流程之一經電腦實施之方法之程式指令。經電腦實施之方法包含上文所述之方法之步驟。可如本文中所描述進一步組態電腦可讀取媒體。可如本文中進一步所描述執行經電腦實施之方法之步驟。此外，程式指令可針對其執行之經電腦實施之方法之步驟可包含本文中所述之任何其他方法之任何其他步驟。

一額外實施例係關於包含經組態以變更一產品晶片之一虛設區域之一設計使得在一晶圓上印刷虛設區域導致印刷多種缺陷之一或多個電腦子系統之一晶圓檢查系統。兩個或兩個以上之缺陷具有不同類型、一或多個不同特性、設計中之不同內容，或其等之一組合。晶圓檢查系統亦包含一光學子系統，其經組態以使用光學子系統之兩個或兩個以上之光學模式掃描其上印刷經變更設計之一晶圓之虛設區域，藉此運用光學子系統之一或多個偵測器產生針對兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出。一或多個電腦子系統進一步經組態以選擇導致比藉由兩個或兩個以上之光學模式之其他者產生之輸出更佳用於缺陷之一或多者之偵測之輸出之光學子系統之兩個或兩個以上之光學模式 之至少一者。光學子系統亦經組態以使用光學子系統之至少一選定光學模式掃描晶圓上之額外區域，藉此運用光學子系統產生額外輸出。一或多個電腦子系統亦經組態以選擇導致最佳於用於晶圓檢查流程中之缺陷之一或多者之偵測之輸出及額外輸出之至少一選定光學模式之一或多者。可如本文中所描述進一步組態晶圓檢查系統。

100‧‧‧晶圓

102‧‧‧產品晶片晶粒

104‧‧‧虛設區域

106‧‧‧裝置區域

108‧‧‧劃線道

110‧‧‧虛設特徵部

112‧‧‧虛設特徵部

114‧‧‧虛設特徵部

116‧‧‧經程式化缺陷

118‧‧‧虛設特徵部

120‧‧‧經程式化缺陷

200、202、204、206、208、210、212‧‧‧缺陷

214、216、218、220‧‧‧內容

300‧‧‧非暫時性電腦可讀取媒體

302‧‧‧程式指令

304‧‧‧電腦系統

400‧‧‧光學子系統

404‧‧‧光源

406‧‧‧光束分光器

408‧‧‧折射光學元件

410‧‧‧晶圓

412‧‧‧偵測器

414‧‧‧電腦子系統

在閱讀下文詳細描述及參考隨附圖式之後即將明白本發明之其他目的及優點，其中：圖1係圖解說明包含其上形成之各包含虛設區域之多個產品晶片之一晶圓之一實施例之一平面圖之一示意圖；圖1a係圖解說明其中放大圖中展示其虛設區域(無經程式化缺陷)之兩者之圖1之一產品晶片之一實施例之一平面圖之一示意圖；圖1b係圖解說明其中放大圖中展示其虛設區域(無經程式化缺陷)之兩者之圖1之一產品晶片之一實施例之一平面圖之一示意圖；圖2係圖解說明可包含於如本文中所描述變更之一設計中之缺陷之各種實施例及缺陷之設計中之內容之各種實施例之平面圖之示意圖；圖3係圖解說明一非暫時性電腦可讀取媒體之一實施例之一方塊圖，其儲存可在一電腦系統上執行以執行本文中所描述之經電腦執行之方法之一或多者之程式指令；及圖4係圖解說明一晶圓檢查系統之一實施例之一側視圖之一示意圖。

儘管本發明可具有各種修改及替代形式，然而圖示中藉由實例展示且本文中將詳細描述其之特定實施例。然而，應瞭解本發明之圖式及詳細描述不意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，但正相反，本發明涵蓋落在如藉由隨附申請專利範圍定義之本發明之精神及範疇 內之所有修改、等效物及替代。

現轉向圖式，應注意圖式並非按比例繪製。特定言之，圖式之元件之一些之比例經很大程度地誇張以強調元件之特性。亦應注意圖式不按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示一個以上圖式中展示之可經類似組態之元件。除非本文中另有其他指示，所描述及展示之元件之任一者可包含任何合適市售元件。

本文中所描述之實施例一般係關於用於針對產品晶片(包含無晶圓晶片)使用嵌入在該等晶片之虛設圖案區域中之經程式化缺陷選擇最佳「檢查模式」之方法及系統。例如，一實施例係關於一種用於設定一晶圓檢查流程之方法。該方法包含變更一產品晶片之一虛設區域之一設計使得一晶圓上之虛設區域之印刷導致印刷多種缺陷。因此，該方法包含變更一產品晶片之一虛設區域之一設計以包含經程式化缺陷。在一實施例中，缺陷係圖案缺陷，且變更設計包含增加圖案化特徵部、移除圖案化特徵部或增加或移除虛設區域之設計中之圖案化特徵部。例如，經程式化缺陷係通常被定義為晶圓級看見，但藉由增加及/或移除圖案設計/布局處之圖案且接著遮罩製造階段(即，在使用遮罩印刷晶圓之前)故意地產生之圖案缺陷(與微粒及其他外界材料相對)之缺陷。

產品晶片並非一測試晶片。此外，虛設區域並非晶圓上之一劃線區域。例如，本文中所描述之實施例將「經程式化缺陷」置於一功能晶片內部，在通常經出售以製作消費型電子產品及其他產品之晶片中之已知為「虛設圖案」區域中(如相對於1)置於主要用於除錯一新的晶片製造程序且通常不出售之「測試晶片」中之經程式化缺陷或2)置於直接緊鄰晶片自身但仍在其等外部之「劃線」區域中之經程式化缺陷)。因此，本文中所描述之實施例使用產品晶片內部之具有經程 式化缺陷之虛設圖案取代產品晶片中之不具有經程式化缺陷之虛設圖案，而不使用用於放置經程式化缺陷之測試晶片或劃線道結構。

