TWI605529B - 用於根據cad之註冊的系統、方法及電腦程式產品 - Google Patents

用於根據cad之註冊的系統、方法及電腦程式產品 Download PDF

Info

Publication number
TWI605529B
TWI605529B TW102104621A TW102104621A TWI605529B TW I605529 B TWI605529 B TW I605529B TW 102104621 A TW102104621 A TW 102104621A TW 102104621 A TW102104621 A TW 102104621A TW I605529 B TWI605529 B TW I605529B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
wafer
displacement
scan
frame
Prior art date
Application number
TW102104621A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201351524A (zh
Inventor
葛倫力威
班大衛尼爾
Original Assignee
應用材料以色列公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料以色列公司 filed Critical 應用材料以色列公司
Publication of TW201351524A publication Critical patent/TW201351524A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI605529B publication Critical patent/TWI605529B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G01N2021/95615Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method with stored comparision signal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

用於根據CAD之註冊的系統、方法及電腦程式產品
本發明係關於用於根據CAD之註冊的系統、方法及電腦程式產品。
第1圖係晶圓10(諸如,可用於積體電路及其他微裝置之製造中的晶圓)的圖解。儘管術語「晶圓」可用於僅指稱製造積體電路所在的基板材料(例如,半導體材料薄切片,諸如矽晶體),但是此術語亦可用於指稱整個構造,包括在晶圓上製造的電子電路。晶圓10被分成以廣泛地實施的矩形形式的多個晶粒11。與術語「晶圓」相似,術語「晶粒」亦可用於製造給定功能電路所在的半導體材料小方塊,或用於包括製造好的電路的此方塊。
通常情況下,晶圓10可切(「切割」)成多個晶粒11,其中晶圓的所有晶粒含有相同電子電路的複本。儘管並非一定如此,但是晶粒11之每一者具有獨立的功能。
標題為「Methods and Apparatus for Inspecting a Plurality of Dies」的美國專利第7,847,929號揭示用於檢查通 常設置在半導電晶圓之表面上的複數個晶粒的方法。晶粒之每一者包括晶粒內的個別功能性特徵結構。該方法由以下步驟組成:識別第一晶粒內具有個別特徵之第一多個功能性特徵結構,以及相對於第一晶粒的原址量測第一多個功能性特徵結構的個別第一位置。在第二晶粒群組內,識別具有個別特徵之第二多個功能性特徵結構,量測第二多個功能性特徵結構的個別第二位置。比較第二位置與第一位置,以決定第二晶粒群組之原址的位置。
根據本發明揭示之標的的態樣,提供一種用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的系統,該系統包括位移分析模組,該位移分析模組經配置以執行以下步驟:(a)計算在多個掃描框中選擇出的多個目標之每一目標的位移,該等框包括在晶圓的掃描區域中,該計算步驟基於以下的相關:(i)與在晶圓之掃描期間獲得之個別目標相關的影像,以及(ii)對應於影像的設計資料;及(b)決定多個掃描框之每一者的位移,該決定步驟基於針對個別掃描框中之多個目標計算的位移;以及後續處理模組,該後續處理模組經配置以產生:(a)校準資訊,該校準資訊包括針對多個掃描框所決定之位移,以及(b)目標資料庫,該目標資料庫包括資料庫目標之群組之每一目標的目標影像及位置資訊,該群組包括多個掃描框之每一者中的多個目標。
根據本發明揭示之標的的實施例,提供一種系統,其中該後續處理模組經配置以保存在電腦輔助設計(CAD)座標中的資料庫目標的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,進一步提供一種系統,該系統進一步包括:輸入介面,該輸入介面用於接收晶圓之掃描區域的掃描影像資料;以及影像處理模組,該影像處理模組經配置以執行以下步驟:基於掃描影像資料之影像處理選擇多個目標之每一者的影像;及基於選擇保存多個影像。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,其中該影像處理模組進一步經配置以基於掃描影像資料之影像處理界定掃描框。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,其中後續處理模組經配置以執行以下步驟:藉由以下步驟決定掃描框之至少一者的位移:基於針對框之目標之第一子群組的目標決定的位移來決定用於掃描框的框X軸位移值,以及基於針對掃描框之其他目標的第二子群組的目標決定的位移來決定框的Y軸位移值,其中決定Y軸位移值的步驟與針對第一子群組的目標決定的位移無關。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,該系統進一步包括:輸入介面,該輸入介面用於接收除了掃描區域外之第二晶圓區域的掃描影像資料;相關器,該相關器經配置以執行以下步驟:(a)界定搜尋窗,該等搜尋窗之每一者對應於資料庫目標之一者,其中對搜尋窗之 每一者的界定基於個別掃描框的決定位移,相應目標包括在該掃描框中;及(b)基於個別目標影像與對應搜尋窗之掃描影像的至少一部分的相關,計算多個資料庫目標的執行時間位移;以及缺陷偵測模組,該缺陷偵測模組經配置以借助於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,該系統進一步包括輸出介面,該輸出介面經配置以報告缺陷中的至少一些缺陷,其中該報告步驟包括以下步驟:報告設計資料之座標中之缺陷之至少一者的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,其中相關器經配置以基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移;其中缺陷偵測模組進一步經配置以基於多個執行時間框之框執行時間位移來改變比較方案;其中缺陷偵測模組經配置以基於改變的比較方案比較第二晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料,並基於比較的結果偵測第二晶圓區域中的缺陷。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,其中輸入介面經配置以接收除了掃描區域之外的一系列多個其他晶圓區域的掃描影像資料,該系列包括第二晶圓區域,其中其他晶圓區域之每一者覆蓋不同的晶粒;其中相關器經配置以對除了第二掃描區域之外的其他晶圓區域之每一者執行以下動作:(a)界定搜尋窗,該等搜尋窗對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標的子群組,其中對搜 尋窗之每一者的界定基於針對該系列的前一晶圓區域決定的框執行時間位移,其中搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第二晶圓區域中之對應目標界定之搜尋窗的尺寸;以及(b)基於個別目標影像與對應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;其中缺陷感測器經配置以回應於目標執行時間位移之至少一者偵測其他晶圓區域中的缺陷。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,該系統進一步包括輸入介面,該輸入介面用於接收晶圓之掃描區域之掃描的掃描結果,該等晶圓在以交替的掃描方向掃描的切片中掃描;其中後續處理模組經配置以產生作為校準資訊之部分的第一位移映射以及第二位移映射,該第一位移映射包括以第一掃描方向掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種系統,其中後續處理模組經配置以產生作為目標資料庫之部分的子群組目標資訊,該子群組包括出自掃描框之分析框中的多個目標,其中以第一掃描方向掃描分析框;其中子群組之目標之每一者的目標資訊包括與目標及位置資訊相關的目標影像;其中輸入介面經配置以接收除了掃描區域外之第二晶圓區域的掃描影像資料,其中第二晶圓區域包括對應於分析框並以第二掃描方向掃描的框,該第二掃描方向與第一掃描方向相反;其中相關器經配置以執行以下步驟:(a)藉 由對掃描框之框位移平均來計算平均位移,該等掃描框鄰近於分析框並以第二掃描方向掃描該等掃描框;(b)界定對應於子群組之目標的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定基於平均位移;及(c)基於個別目標影像與對應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;其中缺陷感測器經配置以回應於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷。
根據本發明揭示之標的的態樣,又進一步提供一種用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的電腦化方法,該方法包括以下步驟:決定多個掃描框之每一者的位移,該決定步驟基於針對個別掃描框中之多個目標計算的位移;以及產生(a)校準資訊,該校準資訊包括針對多個掃描框決定的位移,以及(b)目標資料庫,該目標資料庫包括資料庫目標群組之每一目標的目標影像及位置資訊,該群組包括多個掃描框之每一者中的多個目標。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法包括以下步驟:能夠使用校準資訊及目標資料庫來決定另一晶圓之檢查中的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,其中該產生步驟包括以下步驟:保存在電腦輔助設計(CAD)座標中之資料庫目標的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法進一步包括以下步驟:掃描晶圓的掃描區 域以提供掃描影像資料;基於掃描影像資料的影像處理選擇多個目標之每一者的影像;以及基於該選擇保存多個影像。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法5,該方法5進一步包括以下步驟:基於掃描影像資料的影像處理來界定掃描框。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,其中決定掃描框之至少一者的位移的步驟包括以下步驟:基於針對框之目標之第一子群組的目標決定的位移來決定用於掃描框的框X軸位移值,以及基於針對掃描框之其他目標之第二子群組的目標決定的位移來決定框的Y軸位移值,其中決定Y軸位移值的步驟與針對第一子群組的目標決定的位移無關。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,其中產生步驟之後之後跟隨有以下步驟:掃描除了掃描區域之外的第二晶圓區域;針對出自資料庫之多個目標的每一目標:基於掃描框之決定的位移界定相應搜尋窗,目標包括在該掃描框中;以及基於目標影像與由相應搜尋窗界定的掃描影像之區域之至少一部分的相關計算目標的執行時間位移;基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移;以及借助於框執行時間位移之至少一者提供對晶圓的檢查結果,該晶圓包括第二晶圓區域。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法進一步包括以下步驟:借助於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中該提供步驟包括以下步驟:提供缺陷偵測的結果。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法進一步包括以下步驟:在偵測步驟之後報告缺陷,其中該報告步驟包括以下步驟:報告設計資料之座標中之缺陷之至少一者的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法進一步包括以下步驟:基於多個執行時間框之框執行時間位移來改變比較方案;以及基於該改變的比較方案比較第二晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料;其中對缺陷的偵測基於比較的結果。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,該方法包括以下步驟:掃描除了掃描區域之外的一系列多個其他晶圓區域,該系列包括第二晶圓區域,其中其他晶圓區域之每一者覆蓋不同的晶粒;以及針對除了第二掃描區域之外的其他晶圓區域之每一者:界定搜尋窗,該等搜尋窗對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標的子群組,其中對搜尋窗之每一者的界定基於針對該系列的前一晶圓區域決定的框執行時間位移,其中搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第二晶圓區域中之對應目標界定之搜尋窗的尺寸;基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;以及偵測其 他晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟係回應於目標執行時間位移之至少一者。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,其中計算步驟以下步驟之後:掃描切片中之晶圓的掃描區域,該等切片以交替的掃描方向掃描;其中產生校準資訊之步驟包括以下步驟:產生第一位移映射以及第二位移映射,該第一位移映射包括以第一掃描方向掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種方法,其中產生目標資料庫之步驟包括以下步驟:產生子群組之目標資訊,該子群組包括出自掃描框之分析框中的多個目標,其中以第一掃描方向掃描分析框;其中子群組之目標之每一者的目標資訊包括與目標及位置資訊相關的目標影像;其中產生步驟之後伴隨以下步驟:掃描除了掃描區域之外的第二晶圓區域,其中第二晶圓區域包括對應於分析框並以第二掃描方向掃描的框,該第二掃描方向與第一掃描方向相反;藉由對掃描框之框位移取平均來計算平均位移,該等掃描框鄰近於分析框並以第二掃描方向掃描該等掃描框;界定對應於子群組之目標的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定步驟係基於平均位移;基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;以及偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟係回應於目標執行時間位移之至少一者。
