TWI601226B - 基板處理裝置之排程作成方法及記錄排程作成程式之記錄媒體 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 800
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 512
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 112
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 189
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 174
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 172
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 84
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 54
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 34
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 73
- 101000702132 Homo sapiens Protein spinster homolog 1 Proteins 0.000 description 69
- 101000629319 Homo sapiens Spindlin-1 Proteins 0.000 description 69
- 102100027005 Spindlin-1 Human genes 0.000 description 69
- 230000006870 function Effects 0.000 description 69
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 54
- 230000008859 change Effects 0.000 description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 101000828807 Homo sapiens Spindlin-2A Proteins 0.000 description 19
- 102100023505 Spindlin-2A Human genes 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 101000629410 Homo sapiens Spindlin-3 Proteins 0.000 description 3
- 101000629413 Homo sapiens Spindlin-4 Proteins 0.000 description 3
- 102100026814 Spindlin-3 Human genes 0.000 description 3
- 102100026815 Spindlin-4 Human genes 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000009984 hand spinning Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G06Q10/00—Administration; Management
- G06Q10/06—Resources, workflows, human or project management; Enterprise or organisation planning; Enterprise or organisation modelling
- G06Q10/063—Operations research, analysis or management
- G06Q10/0631—Resource planning, allocation, distributing or scheduling for enterprises or organisations
- G06Q10/06316—Sequencing of tasks or work
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32042—Halting, initiating or resuming production of a product on order
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32265—Waiting, queue time, buffer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Entrepreneurship & Innovation (AREA)
- Economics (AREA)
- Strategic Management (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Marketing (AREA)
- Game Theory and Decision Science (AREA)
- Educational Administration (AREA)
- Development Economics (AREA)
- Operations Research (AREA)
- Tourism & Hospitality (AREA)
- General Business, Economics & Management (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本發明係關於用於作成依照時間順序規定基板處理裝置之動作的排程的方法及記錄了程式之電腦可讀取的記錄媒體。成為基板處理裝置之處理對象的基板的例子,包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中,係使用逐片對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等之基板進行處理的單片式之基板處理裝置,或對由複數片基板所構成之批(lot)總括地進行處理之批次式基板處理裝置。於美國專利申請公開第2013/073069號中,揭示有作成依照時間順序規定單片式基板處理裝置之動作的排序的方法。
於基板處理裝置依照排程進行動作的期間中,由於基板處理裝置本身或對基板處理裝置內進行排氣之排氣設備等的基板處理裝置相關連的裝置等可能發生異常,故有必須於中途停止排程的情形。然而,上述方法中,並未提及於發生異常時、或其後解除了異常
時,如何進行排程。
本發明之目的之一在於提供一種作成即使於單片式基板處理裝置發生異常時或其後解除了異常時,仍可依安定品質處理基板之排程的排程作成方法及記錄排程作成程式之記錄媒體。
本發明之一實施形態提供一種用於以基板處理裝置所具備之控制部作成排程的排程作成方法,該排程係規定至少具備一個逐片處理基板之單片式處理單元之基板處理裝置的動作。上述排程作成方法包含:第1步驟,係以由共通之上述處理單元,依下述預備處理步驟、下述基板處理步驟的順序進行的方式,由上述控制部作成排程者,基板處理步驟係上述處理單元處理基板的步驟,預備處理步驟係上述處理單元進行上述基板處理步驟之準備的步驟;第2步驟,係在上述預備處理步驟開始至上述基板處理步驟開始前為止的期間,於上述基板處理裝置發生異常時,上述控制部中止由上述第1步驟所指定之上述處理單元的上述基板處理步驟;第3步驟,係以由上述第1步驟所指定之上述處理單元,依下述解除後預備處理步驟、上述基板處理步驟的順序進行的方式,由上述控制部作成排程者,解除後預備處理步驟係在解除了上述異常時、上述處理單元進行上述基板處理步驟之準備的步驟。
根據此方法,以預備處理步驟及基板處理步驟依此順序由共通之處理單元所進行的方式,藉控制部作成排程。而且,於此排程之實行中,更具體而言,若在預備處理步驟開始至基板處理步驟開始前為止的期間,控制部檢測到基板處理裝置發生異常,則使初始排程所指定之處理單元的基板處理步驟的實行中止。亦即,由於異常之
發生時期為基板處理步驟開始之前,故在異常發生時之後所計畫的步驟的實行被中止。
若控制部檢測到基板處理裝置之異常解除,則控制部以在初始排程所指定之處理單元中依序進行解除後預備處理步驟及基板處理步驟之方式,作成排程。解除後預備處理步驟係與預備處理步驟同樣地,為用於準備基板處理步驟的步驟。如上述般,異常之發生時期為預備處理步驟開始之後,因此,於發生異常的時點,預備處理步驟之全部或一部分已被實行。因此,在實行基板處理步驟前,於共通之處理單元中依序實行預備處理步驟之全部或一部分、與解除後預備處理步驟,用於準備基板處理步驟的2個步驟係間隔時間而實行。
如此,在基板處理裝置之異常解除時,控制部係以在實行基板處理步驟前,重新實行用於準備基板處理步驟之步驟(解除後預備處理步驟)的方式,作成排程。若發生基板處理裝置之異常至解除異常為止的期間、亦即進行預備處理步驟之全部或一部分後至基板處理步驟開始前為止的期間較長,則預備處理步驟所造成的效果薄弱,有處理單元之狀態由前準備步驟之剛實行後的狀態產生變化的情形。因此,藉由重新進行用於準備基板處理步驟的步驟,可抑制或防止基板之處理品質降低。藉此,可使基板之處理品質安定。
本發明之一實施形態中,上述第2步驟亦可含有:在上述預備處理步驟之實行中上述基板處理裝置發生異常時,由上述控制部中止於上述第1步驟所指定之上述處理單元中在上述異常發生時之後所計畫的上述預備處理步驟之剩餘步驟、與上述第1步驟所指定之上述處理單元中的上述基板處理步驟的步驟。
根據此方法,在預備處理步驟之實行中基板處理裝置發
生異常時,控制部以不僅是基板處理步驟、在異常發生時之後所計畫的預備處理步驟之剩餘步驟亦被中止的方式,作成排程。預備處理步驟為用於準備基板處理步驟的步驟。儘管如此,若在基板處理步驟開始前發生異常,則初始排程所指定之處理單元中的基板處理步驟被中止。因此,藉由以預備處理步驟被中斷的方式由控制部作成排程,則可防止有浪費之虞的步驟(預備處理步驟之剩餘步驟)被實行的情形。因此,可抑制或防止基板處理裝置之運轉率降低。