圖1圖解說明包含於本文中之圖解說明本文中所描述之各種區域之一晶圓布局之一實施例。例如，圖1展示具有形成於其上之複數個晶粒102之晶圓100。在圖1中所示之實施例中，晶粒102係產品晶片晶粒，其係因為該等晶粒經使用以形成市售或包含於市售產品中之產品晶片。儘管展示僅四個晶粒102形成於圖1中之晶圓上，然而晶圓可具有形成於其上之任何合適配置及任何數目之晶粒。

在晶圓上形成之晶粒之各者可包含裝置區域及虛設區域。例如，在圖1所示之實施例中，晶粒102包含虛設區域104及裝置區域106。此外，如圖1中所示，裝置區域包含不同類型之裝置區域。特定言之，如圖1之圖例所示，裝置區域可包含記憶體區塊(含有重複圖案)及不同類型之功能或邏輯區塊(例如，功能/邏輯區塊A、功能/邏輯區塊B、功能/邏輯區塊C，及功能/邏輯區塊D)。此外，晶粒可包含位於晶粒內之不同位置中之虛設區域。例如，如圖1中所示，虛設區域104之一者可位於晶片之非裝置區域(例如，如藉由圖1之圖例中之「剩餘之晶片區域」所示)中，非裝置區域係在不同裝置區域之間且仍在產品晶片內。通常使用「剩餘之晶片區域」連接晶片內之功能區塊且此區域之一大百分比常常由虛設圖案填充。此外，另一虛設區域104可位於晶片之裝置區域之另一者中(例如，在如圖1中所示之功能/邏輯區塊B中)。本文中所描述之產品晶片可包含此等虛設區域之任何配置(例如，晶片之一非功能區域中之一或多個虛設區域及/或一晶片之一功能裝置區域內之一或多個虛設區域)。

儘管虛設區域可位於產品晶片中之裝置區域內，然而通常而言虛設區域與裝置區域在晶粒內或晶圓上不重疊。例如，位於晶片之虛設區域中之虛設特徵部(不管虛設區域位於什麼地方)不再係裝置特徵 部。虛設區域通常包含虛設圖案特徵部，即不變成或形成最終產品晶片之任何功能部分之圖案特徵部)。代替性地，虛設圖案特徵部可形成於一晶粒或晶片之各種區域中以變更其他特徵部如何形成於晶粒或晶片中，或者被用於測試目的。相比之下，形成於晶片之裝置區域中之特徵部將變成最終產品晶片之功能部分。

圖1中所示之虛設及裝置區域之組態(例如，大小、形狀、位置等)僅係用於圖解說明本文中描述之實施例之各種特徵之一實例且不意謂表示任何實際產品晶片或限制本文中所描述之實施例。例如，虛設及裝置區域可具有不同於圖1中所示之該等形狀及尺寸之形狀及尺寸，且組態將仍在本文中所描述之實施例之範疇內。此外，產品晶片可包含產品晶片之任一者中之一個以上之虛設區域，且本文中之經程式化缺陷可被包含於該等虛設區域之任一或多者中。

圖1a及圖1b圖解說明可如何使用產品晶片內部之具有經程式化缺陷之虛設圖案取代產品晶片中之無經程式化缺陷之虛設圖案之一實例。例如，如圖1a中所示，虛設區域104之一者可包含一組虛設特徵部110，且虛設區域104之另一者可包含另一組之虛設特徵部112。此等虛設特徵部圖解說明無經程式化缺陷之一虛設圖案之不同實例。相比之下，如圖1b中所示，可使用經程式化缺陷取代或藉由經程式化缺陷變更包含於虛設區域中之虛設特徵部之一些。例如，如圖1b中所示，已藉由具有增加之經程式化缺陷116之新的虛設特徵部114取代圖1a中所示之虛設特徵部110之一些。此外，如圖1b中所示，已藉由具有增加之經程式化缺陷120之新的虛設特徵部118取代圖1a中所示之虛設特徵部112之一些。因此，如圖1b中可見，可將具有經程式化缺陷之虛設圖案增加至位於晶片之功能區域中及晶片之功能圖案區域之間之虛設區域。

應注意圖1a及圖1b中所示之圖案係「如所設計」圖案。換言之， 圖1a及圖1b中所示之圖案不表示未正確印刷在一晶圓上且因此係缺陷或有缺陷之特徵部。代替性地，圖1a及圖1b中所示之圖案圖解說明晶圓之設計資料如何表示特徵部。此等圖案如何印刷在晶圓上且因此出現在晶圓上可不同於此等圖式中所示。

可能將虛設圖案區域用於經程式化缺陷放置，其係因為大部分產品晶片具有其等區域之一顯著百分比用於所有或大部分層(例如，大於晶片區域之0.1%)上之虛設圖案。本文中所描述之經程式化缺陷可配合至小於晶片區域之0.1%之一區域中且仍可用於最佳模式選擇。