根據本發明揭示之標的的態樣,又進一步提供一種由機器可讀取的程式儲存裝置,該程式儲存裝置有形地包含由機器可執行之指令程式以執行用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的方法,該方法包括以下步驟:(a)決定多個掃描框之每一者的位移,該決定步驟係基於針對個別掃描框中之多個目標計算的位移;及(b)產生:(i)校準資訊,該校準資訊包括針對多個掃描框所決定之位移,以及(ii)目標資料庫,該目標資料庫包括資料庫目標之群組之每一目標的目標影像及位置資訊,該群組包括多個掃描框之每一者中的多個目標。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括電腦可讀取程式碼,該電腦可讀取程式碼用於使機器能夠使用校準資訊及目標資料庫來決定另一晶圓之檢查中的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中包括在指令程式中用於使機器執行產生步驟之電腦可讀取程式碼包括用於保存電腦輔助設計(CAD)座標中之資料庫目標之位置資訊的指令。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括使機器執行以下步驟的電腦可讀取程式碼:(a)掃描晶圓的掃描區域以提供掃描影像資料;(b)基於掃描影像資料的影像處理選擇多個目標之每一者的影像;及(c)基於選擇保存多個影像。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括用於使機器基 於掃描影像資料之影像處理界定掃描框的電腦可讀取程式碼。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中包括在指令程式中用於使機器執行決定掃描框之至少一者之位移的電腦可讀取程式碼包括用於執行以下步驟的指令:基於針對框之目標之第一子群組的目標決定的位移來決定用於掃描框的框X軸位移值,以及基於針對掃描框之其他目標的第二子群組的目標決定的位移來決定框的Y軸位移值,其中決定Y軸位移值的步驟與針對第一子群組的目標決定的位移無關。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括電腦可讀取程式碼,該電腦可讀取程式碼用於使機器在執行產生步驟之後執行以下步驟:(a)掃描除了掃描區域之外的第二晶圓區域;(b)針對出自資料庫之多個目標的每一目標:(i)基於掃描框之決定的位移界定相應搜尋窗,目標包括在該掃描框中;及(ii)基於目標影像與由相應搜尋窗界定的掃描影像之區域之至少一部分的相關計算目標的執行時間位移;(c)基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移;及(d)借助於框執行時間位移之至少一者提供對晶圓的檢查結果,該晶圓包括第二晶圓區域。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括電腦可讀取程 式碼,該電腦可讀取程式碼用於使機器借助於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中該提供步驟包括以下步驟:提供缺陷偵測的結果。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括使機器在偵測步驟之後報告缺陷的電腦可讀取程式碼,其中該報告步驟包括以下步驟:報告設計資料之座標中之缺陷之至少一者的位置資訊。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括使機器執行以下步驟的電腦可讀取程式碼:(a)基於多個執行時間框之框執行時間位移改變比較方案;及(b)基於該改變的比較方案比較第二晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料;其中對缺陷的偵測係基於比較的結果。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括使機器執行以下步驟的電腦可讀取程式碼:掃描除了掃描區域之外的一系列多個其他晶圓區域,該系列包括第二晶圓區域,其中其他晶圓區域之每一者覆蓋不同的晶粒;以及針對除了第二掃描區域之外的其他晶圓區域之每一者:(a)界定搜尋窗,該等搜尋窗對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標的子群組,其中對搜尋窗之每一者的界定係基於針對該系列的前一晶圓區域決定的框執行時間位移,其中搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第二晶圓區域中之相應目標界定之搜尋窗的尺 寸;(b)基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;及(c)偵測其他晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟係回應於目標執行時間位移之至少一者。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中指令程式進一步包括電腦可讀取程式碼,該電腦可讀取程式碼用於使機器在執行計算步驟之前掃描切片中之晶圓的掃描區域,該等切片以交替的掃描方向掃描;其中產生校準資訊之步驟包括以下步驟:產生第一位移映射以及第二位移映射,該第一位移映射包括以第一掃描方向掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移。
根據本發明揭示之標的的實施例,又進一步提供一種程式儲存裝置,其中包括在指令程式中用於使機器執行產生目標資料庫之步驟的電腦可讀取程式碼進一步包括用於產生子群組之目標資訊的指令,該子群組包括出自掃描框之分析框中的多個目標,其中以第一掃描方向掃描該分析框;其中子群組之目標之每一者的目標資訊包括與目標及位置資訊相關的目標影像;及在產生以後:(a)掃描除了掃描區域之外的第二晶圓區域,其中第二晶圓區域包括對應於分析框並以第二掃描方向掃描的框,該第二掃描方向與第一掃描方向相反;(b)藉由對掃描框之框位移取平均來計算平均位移,該等掃描框鄰近於分析框並以第二掃描方向掃描該等掃描框;(c)界定對應於子群組之目標的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者 的界定步驟基於平均位移;(d)基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;及(e)偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟係回應於目標執行時間位移之至少一者。
10‧‧‧晶圓
11‧‧‧晶粒
100‧‧‧晶圓
110‧‧‧晶粒
120‧‧‧掃描區域
120(1)‧‧‧區域
120(2)‧‧‧區域
130‧‧‧掃描框
140‧‧‧目標
150‧‧‧切片
150(1)‧‧‧切片
150(2)‧‧‧切片
180‧‧‧搜尋窗
182‧‧‧區域
184‧‧‧區域
200‧‧‧系統
210‧‧‧位移分析模組
220‧‧‧後續處理模組
230‧‧‧感測器
232‧‧‧可移動臺
234‧‧‧配方資料庫
236‧‧‧對準模組
238‧‧‧配方介面
240‧‧‧資料儲存器
250‧‧‧影像處理模組
260‧‧‧相關器
270‧‧‧缺陷偵測模組
280‧‧‧輸入介面
290‧‧‧硬體處理器
295‧‧‧輸出介面
300‧‧‧系統
301‧‧‧校準資料輸入介面
302‧‧‧掃描影像資料輸入介面
330‧‧‧感測器
332‧‧‧可移動台
334‧‧‧配方資料庫
336‧‧‧對準模組
338‧‧‧配方介面
360‧‧‧相關器
370‧‧‧缺陷偵測模組
380‧‧‧輸入介面
390‧‧‧處理器
410‧‧‧目標影像
500‧‧‧方法
510‧‧‧階段
511‧‧‧階段
520‧‧‧階段
521‧‧‧階段
530‧‧‧階段
540‧‧‧階段
541‧‧‧階段
542‧‧‧階段
550‧‧‧階段
551‧‧‧階段
552‧‧‧階段
560‧‧‧階段
561‧‧‧階段
562‧‧‧階段
563‧‧‧階段
565‧‧‧階段
570‧‧‧階段
571‧‧‧階段
580‧‧‧階段
581‧‧‧階段
590‧‧‧階段
600‧‧‧電腦化方法
601‧‧‧階段
602‧‧‧階段
603‧‧‧階段
610‧‧‧階段
670‧‧‧階段
671‧‧‧階段
680‧‧‧階段
681‧‧‧階段
690‧‧‧階段
910‧‧‧設計資料
940‧‧‧區域
942‧‧‧區域
950‧‧‧區域
952‧‧‧位移
954‧‧‧位移
2100‧‧‧檢查機器
2120‧‧‧通訊模組
2200‧‧‧CAD伺服器
2210‧‧‧配方產生器
2220‧‧‧通訊模組
2250‧‧‧設計資料處理模組
5100‧‧‧階段
5110‧‧‧階段
5120‧‧‧階段
5121‧‧‧階段
5130‧‧‧階段
5140‧‧‧階段
5150‧‧‧階段
5200‧‧‧階段
5210‧‧‧階段
5211‧‧‧階段
5212‧‧‧階段
5213‧‧‧階段
5300‧‧‧階段
5400‧‧‧階段
6100‧‧‧階段
6110‧‧‧階段
6120‧‧‧階段
6121‧‧‧階段
6130‧‧‧階段
6140‧‧‧階段
6150‧‧‧階段
6200‧‧‧階段
6210‧‧‧階段
6211‧‧‧階段
為了理解本發明並瞭解如何可實務上執行本發明,現將參照隨附圖式,僅以非限制性實例方式描述實施例,其中:第1圖係晶圓10(諸如,可用於積體電路及其他微裝置之製造中的晶圓)的圖解。
第2A圖及第2B圖圖示根據本發明之實施例用於產生可用於晶圓之晶圓檢查之校準資訊的系統;第3圖至第8圖圖示根據本發明之各個實施例用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的電腦化方法;第9圖圖示根據本發明之實施例之掃描區域、掃描框與晶圓之晶粒之間的關係;第10A圖至第10D圖圖示根據本發明之各個實施例,相對於掃描影像資料與設計資料,可在本發明之各個實施中使用之各個實體之間的關係;第11圖係根據本發明之實施例可選擇用於目標之若干圖案的表示;第12圖圖示根據本發明之實施例針對在掃描區域內掃描之多個掃描框決定的框位移; 第13圖圖示根據本發明之實施例,根據彼目標影像界定之搜尋窗的掃描影像與目標影像;第14圖圖示根據本發明之實施例,在晶圓之掃描區域之掃描影像的框內界定的兩個搜尋窗。
第15A圖及第15B圖圖示根據本發明之實施例,晶圓、晶圓之晶粒、切片與多個掃描區域之間的關係;第16圖圖示根據本發明之實施例按交替掃描方向的切片中之晶圓的掃描;第17A圖及第17B圖圖示根據本發明之各個實施例之檢查機器與CAD伺服器之間的關係;第18圖至第21圖圖示根據本發明之各個實施例之至少一個晶圓之基於位置的晶圓分析電腦化方法;及第22圖圖示根據本發明之實施例的基於位置的晶圓分析之系統。
將理解,為了使圖解簡單與清晰,諸圖中所圖示之元件不必要按比例繪製。舉例而言,為了清晰可相對於其他元件放大一些元件之尺寸。此外,在認為適當的情況下,可在諸圖中重複元件符號來指示相應元件或類似元件。
在下文的詳細描述中,為了提供對本發明的透徹瞭解而闡述了眾多特定細節。然而,熟習此項技術者將理解,可在無此等特定細節的情況下實踐本發明。在其他的情況中,不必詳細描述熟知的方法、程序與組件以免混淆本發明。
在闡述的圖式與描述中,相同的元件符號指示對不同的實施例或配置為共通的彼等組件。
除非具體陳述,否則從以下論述中顯而易見,應瞭解整篇說明書中使用術語(諸如,諸如「處理」、「計算(calculating)」、「決定」、「產生」、「運算(computing)」、「選擇」等)的論述包括操縱及/或將資料轉換成其他資料的動作及/或電腦程序,該資料表示成物理量(例如,電子量)及/或該資料表示實體物件。術語「電腦」應可延伸地理解為涵蓋具有資料處理能力之任何種類的電子裝置(作為非限制性舉例,包括個人電腦、伺服器、計算系統、通訊裝置、處理器(例如,數位訊號處理器(DSP)、微控制器、場可程式化閘陣列(FPGA)、特殊應用積體電路(ASIC)等)、任何其他電子計算裝置,以及或以上之任何組合)。
可藉由儲存在電腦可讀取儲存媒體中的電腦程式由為期望目的特別建構的電腦或由為期望目的特別配置的通用電腦執行根據本文教示的操作。
如本文所使用,用語「例如」、「諸如」、「比如」以及以上的變體描述本發明揭示之標的的非限制性實施例。在說明書中對「一個情況」、「一些情況」、「其他情況」或以上的變體之提及意謂結合一或更多個實施例描述之特定特徵結構、結構或特徵被包括在本本發明揭示之標的之至少一個實施例中。因而用語「一個情況」、「一些情況」、「其他情況」或以上之變體的出現未必意指相同的一或更多個實施例。
應瞭解亦可在單個實施例中組合提供為了清晰起見而在獨立實施例之上下文中描述的本發明揭示之標的的某些特徵結構。反之,亦可獨立地或以任何適合的子組合提供為了簡便起見而在單個實施例之上下文中描述的本發明揭示之標的的各個特徵結構。
在本發明揭示之標的的實施例中,可以不同的順序執行諸圖中圖示的一或更多個階段及/或可同時執行階段的一或更多個群組,反之亦然。諸圖圖示根據本發明揭示之標的之實施例之系統架構的大概示意圖。諸圖中的每個模組可由執行本文界定及闡明之功能之軟體、硬體及/或韌體的任何組合形成。諸圖中的模組可集中在一個位置中或分散在一個以上的位置中。
第2圖圖示根據本發明之實施例用於產生可用於晶圓之晶圓檢查之校準資訊的系統200。系統200可與用於檢查晶圓(例如,在製造晶圓的不同階段期間)的檢查機器結合或連接至此機器,但並非一定如此。此外,系統200可為檢查機器,下文所論述之修改及/或特徵結構的一些或所有修改及/或特徵結構已整合至該檢查機器中。
將在下文更詳細地論述,系統200之組件的一或更多者可用於產生包括針對晶圓之不同部分所決定之位移的校準資訊。所決定的彼等位移可稍後用於晶圓的製造中及/或用於晶圓之檢查的稍後階段中。可操作系統200之方式的一些方式在結合下文論述之方法500考慮時將變得更加清晰。 因此,在論述方法500之後提供對系統200之部分描述,且因此在論述方法500之前對系統200的描述只是一部分。
應注意,對熟習此項技術的任何個人而言為顯而易見,在使用術語「晶圓」的任何情況下,可對用於晶圓製造的光罩實施類似的技術、系統、方法及電腦程式產品。
在不以任何方式限制本發明之範疇的情況下,在一些可能的實施中,系統200可用於檢查工具(諸如,由Applied Materials,Inc.製造的Elite系統及UVision系統)及/或復查工具(例如,掃描式電子顯微鏡(SEM)),使用該等檢查工具掃描整個晶圓或至少整個晶粒以偵測潛在缺陷,該等復查工具通常具有較高解析度並用於查實潛在缺陷是否為實際上的缺陷。此等復查工具通常以高解析度一次一個地檢查晶粒的片段。在術語「檢查」或術語「檢查」的派生語用於本揭示案的任何情況下,不關於檢查區域之解析度或尺寸限制此檢查且此檢查可應用於例如復查工具及相似地應用於較低解析度的晶圓檢查工具。
系統200包括至少位移分析模組210以及後續處理模組220,該位移分析模組210決定對晶圓100之不同部分的掃描中的位移,該後續處理模組220產生校準資訊以及額外資訊。如在下文論述之本發明的一些實施例中所說明的,由後續處理模組產生的資訊可用於改良對晶圓或類似的晶圓的稍後掃描。
可由一或更多個硬體處理器實施位移分析模組210及後續處理模組220(以及可能亦有影像處理模組250、 相關器260以及缺陷偵測模組270)之每一者,該一或更多個硬體處理器獨立於其他模組之彼等模組或其他模組的至少一者共享該一或更多個硬體處理器。彼等模組亦可包括軟體處理模組及/或韌體處理模組。舉例而言,彼等模組的一些或所有模組可實施在硬體處理器290上。
可藉由任何掃描、成像及/或偵測設備實施對晶圓100之掃描,該等掃描、成像及/或偵測設備之許多者在此項技術中為已知的。此設備(由「感測器230」指示)可為系統200的部分,但是並非一定如此且此設備與系統200兩者可直接連接或可不直接連接。舉例而言,此設備可為掃描式電子顯微鏡、光學檢查系統等。晶圓100可類似於在【先前技術】中論述之先前技術晶圓10。
舉例而言,晶圓100(或若干晶圓)可位於可移動臺232上。在此實施中,晶圓100在對晶圓100之掃描期間相對於可移動臺232保持固定,且藉由可控地移動可移動臺232來實現晶圓100與感測器230之間的個別移動(若對晶圓之不同部分成像需要該移動)。舉例而言,可沿X軸、Y軸以及可能亦有Z軸方向(其中X軸與Y軸在可移動臺232之表面平面上為垂直的軸,且Z軸垂直於彼等兩個軸)移動可移動臺232。或者(或此外),感測器230可改變位置以使晶圓100之不同部分成像。
位移分析模組210接收在晶圓100之區域120的掃描(在第9圖中提供此掃描區域120的實例)中收集的資訊。應注意,儘管掃描區域120圖示為單個連續的矩形區域, 但是在其他實施中掃描區域的幾何形狀及/或拓撲可改變。可由感測器230執行掃描區域的掃描,且掃描區域的掃描可基於從掃描配方(可儲存在配方資料庫234中)擷取之掃描指令。
掃描區域120被劃分成多個子區域,該等子區域在本文被稱為「掃描框130」。可由感測器230執行將掃描區域120劃分成框的步驟,該感測器230藉由處理掃描資料的位移分析模組210或藉由另一單元掃描區域130。儘管框130可具有相同的形狀與尺寸,但是並非一定如此。如在下文更詳細地論述,在一些實施中將掃描區域120劃分成改變尺寸之框130的步驟可為有利的。類似地,儘管框130圖示為不相重疊且圖示為覆蓋整個掃描區域120,但是並非一定如此。在一些實施中,可由一個以上的框130或根本沒有框130覆蓋掃描區域120的一或更多個部分。如下文所說明,由位移分析模組210為彼等獨立框之每一者決定位移。
多個目標140界定在框130(例如,如在第10A圖中舉例說明)之每一者內。下文論述可決定此等目標之方式的一些方式。舉例而言,可選擇目標之每一者以包括圖案,該圖案在該圖案的環境內為可識別的(例如借助於影像處理)。目標140之每一者具有與目標140相關的影像資料以及相關位置資訊。相關的位置資訊可為已經估算的位置,可藉由在掃描區域120之前相對於感測器230對準晶圓來促進對位置的估算。可由對準模組236執行及/或控制此對準。
位移分析模組210經配置以計算出自在多個掃描框130中選擇之多個目標140之每一目標140的位移,該多個掃描框130包括在晶圓100的掃描區域120中。儘管並非一定如此,但是可在掃描框130之每一者中選擇若干目標140。此外,多個掃描框130可為界定在掃描區域120內的所有複數個框,但是亦可使用較小數量的框130。
位移分析模組210經配置以基於以下的相關計算目標140之每一者的位移:(a)與個別目標140相關聯的影像(在晶圓100的掃描期間獲得的影像),與(b)對應於影像的設計資料。設計資料可為例如電腦輔助設計(CAD)資料,該資料用於晶圓100的設計及/或製造。
在說明書中使用的術語「設計資料」應可延伸地理解為涵蓋由試樣的實體設計指示的任何資料及/或來源於實體設計的資料(例如,經由複雜模擬、簡單的幾何操作及布耳(Boolean)操作等)。舉例而言,各種格式的電腦輔助設計(CAD)資料可用作設計資料。可以不同的格式(例如但不限於,GDSII格式、OASIS格式等)提供設計資料。
如下文所論述,在與目標140相關聯之影像的格式與設計資料的格式係不同的(例如,若前者(與目標140相關之影像的格式)為灰階強度影像格式而後者(設計資料的格式)為向量格式)實施中,在相關之前可能需要對上述兩者之至少一者的中間處理。關於方法500之階段540提供在位移分析模組210可執行相關之可能方式的額外細節與變化。
根據設計資料,針對多個目標之每一者計算的位移指示對應目標影像到本應所在位置的位移。在晶粒區域的掃描期間,相對於影像的一些參考位置(例如,彼晶粒的左上角)之影像的每個掃描部分的估計位置係已知的。相對於掃描影像的估計位置可轉譯為相對於設計資料的期望位置。
位移分析模組210進一步經配置以決定多個掃描框130之每一者的位移(亦稱為「框位移」),此決定步驟係基於針對個別掃描框130中之多個目標140計算的位移。
儘管框位移在本發明的至少一些實施中可具有物理意義,但是並非一定如此,且在其他實施中該框位移的意義可能僅作為虛構,該虛構僅解釋為基於(儘管未必完全基於)個別目標位移之計算的結果。
後續處理模組220使用由位移分析模組210決定的框位移。後續處理模組210經配置以產生至少包括針對多個掃描框130決定之位移的校準資訊。如下文更詳細地論述(例如,關於方法500的階段560),校準資訊可包括額外資訊(諸如,關於彼等框130之每一者的位置的資訊)。
除校準資訊之外,後續處理模組220進一步產生包括資料庫目標之群組之每一目標的位置資訊與目標影像的目標資料庫,該群組包括多個掃描框130之每一者中的多個目標。
校準資訊及/或目標資料庫可儲存在資料儲存器240中及/或經由輸出介面295傳輸到外部系統(或系統200的另一單元)。
鑒於操作的過程可更透徹地理解系統200的操作及系統200中各個組件的操作。儘管並非一定如此,但是系統200之操作的過程可對應於方法500的一些階段或所有階段。同樣地,也許有可能藉由諸如系統200的系統實施方法500及該方法500可能的實施。因此應注意,亦可在作為系統200之各種實施例的硬體對應物中實施關於方法500論述的本發明之實施例,並加以必要的變更,反之亦然。
系統200可使能夠使用校準資訊及目標資料庫以決定另一晶圓之檢查中的位置資訊。位置資訊可用於例如偵測此另一晶圓之檢查影像中的缺陷。