本發明之一實施形態中,上述解除後預備處理步驟亦可為僅實行在上述第1步驟所指定之上述處理單元中在異常發生時之後所計畫的上述預備處理步驟之剩餘步驟的步驟。
根據此方法,控制部係以在基板處理裝置之異常解除時,僅有於初始排程中在異常發生時之後所計畫的預備處理步驟之剩餘步驟被初始排程所指定之處理單元實行,其後,藉初始排程所指定之處理單元實行基板處理步驟的方式,作成排程。因此,以因異常發生被中斷的預備處理步驟實質上再開,實行包括預備處理步驟之所有步驟的方式,作成排程。如此,由於僅有預備處理步驟之剩餘步驟作為解除後預備處理步驟而實行,故可迴避同一步驟進行複數次的情形。藉此,可抑制或防止基板處理裝置之運轉率降低。
本發明之一實施形態中,上述解除後預備處理步驟亦可為實行上述預備處理步驟所包含之所有步驟的步驟。
根據此方法,控制部係以在基板處理裝置之異常解除時,預備處理步驟所包含之所有步驟作為解除後預備處理步驟而實行,其後,藉初始排程所指定之處理單元實行基板處理步驟的方式,作成排程。亦即,以實質上預備處理步驟由最初起再開,在實行相當
於預備處理步驟之解除後預備處理步驟後,實行基板處理步驟的方式,作成排程。因此,依用於實行基板處理步驟之準備充分完成的狀態,開始基板處理步驟。藉此,可使基板之處理品質安定。
本發明之一實施形態中,上述第1步驟亦可含有指定複數之上述處理單元的步驟;上述第2步驟亦可含有:在上述預備處理步驟開始至上述基板處理步驟開始前為止的期間,於上述第1步驟所指定之複數之上述處理單元之任一者發生異常時,將上述發生異常之上述處理單元所應實行之上述基板處理步驟、由與上述發生異常之上述處理單元相異的上述處理單元所實行的方式,由上述控制部作成排程的步驟。
根據此方法,若在初始排程所指定之處理單元中開始基板處理步驟前,該處理單元發生異常,則控制部對於發生異常之處理單元以外可實行基板處理步驟的處理單元進行檢索。具體而言,在對基板規定處理條件及處理順序的製程配方中複數之處理單元,指定為可實行基板處理步驟之並行處理單元時,控制部將由並行處理單元中檢索可替代的處理單元。然後,在發現可替代之處理單元時,控制部係以藉此處理單元實行基板處理步驟的方式作成排程。亦即,控制部係選擇將基板搬送至此處理單元之搬送路徑、依照所選擇之路徑再度進行排程排定。藉此,由於可抑制基板處理之停滯,故可減低基板處理裝置之處理量(through put,每單位時間之基板處理片數)的減低。
本發明一實施形態中,上述第3步驟亦可含有:配合在上述基板處理裝置發生異常至解除該異常為止的經過時間,上述控制部變更上述解除後預備處理步驟之內容的步驟。
根據此方法,由於可對應因基板處理裝置之停止時間長
度而預備處理步驟對基板處理所造成之效果變化的情形,故可使基板之處理品質安定化。
本發明之一實施形態中,上述預備處理步驟之內容亦可配合上述基板處理之內容而變更。
根據此方法,由於可實行配合了基板處理內容之內容的預備處理步驟,故可依用於實行基板處理步驟之準備充分完成的狀態,開始基板處理步驟。藉此,可使基板之處理品質安定。
本發明之一實施形態中,上述處理單元亦可含有:處理液噴嘴,吐出應供給至基板的處理液;處理液配管,將處理液引導至上述處理液噴嘴;與溫度調節裝置(具有作為加熱器及冷卻器之至少一者之機能的裝置),調節上述處理液配管內所流通之處理液的溫度。上述預備處理步驟及解除後預備處理步驟,亦可含有:藉由從上述處理液噴嘴吐出處理液,使上述處理液噴嘴及處理液配管之至少一者所殘留之處理液排出的預配放(pre-dispensing)步驟(事先吐出步驟)。
根據此方法,以在基板處理步驟前實行從處理液噴嘴吐出僅一定量之處理液的預配放步驟的方式,作成排程。在將經溫度調整之處理液供給至基板而處理該基板時,藉由實行預配放步驟,可將滯留於處理液噴嘴及處理液配管而成為目標溫度範圍外之溫度的處理液排出,將經溫度調整之處理液引導至處理液噴嘴之吐出口。然後,於預配放步驟後,藉由對基板實行吐出處理液之處理液供給步驟(基板處理步驟之一部分),則可由初始起藉經溫度調整之處理液處理基板。藉此,可實現精密之基板處理。
藉由預配放步驟之實行雖然使由初始溫度經改變的處理液排出,但若自預配放步驟結束後至基板處理步驟開始為止的時間
較長,則處理液噴嘴及處理液配管內之處理液溫度將由初始溫度產生改變。如上述般,若控制部檢測到基板處理裝置之異常解除,則控制部以在基板處理步驟實行前,重新實行用於準備基板處理步驟之步驟(解除後預備處理步驟)的方式,作成排程。因此,即使基板處理裝置之異常發生至解除異常為止的期間較長,仍可對基板供給目標溫度範圍內之溫度的處理液。藉此,可使基板之處理品質安定。
本發明之一實施形態中,上述處理單元亦可含有:洗淨液噴嘴,於上述處理單元之內部吐出洗淨液;與洗淨液配管,將洗淨液引導至上述洗淨液噴嘴。上述預備處理步驟及解除後預備處理步驟亦可含有:藉由從上述洗淨液噴嘴吐出洗淨液,而將上述處理單元之內部及配設於處理單元內部之零件之至少一者洗淨的洗淨步驟。
如此方法,預備處理步驟亦可含有下述步驟中之一種以上:預配放步驟;處理單元所具備之處理室(腔室)內的洗淨(腔室洗淨步驟);保持基板之夾銷的洗淨(夾銷洗淨步驟);與處理室內之其他零件的洗淨(零件洗淨步驟)。同樣地,解除後預備處理步驟亦可含有預配放步驟、腔室洗淨步驟、夾銷洗淨步驟、與零件洗淨步驟中之一種以上。
藉由實行此種預備處理步驟及解除後預備處理步驟,可迴避前一基板之處理對於接著搬入至處理室之基板的影響。藉此,可實現精密之基板處理。腔室洗淨係包括例如:保持基板使其旋轉的旋轉夾頭的洗淨;收容旋轉夾頭之處理杯的洗淨;承接由旋轉夾頭飛散之處理液的護罩(飛散防止構件)的洗淨等。
本發明之其他實施形態,提供一種可電腦讀取之記錄媒體,其記錄了用於作成規定至少具備一個逐片處理基板之單片式處理
單元之基板處理裝置之動作的排程的電腦程式。上述記錄媒體係記錄著用於使作為上述控制部之電腦實行上述排程作成方法而編入了步驟組的電腦程式。根據此構成,可得到關於排程作成方法說明之上述效果。
本發明之上述、或其他目的、特徵及效果,係參照隨附圖式,由下述實施形態之說明所闡明。
1‧‧‧分度區
2‧‧‧處理區
6‧‧‧基台部
7‧‧‧多關節臂
8A‧‧‧手部
8B‧‧‧手部
11‧‧‧基台部
12‧‧‧多關節臂
13A‧‧‧手部
13B‧‧‧手部
15‧‧‧旋轉夾頭
15a‧‧‧旋轉基台
15b‧‧‧夾銷
15c‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧處理杯
17‧‧‧處理室
20‧‧‧電腦
21‧‧‧控制部
23‧‧‧記憶部
24‧‧‧主電腦
25‧‧‧排程機能部
26‧‧‧處理實行指示部
30‧‧‧程式
31‧‧‧排程作成程式
32‧‧‧處理實行程式
40‧‧‧處理內容資料
50‧‧‧排程資料
51‧‧‧藥液噴嘴
52‧‧‧藥液槽
53‧‧‧藥液配管
54‧‧‧送液裝置
55‧‧‧藥液閥
56‧‧‧循環配管
57‧‧‧循環閥
58‧‧‧溫度調節裝置
61‧‧‧氣體吐出口
62‧‧‧氣體配管
63‧‧‧氣體閥
64‧‧‧加熱器
71‧‧‧洗淨液噴嘴
72‧‧‧洗淨液槽
73‧‧‧洗淨液配管
74‧‧‧送液裝置
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧主搬送機器人
G1‧‧‧第1處理單元群
G2‧‧‧第2處理單元群
G3‧‧‧第3處理單元群
G4‧‧‧第4處理單元群
IR‧‧‧分度機器人
PASS‧‧‧交接單元
SPIN1‧‧‧處理單元
SPIN2‧‧‧處理單元
SPIN3‧‧‧處理單元
SPIN4‧‧‧處理單元
SPIN5‧‧‧處理單元
SPIN7‧‧‧處理單元
SPIN8‧‧‧處理單元
SPIN9‧‧‧處理單元
SPIN10‧‧‧處理單元
SPIN11‧‧‧處理單元
SPIN12‧‧‧處理單元
ST1‧‧‧載物台
ST2‧‧‧載物台
ST3‧‧‧載物台
ST4‧‧‧載物台
W‧‧‧基板
X1‧‧‧旋轉軸線
圖1為表示本發明一實施形態之基板處理裝置之佈局的圖解性平面圖。
圖2為上述基板處理裝置之圖解性側面圖。
圖3為由水平方向觀看上述基板處理裝置所具備之處理單元內部的概略圖。
圖4為用於說明上述基板處理裝置之電氣構成的區塊圖。
圖5為用於說明本發明一實施形態之流程圖,顯示了由排程機能部所進行的處理例。
圖6表示虛擬時間表之一例。
圖7表示排程之一例(用於基板處理之區塊的配置。前準備實行條件及後處理實行條件均未滿足的情況)。
圖8表示排程之一例(用於基板處理之區塊的配置。***了後處理區塊的例子)。
圖9表示排程之一例(用於基板處理之區塊的配置)。
圖10表示排程之一例(用於基板處理之區塊的配置。***了前處理區塊的例子)。
圖11表示排程之一例(用於基板處理之區塊的配置)。
圖12為用於說明基板處理裝置發生異常、其後解除異常時之排程變更例的流程圖,顯示了由排程機能部所進行的處理例。
圖13為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖14為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖15為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖16為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖17為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖18為用於說明第1排程變更例的流程圖。
圖19為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖20為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖21為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖22為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖23為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖24為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖25為用於說明第2排程變更例的流程圖。
