顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，尤其關於一種具備輸入裝置之顯示裝置。
近年來，存在如下技術，即，於在顯示裝置之顯示面側安裝稱為觸控面板或觸控感測器之輸入裝置，且使手指或觸控筆(亦稱為stylus pen)等輸入工具等接近或接觸於觸控面板而進行輸入動作時，檢測並輸出輸入位置。此種具有觸控面板之顯示裝置除電腦以外，亦被廣泛地使用於行動電話等攜帶型資訊終端等。 例如於日本專利特開2015-64854號公報(專利文獻1)中記載有一種觸控螢幕一體型之顯示裝置，其係經由信號配線對複數個驅動電極之各者施加觸控掃描信號。 又，例如於日本專利特開2015-122057號公報(專利文獻2)中，記載有一種觸控螢幕面板一體型之顯示裝置，其係對群組化為複數個電極群之複數個電極之整體或一部分施加觸控驅動信號。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2015-64854號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-122057號公報
[發明所欲解決之問題] 作為檢測手指等與輸入裝置接觸之接觸位置之檢測方式之一，存在靜電電容方式。使用靜電電容方式之輸入裝置例如具有如下所述之構成。即，於輸入裝置之檢測面內，設置有連接於檢測電極之複數個電容元件。而且，利用於使手指或觸控筆等輸入工具與電容元件接近或接觸並進行輸入動作時，電容元件之靜電電容會發生變化之情況，而檢測輸入位置。以下，於本案之說明書中，有將使輸入工具與輸入裝置接近或接觸之檢測面之輸入動作記載為「觸碰」或「觸碰動作」之情形。又，有將輸入裝置檢測輸入工具之觸碰記載為「觸碰檢測」之情形。 具備輸入裝置之顯示裝置具備：複數個驅動電極，其等係於顯示圖像時，驅動光電層；觸碰檢測用電極，其係於觸碰檢測時，檢測座標面上之觸碰之位置。於驅動光電層之複數個驅動電極中之一部分可用作觸碰檢測用電極之情形時，與分別獨立地設置觸碰檢測用電極與複數個驅動電極之情形相比，電極之總數較少。 但是，於為了提高圖像之顯示動作或觸碰檢測動作之性能，而使顯示驅動用電極或觸碰檢測用電極之數量增加之情形時，連接於複數個電極之配線之佈局、或者控制顯示動作或觸碰檢測動作之半導體晶片之端子佈局複雜化。例如，於連接於觸碰檢測用之複數個電極之複數條配線路徑與控制顯示動作之顯示用驅動晶片連接之情形時，驅動晶片之端子數變多。驅動晶片之端子數增加會導致驅動晶片大型化、或驅動晶片之構造複雜化。 本發明之目的在於提供一種提高具備輸入裝置之顯示裝置之性能之技術。 [解決問題之技術手段] 若簡單地說明本案中所揭示之發明中之代表性者之概要，則如下所述。 作為本發明之一態樣之顯示裝置具備：光電層；第1驅動電極及第2驅動電極，其等驅動上述光電層；驅動晶片，其輸出影像信號；開關電路，其配置於上述驅動晶片之外部，選擇對上述第2驅動電極供給之電位，且具有第1開關元件及第2開關元件；移位暫存器電路，其連接於上述開關電路；及檢測電路，其檢測物體之接近或接觸。又，上述第1開關元件及第2開關元件之各者係藉由上述移位暫存器電路而選擇性地接通或斷開。又，上述檢測電路與上述第1開關元件及上述第2開關元件電性連接。
以下，一面參照圖式一面說明本發明之各實施形態。 再者，揭示不過僅為一例，關於業者可容易想到之確保發明之主旨之適當變更，當然包含於本發明之範圍內。又，為了使說明更明確，圖式有與實施之態樣相比模式性地表示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但終究為一例，並不限定本發明之解釋。 又，於本說明書與各圖中，有對於與已提出之圖中所述者相同之要素標註相同之符號，並適當省略詳細之說明之情況。 進而，於實施形態所使用之圖式中，亦有根據圖式而省略為了區分構造物而標註之影線之情形。 又，於本案中，所謂輸入裝置意味著將自外部輸入之指令作為信號進行檢測之裝置。於本案說明書中，對靜電電容檢測型之輸入裝置進行說明，其係檢測與相對於電極接近或接觸之物體之電容相應地發生變化之靜電電容，藉此，將輸入作為信號進行檢測。 檢測靜電電容之方式包含檢測以相互隔開之狀態對向配置之兩個電極之間的靜電電容的相互電容檢測方式(Mutual-Capacitive Sensing)。再者，於本案說明書中將相互電容檢測方式簡稱為相互電容方式。又，檢測靜電電容之方式包含檢測一個電極之靜電電容之自我電容檢測方式(Self-Capacitive Sensing)。再者，於本案說明書中將自我電容檢測方式簡稱為自我電容方式。上文中，關於自我電容方式，說明為檢測一個電極之靜電電容，詳細而言，檢測一個電極與例如接地電位等基準電位之間之靜電電容。於自我電容方式中，被供給基準電位之部分係以可於與電極之間形成可檢測出之靜電電容之程度之間隔距離配置於電極之周圍之導體圖案，且只要連接有固定電位之供給路徑，則形狀等並無特別限定。 又，所謂觸控面板係指輸入裝置之一態樣、即於使手指或觸控筆等輸入工具等接近或接觸而進行輸入動作時，檢測輸入信號，且算出並輸出觸碰位置之輸入裝置。換言之，觸碰位置係於檢測輸入信號之座標面檢測出輸入信號之位置之座標。 如觸控面板般，算出觸碰位置之輸入裝置多數情況下係與顯示裝置組合而利用。於本案中，將由相互獨立之零件組裝顯示裝置與輸入裝置且於顯示裝置與輸入裝置重疊之狀態下利用之、具有輸入功能之顯示裝置稱為外部安裝型或表嵌式之顯示裝置。又，將以於構成顯示圖像之顯示部之零件之間裝入有構成檢測輸入信號之輸入檢測部之零件中之一部分或全部之狀態被利用之具有輸入功能之顯示裝置稱為內置型、或內嵌式之顯示裝置。內嵌式之顯示裝置包含使構成輸入檢測部之零件中之一部分或全部兼用化為構成顯示部之零件中之一部分或全部之顯示裝置。又，內嵌式之顯示裝置包含並非使構成輸入檢測部之零件與構成顯示部之零件相互兼用化之顯示裝置。 又，以下之實施形態中所說明之技術可廣泛地應用於具備自顯示區域之周圍對設置有光電層之顯示區域之複數個元件供給信號之機構的顯示裝置。就如上所述之顯示裝置而言，例如可例示液晶顯示裝置、有機EL(Electro-Luminescence，電致發光)顯示裝置、或電漿顯示器裝置等各種顯示裝置。以下之實施形態中，作為顯示裝置之代表例，列舉液晶顯示裝置進行說明。 又，液晶顯示裝置係根據用以使作為顯示功能層之液晶層之液晶分子之配向變化的電場之施加方向，大體分類為以下兩種。即，作為第1分類，存在沿顯示裝置之厚度方向(或面外方向)施加電場之所謂縱向電場模式。縱向電場模式中存在例如TN(Twisted Nematic，扭轉向列)模式、或VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式等。又，作為第2分類，存在沿顯示裝置之平面方向(或面內方向)施加電場之所謂橫向電場模式。橫向電場模式中存在例如IPS(In-Plane Switching，共平面切換)模式、或作為IPS模式之一之FFS(Fringe Field Switching，邊緣場切換)模式等。以下所說明之技術亦可應用於縱向電場模式及橫向電場模式之任一者，於以下所說明之實施形態中，作為一例，列舉橫向電場模式之顯示裝置進行說明。 (實施形態1) ＜顯示裝置之構成＞ 圖1係表示作為一實施形態之顯示裝置之一個構成例之俯視圖。圖2係圖1所示之顯示裝置之顯示區域之一部分的放大剖視圖。圖3係表示圖1所示之顯示裝置中之共通電極之配置之一例的俯視圖。圖4係表示圖1所示之顯示裝置中之像素之等效電路圖。再者，於圖1及圖3中，為了易於理解而將顯示面板之構成構件分開記載於圖1與圖3。又，於圖2中，表示基板SUB1之厚度方向上之掃描線GL與信號線SL之位置關係之例，因而一同示出設置於與圖2不同之剖面之掃描線GL。 如圖1所示，顯示裝置DSP1具有顯示面板PNL1、驅動顯示面板PNL1之驅動晶片DRC1、及具備利用靜電電容方式進行觸碰檢測之功能之檢測部SE1。換言之，顯示裝置DSP1係具有觸碰檢測功能之顯示裝置。顯示面板PNL1具有顯示圖像之顯示面DS(參照圖2)。驅動晶片DRC1係具備驅動顯示面板PNL1之驅動電路之IC(Integrated Circuit)晶片。又，於圖1及圖3所示之例中，顯示裝置DSP1具有作為連接於顯示面板PNL1之配線構件之軟性配線板FWB1。檢測部SE1係具備控制觸碰檢測動作且對自檢測電極Rx(參照圖3)輸出之信號進行處理之檢測電路DCP1(參照圖3)之部分。檢測部SE1係形成於搭載於軟性配線板FWB1之觸碰檢測用之IC(integrated circuit，積體電路)晶片即檢測晶片TSC1。關於作為觸碰檢測電路之檢測部SE1及利用檢測部SE1之檢測方法將於下文進行敍述。再者，雖省略圖示，但顯示裝置DSP1亦可具有設置於顯示面板PNL1之外部之控制模組等，且控制模組經由軟性配線板FWB1而與顯示面板PNL1電性連接。再者，檢測電路DCP1亦可配置於驅動晶片DRC1之內部。 如圖1及圖2所示，顯示面板PNL1具有基板SUB1、與基板SUB1對向配置之基板SUB2(參照圖2)、及配置於基板SUB1與基板SUB2之間之作為光電層之液晶層LQ(參照圖2)。換言之，本實施形態之顯示裝置DSP1係具備作為光電層之液晶層LQ之液晶顯示裝置。再者，於本實施形態1中，可將基板SUB1改稱為陣列基板，且可將基板SUB2改稱為對向基板。 又，如圖2及圖3所示，顯示裝置DSP1具有呈矩陣狀設置於顯示面板PNL1之內部之複數個檢測電極Rx。詳細情況將於下文進行敍述，檢測部SE1係檢測複數個檢測電極Rx之各者之靜電電容之變化。顯示裝置DSP1係由於將複數個檢測電極Rx設置於顯示面板PNL1之內部，故而為內嵌式之具有觸碰檢測功能之顯示裝置。 如圖1及圖3所示，顯示面板PNL1具備顯示圖像之顯示區域(工作區域)DA。將俯視時相互交叉、較佳為正交之2個方向設為X軸方向及Y軸方向。此時，複數個檢測電極Rx係於俯視時在顯示區域DA內沿X軸方向及Y軸方向呈矩陣狀排列。即，複數個檢測電極Rx係於俯視時呈矩陣狀設置於顯示面板PNL1。再者，於本案中，所謂「於俯視時」意味著自與顯示面板PNL1之顯示面垂直之方向觀察之情形。 又，如圖2所示，顯示裝置DSP1具有背光單元BL。背光單元BL係配置於基板SUB1之背面側。作為此種背光單元BL，可應用各種形態，又，作為光源，可應用利用發光二極體(Light Emitting Diode：LED)者或利用冷陰極管(Cold Cathode Fluorescent Lamp：CCFL)者等中之任一者，關於詳細之構造係省略說明。 如圖1所示，驅動晶片DRC1係於俯視時之顯示面板PNL1中之顯示區域DA之外側之區域即非顯示區域NDA，設置於基板SUB1上。驅動晶片DRC1具有經由信號線SL而驅動作為光電層之液晶層LQ(參照圖2)之信號線驅動電路SD等。信號線驅動電路SD係經由信號線SL而對複數個像素PX之各者所具備之像素電極PE(參照圖4)供給影像信號Spic(參照圖4)。 又，顯示裝置DSP1具有複數根信號線SL、及複數個像素PX。於顯示區域DA中，於基板SUB1與基板SUB2之間配置有複數個像素PX。複數個像素PX係沿X軸方向及Y軸方向呈矩陣狀排列，且配置有m×n個(其中，m及n為正整數)。又，複數根信號線SL係分別沿Y軸方向延伸，且沿X軸方向相互隔開間隔而排列。圖1所示之例中，m根信號線SL依照信號線SL1、SL2及SLm之順序，自X軸方向之一側朝向另一側排列。複數根信號線SL之各者被引出至顯示區域DA之外側之非顯示區域NDA。複數根信號線SL之各者係經由作為將顯示區域DA內之信號線SL與驅動晶片DRC1相互連接之連接配線(亦稱為引出配線)之信號用連接配線SCL而與驅動晶片DRC1電性連接。 信號線SL及信號用連接配線SCL係傳輸影像信號之影像信號配線，信號線SL與信號用連接配線SCL能夠以如下方式加以區分。即，將連接於驅動晶片DRC1且對複數個像素PX供給影像信號之信號傳輸路徑中之配置於顯示區域DA內者稱為信號線SL，將位於顯示區域DA之外側者稱為信號用連接配線SCL。複數根信號線SL之各者係沿Y軸方向直線地延伸。另一方面，信號用連接配線SCL係將信號線SL與驅動晶片DRC1連接之配線，故而如圖1所示，於信號線SL與驅動晶片DRC1之間具有彎曲部。 再者，圖1所示之例中，信號線SL與驅動晶片DRC1係經由信號用連接配線SCL而直線地連接，但於信號線SL與驅動晶片DRC1之間亦可形成有未圖示之其他電路。例如，於信號線SL與驅動晶片DRC1之間，亦可介置有選擇紅色信號、綠色信號或藍色信號之RGB選擇開關。RGB選擇開關例如為多工器電路，選擇各色用之信號線SL並輸出所輸入之信號。於此情形時，連接RGB選擇開關與驅動晶片DRC1之信號用連接配線SCL之數量少於信號線SL之數量。 又，顯示裝置DSP1具有複數根掃描線GL、及作為輸出輸入至複數根掃描線GL之掃描信號之掃描信號輸出電路之掃描線驅動電路GD。掃描線驅動電路GD係於非顯示區域NDA中設置於基板SUB1上。驅動晶片DRC1係經由配線W1而連接於掃描線驅動電路GD。複數根掃描線GL係分別沿X軸方向延伸，且沿Y軸方向相互隔開間隔而排列。圖1所示之例中，n根掃描線GL係依照掃描線GL1、GL2及GLn之順序，自Y軸方向之一側朝向另一側排列。複數根掃描線GL之各者被引出至顯示區域DA之外側之非顯示區域NDA，且連接於掃描線驅動電路GD。又，複數根掃描線GL係與複數根信號線SL相互交叉。 於圖1中，模式性地表示掃描線驅動電路GD。掃描線驅動電路GD中亦可包含例如未圖示之複數個移位暫存器電路、及連接於移位暫存器電路且基於控制信號而選擇對掃描線GL供給之電位之開關元件(亦稱為切換(switching)元件)。又，圖1所示之例中，掃描線驅動電路GD係經由配線W1而與驅動晶片DRC1連接。驅動晶片DRC1係經由配線W1而將時脈信號或賦能信號等控制信號供給至掃描線驅動電路GD。又，圖1所示之例中，表示於X軸方向，於一側配置有掃描線驅動電路GD，於另一側未配置有掃描線驅動電路GD之例。但是，掃描線驅動電路GD之佈局存在各種變化例。例如，亦可為於圖1所示之X軸方向，於一側及另一側分別配置有掃描線驅動電路GD，且於掃描線驅動電路GD之間配置有顯示區域DA。又，例如，亦可為於驅動晶片DRC1與掃描線驅動電路GD之間，連接有將控制信號之波形整形之緩衝電路。 又，如圖3所示，顯示裝置DSP1具有複數個共通電極CE。又，顯示裝置DSP1具有於顯示裝置DSP1顯示圖像時，驅動共通電極CE之共通電極驅動電路(亦稱為共通電位電路)CD。共通電極CE係沿X軸方向及Y軸方向呈矩陣狀排列。於複數個共通電極CE之各者連接有共通線CML。共通電極CE係經由共通線CML而連接於開關電路部SWG。圖3所示之例中，共通電極驅動電路CD係形成於軟性配線板FWB1，且經由驅動晶片DRC1、共通電位供給線VCDL及開關電路部SWG而與複數個共通電極CE電性連接。 又，於本實施形態中，使用共通電極CE兼作為自我電容方式之觸碰檢測用檢測電極Rx之情形之例進行說明。因此，複數根共通線CML之各者具備作為將利用檢測電極Rx所檢測出之信號傳輸至檢測部SE1之檢測信號傳輸用之配線的功能。又，詳細情況將於下文進行敍述，本實施形態之顯示裝置DSP1係利用檢測電極Rx進行自我電容方式之觸碰檢測。因此，複數根共通線CML之各者具備作為用以對複數個檢測電極Rx之各者輸入作為寫入信號之驅動波形的信號傳輸用之配線之功能。 共通電極CE之數量亦可與圖1所示之像素PX之數量相同，但亦可少於像素PX。於作為檢測電極Rx進行動作之共通電極CE之數量與像素PX之數量相同之情形時，觸碰檢測之解像度與顯示圖像之解像度成為相同程度。又，於共通電極CE之數量少於像素PX之數量之情形時，觸碰檢測之解像度低於顯示圖像之解像度，可減少共通線CML之數量。通常，多數情況下，顯示圖像之解像度與觸碰檢測之解像度相比而較高。因此，共通電極CE之數量較佳為少於像素PX之數量。例如，於圖3所示之一個檢測電極Rx之平面面積為4 mm
2～36 mm
