JP4018362B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、レジスト膜をマスクとしたドライエッチング等の処理によりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物等を除去液により除去する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造工程においては、半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニュウムや銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとしてエッチングすることによりパターン化するエッチング工程が実行される。そして、このエッチング工程において、微細な回路パターンを形成する場合には、RIE(Reactive Ion Etching/反応性イオンエッチング)等の、ドライエッチングが採用される。
【0003】
このようなドライエッチングで使用される反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜のエッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後続するレジスト除去工程では除去されないことから、レジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去する必要がある。
【0004】
このため、従来、ドライエッチング工程の後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積した反応生成物を除去する反応生成物の除去工程を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来、このような反応生成物の除去工程で使用される除去液としては、一般的に、常温で使用するものが使用されていた。しかしながら、近年、常温より高い温度で使用することにより、反応生成物の除去性能を高めた除去液が開発されている。
【0006】
そして、このような高温タイプの除去液を使用する際には、除去液の昇温機構を使用することにより、除去液を例えば摂氏50〜80度程度の温度まで昇温するとともに、除去液の温度を高い精度で管理している。すなわち、基板に供給される除去液の温度が変動すると、反応生成部部の除去処理を精度よく行うことは不可能となる。このため、基板に供給される除去液の温度が常に一定となるように、除去液の温度管理を行う必要がある。
【0007】
しかしながら、このような基板処理装置においては、最初のロットの基板を処理した後、次のロットの基板の処理を開始するまでの非処理時間の間、または、1枚の基板を処理した後、次の基板の処理を開始するまでの非処理時間の間に、除去液の昇温機構と基板表面に向けて除去液を吐出するための除去液吐出部との間の配管内等において除去液が冷却してしまい、反応生成物の除去処理を精度よく行えないという問題が生ずる。
【0008】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、反応生成物の除去処理を精度よく実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板に存在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給機構と、温度調整槽と、前記温度調整槽と連結され除去液を循環する循環路と、前記循環路を循環する除去液を加熱するヒータとを有し、前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液を、前記除去液吐出部に供給する前に所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるプリディスペンスを実行する制御機構とを備え、前記除去液供給機構は、前記循環路より分岐して前記除去液吐出部と循環路を連結する除去液供給管路と、当該除去液供給管路に配設される開閉弁とを備えるとともに、前記制御機構は、基板の処理時と前記プリディスペンス時とにおいて、除去液が前記循環路を循環している状態において前記開閉弁を開放することにより、前記除去液吐出部より除去液を吐出させることを特徴とする。
【0010】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記循環路は複数個設けられており、前記除去液供給管路は、そのうちの1つの循環路から分岐する。
【0011】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された除去液を、前記温度調整槽に回収する除去液回収機構を備える。
【0012】
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明において、前記制御機構は、さらに、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるオートディスペンス動作を実行する。
【0013】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前期制御機構は、基板の処理工程が終了してから一定の時間が経過したか否かを判定し、一定の時間が経過した時点で前記オートディスペンス動作を実行する。
【0014】
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5に記載の発明において、前記オートディスペンス動作は、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる。
【0015】