圖26為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖27為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖28為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖29為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖30為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖31為用於說明第3排程變更例的流程圖。
圖1為表示本發明一實施形態之基板處理裝置之佈局的
圖解性平面圖,圖2為圖解性側面圖。圖3為由水平方向觀看基板處理裝置所具備之處理單元內部的概略圖。
如圖1所示,此基板處理裝置係包含分度區(indexer section)1、及處理區2。處理區2係具備於與分度區1之間用以交接基板W之交接單元PASS。
分度區1係將未處理之基板W交給交接單元PASS,並自交接單元PASS接收處理完之基板W。交接單元PASS係於分度區1與處理區2之間中繼基板W。處理區2係自交接單元PASS接收未處理之基板W,並對該基板W實施使用處理劑(處理液或處理氣體)之處理、使用紫外線等電磁波之處理、物理洗淨處理(刷具洗淨、噴霧噴嘴洗淨等)等各種處理。然後,處理區2將處理後之基板W交給交接單元PASS。交接單元PASS係具備依水平姿勢支持基板W的支持機構。交接單元PASS亦可進一步具備:藉由使由支持機構所支持之基板W圍繞水平軸線旋轉180度,而使基板W之表背反轉的反轉機構。
如圖1所示,分度區1係包含複數個載物台ST1~ST4、及分度機器人IR。
如圖1所示,複數之載物台ST1~ST4係配列於水平方向。如圖2所示,各載物台ST1~ST4係可將複數片基板W(例如半導體晶圓)以積層狀態予以收容之基板收容器C分別保持的基板收容器保持部。基板收容器C可為依密閉之狀態收納基板W之前開式晶圓傳送盒(FOUP,Front Opening Unified Pod),亦可為標準機械介面(SMIF,Standard Mechanical Inter Face)盒、開放式晶圓匣(OC,Open Cassette)等。例如,在將4個基板收容器C分別載置於各別四個載物台ST1~ST4時,於各基板收容器C中,水平姿勢之複數片基板W成為相互隔著間
隔於鉛垂方向積層之狀態。
如圖1及圖2所示,分度機器人IR係例如包含基台部6、多關節臂7及一對手部(hand)8A、8B。
基台部6可於複數個載物台ST1~ST4之配列方向移動。分度機器人IR係包含使基台部6於複數個載物台ST1~ST4之配列方向移動的水平移動機構。多關節臂7係使可沿水平面旋動之複數根臂部相互可旋動地結合而構成,且藉由於屬於臂部之結合部位之關節部變更臂部間之角度,而構成為可屈伸。多關節臂7之基端部係相對於基台部6,以可圍繞鉛垂軸線旋動之方式所結合。進而,多關節臂7係相對於基台部6可升降地結合。換言之,於基台部6中,內置有用於使多關節臂7升降之升降驅動機構、及用以使多關節臂7圍繞鉛垂軸線旋動之旋動驅動機構。
再者,於多關節臂7中,具備有用以使各臂部獨立旋動之個別旋動驅動機構。如圖1所示,於多關節臂7之前端部,以可圍繞鉛垂軸線個別旋動及朝水平方向個別進退之方式結合著手部8A、8B。於多關節臂7中,具備有用以使手部8A、8B圍繞鉛垂軸線個別地旋動之手部旋動驅動機構、及用以使手部8A、8B於水平方向個別地進退之手部進退機構。手部8A、8B係例如構成為可分別保持1片基板W。再者,手部8A、8B亦可依上下重疊之狀態配置,但於圖1中,為了明瞭化,而使手部8A、8B於與紙面平行之方向(水平方向)錯開描繪。
根據此構成,分度機器人IR係以利用手部8A自保持於任一載物台ST1~ST4之基板收容器C搬出一片未處理之基板W並交給交接單元PASS之方式進行動作。進而,分度機器人IR係以利用手
部8B自交接單元PASS接收一片處理完之基板W,並收容在保持於任一載物台ST1~ST4之基板收容器C之方式進行動作。
如圖1及圖2所示,處理區2係包含:複數個(於本實施形態中為12個)處理單元SPIN1~SPIN12;主搬送機器人CR;與上述交接單元PASS。
如圖1及圖2所示,於本實施形態中,處理單元SPIN1~SPIN12係立體地配置。更具體而言,複數個處理單元SPIN1~SPIN12係以形成三層構造之方式所配置,於各層部分配置有4個處理單元。亦即,於第一層部分配置有4個處理單元SPIN1、SPIN4、SPIN7、SPIN10,於第二層部分配置有另外4個處理單元SPIN2、SPIN5、SPIN8、SPIN11,於第三層部分進而配置有另外之處理單元SPIN3、SPIN6、SPIN9、SPIN12。
更具體而言,如圖1所示,於俯視時,於處理區2之中央配置有主搬送機器人CR,於該主搬送機器人CR與分度機器人IR之間配置有交接單元PASS。以挾持交接單元PASS而於水平方向呈對向之方式,配置有積層3個處理單元SPIN1~SPIN3之第1處理單元群G1、及積層另外3個處理單元SPIN4~SPIN6之第2處理單元群G2。而且,以鄰接於第1處理單元群G1之距離分度機器人IR較遠之側的方式,配置有積層3個處理單元SPIN7~SPIN9之第3處理單元群G3。同樣地,以鄰接於第2處理單元群G2之距離分度機器人IR較遠之側的方式,配置有積層3個處理單元SPIN10~SPIN12之第4處理單元群G4。藉由第1~第4處理單元群G1~G4包圍主搬送機器人CR。
如圖1及圖2所示,主搬送機器人CR係例如包含基台部11、多關節臂12及一對手部13A、13B。
如圖2所示,基台部11係例如固定於該基板處理裝置之框架。多關節臂12係使沿水平面延伸之複數根臂部相互可旋動地結合而構成,並藉由於屬於臂部之結合部位之關節部變更臂部間之角度,而構成為可屈伸。多關節臂12之基端部係相對於基台部11,以可圍繞鉛垂軸線旋動之方式所結合。進而,多關節臂12係相對於基台部11可升降地結合。換言之,於基台部11中,內置有用於使多關節臂12升降之升降驅動機構、及用於使多關節臂12圍繞鉛垂軸線旋動之旋動驅動機構。
再者,於多關節臂12中,具備有用於使各臂部獨立旋動之個別旋動驅動機構。於多關節臂12之前端部,以可圍繞鉛垂軸線個別旋動及朝水平方向個別進退之方式,結合有手部13A、13B。於多關節臂12中,包括有:用於使手部13A、13B圍繞鉛垂軸線個別地旋動之手部旋動驅動機構、及用以使手部13A、13B於水平方向個別地進退之手部進退機構。手部13A、13B係例如構成為可分別保持1片基板W。再者,手部13A、13B亦可依上下重疊之狀態所配置,但於圖1中,為了明瞭化,而使手部13A、13B於與紙面平行之方向(水平方向)錯開描繪。
根據此構成,主搬送機器人CR係利用手部13A自交接單元PASS接收未處理之一片基板W,並將該未處理之基板W搬入至任一處理單元SPIN1~SPIN12。又,主搬送機器人CR利用手部13B接收由處理單元SPIN1~SPIN12所處理之處理完之基板W,並將該基板W交給交接單元PASS。
處理單元SPIN1~SPIN12係為逐片對基板W進行處理之單片型處理單元。處理單元SPIN1~SPIN12可為一邊使基板W圍繞通
過基板W中央部之鉛垂軸線進行旋轉、一邊對基板W供給處理液的液處理單元,亦可為使用處理氣體進行處理的氣體處理單元,亦可為使用紫外線等之電磁波進行處理的電磁波處理單元,亦可為進行物理洗淨處理(刷具洗淨、噴霧噴嘴洗淨等)的物理洗淨處理單元。
圖3表示處理單元SPIN1~SPIN12為液處理單元的例子。
如圖3所示,各處理單元SPIN1~SPIN12包含:具有內部空間之箱形處理室17;於處理室17內依水平姿勢保持1片基板W,並圍繞通過基板W中央部之鉛垂之旋轉軸線X1使基板W旋轉的旋轉夾頭15;與繞圍基板W之旋轉軸線X1而包圍旋轉夾頭15的筒狀之處理杯16。
如圖3所示,旋轉夾頭15係包含:依水平姿勢所保持之圓板狀的旋轉基台15a;由旋轉基台15a之上面外周部朝上方突出之複數的夾銷15b;將複數之夾銷15b按壓至基板W周緣部的夾頭開關機構;藉由使旋轉基台15a及夾銷15b圍繞鉛垂之旋轉軸線X1進行旋轉,而使保持於複數之夾銷15b的基板W旋轉的旋轉馬達15c。旋轉夾頭15並不侷限於圖3所示之挾持式夾頭,亦可為藉由使基板下面吸附於旋轉基台之上面而依水平姿勢保持基板的真空式夾頭。
如圖3所示,處理單元SPIN1~SPIN12係包含:朝保持於旋轉夾頭15之基板W上面吐出藥液的藥液噴嘴51;貯存供給至藥液噴嘴51之藥液的藥液槽52;將藥液槽52內之藥液引導至藥液噴嘴51的藥液配管53;將藥液槽52內之藥液送至藥液配管53的送液裝置54(例如,泵);與對藥液配管53內部進行開關的藥液閥55。處理單元SPIN1~SPIN12係進一步含有:於較藥液閥55更上游側(藥液槽52側)連接藥液配管53與藥液槽52的循環配管56;對循環配管56之內部進
行開關的循環閥57;與調節循環配管56所流通之藥液之溫度的溫度調節裝置58。
藥液閥55及循環閥57之開關,係藉後述之電腦20所控制。在將藥液槽52內之藥液供給至藥液噴嘴51時,係打開藥液閥55、關閉循環閥57。於此狀態下,藉送液裝置54由藥液槽52被送至藥液配管53的藥液,係供給至藥液噴嘴51。另一方面,在使藥液對藥液噴嘴51之供給停止時,係關閉藥液閥55、打開循環閥57。於此狀態下,藉送液裝置54由藥液槽52被送至藥液配管53的藥液,係通過循環配管56而回到藥液槽52。因此,使藥液對藥液噴嘴51之供給停止的供給停止中,藥液係持續循環於由藥液槽52、藥液配管53及循環配管56所構成的循環路徑。溫度調節裝置58係調節於循環配管56內所流通之藥液的溫度。因此,藥液槽52內之藥液係於供給停止中於循環路徑被加熱,維持為較室溫高的溫度。
再者,可依由藥液噴嘴51吐出微少量之藥液而進行預配放的方式,使藥液閥55進行開度之微調整。又,於藥液噴嘴51附近配設有未圖示之藥液回收構件,其可回收由藥液噴嘴51所預配放的藥液。
尚且,圖3雖未圖示,於各處理單元SPIN1~SPIN12設有複數之藥液噴嘴51,此等複數之藥液噴嘴51係分別連接於相異之藥液槽52。又,亦設有用於去除基板W上之藥液的潤洗液吐出噴嘴。因此,可對於保持於各處理單元SPIN1~SPIN12之旋轉夾頭15的基板W,選擇性供給相異藥液,或供給潤洗液自基板W去除藥液。
再者,於處理單元SPIN1~SPIN12之內壁(處理室17之內壁)配設有洗淨液噴嘴71。此洗淨液噴嘴71係經由洗淨液配管73而
連結至設於處理單元SPIN1~SPIN12外部之貯存純水等洗淨液的洗淨液槽72。介裝於洗淨液配管73之送液裝置74,係由洗淨液槽72朝洗淨液噴嘴71送出洗淨液。在朝藉旋轉夾銷15b所旋轉之旋轉中之洗淨用夾具、或藉旋轉夾銷15b所旋轉之旋轉中之基板W使洗淨液噴嘴71吐出洗淨液時,於處理室1內洗淨液發生飛散。藉由使洗淨液如此飛散,可對處理室17內所配置之各種零件(夾銷15b或處理杯16)進行洗淨。