2左右之情形時，一個檢測電極Rx與數十個～數百個左右之像素PX重疊。 又，詳細情況將於下文進行敍述，連接有複數根共通線CML之開關電路部SWG係配置於驅動晶片DRC1之外部。圖3所示之例中，開關電路部SWG係於基板SUB1上之面中配置於非顯示區域NDA。開關電路部SWG係連接於移位暫存器電路SR。移位暫存器電路SR係將開關電路部SWG所具有之複數個開關元件(詳細情況將於下文進行敍述)選擇性地接通斷開之電路。圖3所示之例中，移位暫存器電路SR係配置於驅動晶片DRC1之外部。詳細而言，移位暫存器電路SR係於基板SUB1上之面中配置於非顯示區域NDA。於移位暫存器電路SR配置於驅動晶片DRC1之外部之情形時，驅動晶片DRC1之通用性提高。連接複數個檢測電極Rx之各者與檢測部SE1之信號傳輸路徑之佈局之詳細情況將於下文進行敍述。再者，移位暫存器電路SR亦可配置於驅動晶片DRC1之內部。 再者，上述形成有掃描線驅動電路GD(參照圖1)或共通電極驅動電路CD(參照圖3)之位置除圖1或圖3所示之態樣以外，存在各種變化例。例如，掃描線驅動電路GD及共通電極驅動電路CD中之任一者或兩者亦可形成於驅動晶片DRC1。又，例如，將共通電極驅動電路CD配置於圖1所示之基板SUB1上之形態亦包含於使共通電極驅動電路CD形成於非顯示區域NDA之形態。又，例如，亦可使共通電極驅動電路CD形成於顯示裝置DSP1之外部，且連接於軟性配線板FWB1。 又，如圖4所示，各像素PX具有像素開關元件PSW及像素電極PE。又，於本實施形態之例中，複數個像素PX共有共通電極CE。像素開關元件PSW例如包含薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)。像素開關元件PSW係與掃描線GL及信號線SL電性連接。像素開關元件PSW亦可為頂閘極型TFT及底閘極型TFT中之任一者。又，像素開關元件PSW之半導體層例如包含多晶矽(polysilicon)，但亦可為包含非晶矽者。 像素電極PE係電性連接於像素開關元件PSW。像素電極PE係介隔絕緣膜而與共通電極CE對向。共通電極CE、絕緣膜及像素電極PE係形成保持電容CS。 於基於影像信號而形成顯示圖像之顯示期間FLd(參照後述之圖11)，於像素電極PE與共通電極CE之間基於施加至各電極之驅動信號而形成有電場。而且，構成作為光電層之液晶層LQ之液晶分子係由形成於像素電極PE與共通電極CE之間之電場而驅動。例如，如本實施形態般，於利用橫向電場模式之顯示裝置DSP1中，如圖2所示，於基板SUB1設置有像素電極PE及共通電極CE。構成液晶層LQ之液晶分子係利用形成於像素電極PE與共通電極CE之間之電場(例如，邊緣電場中之與基板之主面大致平行之電場)而旋轉。 亦即，於顯示動作期間，像素電極PE及共通電極CE之各者係作為驅動光電層即液晶層LQ之驅動電極而動作。換言之，複數個像素電極PE之各者係驅動光電層之第1驅動電極。又，複數個共通電極CE之各者係驅動光電層之第2驅動電極。進而，如上所述，於本實施形態中，共通電極CE兼作為自我電容方式之觸碰檢測用檢測電極Rx。因此，複數個檢測電極Rx之各者亦可改稱為驅動光電層之第2驅動電極。以下，於本案說明書之說明中，記載為「檢測電極Rx」之情形係除特別附註有應以不同之含義內容加以解釋之註釋之情形以外，可改稱為「共通電極CE」或「驅動光電層之驅動電極」。 又，基板SUB1與基板SUB2係以相互隔開固定之間隔之狀態貼合。液晶層LQ被封入於基板SUB1與基板SUB2之間。基板SUB1具有玻璃基板或樹脂基板等具有透光性之絕緣基板10。又，基板SUB1係於絕緣基板10之與基板SUB2對向之側具有複數個導體圖案。複數個導體圖案中包含複數根掃描線GL、複數根信號線SL、複數根共通線CML、複數個共通電極CE、及複數個像素電極PE。又，於複數個導體圖案之各者之間介置有絕緣膜。配置於相鄰之導體圖案之間且使導體圖案相互絕緣之絕緣膜包含絕緣膜11、絕緣膜12、絕緣膜13、絕緣膜14、及配向膜AL1。再者，於圖2中，關於掃描線GL、共通電極CE、及共通線CML係分別逐一示出。 上述複數個導體圖案之各者係形成於經積層之複數層配線層。於圖2所示之例中，共通電極CE及像素電極PE係分別形成於不同之層，且於形成有共通電極CE之層之下層設置有三層配線層。於形成於絕緣基板10上之三層配線層中之設置於最靠絕緣基板10側之第1層配線層WL1，主要形成有掃描線GL。形成於配線層WL1之導體圖案例如包含鉻(Cr)、鈦(Ti)或者鉬(Mo)等金屬或其等之合金。 絕緣膜11係形成於配線層WL1及絕緣基板10之上。絕緣膜11例如為包含氮化矽或氧化矽等之透明之絕緣膜。再者，於絕緣基板10與絕緣膜11之間，除掃描線GL以外，亦形成有像素開關元件之閘極電極或半導體層等。 於絕緣膜11上，形成有第2層配線層WL2。於配線層WL2，主要形成有信號線SL。形成於配線層WL2之導體圖案例如包含利用鉬(Mo)或鈦(Ti)等夾著鋁(Al)而得之多層構造之金屬膜。配線層WL2之配線材料較佳為比電阻低於配線層WL1之配線材料。又，像素開關元件之源極電極或汲極電極等亦形成於絕緣膜11之上。圖2所示之例中，信號線SL係沿Y軸方向延伸。絕緣膜12係形成於信號線SL及絕緣膜11之各者之上。絕緣膜12例如包含丙烯酸系感光性樹脂。 於絕緣膜12上，形成有第3層配線層WL3。於配線層WL3，主要形成有共通線CML。形成於配線層WL3之導體圖案係與配線層WL2同樣地，例如包含利用鉬(Mo)或鈦(Ti)等夾著鋁(Al)而得之多層構造之金屬膜。圖2所示之例中，共通線CML係沿Y軸方向延伸。絕緣膜13係形成於共通線CML及絕緣膜12之各者之上。絕緣膜13例如包含丙烯酸系感光性樹脂。 共通電極CE係形成於絕緣膜13上。再者，共通電極CE係如上所述設置有複數個，且兼作為觸碰檢測用檢測電極Rx。共通電極CE較佳為ITO(Indium tin oxide，氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等透明之導電材料。再者，於顯示裝置為作為縱向電場模式之TN模式或VA模式等之顯示裝置之情形時，共通電極CE亦可形成於基板SUB2。又，於圖2所示之剖面中，於共通電極CE與共通線CML之間介置有絕緣膜13。但，如圖3所示，共通線CML之一部分與共通電極CE之一部分係電性連接。又，若為利用外界光之反射之反射型顯示裝置，則共通電極CE亦可為金屬材料。 絕緣膜14係形成於共通電極CE及絕緣膜13之各者之上。像素電極PE係形成於絕緣膜14上。各像素電極PE位於相互相鄰之2根信號線SL之間，且配置於與共通電極CE對向之位置。像素電極PE例如包含ITO或IZO等透明之導電材料或金屬材料。配向膜AL1係覆蓋像素電極PE及絕緣膜14。 另一方面，基板SUB2具有玻璃基板或樹脂基板等具有透光性之絕緣基板20。又，基板SUB2係於絕緣基板20之與基板SUB1對向之側具有作為遮光膜之黑矩陣BM、濾色器CFR、CFG及CFB、保護層OCL、配向膜AL2、及導電膜CDF。 黑矩陣BM係形成於絕緣基板20之基板SUB1側之面，且劃分各像素。濾色器CFR、CFG及CFB係分別形成於絕緣基板20之基板SUB1側之面，於俯視時，濾色器CFR、CFG及CFB之各自之一部分與黑矩陣BM重疊。濾色器CFR為紅色濾色器，濾色器CFG為綠色濾色器，濾色器CFB為藍色濾色器。保護層OCL係覆蓋濾色器CFR、CFG及CFB。保護層OCL包含透明之樹脂材料。配向膜AL2係覆蓋保護層OCL。 又，導電膜CDF係配置於絕緣基板20所具有之平面中之、與液晶層LQ對向之面的相反側之面。導電膜CDF例如包含ITO或IZO等透明之導電材料。導電膜CDF係作為抑制來自外部之電磁波之影響波及液晶層LQ等之屏蔽層而發揮功能。又，於驅動液晶層LQ之方式為TN模式或VA模式等縱向電場模式之情形時，由於在基板SUB2設置有電極，且該電極亦作為屏蔽層而發揮功能，故而可省略導電膜CDF。又，於進行利用相互電容方式之觸碰檢測之情形時，於絕緣基板20形成有經圖案化之複數個導電膜CDF，該複數個導電膜CDF亦可被用作觸碰檢測用檢測電極。 又，顯示裝置DSP1具有光學元件OD1及光學元件OD2。光學元件OD1係配置於絕緣基板10與背光單元BL之間。光學元件OD2係配置於絕緣基板20之上方、即隔著絕緣基板20而與基板SUB1為相反側。光學元件OD1及光學元件OD2分別至少包含偏光板，且亦可視需要而包含相位差板。 ＜利用自我電容方式之觸碰檢測＞ 其次，對顯示裝置DSP1利用檢測電極Rx檢測包含手指等物體之輸入工具之位置、即輸入位置之方法進行說明。 本實施形態之顯示裝置DSP1可使用自我電容方式，基於由檢測電極Rx所檢測出之靜電電容之變化而判斷輸入位置資訊。藉此，可檢測手指接觸於顯示裝置DSP1之觸碰檢測面TDS(參照圖2)之情況或手指接近於顯示裝置DSP1之觸碰檢測面TDS之情況。於本實施形態1中，觸碰檢測面TDS係光學元件OD2之面，且係與基板SUB2側為相反側之面。 以下，對使用自我電容方式之觸碰檢測(自我電容方式觸碰檢測)之原理及方法進行說明。但，顯示裝置DSP1亦可使用相互電容方式，基於由檢測電極Rx所檢測出之靜電電容之變化而判斷輸入位置資訊。再者，於本案說明書中，有將相互電容檢測方式簡稱為相互電容方式之情形。例如，亦可交替地實施自我電容方式與相互電容方式。或，於顯示裝置分別獨立地具有自我電容方式用之檢測電極與相互電容方式用之檢測電極之情形時，亦可一併進行自我電容方式與相互電容方式。 利用自我電容方式之輸入位置資訊之判斷係藉由如下而進行，即，將寫入信號寫入至各個檢測電極Rx，並讀取表示被寫入有寫入信號之各個檢測電極Rx所產生之靜電電容之變化之讀取信號。換言之，於藉由自我電容方式進行觸碰檢測之情形時，對檢測電極Rx自身輸入驅動信號，且基於自檢測電極Rx自身輸出之信號之變化而檢測物體之接近或接觸。 其次，說明使用自我電容方式之觸碰檢測方法之原理。自我電容方式係利用檢測電極Rx所具有之電容Cx1。又，自我電容方式係利用因觸碰檢測電極Rx之利用者之手指等而產生之電容Cx2。圖5～圖8係模式性地表示利用自我電容方式之觸碰檢測之電路動作之說明圖。 圖5及圖6係表示利用者之手指未觸碰顯示裝置DSP1之觸碰檢測面之狀態。因此，於檢測電極Rx與手指之間未產生靜電電容耦合。圖5係表示藉由開關SW1而將檢測電極Rx連接於電源Vdd之狀態。圖6係表示藉由開關SW1，而將檢測電極Rx與電源Vdd分離，且將檢測電極Rx連接於作為電容器之電容Cy1之狀態。 於圖5所示之狀態下，電荷Q1自電源Vdd流向電容Cx1，電容Cx1例如被充電。又，於圖6所示之狀態下，電荷Q2自電容Cx1流向電容Cy1，電容Cx1例如被放電。此處，所謂電容Cx1被充電係指將寫入信號寫入至檢測電極Rx。又，所謂電容Cx1被放電係指讀取表示檢測電極Rx所產生之靜電電容之變化之讀取信號。 另一方面，圖7及圖8係表示利用者之手指觸碰顯示裝置DSP1之觸碰檢測面之狀態。因此，於檢測電極Rx與手指之間產生靜電電容耦合。圖7係表示藉由開關SW1將檢測電極Rx連接於電源Vdd之狀態。圖8係表示藉由開關SW1將檢測電極Rx自電源Vdd阻斷，且將檢測電極Rx連接於電容Cy1之狀態。 於圖7所示之狀態下，電荷Q3自電源Vdd流向電容Cx1，電容Cx1例如被充電。又，於圖8所示之狀態下，電荷Q4自電容Cx1流向電容Cy1，電容Cx1例如被放電。 此處，相對於圖6所示之放電時被充電至電容Cy1之電壓之時間依存性，圖8所示之放電時被充電至電容Cy1之電壓之時間依存性係因存在電容Cx2，故而明顯不同。因此，於自我電容方式中，利用電容Cy1之電壓之時間依存性根據有無電容Cx2而有所不同之情況，而判斷輸入位置資訊(例如有無操作輸入)。 其次，對實現自我電容方式之電路之例進行說明。圖9係表示實現自我電容方式之電路之一例之圖。圖10係表示於圖9所示之電路中，自電源輸出之交流矩形波、檢測電極之電壓、及作為檢測器之輸出之電壓之時間依存性之例的說明圖。再者，於圖9中，將檢測電極Rx之電容表示為電容Cx1。又，圖3所示之開關電路部SWG係連接於圖9所示之檢測部SE1與檢測電極Rx之間。 如圖9所示，檢測電極Rx係以藉由使開關SW1進行接通斷開動作，而可切換與電源Vdd之電性連接狀態之狀態連接。又，檢測電極Rx係以藉由使開關SW2進行接通斷開動作，而可切換與檢測器DET(例如電壓檢測器)之電性連接狀態之狀態連接。檢測器DET係積分電路，例如包含運算放大器OPd、電容Cd及開關SW3。運算放大器OPd之反相輸入部、即圖9所示之運算放大器OPd中之標註「+」之記號之端子係經由開關SW2而與檢測電極Rx連接。又，對運算放大器OPd之非反相輸入部、即圖9所示之運算放大器OPd中之標註「-」之記號之端子輸入參照信號Vref。 又，如圖10所示，電源Vdd係輸出以時刻T01與時刻T02之時間差為週期且具有電壓Vdr之波形高度之交流矩形波Sg。交流矩形波Sg例如具有數kHz～數百kHz左右之頻率。檢測器DET係將與交流矩形波Sg相應之電流之變動轉換為電壓之變動(波形Vdet0及波形Vdet1)。 如使用圖9所作說明般，藉由使開關SW1及開關SW2進行接通斷開動作，可切換檢測電極Rx與電源Vdd及檢測器DET之電性連接狀態。於圖10中，於時刻T01之時序交流矩形波Sg使電壓上升相當於電壓Vdr之量。於時刻T01時，開關SW1(參照圖9)被設為接通狀態，開關SW2(參照圖9)被設為斷開狀態。於此情形時，於時刻T01，檢測電極Rx之電壓Vx亦上升相當於電壓Vdr之量。其次，於時刻T11之時序之前，使開關SW1為斷開狀態。此時，若開關SW1及開關SW2之兩者為斷開狀態，則檢測電極Rx為電性懸浮之狀態(即，浮動狀態)。但是，藉由檢測電極Rx之電容Cx1(參照圖5)、或對檢測電極Rx之電容Cx1加上藉由手指等之觸碰而追加之電容Cx2(參照圖7)所得之電容Cx1＋Cx2，可維持檢測電極Rx之電壓Vx之相當於電壓Vdr之量之上升。進而，於在時刻T11之時序之前使開關SW3(參照圖9)為接通狀態之後，於時刻T11之前使開關SW3為斷開狀態。藉由該重設動作而重設作為檢測器DET之輸出之電壓Vdet。進行該重設動作後之檢測器DET之電壓Vdet成為與參照信號Vref大致相等之電壓。 繼而，於時刻T11之時序使開關SW2為接通狀態。藉此，輸入至檢測器DET之反相輸入部之電壓變得與檢測電極Rx之電壓Vx相等。其後，根據與因檢測電極Rx之電容Cx1(或上述電容Cx1＋Cx2)、與檢測器DET中所包含之電容Cd(參照圖9)而產生之時間常數相應的回應速度，檢測器DET之反相輸入部之電壓減小至與參照信號Vref相同程度之值。於此情形時，儲存於檢測電極Rx之電容Cx1(或電容Cx1＋Cx2)之電荷移動至檢測器DET中所包含之電容Cd，故而檢測器DET之電壓Vdet上升。於手指等物體未觸碰檢測電極Rx時，電壓Vdet之波形成為實線所示之波形Vdet0，以Vdet0＝Cx1×Vdr/Cd之式表達。於手指等物體觸碰後附加有由該物體之影響所致之電容時，電壓Vdet成為虛線所示之波形Vdet1，以Vdet1＝(Cx1＋Cx2)×Vdr/Cd之式表達。 其後，於檢測電極Rx之電容Cx1(或電容Cx1＋Cx2)之電荷朝電容Cd充分移動之後之時刻T31之時序使開關SW2(參照圖9)為斷開狀態，使開關SW1(參照圖9)及開關SW3(參照圖9)為接通狀態。藉由該動作，檢測電極Rx之電壓成為與交流矩形波Sg之低位準、即矩形波中之相對較低之電壓位準相等之電壓。又，藉由上述之使開關SW2為斷開狀態且使開關SW3為接通狀態之重設動作，作為來自檢測器DET之輸出之電壓被重設。再者，此時，使開關SW1為接通狀態之時序只要為於使開關SW2為斷開狀態之後且時刻T02以前，則可為任一時序。又，使檢測器DET重設之時序只要為於使開關SW2為斷開狀態之後且時刻T12以前，則亦可為任一時序。 於進行觸碰檢測之動作期間，針對圖3所示之複數個檢測電極Rx之各者，以特定之頻率(例如數kHz～數百kHz左右)重複進行使用圖5～圖10所說明之動作。而且，基於波形Vdet0與波形Vdet1之差量之絕對值｜ΔV｜，可測定有無自外部觸碰至觸碰檢測面之物體(有無觸碰)。 再者，於該區中，列舉自我電容方式之動作原理及實現自我電容方式之電路之代表性之例進行說明。但是，實現自我電容方式之方法存在各種變化例。