請求項7に記載の発明は、基板に存在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給機構と、温度調整槽と、前記温度調整槽と連結され除去液を循環する循環路と、前記循環路を循環する除去液を加熱するヒータとを有し、前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液を、前記除去液吐出部に供給する前に所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるオートディスペンス動作を実行する制御機構とを備え、前記除去液供給機構は、前記循環路より分岐して前記除去液吐出部と循環路を連結する除去液供給管路と、当該除去液供給管に配設される開閉弁とを備えるとともに、前記制御機構は、基板の処理時と前記オートディスペンス時とにおいて、除去液が前記循環路を循環している状態において前記開閉弁を開放することにより、前記除去液吐出部より除去液を吐出させることを特徴とする。
【0016】
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記循環路は複数個設けられており、前記除去液供給管路は、そのうちの1つの循環路から分岐する。
【0017】
請求項9に記載の発明は、請求項7または請求項8のいずれかに記載の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された除去液を、前記温度調整槽に回収する除去液回収機構を備える。
【0018】
請求項10に記載の発明は、請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の発明において、前期制御機構は、基板の処理工程が終了してから一定の時間が経過したか否かを判定し、一定の時間が経過した時点で前記オートディスペンス動作を実行する。
【0019】
請求項11に記載の発明は、請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の発明において、前記オートディスペンス動作は、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる。
【0020】
請求項12に記載の発明は、請求項7乃至請求項11のいずれかに記載の発明において、前記制御機構は、さらに、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるプリディスペンスを実行する。
【0021】
請求項13に記載の発明は、請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の発明において、前記有機物は、レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板の表面に生成された反応生成物である。
【0022】
請求項14に記載の発明は、請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の発明において、前記有機物は、レジストが変質して生じた反応生成物である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板としてのシリコン製半導体ウエハの表面から、反応性生成物としてのポリマーを除去処理するためのものである。
【0024】
ここで、上記薄膜は、例えば、銅やアルミニウム、チタン、タングステンなどの金属膜、またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜から構成される。
【0025】
また、この基板処理装置で使用する除去液としては、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMSO(ジメチルスルホキシド)、ヒドロキシルアミンなどの有機アルカリ液を含む液体、フッ酸、燐酸などの無機酸を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体等を使用することができる。また、その他の除去液として、1−メチル−2ピロリドン、テトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、2−(2アミノエトキシ)エタノール、カテコール、N−メチルピロリドン、アロマテイックジオール、テトラクロロエチレン、フェノールを含む液体などがあり、より具体的には、1−メチル−2ピロリドンとテトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとN−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、テトラクロロエチレンとフェノールとの混合液等を使用するようにしてもよい。
【0026】
図1はこの発明の第1実施形態に係る基板処理装置を模式的に示す概要図である。
【0027】
この基板処理装置は、基板処理部2と、温度調整槽3と、温度調整機構4と、除去液回収機構5とを備える。温度調整槽3は、薬液キャビネット100内に配置されている。また、基板処理部2は、処理キャビネット200内に配置されている。さらに、温度調整機構4と除去液回収機構5とは、薬液キャビネット100と処理キャビネット200とに亘って配置されている。
【0028】
基板処理部2は、反応生成物を除去するための除去液を基板Wの表面に供給して処理するためのものであり、モータ22の駆動により基板Wを保持した状態で回転するスピンチャック23と、回転する基板Wの表面に除去液を吐出するための除去液供給ノズル21と、電磁弁44と除去液供給ノズル21とを連結する除去液供給管路25と、除去液の飛散防止用カップ24と、除去液回収ポット26とを備える。
【0029】
この基板処理部2においては、電磁弁44を開放することにより、除去液供給ノズル21から、スピンチャック23に保持されて回転する基板Wの表面に、温度調整槽3において温度制御された除去液を供給する。基板Wの表面における金属膜の側壁に堆積したポリマー等の反応生成物は、除去液供給ノズル21から供給された除去液により除去される。
【0030】
温度調整槽3は、基板処理部2において基板Wに供給するための除去液を貯留するためのものである。この温度調整槽3には、除去液の供給部10から除去液が供給される。
【0031】
温度調整機構4は、温度調整槽3内の除去液を所定の温度まで昇温するためのものであり、ヒータ42と、循環ポンプ41と、薬液キャビネット100内で除去液を循環させる循環路43と、薬液キャビネット100から処理キャビネット200に亘って除去液を循環させる循環路45とを備える。温度調整槽3内の除去液は、循環ポンプ4の駆動で循環路43および45を循環する間に、ヒータ42の作用により所定の温度まで昇温される。
【0032】
除去液回収機構5は、基板Wの処理に供され飛散防止用カップ24により捕獲された除去液と、除去液供給ノズル21から除去液回収ポット26に向けて吐出された除去液とを回収するための除去液回収路11と、この除去液回収路11を介して回収した除去液を一時的に貯留する除去液貯留槽29と、この除去液貯留槽29内に一時的に貯留された除去液を管路28を介して回収するためのポンプ27とを備える。
【0033】
図2は上述した基板処理部2の構成を除去液貯留槽29等とともに示す側面概要図であり、図3は基板処理部2の構成を示す平面図である。なお、図2においては、基板処理部2の一部を断面で示している。
【0034】
除去液の飛散防止用カップ24は、断面が略コの字状で、平面視では中央部分に開口を有する略リング状の形状を有する。そして、この飛散防止用カップ24の底面には、除去液回収路11に連結する開口部13が形成されている。一方、除去液回収ポット26は、その上部が開放された円筒状の形状を有する。そして、この除去液回収ポット26の底面には、除去液回収路11に連結する開口部12が形成されている。
【0035】
一方、基板Wの表面に除去液を吐出するための除去液吐出部としての除去液供給ノズル21は、図3に示すモータ16の駆動により軸15を中心に回動可能なアーム14の先端部に配設されている。そして、この除去液供給ノズル21は、モータ16の駆動により、図2および図3において実線で示す供給位置と、図2および図3において二点鎖線で示す待機位置との間を往復移動する。
【0036】
ここで、前記供給位置は、除去液供給ノズル21がスピンチャック23に保持されて回転する基板Wの回転中心と対向することにより、除去液供給ノズル23から吐出された除去液が基板Wの表面に吐出される位置である。また、前記待機位置は、除去液供給ノズル21が除去液回収ポット26と対向することにより、除去液供給ノズル21から吐出された除去液が除去液回収ポット26内にに吐出される位置である。
【0037】
図4は、この基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【0038】
この基板処理装置は、論理演算を実行するCPU51と、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたROM52と、制御時にデータ等が一時的にストアされるRAM53とを有する制御部50を備える。この制御部50は、インターフェース54を介して、除去液供給ノズル21を供給位置と待機位置との間で往復移動させるためのモータ16と、基板Wを保持するスピンチャック23を回転駆動するためのモータ22と、除去液供給ノズル21から除去液を吐出させるための電磁弁44とに接続されている。
【0039】
次に、上述した基板処理装置により反応生成物の除去処理を行う場合の処理動作について説明する。
【0040】
上述した基板処理装置においては、電磁弁44から除去液供給ノズル21に至る除去液供給管路25内の除去液は循環していない。このため、最初のロットの基板を処理した後次のロットの基板Wの処理を開始するまでの非処理時間の間に、除去液供給管路25内の除去液の温度が設定温度より低くなる。このため、この実施形態に係る基板処理装置においては、基板Wに除去液を吐出する前に待機位置において除去液供給ノズル21から除去液回収ポット26に除去液を吐出するプリディスペンスと、基板Wの非処理時に待機位置において間欠的に除去液供給ノズル21から除去液回収ポット26に除去液を吐出するオートディスペンスとを実行している。
【0041】
図5は、プリディスペンスを行う際の基板処理装置における処理動作を示すフローチャートである。また、図6は、図5に示すフローチャートのサブルーチンとしての、オートディスペンスを行う際の基板処理装置における処理動作を示すフローチャートである。
【0042】
図5に示すフローチャートを参照して、基板処理装置により反応生成物の除去処理を実行する際には、先ず、サブルーチンとしての図6に示すオートディスペンスの実行フローをスタートさせる(ステップS11)。なお、このオートディスペンスの動作については後述する。
【0043】
次に、最初のロットの基板Wが搬入されたか否かを判断する(ステップS12)。
【0044】
最初のロットの基板Wが搬入されれば、プリディスペンスを実行する(ステップS13)。このプリディスペンスを実行する際には、除去液供給ノズル21を図2および図3において二点鎖線で示す待機位置に移動させた状態で、電磁弁44を開放する。これにより、循環路45を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズル21より吐出する。除去液吐出ノズル21より吐出した除去液は、除去液回収ポット26および除去液回収路11を介して除去液貯留槽29に一時的に貯留された後、ポンプ27の作用により温度調整槽3に回収される。
【0045】
このプリディスペンス動作を実行することにより、通常の状態では循環しておらず設定温度より低温となっている電磁弁44から除去液供給ノズル21に至る除去液供給管路25内の除去液が排出され、常に循環され設定温度となっている除去液が新たに除去液供給管25内に浸入する。なお、このプリディスペンス時には、除去液供給管路25の長さ等にもよるが、例えば、15秒程度継続して除去液を吐出するようにすればよい。
【0046】
この状態において、最初のロットの基板Wの処理を実行する(ステップS14)。この基板Wの処理を実行する際には、スピンチャック23により基板Wを高速回転させるとともに、除去液供給ノズル21を図2および図3において実線で示す供給位置に移動させた状態で、電磁弁44を開放する。これにより、循環路45を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズル21より吐出する。この基板Wの処理時には、基板Wは最初から設定温度まで昇温された除去液により処理される。このため、反応生成物の除去処理を精度よく実行することが可能となる。
【0047】
最初のロットの基板Wの処理が完了すれば、次に処理すべきロットの基板Wが搬送されるまで待機する(ステップS15)。この待機時においては、サブルーチンとしての図6に示すオートディスペンスが実行される。
【0048】
すなわち、基板Wの処理工程(ステップS14)が終了してから一定の時間が経過したか否かを判定する(ステップS21)。
【0049】
そして、一定の時間が経過した時点で、オートディスペンスを実行する(ステップS22)。このオートディスペンスを実行する際には、上述したプリディスペンスの場合と同様、除去液供給ノズル21を図2および図3において二点鎖線で示す待機位置に移動させた状態で、電磁弁44を開放する。これにより、循環路45を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズル21より吐出する。除去液吐出ノズル21より吐出した除去液は、除去液回収ポット26および除去液回収路11を介して除去液貯留槽29に一時的に貯留された後、ポンプ27の作用により温度調整槽3に回収される。
【0050】
このオートディスペンスは、一定時間毎、すなわち、間欠的に実行される。これにより、通常の状態では循環しておらず設定温度より低温となっている電磁弁44から除去液供給ノズル21に至る除去液供給管路25内の除去液が排出され、常に循環され設定温度となっている除去液が新たに除去液供給管25内に浸入する。
【0051】
除去液供給管25内で除去液が長時間停滞した場合には、除去液供給管25内の除去液のみならず除去液供給管25自体が低温となることから、上述したプリディスペンスを行っても、最初に基板Wに供給する除去液の温度が設定温度より低温となる現象が発生する可能性がある。しかしながら、このオートディスペンスを実行することにより、このような問題の発生を未然に防止することが可能となる。なお、このプリディスペンス時には、例えば、1時間毎に1回、15秒程度継続して除去液を吐出するようにすればよい。
【0052】
再度図5を参照して、全ての基板Wの処理が終了した場合には(ステップS15)、サブルーチンとしての図6に示すオートディスペンスの実行フローを終了した後、(ステップS16)、全体の処理を終了する。
【0053】
なお、上述した実施形態に係る基板処理装置においては、新たなロットの基板Wが搬入される度にプリディスペンスを実行しているが、1枚の基板Wを処理する度にプリディスペンスを実行するようにしてもよい。
【0054】
また、上述した実施形態に係る基板処理装置においては、オートディスペンスを一定時間毎、すなわち、間欠的に実行しているが、このオートディスペンスを連続的に実行してもよい。すなわち、基板Wを処理していない状態においては、除去液供給ノズル21を図2および図3において二点鎖線で示す待機位置に配置し、除去液を除去液吐出ノズル21から除去液回収ポット26に向けて連続的に吐出させるようにしてもよい。このような場合には、除去液吐出ノズルから吐出する除去液の流量を小さくするようにすることが好ましい。
【0055】
さらに、上述した実施形態に係る基板処理装置においては、オートディスペンスとプリディスペンスの両者を並行して実行しているが、これらの一方のみを実行するようにしてもよい。
【0056】
また、上述した実施形態に係る基板処理装置においては除去液供給ノズル21が基板Wの回転中心と対向する位置を除去液供給ノズル21の供給位置としているが、供給位置は除去液供給ノズル21が基板Wに除去液を供給できる位置であればどこでもよい。本実施形態に係る基板処理装置では例えば除去液供給ノズル21が基板Wに対向する位置であればどこでもよい。
【0057】
また、上述した実施形態に係る基板処理装置においては除去液供給ノズル21が除去液回収ポット26と対向する位置を除去液供給ノズル21の待機位置としているが、除去液供給ノズル21が除去液回収ポット26に除去液を吐出できる位置であればどこでもよい。
【0058】
また上述した実施形態に係る基板処理装置においては除去液供給ノズル21は回転する基板Wの回転中心と対向する位置に静止して除去液を吐出しているが、モータ16によって、アーム14を往復回動させ、前記基板Wの回転中心と基板Wの周縁とを通る円弧上にて除去液ノズル21を移動させながら除去液を吐出させてもよい。
【0059】
上記実施形態では、除去液や純水などの処理液が少なくとも基板Wの回転中心に供給されると共に、基板Wが回転するので基板に供給された液が基板Wの周辺にむら無く広がる。特に基板Wを水平に保持して回転した場合、基板W全面にむら無く液が供給されるので、均一な処理が実行できる。
【0060】
なお、上記実施形態では基板Wを回転させながら、少なくとも基板Wの回転中心に処理液を供給しているが、本発明は回転する基板Wに処理液を供給することに限られない。例えば、間欠的に回動または回転している基板Wの回転中心に処理液を供給してもよい。また、静止した状態の基板Wの中央に処理液を供給した後、基板Wを回動または回転させてもよい。この場合の回動または回転は連続的でも間欠的でもよい。
【0061】