如圖1中進一步展示，劃線道108包含晶圓上之產品晶片晶粒102之各者之間之區域。因此，劃線道在晶粒之外部且鄰近於晶粒。因此，劃線道區域與晶粒區域在晶圓上不重疊。

兩個或兩個以上之缺陷具有不同類型、一或多個不同特性、設計中之不同內容，或其等之一組合。例如，兩個或兩個以上之缺陷可具有不同缺陷形狀特性。在此一實施例中，如圖2中所示，包含於或程式化至一虛設區域之一設計中之缺陷可包含各具有彼此不同之形狀之缺陷200、202、204、206、208、210，及212。當然，圖2中所示之形狀僅意謂表示可被程式化至虛設區域設計中之幾個可能缺陷形狀類型。經程式化缺陷之實際形狀將取決於使用者所關注缺陷之類型而改變。此外，缺陷可包含具有一特性相同且另一特性不同之兩個或兩個以上之缺陷。例如，虛設區域之設計可經變更以包含具有相同於圖2中所示之缺陷200之形狀之形狀之兩個以上之缺陷，且該等缺陷之各者可具有不同大小。

缺陷亦可包含具有相同形狀及/或設計中之不同內容之兩個或兩個以上之缺陷。在此一實例中，虛設區域之設計可經變更以包含具有如圖2中所示之缺陷200之形狀之形狀之兩個以上之缺陷，其各者位於設計中之一不同內容中。在此一實施例中，虛設區域之設計可經變更 以包含可表示產品晶片中之裝置結構之圖2中所示之不同內容214、216、218，及220之各者中之至少一缺陷(諸如，缺陷200)。當然，圖2中所示之內容僅意謂表示可程式化至虛設區域設計中之幾個可能缺陷內容類型。經程式化缺陷之實際內容將取決於使用者所關注之缺陷內容之類型而改變。因此，虛設區域設計可經變更以包含位於不同背景圖案上之相同缺陷。

一個以上之此等缺陷可位於具有相同形狀但不同大小之相同內容中。圖1b中展示各種此等實施例。特定言之，如圖1b所示，經程式化缺陷116各位於大致相同內容中且具有相同形狀但具有不同高度及不同寬度。此外，經程式化缺陷120位於相同內容中且具有彼此相同之形狀，但此等經程式化缺陷之各者具有不同於彼此經程式化缺陷之高度及寬度。

因此，若故意產生之所謂「程式化(圖案)缺陷」被放置於晶片內部，則可有效使用「程式化(圖案)缺陷」表示可發生在晶片內部之任何地方之圖案缺陷之所有類型。理論上，任何缺陷形狀/大小可任意發生在一裝置中。因此，為測試一檢查系統之能力以擷取每一可能缺陷，接著理想地將如產品晶片上之空間所容許多之不同形狀及大小之缺陷「程式化」至虛設區域中。在一些情況下，虛設區域中用於經程式化缺陷之空間可係有限的。在此等情況下，可排定程式化至虛設區域設計中之具有不同特性(例如，形狀及大小)之缺陷之優先順序。排定優先順序可取決於應用而改變，但排定優先順序之一方法可係基於缺陷毀掉由產品晶片形成之裝置之能力。例如，可給予圖案之線之間之橋接或靠近橋接缺陷高於附近不具有圖案之廣大敞開空間中之缺陷之優先權。此外，可選擇缺陷大小具有類似於所印刷之圖案之大小之一大小(不大於使檢查檢查系統確定捕獲每一可能模式(或每一經測試模式)中之缺陷之圖案且不小於使缺陷可決不引起一橋接或一開口之 圖案)。

虛設區域之設計亦可經變更以包含經程式化缺陷，同時確保用作為針對晶粒中經程式化缺陷之背景圖案(或內容)之晶粒中虛設圖案良好表示產品晶片之圖案、結構、線寬度等。因此，在一實施例中，設計中之不同內容包含具有相同於產品晶片之一裝置區域中之對應圖案化特徵部之特性之特性(例如，形狀、大小、定向等)之不同圖案化特徵部。此外，由於經程式化缺陷不位於測試晶粒或晶圓之劃線道區域中，故針對經程式化缺陷與針對經檢查層之裝置結構之經檢查之晶圓層及經檢查層下方之任何先前形成之層之特性實質上可相同。以此方式，在一實施例中，形成於晶圓檢查流程中檢查之一層下方之虛設區域中之一或多個層之特性實質上相同於形成於產品晶片之裝置區域中之一或多個層之特性。

接著可使用經程式化缺陷選擇檢查之一檢查工具之最佳模式(其中模式=諸如波長、像素大小或放大率、孔徑、聚焦值、偏光、光功率等參數值之一些組合)。例如，該方法亦包含使用一檢查系統之兩個或連個以上之光學模式掃描其上印刷經變更設計之一晶圓之虛設區域，藉此運用檢查之一或多個偵測器產生針對兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出。在一實施例中，掃描虛設區域包含僅掃描虛設區域中之缺陷之已知位置。例如，掃描可包含驅動至各種經程式化缺陷之已知位置及在該等位置處產生輸出。可以任何合適方式執行掃描，且可如本文中進一步描述組態檢查系統。

若可使用用於此掃描步驟之檢查系統之一個以上之模式同時產生晶圓之輸出，則接著可針對不同模式同時產生此步驟中產生之輸出之至少一些。然而，若無法使用用於此掃描步驟之檢查系統之一個以上之模式同時產生晶圓之輸出，則接著掃描可包含重複掃描虛設區域直至經測試之所有模式已產生輸出。例如，掃描步驟可包含使用一或 多個模式掃描虛設區域，接著變更檢查系統之一或多個參數之一或多個值使得可使用一或多個其他模式執行掃描。接著，可使用該等其他模式執行掃描。