例如，亦可代替上述利用自我電容方式之觸碰檢測，或除上述利用自我電容方式之觸碰檢測以外，而實施如下所述之變化例之觸碰檢測。即，於手指等物體未觸碰至觸碰檢測面之情形時，檢測電極Rx之電壓Vx之波形成為實線所示之波形Vx0。於手指等物體觸碰後附加有由該物體之影響所致之電容Cx2時，檢測電極Rx之電壓Vx之波形成為虛線所示之波形Vx1。因此，若對波形Vx0與波形Vx1分別下降至圖10中使用二點鏈線例示性地表示之閾值電壓Vth為止之時間進行測定並加以比較，則可判定有無自外部觸碰至觸碰檢測面之物體(有無觸碰)。 ＜觸碰檢測方法＞ 其次，對在本實施形態之顯示裝置DSP1之觸碰檢測面TDS(參照圖2)上檢測觸碰之方法、及輸出觸碰位置之座標之方法進行說明。圖11係表示於圖3所示之顯示裝置中，顯示處理動作與觸碰檢測動作之時序圖之例之說明圖。又，圖12係表示連接於圖3所示之觸碰檢測用電路之配線佈局之例的俯視圖。於圖12中，模式性地表示於利用圖3所示之觸碰檢測用電路之觸碰檢測動作中，圖11所示之複數個檢測期間FLt中之檢測期間FLtB之電路動作之例。又，圖29及圖30之各者係表示作為針對圖3之研究例之顯示裝置中之檢測信號線之佈局之例的俯視圖。 於圖12中，為了易於理解，示出複數個檢測電極Rx以4列×4行排列之例。又，對複數個檢測電極Rx之各者標註對應於排列位置之符號。於圖12中，為了易於理解圖，於圖之旁側模式性地示出複數個檢測電極Rx之排列圖案，且於排列圖案內記載對應於上述排列位置之符號。又，於圖12中，沿著X軸方向排列有複數個開關元件SWd、複數個開關元件SWn及複數個開關元件SWp，但為了易於理解，而對位於各排列之一端部之開關元件代表性地標註符號。又，於圖12中，對複數個檢測電極Rx中被選擇作為觸碰檢測之對象之狀態之檢測電極Rx附上影線。例如，圖12係例示性地表示圖11所示之各期間中、檢測期間FLtB時之開關之接通斷開狀態，且表示選擇檢測單位RxB之狀態。 如圖11所示，本實施形態之顯示裝置DSP1具有：顯示動作期間，其實施形成顯示於顯示面DS(參照圖2)之圖像之顯示動作；及觸碰檢測動作期間，其實施檢測手指等物體觸碰至觸碰檢測面TDS之觸碰檢測動作。以下，於本說明書中，將顯示動作期間記載為顯示期間，將觸碰檢測動作期間記載為檢測期間。但，亦有例外地使用顯示動作期間、觸碰檢測動作期間、或觸碰檢測期間等用語之情形。 顯示裝置DSP1係重複實施顯示動作與觸碰檢測動作。因此，於圖11所示之時序圖中，複數個顯示期間FLd與複數個檢測期間FLt係沿著時間軸TL交替地重複實施。再者，顯示裝置DSP1切換顯示期間FLd與檢測期間FLt之方法並無特別限定，可應用各種方法。例如，如圖12所示，若顯示裝置DSP1具有具備控制顯示裝置DSP1之各電路之動作時序之時序控制電路的控制電路部CTC之情形時，藉由控制電路部CTC而實施顯示期間FLd與檢測期間FLt之切換。控制電路部CTC具備可輸出起始脈衝信號CSst、時脈信號CScl、或重設信號(圖示省略)等控制信號之一個或複數個控制電路，顯示裝置DSP1之各電路係藉由輸入上述控制信號而實施動作狀態之切換。於圖12中，模式性地表示控制電路部CTC對移位暫存器電路SR輸出起始脈衝信號CSst及時脈信號CScl之情況。又，於圖12所示之例中，控制電路部CTC係形成於驅動晶片DRC1。但，形成控制電路部CTC之位置存在各種變化例，例如亦可形成於圖3所示之基板SUB1、軟性配線板FWB1、或檢測晶片TSC1。 且說，作為對複數個Rx之各者實施觸碰檢測之方法，有對複數個檢測電極Rx之全部以相同之時序實施觸碰檢測動作之方法。換言之，有一併檢測複數個檢測電極Rx之全部之靜電電容之變化的方法。但是，於此情形時，必須如圖29所示之研究例之顯示裝置DSR1般，將複數個檢測電極Rx之各者與檢測部SE1經由相互分離之檢測信號線DSL而電性連接。於此情形時，檢測信號線DSL之配置密度增加，故而配置其他配線(例如信號用連接配線SCL等)之空間受到限制。 又，作為提高俯視時之每單位面積之配線之密度的方法，有如下方法：以於厚度方向重疊之方式積層複數層配線層，並以相互重疊之狀態配置複數根配線。但是，於厚度方向積層複數層配線層之技術係越增加積層之配線層數，難度越增加，製造步驟越複雜化。又，當複數條配線路徑於厚度方向重疊時，有如下情形：根據各配線路徑所傳輸之信號之種類或重疊方法，流向一配線路徑之電流作為另一配線路徑中所傳輸之信號之雜訊成分而造成影響。尤其是，利用自我電容方式之觸碰檢測與利用相互電容方式之觸碰檢測相比，傳輸檢測信號之路徑容易受到雜訊影響。因此，藉由使非顯示區域NDA(參照圖3)中之配線密度減少，可減少複數個信號傳輸路徑中之雜訊成分，而提高信號傳輸之可靠性。就使非顯示區域NDA中之配線密度減少之觀點而言，較佳為配置於非顯示區域NDA之檢測信號線DSL之數量變少。 因此，圖12所示之本實施形態之顯示裝置DSP1係於檢測期間FLt(參照圖11)，依序選擇複數個檢測電極Rx中之分別包括一個或複數個檢測電極Rx(亦稱為構成電極)之群組(亦稱為檢測單位、檢測區塊或構成電極群)，並對所選擇之檢測電極Rx之群組實施觸碰檢測動作。圖12所示之例中，複數個檢測電極Rx之各者之沿著X軸方向排列之四個檢測電極Rx構成於圖11所示之1次檢測期間FLt被檢測之檢測電極Rx之群組即檢測單位。圖12所示之例中，於互不相同之時序之檢測期間FLt被檢測之檢測單位RxA、檢測單位RxB、檢測單位RxC及檢測單位RxD係沿著Y軸方向排列。 又，構成各檢測單位之檢測電極Rx之各者亦能以如下方式表現。即，包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxA包含沿著X軸方向排列之構成電極Rx1A、構成電極Rx2A、構成電極Rx3A及構成電極Rx4A。又，包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxB包含沿著X軸方向排列之構成電極Rx1B、構成電極Rx2B、構成電極Rx3B及構成電極Rx4B。又，包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxC包含沿著X軸方向排列之構成電極Rx1C、構成電極Rx2C、構成電極Rx3C及構成電極Rx4C。又，包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxD包含沿著X軸方向排列之構成電極Rx1D、構成電極Rx2D、構成電極Rx3D及構成電極Rx4D。 於圖11所示之複數個檢測期間FLt中之作為第1檢測期間之檢測期間FLtA，選擇屬於圖12所示之檢測單位RxA之檢測電極Rx。換言之，於檢測期間FLtA，對屬於檢測單位RxA之構成電極Rx1A～構成電極Rx4A之各者實施使用圖5～圖10所說明之利用自我電容方式之觸碰檢測動作。 於在檢測期間FLt之後實施之顯示期間FLd，如使用圖1～圖4所作說明般，基於影像信號而驅動作為光電層之液晶層LQ(參照圖2)，從而形成顯示圖像。詳細情況將於下文進行敍述，檢測期間FLt與顯示期間FLd之切換係藉由基於自圖12所示之控制電路部CTC輸出之控制信號，使開關電路部SWG所具有之開關元件SWd、開關元件SWp及開關元件SWn動作而實施。 其次，於圖11所示之複數個檢測期間FLt中之作為第2檢測期間之檢測期間FLtB，選擇屬於圖12所示之檢測單位RxB之檢測電極Rx。換言之，於檢測期間FLtB，對屬於檢測單位RxB之構成電極Rx1B～構成電極Rx4B之各者實施使用圖5～圖10所說明之利用自我電容方式之觸碰檢測動作。自顯示期間FLd至檢測期間FLtB之切換動作係藉由基於自圖12所示之控制電路部CTC輸出之控制信號使開關電路部SWG所具有之開關元件SWd、開關元件SWp及開關元件SWn動作而實施。 以下，一面同樣地交替地實施顯示期間FLd與檢測期間FLt，一面實施圖11所示之檢測期間FLtC及檢測期間FLtD。於檢測期間FLtC及檢測期間FLtD實施之動作係與上述檢測期間FLtA及檢測期間FLtB相同，故而省略重複之說明。 於圖12所示之顯示裝置DSP1之情形時，若於檢測期間FLtD(參照圖11)完成針對屬於檢測單位RxD之檢測電極Rx之觸碰檢測動作，則針對所有檢測電極Rx之觸碰檢測動作完成。於在檢測期間FLtA～檢測期間FLtD為止之期間，存在檢測出觸碰之檢測電極Rx之情形時，於觸碰檢測面TDS(參照圖2)，算出檢測出觸碰之檢測電極Rx之位置之座標，並將座標資料輸出至外部電路。未圖示之外部電路係基於所獲取之座標資料而變更顯示區域DA之圖像。位置座標之算出及座標資料之輸出亦可由例如圖12所示之檢測部SE1中所包含之電路(例如，運算處理電路等資料處理電路)進行。但，形成有上述資料處理電路之部位並不限定於檢測部SE1。例如，既可於基板SUB1上形成資料處理電路，亦可於驅動晶片DRC1內形成資料處理電路。又，上述資料處理電路既可形成於軟性配線板FWB1，亦可形成於與顯示面板PNL1隔開之部位且連接於軟性配線板FWB1。 又，於在檢測期間FLtA～檢測期間FLtD為止之期間，無檢測出觸碰之檢測電極Rx之情形時，不向外部電路輸出座標資料。或，亦可為上述資料處理電路係將意味著無檢測出觸碰之檢測電極Rx之情況之信號輸出至外部電路。 顯示裝置DSP1係根據有無檢測出觸碰之檢測電極Rx，而重複實施圖11所示之檢測期間FLtA～檢測期間FLtD為止之觸碰檢測動作之循環。藉此，可連續地監視有無觸碰。 於如本實施形態般，依序選擇分別包括一個或複數個檢測電極Rx之檢測單位，並輪流實施觸碰檢測動作之方式(以下，記載為檢測單位選擇方式)之情形時，可使連接於檢測部SE1之檢測信號線DSL之根數減少。例如，於圖12所示之例中，於對16個檢測電極Rx之全部以相同之時序實施觸碰檢測動作之情形時，檢測信號線DSL之數量必須為16根。但是，若如圖12所示般依序選擇分別包括4個檢測電極Rx之檢測單位RxA、RxB、RxC及檢測單位RxD，則檢測信號線DSL之數量宜為4根。再者，圖12所示之例中，於檢測部SE1連接有包含4根檢測信號線DSL之8根配線。其理由將於下文進行敍述。 如上所述，於應用檢測單位選擇方式之情形時，使開關電路部SWG介置於複數個檢測電極Rx與檢測部SE1之間，藉此可依序選擇實施觸碰檢測動作之電路。因此，可減少連接於圖9所示之檢測部SE1之檢測器DET之檢測信號線DSL之根數。然而，根據本案發明者之研究，判明因開關電路部SWG之佈局而產生新的問題。即，如圖30中作為研究例而示出之顯示裝置DSR2，於開關電路部SWG形成於驅動晶片DRC2之情形時，可使將驅動晶片DRC2之開關電路部SWG與檢測部SE1電性連接之檢測信號線DSL1之根數變少。但是，將驅動晶片DRC2之開關電路部SWG與複數個檢測電極Rx電性連接之檢測信號線DSL2之數量必須為與檢測電極Rx相同之個數。 於此情形時，必須使複數根檢測信號線DSL2之各者以相互分離之狀態連接於驅動晶片DRC2，故而驅動晶片DRC2之端子數變多。而且，驅動晶片DRC2之端子數增加會導致驅動晶片DRC2之大型化、或驅動晶片DRC2之構造之複雜化。又，驅動晶片DRC2之大型化、或驅動晶片DRC2之構造之複雜化會導致驅動晶片DRC2之製造效率降低。 因此，於本實施形態之顯示裝置DSP1中，如圖12所示，包含開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWG係配置於驅動晶片DRC1之外部。換言之，包含開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWG係不經由驅動晶片DRC1而與檢測電極Rx電性連接。圖12所示之例中，開關元件SWp及開關元件SWn之各者係經由連接於汲極電極DT(參照圖13)之共通線CML而與檢測電極Rx電性連接。共通線CML係自與檢測電極Rx之連接部分朝向與開關元件SWp及開關元件SWn之各者之連接部分，沿著Y軸方向延伸。又，開關元件SWp、SWn係連接於控制閘極電極GE(參照圖13)之接通及斷開之控制配線(控制信號線CSpL或控制信號線CSnL)，且與使源極電極ST(參照圖13)和檢測電路DCP1(參照圖3)相連之源極配線(驅動信號線TSpL或保護信號線TSnL)連接。 於如顯示裝置DSP1般將開關電路部SWG配置於驅動晶片DRC1之外部之情形時，與圖30所示之顯示裝置DSR2相比，可減少連接於驅動晶片DRC1(圖30中為驅動晶片DRC2)之配線之數量。亦即，圖12所示之顯示裝置DSP1宜為端子數少於圖30所示之驅動晶片DRC2。因此，可抑制驅動晶片DRC1之大型化。或者，可簡化驅動晶片DRC1之構造。藉由簡化驅動晶片DRC1之構造，驅動晶片DRC1之通用性提高。又，藉由抑制驅動晶片DRC1之大型化或簡化驅動晶片DRC1之構造，可提高驅動晶片DRC1之製造效率。 又，驅動晶片DRC1之周邊集中地配置有各種配線，故而於如圖30所示般將開關電路部SWG與驅動晶片DRC2連接之情形時，檢測信號線DSL2之佈局上之限制較大。但是，於如本實施形態般，開關電路部SWG不經由驅動晶片DRC1而與檢測部SE1連接之情形時，可將複數根檢測信號線DSL配置於避開驅動晶片DRC1之周邊之位置。於此情形時，檢測信號線DSL之配線佈局之設計上之自由度提高。或者，於配置複數根檢測信號線DSL之情形時，容易使相鄰之檢測信號線DSL之間之間距變小。 其次，參照作為圖11、圖12及圖12之局部放大圖之圖13及圖14，對圖12所示之各電路零件之佈局、及圖11所示之各期間內之圖12所示之電路之動作進行詳細說明。圖13係表示圖12所示之開關元件之一例之電路圖。圖14係將圖12所示之開關電路部之一部分放大表示之俯視圖。 如上所述，圖12所示之開關電路部SWG具有於圖11所示之檢測期間FLt與顯示期間FLd之切換之時序進行接通斷開動作之開關元件SWd、開關元件SWp及開關元件SWn。檢測期間FLt與顯示期間FLd之切換係藉由如下方式實施，即，基於自圖12所示之控制電路部CTC輸出之控制信號，使開關電路部SWG所具有之各開關元件進行接通斷開動作。於圖12中，為了容易視認開關元件之接通斷開狀態，而以通常之開關之電路記號表示各開關元件。如圖13所示，開關元件SWd、開關元件SWp及開關元件SWn之各者為電晶體元件Tr，且例如為具有閘極電極GE之電場電晶體。 如已說明之圖3所示，顯示裝置DSP1之開關電路部SWG係配置於基板SUB1上之區域中之非顯示區域NDA且驅動晶片DRC1之外部之區域。因此，圖12所示之開關電路部SWG中所包含之開關元件SWd、開關元件SWp、及開關元件SWn之各者係例如與使用圖4所說明之像素開關元件PSW同樣地為薄膜電晶體(TFT)。構成各開關元件之電晶體元件Tr(參照圖13)亦可為頂閘極型TFT及底閘極型TFT之任一者。又，電晶體元件之半導體層例如包含多晶矽(polysilicon)，但亦可為包含非晶矽者。 又，如圖13所示，複數個電晶體元件Tr之各者具有源極電極ST及汲極電極DT。連接於開關元件SWd之源極電極ST且於顯示期間FLd(參照圖11)對作為共通電極CE之檢測電極Rx供給驅動電位之共通電位供給線VCDL可改稱為顯示用之驅動電位供給用源極配線。又，連接於開關元件SWp之源極電極ST且於檢測期間FLt(參照圖11)傳輸來自檢測電極Rx之檢測信號之檢測信號線DSL可改稱為檢測信號傳輸用之源極配線。再者，如下所述，檢測信號線DSL兼用作與於檢測期間FLt對所選擇之檢測電極Rx供給自檢測部SE1(參照圖12)輸出之驅動信號DSp之驅動信號線TSpL相同之配線。因此，驅動信號線TSpL可改稱為驅動信號傳輸用之源極配線。又，連接於開關元件SWn之源極端子ST且於檢測期間FLt(參照圖11)對非選擇之檢測電極Rx供給自檢測部SE1輸出之保護信號DSn(詳細情況於下文敍述)之保護信號線TSnL可改稱為保護信號傳輸用之源極配線。 圖12所示之開關電路部SWG中所包含之開關元件SWd係於圖11所示之顯示期間FLd，將複數個檢測電極Rx之各者與圖3所示之共通電極驅動電路CD電性連接。詳細而言，如圖14所示，開關元件SWd之一端子(圖13所示之汲極電極DT)係電性連接於檢測電極Rx。進一步詳細而言，開關元件SWd之一端子係經由共通線CML而電性連接於檢測電極Rx。