如下文將論述,系統200亦可包括組件,該等組件使系統200能夠使用校準資訊及目標資料庫來決定此檢查(例如,如關於第5圖、第6圖、第7圖及第8圖之論述中的舉例說明)中之位置資訊。在本發明的一些實施中,系統200可使校準資訊及/或目標資料庫能夠用於除了缺陷偵測(諸如,決定另一晶圓之檢查中的位置資訊或其他步驟)之外的實施;例如,系統200可使能夠在用於彼檢查之檢查束(例如,電子束)位置的修正中使用彼位置資訊。
第3圖及第4圖圖示根據本發明之實施例用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的電腦化方法500。參照在上述圖式中圖示的實例,可由用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的系統(諸如,系統200)執行方法500。
應注意,在包括一個以上的層的晶圓中,可對相同的單個晶圓層實施方法500之一些或所有揭示的階段,且 可對不同的層(個別晶圓之一些或所有層)重複(例如,獨立地)該方法。同樣地,可對用於晶圓之製造中的光罩實施該方法。
參照第3圖,方法500包括對出自多個掃描框之每個掃描框執行的階段540,該等掃描框包括在晶圓之掃描區域中。多個掃描框可包括包括在晶圓之掃描區域中之複數個掃描框的所有或僅一些掃描框。
在出自包括在晶圓之掃描區域中之多個掃描框的每個掃描框中,階段540包括以下步驟:針對出自在掃描框中選擇之多個目標的每一目標,計算目標的位移(在本文的下文中亦稱為「目標位移」)。計算彼等掃描框中之目標之每一者的位移係基於以下相關:(a)在晶圓之掃描期間獲得之與目標相關的影像,以及(b)對應於影像的設計資料。設計資料可為電腦輔助設計資料(亦即,CAD資料),但是並非一定如此。參照在以上圖式中圖示的實例,可由位移分析模組(諸如,位移分析模組210)執行階段540。
儘管不以任何方式局限於單個晶粒,但是晶圓的掃描區域可為整個晶粒或晶粒的一部分。有些情況下,術語「晶粒區域」或「掃描區域」與術語「晶圓之掃描區域」可互換使用。應注意,在使用術語「晶粒區域」或「掃描區域」時,此術語「晶粒區域」或「掃描區域」不局限於單個晶粒或晶粒的一部分。晶圓的掃描區域亦可稱為「參考區域」或「參考晶粒」,因為基於此區域決定的位移可稍後用於修正晶圓(或其他類似晶圓)之其他區域中的位移誤差。
參照作為實例的第9圖,掃描區域分成多個掃描框(例如,框130)。此等框可為相對於彼此鄰近及/或不相重疊,但是此等特徵中的任一者均不為必需的。下文論述可決定此等框之方式的一些方式。儘管並非一定如此,但是為了清晰目的,假定所有框為矩形的、彼此平行且實質上與掃描區域成影像所在的至少一個掃描軸平行。舉例而言,可由每個框的定錨點/起始點(X0,Y0)以及由每個框的尺寸(dx,dy)界定每個框。如下文更詳細地論述,框可具有相同尺寸,但是並非一定如此,且有意具有不同尺寸的框可界定在晶粒區域內。舉例而言,框的尺寸可為100×100微米(μm)。
儘管可關於晶圓的特定掃描影像界定框,但是該等框僅被視為關於晶圓及/或包括晶圓之設計細節的設計資料(例如,CAD資料)界定的構造。
多個目標(例如,目標140)界定在框之每一者中。下文論述可決定此等目標之方式的一些方式。儘管並非一定如此,但是為了清晰目的,假定所有目標為矩形的、彼此平行且實質上與掃描區域成影像所在的至少一個掃描軸平行。舉例而言,可由每一目標的定錨點/起始點/中點(X0,Y0)以及由每一目標的尺寸(dx,dy)界定每一目標。目標可具有相同尺寸。如下文所論述,可基於在掃描區域的掃描期間獲得的掃描影像資料之分析,基於目標的內容選擇目標。具體而言,目標之每一者可包括在所在環境內為可識別的圖案,此環境的尺寸可例如基於特定成像情況中之期望的錯位誤差而 改變。應注意,在其他實施中,可基於聯合或替代對掃描影像資料的處理來分析設計資料,以選擇目標。
回到第3圖及第4圖,且回到計算多個目標之每一者的位移的階段540中(針對目標計算的此等位移亦稱為「目標位移」)。對多個目標之每一者的目標位移的計算階段540基於與個別目標相關的影像(在晶圓的掃描期間獲得的影像)與相應設計資料的相關。不同目標的影像可具有相同尺寸(例如,32×32像素),但是並非一定如此。
如前文所述,大部分或所有目標可包括在個別目標的環境內為可識別的圖案。目標圖案的可識別性在基於掃描影像的目標選擇(例如,在階段520中)中可為關鍵因素。可影響基於掃描影像之目標選擇的一些其他因素為例如決定至少一個方向上的位移及/或位置的可用性。
第11圖為根據本發明之實施例可選擇用於目標之若干圖案的表示。在圖示的實例中,目標影像之每一者為16×16像素二元影像。顯然,可實施其他解析度及色彩空間。目標可為直接可識別的(例如,如在第11圖中所例證),或在對影像資料實施一或更多個影像處理算法或篩選(例如,結束及開始影像處理操作)之後為可識別的。
回到基於目標影像與相應設計資料的相關計算目標之位移的步驟,應注意可使用各種類型的設計資料。在說明書中使用的術語「設計資料」應可延伸地理解為涵蓋指示試樣的實體設計的任何資料及/或來源於實體設計的資料(例如,經由複雜模擬、簡單的幾何操作及布耳(Boolean)操 作等)。舉例而言,各種格式的電腦輔助設計(CAD)資料可用作設計資料。可以不同的格式(例如但不限於,GDSII格式、OASIS格式等)提供設計資料。
自晶粒區域的掃描獲得之目標影像與設計資料之相應位置之間的一些差異可能因為種種原因(掃描條件(例如,照明)以及不完整性、掃描過程中的移位與即時誤差、印刷在晶圓上之電路的製造中的誤差等)而發生。儘管如此,仍然可偵測影像與設計資料之間統計上顯著的相關,特別是在(至少部分地)基於目標的可識別性來選擇目標的情況下。
根據設計資料,針對多個目標之每一者計算的位移指示對應目標影像到目標影像本應所在位置的位移。在晶粒區域的掃描期間,相對於影像的一些參考位置(例如,彼晶粒的左上角)之影像的每個掃描部分的估計位置係已知的。相對於掃描影像的估計位置可轉譯為相對於設計資料的期望位置。
隨後可計算目標影像與設計資料之至少一部分之間的相關,且隨後可選擇期望位置之環境中之設計資料的類似尺寸區域,該期望位置與目標影像的相關性為最高的。隨後可決定期望位置與選擇區域的位置之間的距離,且該距離可用作決定位移的基礎(尤其是在位移可等於彼距離的情況下)。選擇區域的選擇可在一系列相關步驟(例如,實施數位影像相關(DIC)技術)之後,其中在此等步驟之每一者中,目標影像與具有類似尺寸之設計資料的區域成相關以提供指示該目標影像與設計資料之區域之間的相關度的相關係 數,且隨後可選擇設計資料之區域,該區域相對於目標影像的相關係數為最大的。
應注意,各個目標的目標位移可決定為向量(特定言之,該等目標位移可決定為二維向量),但是並非一定如此。決定的一些或所有目標位移可為一維的(標量)。舉例而言,若一些(或所有)目標意欲用於決定僅在一個方向(例如,X軸方向或Y軸方向)上的位移,則可針對每個此目標決定位移值(是標量而不是向量)。顯然,即使決定向量位移,但仍可決定彼向量在任何軸上的投影且該投影可稍後用於進一步計算中。
未必針對在框之每一者中選擇的複數個目標之每一者執行階段540的計算步驟。舉例而言,在特定框中選擇之目標的數目可大於成功執行方法500之後續階段所需之有效目標位移的數目。在另一實例中,一些目標影像可能不與設計資料之任何區域成功相關,且該等目標影像因此可能被視為有缺陷的且不用於方法500的稍後階段中。此外,亦可針對除了多個目標之上述群組之外的目標實施對多個掃描框之一或更多者中之目標的目標位移的計算步驟。舉例而言,在選擇(例如,決定階段550期間)之後可執行對出自所有目標的多個目標的選擇,可針對該等目標計算目標位移。
方法500的階段550包括以下步驟:決定多個掃描框之每一者的位移,其中階段550的決定步驟基於針對個別掃描框中之多個目標計算的位移(亦即,基於此等目標的目標位移)。在階段550中針對掃描框決定的此等位移亦稱 為「框位移」。參照在上述圖式中圖示的實例,可由位移分析模組(諸如,位移分析模組210)執行階段550。
可以不同方式執行階段540中對框位移的決定步驟,且可(在本發明的不同實施中或甚至在單個實施中)決定不同類型的框位移。舉例而言,可決定向量(且特別是二維向量)位移,指出位移的方向及位移的尺寸兩者。在另一實例中,標量僅指出位移的尺寸(位移在已知軸上的投影或與此軸無關的位移投影),僅該位移的方向,或表示另一種意義。
儘管框位移在本發明的至少一些實施中可具有物理意義,但是並非一定如此,且在其他實施中該框位移的意義可能僅作為虛構,該虛構僅界定為基於(但是未必僅基於)個別目標位移之計算的結果。
決定步驟可包括以下步驟:例如基於對目標位移取平均之結果(其中可實施不同類型的平均值,例如算術平均值、中值、幾何中值、幾何平均值、調和平均值、二次平均值、加權平均值、截斷的平均值、四分位平均值、中列值、縮尾平均值等)來決定框位移之至少一者(及可能所有框位移)。
亦可藉由獨立於另一軸(例如,Y軸)上之目標位移的平均來對第一軸(例如,X軸)上的目標位移取平均以執行此框位移。可對多個目標之不同子群組執行針對單獨提供框位移之組件(「座標」)(例如,針對獨立地提供X軸組件及Y軸組件)的目標位移的平均步驟。若延續上文關 於階段540提供的實例,針對框中之每一目標決定標量位移值而非向量,則可一次僅對單個目標的每個此目標位移取平均(例如,用於決定X軸框位移值或用於決定Y軸框位移值)。
第10A圖圖示根據本發明之實施例的掃描框130及圖示為910的設計資料之對應部分的圖解表示。儘管不是唯一可能的實施,但是設計資料在下文亦被稱為「CAD資料」。然而,該設計資料可為另一類型的資料(例如,由電腦或不由電腦產生的向量或灰階強度影像格式資料等)。
基於對設計資料掃描的預先註冊(例如,基於在掃描區域之掃描開始之前晶粒110或另一晶粒之一角的註冊)選擇設計資料(圖示為910)圖解表示的對應部分的邊界。可見由於兩個區域之間的位移(且亦由於諸如垂直地、水平地或以其他方式的直線拉伸/壓縮的其他轉換),積體電路的不同部分(由圖示為910及130之區域的每一者中之背景圖案圖示)包括在掃描框130中且包括在圖示為910之設計資料的對應部分的圖解表示中。可針對掃描框130決定(例如,在階段550中)的框位移可指示掃描框130之不同部分的平均位移。如上所述,並非掃描框130的所有部分必須位移相同。此情況可為例如掃瞄期間之直線拉伸或壓縮、掃描誤差及製造誤差的結果。
掃描框130包括在該掃描框130中選擇(例如,在階段520中)的多個目標(由正方形140表示)。目標(為了清晰目的,下文中概念140用於該等目標)圖示為正方形目標,但是如上文所述,並非一定如此。對不同目標140的 選擇可基於掃描影像130(圖示為限制在個別正方形140內)中之相應區域的內容。
第10B圖圖示第10B圖之掃描框130及設計資料(圖示為910)的相應圖解表示。對於後者(設計資料(圖示為910)的相應圖解表示),圖示兩組區域。第一組區域(圖示為942並以單調虛線邊界線表示)位於相對於圖示為910的區域的類似位置中,如目標140。亦即,圖示為942的正方形可被認為是相對於CAD資料之目標的假定位置。
圖示為940並以較寬的交替虛線雙點邊界線表示的第二組區域為含有與如示例性掃描框130中所圖示之個別目標140之內容類似的內容的區域。圖示之實例中的每個區域940位於相對於相應區域942之頂部的左邊並接近最頂部。然而,不一定所有區域940以相對於相應區域942的類似方向位移。
可基於個別目標影像與設計資料的相關選擇區域940之每一者。若以灰階強度影像格式提供設計資料,則該設計資料與掃描影像資料以相當簡單的方式成相關。然而,若以向量格式提供設計資料,則相關可能要求額外可互換的步驟。例如,相關可在處理向量設計資料以提供相應灰階強度格式影像之後,該灰階強度格式影像可隨後與個別目標影像相關。或者,個別目標影像(若以灰階強度影像格式提供)可轉換為向量格式,其中以向量空間進行相關。
可以各種方式實施為提供相應灰階強度格式影像之向量設計資料的轉換,且該轉換可考慮到(或模擬)各 種因素(諸如,目標影像像素尺寸、掃瞄機特徵及操作參數、照明參數、光學參數、目標影像統計量(例如,平均灰階)等)。
一旦已經針對多個目標140之每一者(或對應於一些目標,例如,假若對目標140之一或更多者之相應區域的選擇失敗)選擇了相應區域940,則可決定目標之每一者(例如,由區域942表示)與相應區域940之間的距離(以及此距離在一或更多個軸及/或彼距離相對於任何一或更多個此等軸的方向上的投影)。例如,可決定在相應區域940及942之每一者的角像素之間的此距離。
可根據彼距離及/或其他參數(諸如,上文所論述之彼等參數)決定彼等目標之每一者之目標位移的計算。
例如,在第10C圖之實例中,決定的目標位移950等於(或至少基於例如該目標位移950的縮短版本)每兩個區域940與區域950之間且在此位移之方向上的距離。以另一表示方式,此位移950可由X軸位移及Y軸位移(或任何其他適合的在兩個軸上的兩個投影)表示。
在第10D圖之實例中,圖示兩個類型的目標位移952及954。對於一些目標,決定沿Y軸的位移952,而對於其他目標,決定沿X軸的位移954。應注意,儘管未圖示,但是可針對目標之一或更多者決定沿兩個(或更多)軸的位移。目標位移952及/或954可等於兩個相應區域940及942之間的距離在相應X軸或Y軸上的投影,且亦可基於彼距離及/或彼距離之投影計算目標位移952及/或954。
一旦已經針對掃描框130中之多個目標的每一者計算目標位移(例如,950、952及/或954),則可基於一些或所有此等目標位移950決定相應框位移960。如上文所述,可藉由對出自多個目標之目標的一或更多個群組取平均來執行決定框位移960的步驟。
該決定步驟可包括(或在以下步驟之後)多個目標的選擇,針對該多個目標決定的位移將用於決定包括彼等目標的掃描框之框位移。例如,該決定步驟可包括(或在以下步驟之後)出自所有目標之多個目標的選擇,針對該等目標計算目標位移,且可在選擇(例如,選擇80%的具有中間位移值的目標)之後執行該計算。
可在階段540中對晶圓之掃描區域中之所有複數個掃描框決定框位移,但是並非一定如此。例如,可能根本不決定或可能以其他方式決定(例如,基於針對鄰近掃描框決定的框位移而非基於個別框內之目標的目標位移)一些其他掃描框的框位移。
應注意,決定掃描框之每一者的框位移的步驟可僅基於掃描框之每一者中之多個目標的目標位移,但並非一定如此,且在其他實施中,此決定步驟亦可取決於額外參數(例如,此等目標的數目、框相對於晶粒的位置、對應於掃描框之晶圓之區域的物理性質等)。
應注意,儘管階段550圖示為後來的階段540,但是該階段550可與該階段540部分同時地執行。例如,可在已經針對遲於第一掃描框掃描之第二掃描框的目標決定目 標位移值之前執行對先前掃描之第一掃描框之框位移的決定步驟。大體而言,可在掃描掃描區域時至少部分地執行階段540及/或550。
第12圖圖示根據本發明之實施例針對在掃描區域120內掃描之多個掃描框130決定的框位移960。
回到第3圖,方法500進一步包括產生以下各者的階段560:(a)校準資訊,該校準資訊包括針對多個經掃描框所決定的位移;及(b)目標資料庫,該目標資料庫包括資料庫目標群組之每一目標的目標影像及位置資訊,該群組包括多個經掃描框之每一者中的多個目標。可相對於包括彼等目標之每一者之框之定錨點決定彼等目標之每一者的位置資訊(在先前論述的校準資訊中提及框相對於外部定錨點的位移)。
參照在上述圖式中圖示的實例,可由處理模組(諸如,後續處理模組220)執行階段560。
校準資訊的產生可包括識別不同掃描框之表格、陣列(或任何其他一或更多個適合的資料結構)的產生,且至少包括針對多個掃描框決定的框位移。
例如,表1說明根據本發明之實施例儲存在階段560產生之校準資訊的資料結構。顯然,此情況僅是實例,且可實施其他資料結構。此外,欄位之每一者為可選的,且可不同地實施或根本不實施該等欄位之每一者。
框ID欄位儲存識別多個掃描框之每一者的識別符。在提供的實例中,在參照第12圖的實例的情況下,單位數字表示行,且小數點後第一位數字表示列。
X起點欄位與Y起點欄位指示每個掃描框開始的位置(例如,掃描框之左上方角的位置)。使用的單位可為設計資料(例如,CAD資料)的彼等單位(諸如,微米(μm))且該等單位可為掃描影像的彼等單位(例如,像素)。
X長度欄位與Y長度欄位指示每個框的尺寸(例如,假若不同的掃描框具有不同的尺寸)。使用的單位可為設計資料(例如,CAD資料)的彼等單位(諸如,微米(μm))且該等單位可為掃描影像的彼等單位(例如,像素)。
X位移欄位與Y位移欄位指示個別掃描框的框位移。使用的單位可為設計資料(例如,CAD資料)的彼等單位(諸如,微米(μm))且該等單位可為掃描影像的彼等單位(例如,像素)。亦可使用位移的其他表示(例如,尺寸與位移方向,(R,θ))。
如將在下文更詳細地論述,校準資訊(亦可稱為「位移映射」)可稍後用於在執行時間模式期間對晶圓(或其他晶圓)之其他晶粒的掃描。
回到目標資料庫,產生目標資料庫可包括產生包括階段540之所有多個目標之位置資訊與目標影像的目標資料庫,但是並非一定如此。一些目標的目標位移用於階段550中來決定個別一或更多個框位移,該等目標可在一些實施中不包括在資料庫目標之群組中。可例如藉由配方資料庫(可例如為檢查工具的部分)之記憶體大小限制來限制來自掃描框之每一者之目標的數目,該等目標待被包括在資料庫目標之群組中。
儘管產生目標資料庫可包括產生包括用於階段540之相關之目標影像的目標資料庫,但是並非一定如此,且在其他實施中其他影像可用於一些或所有資料庫目標。例如,可針對一些或所有資料庫目標保存不同尺寸、解析度、色彩深度或位置的影像。
產生的位置資訊可為基於決定的框位移修正的經修正位置資訊。儘管可基於個別目標的目標位移修正位置資訊,但是僅基於個別框位移的修正可為有利的。
在一些實施中,資料庫目標之群組在掃描框之每一者中包括為稍後的X軸位移修正而保存的至少兩個目標影像以及為稍後Y軸位移修正而保存的至少兩個目標影像。顯然可選擇其他最小數目之影像,且可保存大於最小數目的目標。可在設定的掃描執行時間期間執行待保存之目標的選擇 (亦即,資料庫目標之群組的選擇),且該選擇可基於諸如目標之環境中的唯一性、充足的資訊及充分的對比等準則。可由配方中的儲存器(彼等目標以及位移映射可保存到該儲存器中)限制所選擇之目標的數目。
階段560可包括以下步驟:將校準及/或目標資料庫保存到一或更多個資料儲存器(例如,電腦記憶體,諸如,RAM、硬碟、光儲存器等)。該保存步驟可包括保存設計資料座標(例如,CAD資料座標,諸如微米)中之資料庫目標之位置資訊的階段561。
階段560之後可為傳送校準資訊及/或資料庫目標或該校準資訊及/或資料庫目標之部分的階段565(在第4圖中圖示)。傳送步驟可包括以下步驟:傳送此資料至一或更多個數據庫、至相同系統之其他一或更多個組件或至一或更多個其他機器。
階段560之後可為能夠使用校準資訊及目標資料庫來決定另一晶圓之檢查中之位置資訊的階段5400。位置資訊可用於例如偵測此另一晶圓之檢查影像中的缺陷。
如將在下文所論述,方法500亦可包括以下步驟:實際使用校準資訊及目標資料庫來決定此檢查中的位置資訊。關於第5圖、第6圖、第7圖及第8圖的論述來舉例說明一些有關於缺陷偵測的此等使用方式。