又,如圖3所示,處理單元SPIN1~SPIN12係包含:將屬於氣體一例之氮氣,引導至於旋轉基台15a上面中央部呈開口之氣體吐出口61的氣體配管62;對氣體配管62之內部進行開關的氣體閥63;與將由氣體供給源供給至氣體配管62之氮氣進行加熱的加熱器64。
加熱器64之開/關及溫度,係由後述電腦20所控制。電腦20係在加熱器64之溫度到達較室溫高之設定溫度時,使加熱器64之發熱停止。而且,在加熱器64之溫度低於設定溫度時,電腦20再次使加熱器64發熱,使加熱器64之溫度上升至設定溫度為止。由氣體供給源供給至氣體配管62的氮氣,係在藉加熱器64所加熱後,由氣體吐出口61朝上吐出。然後,由氣體吐出口61所吐出之氮氣,係於基板W下面與旋轉基台15a上面之間的空間,由旋轉基台15a之上面中央部起朝旋轉基台15a之上面外周部呈放射狀流動。藉此,基板W下面與旋轉基台15a上面之間的空間被高溫氮氣所充滿,基板W全域被氮氣所均勻加熱。
圖4為用於說明上述基板處理裝置之電氣構成的區塊圖。
基板處理裝置具備有用以控制處理單元SPIN1~SPIN12、主搬送機器人CR及分度機器人IR的電腦20。
電腦20亦可具有個人電腦(工廠自動化(FA,Factory Automation)個人電腦)之形態,包含控制部21、輸入輸出部22、及記憶部23。控制部21係包含CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)等運算單元。輸入輸出部22係包含顯示單元等輸出機器、與鍵盤、指向裝置、觸控面板等輸入機器。進而,輸入輸出部22包含用於與主電腦(host computer)24通信之通信模組。記憶部23包含固態記憶體裝置、硬式磁碟機等記憶裝置。
控制部21係包含排程機能部25、及處理實行指示部26。
排程機能部25係為了將基板W自基板收容器C搬出,於藉由處理單元SPIN1~SPIN12處理後,收容於基板收容器C,而作成用於使基板處理裝置之資源(由控制部21所控制之處理單元等的有體物)按照時間序列來作動之計劃(排程)。處理實行指示部26係使基板處理裝置之資源按照由排程機能部25作成之排程進行作動。
記憶部23係以記憶如下各種資料等之方式所構成,其包含:控制部21所實行之程式30、自主電腦24接收之處理內容資料40、及藉由排程機能部25而作成之排程資料50。
記憶部23所記憶之程式30包含:排程作成程式31,其用於使控制部21作為排程機能部25而作動;及處理實行程式32,其用於使控制部21作為處理實行指示部26而作動。記憶部23為記錄有程式且電腦可讀取之記錄媒體之一例。
尚且,處理實行程式32中亦記述著於後處理‧前準備實行中發生裝置異常時的對應方法。
處理內容資料40係包含對各基板W賦予之製程工件(PJ,process job)符號、及與製程工件符號建立對應關係之製程配方。
製程配方係定義基板處理內容之資料,包含基板處理條件及基板處理順序。更具體而言,包含並行處理單元資訊、使用處理液資訊、處理時間資訊、後處理實行條件、前準備實行條件等。
所謂「並行處理單元資訊」係指定可實行該製程配方所含有之基板處理的處理單元的資訊,且表示可藉由所指定之處理單元進行並行處理。換言之,其表示於指定處理單元中之一個無法使用時,可藉由除此以外之指定處理單元來代替。所謂「無法使用時」係指該處理單元正用於處理另一基板W的使用中時、該處理單元為故障中時、操作員認為不欲藉由該處理單元進行基板W之處理時等。
「使用處理液資訊」係與該製程配方所包含之基板處理時所使用之處理液(各種藥液及潤洗液)相關的資訊。
「處理時間資訊」係與製程配方所包含之各步驟之實行所需要時間相關的資訊。具體而言,包括該製程配方之指定處理單元中之基板的滯留時間、後述預備處理步驟(前準備步驟及後處理步驟)之實行所需要的時間等。預備處理步驟係指在既定處理單元中實行基板處理前,為了精密地進行該基板處理、而進行基板處理步驟之準備的處理,本實施形態中,對應於在基板處理前所實行之前準備步驟、與前一基板處理後所實行之後處理步驟。
所謂「後處理實行條件」為關於後處理步驟的資訊。
排程機能部25係在將製程配方所包含之基板處理區塊進行排程時,讀取該製程配方所包含之後處理實行條件,決定在上述處理區塊前是否配置後處理步驟,在配置後處理步驟的情況則決定其
具體內容。具體而言,在判斷時點之基板處理裝置的狀態符合後處理步驟實行條件時,係將內容符合之後處理步驟的區塊配置於對象之處理區塊之前。
後處理實行條件中,包括與後處理步驟之具體內容相關的資訊、與是否需要後處理步驟相關的資訊。是否需要後處理步驟與其內容,係於製程配方所包含之各處理區塊中所規定。
後處理步驟之具體例,為處理單元SPIN1~SPIN12之處理室17內的洗淨處理(腔室洗淨步驟)。藉由實行處理室17內之洗淨,可迴避對前一基板所進行之基板處理對接著搬入至處理室17之基板的影響。藉此,可實現精密的基板處理,保持基板處理品質。後處理步驟並不侷限於洗淨處理(腔室洗淨步驟),亦可為保持基板之夾銷的洗淨(夾銷洗淨步驟)、或處理室17內其他零件(例如處理杯16)之洗淨處理(零件洗淨步驟),亦可含有此等洗淨處理之2種以上。腔室洗淨或零件洗淨可藉由從洗淨液噴嘴71吐出洗淨液而實行。
後處理實行條件,係包含與是否需要後處理步驟相關的資訊。
是否需要後處理步驟,係由例如以下(1)至(5)的觀點所決定,記述於後處理實行條件。
例如,在進行污染處理腔室(處理室)之疑虞較大的基板處理的情況,可考慮不論其次是否進行基板處理,均設為必須後處理步驟的條件(規則)。
例如,在同一處理腔室中未實行後處理步驟之下,而經過既定時間的情況或處理了既定片數之基板的情況,可考慮判斷為經常需要後處理步驟的條件(規則)。
例如,在有受到同一處理腔室中剛進行之其他基板處理之影響的情況,可考慮判斷為必須於該前一基板處理實行後進行後處理步驟的條件(規則)。相反地,在僅使用與前一基板處理相同處理液的情況等、該前一基板處理不影響次一基板處理的情況,可考慮判斷為於前一基板處理後不需要進行後處理步驟的條件(規則)。
在後處理步驟開始至接著之基板處理步驟開始前為止的期間,有發生基板W之搬送錯誤等有關基板處理裝置本身之異常、或對基板處理裝置內進行排氣之排氣設備等之與基板處理裝置相關之裝置等發生異常,而中途使排程停止的情形。在事先預定後處理的情況,係於異常解除後實行後處理步驟,此時,亦可設定僅實行被中斷之後處理步驟之剩餘步驟的條件(規則)。或者,亦可設定實施被中斷之後處理步驟之所有步驟的條件(規則)。
在設定了前者條件時,可迴避複數次進行同一步驟的情形。藉此,可抑制或防止基板處理裝置之運轉率降低。
在設定了後者條件時,可依用於實行基板處理步驟之準備充分完成的狀態開始基板處理步驟。藉此,可使基板之處理品質安
定。
採用前者條件或後者條件任一者,可配合目標之基板處理的內容或後處理步驟的內容而適當決定。
亦可配合因異常發生所造成之裝置停止時間的長度,變更後處理步驟的內容。例如,若於異常發生前完成後處理步驟,則判斷為原則上不需要裝置動作再開後之後處理步驟的重複;但在裝置停止時間持續了既定時間以上時,則判斷為於裝置動作再開後重複後處理步驟的條件(規則)。藉由設定此種條件,即使腔室洗淨之效果僅於一定時間內有效,仍可於經常清潔之腔室內實行基板處理。
「前準備實行條件」係與前準備步驟相關的資訊。
所謂前準備步驟,係在實行既定之基板處理前藉處理單元所應實行的前準備作業。
例如,如先前藉圖3所說明般,於處理單元SPIN1~SPIN12設有用於將既定藥液依所規定之溫度朝基板W吐出的溫度調節裝置58。藥液必須依製程配方所規定之目標溫度朝基板W吐出,但溫度調節裝置58將藥液加熱至目標溫度時需要一定時間。因此,實際上在由藥液噴嘴51將藥液供給至基板W前,係藉由依開放循環閥57並使溫度調節裝置58作動之狀態使送液裝置54作動,而使藥液於循環配管56中循環(前準備步驟之例1)。
另外,若於藥液噴嘴51及藥液配管53之至少一者中殘留成為目標溫度範圍外的藥液,則有將目標溫度外之藥液朝基板W吐出之虞。因此,實際上在藥液開始吐出之既定時間前,係由藥液噴嘴
51排出少量藥液、實行所謂預配放(前準備步驟之例2)。
排程機能部25係將製程配方所包含之處理區塊如以下般配置於排程表(用於排程之記憶區域)。亦即,讀取該製程配方所包含之前準備實行條件,決定在上述處理區塊前是否配置前準備步驟,在配置前準備步驟的情況則決定前準備步驟之具體內容。具體而言,在判斷時點之基板處理裝置的狀態符合前準備實行條件時,係將內容符合之前準備步驟的區塊配置於對象之處理區塊之前。
前準備實行條件中記述著前準備步驟之具體內容。亦即,記述著何種前準備(例1的情況,為循環閥57之開放、溫度調節裝置58及送液裝置54之作動、溫度調節裝置58應設定的設定溫度)(例2的情況,為由藥液噴嘴51之預配放)應於何種時機開始(例如,於所指定之處理單元中開始基板處理的既定時間前,或由藥液噴嘴51實際吐出藥液的既定時間前)等、前準備步驟的具體內容。
再者,前準備實行條件中亦記述著與是否需要前準備相關的資料。
是否需要前準備,係由例如以下(1)至(3)的觀點所決定,作為前準備實行條件記述於製程配方中。
例如,在將用於實行使用溫度依存性高之處理液之基板處理的處理區塊配置於排程表的情況,可考慮判斷為必須將用於進行作為前準備步驟之預配放處理的前準備區塊配置於對象之處理區塊前的條件(規則)。相反地,在欲配置用於實行使用溫度依存性低之處理液之基板處理的處理區塊的情況,可考慮判斷為不需要預配放、不需要
將前準備區域配置於對象之處理區塊前的條件(規則)。前準備步驟之內容與是否需要,係於製程配方所包含之各基板處理中所規定。
例如,在連續實行需要前準備之基板處理的情況,原則上在第2次以後之基板處理前不需要實行前準備步驟。然而,即使在為了之前之基板處理而實行了前準備步驟的情況,於至次一基板處理步驟開始為止前因裝置異常等而經過了長時間時,可考慮判斷為在進行次一基板處理前需要前準備步驟的條件(規則)。
例如,在前準備步驟為「預配放」時,於因裝置異常等而次一基板處理之開始被延期的期間,有藥液噴嘴51或藥液配管53內殘留之藥液成為目標溫度外之藥液的疑虞。藉由事先設定上述般之前準備條件,則可迴避此種不良情況。
在前準備步驟開始至接著之基板處理步驟開始前為止的期間,有發生基板W之搬送錯誤等有關基板處理裝置本身之異常、或對基板處理裝置內進行排氣之排氣設備等之與基板處理裝置相關之裝置等發生異常,而中途使排程實行停止的情形。於異常解除後使前準備步驟再開,此時,可考慮配合異常發生時點之前準備步驟的進展狀況,判斷是否實行被中斷之前準備步驟的全部、或僅實行異常發生時尚未完成之步驟的條件(規則)。