又，開關元件SWd之另一端子(圖13所示之源極電極ST)係電性連接於共通電極驅動電路CD。詳細而言，如圖14所示，開關元件SWd之另一端子係經由於顯示期間FLd(參照圖11)中對作為共通電極CE(參照圖12)進行動作之複數個檢測電極Rx供給共通之電位(換言之，共通之驅動電位)之配線路徑即共通電位供給線VCDL而電性連接於共通電極驅動電路CD。於將開關元件SWd接通之情形時，檢測電極Rx與共通電極驅動電路CD電性連接，於將開關元件SWd斷開之情形時，檢測電極Rx與共通電極驅動電路CD電性分離。於本實施形態中，於顯示期間FLd使開關元件SWd接通，且於檢測期間FLt使開關元件SWd斷開。 如上所述，開關元件SWd之接通斷開動作係由圖12所示之控制電路部CTC加以控制。詳細而言，控制電路部CTC係經由控制開關元件SWd之接通斷開動作之信號之傳輸路徑即控制信號線CSdL而與開關元件SWd之閘極電極GE(參照圖13)電性連接。控制電路部CTC係對複數個開關元件SWd之各者所具有之閘極電極GE輸出圖11所例示之控制信號CSd。於圖11所示之例中，控制電路部CTC(參照圖12)係於顯示期間FLd供給相對較高之電位(高位準電位)之控制信號CSd。藉此，使開關元件SWd接通。又，控制電路部CTC係於檢測期間FLt供給相對較低之電位(低位準電位)之控制信號CSd。藉此，使開關元件SWd斷開。再者，控制信號CSd之位準(電位位準)與開關元件SWd之接通斷開狀態之關係係一例，亦可為與上述例相反之關係。 於顯示期間FLd，對於作為共通電極CE(參照圖12)之複數個檢測電極Rx(參照圖12)，例如對所有電極供給相同之電位。因此，圖12及圖14所示之複數個開關元件SWd之各者係於顯示期間FLd(參照圖11)同時接通。又，開關元件SWd之各者係於檢測期間FLt(參照圖11)同時斷開。 再者，於本實施形態之例中，如圖12所示，複數個開關元件SWd包含於開關電路部SWG。但是，作為變化例，亦可如下所述，複數個開關元件SWd不包含於開關電路部SWG，而形成於與開關元件SWp及開關元件SWn隔開之位置。又，圖12所示之例中，將複數個開關元件SWd、複數個開關元件SWp及複數個開關元件SWn之群統一地設為開關電路部SWG。但是，開關電路部SWG之定義存在各種變化例。例如，亦可定義為包含複數個開關元件SWp之群之第1開關電路部、包含複數個開關元件SWn之群之第2開關電路部、及包含複數個開關元件SWd之群之第3開關電路部。又，作為實施形態2，亦可如下所述，將連接於屬於相同之檢測單位之檢測電極Rx之開關元件SWp及開關元件SWn之組定義為一個開關電路部。 其次，圖12所示之開關電路部SWG中所包含之開關元件SWp係於圖11所示之顯示期間FLd至檢測期間FLt，將屬於被選擇作為進行觸碰檢測之對象之檢測單位之檢測電極Rx與檢測部SE1電性連接。於圖12中，作為一例，表示選擇檢測單位RxB之狀態，故而於圖11所示之檢測期間FLtB，屬於檢測單位RxB之構成電極Rx1B、構成電極Rx2B、構成電極Rx3B、及構成電極Rx4B之各者係經由開關元件SWpB(參照圖14)及檢測信號線DSL而電性連接於檢測部SE1。 於本實施形態中，如上所述，藉由自我電容方式而進行觸碰檢測。因此，將開關元件SWp之源極電極ST(參照圖13)與檢測部SE1連接之配線係圖11所示之供給驅動信號DSp之觸碰檢測用之驅動信號線(源極配線)TSpL，且亦為將來自檢測電極Rx之輸出信號傳輸至檢測器DET(參照圖9)之檢測信號線DSL。圖11所示之驅動信號DSp係對圖10所示之相當於交流矩形波Sg之脈衝電位、即參照信號Vref之電位，重複施加具有相當於電壓Vdr之電位差之脈衝電位的信號。 又，如上所述，於本實施形態中，對複數個檢測電極Rx中之被選擇之檢測單位依序進行觸碰檢測。因此，未被選擇作為觸碰檢測之對象之非選擇之檢測電極Rx係於檢測期間FLt(參照圖11)與檢測信號線DSL電性分離。即，於圖11所示之複數個檢測期間FLt中之一者，連接於屬於非選擇之檢測單位之構成電極之開關元件SWp成為斷開。於圖12中，作為一例，選擇檢測單位RxB。因此，圖14所示之複數個開關元件SWp中之開關元件SWpA、SWpC、及開關元件SWpD之各者斷開。換言之，圖12所示之構成電極Rx1A～構成電極Rx4A、構成電極Rx1C～構成電極Rx4C、及構成電極Rx1D～構成電極Rx4D之各者係與檢測信號線DSL電性分離。 如上述般將複數個檢測電極Rx中之一部分選擇性地連接於檢測信號線DSL之系統係藉由以下之構成而實現。即，如圖14所示，開關元件SWp之一端子(圖13所示之汲極電極DT)係電性連接於檢測電極Rx。詳細而言，複數個開關元件SWp之各者所具有之一端子係經由共通線CML而分別連接於屬於檢測單位RxA～檢測單位RxD中之任一者之檢測電極Rx。又，開關元件SWp之另一端子(圖13所示之源極電極ST)係電性連接於檢測部SE1。詳細而言，如圖14所示，開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD之各者所具有之另一端子係經由一根檢測信號線DSL而與檢測部SE1電性連接。 又，於開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD之各者之閘極電極GE(參照圖13)，連接有相互分離之控制信號線CSpL。控制信號線CSpL係連接於電晶體元件Tr(參照圖13)之閘極電極GE(參照圖13)且控制開關元件SWp之接通斷開動作之閘極線(亦稱為閘極配線)。開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD之各者係經由控制信號線CSpL而連接於移位暫存器電路SR。 開關元件SWp之接通斷開動作係由移位暫存器電路SR控制。移位暫存器電路SR包含作為單位暫存器之移位暫存器電路SRA、SRB、SRC、及移位暫存器電路SRD。移位暫存器電路SR係對構成複數個開關元件SWp之複數個電晶體元件Tr(參照圖13)所具有之閘極電極GE(參照圖13)，經由控制信號線CSpL而輸出作為用以使電晶體元件Tr接通之閘極電壓之控制信號CSpA、CSpB、CSpC、或控制信號CSpD(參照圖11)。詳細而言，移位暫存器電路SR係基於來自控制電路部CTC之起始脈衝信號CSst或時脈信號CScl，而將作為閘極電壓之控制信號CSpA、CSpB、CSpC或控制信號CSpD供給至作為開關元件之電晶體元件Tr之閘極電極GE。 圖11所示之例中，移位暫存器電路SRA(參照圖14)係於檢測期間FLtA，對開關元件SWpA輸出相對較高之電位(高位準電位)即控制信號CSpA。使開關元件SWpA接通。又，控制電路部CTC係於顯示期間FLd供給相對較低之電位(低位準電位)之控制信號CSpA。藉此，使開關元件SWpA斷開。 其次，移位暫存器電路SRB(參照圖14)係於檢測期間FLtB，對開關元件SWpB輸出相對較高之電位(高位準電位)即控制信號CSpB。使開關元件SWpB接通。又，控制電路部CTC係於顯示期間FLd供給相對較低之電位(低位準電位)之控制信號CSpB。藉此，使開關元件SWpB斷開。 又，雖省略重複之說明，但於檢測期間FLtC，移位暫存器電路SRC係藉由輸出控制信號CSpC而控制開關元件SWpC之接通斷開動作，於檢測期間FLtD，移位暫存器電路SRD係藉由輸出控制信號CSpD而控制開關元件SWpD之接通斷開動作。再者，控制信號CSpA、CSpB、CSpC及CSpD之位準(電位位準)與開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD之接通斷開狀態之關係為一例，亦可為與上述例相反之關係。 圖13所示之移位暫存器電路SR係控制開關元件SWp及後述開關元件SWn之接通斷開動作之控制電路。作為控制移位暫存器電路SR自身之動作之時序之控制信號，例如亦可如圖12所示，將起始脈衝信號CSst或時脈信號CScl等控制信號自控制電路部CTC輸出至移位暫存器電路SR。 如上所述，於本實施形態中，於經分時之複數個檢測期間FLt，移位暫存器電路SR使開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD依序接通。於此情形時，於複數個開關元件SWp中之所選擇之開關元件SWp接通時，非選擇之開關元件SWp係斷開。換言之，所有開關元件SWp並非同時成為接通狀態或斷開狀態。但，亦可如使用上述圖9及圖10所作說明般，於藉由重設動作而重設圖9所示之作為檢測器DET之輸出之電壓Vdet的重設動作之期間中，於使圖9所示之開關SW1及開關SW2之兩者斷開之時序，圖13所示之複數個開關元件SWp同時斷開。於圖11中雖省略圖示，但重設動作係例如於自顯示期間FLd改變為檢測期間FLt之後、或自檢測期間FLt改變為顯示期間FLd之後實施。或，重設動作係例如於自顯示期間FLd改變為檢測期間FLt之後、及自檢測期間FLt改變為顯示期間FLd之後實施。 又，於本實施形態之開關電路部SWG，與開關元件SWp分開地包含複數個開關元件SWn。雖省略圖示，但作為針對本實施形態之變化例，亦可不設置圖12所示之複數個開關元件SWn之各者。於此情形時，亦無需連接於開關元件SWn之保護信號線TSnL，故而連接於檢測部SE1之配線之數量與圖12所示之顯示裝置DSP1相比進一步減少。 但，就於圖11所示之檢測期間FLt中，減少因非選擇之檢測電極Rx(參照圖12)之影響所產生之雜訊之觀點而言，較佳為設置有開關元件SWn。以下，說明其理由。 若如本實施形態般，於應用已說明之檢測單位選擇方式之情形時，對所選擇之檢測電極Rx供給驅動電位，則有於未被選擇之檢測電極Rx與被選擇之檢測電極Rx之間產生電位差，而產生寄生電容之情形。例如，於對所選擇檢測電極Rx輸入驅動信號DSp(參照圖11)之情形時，非選擇之檢測電極Rx受到驅動信號DSp之影響。若藉由將連接於非選擇之檢測電極Rx之開關元件SWp斷開，使非選擇之檢測電極Rx成為浮動狀態，則可減少上述寄生電容之影響。但是，若對非選擇之檢測電極Rx輸入與驅動信號DSp相同之波形之信號，則可進一步減少寄生電容之影響。 因此，於本實施形態中，利用圖12所示之複數個開關元件SWn對非選擇之檢測電極Rx供給與驅動信號DSp相同之波形之保護信號DSn(參照圖11)。詳細而言，開關元件SWn係於圖11所示之顯示期間FLd至檢測期間FLt接通，將未進行觸碰檢測之檢測電極Rx與檢測部SE1電性連接。於圖12中，作為一例，表示選擇檢測單位RxB之狀態。因此，於檢測期間FLtB(參照圖11)，構成電極Rx1A～構成電極Rx4A、構成電極Rx1C～構成電極Rx4C、及構成電極Rx1D～構成電極Rx4D之各者係經由圖14所示之開關元件SWnA、開關元件SWnC及開關元件SWnD而電性連接於檢測部SE1。複數個開關元件SWn之各者係相對於非選擇之檢測電極Rx，經由保護信號線TSnL而連接於檢測部SE1。 另一方面，連接有屬於檢測單位RxB之構成電極Rx1B～構成電極Rx4B之各者之開關元件SWnB(參照圖14)係斷開。因此，構成電極Rx1B～構成電極Rx4B之各者係與保護信號線TSnL電性分離。 如此，開關元件SWn係以成為與對應之開關元件SWp相反之接通斷開狀態之方式進行動作。例如於開關元件SWpA(第1開關元件)成為接通狀態之情形時，開關元件SWnA(第2開關元件)成為斷開狀態。於此情形時，由於開關元件SWpB、開關元件SWpC、及開關元件SWpD成為斷開狀態，故而開關元件SWnB、開關元件SWnC及開關元件SWnD成為接通狀態。又，開關元件SWpA及開關元件SWnA係連接於共通之構成電極Rx1A。進而，如圖12所示，連接於構成電極Rx2A之開關元件SWpA(第3開關元件；參照圖14)及連接於構成電極Rx1A之開關元件SWpA(參照圖14)之閘極電極係連接於共通之控制配線CSpL。 於圖11所示之檢測期間FLt，將非選擇之檢測電極Rx與保護信號線TSnL選擇性地連接，供給保護信號DSn之動作係藉由以下之構成而實現。即，如圖14所示，開關元件SWn之一端子(圖13所示之汲極電極DT)係電性連接於檢測電極Rx。詳細而言，複數個開關元件SWn之各者所具有之一端子係經由共通線CML而分別連接於屬於檢測單位RxA～檢測單位RxD中之任一者之檢測電極Rx。又，開關元件SWn之另一端子(圖13所示之源極電極ST)係電性連接於檢測部SE1。詳細而言，如圖14所示，開關元件SWnA、開關元件SWnB、開關元件SWnC及開關元件SWnD之各者所具有之另一端子係經由一根保護信號線TSnL而與檢測部SE1電性連接。 又，於開關元件SWnA、開關元件SWnB、開關元件SWnC及開關元件SWnD之各者之閘極電極GE(參照圖13)，連接有相互分離之控制信號線CSnL。控制信號線CSnL係連接於電晶體元件Tr(參照圖13)之閘極電極GE(參照圖13)且控制開關元件SWn之接通斷開動作之閘極線(亦稱為閘極配線)。開關元件SWnA、開關元件SWnB、開關元件SWnC及開關元件SWnD之各者係經由控制信號線CSnL而連接於移位暫存器電路SR。 開關元件SWn之接通斷開動作係由移位暫存器電路SR加以控制。詳細而言，移位暫存器電路SR係對複數個開關元件SWn之各者所具有之閘極電極GE(參照圖13)，經由控制信號線CSnL而輸出圖11所例示之控制信號CSnA、CSnB、CSnC或CSnD。圖11所示之例中，移位暫存器電路SRB、SRC、SRD(參照圖14)係於檢測期間FLtA，對開關元件SWnB、SWnC、SWnD輸出作為相對較高之電位(高位準電位)之控制信號CSnB、CSnC及控制信號CSnD。藉此，使連接於非選擇之檢測電極Rx之開關元件SWnB、開關元件SWnC及開關元件SWnD之各者接通。又，移位暫存器電路SRA係於顯示期間FLd供給相對較低之電位(低位準電位)之控制信號CSnA。藉此，使開關元件SWnA斷開。換言之，移位暫存器電路SRA係控制包含屬於相同之檢測單位RxA(參照圖12)之開關元件SWpA及開關元件SWnA之第1開關電路。 其次，移位暫存器電路SRA、SRC、SRD(參照圖14)係於檢測期間FLtB，對開關元件SWnA、SWnC、SWnD輸出作為相對較高之電位(高位準電位)之控制信號CSnA、CSnC及控制信號CSnD。藉此，連接於非選擇之檢測電極Rx之開關元件SWnA、開關元件SWnC及開關元件SWnD之各者接通。又，移位暫存器電路SRB係於顯示期間FLd供給相對較低之電位(低位準電位)之控制信號CSpB。藉此，使開關元件SWpB斷開。換言之，移位暫存器電路SRB係控制包含屬於相同之檢測單位RxB(參照圖12)之開關元件SWpB及開關元件SWnB之第2開關電路。 關於檢測期間FLtC及FLtD亦實質上相同，故而省略重複之說明。再者，控制信號CSpA、CSpB、CSpC及CSpD之位準(電位位準)與開關元件SWpA、開關元件SWpB、開關元件SWpC及開關元件SWpD之接通斷開狀態之關係係一例，亦可為與上述例相反之關係。 於本實施形態中，於移位暫存器電路SRA、SRB、SRC、及移位暫存器電路SRD之各者，連接有控制信號線CSpL與控制信號線CSnL。複數個移位暫存器電路SR之各者係對控制信號線CSpL及控制信號線CSnL中之一者輸出作為脈衝電位之接通信號(例如高位準電位)，對另一者輸出斷開信號(例如低位準電位)。例如，於移位暫存器電路SR為CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor，互補金氧半導體)型之電晶體元件之情形時，p通道型之MOSFET與n通道型之MOSFET構成邏輯反相電路。於此情形時，可對控制信號線CSpL及控制信號線CSnL以同步之狀態輸出進行相互相反之動作之信號。或，亦可將邏輯反相電路連接於控制信號線CSpL及控制信號線CSnL中之一者。 又，於本實施形態中，如圖12所示，移位暫存器電路SR係於沿著X軸方向之方向，配置於複數根信號用連接配線SCL(參照圖1)之配置區域即區域SLR1及區域SLR2之間。又，移位暫存器電路SR係於沿著Y軸方向之方向，配置於開關電路部SWG與驅動晶片DRC1之間。圖1所示之複數根信號用連接配線SCL之各者係將驅動晶片DRC1與顯示區域DA內之信號線SL電性連接。於X軸方向，驅動晶片DRC1之寬度小於顯示區域DA之寬度。因此，複數根信號用連接配線SCL係自與驅動晶片DRC1之連接部分朝向顯示區域DA呈放射狀延伸。又，就減少複數根信號用連接配線SCL之路徑距離之偏差之觀點而言，複數根信號用連接配線SCL與驅動晶片DRC1之連接部分較佳為彙集於複數個部位。例如，當如圖12所示，於區域SLR1及區域SLR2之各者配置有複數根信號用連接配線SCL(參照圖1)之情形時，與在X軸方向上之驅動晶片DRC1之中心附近連接複數根信號用連接配線SCL之情形相比，可減少複數根信號用連接配線SCL之路徑距離之偏差。如此，若考慮複數根信號用連接配線SCL之路徑距離之等長化，則區域SLR1及區域SLR2之間與非顯示區域NDA(參照圖3)中之其他區域相比配線密度變低。因此，若將移位暫存器電路SR配置於區域SLR1及區域SLR2之間，則可減少來自移位暫存器電路SR之雜訊對其他信號傳輸路徑之影響。 又，就使連接於移位暫存器電路SR之控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之路徑距離變短之觀點而言，移位暫存器電路SR與開關電路部SWG之距離宜為較近。又，如上所述，於對移位暫存器電路SR自驅動晶片DRC1之控制電路部CTC輸出起始脈衝信號CSst或時脈信號CScl之情形時，移位暫存器電路SR與驅動晶片DRC1之距離宜為較近。如本實施形態般，於在開關電路部SWG與驅動晶片DRC1之間配置有移位暫存器電路SR之情形時，例如，與在軟性配線板FWB1上配置有移位暫存器電路SR之變化例(圖示省略)相比，可縮短連接於移位暫存器電路SR之配線之路徑距離。 又，於本實施形態中，於複數個開關元件SWn中之連接於非選擇之檢測電極Rx之開關元件SWn接通時，連接於所選擇之檢測電極Rx之開關元件SWn斷開。換言之，所有開關元件SWn並非同時成為接通狀態或斷開狀態。但，亦可如使用上述圖9及圖10所作說明般，於藉由重設動作而重設圖9所示之作為檢測器DET之輸出之電壓Vdet的重設動作之期間中，於圖9所示之開關SW1及開關SW2之兩者斷開之時序，圖13所示之複數個開關元件SWn亦可同時斷開。 又，如上所述，於圖11所示之顯示期間FLd，對圖12所示之複數個檢測電極Rx供給用以驅動光電層之共通之電位。此時，檢測部SE1較佳為自檢測電極Rx電性分離。因此，於顯示期間FLd，圖12所示之複數個開關元件SWn及複數個開關元件SWp較佳為全部斷開。 又，如圖12所示，於本實施形態中，於開關電路部SWG中，將開關元件SWp、開關元件SWn及連接於各開關之配以如下方式佈局，藉此，謀求各配線之距離之縮短化。首先，如圖12所示，開關元件SWp與開關元件SWn係沿著Y軸方向排列。於開關元件SWp，必須連接與檢測單位RxA～檢測單位RxD之數量對應之根數之控制信號線CSpL。又，於開關元件SWn，必須連接與檢測單位RxA～檢測單位RxD之數量對應之根數之控制信號線CSnL。如圖12所示，於開關元件SWp與開關元件SWn沿著Y軸方向排列之情形時，可於開關元件SWp與開關元件SWn之間配置複數根控制信號線CSnL。再者，於圖12～圖14中，將開關元件SWn配置於開關元件SWp與檢測電極Rx(換言之為圖3所示之顯示區域DA)之間。但，關於開關元件SWn與開關元件SWp之位置關係，除圖12～圖14所示之實施態樣以外，例如亦可將開關元件SWp配置於開關元件SWn與檢測電極Rx(換言之為圖3所示之顯示區域DA)之間。於此情形時，亦可於開關元件SWp與開關元件SWn之間配置複數根控制信號線CSpL。 又，如圖14所示，複數個開關元件SWp中所包含之開關元件SWpA～開關元件SWpD之各者係沿著與Y軸方向交叉之X軸方向排列。同樣地，複數個開關元件SWn中所包含之開關元件SWnA～開關元件SWnD之各者係沿著與Y軸方向交叉之X軸方向排列。如此，藉由使開關元件SWp與開關元件SWn之排列方向和開關元件SWpA～開關元件SWpD(及開關元件SWnA～開關元件SWnD)之排列方向交叉，引入至圖13所示之閘極電極GE之配線之佈局變得容易。 又，如圖12所示，複數根控制信號線CSpL及複數根控制信號線CSnL之各者係於將X軸方向上之一側設為X1側，將另一側設為X2側時，自X1側朝向X2側延伸。又，複數根控制信號線CSpL及複數根控制信號線CSnL之各者係於X2側終止。詳細而言，複數根控制信號線CSpL及複數根控制信號線CSnL之各者之端部係連接於設置在X2側之開關元件SWp或開關元件SWn之閘極電極GE(參照圖13)。又，如圖13所示，控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之各者具有沿X軸方向延伸之主配線部CSL1。又，控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之各者具有將主配線部CSL1與作為開關元件之複數個電晶體元件Tr之各者之閘極電極GE電性連接的副配線部(亦稱為分支配線部)CSL2。 又，如圖12所示，傳輸控制複數個開關元件SWd之各者之接通斷開動作之控制信號的控制信號線CSdL係自X1側朝向X2側延伸。控制信號線CSdL係於X2側終止。詳細而言，如圖13所示，控制信號線CSdL之端部係連接於設置在X2側之開關元件SWd之閘極電極GE。又，控制信號線CSdL具有沿著X軸方向延伸之主配線部CSL1。又，控制信號線CSdL具有將主配線部CSL1與作為開關元件之複數個電晶體元件Tr之各者之閘極電極GE電性連接之副配線部(亦稱為分支配線部)CSL2。 又，如圖12所示，對開關元件SWp供給驅動信號DSp(參照圖11)之驅動信號線TSpL、及對開關元件SWn供給保護信號DSn(參照圖11)之保護信號線TSnL係自X2側朝X1側延伸。顯示裝置DSP1所具備之複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者係於X軸方向上被朝單側引出。如此，若連接於源極電極ST(參照圖13)之源極配線即驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL之延伸方向與連接於閘極電極GE(參照圖13)之閘極配線即控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之延伸方向成為相互相反之關係，則可有效率地配置源極配線及閘極配線之配線路徑。換言之，可減少非顯示區域NDA(參照圖3)之配線密度。 又，檢測部SE1係於X軸方向配置於較驅動晶片DRC1更靠X2側。亦即，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者被朝X軸方向上靠近檢測部SE1之X2側引出。藉此，可使複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之配線路徑距離變短。 再者，上述源極配線與閘極配線之引入路徑存在各種變化例。例如，如圖15所示之顯示裝置DSP2般，亦可將源極配線朝X1側及X2側之兩方向引出。圖15係模式性地表示作為針對圖12之變化例之顯示裝置之電路構成例的俯視圖。 關於圖15所示之顯示裝置DSP2，上述之源極配線及閘極配線之向開關電路部SWG之引入方法與圖12所示之顯示裝置DSP1不同。即，顯示裝置DSP2所具有之複數根驅動信號線TSpL中之一部分、及複數根保護信號線TSnL中之一部分係自X2側朝X1側延伸。又，顯示裝置DSP2所具有之複數根驅動信號線TSpL中之另一部分、及複數根保護信號線TSnL中之另一部分係自X1側朝X2側延伸。換言之，顯示裝置DSP2所具備之複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者被朝X軸方向上相互對向之兩側引出。進而，換言之，顯示裝置DSP2所具備之複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者係於X軸方向上在複數個開關元件SWp或複數個開關元件SWn之排列之中途終止。 又，顯示裝置DSP2所具有之複數根控制信號線CSpL中之一部分、及複數根控制信號線CSnL中之一部分係自X2側朝X1側延伸。又，顯示裝置DSP2所具有之複數根控制信號線CSpL中之另一部分、及複數根控制信號線CSnL中之另一部分係自X1側朝X2側延伸。換言之，顯示裝置DSP2所具備之複數根控制信號線CSpL及複數根控制信號線CSnL之各者被朝X軸方向上相互對向之兩側引出。進而，換言之，顯示裝置DSP2所具備之複數根控制信號線CSpL及複數根控制信號線CSnL之各者係於X軸方向上在複數個開關元件SWp或複數個開關元件SWn之排列之中途終止。 當如顯示裝置DSP2般，自基板SUB1之周緣部中之X1側及X2側之兩側引入有源極配線或閘極配線時，複數根源極配線或閘極配線主要配置於基板SUB1之周緣部。因此，源極配線或閘極配線不易與複數根信號用連接配線SCL(參照圖1)之配置區域即區域SLR1及區域SLR2重疊。藉此，可減少信號用連接配線SCL與觸碰檢測用之各配線之相互之雜訊影響。 又，當如顯示裝置DSP2般，以自基板SUB1之周緣部中之X1側及X2側之兩側引入配線的方式佈局時，有可使配線路徑距離變短之情形。例如，於顯示裝置DSP2之情形時，作為閘極配線之控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之配線路徑距離與圖12所示之顯示裝置DSP1之例相比變短。如此，若配線路徑距離變短，則信號傳輸路徑中之時間常數變小，故而信號傳輸之可靠性提高。 但，亦有如圖15所示之複數根驅動信號線TSpL之一部分及複數根保護信號線TSnL之一部分般無法充分地縮短配線路徑距離之情形。驅動晶片DRC1係與軟性配線板FWB1電性連接，自軟性配線板FWB1對驅動晶片DRC1供給例如時脈信號CScl等信號。因此，於將檢測部SE1配置於軟性配線板FWB1之情形時，較佳為以於Y軸方向上檢測部SE1與驅動晶片DRC1之位置相互偏移之方式配置。換言之，於軟性配線板FWB1上，檢測部SE1較佳為偏靠X1側或X2側之任一側而配置。如上所述，若於軟性配線板FWB1上，檢測部SE1偏靠X1側或X2側之任一側而配置時，複數根驅動信號線TSpL中之一部分、及複數根保護信號線TSnL中之一部分係以於驅動晶片DRC1之配置區域中迂迴之方式佈局。其結果，迂迴之配線之配線路徑距離變長。 又，如圖15所示，當於驅動晶片DRC1迂迴之複數根驅動信號線TSpL中之一部分、及複數根保護信號線TSnL中之一部分之局部於俯視時與時脈信號CScl之供給路徑交叉時，於交叉之部分容易受到時脈信號CScl之雜訊影響。 反過來說，於圖12所示之顯示裝置DSP1之情形時，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者通過驅動晶片DRC1與開關電路部SWG之間之區域而連接於開關電路部SWG，故而可使軟性配線板FWB1上之配線路徑距離變短。又，於圖12所示之顯示裝置DSP1之情形時，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者通過驅動晶片DRC1與開關電路部SWG之間之區域而連接於開關電路部SWG，故而不易受到供給至驅動晶片DRC1之時脈信號CScl等之雜訊影響。 又，於顯示裝置DSP1之情形時，如上所述，若將控制信號線CSpL、CSnL、CSdL、驅動信號線TSpL、及保護信號線TSnL之各者於X軸方向上朝單側引出時，與圖15所示之顯示裝置DSP2相比，可使基板SUB1之周緣部之空間變小。其結果，可減少圖3所示之非顯示區域NDA，換言之，可減少顯示裝置DSP1之邊框區域之面積。 圖15所示之顯示裝置DSP2除上述不同點以外，與圖12所示之顯示裝置DSP1相同。因此，省略重複之說明。 而如圖12所示，於顯示裝置DSP1中，於俯視時複數根配線相互交叉。因此，如使用圖2所作說明般，顯示裝置DSP1具有積層之複數層配線層，顯示裝置DSP1所具有之複數根配線係由該複數層配線層引繞，藉此成為相互絕緣之狀態。以下，對利用複數層配線層之配線佈局之例進行說明。 圖16～圖19係關於圖12所示之複數根配線，以可針對所配置之每一配線層進行識別之狀態表示之俯視圖。於圖16～圖19中，以二點鏈線表示基板SUB1、驅動晶片DRC1、控制電路部CTC、移位暫存器電路SR、軟性配線板FWB1及檢測部SE1之輪廓。又，於圖16及圖17中，以虛線表示複數根配線中之配置於第1層配線層WL1(參照圖2)之部分，配置於其他配線層之部分係以較淡之灰色之線表示。於圖16及圖18中，以一點鏈線表示複數根配線中之配置於第2層配線層WL2(參照圖2)之部分，配置於其他配線層之部分係以較淡之灰色之線表示。於圖16及圖19中，以黑色之實線表示複數根配線中之配置於第3層配線層WL3(參照圖2)之部分，配置於其他配線層之部分係以較淡之灰色之線表示。又，於圖16～圖19中，示出表示各配線層之線種之圖例。又，於圖16～圖19中，為了易於理解圖，關於複數根信號線SL及複數根信號用連接配線SCL係圖示出供配置該等配線之區域SLR1～區域SLR4，並於各區域標註信號線SL及信號用連接配線SCL之符號。 如圖16、圖17及圖18所示，作為影像信號之信號用連接配線SCL係遍及複數層配線層而形成。詳細而言，如圖16及圖18所示，於連接於驅動晶片DRC1之區域SLR1及區域SLR2中，信號用連接配線SCL係配置於第2層配線層WL2(參照圖18)。又，於與顯示區域DA(參照圖1)重疊之區域SLR3中，信號線SL係配置於第2層配線層WL2(參照圖18)。但是，如圖16及圖17所示，於本實施形態中，於俯視時，在位於區域SLR3(參照圖16)與區域SLR1(參照圖16)及區域SLR2(參照圖16)之間之區域SLR4中，信號用連接配線SCL係配置於第1層配線層WL1(參照圖17)。 如圖2所示，由於使信號線SL與掃描線GL交叉，故而信號線SL係形成於與掃描線GL不同之配線層。因此，信號線SL主要形成於與形成有掃描線GL之配線層WL1不同之配線層WL2。因此，連接於信號線SL之信號用連接配線SCL(參照圖16)係與信號線SL同樣地，可簡化形成於配線層WL2者之配線構造。又，配線層WL2係於電晶體之半導體層形成步驟之後形成，故而無需考慮該形成步驟之較高之溫度。由此，材料選擇之範圍較寬，與配線層WL1相比，容易使比電阻減小。但是，如圖18所示，於本實施形態中，開關電路部SWG中之一部分形成於配線層WL2。尤其是，關於傳輸檢測信號之檢測信號線DSL，就減少雜訊影響之觀點而言，重要的是減小配線路徑之電阻值。又，構成開關元件SWn、SWp、及開關元件SWd之電晶體元件Tr(參照圖13)之源極電極ST(參照圖13)係配置於配線層WL2。因此，於配置有開關電路部SWG之區域SLR4中，將信號用連接配線SCL配置於配線層WL1，藉此，可使開關電路部SWG與信號用連接配線SCL交叉。 但，如圖17所示，構成開關電路部SWG之配線中之控制信號線CSdL之主配線部CSL1、控制信號線CSpL之副配線部CSL2、及控制信號線CSnL之副配線部CSL2之各者係形成於配線層WL1。因此，較佳為以使該等配線與信號用連接配線SCL電性絕緣之方式，於區域SLR4中使信號用連接配線SCL之一部分形成於除配線層WL1以外之配線層。例如，較佳為於信號用連接配線SCL與控制信號線CSdL之主配線部CSL1交叉之部分，信號用連接配線SCL形成於除配線層WL1以外之配線。 又，如圖16所示，於俯視時，信號用連接配線SCL之一部分(詳細而言為複數根信號用連接配線SCL之各者之一部分)係與對開關元件SWp供給驅動信號DSp(參照圖11)之驅動信號線TSpL重疊。換言之，於俯視時，信號用連接配線SCL係與驅動信號線TSpL交叉。如此，藉由於俯視時使信號用連接配線SCL與驅動信號線TSpL交叉，可使驅動信號線TSpL(及檢測信號線DSL)之配線路徑距離變短。