在一實施例中，用於掃描虛設區域之兩個或兩個以上之光學模式包含可用在檢查系統上之所有光學模式。在一額外實施例中，用於掃描虛設區域之兩個或兩個以上之光學模式包含僅可用在檢查系統上之所有光學模式之一部分。例如，可在跨所有經程式化缺陷類型之虛設區域中使用檢查器可用之模式之一些或全部產生輸出。在此一實例中，若可用在檢查系統上之模式之一或多者先驗已知不適用於一給定晶圓上之關注缺陷類型之全部，則可不將該等模式用於本文中所描述之掃描步驟之任一者。

在一些實施例中，掃描虛設區域期間產生之輸出包含缺陷之缺陷信號資料。例如，掃描虛設區域可包含驅動至各種經程式化缺陷之已知位置及遍及檢查器可用之模式之一些或全部來收集缺陷信號資料。

該方法亦包含選擇導致比藉由兩個或兩個以上之光學模式之其他者產生之輸出更佳於缺陷之一或多者之偵測之輸出之檢查系統之兩個或兩個以上之光學模式之至少一者。在一實施例中，更佳於一或多個缺陷之偵測之該輸出包含具有最高值或若干值之缺陷信號資料。在另一實施例中，自動地執行掃描虛設區域及選擇兩個或兩個以上之光學模式之至少一者。在一實例中，如本文中所描述組態之一電腦子系統(或系統)可經組態以比較藉由用於掃描一缺陷之模式之各者(基於缺陷靠近缺陷)產生之缺陷信號資料。以此方式，可藉由比較步驟判定產生各缺陷之最高缺陷信號資料之模式或若干模式。可將產生經程式化缺陷之至少一者之最高缺陷信號資料之模式之各者用於現將描述之下一掃描步驟中。

該方法進一步包含使用檢查系統之至少一選定光學模式掃描晶圓上之額外區域，藉此運用檢查系統產生額外輸出。在一實施例中，掃描額外區域期間產生之額外輸出包含晶圓之雜訊資訊。在另一實施例中，晶圓上之額外區域包含至少一整個產品晶片。在一額外實施例中，晶圓上之額外區域包含將在晶圓檢查流程中檢查之晶圓之整個區域。例如，在一些情況下，可不在一檢查流程中掃描整個產品晶片。在此等情況下，經掃描之額外區域可包含至少(或僅)一旦設定之檢查流程中將掃描之產品晶片之區域。

藉由使用最高信號模式(如經發現使用虛設圖案經程式化缺陷)掃描功能晶片圖案(如相對於僅虛設圖案)之一顯著區域，可使用檢查系統聚集雜訊資訊。以此方式，該方法可包含掃描最差雜訊之晶片或晶圓之剩餘部分以容許基於相對最差雜訊之信號(如相對於相對局部雜訊之信號)選擇或校正最佳模式。在另一實施例中，自動地執行掃描額外區域。以此方式，此步驟亦可係自動的。

該方法亦包含選擇導致最佳於用於晶圓檢查流程中之缺陷之一或多者之偵測之輸出及額外輸出之至少一選定光學模式之一或多者。例如，可藉由判定將信號/雜訊分給各經程式化缺陷類型及/或位置上之各模式之後哪個模式(若干模式)具有最高信雜比值而選擇最佳模式(或若干模式)。此步驟亦可係自動地。因此，本文中描述之實施例容許方法設定中之模式選擇步驟自如今天執行之手動或半手動(且緩慢)變成使用本文中所描述實施例之自動(且快速)。

可取決於將在晶圓檢查流程中偵測之缺陷之類型執行上文所描述之選擇步驟及本文中所描述之任何其他步驟。例如，相同模式可不產生一種以上之缺陷類型之最佳缺陷信雜比。在此情況下，選擇更佳於缺陷之一或多者之偵測之兩個或兩個以上之光學模式之至少一者可導致選擇針對一缺陷類型之一組模式，針對另一缺陷類型之另一組模 式等。以此方式，在一些實施例中，選擇兩個或兩個以上之光學模式之至少一者包含選擇更佳於一或多個缺陷之一第一者之偵測之兩個或兩個以上之光學模式之一第一者及更佳於一或多個缺陷之一第二者之偵測之兩個或兩個以上之光學模式之一第二者。此外，選擇最佳於缺陷之一或多者之偵測之至少一選定光學模式之一或多者可導致選擇針對一缺陷類型之一模式及針對另一缺陷類型之另一模式。在此一實施例中，選擇至少一選定光學模式之一或多者包含選擇不同光學模式，其各者最佳於用於晶圓檢查流程中之一或多個缺陷之僅一些之偵測。

對於各產品晶片之檢查層，可將一方法敏感性度量輸出至使用者。此外，對於關於檢查器之各模式，工具可使用經程式化缺陷輸出展示可使用一高、中或低捕獲率捕獲哪種缺陷類型之資料，其可由輸出(諸如，一圖或表)中之不同色彩展示。例如，對於方法中考量之各光學模式，可產生一表，其包含一列之不同缺陷類型，使得各不同缺陷類型具有表中之一欄。表亦可包含針對缺陷類型列下方考量之各種缺陷特性之列。例如，表可包含不同列，一列針對所考量之各缺陷大小。該表亦可包含針對各種缺陷特性列下方之各種缺陷位置之一列，使得不同缺陷位置可被展示為此列中之子欄。因此，缺陷位置列可包含對應於其中經包含放置在諸如圖2中所示之該等位置之不同背景圖案位置上之欄之缺陷類型之不同子欄。