例如,在前準備步驟為「預配放」時,於異常發生時完成了90%以上之預配放的情況,係在異常解除後僅實行剩餘之預配
放;但在僅完成了未滿90%之預配放的情況,則於異常解除後進行所有預配放步驟(從最初重新進行)的條件。藉由設定此種前準備實行條件,可減低用於預配放之藥液使用量,並可使用目標溫度內之藥液進行基板處理。
所謂製程工件係指被實施共通之處理之1片或複數片基板W。所謂製程工件符號係指用於識別製程工件之識別資訊(基板群識別資訊)。亦即,對於賦予了共通之製程工件符號之複數片基板W,係實施由與該製程工件符號對應之製程配方進行的共通處理。其中,亦有可能存在不同製程工件符號所對應之基板處理內容(製程配方)為相同之情形。例如,於對處理順序(自基板收容器C取出之順序)為連續之複數片基板W實施共通之處理時,則對該等複數片基板W賦予共通之製程工件符號。
控制部21係取得對於各基板W之處理內容資料40,並記憶至記憶部23。處理內容資料40之取得及記憶只要早於實行對於各基板W之排程而進行即可。例如,可於將基板收容器C保持於載物台ST1~ST4之後,立即將與收容於該基板收容器C之基板W所對應之處理內容資料40自主電腦24供給至控制部21。
接著,針對作成賦予了相同製程工件符號「A」之2片基板A1、A2的排程的例子進行說明。
尚且,以下例子中,分別指定腔室洗淨作為後處理步驟,指定預配放作為前準備步驟。
圖5係用以說明本發明第1實施形態之流程圖,顯示了藉由排程功能部25所實行之處理例。圖5表示了藉由控制部21(電腦20)實行排程作成程式31而進行之處理。換言之,此實施形態中,於
排程作成程式31中,係以使電腦執行圖5所示處理之方式而編入了步驟群。
若由操作員自主電腦24或輸入輸出部22發出基板處理開始之指示(步驟S1),排程機能部25將針對被賦予了基板處理開始指示之所有基板W,作成虛擬時間表(步驟S2)。基板處理開始指示係可以收容於共通的基板收容器C之所有基板W作為一個單位而發行。又,基板處理開始指示亦可為指示收容於共通的基板收容器C之未滿全數之1片以上基板W的處理開始者,亦可為指示收容於個別之基板收容器C之複數片基板W的處理開始者。
例如,在處理內容資料40中之與某一製程工件符號建立對應關係之製程配方,設為指定處理單元SPIN1~SPIN12之並行處理。亦即,可認為依照該製程配方之基板處理,可在12個處理單元SPIN1~SPIN12中之任一者中予以執行。於該情形時,於被賦予該製程工件符號之基板W接受處理時,所通過之路徑有12個。亦即,選擇用於處理該基板W之路徑為通過處理單元SPIN1~SPIN12中之任一者的12個路徑。因此,排程機能部25係作成與該12個路徑對應之虛擬時間表。
於圖6中表示與通過處理單元SPIN1之路徑對應之虛擬時間表。該虛擬時間表係包含:表示藉由分度機器人IR之基板W自基板收容器C之搬出(Get)的區塊、表示藉由分度機器人IR之該基板W朝交接單元PASS之搬入(Put)的區塊、表示藉由主搬送機器人CR之該基板W自交接單元PASS之搬出(Get)的區塊、表示藉由主搬送機器人CR之該基板W朝處理單元SPIN1之搬入(Put)的區塊、表示藉由處理單元SPIN1之對該基板W之處理的處理區塊、表示藉由主搬送機
器人CR之處理完之基板W自處理單元SPIN1之搬出(Get)的區塊、表示藉由主搬送機器人CR之該基板W朝交接單元PASS之搬入(Put)的區塊、表示藉由分度機器人IR之該基板W自交接單元PASS之搬出(Get)的區塊、及表示藉由分度機器人IR之該基板W朝基板收容器C之搬入(Put)的區塊。
排程機能部25係藉由以於時間軸上不產生重合之方式依序配置圖6所示之複數區塊,而作成虛擬時間表。排程機能部25係對於相同之基板W,作成與分別通過11個處理單元(SPIN2~SPIN12)之11個路徑對應之同樣之11個虛擬時間表(將處理區塊分別配置於處理單元SPIN2~SPIN12之虛擬時間表)。如此,對於一片基板W係作成合計12個路徑份之虛擬時間表。
同樣之虛擬時間表係對應至賦予了相同製程工件符號之所有基板W而作成。如此所作成之虛擬時間表係作為排程資料50之一部分而儲存至記憶部23。於虛擬時間表之作成階段中,並不考慮與另一基板W相關之區塊的干涉(時間軸上之重合)。
若產生排程指示(步驟S3),則進行與該製程工件之基板W相關之區塊之配置(步驟S4~S18)。
具體而言,排程機能部25係參照對應該基板W之虛擬時間表,取得一個構成該虛擬時間表的區塊(步驟S4)。此時所取得之區塊,為未配置之區塊中被配置於虛擬時間表之時間軸上最早的位置的區塊。再者,排程機能部25係檢索可配置該取得區塊之位置(步驟S5),於其所檢索到之位置配置該區塊(步驟S6)。各區塊係設為同一資源於相同時間不重複使用,而配置在時間軸上最早的位置。
排程機能部25係判斷在所配置之區塊的即刻前是否需
要於所配置之同一資源之區塊後進行後處理(步驟S7)。亦即,排程機能部25係判斷其是否滿足既定之後處理實行條件。
於此之後處理實行條件,包括:所配置之區塊為表示處理單元中之處理的處理區塊;與對同一資源(處理單元)於即刻前所配置之區塊,為賦予了共通之製程工件符號之基板群中於該處理單元所最後處理之基板相對應的處理區塊。
在排程機能部25判斷為不需要後處理時(步驟S7:NO),判斷於步驟S6所配置之區塊是否需要前準備(步驟S11)。亦即,排程機能部25係判斷是否滿足既定之前準備實行條件。
在未滿足前準備實行條件時(步驟S11:NO),排程機能部25係判斷構成虛擬時間表之所有區塊之配置是否完成(步驟S15),若有未配置之區塊,則重複步驟S4起的處理。
圖7表示前準備實行條件及後處理實行條件均未滿足時之排程例。此例子中,對應於製程工件A之第1片基板A1配置區塊A11~A19。處理區塊A15係配置於處理單元SPIN1之空間。關於製程工件A之第2片基板A2,表示對應於該A2之分度機器人IR及主搬送機器人CR之基板搬送動作的區塊A21~A24,係配置為不干涉對應於第1片基板A1之分度機器人IR及主搬送機器人CR之基板搬送動作的區塊A11~A14。再者,對應於第2片基板A2之處理區塊A25,係配置於處理單元SPIN2之空間。如此,策定了用於藉處理單元SPIN1及SPIN2並行處理製程工件A之2片基板A1、A2的計畫。
對應至接著之製程工件B的製程配方,係例如指定於處理單元SPIN1、SPIN2中的並行處理。於此,依相對於處理單元SPIN1、SPIN2中前一使用結束時間最早之處理單元SPIN1,配置第1片之基板
B1之處理區塊B15的方式,配置對應於該基板B1之各區塊B11~B14。圖7中,表示藉由主搬送機器人CR之該基板B1朝處理單元SPIN1之搬入的區塊B14、與表示藉由主搬送機器人CR之基板A1自處理單元SPIN1之搬出的區塊A16,係於時間軸上重疊。此係由於基板B1之搬入為由一手部13A所實行,基板A1之搬出則由另一手段13B所實行,故此等動作表示為時間上重複。
再者,參照圖5。在於步驟S6所配置之處理區塊滿足後處理實行條件時(步驟S7:YES),亦即,參照製程配方所規定之後處理實行條件,判斷在所配置之處理區塊之即刻前是否需要對於所配置之同一資源之處理區塊進行後處理,在判斷為需要後處理時,則排程機能部25將於該處理區塊之即刻前、亦即前一處理區塊之即刻後,配置用於實行後處理實行條件所規定之內容的後處理步驟的後處理區塊(步驟S8)。然後,檢索區塊配置位置(步驟S9),於所檢索到之位置再配置區塊(步驟S10)。
具體而言,例如,圖7中,對應於製程工件B之第1片基板B1配置區塊B11~B15。然後,在配置處理區塊B15時,判斷為滿足後處理實行條件,對同一資源(處理單元SPIN1)必需進行對於即刻前所配置之處理區塊A15的後處理。此時,於處理區塊A15、B15間***後處理區塊。圖8表示***後處理區塊之例子。隨著後處理區塊之***,處理區塊B15被配置於後處理區塊之後,配合此情況,在處理區塊B15之前的區塊B11~B14亦於時間軸上後移。配置了處理區塊B15後,配合該處理區塊B15配置,而配置剩餘的區塊B16~B19。
於步驟S6或S10所配置之處理區塊為滿足製程配方所規定之前準備實行條件時(圖5之步驟S11:YES),排程機能部25係於
其處理區塊之即刻前,配置前處理實行條件所規定之內容的前準備區塊(步驟S12)。然後,檢索區塊配置位置(步驟S13),於檢索到之位置再配置區塊(步驟S14)。
具體而言,例如,圖9所示般,對應於製程工件A之第1片基板A1配置區塊A11~A15。然後,在配置處理區塊A15時,判斷為滿足前準備實行條件,必需進行對於該處理區塊A15的前準備。此時,於處理區塊A15即刻前***前準備區塊。圖10表示***前準備區塊之例子。隨著前準備區塊之***,處理區塊A15被配置於前準備區塊之後,配合此情況,區塊A11~A14亦於時間軸上後移。配置了處理區塊A15後,如圖11所示,配合該處理區塊A15的配置,而配置剩餘的區塊A16~A19。
參照圖5,在構成對應於賦予了該製程工件符號之所有基板之虛擬時間表的所有區塊的配置結束時(步驟S15:YES),排程機能部25判斷是否需要對該製程工件所使用之處理單元進行後處理(步驟S16)。亦即,判斷是否滿足後處理實行條件。於此步驟S16所參照之後處理實行條件,較佳為包括該處理單元所處理之基板片數達到了既定片數(例如45片)。若未滿足後處理實行條件(步驟S16:NO),則結束對該製程工件的排程(步驟S18)。若滿足後處理實行條件(步驟S16:YES),則在該製程工件所使用之處理單元之最後處理區塊的即刻後的空間配置後處理區塊(步驟S17),結束對該製程工件的排程(步驟S18)。
如此,賦予了相同製程工件符號「A」之片基板A1、A2之排程,係根據處理內容資料40藉由排程機能部25所作成。處理實行指示部26係實行藉排程機能部25所作成之排程,並使基板處理裝
置之資源開始作動。若於排程實行中基板處理裝置未發生異常,則排程不中途停止,實行至最後。藉此,1片或複數片基板將經由所計畫之路徑、如計畫般進行處理。
以下說明由於在前準備步驟開始至基板處理步驟開始前為止的期間基板處理裝置發生異常,故排程機能部25變更實行中之排程,於排程變更後由於基板處理裝置之異常解除,故排程機能部25再次變更實行中之排程的3個例子。圖12為用於說明以下3個排程變更例的流程圖。此實施形態中,排程作成程式31及處理實行程式32中,係編入了步驟群以使電腦實行圖12所示之處理。
圖13為表示依圖5所示流程所作成之用於對1片基板A1(賦予了製程工件符號「A」的基板)進行處理之排程之一例的流程圖。於此排程變更例中,對應於製程工件A之製程配方中,設定成僅指定處理單元SPIN1作為可使用之處理單元,且於處理單元SPIN1中指示為實行前準備步驟。