然而,應注意方法500亦可包括以下步驟:使校準資訊及/或目標資料庫能夠用於除了缺陷偵測的實施(諸如,決定另一晶圓之檢查中的位置資訊或其他)。例如,方 法500可包括以下步驟:使能夠使用校準資訊及目標資料庫來決定另一晶圓之檢查中的此位置資訊,以及使能夠在用於彼檢查之檢查束(例如,電子束)之位置修正中使用彼位置資訊。
第4圖更詳細地圖示根據本發明之實施例用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的電腦化方法500。在第4圖中而非在第3圖中圖示的階段為可選的,且可在本發明之不同實施例中實施彼等階段及階段540、階段550及階段560的不同可能組合。
方法500可包括掃描晶圓之掃描區域以提供掃描影像資料的階段510。掃描區域的掃描可為晶圓之較大部分的一部分(例如,晶粒、多個晶粒或甚至整個晶圓(或至少包括電子電路部分之晶圓的部分))。可以不同的技術(諸如,電子束掃描及光學掃描)執行掃描。參照在上述圖式中圖示的實例,可藉由任何掃描、成像及/或偵測設備(諸如,感測器230)來執行階段510。
因為掃描可為漫長的過程,所以一些或所有其他階段(例如,階段520、階段530、階段540、階段550及/或階段560)可與掃描晶圓之一或更多個部分(諸如,在階段510中掃描晶圓的掃描區域)至少部分地同時執行。或者,階段510可先於階段540以及方法500的可能其他階段(例如,階段520、階段530、階段550、階段560)。
若方法500包括以下步驟:掃描參考晶粒(或其他掃描區域),則在此掃描期間收集的資訊可用於產生校準 資訊,該校準資訊稍後在掃描晶圓(或其他晶圓)之其他晶粒時可用於修正位移誤差。
方法500亦可包括以下步驟:在掃描晶圓之至少部分之前或由於此掃描來選擇參考區域(未圖示)。可在本發明之不同實施中以不同方式選擇掃描區域,例如,該掃描區域可為第一行或另一行之第一晶粒(或彼行之最後晶粒),該掃描區域可為實質上的中心參考晶粒等。方法500可進一步包括先於在階段510中之掃描區域之可選掃描的額外階段(諸如,晶圓對準以及晶圓的傳送)使得可掃描參考區域。使用來自設計資料之粗略定錨點之晶圓的全局對準(例如,藉由對準晶圓所在的臺)可基於例如CAD資料。晶圓的傳送可包括將晶圓傳送至可掃描參考晶粒所在的位置。
可從先前決定的配方(或配方參數)及/或從配置檔案(被稱為「配置(config)」)擷取成功執行此等初始階段所需要的資訊,該配置檔案不與晶圓的特定掃描或特定層有關,而與掃瞄機在被製造之後正確執行的配置有關(或稍後,與待掃描之任何特定目標無關)。
方法500可包括基於掃描影像資料的影像處理選擇用於多個目標之每一者的影像的階段520。藉由選擇目標的影像,可選擇目標本身。參照在上述圖式中圖示的實例,可藉由影像處理模組(諸如,影像處理模組250)執行階段520,該影像處理模組可為或可不為上述位移分析模組的部分。應注意,在其他實施中,可基於對設計資料的處理來選擇目標(另外亦有基於掃描影像資料的選擇或代替該選擇)。針對 不同目標之影像的選擇可基於此等影像的內容以及此等影像與設計資料之相關的適合性。
階段520可包括(或之後跟隨)基於選擇保存稍後在階段540中使用之多個影像的階段521。該保存步驟可包括以下步驟:針對關於掃描資料之多個目標位置資訊之每一者(例如,以像素為單位的位置)及/或彼等目標影像(相對於設計資料)之估計位置而保存多個影像。例如,可針對大量目標(例如,晶粒中的100000個目標,該等目標之每一者的尺寸為32×32像素)儲存掃描影像資訊,該等目標的估計位置為已知的(例如,基於檢查系統的位置資訊)。如前文所述,階段520的選擇與階段510的掃描可至少部分地同時發生。
方法500亦可包括基於掃描影像資料之影像處理界定掃描框的階段530。掃描框的界定亦可基於(另外亦有或代替掃描影像資料)設計資料、在以後掃描中要求的修正能力、用於掃描區域之掃描、用於目標位移之計算及/或用於框位移之決定等的機器能力。框的界定可包括以下步驟:界定框的尺寸及/或框的位置。參照在上述圖式中圖示的實例,可由影像處理模組(諸如,影像處理模組250)執行階段530。
儘管並非一定如此,但是階段530的界定可至少部分地與階段510掃描及/或階段520的選擇同時發生。應注意,根據本發明之實施例,框的界定可基於階段540之計算的結果。例如,可界定每個框使得包括在該框中的大多數目標具有實質上類似的目標位移。
若框的界定基於設計資料或與掃描資料無關(例如,僅基於機器能力),則方法500可包括以下步驟:(例如,從配方或配置)加載預定義框的界定。
參照在階段530中界定(或決定)之框的數目,僅舉例而言,該等框的數目可為每個切片100-200個框,其中每個晶粒可容納約200個切片(可在實質上彼此平行的狹長切片中執行對晶圓之任何晶粒或晶圓之部分的掃描,通常以交替掃描方向順序掃描該等切片)。在另一實例中,例如在實施的像素尺寸較小時,每切片之掃描框的數目可為300個,且切片的數目可為500個。
可以各種方式實施框的界定,該界定步驟為方法500的部分(在階段530中)或先於方法500(例如,該界定步驟為產生配置檔案的部分)。在第一實例中,框的決定(框的尺寸及/或位置)可為機器掃描能力與在以後掃描中要求之修正能力(相關於所遇到之失真的類型)之間的平衡的結果。框越小,要求的計算能力越高,特別是在期望第一方法或第二方法之任一者的即時實施的情況下如此。
在階段530包括在掃描的執行時間期間界定框的實施中,可在保存多個目標窗的資料之後,在設定的掃描期間量測失真位準,且隨後可基於失真分析界定框。應注意,若掃描層的一些區域並未高度失真,則可減小界定的(相對較大)框中之目標窗的數量,因而節省資料儲存容量,以及以後的計算時間。
例如,階段540可基於固定尺寸(例如,最小尺寸)的框,以及基於針對框之一或更多者的目標決定的位移,可(例如,藉由***、組合或改變初步框)界定其他框。
回到階段540及階段550,例如如第10D圖中所圖示,應注意,可針對X軸位移以及針對Y軸位移計算目標位移及/或決定框位移。
可藉由決定彼此獨立的兩個標量成分來決定掃描框的框位移向量(若確實實施為向量)。例如針對X軸位移資訊收集選擇之目標的目標位移值可用於決定X軸位移值,且針對Y軸位移資訊收集選擇之目標的值可用於決定Y軸位移值,且彼等兩個值可保存為位移向量(或者僅保存為兩個標量值)。
例如,階段540可包括在多個掃描框之每一者中僅計算針對掃描框之目標之第一子群組的X軸位移的階段541,及/或僅計算針對掃描框之其他目標之第二子群組的Y軸位移的階段542。若實施,則可決定針對其他目標之第三子群組的X軸位移及Y軸位移兩者。
延續相同實例,決定掃描框之至少一者之位移的階段550可進一步包括基於針對框之目標之第一子群組(以及,根據本發明之實施例,亦針對第三子群組之目標,但並非針對第二子群組之目標)決定的位移決定用於掃描框之框的X軸位移值的階段551,及/或基於針對第二子群組(以及,根據本發明之實施例,亦第三子群組之目標)之目標決定的位移決定框之Y軸位移值的階段552,其中在階段552中決 定Y軸位移值的步驟與針對第一子群組之目標決定的位移無關。
若實施,可針對多個框的一或更多個框或該多個框的所有框中的目標執行階段541及/或階段542。若實施,可針對多個框的一或更多個框或該多個框的所有框執行階段551及/或階段552。
第5圖圖示根據本發明之實施例之方法500的額外階段。第5圖中圖示的階段為可選的,且可實施該等階段以使用針對掃描區域之掃描框計算的位移值偵測除了掃描區域(無論在相同晶圓上還是在另一晶圓上)之外的第二晶圓區域中的缺陷。
可在階段560之後(且若實施,則可能在階段565之後)執行的階段570包括對第二晶圓區域的掃描。儘管並非一定如此,但是該第二區域不是先前論述的掃描區域。如前文所述,第二晶圓區域可在相同的晶圓上(例如,另一晶粒上或另一晶粒內)或甚至在另一晶圓上。若第二晶圓區域位於另一晶圓上,則其他晶圓及最初掃描的晶圓通常包括類似的電子電路(例如,用於生產可能來自相同批次之相同產品的晶圓)。第二晶圓區域將通常屬於與最初掃描的區域相同的層(或若該第二晶圓區域屬於另一晶圓,則該第二晶圓區域屬於相應層)。
第二晶圓區域的內容將通常類似於最初掃描區域之內容的一些或所有內容。例如,若階段510中掃描的掃描區域為整個晶粒,則第二晶圓區域可為類似的晶粒(在相 同晶圓上或在類似晶圓上)。多個框可界定在第二晶圓區域內,其中彼等框之每一者可對應於一個掃描框或決定框位移所針對的掃描框。或者,若第二晶圓區域的框不實質上覆蓋與掃描框類似的內容,則可對一些掃描框的位移值取平均。然而,在以下描述中,將假定界定在第二晶圓區域中之框的每一者精確對應於掃描框之一者,且該等框之每一者包括實質上類似的內容(具有例如由於掃描不精確誤差及其他不精確原因可能存在的一些偏差)。
儘管並非一定如此,但是可由用於掃描區域之掃描(例如,在階段510中)的相同掃瞄機執行階段570的掃描。對於彼等兩個晶圓區域的掃描使用相同掃瞄機尤其能夠補償以彼機器為特徵的位移誤差(例如,x-y階段移位誤差、在彼機器為電子束掃描器的情況下的充電圖案等)。參照在上述圖式中圖示的實例,可藉由任何掃描、成像及/或偵測設備(諸如,感測器230)來執行階段570。
可在缺陷偵測執行時間期間執行在階段570中對第二晶圓區域的掃描及相同晶圓之其他區域的可能掃描。在缺陷偵測執行時間期間,可針對缺陷偵測掃描許多晶圓。例如,可檢查同時製造的整批晶圓或甚至多個此類批次的晶圓的缺陷。因為在缺陷偵測執行時間期間可能檢查許多晶圓的缺陷,且因為漫長的執行時間缺陷偵測過程延遲製造過程,所以降低執行時間缺陷偵測所需的時間在至少一些情況下為有利的。在此等情況下,補償位置不精確性及位移的快速技術可為期望的。
然而,因為許多類似晶圓的缺陷偵測可使用在單個決定框位移(例如,在單次執行階段560之情況下)之後產生的校準資訊(及目標資料庫),所以在階段560中及/或在階段560之前的階段之一或更多個階段中投入的耗時處理對每個晶圓總缺陷偵測時間(位移估計之持續時間的相對部分可添加至該總缺陷偵測時間)具有相對較小的含意。
因此應注意,可針對N個不同晶圓區域重複在第5圖及第6圖中圖示之階段570至階段5140的一些或所有階段(由「×N次」指示方式來說明此情況)。彼等N個不同的晶圓區域可在單個晶圓中或在一個以上的晶圓中。例如,若一批25個類似晶圓(該等晶圓之每一者包括大約150個晶粒)中的每個晶粒,則先前針對單個晶圓之掃描區域決定(直到階段560)的位移結果可用於對大約3750(=150×25)個晶粒的執行時間缺陷偵測中。如將在下文進一步論述,用於第二晶圓區域的位移值可用於相同晶圓中的另一區域等。有關於第5圖及第6圖的以下論述將主要集中在對單個晶圓區域(亦即,第二晶圓區域)的實施中。
在階段570的掃描開始後(且可能在完成階段570時)起始的階段580包括以下步驟:界定第二晶圓區域之掃描影像(或可能的影像)中之搜尋窗。在階段580中界定的搜尋窗之每一者對應於資料庫目標之一者。可針對資料庫目標之每一者界定相應搜尋窗,但是並非一定如此,且亦可界定較少的搜尋窗。在階段580中對搜尋窗之每一者的界定基於個別掃描框的已決定位移,相應目標包括在該個別掃描 框中。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器260)執行階段580。
如前文所述,可基於決定的框位移修正在資料庫目標之群組的階段560中產生的位置資訊。此修正可(儘管並非一定如此)僅基於個別框位移。或者,若不修正來自目標資料庫的位置資訊,則可在用於界定搜尋窗的階段580中修正資料庫目標的位置資訊。
搜尋窗的界定包括以下步驟:界定每個搜尋窗的位置,且可能亦界定每個搜尋窗的尺寸。應注意,未必所有搜尋窗具有相同尺寸(例如,若給定掃描框之目標之目標位移的差異大,則此資料可保存在校準資訊中,且可在第二晶圓區域的相應框中界定較大的搜尋窗)。
界定的搜尋窗通常大於相應資料庫目標,且期望該等搜尋窗包括類似於相應目標影像之彼掃描影像資料的掃描影像資料(且明顯地亦包括晶圓之附近區域的額外影像資料)。例如,若目標影像(例如,類似於第11圖之圖解的目標影像)為32×32像素,則在階段580中界定的相應搜尋窗可為例如100×100像素。
第13圖圖示根據本發明之實施例的一個目標影像410(例如,如儲存在目標資料庫中的目標影像)以及根據彼目標影像410界定之搜尋窗180的掃描影像。可看出,比較像素尺寸時,界定的搜尋窗(以及相應搜索影像180)明顯大於該搜尋窗對應的目標影像410。搜尋窗內的區域182(此區域由加粗黑色邊線圍繞)在尺寸與內容上對應於目標影像 410。然而,可看出,例如由於製造誤差或掃描過程(一個掃描過程產生目標影像且另一掃描過程產生搜尋窗影像)之至少一者中的不精確性,由於此等掃描過程之間的不一致性(例如,稍微不同的照明)及/或由於相應晶圓區域之至少一者中的製造誤差,造成目標影像410與區域182未必相同。
第14圖圖示根據本發明之實施例在晶圓之掃描區域之掃描影像的框內界定的兩個搜尋窗180。區域184為目標的估計位置。基於彼等區域184,可界定搜尋窗180,且可在搜尋窗180內識別對應於個別目標的區域184。
回到第5圖,階段580可跟隨有階段590(或至少部分地與該階段590同時發生):使多個目標影像(例如,在階段580中針對該等目標影像界定相應搜尋窗的至少彼等目標影像)之每一者與相應搜尋窗之掃描影像的至少一部分相關。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器260)執行階段590。
針對目標影像之每一者的相關的階段590可包括以下步驟:執行M×N像素尺寸的目標影像(例如,32×32尺寸的目標影像)與相應搜尋窗之一系列類似尺寸的M×N像素區域的一系列相關,以及選擇具有與目標影像最佳相關的M×N區域。相關可包括與搜尋窗中之所有M×N像素尺寸區域的相關,但是並非一定如此,且該等M×N像素尺寸區域的僅一些區域可被相關。
儘管目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的一或更多個部分的相關可關於X軸與Y軸為對稱的,但是並非一 定如此。例如,針對X軸位移估算選擇的目標可在更具意義地與X軸相關,且針對Y軸位移估算選擇的目標可更具意義地與Y軸相關。
針對搜尋窗之每一者,階段590的結果可指示與目標影像之相關為最佳的搜尋窗之部分及/或對搜尋窗之多個部分決定的相關結果。
方法500繼續執行階段5100:計算出自多個資料庫目標之每一者(可能針對所有該多個資料庫目標)的執行時間位移,其中針對多個目標之每一者的計算基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的至少一部分的相關(例如,階段590的相關)。根據設計資料,與掃描晶圓區域中的目標位移類似,針對多個資料庫目標之每一者計算的執行時間位移指示對應目標影像到該目標所在位置的位移。
可基於搜尋窗之被相關部分的位置(例如,第13圖的區域182)與相應資料庫目標之位置資訊(例如,如自目標資料庫擷取的位置資訊)之間的距離計算執行時間位移。亦可基於沿軸(例如,X軸及/或Y軸)的彼等兩個位置之間的距離計算執行時間位移。執行時間位移(如在階段540中計算的目標位移)可為標量位移或向量位移,且可有關於總位移或僅有關於沿軸的位移。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器260)執行階段5100。
藉由階段580及階段5100(以及可能亦藉由階段590),方法500包括針對出自資料庫之多個目標的每一目標執行以下動作:(a)基於掃描框之決定的位移界定對應的搜尋 窗,目標包括在該掃描框中;及(b)基於目標影像與由相應搜尋窗界定的掃描影像之區域之至少一部分的相關計算目標的執行時間位移。
在階段5100之後執行的可選階段5140包括以下 步驟:偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中借助於目標執行時間位移之至少一者以及可能借助於所有該等目標執行時間位移來提供該偵測步驟。參照在上述圖式中圖示的實例,可由缺陷偵測模組(諸如,缺陷偵測模組270)執行階段5140。
階段5140之後可跟隨有報告一些或所有缺陷(例 如,作為在階段5150中提供之檢查結果的部分)的階段,其中該報告步驟可包括以下步驟:報告設計資料之座標中(例如,以高精確性,且相對於CAD原址或相對於在該CAD原址中識別的另一定錨點)的缺陷之至少一者(以及可能所有該等缺陷)的位置資訊。應注意,階段5140的決定步驟可包括以下步驟:針對偵測到的缺陷之每一者決定設計資料之座標中(例如,CAD座標中)的位置。缺陷可以高度精確性與設計資料相關聯,此情況可賦能諸如(但不限於)基於設計之分級的各種使用。
除了對執行時間位移之至少一者的依賴性之外 的缺陷偵測可類似於缺陷偵測的已知實務。例如,在階段5140中的缺陷偵測可包括第二晶圓區域之掃描影像與參考資料之間的比較。此參考資料可為在晶粒對資料庫(D2DB)缺陷偵測技術的設計資料(例如,CAD資料),且此參考資料可為在晶粒對晶粒(D2D)或單元對單元(C2C)缺陷偵測技術之晶圓之 其他部分的掃描影像資料。此等其他部分可屬於第二晶圓區域,或屬於晶圓的其他區域。
更甚者,可實施若干此等技術,可使用此等技術中的D2DB偵測來偵測第二晶圓區域之一些部分中的缺陷,而可使用D2D及/或C2C偵測來偵測第二晶圓區域之其他部分中的缺陷。
關於在第二晶圓區域之每個區域中(且可能在晶圓之其他區域中)使用什麼比較技術(例如,D2DB、D2D、C2C)的決定可基於預定比較方案(亦稱為「佈局」或「晶粒佈局」),在該預定比較方案中,每個晶粒的不同部分分配有不同的比較技術。
關於第6圖詳述可借助於在階段5100中計算之執行時間位移的一或更多者執行之階段5140的缺陷偵測之方式的一些方式。
第6圖圖示根據本發明之實施例之方法500的額外階段。第6圖中圖示的階段為可選的,且可實施該等階段以借助於在階段5100中計算的執行時間位移值之一或更多者偵測第二晶圓區域中的缺陷。
方法500可包括基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移的階段5110。
可與在階段550中決定框位移之步驟類似地實施在階段5110中決定框執行時間位移的步驟(為此實施提供實施的若干實例),但是並非一定如此。
可在階段5110中針對第二晶圓區域中的所有框決定框執行時間位移,但是並非一定如此。此外,可在階段5110中針對對應於階段550之多個掃描框的所有框決定框執行時間位移,但是並非一定如此。
儘管執行時間框位移在本發明的至少一些實施中可具有物理意義,但是並非一定如此,且在其他實施中該框位移的意義可能僅作為虛構,該虛構僅界定為基於(但是未必僅基於)針對個別目標計算的執行時間位移之計算的結果。
方法500可包括借助於框執行時間位移之至少一者為包括第二晶圓區域之檢查晶圓提供晶圓的檢查結果的階段5150。可藉由作為中間步驟的執行階段5140(以及可能的其他階段,諸如階段5120及階段5130)來促進此舉,但是並非一定如此。視情況而言,階段5150的提供步驟可包括以下步驟:提供階段5140之缺陷偵測的一些或所有結果。參照相對於上述圖式闡述的實例,可由處理器(諸如,處理器290)執行階段5150。