なお、上記実施形態ではドライエッチング工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成されたポリマーを除去することを開示したが、本発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板から前記ポリマーを除去することに限定されるものではない。
【0062】
例えば、本発明はプラズマアッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限らない各種処理において、レジストに起因して生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
【0063】
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけを除去することに限定されるものではなく、レジストに由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
【0064】
また、本発明ではレジストに由来する反応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそのものを基板から除去する場合も含む。
【0065】
例えば、レジストが塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対して下層処理(例えば下層としての薄膜に対するエッチング処理)が施された基板を対象とし、下層処理が終了して、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
【0066】
なお、この場合、不要になったレジスト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物があればこれも同時に除去できるので、スループットが向上するとともに、コストを削減できる。例えば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は反応生成物も生成される。よって、ドライエッチング時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
【0067】
また、本発明はレジストに由来する反応生成物やレジストそのものを基板から除去することに限らず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質などを基板から除去することも含む。
【0068】
また、スピンチャック23は基板Wの面積よりも小さい面積で基板の裏面を吸着するバキュームチャックであり、基板Wの裏面のみと接触して基板Wを保持しているため、基板Wの表面全体、特に基板Wの表面の周辺部分にもまんべんなく液体が供給されるので処理における基板Wの面内均一性が確保できる。
【0069】
また、同じくスピンチャック23は基板Wの裏面のみと接触して基板Wを保持しているため、基板Wの周部分に接触するものは何も無い。よって、基板Wから液体を振り切るとき、液が基板Wから円滑に排出される。
【0070】
【発明の効果】
請求項1、請求項4、請求項5および請求項10に記載の発明によれば、除去液吐出部を供給位置に移動させて吐出部から基板に除去液を吐出する前に、待機位置において吐出部から除去液を吐出させるプリディスペンスを実行することから、所定の温度まで昇温された除去液により反応生成や有機物物の除去処理を実行することが可能となる。このため、反応生成物や有機物の除去処理を精度よく実行することが可能となる。
【0071】
請求項7および請求項12に記載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において待機しているときに、吐出部から除去液を吐出させるオートディスペンス動作を実行することから、基板に供給される除去液の温度が低下する現象を有効に防止して、所定の温度まで昇温された除去液により反応生成物や有機物の除去処理を実行することが可能となる。このため、反応生成物や有機物の除去処理を精度よく実行することが可能となる。
【0072】
請求項3および請求項9に記載の発明によれば、待機位置において除去液吐出部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有することから、除去液の無駄な消費を防止して除去液を有効に利用することが可能となる。
【0073】
請求項6および請求項11に記載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において待機しているときに吐出部から除去液を間欠的に吐出させることから、多量の除去液を使用することなく、基板に供給される除去液の温度が低下する現象を効率的に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の第1実施形態に係る基板処理装置を模式的に示す概要図である。
【図2】 基板処理部2の構成を除去液貯留槽29等とともに示す側面概要図である。
【図3】 基板処理部2の構成を示す平面図である。
【図4】 この基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図5】 プリディスペンスを行う際の基板処理装置における処理動作を示すフローチャートである。
【図6】 オートディスペンスを行う際の基板処理装置における処理動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
2 基板処理部
3 温度調整槽
4 温度調整機構
5 除去液回収機構
10 除去液の供給部
11 除去液回収路
12 開口部
13 開口部
14 アーム
16 モータ
21 除去液供給ノズル
22 モータ
23 スピンチャック
24 飛散防止用カップ
25 除去液供給管路
26 除去液回収ポット
27 ポンプ
28 回収路
29 除去液貯留槽
41 循環ポンプ
42 ヒータ
43 循環路
44 電磁弁
45 循環路
50 制御部
100 薬液キャビネット
200 処理キャビネット