如圖12所示,在完成基板A1之排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在使處理實行指示部26依其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷是否因基板處理裝置之異常發生而中途停止即刻前之排程實行(步驟S22)。於此,設為不中斷即刻前之排程(步驟S22:NO)。因此,處理實行指示部26開始圖13所示排程並使基板處理裝置之資源作動(步驟S23)。然後,控制部21在排程開始後至結束前,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若於排程實行中未發生異常(步驟S24:NO),則排程實行至最後(步驟S25:YES)。另一方
面,若於排程實行中發生異常(步驟S24:YES),則排程機能部25變更實行中之排程(步驟S26)。
圖14表示於前準備步驟之實行中發生異常的例子。更具體而言,其表示了在前準備步驟實行之期間、由基板收容器C開始搬出基板A1前,基板處理裝置發生異常的例子。此時,如圖15所示,排程機能部25係針對表示基板A1之排程的區塊,將較異常發生時之後所配置之開始前的所有區塊消除,留下異常發生時點所實行之區塊(圖15中,為配置於處理單元SPIN1之空間的前準備區塊)。具體而言,如圖14所示,前處理區塊以外之區塊,由於在異常發生前並未開始,故由排程被消除。藉此,變更排程,作成新的排程。
如圖12所示,在作成圖15所示之新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其該排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此為圖13所示排程)之實行是否因異常發生而被中斷(步驟S22)。於此,由於即刻前之排程的實行因異常發生而被中斷(步驟S22:YES),故判斷於預定實行的排程(於此,為圖15所示排程)中是否計畫了前準備步驟(步驟S27)。
如圖15所示,於處理單元SPIN1中,前準備步驟之剩餘步驟被計畫於較異常發生時之後,於較異常發生之後計畫了前準備步驟(步驟S27:YES),故排程機能部25將判斷於前準備步驟之後是否計畫了基板處理,亦即,於同一資源(於此,為處理單元SPIN1)中在前準備區塊之後是否配置了處理區塊(步驟S28)。
如圖15所示,於此排程中,於前準備區塊之後未配置處理區塊(步驟S28:YES),故排程機能部25係如圖16所示般,於前準備區塊中將在較異常發生時之後所配置之部分消除,中斷前準備步
驟(步驟S29)。然後,排程機能部25一併記憶中斷了前準備步驟之事實與呈中斷之前準備步驟的內容,或者使其記憶於記憶部23。其後,圖16所示排程係藉處理實行指示部26所實行(步驟S23)。亦即,於圖16所示排程中,由於較異常發生時之後所配置之所有區塊被消除,故處理實行指示部26並未使任何資源作動。
尚且,上述中,於前準備區塊中雖將較異常發生時之後所配置之部分消除、中斷了前準備步驟(步驟S29),但並不一定需要予以中斷。例如,在前準備處理為預配放處理的情況,在完成了幾乎既定量之藥液預配放時,由於中斷預配放並無優點,故亦可不中斷預配放。
如圖12所示,排程機能部25係判斷在既定時間為止前(例如圖13所示之變更前之排程結束預定時刻為止)異常是否被解除(步驟S24)。若於既定時間為止前基板處理裝置之異常解除(步驟S24:YES),則排程機能部25變更實行中之排程(圖16所示排程),作成新的排程(步驟S26)。
具體而言,排程機能部25係於因異常發生而中斷之排程(於此,為圖14所示排程)中配置在異常發生時點並未開始的所有區塊。於圖14所示排程中,由於在前處理區塊以外之區塊開始前,發生了基板處理裝置之異常,故前處理區塊以外之所有區塊被配置於排程上(參照圖17及圖18)。
關於在異常發生時已開始處理之前準備步驟,係根據製程配方所記述之前準備實行條件而配置。亦即,如圖17所示,予以重置,以前準備步驟從初始開始的方式,將前準備區塊配置作為解除後前準備區塊。或者如圖18所示,計畫為僅將前準備區塊中因異常發生
而實行中斷之部分配置作為解除後前準備區塊,使前準備步驟再開。
亦即,在基板處理裝置之異常被解除的情況,係於前準備實行條件中追加:異常發生時在實行中之排程(圖14所示排程)中前準備步驟是否被中斷。然後,在前準備步驟被中斷的情況,進行排程成為由初始或中途實行前準備步驟(步驟S14)。如此,因異常解除而變更排程,作成新排程。
如圖12所示,在作成了圖17或圖18所示之新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此,為圖16所示排程)之實行是否因異常發生被中斷(步驟S22)。於此,由於即刻前之排程的實行並未因異常發生而中斷(步驟S22:NO),故處理實行指示部26依照圖17或圖18所示排程使基板處理裝置之資源開始作動(步驟S23)。然後,控制部21係在排程開始起至結束為止,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若基板處理裝置未發生異常,則中途不停止,實行至最後。藉此,基板A1經由所計畫之路徑、如計畫般進行處理。
圖19為表示依圖5所示流程所作成之用於對1片基板A1進行處理之排程之一例的流程圖。於此排程變更例中,對應於製程工件A之製程配方中,指示為使基板A1藉2個處理單元依序進行處理。具體而言,僅有處理單元SPIN1被指定作為對基板A1實行第1基板處理步驟的第1處理單元,僅有處理單元SPIN7被指定為對基板A1實行第2基板處理步驟的第2處理單元。然後,由處理單元SPIN1
所處理之基板A1,係計畫為藉由主搬送機器人CR從處理單元SPIN1搬送至處理單元SPIN7(參照區塊A16~A17)。再者,計畫為在處理單元SPIN1、SPIN7中的基板處理步驟開始前,於各處理單元SPIN1、SPIN7實行前準備步驟。
第1基板處理步驟及第2基板處理步驟,可為對基板進行同種處理的步驟,亦可為進行相異種類處理的步驟。又,進行處理之基板的位置,可於第1基板處理步驟與第2基板處理步驟中為相異。例如,可為第1基板處理步驟係對形成裝置之表面為相反側之基板背面進行處理的步驟;第2基板處理步驟係對屬於裝置形成面之基板表面進行處理的步驟。此時,基板的反轉可藉由交接單元PASS所進行,亦可於主搬送機器人CR中具備使基板W表背反轉之反轉機構。
圖20為表示依圖5所示流程所作成之用於處理2片基板A1、A2(賦予了相同製程工件符號「A」的2片基板)之排程之一例的流程圖。於此排程變更例中,對應於製程工件A之製程配方中,指示為僅有處理單元SPIN2被指定作為對基板A2實行第1基板處理步驟的第1處理單元,僅有處理單元SPIN8被指定為對基板A2實行第2基板處理步驟的第2處理單元。亦即,於對應於製程工件A之製程配方中,處理單元SPIN1、SPIN2被指定為用於第1基板處理步驟的並行處理單元,處理單元SPIN7、SPIN8被指定為用於第2基板處理步驟的並行處理單元。
如圖12所示,完成基板A1、A2的排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程之實行是否因基板處理裝置之異常發生而中途停止(步驟S22)。於此,設為即刻前之排程並未中斷(步
驟S22:NO)。因此,處理實行指示部26開始實行圖20所示排程使基板處理裝置之資源開始作動(步驟S23)。然後,控制部21係在排程開始起至結束為止,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若基板處理裝置未發生異常(步驟S24:NO),則排程實行至最後(步驟S25:YES)。另一方面,若排程實行中發生異常(步驟S24:YES),則排程機能部25變更實行中之排程(步驟S26)。
圖21表示於前準備步驟之實行中發生異常的例子。更具體而言,表示了在處理單元SPIN7、SPIN8中實行前準備步驟時,於處理單元SPIN發生基板搬送停止等之異常的例子。
如圖22所示,在處理單元SPIN1發生異常時(步驟S24:YES),排程機能部25係針對表示基板A1排程之區塊,將在較異常發生時之後所計畫的開始前的所有區塊消除。再者,排程機能部25係針對配置於處理單元SPIN1之空間的用於基板A1的處理區塊,將在較異常發生時之後所計畫之部分消除,記憶所消除之內容(步驟)、或記憶於記憶部23。再者,排程機能部25係留下配置於處理單元SPIN7之空間的前準備區塊全體。另一方面,由於異常發生的場所為並未使用於實行基板2之排程的處理單元SPIN1,故如圖22所示般,排程機能部25並未變更基板A2之排程而保持原樣。藉此,基板A1之排程被變更,對基板處理裝置全體作成新排程(步驟S4~S14)。
如圖12所示,在作成圖22所示之新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此,為基板A1之排程及基板A2之排程的任一者)之實行是否因異常發生被中斷(步驟S22)。於此,由於圖20所示基板A1之排程中斷(步驟S22:YES),故判斷於預
定實行之基板A1、A2之排程(圖22所示排程)中是否計畫了前準備步驟(步驟S27)。
如圖22所示,於處理單元SPIN7中,前準備步驟之剩餘步驟被計畫於較異常發生時之後(步驟S27:YES),故排程機能部25將判斷於前準備步驟之後是否計畫了基板處理,亦即,於同一資源(於此,為處理單元SPIN7)中在前準備區塊之後是否配置了處理區塊(步驟S28)。如圖22所示,於處理單元SPIN7中,由於在前準備區塊之後未配置處理區塊(步驟S28:YES),故排程機能部25係如圖23所示般,於前準備區塊中將在較異常發生時之後所配置之部分消除,中斷前準備步驟(步驟S29)。然後,排程機能部25一併記憶中斷了前準備步驟之事實與呈中斷之前準備步驟的內容,或者使其記憶於記憶部23。
如圖22所示,於處理單元SPIN8中,由於前準備步驟之剩餘步驟被計畫於較異常發生時之後(步驟S27:YES),故排程機能部25將判斷於前準備步驟之後是否計畫了基板處理,亦即,於同一資源(於此,為處理單元SPIN8)中在前準備區塊之後是否配置了處理區塊(步驟S28)。如圖22所示,於處理單元SPIN8中,由於在前準備區塊之後配置了處理區塊(步驟S28:NO),故排程機能部25迴避步驟S29。其後,圖23所示基板A1、A2之排程係藉由處理實行指示部26所實行(步驟S23)。亦即,關於基板A1,係使較異常發生時之後所計畫之所有步驟中止,另一方面,關於基板A2,係進行初始(異常發生前)之排程。