除了缺陷偵測之外,框執行時間位移亦可用於其他用途(諸如,改良檢查區域或檢查區域之部分之掃描的精確性)。例如,對檢查區域的掃描可包括以下步驟:改良基於針對另一執行時間框決定的框執行時間位移對執行時間框 之至少一者的掃描的位置精確性。可例如藉由修正用於基於前一框之執行時間位移的特定框(或該特定框的部分)之掃描的電子束的方向來實施此舉。同樣地,可藉由在基於前一框之執行時間位移之特定框(或特定框之部分)的掃描期間修正相機、感測器或晶圓所在之臺的位置及/或方向來實施精確性的改良。
方法500可包括基於針對多個資料庫目標計算之執行時間位移改變用於缺陷偵測之比較方案的階段5120。階段5120的改變步驟可包括以下步驟:更新比較方案。在一些實施中,可基於階段5100的計算且進一步基於階段5110的中間計算執行階段5100(決定框執行時間位移)。在其他實施中,除了階段5110之彼等計算之外的計算可用於階段5120中的更新。參照在上述圖式中圖示的實例,可由缺陷偵測模組(諸如,缺陷偵測模組270)執行階段5120。
根據本發明之實施例,階段5120可包括基於多個執行時間框之框執行時間位移改變比較方案的階段5121。參照在上述圖式中圖示的實例,可由缺陷偵測模組(諸如,缺陷偵測模組270)執行階段5121。
比較方案的改變可包括以下步驟:例如改變有關於第二晶圓區域內之不同區域的缺陷偵測指令(例如,使用D2D比較代替C2C比較),及/或改變此等指令所應用之區域的界定。此等區域之邊界的重新界定可基於在階段5110及/或階段5120中預先計算的執行時間位移。
可包括在比較方案中的其他參數為例如不找尋一些區域中之缺陷的指令(例如,「不與參考影像比較」),以及指示什麼視為缺陷的敏感性位準指示(例如,臨限值位準)。
方法500可進一步包括基於改變的比較方案比較第二晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料的階段5130。參照在上述圖式中圖示的實例,可由缺陷偵測模組(諸如,缺陷偵測模組270)執行階段5130。在此實施中,在階段5140中對缺陷的偵測可基於階段5130之比較的結果。
如前文所述,可針對N個不同晶圓區域重複在第5圖及第6圖中圖示之階段570至階段5140的一些或所有階段(由「×N次」指示方式來圖示此情況)。彼等N個不同的晶圓區域可在單個晶圓中或在一個以上的晶圓中。在一些實施中,彼等N個不同晶圓區域之每一者中之缺陷偵測的彼過程可直接基於在階段560中產生的校準資訊(基於最初晶圓之最初掃描區域的資料)。然而,在其他實施中,在彼等N個不同晶圓區域之一些晶圓區域中之缺陷偵測的過程可基於先前針對先前處理之晶圓區域執行的校準過程。例如,在晶圓之切片中之特定晶粒中的缺陷偵測可基於用於彼晶圓中之相同片的先前處理晶粒之位移及/或校準計算。
第7圖圖示根據本發明之實施例之方法500的額外階段。第7圖中圖示的階段為可選的,且可實施該等階段以借助於針對系列之另一區域計算的執行時間位移值來偵測 一系列晶圓區域之每個晶圓區域中(在一或更多個晶圓中)的缺陷。
若實施,則在完全地執行階段560之後執行第7圖中圖示之階段的每一者。
可選階段5200包括以下步驟:掃描一系列多個其他晶圓區域(亦即,除了在階段540中指示之最初掃描晶圓之掃描區域之外),其中此等其他晶圓區域之每一者覆蓋相同晶圓之不同的晶粒(整個晶粒,或該整個晶粒的一部分)。系列其他晶圓區域可包括例如切片中的所有晶粒區域,其中每個晶粒區域覆蓋來自單個晶粒的區域(但是不一定全部如此)。
參照第15A圖及第15B圖的實例,一系列灰色掃描區域120(如灰色區域所圖示)包括晶圓10之單個行中之晶粒110每一者中的單個切片150的部分。應注意,儘管掃描的實際切片150未必如第15A圖中所圖示的完美直線,但是相對於晶圓檢查之正常狀態放大了第15B圖的圖解。通常切片150之直線的偏離要小很多(例如,最多數個像素,可能是不到一個像素),且在第15B圖的比例尺中不能看見該等偏離。
參照關於上述諸圖論述之方法500的階段,應注意階段5200可包括針對除了階段540之掃描區域之外的不同晶圓區域執行的階段570之多次執行。特別是,一系列其他晶圓區域可包括上述的第二晶圓區域。
若實施,則階段5200之後可跟隨有階段5210,在該階段5210中針對其他晶圓區域之每一者(除了第二掃描區域之外)執行以下階段5211、階段5212及階段5213。
階段5211包括以下步驟:界定對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標之子群組的搜尋窗,其中搜尋窗之每一者的界定基於針對該系列之前一晶圓區域決定的框執行時間位移。例如,可基於針對第二晶圓區域決定的框執行時間位移界定用於第三晶圓區域之子群組的搜尋窗,且可基於針對第五晶圓區域決定的框執行時間位移界定用於第六晶圓區域之子群組的搜尋窗(但是在其他實施中亦(或者或另外)基於針對該系列之另一或更多個上述晶圓區域(諸如,第二晶圓區域及/或第三晶圓區域)決定的框執行時間位移)。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器260)執行階段5211。應注意,可針對除了子群組之彼等資料庫目標的資料庫目標之其他目標界定階段5211中的搜尋窗。
若個別晶圓區域包括一個以上的框,則可基於在用於框的前一晶圓區域中決定的框執行時間位移界定搜尋窗,相應目標包括在該框中。
因為針對該系列之每個掃描區域,基於針對該系列之前一晶圓區域決定的框執行時間位移界定搜尋窗,所以針對一個掃描區域決定的位移值用於微調目標的估計位置,從而可能降低目標位置的位移誤差。因為位移誤差可小於無修正的可能誤差,所以可降低搜尋窗的尺寸。
假定目標的給定尺寸(例如,32×32像素尺寸的目標),則在第二晶圓區域找尋匹配目標的(例如,在階段580中界定窗的尺寸)所在的搜尋窗可明顯地較大(例如,100×100的搜尋窗)。然而,也許有可能針對該系列的連續搜尋區域界定較小搜尋窗(因為可從目標與第一區域之搜尋窗內的區域的匹配獲得一些精確性)。根據本發明之實施例,針對子群組目標界定的搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第二晶圓區域中之對應目標界定之搜尋窗的尺寸。
應注意,在階段5211中使用之目標的子群組可在該系列之不同晶圓區域之間有所不同。
階段5212包括以下步驟:基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移。儘管並非一定如此,但是可與階段540及/或階段5100之計算類似地實施在階段5212中對目標位移的計算。例如,此舉可包括以下步驟(或在以下步驟之後):使子群組之目標之每一者的目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的至少一部分成相關。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器260)執行階段5212。
階段5213包括以下步驟:偵測其他晶圓區域中的缺陷,其中偵測階段回應於目標執行時間位移之至少一者。參照在上述圖式中圖示的實例,可由缺陷偵測模組(諸如,缺陷偵測模組270)執行階段5213。階段5213中的缺陷偵測可在各個階段之後,且特別是可在基於階段5212中計算個別其他晶圓區域之每一者的目標執行時間位移的階段之 後。儘管並非一定如此,但是此等階段可類似於階段5110、階段5120及階段5130(加以必要的變更)。
例如,方法500可包括針對一些或所有其他晶圓區域執行以下可選階段,且可實施該方法500以借助於階段5212中計算之執行時間位移值的一或更多者偵測個別其他晶圓區域中的缺陷:
˙基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在個別其他晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移的階段。
˙基於針對多個資料庫目標計算之執行時間位移改變用於缺陷偵測之比較方案的階段。此改變步驟可包括以下步驟:更新比較方案。比較方案的改變可包括以下步驟:例如改變有關於個別其他晶圓區域之不同區域的缺陷偵測指令(例如,使用D2D比較代替C2C比較),以及/或改變此等指令所應用之區域的界定。
˙基於改變的比較方案比較個別其他晶圓之至少一部分的掃描影像與參考資料的階段。
如上文所陳述,在一些實施中,可在實質上彼此平行的狹長切片中執行對晶圓之一些或所有區域的掃描,通常以交替掃描方向順序掃描該等切片。切片可包括多個晶粒的部分且可能來自晶圓中之晶粒的行中所有晶粒,例如如第15A圖中所圖示。可藉由經由沿切片的伸長軸(例如,Y軸方向)移動晶圓所在的整個臺來使整個晶圓移位來實施切片的掃描。一旦完成在一個方向上之第一切片的掃描,則可在相 反的方向上(例如,藉由在相反的方向上移動臺)掃描鄰近的切片。
回到第4圖,方法500可包括階段511:(在例如作為階段510之部分的計算步驟之前)掃描以交替掃描方向掃描之切片中之晶圓的掃描區域。掃描方向可彼此相反(或實質上彼此相反),但是並非一定如此。儘管以下闡述提及以相反的方向掃描切片的情形,但是該闡述可應用於(具有必要的修改)以不同的方向掃描晶圓之不同部分的任何情形。
第16圖圖示根據本發明之實施例按交替掃描方向的切片150中之晶圓100的掃描。以第一方向(自圖式的頂部至底部)掃描圖示為150(1)的切片,而以相反的方向(自圖式的底部至頂部)掃描圖示為150(2)的切片。因此以相反的方向掃描鄰近切片的掃描區域120(彼等區域的一些區域分別圖示且突出為120(1)及120(2))。
回到方法500,階段560的產生步驟在此實施中可包括產生第一位移映射以及第二位移映射的階段562,該第一位移映射包括以第一掃描方向掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移。參照在上述圖式中圖示的實例,可由處理模組(諸如,後續處理模組220)執行階段562。產生的位移映射之每一者可類似於校準資訊,但是該等位移映射之每一者僅有關於以類似掃描方向掃描的晶圓區域。
在此實施例中,階段565的傳送步驟可包括以下步驟:可能作為獨立資料結構傳送第一位移映射及第二位移映射。
上文基於針對掃描晶圓區域的個別掃描框決定的位移來揭示用於第二晶圓區域之分析框中之缺陷的缺陷偵測(若實施)。然而,若以實質上不同於掃描個別掃描框的方向的掃描方向掃描分析框,則針對彼掃描框決定的位移資訊精確性也許有可能小於針對以同一方向掃描之鄰近框決定的位移精確性。舉例而言,在電子束掃描中,每個框中的位移可取決於在掃描期間積聚的電荷,且若以相反的方向掃描兩個框(因此在不同的電荷積聚後掃描該兩個框),則彼等框的位移可為不同的。
第8圖圖示根據本發明之實施例之方法500的額外階段。第8圖圖示的階段為可選的,且若以除了掃描晶圓之掃描區域的個別框的方向之外的方向掃描該第二晶圓區域之框的至少一些框,則可實施該等階段以偵測第二晶圓區域中的缺陷。
產生目標資料庫的階段560可包括產生子群組之目標資訊的階段563,該子群組包括出自掃描框之分析框中的多個目標,其中以第一掃描方向掃描分析框。子群組之目標之每一者的目標資訊包括與目標及位置資訊相關的目標影像。
包括對除了掃描區域之外的第二晶圓區域的掃描的階段570可包括掃描第二晶圓區域的階段571,該第二晶 圓區域包括對應於分析框且以與第一掃描方向相反的第二掃描方向掃描的框。
視情況而言,在執行時間框之每一者中(且特別是在對應於分析框之框中)且在相應掃描框中的一些或所有掃描晶圓特徵結構實質上重疊。
在此實施中對搜尋窗的界定可在階段5300之後,在階段530中藉由對鄰近於分析框且以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移取平均來計算平均位移。儘管可在掃描第二晶圓區域(如圖所示)之後執行計算,但是在其他實施中可預先執行該計算步驟(例如作為階段560中之產生步驟的部分)。
對搜尋窗的界定可實施為界定對應於子群組之目標的搜尋窗的階段581,其中對搜尋窗之每一者的界定基於平均位移。
階段581之後可跟隨有上述階段590、階段5100、階段5110、階段5120、階段5130及階段5140的任何組合。例如,階段581之後可跟隨有以下步驟:基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;以及偵測第二晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟回應於目標執行時間位移之至少一者。
回到圖示上述系統200的第2圖,除了配方資料庫234之外,系統200可包括配方介面238,用於擷取配方(例如,從儲存器,從外部系統擷取)以及可能亦用於發送更新至配方。相同組件234及238可用於配置的擷取、儲存及/或 更新。在另一實施中,其他資料庫及/或介面可用於配置的擷取、儲存及/或更新。應注意,可從用於儲存及/或處理設計資料的外部機器(諸如,CAD伺服器)(圖示於第17A圖及第17B圖中)接收配方及/或配置。
系統200之許多變化及可能的實施對於熟習此項技術者在考慮方法500後變得顯而易見,且在下文僅明確論述彼等實施的一些實施。
例如,應注意,後續處理模組220可經配置以隨後保存CAD座標中之資料庫目標的位置資訊。
系統200可包括用於接收掃描影像資料(例如,從感測器230、從外部感測器或外部檢查系統等接收)的輸入介面280。輸入介面280可經配置用於接收晶圓100之掃描區域120的掃描影像資料。同樣地,感測器230可經配置以掃描晶圓100之至少掃描區域120,以提供相應掃描影像資料。
系統200亦可包括影像處理模組250,該影像處理模組250經配置以處理該影像處理模組250接收的掃描影像資料。影像處理模組250可經配置以基於掃描影像資料之影像處理選擇多個目標140之每一者的影像。影像處理模組250可進一步經配置以基於選擇保存多個影像。視情況而言,影像處理模組250可經配置以基於掃描影像資料之影像處理界定掃描框。
後續處理模組220可經配置以藉由以下步驟決定掃描框130之至少一者的位移:基於針對框130之目標140之第一子群組的目標140決定的位移來決定用於掃描框的框 130的X軸位移值,以及基於針對掃描框130之其他目標140的第二子群組的目標140決定的位移來決定框130的Y軸位移值。應注意,儘管並非一定如此,但是由後續處理模組220決定Y軸位移值的步驟與由該後續處理模組220針對第一子群組之目標140決定的位移無關。
若實施,則輸入介面280亦可用於接收除了掃描區域之外的第二晶圓區域的掃描影像資料。第二晶圓區域可為相同晶圓100上的另一區域,或另一晶圓上的區域。若實施,則感測器230可用於掃描第二晶圓區域。若第二晶圓區域屬於另一晶圓,則其他晶圓可在彼掃描之前位於可移動臺232上。
根據本發明的一些實施例,除了相關資訊的產生及目標資料庫之產生之外,系統200可用於缺陷偵測。
第2B圖圖示根據本發明之實施例的系統200。系統200亦可包括相關器260。相關器260可經配置以界定搜尋窗,該等搜尋窗之每一者對應於資料庫目標之一者,其中對搜尋窗之每一者的界定基於個別掃描框所決定的位移,相應目標包括在該個別掃描框中。
相關器260可進一步經配置以基於個別目標影像與對應搜尋窗之掃描影像的至少一部分的相關,計算多個資料庫目標的執行時間位移。
若在系統200中實施基於相關資訊的缺陷偵測,則可由系統200的圖示為270的缺陷偵測模組執行該缺陷偵測。缺陷偵測模組270可用於基於由後續處理模組220產生 的資訊偵測相同晶圓100中或一或更多個其他晶圓中除了掃描區域120之外的晶圓區域中的缺陷。特別是,缺陷偵測模組270可經配置以借助於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷。
系統200可進一步包括輸出介面(無論是輸出介面295還是另一輸出介面皆可),該輸出介面經配置以報告至少一些缺陷(例如,報告給外部系統,報告給顯示單元,報告給人工操作員等)。視情況而言,彼報告步驟可包括以下步驟:報告設計資料之座標中之缺陷的至少一者的位置資訊。
若實施,則相關器260可經配置以基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移;其中在此實施中的缺陷偵測模組270可進一步經配置以基於多個執行時間框的框執行時間位移改變比較方案。在系統200的此實施中,缺陷偵測模組270可進一步經配置以基於改變的比較方案比較第二晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料,並基於比較的結果偵測第二晶圓區域中的缺陷。
如前文所述,在一些實施中,缺陷偵測模組可用於偵測若干其他晶圓區域(可能在多個晶圓中,例如一批次的所有晶圓)中的缺陷。輸入介面280可經配置以接收(及/或感測器230可經配置以掃描及因此產生)除了掃描區域之外的一系列多個其他晶圓區域的掃描影像資料。在以下描述 中,假定此系列包括第二晶圓區域,且其他晶圓區域的每一晶圓區域覆蓋相同晶圓的不同晶粒。然而,如上所述,並非一定如此。
在此實施中,相關器260可經配置以對除了第二經掃描區域之外的其他晶圓區域之每一者執行以下動作:˙界定對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標之子群組的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定步驟基於針對該系列之前一晶圓區域決定的框執行時間位移,其中搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第二晶圓區域中之相應目標界定的搜尋窗的尺寸;及˙基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移。
缺陷偵測模組270在此實施中可經配置以回應於目標執行時間位移之至少一者偵測其他晶圓區域中的缺陷。
參照第16圖的實例,應注意,可在實質上相反方向的切片上執行對晶圓的掃描。輸入介面280可用於接收對晶圓100之掃描區域120以及彼晶圓或其他晶圓的其他區域之掃描的掃描結果,在以交替掃描方向掃描的切片上掃描該晶圓100的掃描區域120。若實施,則感測器230可經配置以掃描在以交替掃描方向掃描的切片中之晶圓100的掃描區域120以及彼晶圓或其他晶圓的其他區域,且提供個別掃描結果(例如,經由輸入介面280)。
後續處理模組220也許有可能經配置以產生作為校準資訊之部分的第一位移映射以及第二位移映射,該第一 位移映射包括以第一掃描方向掃描之經掃描框的框位移,該第二位移映射包括以第二掃描方向掃描之經掃描框的框位移。
此外,後續處理模組220可經配置以產生作為目標資料庫之部分的子群組的目標資訊,該子群組包括出自掃描框之分析框中的多個目標,其中以第一掃描方向掃描分析框;其中子群組之目標之每一者的目標資訊包括與目標及位置資訊相關聯的目標影像。