W 基板
Claims (14)
- 基板に存在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給機構と、
温度調整槽と、前記温度調整槽と連結され除去液を循環する循環路と、前記循環路を循環する除去液を加熱するヒータとを有し、前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液を、前記除去液吐出部に供給する前に所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、
前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、
前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるプリディスペンスを実行する制御機構とを備え、
前記除去液供給機構は、前記循環路より分岐して前記除去液吐出部と循環路を連結する除去液供給管路と、当該除去液供給管路に配設される開閉弁とを備えるとともに、
前記制御機構は、基板の処理時と前記プリディスペンス時とにおいて、除去液が前記循環路を循環している状態において前記開閉弁を開放することにより、前記除去液吐出部より除去液を吐出させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記循環路は複数個設けられており、前記除去液供給管路は、そのうちの1つの循環路から分岐する基板処理装置。 - 請求項1または請求項2のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された除去液を、前記温度調整槽に回収する除去液回収機構を備える基板処理装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御機構は、さらに、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるオートディスペンス動作を実行する基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記制御機構は、基板の処理工程が終了してから一定の時間が経過したか否かを判定し、一定の時間が経過した時点で前記オートディスペンス動作を実行する基板処理装置。 - 請求項4または請求項5に記載の基板処理装置において、
前記オートディスペンス動作は、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる基板処理装置。 - 基板に存在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給機構と、
温度調整槽と、前記温度調整槽と連結され除去液を循環する循環路と、前記循環路を循環する除去液を加熱するヒータとを有し、前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液を、前記除去液吐出部に供給する前に所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、
前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、
前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるオートディスペンス動作を実行する制御機構とを備え、
前記除去液供給機構は、前記循環路より分岐して前記除去液吐出部と循環路を連結する除去液供給管路と、当該除去液供給管に配設される開閉弁とを備えるとともに、
前記制御機構は、基板の処理時と前記オートディスペンス時とにおいて、除去液が前記 循環路を循環している状態において前記開閉弁を開放することにより、前記除去液吐出部より除去液を吐出させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置において、
前記循環路は複数個設けられており、前記除去液供給管路は、そのうちの1つの循環路から分岐する基板処理装置。 - 請求項7または請求項8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された除去液を、前記温度調整槽に回収する除去液回収機構を備える基板処理装置。 - 請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前期制御機構は、基板の処理工程が終了してから一定の時間が経過したか否かを判定し、一定の時間が経過した時点で前記オートディスペンス動作を実行する基板処理装置。 - 請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記オートディスペンス動作は、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる基板処理装置。 - 請求項7乃至請求項11のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御機構は、さらに、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から設定温度より低温となっている除去液を吐出させるプリディスペンスを実行する基板処理装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記有機物は、レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板の表面に生成された反応生成物である基板処理装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記有機物は、レジストが変質して生じた反応生成物である基板処理装置。
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