如圖12所示,排程機能部25係判斷在既定時間為止前(例如圖20所示之變更前之排程結束預定時刻為止)異常是否被解除(步驟S24)。若於既定時間為止前基板處理裝置之異常解除(步驟S24:
YES),則排程機能部25變更實行中之排程(圖23所示排程),作成新的排程(步驟S26)。
具體而言,排程機能部25係配置因異常發生而被中斷之排程(於此,為圖21所示排程)中在異常發生時點並未開始的所有區塊。於圖21所示排程中,區塊A16~A112由於被計畫於較異常發生之後,故此等區塊A16~A112再次被配置於排程上(參照圖24及圖25)。又,因異常發生而被中斷之處理區塊A15之一部分,亦再次被配置於排程上(參照圖24及圖25)。
關於因異常發生而被中斷之前準備步驟,於異常發生時實行中之排程(圖21所示排程)中前準備處理被中斷的事實與呈中斷之前準備處理的內容,係比對至製程配方所記述之前準備實行條件,而進行被中斷之前準備處理之是否再配置的判斷(步驟S11)。然後,實行被中斷之前準備處理的再配置(步驟S12至S14)。其結果,如圖24所示,係因異常發生被中斷的前準備步驟被重置,依從初始開始前準備步驟之方式,使前準備區塊作為解除後前準備區塊而配置於處理單元SPIN7的空間。或者,如圖25所示,計畫成為僅使前準備區塊中因異常發生而實行中斷的部分,配置於處理單元SPIN7的空間,以作為解除後前處理區塊,並使前準備步驟再開。然後,在前準備步驟被中斷時,進行排程成為使前準備步驟由初始或中途所實行(步驟S14)。如此,因異常解除而變更排程,對基板處理裝置全體作成新的排程。
如圖12所示,作成圖24或圖25所示的新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此,為圖23所示排程)之實行是否因基板處理裝置之異常發生而中斷(步驟S22)。於此,設為
即刻前之排程實行並未因異常發生而中斷(步驟S22:NO),故處理實行指示部26開始依照圖24或圖25所示排程使基板處理裝置之資源開始作動(步驟S23)。然後,控制部21係在排程開始起至結束為止,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若基板處理裝置未發生異常,則排程不中途停止、實行至最後。藉此,基板A1、A2係經由所計畫之路徑、如計畫般進行處理。
圖26為表示依圖5所示流程所作成之用於處理3片基板A1、A2、A3(賦予了相同製程工件符號「A」的3片基板)之排程之一例的流程圖。於此排程變更例中,對應於製程工件A之製程配方中,指示為處理單元SPIN1、SPIN2被指定為並行處理單元,於處理單元SPIN1、SPIN2中實施前準備步驟。
如圖12所示,完成基板A1、A2、A3的排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程之實行是否因基板處理裝置之異常發生而中途停止(步驟S22)。於此,設為即刻前之排程並未中斷(步驟S22:NO)。因此,處理實行指示部26開始實行圖26所示排程使基板處理裝置之資源開始作動(步驟S23)。然後,控制部21係在排程開始起至結束為止,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若排程實行中未發生異常(步驟S24:NO),則排程實行至最後(步驟S25:YES)。另一方面,若排程實行中發生異常(步驟S24:YES),則排程機能部25變更實行中之排程(步驟S26)。
圖27表示於並行處理單元中之前準備步驟之實行中、
一者之處理單元發生異常的例子。更具體而言,表示了在處理單元SPIN1、SPIN2中實行前準備步驟時,於處理單元SPIN1發生基板搬送錯誤等之異常的例子。於此例子的情況,排程機能部25並未等待處理單元SPIN1之異常解除,將發生異常之處理單元SPIN1由並行處理單元排除於外。然後,排程機能部25係為了對原本計畫由處理單元SPIN1進行處理之基板A1及A3藉處理單元SPIN2進行處理,而將於異常發生時點尚未開始之基板A1、A2及A3之所有區塊再配置。具體而言,如圖27所示,區塊A14~A19係由於在異常發生時點尚未開始,故被再配置(參照圖28)。其後,如圖28所示,使用於基板A2之區塊A21~A29再配置。其後,如圖28所示,使用於基板A3之區塊A31~A39再配置。藉此,使排程變更為對原本計畫由處理單元SPIN1進行處理之基板A1及基板A3藉處理單元SPIN2進行處理,而對基板處理裝置全體作成新排程。
如圖12所示,在作成圖28所示之新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此,為基板A1之排程及基板A2之排程及基板A3之排程的任一者)之實行是否因異常發生被中斷(步驟S22)。於此,由於圖27所示基板A1之排程中斷(步驟S22:YES),故判斷於預定實行之基板A1、A2、A3之排程(於此,為圖28所示排程)中是否計畫了前準備步驟(步驟S27)。
如圖28所示,於處理單元SPIN1中,前準備步驟之剩餘步驟被計畫於較異常發生時之後(步驟S27:YES),故排程機能部25將判斷於前準備步驟之後是否計畫了基板處理,亦即,於同一資源(於此,為處理單元SPIN1)中在前準備區塊之後是否配置了處理區塊(步驟
S28)。如圖28所示,於處理單元SPIN1中,由於在前準備區塊之後未配置處理區塊(步驟S28:YES),故排程機能部25係如圖29所示般,於前準備區塊中將在較異常發生時之後所配置之部分消除,中斷前準備步驟(步驟S29)。然後,排程機能部25一併記憶中斷了前準備步驟之事實與呈中斷之前準備步驟的內容,或者使其記憶於記憶部23。
如圖28所示,於處理單元SPIN2中,由於前準備步驟之剩餘步驟被計畫於較異常發生時之後(步驟S27:YES),故排程機能部25將判斷於前準備步驟之後是否計畫了基板處理,亦即,於同一資源(於此,為處理單元SPIN2)中在前準備區塊之後是否配置了處理區塊(步驟S28)。如圖28所示,於處理單元SPIN2中,由於在前準備區塊之後配置了處理區塊(步驟S28:NO),故排程機能部25迴避步驟S29。其後,圖29所示基板A1、A2、A3之排程係藉由處理實行指示部26而開始(步驟S23)。
如圖12所示,排程機能部25係判斷在既定時間為止前(例如圖27所示之變更前之排程結束預定時刻為止)異常是否被解除(步驟S24)。若於既定時間為止前基板處理裝置之異常解除(步驟S24:YES),則排程機能部25變更實行中之排程(圖29所示排程),作成新的排程(步驟S26)。
圖30及31表示了在第2片基板A2由處理單元SPIN2進行處理的期間,在第3片基板A3由基板收容器C被搬出前,解除了異常的例子。此時,排程機能部25係使處理單元SPIN1回歸至並行處理單元,以藉處理單元SPIN1對第3片基板A3進行處理之方式,再配置基板A3的區塊A31~A39。
關於因異常發生而被中斷之於處理單元SPIN1的前準
備步驟,係如圖30所示,依從初始開始前準備步驟之方式,將前準備區塊作為解除後前準備區塊而配置於處理單元SPIN1的空間。或者如圖31所示,計畫成僅將前準備區塊中因異常發生而中斷實行之部分作為解除後前準備區塊而配置於處理單元SPIN1之空間,使前準備步驟再開。亦即,在基板處理裝置之異常解除時,於前準備實行條件中追加:異常發生時在實行中之排程(圖27所示排程)中前準備步驟是否被中斷。然後,在前準備步驟被中斷的情況,排程為由初始或中途實行前準備步驟(步驟S6)。如此,因異常解除而變更排程,對基板處理裝置全體作成新排程。
如圖12所示,在作成了圖30或圖31所示之新排程後(步驟S21:YES),排程機能部25係在處理實行指示部26依照其排程使基板處理裝置之資源作動前,判斷即刻前之排程(於此,為圖29所示排程)之實行是否因異常發生被中斷(步驟S22)。於此,由於即刻前之排程的實行並未因異常發生而中斷(步驟S22:NO),故處理實行指示部26開始圖30或圖31所示排程(步驟S23)。然後,控制部21係在排程開始起至結束為止,判斷基板處理裝置是否發生異常(步驟S24)。若基板處理裝置未發生異常,則排程中途不停止,實行至最後。藉此,基板A1、A2、A3經由所計畫之路徑、如計畫般進行處理。
如以上,本實施形態中,係以前準備步驟及基板處理步驟依此順序由共通之處理單元所進行的方式,藉控制部21作成排程。然後,於此排程的實行中,更具體而言,在前準備步驟開始至基板處理步驟開始前為止的期間,若控制部21檢測到基板處理裝置發生異常,則使由初始排程(圖13、圖20及圖26所示排程)所計畫之處理單元中的基板處理步驟的實行中止,亦即,由於異常發生時期為較基板
處理步驟開始之前,故使較異常發生之後所計畫之步驟的實行中止。
若基板處理裝置之異常解除,則控制部21以在初始排程所計畫之處理單元中依序進行解除後前準備處理步驟及基板處理步驟之方式,作成排程。解除後前準備處理步驟係與前準備處理步驟同樣地,為用於準備基板處理步驟的步驟。如上述般,異常之發生時期為前準備步驟開始之後,因此,於發生異常的時點,前準備步驟之全部或一部分已被實行。因此,在實行基板處理步驟前,於共通之處理單元中依序實行前準備步驟之全部或一部分、與解除後前準備步驟,用於準備基板處理步驟的2個步驟係間隔時間而實行。
如此,在基板處理裝置之異常解除時,控制部21係以在實行基板處理步驟前,重新實行用於準備基板處理步驟之步驟(解除後前準備步驟)的方式,作成排程。若發生基板處理裝置之異常至解除異常為止的期間、亦即進行前準備步驟之全部或一部分後至基板處理步驟開始前為止的期間較長,則前準備步驟所造成的效果薄弱,有處理單元之狀態由前準備步驟之剛實行後的狀態產生變化的情形。因此,藉由重新進行用於準備基板處理步驟的步驟,可抑制或防止基板之處理品質降低。藉此,可使基板之處理品質安定。
尤其本實施形態中,係以在基板處理步驟前實行屬於前準備步驟及解除後前準備步驟之一例的預配放步驟的方式,作成排程。藉由預配放步驟之實行雖然使由初始溫度經改變的處理液排出,但若自預配放步驟結束後至基板處理步驟開始為止的時間較長,則屬於用以吐出處理液之處理液噴嘴之一例的藥液噴嘴51內的藥液溫度將由初始溫度產生改變。同樣地,屬於處理液配管之一例的藥液配管53內的藥液溫度將由初始溫度產生改變。如上述般,若基板處理裝置之
異常解除,則控制部21以在基板處理步驟實行前,重新實行用於準備基板處理步驟之步驟(解除後前準備步驟)的方式,作成排程。因此,即使基板處理裝置之異常發生至解除異常為止的期間較長,仍可對基板供給目標溫度範圍內之溫度的藥液。藉此,可使基板之處理品質安定。
又,本實施形態中,係在前準備步驟之實行中基板處理裝置發生異常時,控制部21以不僅是基板處理步驟、在異常發生時之後所計畫的前準備步驟之剩餘步驟亦被中止的方式,作成排程。前準備步驟為用於準備基板處理步驟的步驟。儘管如此,若在基板處理步驟開始前發生異常,則初始排程所計畫之處理單元中的基板處理步驟被中止。因此,藉由以前準備步驟被中斷的方式由控制部21作成排程,則可防止有浪費之虞的步驟(前準備步驟之剩餘步驟)被實行的情形。因此,可抑制或防止基板處理裝置之運轉率降低。
另外,本實施形態中,控制部21係以在基板處理裝置之異常解除時,僅有於初始排程中在異常發生時之後所計畫的前準備步驟之剩餘步驟以初始排程所計畫之處理單元實行而作為解除後前處理步驟,其後,藉初始排程所計畫之處理單元實行基板處理步驟的方式,作成排程。因此,以因異常發生被中斷的前準備步驟實質上再開,實行包括前準備步驟之所有步驟的方式,作成排程。如此,由於僅實行前準備步驟之剩餘步驟作為解除後前準備步驟,故可迴避同一步驟進行複數次的情形。藉此,可抑制或防止基板處理裝置之運轉率降低。
又,本實施形態中,控制部21係以在基板處理裝置之異常解除時,前準備步驟所包含之所有步驟作為解除後前準備步驟而實行,其後,藉初始排程所計畫之處理單元實行基板處理步驟的方式,作成排程。亦即,以實質上前準備處理步驟由最初起再開,在實行相
當於前準備步驟之解除後前準備步驟後,實行基板處理步驟的方式,作成排程。因此,依用於實行基板處理步驟之準備充分完成的狀態下,開始基板處理步驟。藉此,可使基板之處理品質安定。
又,本實施形態中,若在初始排程所計畫之處理單元中開始基板處理步驟前,該處理單元發生異常,則控制部21於發生異常之處理單元以外檢索可實行基板處理步驟的處理單元。具體而言,在將規定對基板之處理條件及處理順序的製程配方中複數之處理單元指定為可實行基板處理步驟之並行處理單元時,控制部21將由並行處理單元中檢索可替代的處理單元。然後,在發現可替代之處理單元時,控制部21係以藉此處理單元實行基板處理步驟的方式作成排程。亦即,控制部21係選擇將基板搬送至此處理單元之搬送路徑、依照所選擇之路徑再度進行排程排定。藉此,由於可抑制基板處理之停滯,故可減低基板處理裝置之處理量(through put,每單位時間之基板處理片數)的減低。
以上雖針對本發明之數個實施形態進行了說明,但本發明亦可藉其他形態所實施。
例如,上述實施形態所示之基板處理裝置之構成或基板處理內容僅為一例,基板處理裝置可採用其他構成,且對其他之基板處理內容亦可應用本發明。
另外,上述實施形態中,雖針對發生異常時,中止前準備步驟之剩餘步驟、中斷前準備步驟的情況進行了說明,但亦可於異常發生後繼續前準備步驟、使前準備步驟實行至最後。
另外,上述實施形態中,雖針對實行前準備步驟時發生異常的例子進行了說明,但上述排程變更例亦可應用於前準備步驟結
束後至基板處理步驟開始前為止的期間發生異常的情況。
尚且,本實施形態中,後處理實行條件及前準備實行條件雖記述於製程配方中,但亦可於排程作成程式31中規定作為不依存於製造配方的資訊處理。
另外,程式30可依編入至電腦20之狀態而提供,亦可依記錄至與電腦20不同之記錄媒體(CD-ROM、DVD-ROM等可電腦讀取之記錄媒體)之狀態而提供。
又,亦可將上述所有實施形態中之2個以上加以組合。
本申請案係與於2013年6月20日向日本專利局提出之日本專利特願2013-129867號對應,且該等申請案之所有揭示內容均藉由引用而併入本文中。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明,但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例,本發明並不應限定於此等具體例而解釋,本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
IR‧‧‧分度機器人
CR‧‧‧主搬送機器人
SPIN1~12‧‧‧處理單元
A11~A19‧‧‧區塊
Claims (10)
- 一種排程作成方法,係用於以基板處理裝置所具備之控制部作成排程者,該排程係規定至少具備一個逐片處理基板之單片式處理單元之基板處理裝置的動作;其包含:第1步驟,係以由共通之上述處理單元,依下述預備處理步驟、下述基板處理步驟的順序進行的方式,由上述控制部作成排程者,該基板處理步驟係上述處理單元處理基板的步驟,該預備處理步驟係上述處理單元進行上述基板處理步驟之準備的步驟;第2步驟,係包含有在上述預備處理步驟開始至上述基板處理步驟開始前為止的期間,判斷於上述基板處理裝置是否發生異常的裝置異常判斷步驟;及在上述裝置異常判斷步驟中判斷為發生異常時,上述控制部中止由上述第1步驟所指定之上述處理單元的上述基板處理步驟之步驟;與第3步驟,係以由上述第1步驟所指定之上述處理單元,依下述解除後預備處理步驟、上述基板處理步驟的順序進行的方式,由上述控制部作成排程者,該解除後預備處理步驟係在解除了上述異常時,上述處理單元進行上述基板處理步驟之準備的步驟。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述第2步驟含有:在上述預備處理步驟之實行中,上述基板處理裝置發生異常時,由上述控制部中止於上述第1步驟所指定之上述處理單元中在上述異常發生時之後所計畫的上述預備處理步驟之剩餘步驟、與上述第1步驟所指定之上述處理單元中的上述基板處理步驟的步驟。
- 如申請專利範圍第2項之排程作成方法,其中,上述解除後預備處理步驟為僅實行在上述第1步驟所指定之上述處理單元中在上述異常 發生時之後所計畫的上述預備處理步驟之剩餘步驟的步驟。
- 如申請專利範圍第2項之排程作成方法,其中,上述解除後預備處理步驟為實行上述預備處理步驟所包含之所有步驟的步驟。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述第1步驟含有指定複數之上述處理單元的步驟;上述第2步驟含有:以在上述預備處理步驟開始至上述基板處理步驟開始前為止的期間,於上述第1步驟所指定之複數之上述處理單元之任一者發生異常時,將發生上述異常之上述處理單元所應實行之上述基板處理步驟,由與發生上述異常之上述處理單元相異的上述處理單元所實行的方式,由上述控制部作成排程的步驟。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述第3步驟含有:配合在上述基板處理裝置發生異常至解除該異常為止的經過時間,上述控制部變更上述解除後預備處理步驟之內容的步驟。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述預備處理步驟之內容係配合上述基板處理之內容而變更。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述處理單元含有:處理液噴嘴,吐出應供給至基板的處理液;處理液配管,將處理液引導至上述處理液噴嘴;與溫度調節裝置,調節上述處理液配管內所流通之處理液的溫度;上述預備處理步驟及解除後預備處理步驟係含有:藉由從上述處理液噴嘴吐出處理液,使上述處理液噴嘴及處理液配管之至少一者所殘留之處理液排出的預配放(pre-dispensing)步驟。
- 如申請專利範圍第1項之排程作成方法,其中,上述處理單元含有:洗淨液噴嘴,於上述處理單元之內部吐出洗淨液;與洗淨液配管, 將洗淨液引導至上述洗淨液噴嘴;上述預備處理步驟及解除後預備處理步驟含有:藉由從上述洗淨液噴嘴吐出洗淨液,而將上述處理單元之內部及配設於處理單元內部之零件之至少一者洗淨的洗淨步驟。
- 一種記錄媒體,係可電腦讀取者,其記錄了用於作成排程的電腦程式,該排程規定至少具備一個逐片處理基板之單片式處理單元之基板處理裝置之動作;其中,該記錄媒體記錄了用於使作為上述控制部之電腦實行申請專利範圍第1項之排程作成方法,而編入了步驟組的電腦程式。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013129867A JP6224359B2 (ja) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201513251A TW201513251A (zh) | 2015-04-01 |
TWI601226B true TWI601226B (zh) | 2017-10-01 |
Family
ID=52111532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103121169A TWI601226B (zh) | 2013-06-20 | 2014-06-19 | 基板處理裝置之排程作成方法及記錄排程作成程式之記錄媒體 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10409271B2 (zh) |
JP (1) | JP6224359B2 (zh) |
KR (2) | KR102040339B1 (zh) |
TW (1) | TWI601226B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2014-06-17 KR KR1020140073742A patent/KR102040339B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-19 TW TW103121169A patent/TWI601226B/zh active
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---|---|
JP6224359B2 (ja) | 2017-11-01 |
KR102285183B1 (ko) | 2021-08-02 |
KR102040339B1 (ko) | 2019-11-04 |
JP2015005613A (ja) | 2015-01-08 |
US20140379113A1 (en) | 2014-12-25 |
TW201513251A (zh) | 2015-04-01 |
KR20190125253A (ko) | 2019-11-06 |
US10409271B2 (en) | 2019-09-10 |
KR20140147722A (ko) | 2014-12-30 |
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