藉此，可減少雜訊對驅動信號線TSpL(及檢測信號線DSL)之影響，故而可提高觸碰檢測之可靠性。 又，於俯視時，信號用連接配線SCL之一部分(詳細而言為複數根信號用連接配線SCL之各者之一部分)係與對開關元件SWn供給保護信號DSn(參照圖11)之保護信號線TSnL重疊。換言之，於俯視時，信號用連接配線SCL係與保護信號線TSnL交叉。因此，如圖16所示，驅動信號線TSpL與保護信號線TSnL係以相互相鄰且並行之方式配置。只要驅動信號線TSpL與保護信號線TSnL以相互相鄰且並行之方式配置，則可使驅動信號DSp(參照圖11)及保護信號DSn(參照圖11)之傳輸路徑距離等長化。於此情形時，驅動信號DSp之波形與保護信號DSn之波形不易產生差異，故而可抑制檢測期間FLt(參照圖11)之寄生電容之產生。 如上所述，於在俯視時使信號用連接配線SCL與驅動信號線TSpL交叉之情形時，於相互交叉之部分，信號用連接配線SCL及驅動信號線TSpL只要形成於互不相同之配線層便可。例如，雖省略圖示，但亦可將信號用連接配線SCL及驅動信號線TSpL中之任一者配置於配線層WL1(參照圖2)，將另一者配置於配線層WL2(參照圖2)。又，例如，亦可如圖16、圖18、及圖19所示，將信號用連接配線SCL配置於配線層WL2(參照圖18)，將驅動信號線TSpL中之與信號用連接配線SCL交叉之部分配置於配線層WL3。 如上所述，圖18所示之配線層WL2與圖17所示之配線層WL1相比，容易使配線之電阻值減小。因此，就使信號用連接配線SCL之電阻值減小之觀點而言，信號用連接配線SCL之至少一部分較佳為形成於配線層WL2。 又，圖19所示之配線層WL3與圖17所示之配線層WL1或圖18所示之配線層WL2相比，配線之配置密度較低。因此，就配線層WL3而言，藉由使配線寬度變寬等對策，容易使配線之電阻值減小。因此，於如圖16及圖19所示，將與驅動信號線TSpL中之信號用連接配線SCL交叉之部分配置於配線層WL3之情形時，就與配置於配線層WL1之情形相比可減小配線之電阻值之方面而言較佳。 又，作為針對圖16～圖19之變化例，亦可將驅動信號線TSpL之整體配置於配線層WL3。但是，驅動信號線TSpL之配線路徑中之連接於軟性配線板FWB1之部分之周邊即便為配線層WL2，配線之配置密度亦相對較低。因此，如圖16及圖18所示，驅動信號線TSpL中之未與信號用連接配線SCL交叉之部分即便配置於配線層WL2(參照圖18)，亦可減小配線之電阻值。又，若於連接在軟性配線板FWB1之部分將驅動信號線TSpL配置於配線層WL2，則可減少軟性配線板FWB1之周邊之配線層數。 再者，於上文中主要對驅動信號線TSpL之佈局進行了說明。但是，若如上所述，將驅動信號線TSpL與保護信號線TSnL以相互相鄰且並行之方式配置，則驅動信號DSp之波形與保護信號DSn之波形不易產生差異，故而可抑制檢測期間FLt之寄生電容之產生。因此，較佳為使保護信號線TSnL中之與信號用連接配線SCL交叉之部分較佳為配置於配線層WL3。又，保護信號線TSnL中之未與信號用連接配線SCL交叉之部分較佳為配置於配線層WL2。 又，如圖17所示，控制開關元件SWd之接通斷開動作之信號之傳輸路徑即控制信號線CSdL之主配線部CSL1係配置於配線層WL1。於開關元件SWd之情形時，使複數個開關元件SWd之全部以相同之方式接通或斷開。因此，控制信號線CSdL之主配線部CSL1相對於所有開關元件SWd，例如只要存在一根便可。於此情形時，可簡化配線構造，故而只要使主配線部CSL1形成於形成有圖13所示之閘極電極GE之配線層WL1(參照圖17)，便可使副配線部CSL2之距離變短。 另一方面，如圖18所示，控制信號線CSpL之主配線部CSL1、及控制信號線CSnL之主配線部CSL1係分別配置於配線層WL2。於開關元件SWp及開關元件SWn之情形時，複數個開關元件SWp之一部分、及複數個開關元件SWn之一部分係選擇性地進行動作。因此，控制信號線CSpL之主配線部CSL1及控制信號線CSnL之主配線部CSL1必須分別為複數根，配線構造變得複雜。於此情形時，控制信號線CSpL之主配線部CSL1及控制信號線CSnL之主配線部CSL1較佳為形成於與配線層WL1相比而相對更容易地使配線間距變小之配線層WL2。 又，如圖18所示，共通電位供給線VCDL係形成於配線層WL2。又，共通電位供給線VCDL係以包圍開關電路部SWG、區域SLR1、及區域SLR2之方式配置。又，於圖18所示之例中，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者係被共通電位供給線VCDL包圍。共通電位供給線VCDL係於顯示期間FLd(參照圖11)對所有共通電極CE供給相同之電位。因此，較佳為藉由形成於配線層WL2而使共通電位供給線VCDL之電阻值減小。又，於共通電位供給線VCDL沿著基板SUB1之周緣部延伸之情形時，即便於共通電位供給線VCDL之配線寬度較寬之情形時，亦可減小對其他配線之佈局之限制。 又，如圖19所示，複數根共通線CML之各者係形成於配線層WL3。藉此，複數根共通線CML之各者可與掃描線GL(參照圖1)交叉且確實地與複數根信號線SL(參照圖1)絕緣。 又，如圖19所示，控制信號線CSpL及控制信號線CSnL中之於俯視時與信號用連接配線SCL(參照圖16)重疊之部分係形成於配線層WL3。雖省略圖示，但作為針對本實施形態之變化例，亦可使控制信號線CSpL及控制信號線CSnL形成於圖17所示之配線層WL1。但，如圖19所示，就若使控制信號線CSpL及控制信號線CSnL形成於配線層WL3，則可使配線之配置間距變小之方面而言較佳。 ＜實施形態1之變化例＞ 本實施形態之顯示裝置DSP1除已敍述之變化例以外，還存在各種變化例。以下，對本實施形態1之代表性之變化例進行說明。再者，使用圖15所說明之顯示裝置DSP2亦包含於本實施形態1之代表性之變化例中，但由於已說明，故而省略重複之說明。又，於變化例之說明中，以與上述之圖12所示之顯示裝置DSP1之不同點為中心進行說明，對於與顯示裝置DSP1相同之構成之部分係省略重複之說明。 於圖12所示之顯示裝置DSP1中，複數個開關元件SWd包含於開關電路部SWG。但是，作為變化例，亦可如圖20所示之顯示裝置DSP3般，使複數個開關元件SWd不包含於開關電路部SWG而形成於與開關元件SWp及開關元件SWn隔開之位置。圖20係表示針對圖12之另一變化例之俯視圖。 顯示裝置DSP3與圖12所示之顯示裝置DSP1之不同處在於，開關元件SWd配置於複數個檢測電極Rx與驅動晶片DRC1之間之區域以外。詳細而言，於顯示裝置DSP3之情形時，包含開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWG係配置於複數個檢測電極Rx與驅動晶片DRC1之間。另一方面，複數個開關元件SWd係介隔配置有複數個檢測電極Rx之顯示區域DA(參照圖1)而配置於開關電路部SWG之相反側之區域。換言之，複數個開關元件SWd係於Y軸方向配置於複數個檢測電極Rx與基板SUB1之周緣部之間。 於顯示裝置DSP3之情形時，與圖12所示之顯示裝置DSP1相比，可使顯示區域DA(參照圖1)與驅動晶片DRC1之間隔距離變小。因此，可使顯示區域DA(參照圖1)與驅動晶片DRC1之間之非顯示區域NDA(參照圖1)之寬度變小。 又，於使用圖12所說明之顯示裝置DSP1之情形時，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度係如圖21所例示般相互相同。但是，如圖22及圖23所示之變化例般，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度亦可互不相同。再者，所謂配線寬度係指與配線之延伸方向正交之方向之配線的長度。 圖21係將圖12所示之驅動信號線及保護信號線之一部分放大表示之放大俯視圖。又，圖22及圖23之各者係表示針對圖21之變化例之放大俯視圖。 如圖21所示，顯示裝置DSP1所具有之複數根驅動信號線TSpL之各者之配線寬度TWp及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度TWn相互相等。另一方面，於圖22所示之顯示裝置DSP4之情形時，保護信號線TSnL之各者之配線寬度TWn較驅動信號線TSpL之各者之配線寬度TWp寬。換言之，保護信號線TSnL之配線電阻低於驅動信號線TSpL。如使用圖12～圖14所說明般，保護信號線TSnL係對非選擇之檢測電極Rx(參照圖12)供給保護信號DSn(參照圖11)。於此情形時，與驅動信號線TSpL相比，對多個檢測電極Rx一併供給保護信號DSn。因此，藉由使保護信號線TSnL之配線電阻減小，可使保護信號DSn之波形穩定化。 但，如將圖21與圖22加以比較而判明般，若複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度TWn變寬，則配置驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL之空間隨之變寬。因此，就減少配置空間之觀點而言，較佳為如圖21所示，複數根驅動信號線TSpL之各者之配線寬度TWp及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度TWn係相互相等。 再者，於顯示裝置DSP4之例中，作為實現保護信號線TSnL之配線電阻低於驅動信號線TSpL之狀態之方法的一例，列舉使配線寬度變寬之方法進行說明。但是，減小保護信號線TSnL之配線電阻之方法存在各種變化例。例如，若使保護信號線TSnL之剖面積變大則可減小配線電阻。因此，保護信號線TSnL之厚度亦可厚於驅動信號線TSpL之厚度。又，亦可將如圖22所示般之利用配線寬度之配線電阻之減小方法與利用配線之厚度之配線電阻之減小方法組合。 又，於圖23所示之顯示裝置DSP5之情形時，驅動信號線TSp1之配線寬度TWp1較驅動信號線TSp2之配線寬度TWp2寬。換言之，驅動信號線TSp1之配線電阻低於驅動信號線TSp2。又，保護信號線TSn1之配線寬度TWn1較保護信號線TSn2之配線寬度TWn2寬。換言之，保護信號線TSn1之配線電阻低於保護信號線TSn2。如圖12所示，於將複數根驅動信號線TSpL(及複數根保護信號線TSnL)連接於一個檢測部SE1之情形時，難以使複數根驅動信號線TSpL(及複數根保護信號線TSnL)之各者之配線路徑距離相等。又，難以使複數根驅動信號線TSpL(及複數根保護信號線TSnL)之各者於俯視時與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度相等。 例如於圖23所示之例中，驅動信號線TSp1之配線路徑距離較驅動信號線TSp2之配線路徑距離長。於此情形時，藉由減小驅動信號線TSp1之配線電阻，可使流向驅動信號線TSp1之驅動信號DSp(參照圖11)、或檢測信號之波形穩定化。又，保護信號線TSn1之配線路徑距離較保護信號線TSn2之配線路徑距離長。於此情形時，藉由減小保護信號線TSn1之配線電阻，可使流向保護信號線TSn1之保護信號DSn(參照圖11)之波形穩定化。 又，於圖23所示之例中，於俯視時，驅動信號線TSp1與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度較驅動信號線TSp2與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度長。再者，於圖23中，驅動信號線TSp2未與區域SLR1及區域SLR2重疊，上述「驅動信號線TSp2與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度」中亦包含零。於配線重疊之情形時，有產生電容而導致配線電阻增加之虞。由此，藉由減小驅動信號線TSp1之配線電阻，可使流向驅動信號線TSp1之驅動信號DSp(參照圖11)、或檢測信號之波形穩定化。又，於俯視時，保護信號線TSn1與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度較保護信號線TSn2與區域SLR1及區域SLR2重疊之長度長。於此情形時，藉由以相同之方式減小保護信號線TSn1之配線電阻，可使流向保護信號線TSn1之保護信號DSn(參照圖11)之波形穩定化。 (實施形態2) 於實施形態1中，對使於互不相同之時序之檢測期間FLt(參照圖11)被檢測之檢測單位RxA～檢測單位RxD沿著Y軸方向排列之實施態樣進行說明。於本實施形態2中，對例如如圖24所示之顯示裝置DSP6般，使檢測單位RxA～檢測單位RxD沿著X軸方向排列之實施態樣進行說明。圖24係表示連接於圖3所示之觸碰檢測用電路之配線佈局之另一例的俯視圖。 再者，本實施形態2中所說明之顯示裝置與上述實施形態1中所說明之顯示裝置DSP1成為一者為另一者之變化例之關係。因此，於本實施形態2中，以與上述實施形態中所說明之顯示裝置DSP1～顯示裝置DSP5之各者之不同點為中心進行說明，原則上省略重複之說明。又，於提及成為與上述實施形態1中已說明之顯示裝置DSP1～顯示裝置DSP5相同之構造之部分之情形時，視需要引用上述實施形態1中所說明之各圖。例如，顯示裝置DSP6之構成觸碰檢測用電路之配線之佈局與顯示裝置DSP1不同，但圖11所示之顯示期間FLd之開關元件之動作及除觸碰檢測用電路以外之顯示面板PNL1之構成與顯示裝置DSP1相同。 例如，顯示裝置DSP6係與上述實施形態中所說明之顯示裝置DSP1同樣地，具有作為光電層之液晶層LQ(參照圖2)、及驅動液晶層LQ之像素電極PE(參照圖2)及共通電極CE。又，顯示裝置DSP6具有對像素電極PE供給影像信號Spic(參照圖4)之驅動晶片DRC1(參照圖24)。又，如圖24所示，顯示裝置DSP6具有開關電路部SWG，該開關電路部SWG係配置於驅動晶片DRC1之外部，選擇對作為檢測電極Rx之共通電極CE供給之電位，且具有開關元件SWp及開關元件SWn。又，顯示裝置DSP6具備連接於開關電路部SWG之移位暫存器電路SR及檢測物體之接近或接觸之檢測部SE1。又，開關元件SWp及開關元件SWn之各者係藉由移位暫存器電路SR而選擇性地接通或斷開，檢測部SE1係與開關元件SWp及開關元件SWn電性連接。 又，顯示裝置DSP6係與顯示裝置DSP1同樣地，利用自我電容方式進行觸碰檢測，但亦可利用相互電容方式。自我電容方式之原理係由於已使用圖5～圖10進行說明，故而省略重複之說明。進而，顯示裝置DSP6之顯示處理動作與觸碰檢測動作之時序圖係與圖11相同。 圖24所示之顯示裝置DSP6之包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxA、RxB、RxC、及檢測單位RxC之排列方向與圖12所示之顯示裝置DSP1之不同。即，顯示裝置DSP6、於互不相同之時序之檢測期間FLt(參照圖11)被檢測之檢測單位RxA、檢測單位RxB、檢測單位RxC、及檢測單位RxD係沿著X軸方向排列。 包括複數個檢測電極Rx之檢測單位RxA包含沿著Y軸方向排列之構成電極Rx1A、構成電極Rx2A、構成電極Rx3A、及構成電極Rx4A。又，檢測單位RxB包含沿著Y軸方向排列之構成電極Rx1B、構成電極Rx2B、構成電極Rx3B、及構成電極Rx4B。又，檢測單位RxC包含沿著Y軸方向排列之構成電極Rx1C、構成電極Rx2C、構成電極Rx3C、及構成電極Rx4C。又，檢測單位RxD包含沿著Y軸方向排列之構成電極Rx1D、構成電極Rx2D、構成電極Rx3D、及構成電極Rx4D。 又，於圖24所示之例中，開關電路部SWG中所包含之複數個開關元件係根據控制接通斷開動作之檢測電極Rx所屬之檢測單位而區分。即，開關電路部SWG具有包含連接於構成電極Rx1A～構成電極Rx4A之各者之開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWA。又，開關電路部SWG具有包含連接於構成電極Rx1B～構成電極Rx4B之各者之開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWB。又，開關電路部SWG具有包含連接於構成電極Rx1C～構成電極Rx4C之各者之開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWC。又，開關電路部SWG具有包含連接於構成電極Rx1D～構成電極Rx4D之各者之開關元件SWp及開關元件SWn之開關電路部SWD。進而，連接於構成電極Rx1A之開關元件SWp(第1開關元件)與開關元件SWn(第2開關元件)之源極電極ST(參照圖13)係連接於互不相同之源極配線(驅動信號線TSpL或保護信號線TSnL)。另一方面，連接於構成電極Rx1A之開關元件SWp(第1開關元件)與連接於構成電極Rx1B之開關元件SWp(第3開關元件)之源極電極ST係連接於共通之源極配線。 顯示裝置DSP6係與顯示裝置DSP1同樣地，於圖11所示之一次檢測期間FLt中使複數個開關元件SWp及複數個開關元件SWn接通。此處，若將圖12與圖24加以比較，則判明顯示裝置DSP1與顯示裝置DSP6存在以下不同。即，於圖12所示之顯示裝置DSP1之情形時，於一次檢測期間FLt(參照圖11)中成為接通狀態之複數個開關元件係於開關電路部SWG之配置區域，大範圍地分散地配置。另一方面，於圖24所示之顯示裝置DSP6之情形時，於一次檢測期間FLt(參照圖11)中成為接通狀態之複數個開關元件SWp係於開關電路部SWG之配置區域中，彙集地配置於相對較窄之範圍。換言之，於顯示裝置DSP6之情形時，於一次檢測期間FLt中成為接通狀態之複數個開關元件SWp係以相互相鄰之方式沿著X軸方向排列。詳細而言，如圖25所示，連接於移位暫存器電路SRA之複數個開關元件SWpA係以相互相鄰之方式排列。圖25係表示圖24所示之複數個電路中之檢測動作用之複數個開關元件、及控制開關元件之接通斷開動作之控制信號線之俯視圖。又，連接於移位暫存器電路SRA之複數個開關元件SWnA係以相互相鄰之方式排列。雖省略重複之說明，但關於複數個開關元件SWpB、SWnB、SWpC、SWnC、SWpD、及複數個開關元件SWnD之各者，亦以相互相鄰之方式排列。 如上所述，於在一次檢測期間FLt中成為接通狀態之複數個開關元件SWp以相互相鄰之方式排列之情形時，可使供給控制複數個開關元件SWp之接通斷開動作之控制信號之複數根控制信號線CSpL之配線路徑距離分別變短。又，關於複數個開關元件SWn亦同樣地，於顯示裝置DSP6之情形時，於一次檢測期間FLt中成為接通狀態之複數個開關元件SWn係以相互相鄰之方式沿著X軸方向排列。因此，可使供給控制複數個開關元件SWn之接通斷開動作之控制信號之複數根控制信號線CSnL之配線路徑距離分別變短。以下，使用圖25進行說明。 又，如圖25所示，移位暫存器電路SR具有控制開關電路部SWA所具有之開關元件SWp及開關元件SWn之接通斷開動作之移位暫存器電路SRA。又，移位暫存器電路SRB具有控制開關電路部SWB所具有之開關元件SWp及開關元件SWn之接通斷開動作之移位暫存器電路SRB。又，移位暫存器電路SRC具有控制開關電路部SWC所具有之開關元件SWp及開關元件SWn之接通斷開動作之移位暫存器電路SRC。又，移位暫存器電路SRD具有控制開關電路部SWD所具有之開關元件SWp及開關元件SWn之接通斷開動作之移位暫存器電路SRD。移位暫存器電路SRA係於檢測期間FLtA(參照圖11)使開關元件SWpA(參照圖25)接通，且使開關元件SWnA斷開。又，移位暫存器電路SRA係於檢測期間FLtB(參照圖11)使開關元件SWpA(參照圖25)斷開，且使開關元件SWnA接通。雖省略重複之說明，但移位暫存器電路SRB、SRC、及移位暫存器電路SRD之各者係以與上述相同之方式控制自身所連接之開關元件SWp及開關元件SWn之接通斷開動作。該方面與使用圖14所說明之顯示裝置DSP1相同。 又，作為控制配線之控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之各者具有連接於移位暫存器電路SRA之控制配線CSLA、連接於移位暫存器電路SRB之控制配線CSLB、連接於移位暫存器電路SRC之控制配線CSLC、及連接於移位暫存器電路SRD之控制配線CSLD。換言之，控制配線CSLA、CSLB、CSLC、及控制配線CSLD中分別包含控制信號線CSpL及控制信號線CSnL。於圖14中，為了易於理解圖而未標註符號，但連接於圖14所示之移位暫存器電路SRA、SRB、SRC、及移位暫存器電路SRD之各者之控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之各者相當於控制配線CSLA、CSLB、CSLC、及控制配線CSLD(參照圖25)。 又，如圖25所示，開關電路部SWA、開關電路部SWB、SWC及開關電路部SWD之各者係沿著X軸方向排列。又，於將X軸方向之一側設為X1側，將另一側設為X2側時，控制配線CSLA及控制配線CSLB之主配線部CSL1係自X1側朝向X2側延伸。另一方面，控制配線CSLC及控制配線CSLD之主配線部CSL1係自X2側朝向X1側延伸。換言之，控制配線CSLA及控制配線CSLB之主配線部CSL1與控制配線CSLC及控制配線CSLD之主配線部CSL1係相互朝相反方向延伸。該構造與圖12所示之顯示裝置DSP1之構造不同。但，使用圖15所說明之顯示裝置DSP2之複數根控制信號線中之一部分與另一部分成為相互朝相反方向延伸之構成。 當如圖25所示之顯示裝置DSP6、或圖15所示之顯示裝置DSP2般，複數根控制信號線中之一部分與另一部分相互朝相反方向延伸時，可使控制信號線之各者之配線路徑距離變短。例如，於顯示裝置DSP6之情形時，作為閘極配線之控制信號線CSpL及控制信號線CSnL之配線路徑距離與圖12所示之顯示裝置DSP1之例相比變短。而且，如使用圖15所作說明般，若配線路徑距離變短，則信號傳輸路徑中之時間常數變小，故而信號傳輸之可靠性提高。 又，於顯示裝置DSP6中，複數根控制配線中之控制配線CSLB及控制配線CSLC之各自之一部分(沿著Y軸方向延伸之延伸部)係於相互相鄰地配置之開關電路部SWB與開關電路部SWC之間沿著Y軸方向延伸。該構造與圖12所示之顯示裝置DSP1之構造、及圖15所示之顯示裝置DSP2之構造不同。 如圖24所示，顯示裝置DSP6之移位暫存器電路SR係於沿著X軸方向之方向，配置於作為複數根信號用連接配線SCL(參照圖1)之配置區域之區域SLR1及區域SLR2之間。於此情形時，若如圖25所示，控制配線CSLA、CSLB、CSLC、及控制配線CSLD之各者於開關電路部SWA、SWB、SWC、及開關電路部SWD中之相互相鄰之兩者間沿著Y軸方向延伸，則以下方面較佳。即，控制配線CSLA、CSLB、CSLC、及控制配線CSLD之各者未沿著X軸方向橫穿區域SLR1(參照圖24)及區域SLR2(參照圖24)。於此情形時，與如顯示裝置DSP1(參照圖12)或顯示裝置DSP2(參照圖15)般，控制信號線CSpL橫穿區域SLR1或區域SLR2而被引出至基板SUB之周緣部之實施態樣相比，可使配線路徑距離變短。 例如，開關電路部SWB及開關電路部SWC之各者係配置於Y軸方向上與移位暫存器電路SR重疊之位置。而且，控制配線CSLB及控制配線CSLC之各者之一部分係於開關電路部SWB與開關電路部SWC之間沿著Y軸方向延伸，故而控制配線CSLB及控制配線CSLC之配線路徑距離與另一控制配線之配線路徑距離相比而較短。 又，控制配線CSLB及控制配線CSLC之配線路徑距離變短之構成亦可以如下方式表現。即，複數根控制配線中之控制配線CSLB及控制配線CSLC之各者之一部分(沿著Y軸方向延伸之延伸部)係延伸至區域SLR1及區域SLR2之間。又，開關電路部SWB係配置於Y軸方向上與區域SLR1重疊之位置，開關電路部SWC係配置於Y軸方向上與區域SLR2重疊之位置。 又，複數根控制配線中之控制配線CSLA之各者之一部分(沿著Y軸方向延伸之延伸部)係與圖24所示之區域SLR1之信號用連接配線SCL1重疊。又，複數根控制配線中之控制配線CSLD之各者之一部分(沿著Y軸方向延伸之延伸部)係與圖24所示之區域SLR2之信號用連接配線SCL2重疊。信號用連接配線SCL1及信號用連接配線SCL2之各者係上述實施形態1中使用圖1所說明之信號用連接配線SCL中所包含之配線，且為傳輸影像信號之影像信號配線。又，連接於控制配線CSLA之開關電路部SWA係配置於Y軸方向上與區域SLR1重疊之位置，連接於控制配線CSLD之開關電路部SWD係配置於Y軸方向上與區域SLR2重疊之位置。亦即，控制配線CSLA係朝向連接對象即開關電路部SWA延伸，故而配線之迂迴距離較少。又，控制配線CSLD係朝向連接對象即開關電路部SWA延伸，故而配線之迂迴距離較少。即，於本實施形態中，可使控制配線CSLA及控制配線CSLB之迂迴距離變少，故而可使控制配線CSLA及控制配線CSLB之配線路徑距離變短。 又，顯示裝置DSP6係使檢測單位RxA～檢測單位RxD沿著X軸方向排列，藉此，開關元件SWp及開關元件SWn之排列與顯示裝置DSP1(參照圖12)不同，但各開關之接通斷開控制方法與顯示裝置DSP1相同。 例如，於圖11所示之檢測期間FLtB中，經由開關元件SWp對圖24所示之複數個檢測電極Rx中之構成電極Rx1B～構成電極Rx4B供給驅動信號DSp(參照圖11)。又，於檢測期間FLtB中，經由開關元件SWn對構成電極Rx1A～構成電極Rx4A、構成電極Rx1C～構成電極Rx4C及構成電極Rx1D～構成電極Rx4D之各者供給保護信號DSn(參照圖11)。即，對非選擇之檢測電極Rx供給保護信號DSn。藉此，可減少有可能因對一部分之檢測電極Rx供給驅動信號DSp而產生之寄生電容之影響。 又，例如，開關元件SWp具有於檢測期間FLt處於一者被接通時另一者被斷開之關係之開關元件SWpA(參照圖25)及開關元件SWpB。構成電極Rx1A～構成電極Rx4A係與開關元件SWpA及開關元件SWnA電性連接。又，開關元件SWn具有於檢測期間FLt處於一者被接通時另一者被斷開之關係之開關元件SWnA及開關元件SWnB。構成電極Rx1B～構成電極Rx4B係與開關元件SWpB及開關元件SWnB電性連接。再者，於圖25中示出開關元件SWpC、SWpD、SWnC、及開關元件SWnD，但省略重複之說明。 又，圖24所示之開關電路部SWG中所包含之開關元件SWp係於圖11所示之檢測期間FLt中將被選擇作為進行觸碰檢測之對象之檢測單位所屬的檢測電極Rx與檢測部SE1電性連接。詳細而言，複數個開關元件SWp之源極電極ST(參照圖13)係與(兼作為驅動信號線TSpL)檢測信號線DSL電性連接，且經由檢測信號線DSL而與檢測部SE1連接。於圖24中，作為一例，表示檢測單位RxB被選擇之狀態。因此，於檢測期間FLtB(參照圖11)，屬於檢測單位RxB之構成電極Rx1B、構成電極Rx2B、構成電極Rx3B、及構成電極Rx4B之各者係經由複數個開關元件SWp中之開關元件SWpB(參照圖14)及檢測信號線DSL而電性連接於檢測部SE1。使構成檢測信號線DSL之配線與構成驅動信號線TSpL之配線兼用化之內容係如已作說明般。藉此，可將複數個檢測電極Rx中之成為觸碰檢測之對象之構成電極選擇性地與檢測器DET(參照圖9)連接。 又，圖24所示之開關電路部SWG中所包含之開關元件SWn之各者係於圖11所示之檢測期間FLt，將未被選擇作為進行觸碰檢測之對象之檢測單位所屬的檢測電極Rx與作為保護信號DSn(參照圖11)之供給源之檢測部SE1電性連接。詳細而言，複數個開關元件SWn之源極電極ST(參照圖13)係與保護信號線TSnL電性連接，且經由保護信號線TSnL而與檢測部SE1連接。於圖24中，作為一例，表示檢測單位RxB被選擇之狀態，故而於圖11所示之檢測期間FLtB中，屬於檢測單位RxA之構成電極Rx1A～構成電極Rx4A、構成電極Rx1C～構成電極Rx4C、及構成電極Rx1D～構成電極Rx4D之各者係經由複數個開關元件SWn中之開關元件SWnA、SWnC、SWnD(參照圖14)及保護信號線TSnL而電性連接於檢測部SE1。藉此，可將複數個檢測電極Rx中之未成為觸碰檢測之對象之構成電極選擇性地與作為保護信號DSn(參照圖11)之供給源之電源Vdd(參照圖9)連接。 又，如圖24所示，對開關元件SWp供給驅動信號DSp(參照圖11)之驅動信號線TSpL、及對開關元件SWn供給保護信號DSn(參照圖11)之保護信號線TSnL係於X軸方向自X2側朝X1側延伸。又，檢測部SE1係於X軸方向配置於較驅動晶片DRC1更靠X2側。亦即，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者係於X軸方向朝靠近檢測部SE1之X2側引出。藉此，可使複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之配線路徑距離變短。 又，傳輸控制複數個開關元件SWd之各者之接通斷開動作之控制信號的控制信號線CSdL係自X1側朝向X2側延伸。控制信號線CSdL係於X2側終止。換言之，控制信號線CSdL被引出至基板SUB1之X1側之周緣部，驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL被引出至基板SUB1之X2側之周緣部。因此，可有效率地利用基板SUB1之周緣部之空間。該方面係與圖12所示之顯示裝置DSP1不同之顯示裝置DSP6之特徵。 又，於顯示裝置DSP6之情形時，如圖24所示，於區域SLR1及區域SLR2中，驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL未與作為影像信號線之信號用連接配線SCL重疊。換言之，驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL係以於俯視時在區域SLR1及區域SLR2迂迴之方式配置。藉此，可減少由信號用連接配線SCL與驅動信號線TSpL或保護信號線TSnL重疊所致之雜訊影響。 又，於顯示裝置DSP6之情形時，如圖24所示，複數根驅動信號線TSpL之各者係相互相鄰地配置。又，複數根保護信號線TSnL之各者係相互相鄰地配置。又，開關元件SWp與開關元件SWn係沿著Y軸方向而配置。藉由該電路佈局，可將驅動信號線TSpL與開關元件SWp、及保護信號線TSnL與開關元件SWn之各者有效率地連接。該方面係與圖12所示之顯示裝置DSP1不同之顯示裝置DSP6之特徵。 又，本實施形態2之顯示裝置DSP6係與實施形態1之顯示裝置DSP1(參照圖12)同樣地，於俯視時複數根配線相互交叉。但是，如上所述，顯示裝置DSP6與顯示裝置DSP1存在如上述般伴隨俯視時之配線佈局不同而供配置各配線之配線層之種類不同的部分。 圖26係關於圖24所示之複數根配線，以可針對所配置之每一配線層進行識別之狀態表示之俯視圖。再者，於圖26中，以與上述實施形態1中所說明之圖16相同之規則決定線之線種。例如，以虛線表示複數根配線中之配置於第1層配線層WL1(參照圖2)之部分，以一點鏈線表示配置於第2層配線層WL2(參照圖2)之部分，且以黑色之實線表示配置於第3層配線層WL3(參照圖2)之部分。又，於圖26中，為了易於理解圖，關於複數根信號線SL及複數根信號用連接配線SCL係圖示供配置該等配線之區域SLR1～SLR4，對各區域標註信號線SL及信號用連接配線SCL之符號。 如圖26所示，信號用連接配線SCL係遍及複數層配線層而形成。詳細而言，於連接於驅動晶片DRC1之區域SLR1及區域SLR2中，信號用連接配線SCL係配置於第2層配線層WL2(參照圖2)。又，於與顯示區域DA(參照圖1)重疊之區域SLR3中，信號線SL係配置於第2層配線層WL2(參照圖2)。但是，於區域SLR3與位於區域SLR1及區域SLR2之間之區域SLR4中，信號用連接配線SCL係配置於第1層配線層WL1(參照圖17)。該方面與圖16所示之顯示裝置DSP1相同。 又，如上所述，於顯示裝置DSP6之情形時，驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL之各者於區域SLR1及區域SLR2中不與信號用連接配線SCL重疊。因此，於圖26所示之例中，自連接於軟性配線板FWB1之部分至開關元件SWp或開關元件SWn之源極電極ST(參照圖13)為止之配線路徑僅配置於第2層配線層WL2(參照圖2)。配線層WL2係與於區域SLR1及區域SLR2中供配置信號用連接配線SCL之配線層為同層，且為如已作說明般與配線層WL1(參照圖2)相比更容易使配線電阻減小之配線層。即，於本實施形態中，驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL之各者於區域SLR1及區域SLR2中不與信號用連接配線SCL重疊，故而可減小驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL之配線電阻。 但，作為針對圖26之變化例，亦可使驅動信號線TSpL之整體或一部分形成於與配線層WL2不同之配線層。例如，亦可將驅動信號線TSpL之整體或一部分配置於配線層WL3(參照圖2)。 又，於顯示裝置DSP6之情形時，控制信號線CSpL之主配線部CSL1(參照圖25)及控制信號線CSnL之主配線部CSL1(參照圖25)係配置於配線層WL1。如上所述，於一次檢測期間FLt中成為接通狀態之複數個開關元件SWp之各者、及複數個開關元件SWn之各者係以相互相鄰之方式沿著X軸方向排列。因此，相互相鄰之複數個開關元件SWp(或開關元件SWn)之全部以相同之方式接通或斷開。因此，控制信號線CSdL之主配線部CSL1相對於包含相鄰地排列之複數個開關元件SWp之開關群，例如只要存在一根便可。於此情形時，可簡化配線構造，故而只要使主配線部CSL1形成於圖13所示之形成有閘極電極GE之配線層WL1(參照圖2)，便可使副配線部CSL2之距離變短。 再者，如圖26所示，關於共通電位供給線VCDL、及複數根共通線CML係與圖16所示之顯示裝置DSP1中所說明之例相同。又，關於控制信號線CSpL及控制信號線CSnL中之於俯視時與信號用連接配線SCL重疊之部分，與圖16所示之顯示裝置DSP1中所說明之例相同。因此省略重複之說明。 ＜實施形態2之變化例＞ 本實施形態之顯示裝置DSP6除已敍述之變化例以外，還存在各種變化例。以下，對本實施形態1之代表性之變化例進行說明。再者，如上所述，本實施形態2中所說明之顯示裝置與上述實施形態1中所說明之顯示裝置DSP1成為一者為另一者之變化例之關係。因此，可將上述實施形態1中所說明之變化例之各者組合而應用。以下，對本實施形態2之代表性之變化例進行說明，但關於可運用並應用實施形態1中已說明之變化例之技術思想者，以不同點為中心進行說明。 於圖24所示之顯示裝置DSP6中，複數個開關元件SWd包含於開關電路部SWG。但是，亦可與上述實施形態1中所說明之圖20所示之顯示裝置DSP3同樣地，複數個開關元件SWd不包含於開關電路部SWG而形成於與開關元件SWp及開關元件SWn隔開之位置。 雖省略圖示及重複之說明，但作為圖24所示之顯示裝置DSP6之變化例，亦可如圖20所示之顯示裝置DSP3般，將開關元件SWd配置於複數個檢測電極Rx與驅動晶片DRC1之間之區域以外。於此情形時，與圖24所示之顯示裝置DSP6相比，可使顯示區域DA(參照圖1)與驅動晶片DRC1之間隔距離變小。因此，可使顯示區域DA(參照圖1)與驅動晶片DRC1之間之非顯示區域NDA(參照圖1)之寬度變小。 又，於使用圖24所說明之顯示裝置DSP6之情形時，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度相互相同。但是，如上述實施形態1中使用圖22及圖23所作說明般，複數根驅動信號線TSpL及複數根保護信號線TSnL之各者之配線寬度亦可互不相同。例如，如使用圖22所作說明般，保護信號線TSnL之各者之配線寬度TWn亦可較驅動信號線TSpL之各者之配線寬度TWp寬。於此情形時，保護信號線TSnL之配線電阻低於驅動信號線TSpL。與上述實施形態1中所說明之內容同樣地，保護信號線TSnL係對非選擇之檢測電極Rx(參照圖24)供給保護信號DSn(參照圖11)。於此情形時，與驅動信號線TSpL相比，可對多個檢測電極Rx一併供給保護信號DSn。因此，藉由減小保護信號線TSnL之配線電阻，可使保護信號DSn之波形穩定化。 再者，於上述實施形態1中所說明之圖21及圖22中，使驅動信號線TSpL及保護信號線TSnL交替地配置，但若如圖24所示，使複數根驅動信號線TSpL之各者、及複數根保護信號線TSnL之各者相互相鄰地配置，則成為顯示裝置DSP6之佈局。因此，對應於圖21及圖22之圖式係省略圖示。 圖27係將作為針對圖24之變化例之顯示裝置之驅動信號線及保護信號線之一部分放大表示之放大俯視圖。於圖27所示之顯示裝置DSP7之情形時，驅動信號線TSp1之配線寬度TWp1較驅動信號線TSp2之配線寬度TWp2寬。換言之，驅動信號線TSp1之配線電阻低於驅動信號線TSp2。又，保護信號線TSn1之配線寬度TWn1較保護信號線TSn2之配線寬度TWn2寬。換言之，保護信號線TSn1之配線電阻低於保護信號線TSn2。又，於圖27所示之例中，驅動信號線TSp1之配線路徑距離較驅動信號線TSp2之配線路徑距離長。於此情形時，藉由減小驅動信號線TSp1之配線電阻，可使流向驅動信號線TSp1之驅動信號DSp(參照圖11)、或檢測信號之波形穩定化。又，保護信號線TSn1之配線路徑距離較保護信號線TSn2之配線路徑距離長。於此情形時，藉由減小保護信號線TSn1之配線電阻，可使流向保護信號線TSn1之保護信號DSn(參照圖11)之波形穩定化。 又，於圖24所示之例中，驅動信號線TSpL之數量(根數)與保護信號線TSnL之數量(根數)相等。但是，亦可如圖28所示之顯示裝置DSP8般，保護信號線TSnL之數量少於驅動信號線TSpL(換言之檢測信號線DSL)之數量。圖28係表示針對圖24所示之顯示裝置之變化例之俯視圖。顯示裝置DSP8係與圖24所示之顯示裝置DSP6同樣地，於俯視時，保護信號線TSnL不與區域SLR1及區域SLR2重疊，而被引出至基板SUB1之X2側之周緣部。又，保護信號線TSnL只要可對非選擇之檢測電極Rx供給保護信號DSn(參照圖11)便可，故而只要存在至少1根便可。因此，於本實施形態之情形時，可如顯示裝置DSP8般，使保護信號線TSnL之數量少於驅動信號線TSpL之數量。於保護信號線TSnL之數量較少之情形時，可使配置保護信號線TSnL之空間變窄。因此，可於Y軸方向使驅動晶片DRC1與顯示區域DA(參照圖1)之間隔變窄。 但，如上所述，於一個檢測期間FLt(參照圖11)中，保護信號線TSnL係與驅動信號線TSpL相比，針對多個檢測電極Rx一併供給保護信號DSn。因此，藉由減小保護信號線TSnL之配線電阻，可使保護信號DSn之波形穩定化。因此，如圖28所示，於保護信號線TSnL之數量較少之情形時，特佳為保護信號線TSnL之配線寬度較驅動信號線TSpL之配線寬度寬。 又，圖11所示之保護信號DSn之波形與驅動信號DSp之波形之差異越少，越可減少寄生電容之產生。因此，就使保護信號線TSnL之配線路徑與驅動信號線TSpL之配線路徑成為相互良好地相似之配線形狀並使信號波形相同之觀點而言，較佳為如圖24所示，驅動信號線TSpL之數量與保護信號線TSnL之數量相等。 以上，對由本發明者所完成之發明基於其實施形態具體地進行說明，但本發明並不限定於上述實施形態，當然可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。 例如，於上述實施形態中，例示有液晶顯示裝置之情形作為揭示例，但作為其他應用例，可列舉有機EL顯示裝置、其他自發光型顯示裝置、或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等所謂之平板型之顯示裝置。又，當然可無特別限定地應用於中小型至大型。 於本發明之思想範疇內，只要為業者便可想到各種變更例及修正例，應瞭解該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。 例如，業者對上述各實施形態適當進行構成要素之追加、刪除或者設計變更而得者、或進行步驟之追加、省略或者條件變更而得者只要具備本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍內。 [產業上之可利用性] 本發明應用於輸入裝置或具備輸入檢測功能之顯示裝置較有效。
10 絕緣基板 11 絕緣膜 12 絕緣膜 13 絕緣膜 14 絕緣膜 20 絕緣基板 AL1 配向膜 AL2 配向膜 BL 背光單元 BM 黑矩陣 Cd 電容 CD 共通電極驅動電路 CDF 導電膜 CE 共通電極 CFB、CFG、CFR 濾色器 CML 共通線 CS 保持電容 CScl 時脈信號 CSd 控制信號 CSdL 控制信號線 CSL1 主配線部 CSL2 副配線部 CSLA、CSLB、CSLC、CSLD 控制配線 CSnA、CSnB、CSnC、CSnD 控制信號 CSnL 控制信號線 CSpA、CSpB、CSpC、CSpD 控制信號 CSpL 控制信號線 CSst 起始脈衝信號 CTC 控制電路部 Cx1 電容 Cx2 電容 Cy1 電容 DA 顯示區域 DCP1 檢測電路 DET 檢測器 DRC1 驅動晶片 DRC2 驅動晶片 DS 顯示面 DSL 檢測信號線 DSL1 檢測信號線 DSL2 檢測信號線 DSn 保護信號 DSp 驅動信號 DSP1 顯示裝置 DSP2 顯示裝置 DSP3 顯示裝置 DSP4 顯示裝置 DSP5 顯示裝置 DSP6 顯示裝置 DSP7 顯示裝置 DSP8 顯示裝置 DSR1 顯示裝置 DSR2 顯示裝置 DT 汲極電極 FLd 顯示期間 FLt 檢測期間 FLtA 檢測期間 FLtB 檢測期間 FLtC 檢測期間 FLtD 檢測期間 FWB1 軟性配線板 GD 掃描線驅動電路 GE 閘極電極 GL 掃描線 GL1 掃描線 GL2 掃描線 GLn 掃描線 LQ 液晶層 NDA 非顯示區域 OCL 保護層 OD1 光學元件 OD2 光學元件 OPd 運算放大器 PE 像素電極 PNL1 顯示面板 PSW 像素開關元件 PX 像素 Q1 電荷 Q2 電荷 Q3 電荷 Q4 電荷 Rx 檢測電極 Rx1A 構成電極 Rx1B 構成電極 Rx1C 構成電極 Rx1D 構成電極 Rx2A 構成電極 Rx2B 構成電極 Rx2C 構成電極 Rx2D 構成電極 Rx3A 構成電極 Rx3B 構成電極 Rx3C 構成電極 Rx3D 構成電極 Rx4A 構成電極 Rx4B 構成電極 Rx4C 構成電極 Rx4D 構成電極 RxA、RxB、RxC、RxD 檢測單位 SCL 信號用連接配線 SCL1 信號用連接配線 SCL2 信號用連接配線 SD 信號線驅動電路 SE1 檢測部 Sg 交流矩形波 SL 信號線 SL1 信號線 SL2 信號線 SLm 信號線 SLR1 區域 SLR2 區域 SLR3 區域 SLR4 區域 Spic 影像信號 SR 移位暫存器電路 SRA、SRB、SRC、SRD 移位暫存器電路 ST 源極電極 SUB1 基板 SUB2 基板 SW1 開關 SW2 開關 SW3 開關 SWA 開關電路部 SWB 開關電路部 SWC 開關電路部 SWD 開關電路部 SWd 開關元件 SWG 開關電路部 SWn 開關元件 SWnA 開關元件 SWnB 開關元件 SWnC 開關元件 SWnD 開關元件 SWp 開關元件 SWpA 開關元件 SWpB 開關元件 SWpC 開關元件 SWpD 開關元件 T01 時刻 T02 時刻 T11 時刻 T12 時刻 T31 時刻 TDS 觸碰檢測面 TL 時間軸 Tr 電晶體元件 TSC1 檢測晶片 TSn1 保護信號線 TSn2 保護信號線 TSnL 保護信號線 TSp1 驅動信號線 TSp2 驅動信號線 TSpL 驅動信號線 TWn 配線寬度 TWn1 配線寬度 TWn2 配線寬度 TWp 配線寬度 TWp1 配線寬度 TWp2 配線寬度 VCDL 共通電位供給線 Vdd 電源 Vdet 電壓 Vdet0 波形 Vdet1 波形 Vdr 電壓 Vref 參照信號 Vth 閾值電壓 Vx 電壓 Vx0 波形 Vx1 波形 W1 配線 WL1 配線層 WL2 配線層 WL3 配線層 X1 X軸方向上之一側 X2 X軸方向上之另一側 ｜ΔV｜ 波形Vdet0與波形Vdet1之差量之絕 對值
圖1係表示作為一實施形態之顯示裝置之一個構成例之俯視圖。 圖2係圖1所示之顯示裝置之顯示區域之一部分的放大剖視圖。 圖3係表示圖1所示之顯示裝置中之共通電極之配置之一例的俯視圖。 圖4係表示圖1所示之顯示裝置中之像素之等效電路圖。 圖5係模式性地表示利用自我電容方式之觸碰檢測之電路動作之說明圖。 圖6係模式性地表示利用自我電容方式之觸碰檢測之電路動作之說明圖。 圖7係模式性地表示利用自我電容方式之觸碰檢測之電路動作之說明圖。 圖8係模式性地表示利用自我電容方式之觸碰檢測之電路動作之說明圖。 圖9係卸除圖3所示之半導體裝置及電容器而得之配線基板之俯視圖。 圖10係表示於圖9所示之電路中，自電源輸出之交流矩形波、檢測電極之電壓、及作為檢測器之輸出之電壓之時間依存性之例的俯視圖。 圖11係表示於圖3所示之顯示裝置中，顯示處理動作與觸碰檢測動作之時序圖之例之說明圖。 圖12係表示連接於圖3所示之觸碰檢測用電路之配線佈局之例的俯視圖。 圖13係表示圖12所示之開關元件之一例之電路圖。 圖14係將圖12所示之開關電路部之一部分放大表示之俯視圖。 圖15係模式性地表示作為針對圖12之變化例之顯示裝置之電路構成例的俯視圖。 圖16係關於圖12所示之複數根配線，以可針對所配置之每一配線層進行識別之狀態表示之俯視圖。 圖17係表示圖12所示之複數根配線中之配置於第1層之配線的俯視圖。 圖18係表示圖12所示之複數根配線中之配置於第2層之配線的俯視圖。 圖19係表示圖12所示之複數根配線中之配置於第3層之配線的俯視圖。 圖20係表示針對圖18之變化例之俯視圖。 圖21係將圖12所示之驅動信號線及保護信號線之一部分放大表示之放大俯視圖。 圖22係表示針對圖21之變化例之放大俯視圖。 圖23係表示針對圖21之另一變化例之放大俯視圖。 圖24係表示連接於圖3所示之觸碰檢測用電路之配線佈局之另一例的俯視圖。 圖25係表示圖24所示之複數個電路中之檢測動作用之複數個開關元件、及控制開關元件之接通斷開動作之控制信號線的俯視圖。 圖26係關於圖24所示之複數根配線，以可針對所配置之每一配線層進行識別之狀態表示之俯視圖。 圖27係將作為針對圖24之變化例之顯示裝置之驅動信號線及保護信號線之一部分放大表示的放大俯視圖。 圖28係表示針對圖24所示之顯示裝置之變化例之俯視圖。 圖29係表示作為針對圖3之研究例之顯示裝置中之檢測信號線的佈局之例之俯視圖。 圖30係表示作為針對圖3之另一研究例之顯示裝置中之檢測信號線的佈局之例之俯視圖。
CE 共通電極 CML 共通線 CScl 時脈信號 CSdL 控制信號線 CSnL 控制信號線 CSpL 控制信號線 CSst 起始脈衝信號 CTC 控制電路部 DCP1 檢測電路 DRC1 驅動晶片 DSL 檢測信號線 DSP1 顯示裝置 FWB1 軟性配線板 PNL1 顯示面板 Rx 檢測電極 Rx1A 構成電極 Rx1B 構成電極 Rx1C 構成電極 Rx1D 構成電極 Rx2A 構成電極 Rx2B 構成電極 Rx2C 構成電極 Rx2D 構成電極 Rx3A 構成電極 Rx3B 構成電極 Rx3C 構成電極 Rx3D 構成電極 Rx4A 構成電極 Rx4B 構成電極 Rx4C 構成電極 Rx4D 構成電極 RxA、RxB、RxC、RxD 檢測單位 SE1 檢測部 SLR1 區域 SLR2 區域 SR 移位暫存器電路 SUB1 基板 SWd 開關元件 SWG 開關電路部 SWn 開關元件 SWp 開關元件 TSnL 保護信號線 TSpL 驅動信號線 VCDL 共通電位供給線 X1 X軸方向上之一側 X2 X軸方向上之另一側