繼續描述相同實例,輸入介面280可經配置以接收除了經掃描區域外之第二晶圓區域的掃描影像資料,其中第二晶圓區域包括對應於分析框並以與第一掃描方向相反的第二掃描方向掃描的框,且相關器260在此實施中可經配置以執行以下步驟:(a)藉由對掃描框之框位移來計算平均位移,該等掃描框鄰近於分析框並以第二掃描方向掃描該等掃描框;(b)界定對應於子群組之目標的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定基於平均位移;及(c)基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移。缺陷偵測模組270可經配置以回應於目標執行時間位移之至少一者偵測第二晶圓區域中的缺陷。
應注意,儘管系統200描述為單個系統,但是可在彼此通訊的兩個或兩個以上的系統中實施該系統200。例如,該系統200可實施為檢查機器及儲存並處理設計資料的CAD伺服器。第17A圖及第17B圖圖示將系統200實施為(直接或間接地)彼此通訊的檢查機器2100及CAD伺服器2200 的兩種實施。應注意,為了清晰之目的,上文關於系統200之各個實施所論述的功能及組件的並非全部圖示於第17A圖及第17B圖中。
系統200可包括配方產生器2210,該配方產生器2210經配置以決定(及可能稍後更新)用於晶圓之掃描,特別是用於掃描區域120及亦用於其他系列區域(例如,若由相同機器掃描)之掃描區域的配方。
CAD伺服器2200之通訊模組2220可用於將產生的配方引出至檢查機器2100,該檢查機器2100使用該檢查機器2100的通訊模組2120引入該產生的配方。包括配方從CAD伺服器2200傳送至檢查機器2100之的傳送可包括以下資訊之一些或更多者的傳送:
˙比較方案(亦稱為「佈局」或「晶粒佈局」),在該比較方案中,每個晶粒的不同部分分配有不同的比較技術。
˙晶圓佈局(指示晶圓上之不同晶粒的尺寸,以及該等晶粒相對於晶圓之位置)。
˙用於晶圓之全局對準的粗略對準目標。
對準模組236以及影像處理模組250可實施為檢查機器的部分,並可例如使用基於來自設計資料之粗略定錨點之對準來對準晶圓100。在此實施中的影像處理模組250將有關選定目標(例如,影像及位置)的資訊提供至CAD伺服器2200的設計資料處理模組2250,該設計資料處理模組2250擷取對應於由檢查系統2100選擇之目標影像的設計資料影像。應注意,設計資料處理模組2250可經配置以產生來 自向量設計資料的灰階強度影像格式的彼等影像,以能夠與目標影像相關。設計資料處理模組2250可經配置以將有關於相對較小區域(亦稱為「CAD夾片」)的設計資料傳送到位移分析模組。
第17A圖及第17B圖所圖示之兩個實施之間的顯著差異為位移分析模組210的位置,在第17A圖的實施中,該位移分析模組210位於檢查機器2100中,而在第17B圖的實施中,該位移分析模組210位於CAD伺服器2200中。
不管實施系統200的方式如何,該系統200通常將包括能夠尤其用於處理資料的一或更多個組件。例如,位移分析模組210及後續處理模組220兩者能夠處理資料。能夠處理資料的所有此等單元可實施在硬體、軟體或韌體或以上之任何組合中。儘管在一些實施中可由通用處理器執行的專用軟體實施此等處理能力,但是本發明的其他實施可要求使用專用硬體或韌體,特別是在資料之處理量及處理速度極為重要時。
回到系統200,亦應理解,根據本發明的系統可為適當程式化的電腦。同樣地,本發明設想電腦程式為由用於執行本發明之方法的電腦可讀取的。本發明進一步設想機器可讀取記憶體有形地包含由用於執行本發明之方法的機器可執行的指令程式。
回到方法500,應注意,因為方法500為電腦化方法,所以可實施指令程式,在該指令程式由一或更多個處理器執行時導致方法500之上述變化之一者的執行。
對於熟習此項技術者而言以下將係顯而易見的:即使在沒有明確闡述包括此等指令的情況下,指令可包括在用於執行方法500之一些或所有階段(上文建議的所有可能組合)的指令程式。
參照第18圖,該第18圖圖示根據本發明之實施例用於至少一個晶圓之基於位置之晶圓分析的電腦化方法600。參照在下文圖式中圖示的實例,可由諸如系統300的系統執行方法600。儘管並非一定如此,但是系統300之操作的過程可對應於方法600的一些階段或所有階段。同樣地,也許有可能藉由諸如系統300的系統實施方法600及該方法600可能的實施。因此應注意,亦可在作為系統300之各種實施例的硬體對應物中實施關於方法600論述的本發明之實施例,並加以必要的變更,且反之亦然。
對於熟習此項技術者而言以下將係顯而易見的:一旦根據方法500之個別階段或其他方式產生了校準資訊及目標資料庫,則使用此資料偵測缺陷不一定取決於產生此資訊的過程。例如,也許可無需設計資料與掃描影像資料之間的相關性而產生包括框位移的校準資訊以及包括目標影像及位置資訊的目標資料庫。
方法600揭示一種過程,該過程可被認為是類似於第5圖、第6圖、第7圖及第8圖所圖示的彼過程但是與實施校準資訊及目標資料庫的方式無關。為了論述清晰,在方法600的揭示內容中使用類似的元件符號,其中每個階段之元件符號的第一個數字從5變化至6。亦即,階段670類似 於階段570(但是不一定相同或相關)等。因此,為了揭示內容的清晰與簡潔,不必全部明確地重複與方法500及方法500的不同階段有關之不同變化、實施及考慮的一些變化、實施及考慮。亦即,即使未明確闡述,可在關於方法500之元件符號相應的階段論述的變化的情況下實施方法600及方法600之各個階段的每一者。
方法600可從獲得以下內容之階段601開始:(a)包括多個框之位移的校準資訊,該等框包括在參考晶圓之晶圓區域中,及(b)目標資料庫,該目標資料庫包括出自多個框之每一者中之多個目標的每一目標的目標影像及位置資訊。參照在下文圖式中圖示的實例,可由校準資料輸入介面301執行階段601。階段601不具有對應於該階段601之方法500的單個階段,但是在該方法500的一些實施中,該獲得步驟可包括以下步驟:執行方法500之階段510至階段560的一些或所有階段。
儘管並非一定如此,但是獲得多個框之位移的步驟可為獲得包括相同位移之校準資訊之步驟的一部分。特別是,此獲得步驟可包括以下步驟:獲得相對於方法500詳述的校準資訊。例如,該獲得步驟可包括以下步驟:獲得用於如系統200之系統的位移。
儘管並非一定如此,但是獲得目標之位置資訊的步驟可包括以下步驟:獲得電腦輔助設計(CAD)座標中的位置資訊。
該獲得步驟可包括以下步驟:自資料庫、自另一機器及/或自執行方法600的相同機器獲得位移及/或目標資料庫。從其接收位移及/或目標資料庫的機器可為如系統200的系統,但是並非一定如此,且可在不同於方法500之過程的過程中產生位移及/或目標資料庫。在僅一個實例中,產生位移步驟可不基於以下步驟:使任何掃描影像資料與設計資料成相關,而是基於比較掃描影像資料與高解析度參考影像資料。
如前文所述,方法600為用於基於至少一個晶圓之基於位置的晶圓分析之電腦化方法。階段601之參考晶圓(視情況而言亦為資料庫影像之目標影像所在的晶圓)可為在方法600中分析之一或更多個晶圓的一個晶圓,但是並非一定如此,且方法600可包括對除了參考晶圓之外之一或更多個晶圓的分析。
方法600繼續掃描檢查晶圓之檢查區域的階段670(該檢查晶圓如前文所述可為參考晶圓或另一晶圓)。階段670的掃描步驟提供檢查區域的掃描影像。
參照在下文圖式中圖示的實例,可由感測器330執行階段670。可由任何類型的適合感測器(諸如,光學感測器、電子束感測器等)實施該掃描步驟。
方法600之階段680包括以下步驟:界定搜尋窗,該等搜尋窗之每一者對應於資料庫之目標之一者,其中對搜尋窗之每一者的界定基於個別框的位移,相應目標包括在該個別框中(在階段601中獲得的位移)。參照在下文圖 式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器360)執行階段680。可相對於在階段670獲得之檢查區域的掃描影像資料界定搜尋窗。
方法600的階段6100包括以下步驟:基於個別目標之目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的至少一部分的相關,計算目標之每一目標的執行時間位移。參照在下文圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器360)執行階段6100。
藉由階段680及階段6100(以及可能亦藉由階段690),方法600包括針對出自資料庫之多個目標的每一目標執行以下動作:(a)基於框之位移界定對應的搜尋窗,目標包括在該框中;及(b)基於目標的目標影像與由相應搜尋窗界定的掃描影像之區域之至少一部分的相關計算目標的執行時間位移。
類似相應階段5100,階段6100可在階段690之後,該階段690包括以下步驟:使多個目標影像之每一者與相應搜尋窗之掃描影像(在階段670之掃描中獲得的掃描影像)的至少一部分相關。參照在下文圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器360)執行階段690。
如下文更詳細地論述,方法600的可選階段6140包括以下步驟:偵測檢查區域中的缺陷,其中借助於目標執行時間位移之至少一者(且可能借助於所有目標執行時間位移)提供該偵測步驟。參照在下文圖式中圖示的實例,可由 諸如處理器390的處理器且特別是由諸如缺陷偵測模組370的缺陷偵測模組執行階段6140。
方法600可進一步包括在偵測之後報告缺陷的階段。視情況而言,此報告步驟可包括以下步驟:報告設計資料之座標中(例如,在CAD座標中,諸如微米)之缺陷之至少一者(以及可能所有缺陷)的位置資訊。應注意,階段6140的決定步驟可包括以下步驟:針對偵測到的缺陷之每一者決定設計資料之座標中(例如,CAD座標中)的位置。
除了對執行時間位移之至少一者的依賴性之外的缺陷偵測可類似於缺陷偵測的已知實務。例如,在階段6140中的缺陷偵測可包括第二晶圓區域之掃描影像與參考資料之間的比較。此參考資料可為使用晶粒對資料庫(D2DB)缺陷偵測技術的設計資料(例如,CAD資料),且此參考資料可為使用晶粒對晶粒(D2D)或單元對單元(C2C)缺陷偵測技術之晶圓之其他部分的掃描影像資料。此等其他部分可屬於第二晶圓區域,或屬於晶圓的其他區域。
更甚者,可實施若干此等技術,可使用此等技術中的D2DB偵測來偵測第二晶圓區域之一些部分中的缺陷,而可使用D2D及/或C2C偵測來偵測第二晶圓區域之其他部分中的缺陷。
關於在第二晶圓區域之每個區域中(且可能在晶圓之其他區域中)使用什麼比較技術(例如,D2DB、D2D、C2C)的決定可基於預定比較方案,在該預定比較方案中,每個晶粒的不同部分分配有不同的比較技術。
關於第19圖詳述可借助於在階段5100中計算之執行時間位移的一或更多者執行階段6140的缺陷偵測之方式的一些方式。第19圖圖示根據本發明之實施例之方法600的額外階段。第19圖中圖示的階段為可選的,且可實施該等階段以借助於在階段6100中計算的執行時間位移值之一或更多者偵測檢查區域中的缺陷。
方法600可包括基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在第二晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移的階段6110。
可與在方法500之階段550中決定框位移之步驟類似地實施在階段6110中決定框執行時間位移的步驟(為此實施提供實施的若干實例),但是並非一定如此。
可在階段6110中針對檢查區域中的所有框決定框執行時間位移,但是並非一定如此。此外,可在階段6110中針對對應於階段650之多個掃描框的所有框決定框執行時間位移,但是並非一定如此。
儘管執行時間框位移在本發明的至少一些實施中可具有物理意義,但是並非一定如此,且在其他實施中該框位移的意義可能僅作為虛構,該虛構僅界定為基於(但是未必僅基於)針對個別目標計算的執行時間位移之計算的結果。
方法600可包括借助於框執行時間位移之至少一者提供用於檢查晶圓之檢查結果的階段6150。可藉由作為中 間步驟的執行階段6140(以及可能的其他階段,諸如階段6120及階段6130)來促進此舉,但是並非一定如此。視情況而言,階段6150的提供步驟可包括以下步驟:提供階段6140之缺陷偵測的一些或所有結果。參照相對於上述圖式闡述的實例,可由處理器(諸如,處理器390)執行階段6150。
除了缺陷偵測之外,框執行時間位移亦可用於其他用途(諸如,改良檢查區域或檢查區域之部分之掃描的精確性)。例如,對檢查區域的掃描可包括以下步驟:基於針對另一執行時間框決定的框執行時間位移改良對執行時間框之至少一者的掃描的位置精確性。可例如藉由修正用於基於前一框之執行時間位移的特定框(或該特定框的部分)之掃描的電子束的方向來實施此舉。同樣地,可藉由在基於前一框之執行時間位移之特定框(或特定框之部分)的掃描期間修正相機、感測器或晶圓所在之臺的位置及/或方向來實施精確性的改良。
方法600可包括基於針對多個資料庫目標計算之執行時間位移改變用於缺陷偵測之比較方案的階段6120。階段6120的改變步驟可包括以下步驟:更新比較方案。在一些實施中,可基於階段6100的計算且進一步基於階段6110的中間計算執行階段6100(決定框執行時間位移)。在其他實施中,除了階段6110之彼等計算之外的計算可用於階段6120中的更新。參照在上述圖式中圖示的實例,可由諸如處理器390的處理器且特別是由諸如缺陷偵測模組370的缺陷偵測模組執行階段6120。
根據本發明之實施例,階段6120可包括基於多個執行時間框之框執行時間位移改變比較方案的階段6121。參照在上述圖式中圖示的實例,可由諸如處理器390的處理器且特別是由諸如缺陷偵測模組370的缺陷偵測模組執行階段6121。
比較方案的改變可包括以下步驟:例如改變有關於檢查區域之不同區域的缺陷偵測指令(例如,使用D2D比較代替C2C比較),以及/或改變此等指令所應用之區域的界定。此等區域之邊界的重新界定可基於在階段6110及/或階段6120中預先計算的執行時間位移。
可包括在比較方案中的其他參數為例如不找尋一些區域中之缺陷的指令(例如,「不與參考影像比較」),以及指示什麼視為缺陷的敏感性位準指示(例如,臨限值位準)。
方法600可進一步包括基於改變的比較方案比較檢查區域之至少一部分的掃描影像與參考資料的階段6130。參照在上述圖式中圖示的實例,可由諸如處理器390的處理器且特別是由諸如缺陷偵測模組370的缺陷偵測模組執行階段6130。在此實施中,在階段6140中對缺陷的偵測可基於階段6130之比較的結果。
如前文所述,可針對N個不同晶圓區域重複在第18圖及第19圖中圖示之階段670至階段6140的一些或所有階段(由「×N次」指示方式來圖示此情況)。彼等N個不同的晶圓區域可在單個晶圓中或在一個以上的晶圓中。在一些 實施中,彼等N個不同晶圓區域之每一者中之缺陷偵測的過程可直接基於在階段601中獲得的校準資訊(基於參考晶圓的資料)。然而,在其他實施中,在此等N個不同晶圓區域之一些晶圓區域中之缺陷偵測的過程可基於先前針對先前處理之晶圓區域執行的校準過程。例如,在晶圓之切片中之特定晶粒中的缺陷偵測可基於用於彼晶圓中之相同切片之先前處理的晶粒的位移及/或校準計算。
第20圖圖示根據本發明之實施例之方法600的額外階段。第20圖中圖示的階段為可選的,且可實施該等階段以借助於針對該系列之另一區域計算的執行時間位移值來偵測一系列檢查晶圓區域之每個晶圓區域中(在一或更多個晶圓中)的缺陷。若實施,則在完全地執行階段601之後執行第20圖圖示之階段的每一者。
可選階段6200包括以下步驟:掃描一系列多個檢查晶圓區域,該等晶圓區域之每一者覆蓋相同晶圓的不同晶粒(整個晶粒,或該整個晶粒的一部分)。一系列其他晶圓區域可包括例如切片中的所有晶粒區域,其中每個晶粒區域覆蓋來自單個晶粒的區域(但是未必全部如此)。
參照第15A圖及第15B圖的實例,一系列灰色掃描區域120(如灰色區域所圖示)包括晶圓10之單個行中之晶粒110之每一者中的單個切片150的部分。參照關於上述諸圖論述之方法600的階段,應注意,階段6200可包括針對不同檢查區域執行之階段670的多次執行。特別是,一系列其他晶圓區域可包括上述的檢查區域。
若實施,則階段6200之後可跟隨有階段6210,在該階段6210中,針對除了該系列之第一檢查區域之外的檢查區域之每一者執行以下階段6211、階段6212及階段6213。
階段6211包括以下步驟:界定對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標之子群組的搜尋窗,其中搜尋窗之每一者的界定基於針對該系列之前一檢查晶圓區域決定的框執行時間位移。例如,可基於針對檢查區域決定的框執行時間位移界定用於第三晶圓區域之子群組的搜尋窗,且基於針對第五晶圓區域決定的框執行時間位移界定用於第六晶圓區域之子群組的搜尋窗(但是在其他實施中亦(或者或另外)基於針對該系列之另一或更多個先前的晶圓區域(諸如,第二晶圓區域及/或第三晶圓區域)決定的框執行時間位移)。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器360)執行階段6211。應注意,可針對除了子群組之彼等資料庫目標之外的資料庫目標之其他目標界定階段6211中的搜尋窗。
若個別晶圓區域包括一個以上的框,則可基於在用於框的前一檢查晶圓區域中決定的框執行時間位移界定搜尋窗,相應目標包括在該框中。
因為針對該系列之每個檢查區域(除了第一檢查區域之外),基於針對該系列之前一檢查晶圓區域決定的框執行時間位移界定搜尋窗,所以針對一個檢查區域決定的位移值用於微調目標的估計位置,從而可能降低目標位置的位 移誤差。因為位移誤差可小於無修正的可能誤差,所以可降低搜尋窗的尺寸。
例如,若在上述實例中,針對用於32×32像素尺寸目標的第一檢查區域界定100×100之搜尋窗(在階段680中),則也許可能針對該系列之連續檢查晶圓區域界定甚至更小的窗。根據本發明之實施例,針對子群組目標界定的搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對第一檢查區域中之對應目標界定之搜尋窗的尺寸。應注意,在階段6211中使用之目標的子群組可在該系列之不同晶圓區域之間有所不同。
階段6212包括以下步驟:基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移。儘管並非一定如此,但是可與階段6100之計算類似地實施在階段6212中對目標位移的計算。例如,此舉可包括以下步驟(或在以下步驟之後):使子群組之目標之每一者的目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的至少一部分相關。參照在上述圖式中圖示的實例,可由相關器(諸如,相關器360)執行階段6212。