表中缺陷類型列下方之各格之內容可係指示針對缺陷類型、特性，及位置之一特定組合之捕獲率(caprate)之一色彩。例如，可使用綠色表示大於80%之一捕獲率，可使用黃色表示在50%與80%之間之一捕獲率，且可使用紅色表示小於50%之一捕獲率。可使用此種類型之資料決定需要運行哪個模式來捕獲哪種缺陷類型及大小。例如，若一使用者感到其等檢查器必須能夠使用大於80%之一捕獲率(表示10個此等缺陷可捕捉到8個)來偵測一特定背景圖案中之具有大於或等於 13nm之一大小之一圓形或環形缺陷，則接著可使用如上文所描述之一圖或表容易地判定具有此缺陷偵測能力之模式。

本文中所描述之方法亦包含關於晶圓檢查流程設定之任何其他步驟。例如，該方法可包含判定或選擇晶圓檢查流程之對準點，其可包含判定或選擇晶圓上之對準標記。對準點及/或標記經較佳選擇使得晶圓檢查流程使用相對精確x、y座標判定缺陷位置。晶圓檢查設定亦可包含關注區域選擇或判定。關注區域可經選擇以包含晶圓上之臨界區域，同時關注區域可不包含晶圓上之非臨界區域及晶圓上之虛設圖案區域。晶圓檢查設定亦可包含其中選擇檢查之最佳光功率之一光盒步驟。此外，晶圓檢查設定可包含其中判定分離缺陷與干擾之一臨限值(例如，一灰階像素值)之臨限值選擇。晶圓檢查設定可進一步包含設定晶圓檢查流程之一方格化程序。可執行方格化以分離缺陷與干擾(例如，使用晶圓上之經偵測事件之偵測器影像)。檢查器模式選擇(及其他方法設定步驟)可係自動地。

使用可如本文中進一步描述組態之一或多個電腦系統執行上文所描述方法之變更及選擇步驟。

本文中所描述之實施例針對設定晶圓檢查流程具有優於當前所使用方法之許多優點。例如，本文中所描述之實施例實現針對各圖案缺陷類型之最佳模式之更快選擇，藉此節省昂貴工具時間。本文中所描述之實施例亦提供針對各圖案缺陷類型之最佳模式之更可靠選擇，藉此減小遭遇產率損失之風險。例如，本文中所描述之實施例可幫助用於全世界半導體製造工廠中之晶圓檢查系統之設定及敏感度。晶圓廠常常彼此競爭來自無晶圓晶片製造者之交易。若遺漏殺手缺陷類型，其對一競爭者晶圓廠可意謂數百萬美元之交易之損失。本文中所描述之實施例減小「遺漏」發生之機會。儘管風險減小之百分比非常難以量化，即使僅發生一1%風險減小，然而此對世界上之每一晶圓 代工廠將係一百萬美元值。此外，本文中所描述之實施例提供各晶片、層，及缺陷類型組合上之每一缺陷大小之可量化圖案缺陷敏感度，藉此減小風險及成本。此外，本文中所描述之實施例減小檢查系統方法設定需要之晶圓及SEM檢視時間，藉此減小晶圓檢查方法設定之成本。

上文所描述方法之實施例之各者可包含本文中所描述之任何其他方法之任何其他步驟。此外，可藉由本文中所描述之系統之任一者執行上文所描述方法之實施例之各者。

本文中所描述之方法之全部可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存在一非暫時性電腦可讀取媒體中。結果可包含本文中所描述之結果之任一者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所描述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他合適儲存媒體。在結果已經儲存之後，結果可被存取至儲存媒體中且由本文中所描述之方法或系統實施例之任一者使用、經格式化以顯示至一使用者、由另一軟體模組、方法，或系統等使用。例如，在方法選擇最佳於用於晶圓檢查流程中之一或多個模式之後，該方法可包含將關於選定模式之資訊儲存在一儲存媒體中。

一額外實施例係關於一非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於設定一晶圓檢查流程之一經電腦實施之方法之程式指令。圖3中展示此一實施例。特定言之，如圖3中所示，非暫時性電腦可讀取媒體300包含可在電腦系統304上執行之程式指令302。經電腦實施之方法包含上文所描述方法之步驟。針對其程式指令可執行之經電腦實施之方法可包含本文中所描述之任何其他步驟。

實施諸如本文中所描述之該等方法之方法之程式指令302可儲存在電腦可讀取媒體300上。電腦可讀取媒體可係一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶，或此項技術中已知之任何其他合適非暫時性電 腦可讀取媒體。

可以各種方式之任一者實施程式指令，包含基於程序之技術、基於組件之技術，及/或物件定向技術等等。例如，如期望般，可使用ActiveX控件、C++物件、JavaBeans、Microsoft基礎類庫(「MFC」)，或其他技術或方法實施程式指令。

電腦系統可具有各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、大型電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備，或其他裝置。通常而言，術語「電腦系統」被被廣泛定義為涵蓋具有一或多個處理器之任何裝置，處理器執行來自一記憶體媒體之指令。電腦系統亦可包含此項技術中已知之任何合適處理器，諸如一平行處理器。此外，電腦系統可包含具有高速處理之一電腦平台及軟體，作為一獨立或一網路工具。

另一實施例係關於一晶圓檢查系統。圖4中展示此一工具之一實施例。晶圓檢查系統包含經組態用於變更一產品晶片之一虛設區域之一設計使得在一晶圓上印刷虛設區域導致印刷多種缺陷之一或多個電腦子系統。兩個或兩個以上之缺陷具有不同類型、一或多個不同特性、設計中之不同內容，或其等之一組合。電腦子系統可經組態以如本文中進一步所描述變更設計。

在一實施例中，如圖4中所示，晶圓檢查系統包含電腦子系統414。在圖4中所示之實施例中，電腦子系統耦合至光學子系統400。例如，電腦子系統可耦合至光學子系統之一偵測器。在此一實施例中，如圖4中所示，電腦子系統414耦合至光學子系統400之偵測器412(例如，藉由經圖4中之虛線展示之一或多個傳輸媒體，其可包含此項技術中已知之任何合適傳輸媒體)。電腦子系統可以任何合適方式耦合至偵測器。電腦子系統可以任何其他合適方式耦合至光學子系統，使得藉由光學子系統產生之晶圓之影像及任何其他資訊可被發送 至電腦子系統，且視需要使得電腦子系統可發送指令至光學子系統以執行本文中所描述之一或多個步驟。

或者，包含於系統中之電腦子系統可包含耦合至晶圓檢查系統之一光學子系統之一電腦子系統及/或未耦合至光學子系統之一電腦子系統。以此方式，電腦子系統之一者可係一獨立類型之電腦子系統，其可耦合至晶圓檢查系統之電腦子系統。例如，一獨立類型之電腦子系統可經組態以如本文中所描述變更設計，且耦合至一晶圓檢查系統之一光學子系統之一電腦子系統可經組態以執行本文中所描述之其他步驟。在此一實例中，獨立類型之電腦子系統可係另一工具(諸如，一電子設計自動化(EDA)工具)之部分。

晶圓檢查系統亦包含一光學子系統，其經組態以使用光學子系統之兩個或兩個以上之光學模式掃描其上印刷經變更設計之一晶圓之虛設區域，藉此運用光學子系統之一或多個偵測器產生針對兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出。例如，如圖4中所示，晶圓檢查工具包含光學子系統400。

如圖4中進一步展示，光學子系統包含光源404。光源404可包含此項技術中已知之任何合適光源，諸如一寬頻電漿光源。光源404經組態以將光引導至光束分光器406，其經組態以將光自光源404反射至折射光學元件408。折射光學元件408經組態以將光自光束分光器406聚焦至晶圓410。光束分光器406可包含任何合適光束分光器，諸如一50/50光束分光器。折射光學元件408可包含任何合適折射光學元件，且儘管圖4中展示折射光學元件408為一單個折射光學元件，然而其可由一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件取代。

因此，光源404、光束分光器406，及折射光學元件408可形成光學子系統之一照明通道。照明通道可包含任何其他合適元件(圖4中未顯示)，諸如一或多個偏光組件及一或多個濾光器(諸如，光譜濾光 器)。如圖4中所示，光源、光束分光器，及折射光學元件經組態使得光以一法線或大致法線入射角被引導至晶圓。然而，可以任何其他合適入射角將光引導至晶圓。

光學子系統可經組態以用任何合適方式掃描晶圓上方之光。

歸因於照明自晶圓410反射之光可由折射光學元件408收集且被引導穿過光束分光器406至偵測器412。因此，折射光學元件、光束分光器，及偵測器可形成光學子系統之一偵測通道。偵測器可包含此項技術中已知之任何合適成像偵測器，諸如一電荷耦合裝置(CCD)。此偵測通道亦可包含一或多個額外組件(圖4中未顯示)，諸如一或多個偏光組件、一或多個空間濾光器、一或多個光譜濾光器，及類似物。偵測器412經組態以產生回應於藉由偵測器偵測之經反射光之輸出。輸出可包含信號、信號資料、影像、影像資料，及任何其他合適輸出。

如上文所述，包含於光學子系統中之偵測器可經組態以偵測自晶圓反射之光。因此，包含於光學子系統中之偵測通道可被組態為一明視場(BF)通道。然而，光學子系統可包含可用於偵測歸因於晶圓之照明自晶圓散射之光之一或多個偵測通道(未顯示)。此外，可變更圖4中展示之偵測通道之一或多個參數，使得偵測通道偵測自晶圓散射之光。以此方式，光學子系統可被組態為一暗視場(DF)工具及/或一BF工具。

光學子系統可經以任何合適方式組態以具有一個以上之模式。在一些情況下，光學子系統可同時具有一個以上之模式(例如，若光學子系統包含一個以上之照明通道(圖4中未顯示)及/或一個以上之偵測通道(圖4中未顯示))。在其他情況下，光學子系統可依序具有一個以上之模式(例如，藉由改變一晶圓之掃描之間之一照明通道之一或多個參數(諸如照明波長、偏光、角度等)及/或一偵測通道之一或多個 參數(諸如偵測波長、偏光、角度等))。此外，光學子系統可同時具有若干模式及依序的其他模式。晶圓檢查系統可經組態以用任何合適方式控制用於任何晶圓之任何掃描之光學模式。

電腦子系統414經組態用於基於藉由光學子系統產生之輸出偵測晶圓上之缺陷。電腦子系統可經組態以用任何方式偵測晶圓上之缺陷。

包含於晶圓檢查系統中之電腦子系統亦經組態用於選擇導致比藉由兩個或兩個以上之光學模式之其他者產生之輸出更佳於缺陷之一或多者之偵測之輸出之光學子系統之兩個或兩個以上之光學模式之至少一者，其可如本文中所描述執行。光學子系統亦可經組態以使用光學子系統之至少一選定光學模式掃描晶圓上之額外區域，藉此運用光學子系統產生額外輸出，其可如本文中進一步所描述執行。電腦子系統進一步經組態用於選擇導致最佳於用於晶圓檢查流程中之缺陷之一或多者之偵測之輸出及額外輸出之至少一選定光學模式之一或多者，其可如本文中進一步所描述執行。此外，電腦子系統及光學子系統可經組態以執行本文中所描述之任何其他步驟。可如本文中所描述進一步組態圖4中所示之晶圓檢查系統。

應注意本文中提供圖4以大致圖解說明可包含於本文中所描述之晶圓檢查系統實施例中之一光學子系統之一組態。顯而易見，本文中所描述之光學子系統之組態可經變更以最佳化如設計一商用檢查系統時通常執行之系統之效能。此外，可使用一現存光學子系統(例如，藉由增加本文中所描述之功能至一現存檢查系統)(諸如，可自加利福尼亞洲米爾皮塔斯市之科天商業(KLA-Tencor)上購得之28XX、29XX，及Puma 9XXX系列工具)實施本文中所描述之晶圓檢查系統。對於一些此等系統，本文中描述之方法可被提供為系統之可選用功能(例如，除系統之其他功能之外)。或者，本文中描述之晶圓檢查系統 可經「從頭開始」設計以提供一全新系統。

熟習此項技術者由於此描述將明白本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。例如，提供用於使用經程式化缺陷設定一晶圓檢查流程之方法及系統。因此，此描述應被解釋為僅圖解說明性且係為教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應瞭解本文中展示及描述之本發明之形式應被視為目前較佳實施例。可用元件及材料替代本文中圖解說明及描述之該等元件及材料，可顛倒部分及程序，且可單獨利用本發明之某些特徵，如熟習此項技術者在具有本發明之此描述之益處之後將明白全部。在不脫離如隨附申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇之情況下可進行本文中所描述之元件之改變。

102‧‧‧產品晶片晶粒

104‧‧‧虛設區域

110‧‧‧虛設特徵部

112‧‧‧虛設特徵部

114‧‧‧虛設特徵部

116‧‧‧經程式化缺陷

118‧‧‧虛設特徵部

120‧‧‧經程式化缺陷

Claims (37)

1. 一種用於設定一晶圓檢查流程之方法，其包括：變更一產品晶片之一虛設區域之一設計，使得在一晶圓上印刷該虛設區域導致印刷多種缺陷，其中兩個或兩個以上之該等缺陷具有若干個不同類型、一或多個不同特性、該設計中之不同內容，或其等之一組合；使用一檢查系統之兩個或兩個以上光學模式掃描其上印刷該經變更設計之一晶圓上之該虛設區域，藉此運用該檢查系統之一或多個偵測器產生針對該兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出；選擇該檢查系統之該兩個或兩個以上光學模式之至少一者，其導致比藉由該兩個或兩個以上之光學模式之其他者產生之該輸出更佳用於該等缺陷之一或多者之偵測之該輸出；使用該檢查系統之該至少一選定光學模式掃描該晶圓上之若干個額外區域，藉此運用該檢查系統產生額外輸出；及選擇該至少一選定光學模式之一或多者，其導致最佳於用於該晶圓檢查流程中之該等缺陷之該一或多者之該偵測之該輸出及該額外輸出，其中藉由一或多個電腦系統執行該變更及選擇步驟。
2. 如請求項1之方法，其中該等缺陷係圖案缺陷，且其中變更該設計包括增加若干個圖案化特徵部、移除若干個圖案化特徵部，或增加及移除該虛設區域之該設計中之若干個圖案化特徵部。
3. 如請求項1之方法，其中該產品晶片並非一測試晶片。
4. 如請求項1之方法，其中該虛設區域並非該晶圓上之一劃線區域。
5. 如請求項1之方法，其中該晶圓上之該等額外區域包括至少該整個產品晶片。
6. 如請求項1之方法，其中該晶圓上之該等額外區域包括該晶圓檢查流程中將被檢查之該晶圓之整個區域。
7. 如請求項1之方法，其中該晶圓檢查流程中檢查之一層下方之該虛設區域中形成之一或多個層之若干個特性實質上相同於該產品晶片之裝置區域中形成之該一或多個層之該等特性。
8. 如請求項1之方法，其中掃描該虛設區域包括僅掃描該虛設區域中之該等缺陷之已知位置。
9. 如請求項1之方法，其中用於掃描該虛設區域之該兩個或兩個以上之光學模式包括可用在該檢查系統上之所有光學模式。
10. 如請求項1之方法，其中用於掃描該虛設區域之該兩個或兩個以上之光學模式僅包括可用在該檢查系統上之所有光學模式之一部分。
11. 如請求項1之方法，其中掃描該虛設區域期間產生之該輸出包括該等缺陷之缺陷信號資料。
12. 如請求項11之方法，其中更佳用於該一或多個缺陷之該偵測之該輸出包括具有最高值或若干個值之該缺陷信號資料。
13. 如請求項1之方法，其中自動地執行掃描該虛設區域及選擇該兩個或兩個以上之光學模式之至少一者。
14. 如請求項1之方法，其中掃描該等額外區域期間產生之該額外輸出包括該晶圓之雜訊資訊。
15. 如請求項1之方法，其中自動地執行掃描該等額外區域。
16. 如請求項1之方法，其中該設計中之該等不同內容包括具有與該產品晶片之一裝置區域中之若干個對應圖案化特徵部之特性相同之特性之若干個不同圖案化特徵部。
17. 如請求項1之方法，其中選擇該兩個或兩個以上之光學模式之至少一者包括選擇更佳用於該一或多個缺陷之一第一者之該偵測之該兩個或兩個以上之光學模式之一第一者及更佳用於該一或多個缺陷之一第二者之該偵測之該兩個或兩個以上之光學模式之一第二者。
18. 如請求項1之方法，其中選擇該至少一選定光學模式之一或多者包括選擇若干個不同光學模式，其等之各者最佳用於該一或多個缺陷之僅一些之該偵測，該一或多個缺陷之僅一些之該偵測係用於該晶圓檢查流程中。
19. 一種非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於設定一晶圓檢查流程之一經電腦實施之方法的程式指令，其中該經電腦實施之方法包括：變更一產品晶片之一虛設區域之一設計，使得在一晶圓上印刷該虛設區域導致印刷多種缺陷，其中兩個或兩個以上之該等缺陷具有若干個不同類型、一或多個不同特性、該設計中之不同內容，或其等之一組合；使用一檢查系統之兩個或兩個以上光學模式掃描其上印刷該經變更設計之一晶圓上之該虛設區域，藉此運用該檢查系統之一或多個偵測器產生針對該兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出；選擇該檢查系統之該兩個或兩個以上光學模式之至少一者，其導致比藉由該兩個或兩個以上光學模式之其他者產生之該輸出更佳用於該等缺陷之一或多者之偵測之該輸出；使用該檢查系統之該至少一選定光學模式掃描該晶圓上之若干個額外區域，藉此運用該檢查系統產生額外輸出；及選擇該至少一選定光學模式之一或多者，其導致最佳於用於 該晶圓檢查流程中之該等缺陷之該一或多者之該偵測之該輸出及該額外輸出。
20. 一種晶圓檢查系統，其包括：一或多個電腦子系統，其等經組態以變更一產品晶片之一虛設區域之一設計，使得在一晶圓上印刷該虛設區域導致印刷多種缺陷，其中兩個或兩個以上之該等缺陷具有若干個不同類型、一或多個不同特性、該設計中之不同內容，或其等之一組合，其中該一或多個電腦子系統之各者為具有一或多個處理器之一裝置，且其中該裝置執行來自一記憶體媒體之多個指令；及一光學子系統，其包含經組態以將光聚焦至一晶圓之一照明通道及經組態以回應來自於由該一或多個偵測器偵測之該晶圓之光而產生輸出之一或多個偵測器，其中該光學子系統經組態以使用該光學子系統之兩個或兩個以上光學模式掃描其上印刷該經變更設計之來自該晶圓上之該虛設區域上之該照明通道之光，藉此運用該光學子系統之該一或多個偵測器產生針對該兩個或兩個以上之光學模式之各者之輸出；其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以選擇該光學子系統之該兩個或兩個以上光學模式之至少一者，其導致比藉由該兩個或兩個以上光學模式之其他者產生之該輸出更佳用於該等缺陷之一或多者之偵測之該輸出；其中該光學子系統進一步經組態以使用該光學子系統之該至少一選定光學模式掃描該晶圓上之若干個額外區域，藉此運用該光學子系統產生額外輸出；且其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以選擇該至少一選定光學模式之一或多者，其導致最佳於用於該晶圓檢查流程中之該等缺陷之該一或多者之該偵測之該輸出及該額外輸出。
21. 如請求項20之系統，其中該等缺陷係圖案缺陷，且其中變更該設計包括增加若干個圖案化特徵部、移除若干個圖案化特徵部，或增加及移除該虛設區域之該設計中之若干個圖案化特徵部。
22. 如請求項20之系統，其中該產品晶片並非一測試晶片。
23. 如請求項20之系統，其中該虛設區域並非該晶圓上之一劃線區域。
24. 如請求項20之系統，其中該晶圓上之該等額外區域包括至少該整個產品晶片。
25. 如請求項20之系統，其中該晶圓上之該等額外區域包括該晶圓檢查流程中將被檢查之該晶圓之整個區域。
26. 如請求項20之系統，其中該晶圓檢查流程中檢查之一層下方之該虛設區域中形成之一或多個層之若干個特性實質上相同於該產品晶片之裝置區域中形成之該一或多個層之該等特性。
27. 如請求項20之系統，其中該光學子系統進一步經組態以藉由僅掃描該虛設區域中之該等缺陷之已知位置而掃描該虛設區域。
28. 如請求項20之系統，其中用於掃描該虛設區域之該兩個或兩個以上之光學模式包括可用在該光學子系統上之所有光學模式。
29. 如請求項20之系統，其中用於掃描該虛設區域之該兩個或兩個以上之光學模式僅包括可用在該光學子系統上之所有光學模式之一部分。
30. 如請求項20之系統，其中掃描該虛設區域期間產生之該輸出包括該等缺陷之缺陷信號資料。
31. 如請求項30之系統，其中更佳用於該一或多個缺陷之該偵測之該輸出包括具有最高值或若干個值之該缺陷信號資料。
32. 如請求項20之系統，其中該光學子系統進一步經組態以自動地 掃描該虛設區域，且其中自動地執行選擇該兩個或兩個以上之光學模式之至少一者。
33. 如請求項20之系統，其中該額外輸出包括該晶圓之雜訊資訊。
34. 如請求項20之系統，其中該光學子系統進一步經組態以自動地掃描該等額外區域。
35. 如請求項20之系統，其中該設計中之該等不同內容包括若干個不同圖案化特徵部，其具有與該產品晶片之一裝置區域中之若干個對應圖案化特徵部之特性相同之特性。
36. 如請求項20之系統，其中選擇該兩個或兩個以上之光學模式之至少一者包括選擇更佳用於該一或多個缺陷之一第一者之該偵測之該兩個或兩個以上之光學模式之一第一者，及選擇更佳用於該一或多個缺陷之一第二者之該偵測之該兩個或兩個以上之光學模式之一第二者。
37. 如請求項20之系統，其中選擇該至少一選定光學模式之一或多者包括選擇若干個不同光學模式，其等之各者最佳用於該一或多個缺陷之僅一些之該偵測，該一或多個缺陷之僅一些之該偵測係用於該晶圓檢查流程中。