階段6213包括以下步驟:偵測該系列之彼等檢查晶圓區域中的缺陷,其中偵測步驟回應於目標執行時間位移之至少一者。參照在上述圖式中圖示的實例,可由諸如處理器390的處理器且特別是由諸如缺陷偵測模組370的缺陷偵測模組執行階段6213。階段6213中的缺陷偵測可在各個階段之後,且特別是可在基於階段6212中計算個別目標之每一者的目標執行時間位移的階段之後。儘管並非一定如此,但 是此等階段可類似於階段6110、階段6120及階段6130,並加以必要的變更。
例如,方法600可包括以下步驟:針對該系列之一些或所有檢查晶圓區域執行以下可選階段,且可實施該方法600以借助於階段6212中計算之執行時間位移值的一或更多者偵測個別其他晶圓區域中的缺陷:
˙基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定在個別檢查晶圓區域中掃描之多個執行時間框之每一者的框執行時間位移的階段。
˙基於針對多個資料庫目標計算之執行時間位移改變用於缺陷偵測之比較方案的階段。此改變步驟可包括以下步驟:更新比較方案。比較方案的改變可包括以下步驟:例如改變有關於個別檢查晶圓區域之不同區域的缺陷偵測指令(例如,使用D2D比較代替C2C比較),以及/或改變此等指令所應用之區域的界定。
˙基於改變的比較方案比較個別檢查晶圓區域之至少一部分的掃描影像與參考資料的階段。
參照比較方案(例如,檢查佈局),應注意,即使不要求屬於第一晶粒之特定檢查晶圓區域與另一晶粒之相應區域(例如,在該系列之先前其他晶圓區域中)比較用於晶粒對晶粒缺陷偵測,但是仍然可視情況將該特定檢查晶圓區域與此相應區域比較以更新位置資訊。
如上所提及,在一些實施中,可在實質上彼此平行的狹長切片中執行對晶圓之一些或所有區域的掃描,通常 以交替掃描方向順序掃描該等區域。切片可包括多個晶粒的部分且可能來自晶圓中之晶粒的行中所有晶粒的部分,例如如第15A圖中所圖示。可藉由經由沿切片的伸長軸(例如,Y軸方向)移動晶圓所在的整個臺來使整個晶圓移位來實施切片的掃描。一旦完成在一個方向上之第一切片的掃描,則可在相反的方向上(例如,藉由在相反方向上移動臺)掃描鄰近的切片。
第21圖圖示根據本發明之實施例之方法600的額外階段。第21圖圖示的階段為可選的,且若以並非掃描晶圓之掃描區域的個別框所使用的方向的方向掃描該檢查區域之框的至少一些框,則可實施該等階段以偵測檢查區域中的缺陷。
階段601可包括獲得以第一掃描方向掃描的框位移以及以並非第一掃描方向的第二掃描方向掃描的框位移的階段602。可在第一位移映射中獲得以第一掃描方向掃描的框位移,且可在第二位移映射中獲得以第二掃描方向掃描的框位移。產生的位移映射之每一者可類似於校準資訊,但是該等位移映射之每一者僅有關於以類似掃描方向掃描之晶圓區域。
掃描方向可彼此相反(或實質上彼此相反),但是並非一定如此。儘管以下闡述提及以相反的方向掃描切片的情形,但是該闡述可應用於(加以所需修改)以相反方向掃描晶圓之不同部分的任何情形。
如前文所述,第16圖圖示根據本發明之實施例按交替掃描方向之切片150中之晶圓100的掃描。以第一方向(自圖式的頂部至底部)掃描圖示為150(1)的切片,而以相反的方向(自圖式的底部至頂部)掃描圖示為150(2)的切片。
階段601亦可包括獲得分析框中之目標的目標資訊的階段603,其中目標資訊基於以第一掃描方向對分析框掃描的結果。
包括對檢查區域的掃描的階段670可包括掃描檢查區域的階段671,該檢查區域包括對應於分析框且以與第一檢查方向相反的第二檢查方向掃描的框。視情況而言,在執行時間框之每一者中(且特別是在對應於分析框之框中)及在相應掃描框中的一些或所有掃描晶圓特徵結構實質上重疊。
在此實施中對搜尋窗的界定可在以下階段6300之後:藉由對鄰近於分析框且以第二掃描方向掃描之掃描框的框位移取平均來計算平均位移。儘管可在掃描檢查區域(如圖所示)之後執行計算,但是在其他實施中可預先執行該計算步驟(例如作為階段660中之產生步驟的部分)。
對搜尋窗的界定可實施為界定對應於子群組之目標的搜尋窗的階段681,其中對搜尋窗之每一者的界定基於平均位移。
階段681之後可跟隨有上述階段690、階段6100、階段6110、階段6120、階段6130及階段6140的任何 組合。例如,階段681之後可跟隨有以下步驟:基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;以及偵測檢查區域中的缺陷,其中該偵測步驟回應於目標執行時間位移之至少一者。
第22圖圖示根據本發明之實施例用於基於位置的晶圓分析的系統300。系統300可與用於檢查晶圓(例如,在製造晶圓的不同階段期間)的檢查機器結合或連接至此機器,但是並非一定如此。此外,系統300可為檢查機器,下文所論述之修改及/或特徵結構的一些或所有修改及/或特徵結構已整合至該檢查機器中。
應注意,將對熟習此項技術的任何個人顯而易見,在使用術語「晶圓」的任何情況下,可對用於晶圓製造的光罩實施類似的技術、系統、方法及電腦程式產品。
鑒於操作的過程可更透徹地理解系統300的操作及系統300中各個組件的操作。儘管並非一定如此,但是系統300之操作的過程可對應於方法600的一些階段或所有階段。同樣地,也許有可能藉由諸如系統300的系統實施方法600及該方法600可能的實施。因此應注意,亦可在作為系統300之各種實施例的硬體對應物中實施關於方法600論述的本發明之實施例,並加以必要的變更,反之亦然。
系統300包括組件,該等組件可被認為類似於系統200的一些組件並與實施或產生校準資訊及目標資料庫的方式無關。為了論述清晰,在系統的揭示內容中使用類似的編號,其中每個組件之元件符號的第一個數字從2變成3。亦 即,組件360類似於組件250(但是未必相同或有關)等。因此,為了揭示內容的清晰與簡潔,不必全部明確地重複與系統200及系統200的不同組件有關之不同變化、實施及考慮的一些變化、實施及考慮。亦即,即使未明確闡述,可在關於系統200之數字相應組件論述的變化的情況下實施系統300及系統300之各個組件的每一者。
系統300包括校準資料輸入介面301(亦稱為系統300之情境中的「第一輸入介面」),該校準資料輸入介面301經配置以獲得:(a)至少包括多個框之位移的校準資訊,該校準資訊可由包括在參考晶圓之晶圓區域中之複數個框的一些或所有框組成,及(b)目標資料庫,該目標資料庫包括出自多個框之每一者中之多個目標的每一目標的目標影像及位置資訊。
系統300進一步包括掃描影像資料輸入介面302(亦稱為系統300之情境中的「第二輸入介面」),該掃描影像資料輸入介面302經配置以獲得檢查晶圓之檢查區域之掃描的掃描影像資料。儘管並非一定如此,但是輸入介面302可類似於輸入介面280及/或與類似於輸入介面280的輸入介面380結合。
系統300的相關器360經配置以執行以下步驟:(a)基於框的位移,針對出自資料庫之多個目標的每一目標界定搜尋窗,目標包括在該框中;(b)基於目標之目標影像與掃描影像之區域之至少一部分的相關計算出自多個目標之每一目標的執行時間位移,由相應搜尋窗界定該掃描影像之區域 之至少一部分;及(c)基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定掃描的多個執行時間框之每一者的框執行時間位移。
系統300進一步包括處理器390,該處理器390經配置以借助於框執行時間位移之至少一者產生針對檢查晶圓的檢查結果。處理器390可使用檢查結果及/或將該等檢查結果提供至另一組件及/或外部系統(例如,另一處理器、資料儲存設備、顯示器等)。
系統300可包括缺陷偵測模組370,該缺陷偵測模組370經配置以偵測檢查區域中的缺陷,其中借助於目標執行時間位移之至少一者提供該偵測步驟。根據本發明之此實施例,處理器390可經配置以產生回應於偵測缺陷的檢查結果。
可由一或更多個硬體處理器實施相關器360及缺陷偵測模組370之每一者,該一或更多個硬體處理器獨立於其他模組的彼等硬體處理器,或者與其他模組共享硬體處理器。彼等模組亦可包括軟體處理模組及/或韌體處理模組。舉例而言,彼等模組的一些或所有模組可實施在硬體處理器390上。
校準資料輸入介面301可經配置以獲得電腦輔助設計(CAD)座標中的位置資訊。
缺陷偵測模組370可經配置以報告偵測缺陷並報告CAD座標中之缺陷之至少一者的位置資訊。
相關器360可經配置以執行以下步驟:(a)基於針對個別執行時間框中之多個目標決定的目標執行時間位移,決定掃描的多個執行時間框之每一者的框執行時間位移;以及可能亦(b)基於多個執行時間框之框執行時間位移改變比較方案;及(c)基於改變的比較方案,比較在掃描中獲得的影像與參考資料;其中缺陷偵測模組經配置以基於比較的結果偵測缺陷。
掃描影像資料輸入介面302可經配置以接收一系列檢查晶圓區域的掃描影像資料,該等檢查晶圓區域之每一者覆蓋不同的晶粒,且相關器360可經配置以針對除了第一晶圓區域之其他晶圓區域的每一者執行以下動作:(a)界定對應於包括資料庫目標之至少一些資料庫目標之子群組的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定步驟係基於針對該系列之前一檢查晶圓區域決定的框執行時間位移,其中搜尋窗之至少一者的尺寸小於針對檢查區域中之相應目標界定的搜尋窗的尺寸;(b)基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算子群組之目標之每一者的目標執行時間位移;及(c)偵測檢查晶圓區域中的缺陷,其中該偵測步驟回應於目標執行時間位移之至少一者。
校準資料輸入介面301可經配置以獲得:(a)以第一掃描方向掃描的框的位移;(b)以並非第一掃描方向的第二掃描方向掃描的框的位移;及(c)分析框中之目標的目標資訊,其中目標資訊基於以第一掃描方向對分析框掃描的結果。掃描影像資料輸入介面302可經配置以獲得包括在檢查 區域內之框的掃描影像資料,該框對應於分析框並以第二掃描方向掃描該框。
在此實施中,相關器360可進一步經配置以執行以下步驟:(a)藉由對框之獲得的框位移取平均來計算平均位移,該等框鄰近於分析框且所包括目標的該等框的目標資訊係基於以第二掃描方向掃描的結果;(b)界定對應於分析框之目標的搜尋窗,其中對搜尋窗之每一者的界定基於平均位移;及(c)基於個別目標影像與相應搜尋窗之掃描影像的相關,計算分析框之目標之每一者的目標執行時間位移,且缺陷偵測模組370可經配置以回應於目標執行時間位移之至少一者偵測缺陷。
應注意,掃描影像資料輸入介面302可從為系統300之部分的感測器330接收掃描影像資料。若實施,則感測器330可經配置以掃描包括檢查區域之檢查晶圓的一或更多個區域。
系統300可包括處理器(可為處理器390或另一處理器),該處理器經配置以基於針對另一執行時間框決定的框執行時間位移,(例如,藉由感測器330,或藉由外部感測器)改良執行時間框之至少一者之掃描的位置精確性。例如,此處理器可經配置以基於前一框的執行時間位移產生用於改變電子束之方向(或其他參數)的指令,該電子束用於掃描特定執行時間框。
不考慮實施系統300的方式,該系統300通常將包括尤其能夠處理資料的一或更多個組件。例如,相關器360 及缺陷偵測模組370兩者能夠處理資料。有能力處理資料的所有此等單元可實施在硬體、軟體或韌體或以上之任何組合中。儘管在一些實施中可由通用處理器執行的專用軟體實施此等處理能力,但是本發明的其他實施可要求使用專用硬體或韌體,特別是在資料之處理量及處理速度極為重要時。
回到系統300,亦應理解,根據本發明的系統可為適當程式化的電腦。同樣地,本發明設想電腦程式為由電腦可讀取的用於執行本發明的方法。本發明進一步設想機器可讀取記憶體有形地包含由用於執行本發明之方法的機器可執行的指令程式。
回到方法600,應注意,因為方法600為電腦化方法,所以可實施指令程式,在該指令程式由一或更多個處理器執行時導致方法600之上述變化之一者的執行。
對於熟習此項技術者而言以下將係顯而易見的:即使在沒有明確闡述包含此等指令的情況下,此等指令可包括在用於執行方法500之一些或所有階段(上文建議的所有可能組合)的指令程式。
儘管本文圖示及描述之本發明的某些特徵結構,但是一般技術者現將思及許多修改、置換、改變及等效物。因此應理解,隨附申請專利範圍意欲涵蓋落在本發明之真實精神內的此等修改及改變。
將理解,藉由舉例方式列舉如上所描述的實施例,且可改變並變更該等實施例之各個特徵結構及此等特徵結構的組合。
儘管已經圖示並描述各種實施例,但是將理解,如在隨附申請專利範圍中所界定,不存在藉由此揭露內容限制本發明的意圖,而是意欲涵蓋落在本發明之範疇內的所有修改及交替構造。
100‧‧‧晶圓
200‧‧‧系統
210‧‧‧位移分析模組
220‧‧‧後續處理模組
230‧‧‧感測器
232‧‧‧可移動臺
234‧‧‧配方資料庫
236‧‧‧對準模組
238‧‧‧配方介面
240‧‧‧資料儲存器
250‧‧‧影像處理模組
280‧‧‧輸入介面
290‧‧‧硬體處理器
295‧‧‧輸出介面

Claims (18)

  1. 一種能夠產生可用於晶圓檢查之校準資訊的系統,該系統包含:一檢查機器,該檢查機器可用於檢查一晶圓以偵測潛在缺陷及/或用於復查它們,及該檢查機器能夠獲得一檢查晶圓區域之一掃描影像;一記憶體,該記憶體經配置以儲存由該檢查機器所獲得且有關該掃描影像的資料,該掃描影像包含多個掃描框;一處理器,該處理器通信耦接到該記憶體,其中該處理器經配置以:在該等多個掃描框之每一者中選擇多個目標,該等多個目標之每個目標係包含一圖案的一影像,該圖案可識別於該掃描影像中的一給定目標之一環境內,及其中該等多個目標之每個目標之特徵在於有關在該掃描影像中的一給定目標之位置的資料;針對該等多個掃描框之每一者,來計算在該個別的掃描框中所選擇的該等多個目標之每個目標的一目標位移,該計算步驟基於以下項目之一相關性:(i)在該掃描影像中的一給定目標之位置,以及(ii)由對應於該掃描影像的設計資料所界定的該給定目標之位置,其中針對該等多個目標之每個目標,所計算的該目標位移係有關在該掃描影像中的一給定目標之位置相對於由該設計資料所界定的該給定目標之位置的位移; 針對該等多個掃描框之每一者,來決定一框位移,對一給定掃描框的該決定步驟基於針對在該給定掃描框中所選擇的多個目標所計算的該等目標位移;及產生:(a)校準資訊,該校準資訊對應於針對該等多個掃描框所決定的該等框位移,及(b)一目標資料庫,針對該等多個目標之每個目標,該目標資料庫包括一給定目標之一影像及有關在該掃描影像中的該給定目標之位置的資料,其中所產生的該校準資訊和所產生的該目標資料庫可用於晶圓檢查;一輸入介面,該輸入介面經配置以接收除了該檢查晶圓區域之外的一第二晶圓區域的掃描影像資料;一基於處理器的相關器,該基於處理器的相關器經配置以:(a)針對該第二晶圓區域界定搜尋窗,每個搜尋窗對應於資料庫目標之一者,其中對該每個搜尋窗的該界定步驟基於在其中選擇一對應的目標的一個別的掃描框之所決定的框位移、或針對檢查區域所決定的框位移;及(b)基於一給定目標之一影像與一對應的搜尋窗之一掃描影像之至少一部分的一相關性,來針對該第二晶圓區域計算多個資料庫目標之每個目標的一執行時間目標位移;及一基於處理器的缺陷偵測模組,該基於處理器的缺陷偵測模組經配置以基於該等執行時間目標位移之至少一者來在該第二晶圓區域中偵測缺陷。
  2. 如請求項1所述之系統,其中該處理器進一步經配置以在該設計資料的座標中提供有關在該掃描影像中的該等資料庫目標之位置的資料。
  3. 如請求項1所述之系統,其中該處理器進一步經配置以:(a)基於該掃描影像資料的影像處理來針對該等多個目標之每一者提供一目標影像;及(b)基於該掃描影像資料之影像處理來界定該等多個掃描框。
  4. 如請求項1所述之系統,該系統進一步包含一輸出介面,該輸出介面經配置以報告該等缺陷之至少一些缺陷,其中該報告步驟包含:在該設計資料之座標中報告該等缺陷之至少一者的位置資訊。
  5. 如請求項1所述之系統,其中該相關器經配置以基於在一個別的執行時間框中針對多個目標所決定的該等執行時間目標位移,來針對在該第二晶圓區域中所掃描的多個執行時間框之每一者決定一執行時間框位移;其中該缺陷偵測模組進一步經配置以基於該等多個執行時間框之該執行時間框位移來改變一比較方案;其中該缺陷偵測模組進一步經配置以基於所改變的該比較方案來比較該第二晶圓區域之至少一部分的一掃描影像與參考資料,並基於該比較的結果來偵測在該第二晶圓區域中的缺陷。
  6. 如請求項1所述之系統,其中該輸入介面經配置以接收對該晶圓之該檢查區域進行一掃描的掃描結果,在以交替掃描方向所掃描的切片中掃描該晶圓;其中該處理器進一步經配置以產生作為該校準資訊之部分的一第一位移映射以及一第二位移映射,該第一位移映射包括以一第一掃描方向所掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以一第二掃描方向所掃描之掃描框的框位移。
  7. 一種用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的電腦化方法,該方法包含以下步驟:就在獲得並在一記憶體中儲存有關一檢查晶圓區域之一掃描影像的資料後,該資料係藉由一檢查機器掃描一晶圓的一區域所獲得,該檢查機器可用於檢查晶圓及偵測潛在缺陷及/或用於復查它們,及該掃描影像包含多個掃描框,在該等多個掃描框之每一者中選擇多個目標,該等多個目標之每個目標係包含一圖案的一影像,該圖案可識別於該掃描影像中的一給定目標之一環境內,及其中該等多個目標之每個目標之特徵在於有關在該掃描影像中的一給定目標之位置的資料,該選擇步驟係由通信耦接到該記憶體的一處理器所提供;針對該等多個掃描框之每一者,來由該處理器計算在該個別的掃描框中所選擇的該等多個目標之每個目標的一目標位移,其中針對該等多個目標之每個目標,所計算的該目標位移係有關在該掃描影像中的一給定目標之位置相對於由對 應於該掃描影像的設計資料所界定的該給定目標之位置的位移;針對該等多個掃描框之每一者,來由該處理器決定一框位移,對一給定掃描框的該決定步驟基於針對在該給定掃描框中所選擇的多個目標由該處理器所計算的目標位移;由該處理器產生:(a)校準資訊,該校準資訊對應於針對該等多個掃描框所決定的該等框位移,及(b)一目標資料庫,針對該等多個目標之每個目標,該目標資料庫包括一給定目標之一影像及有關在該掃描影像中的該給定目標之位置的資料,其中所產生的該校準資訊和所產生的該目標資料庫可用於晶圓檢查;掃描除了檢查區域之外的一第二晶圓區域;針對該資料庫之多個目標之每個目標,進行以下步驟:基於在其中選擇一目標的一掃描框之框位移、或針對該檢查區域所決定的框位移,來針對該第二晶圓區域界定一對應的搜尋窗;及基於該目標之一影像與由一對應的搜尋窗所界定的一掃描影像之一區域之至少一部分的一相關性,來針對該第二晶圓區域計算該目標的一執行時間目標位移;基於在一個別的執行時間框中針對多個目標所決定的該等執行時間目標位移,來針對在該第二晶圓區域中所掃描的多個執行時間框之每一者決定一執行時間框位移;及基於該等執行時間框位移之至少一者,來針對該第二晶圓區域提供檢查結果。
  8. 如請求項7所述之方法,該方法包含以下步驟:能夠使用該校準資訊及該目標資料庫來決定另一晶圓之一檢查中之位置資訊。
  9. 如請求項7所述之方法,其中將有關該等資料庫目標之位置資訊的資料保存在電腦輔助設計(CAD)座標中。
  10. 如請求項7所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:掃描該晶圓的該檢查區域以提供掃描影像資料;基於該掃描影像資料的影像處理,來針對該等多個目標之每一者選擇一目標影像;基於該選擇的結果,來保存該等多個目標的該等目標影像;以及基於該掃描影像資料之影像處理,來界定該等多個掃描框。
  11. 如請求項7所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:基於該等執行時間目標位移之至少一者,來在該第二晶圓區域中偵測缺陷,其中該等檢查結果包含該偵測缺陷的步驟的結果。
  12. 如請求項7所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:在偵測之後,報告缺陷,其中該報告步驟包含以下步驟:在設計資料之座標中報告該等缺陷之至少一者的位置資訊。
  13. 如請求項7所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:在計算之前,掃描切片中之該晶圓的該檢查區域,該等切片以交替掃描方向掃描;其中產生該校準資訊的該步驟包含以下步驟:產生一第一位移映射以及一第二位移映射,該第一位移映射包括以一第一掃描方向所掃描之掃描框的框位移,該第二位移映射包括以一第二掃描方向所掃描之掃描框的框位移。
  14. 一種包含由一處理器可讀取的一非暫態儲存媒體的程式儲存裝置,該非暫態儲存媒體有形地包含由該處理器可執行之一電腦可讀取的指令程式,當由該處理器執行該指令程式時,將使得該處理器執行用於產生可用於晶圓檢查之校準資訊的方法,該方法包含以下步驟:就在獲得並在通信耦接到該處理器的一記憶體中儲存有關一檢查晶圓區域之一掃描影像的資料後,該資料係藉由一檢查機器掃描一晶圓的一區域所獲得,該檢查機器可用於檢查一晶圓及偵測潛在缺陷及/或用於復查它們,該掃描影像包含多個掃描框,在該等多個掃描框之每一者中選擇多個目標,該等多個目標之每個目標係包含一圖案的一影像,該圖案可識別於該掃描影像中的一給定目標之一環境內,及其中該等多個目標之每個目標之特徵在於有關在該掃描影像中的一給定目標之位置的資料; 針對該等多個掃描框之每一者,來由該處理器計算在該個別的掃描框中所選擇的該等多個目標之每個目標的一目標位移,其中針對該等多個目標之每個目標,所計算的該目標位移係有關在該掃描影像中的一給定目標之位置相對於由對應於該掃描影像的設計資料所界定的該給定目標之位置的位移;針對該等多個掃描框之每一者決定一框位移,對一給定掃描框的該決定步驟基於針對在該給定掃描框中所選擇的多個目標所計算的目標位移;產生:(i)校準資訊,該校準資訊對應於針對該等多個掃描框所決定的該等框位移,及(ii)一目標資料庫,針對該等多個目標之每個目標,該目標資料庫包括一給定目標之一影像及有關在該掃描影像中的該給定目標之位置的資料,其中所產生的該校準資訊和所產生的該目標資料庫可用於晶圓檢查;掃描除了檢查區域之外的一第二晶圓區域;針對該資料庫之多個目標之每個目標,進行以下步驟:基於在其中選擇一目標的一掃描框之框位移、或針對該檢查區域所決定的框位移,來針對該第二晶圓區域界定一對應的搜尋窗;及基於該目標之一影像與由一對應的搜尋窗所界定的一掃描影像之一區域之至少一部分的一相關性,來針對該第二晶圓區域計算該目標的一執行時間目標位移; 基於在一個別的執行時間框中針對多個目標所決定的該等執行時間目標位移,來針對在該第二晶圓區域中所掃描的多個執行時間框之每一者決定一執行時間框位移;及基於該等執行時間框位移之至少一者,來針對該第二晶圓區域提供檢查結果。
  15. 如請求項14所述之程式儲存裝置,其中該指令程式進一步包括:用於使該處理器能夠使用該校準資訊及該目標資料庫來決定另一晶圓之一檢查中的位置資訊的電腦可讀取程式碼。
  16. 如請求項14所述之程式儲存裝置,其中包括在該指令程式中用於使該處理器執行該產生步驟的電腦可讀取程式碼包含:用於將該等資料庫目標之位置資訊保存在電腦輔助設計(CAD)座標中的指令。
  17. 如請求項14所述之程式儲存裝置,其中該指令程式進一步包括使該處理器執行以下步驟的電腦可讀取程式碼:(a)掃描該晶圓的該檢查區域以提供掃描影像資料;(b)基於該掃描影像資料的影像處理,來針對該等多個目標之每一者選擇一目標影像;(c)基於該選擇的結果,來保存該等目標影像;及(d)基於該掃描影像資料之影像處理,來界定該等多個掃描框。
  18. 如請求項14所述之程式儲存裝置,其中該指令程式進一步包括使該處理器執行以下步驟的電腦可讀取程式碼:在偵測之後,報告缺陷,其中該報告的步驟包含在設計資料之座標中報告該等缺陷之至少一者的位置資訊。
TW102104621A 2012-02-07 2013-02-06 用於根據cad之註冊的系統、方法及電腦程式產品 TWI605529B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/368,305 US9599575B2 (en) 2012-02-07 2012-02-07 System, a method and a computer program product for CAD-based registration

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201351524A TW201351524A (zh) 2013-12-16
TWI605529B true TWI605529B (zh) 2017-11-11

Family

ID=48903660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102104621A TWI605529B (zh) 2012-02-07 2013-02-06 用於根據cad之註冊的系統、方法及電腦程式產品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9599575B2 (zh)
JP (1) JP6254763B2 (zh)
KR (1) KR101860393B1 (zh)
TW (1) TWI605529B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9053390B2 (en) * 2012-08-14 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Automated inspection scenario generation
CN106796246B (zh) 2014-02-24 2021-11-26 布鲁克纳米公司 自动扫描探针显微镜***中的精密探针部署
WO2015153872A1 (en) * 2014-04-02 2015-10-08 Kla-Tencor Corporation A method, system and computer program product for generating high density registration maps for masks
US9715724B2 (en) * 2014-07-29 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd. Registration of CAD data with SEM images
US10012689B2 (en) 2015-03-25 2018-07-03 Applied Materials Israel Ltd. Method of inspecting a specimen and system thereof
US10545490B2 (en) 2015-06-01 2020-01-28 Applied Materials Israel Ltd. Method of inspecting a specimen and system thereof
TWI567578B (zh) * 2015-12-04 2017-01-21 英業達股份有限公司 限制區轉換方法與限制區轉換裝置
US10325361B2 (en) * 2016-06-01 2019-06-18 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for automatically generating a wafer image to design coordinate mapping
CN110168355A (zh) * 2016-12-19 2019-08-23 Asml荷兰有限公司 未接地样本的带电粒子束检查
US10120973B2 (en) 2017-03-15 2018-11-06 Applied Materials Israel Ltd. Method of performing metrology operations and system thereof
US10296702B2 (en) 2017-03-15 2019-05-21 Applied Materials Israel Ltd. Method of performing metrology operations and system thereof
US10290087B2 (en) 2017-09-11 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Method of generating an examination recipe and system thereof
US10853932B2 (en) 2019-01-16 2020-12-01 Applied Material Israel, Ltd. Method of defect detection on a specimen and system thereof
US11644426B2 (en) * 2020-08-11 2023-05-09 Applied Materials Israel Ltd. Methods and systems for generating calibration data for wafer analysis

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5640200A (en) 1994-08-31 1997-06-17 Cognex Corporation Golden template comparison using efficient image registration
US7034272B1 (en) 1999-10-05 2006-04-25 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for evaluating integrated circuit packages having three dimensional features
JP4275345B2 (ja) * 2002-01-30 2009-06-10 株式会社日立製作所 パターン検査方法及びパターン検査装置
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US7630560B2 (en) 2002-04-10 2009-12-08 National Instruments Corporation Increasing accuracy of discrete curve transform estimates for curve matching in four or more dimensions
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7539338B2 (en) 2004-06-01 2009-05-26 Panasonic Corporation Bump inspection apparatus and method for IC component, bump forming method for IC component, and mounting method for IC component
JP4769025B2 (ja) * 2005-06-15 2011-09-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡用撮像レシピ作成装置及びその方法並びに半導体パターンの形状評価装置
US7586599B2 (en) * 2005-08-08 2009-09-08 Applied Materials, Isreal, Ltd. Method and system for detecting defects
JP4143084B2 (ja) * 2005-09-06 2008-09-03 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、画像位置合わせ方法及びプログラム
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7847929B2 (en) 2006-08-23 2010-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Methods and apparatus for inspecting a plurality of dies
JP4988274B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンのずれ測定方法、及びパターン測定装置
US7869643B2 (en) 2007-01-31 2011-01-11 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Advanced cell-to-cell inspection
TWI374401B (en) 2007-07-09 2012-10-11 Pixart Imaging Inc Detection method for displacements with sub-pixel accuracy and apparatus using the same
WO2010013665A1 (ja) 2008-08-01 2010-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー装置および方法、並びにプログラム
KR100997882B1 (ko) * 2008-09-08 2010-12-02 김주환 웨이퍼 패턴 검사방법
JP5568277B2 (ja) 2009-10-22 2014-08-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンマッチング方法、及びパターンマッチング装置
JP2012021959A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Toshiba Corp パターン検査装置、パターン検査方法、およびパターンを有する構造体
US8699784B2 (en) 2010-08-10 2014-04-15 Camtek Ltd. Inspection recipe generation and inspection based on an inspection recipe
US8331670B2 (en) 2011-03-22 2012-12-11 Konica Minolta Laboratory U.S.A., Inc. Method of detection document alteration by comparing characters using shape features of characters

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013162134A (ja) 2013-08-19
JP6254763B2 (ja) 2017-12-27
KR101860393B1 (ko) 2018-05-23
US20130204569A1 (en) 2013-08-08
US9599575B2 (en) 2017-03-21
TW201351524A (zh) 2013-12-16
KR20130091286A (ko) 2013-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI519801B (zh) 使用參考晶圓區域以檢查晶圓區域的系統、方法及程式儲存裝置
TWI605529B (zh) 用於根據cad之註冊的系統、方法及電腦程式產品
JP5543872B2 (ja) パターン検査方法およびパターン検査装置
TWI672671B (zh) 用以設計之檢查之子像素對準
JP4652391B2 (ja) パターン検査装置、及び、パターン検査方法
JP6576664B2 (ja) エッジ検出偏り補正値計算方法、エッジ検出偏り補正方法、及びプログラム
CN103531500A (zh) 晶圆缺陷检测设备的校准方法
JP5424144B2 (ja) ビジョン検査システム及びこれを用いた座標変換方法
JP2016528497A (ja) フォトマスク欠陥性における変化の監視
KR101545186B1 (ko) 사전 정의된 목표 영상을 이용한 웨이퍼 패턴 결함 위치 보정 방법
US10516822B2 (en) Method and device for merging images of calibration devices
KR101653861B1 (ko) 묘화 데이터 생성 방법, 묘화 방법, 묘화 데이터 생성 장치, 및 묘화 장치
CN114078114A (zh) 用于生成用于晶片分析的校准数据的方法和***
KR102023087B1 (ko) 카메라 캘리브레이션 방법
KR101647688B1 (ko) 마스크 내 다이 크기 및 개수 자동 획득 방법
JP4772815B2 (ja) 補正パターン画像生成装置、パターン検査装置および補正パターン画像生成方法
JP2010283088A (ja) ウェーハ外観検査装置
JP4456613B2 (ja) 補正パターン画像生成装置及び補正パターン画像生成方法
JP6210841B2 (ja) X線三次元測定装置及びx線三次元測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees