TWI598538B - 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構 - Google Patents
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- TWI598538B TWI598538B TW104124895A TW104124895A TWI598538B TW I598538 B TWI598538 B TW I598538B TW 104124895 A TW104124895 A TW 104124895A TW 104124895 A TW104124895 A TW 104124895A TW I598538 B TWI598538 B TW I598538B
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 17
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K93/00—Floats for angling, with or without signalling devices
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
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Description
本發明係有關於一種可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構,尤指一種無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構。
發光二極體(LED)在各種電子產品與工業上的應用日益普及,發光二極體所需的能源成本遠低於傳統的白熱燈或螢光燈,這是傳統光源所無法能及的。發光二極體為一固態冷光源,通常會以晶片的型式存在,發光二極體晶片經過封裝之後的尺寸仍然非常輕巧,因此在電子產品體積日益輕薄短小的趨勢之下,發光二極體的需求也與日俱增。然而,傳統使用發光二極體晶片的發光二極體封裝結構都需要透過預先儲存的內建電源或外接電源,才能夠得到所需要的趨動電力。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構。
本發明其中一實施例所提供的一種無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其包括:一基板單元、一發光單元、及一升壓晶片。所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分
離一預定距離的正極導電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預定距離的負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;所述發光單元設置在所述承載基板上;所述升壓晶片設置在所述承載基板上且鄰近所述發光單元,其中所述發光單元與所述升壓晶片並聯或串聯設置。
本發明另外一實施例所提供的一種無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其包括:一基板單元及一發光二極體晶片。所述基板單元包括一承載基板、一正極導電引腳、及一負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;所述發光二極體晶片設置在所述承載基板上且電性連接於所述正極導電引腳與所述負極導電引腳。
本發明另外再一實施例所提供的一種無需使用預儲電源的可攜式發光裝置,其包括:一保護殼體、一預定液體、及一發光二極體封裝結構。所述保護殼體具有一第一容置空間、一第二容置空間、及一設置在所述第一容置空間及所述第二容置空間之間的隔離件;所述預定液體容置於所述第一容置空間內;所述發光二極體封裝結構容置於所述第二容置空間內,其中所述發光二極體封裝結構包括:一基板單元及一發光單元。所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分離一預定距離的正極導電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預定距離的負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;所述發光單元設置在所述承載基板上。
本發明的有益效果可以在於,本發明實施例所提供的無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構,其可通過“所述正極導電引腳與所述負極導電引腳同時接觸到所述預定液體以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定初始電壓的電力,所述電力的所述預定初始電壓通過所述升壓晶片的整流後以調升至一預定驅動電壓”或“所述正極導電引腳與所述負極導電引腳同時接觸到一預定液體以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定驅動電壓的電力”的設計,以使得至少一所述發光二極體晶片能通過所述預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,然而所附圖式僅提供參考與說明用,並非用來對本發明加以限制者。
D‧‧‧可攜式發光裝置
Z‧‧‧發光二極體封裝結構
P‧‧‧保護殼體
P11‧‧‧第一容置空間
P12‧‧‧第二容置空間
P13‧‧‧隔離件
1‧‧‧基板單元
10‧‧‧承載基板
11‧‧‧正極導電引腳
12‧‧‧負極導電引腳
2‧‧‧發光單元
20‧‧‧發光二極體晶片
3‧‧‧升壓晶片
4‧‧‧不透光絕緣框架
41‧‧‧包覆部
42‧‧‧環形反光部
R‧‧‧容置腔室
5‧‧‧透光封裝膠體
L‧‧‧預定液體
W1‧‧‧第一導電線
W2‧‧‧第二導電線
B1‧‧‧浮標
B2‧‧‧救生衣
圖1為本發明無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構的立體示意圖。
圖2為本發明無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構的上視示意圖。
圖3為圖2的A-A割面線的剖面示意圖。
圖4為本發明無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構應用於浮標的示意圖。
圖5為本發明無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構應用於救生衣的示意圖。
圖6為本發明無需使用預儲電源的可攜式發光裝置的隔離件被拉動前的示意圖。
圖7為本發明無需使用預儲電源的可攜式發光裝置的隔離件被拉動後的示意圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所揭露有關“無需
使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容瞭解本發明的優點與功效。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用,在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外,本發明的圖式僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所揭示的內容並非用以限制本發明的技術範疇。
請參閱圖1至圖3所示,本發明提供一種無需使用預儲電源(例如任何預先儲存的內建電源或外接電源)的發光二極體封裝結構Z,其包括:一基板單元1、一發光單元2、一升壓晶片3、一不透光絕緣框架4、及一透光封裝膠體5。
首先,配合圖1及圖2所示,基板單元1包括一承載基板10、一與承載基板10彼此分離一預定距離的正極導電引腳11、及一與承載基板10彼此分離一預定距離的負極導電引腳12,其中正極導電引腳11與負極導電引腳12之間具有一最佳化的最小間距範圍(約0.1毫米),以使得正極導電引腳11與負極導電引腳12在這最小間距範圍內所進行的氧化還原反應的效果最佳。
更進一步來說,正極導電引腳11可由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,並且負極導電引腳12可由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成。舉例來說,依據不同的設計需求,金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料可為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni)四者其中之一,金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料可為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一,然而本發明不以上述所舉的例子為限。
承上,值得一提的是,在另外一種可行的實施例中,負極導電引腳12也可以一體成型的方式連接於承載基板10,而只讓正極
導電引腳11與承載基板10彼此分離一預定距離。當然,相反的,正極導電引腳11也可以一體成型的方式連接於承載基板10,而只讓負極導電引腳12與承載基板10彼此分離一預定距離。因此,關於基板單元1的設計,可以依據不同的使用需求來進行變更,所以本發明不以上述所舉的例子為限。
再者,配合圖1至圖3所示,發光單元2包括至少一發光二極體晶片20或多個發光二極體晶片20(以下都以至少一發光二極體晶片20為例子來作說明)。另外,發光二極體晶片20直接被設置在承載基板10上,升壓晶片3也是直接被設置在承載基板10上且鄰近發光二極體晶片20,並且發光二極體晶片20與升壓晶片3會以並聯或串聯的方式電性連接於正極導電引腳11與負極導電引腳12之間。
舉例來說,配合圖2及圖3所示,發光二極體晶片20可通過兩個第一導電線W1的打線(wire-bonding)方式,以電性連接於正極導電引腳11與負極導電引腳12之間,並且升壓晶片3會通過兩個第二導電線W2,以電性連接於發光二極體晶片20。再者,另外一可行的實施例是,將發光二極體晶片20及升壓晶片3的位置對調,如此的話,升壓晶片3可通過兩個第一導電線W1,以電性連接於正極導電引腳11與負極導電引腳12之間,並且發光二極體晶片20可通過兩個第二導電線W2,以電性連接於升壓晶片3。值得一提的是,發光二極體晶片20亦可不需通過兩個第一導電線W1,而是改成通過錫球的覆晶(flip-chip)方式,以電性連接於正極導電引腳11與負極導電引腳12之間。因此,不管是使用上述何種方式,只要能夠使得發光二極體晶片20與升壓晶片3以並聯的方式電性連接於正極導電引腳11與負極導電引腳12之間,都在本發明所保護的範疇內。
此外,配合圖1至圖3所示,不透光絕緣框架4包括一包覆部41及一環形反光部42。承載基板10的一部分、正極導電引腳
11的一部分、及負極導電引腳12的一部分都被包覆部41所包覆,藉此以固定承載基板10、正極導電引腳11、及負極導電引腳12之間的距離,並且承載基板10的其餘部分、正極導電引腳11的其餘部分、及負極導電引腳12的其餘部分則都會裸露在包覆部41的外部。另外,環形反光部42設置在包覆部41上且環繞發光二極體晶片20及升壓晶片3,並且透光封裝膠體5被填充在一被環形反光部42所圍繞的容置腔室R(如圖3所示)內,藉以包覆發光二極體晶片20及升壓晶片3。舉例來說,不透光絕緣框架4及透光封裝膠體5可以使用矽膠或環氧樹脂。
藉此,當正極導電引腳11與負極導電引腳12同時接觸到一預定液體L(例如一般的水或含有電解質的水)以進行氧化還原反應時,本發明即可產生一具有一預定初始電壓的電力。另外,電力的預定初始電壓會通過升壓晶片3的整流後以調升至一預定驅動電壓,所以發光二極體晶片20將可通過預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
舉例來說,本發明可以採用鋁(Al)來作為金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料,採用銅(Cu)來作為金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料,並且採用可產生紅色光源的發光二極體晶片20來作為發光單元2。當正極導電引腳11與負極導電引腳12同時接觸到一預定液體L以進行氧化還原反應時,即可產生具有大約0.6V的電力。然後,具有大約0.6V的電力會通過升壓晶片3以調升至大約1.8V的驅動電壓,所以發光二極體晶片20將可通過大約1.8V的驅動電壓的驅動以提供一紅色的指示光源。然而,本發明不以上述所舉的例子為限。
值得一提的是,發光二極體封裝結構Z可以依據不同的需求以應用在不同的物體上。舉例來說,發光二極體封裝結構Z可以應用在浮標B1上(如圖4所示),或是救生衣上(如圖5所示)。
請參閱圖2、圖6及圖7所示,本發明還提供一種無需使用預
儲電源的可攜式發光裝置D,其包括:一保護殼體P、一預定液體L、及一發光二極體封裝結構Z。保護殼體P具有一第一容置空間P11、一第二容置空間P12、及一設置在第一容置空間P11及第二容置空間P12之間的隔離件P13。預定液體L容置於第一容置空間P11內。發光二極體封裝結構Z容置於第二容置空間P12內,並且發光二極體封裝結構Z包括:一基板單元1、一發光單元2、一升壓晶片3、一不透光絕緣框架4、及一透光封裝膠體5。
藉此,當隔離件P13被移動時(例如,如圖6所示,隔離件P13被往外拉動),第一容置空間P11及第二容置空間P12會彼此相連通,以使預定液體L從第一容置空間P11流到第二容置空間P12。當正極導電引腳11與負極導電引腳12同時接觸到一預定液體L(例如一般的水或含有電解質的水,如海水或雨水)以進行氧化還原反應時,本發明即可產生一具有一預定初始電壓的電力。另外,電力的預定初始電壓會通過升壓晶片3的整流後以調升至一預定驅動電壓,所以發光二極體晶片20將可通過預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
〔實施例的可行功效〕
綜上所述,本發明的有益效果可以在於,本發明實施例所提供的無需使用預儲電源的可攜式發光裝置D及其發光二極體封裝結構Z,其可通過“正極導電引腳11與負極導電引腳12同時接觸到預定液體L以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定初始電壓的電力,且電力的預定初始電壓通過升壓晶片3的整流後以調升至一預定驅動電壓”或“正極導電引腳11與負極導電引腳12同時接觸到一預定液體L以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定驅動電壓的電力”的設計,以使得發光二極體晶片20能通過預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例,非因此侷限本發明的專利範圍,故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技
術變化,均包含於本發明的保護範圍內。
Z‧‧‧發光二極體封裝結構
1‧‧‧基板單元
10‧‧‧承載基板
11‧‧‧正極導電引腳
12‧‧‧負極導電引腳
2‧‧‧發光單元
20‧‧‧發光二極體晶片
3‧‧‧升壓晶片
4‧‧‧不透光絕緣框架
41‧‧‧包覆部
42‧‧‧環形反光部
5‧‧‧透光封裝膠體
W1‧‧‧第一導電線
W2‧‧‧第二導電線
Claims (9)
- 一種無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其包括:一基板單元,所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分離一預定距離的正極導電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預定距離的負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;一發光單元,所述發光單元設置在所述承載基板上;以及一升壓晶片,所述升壓晶片設置在所述承載基板上且鄰近所述發光單元,其中所述發光單元與所述升壓晶片並聯或串聯設置。
- 如請求項1所述之無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其中金屬氧化還原電位屬於正電位的所述第一預定材料為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni)四者其中之一,金屬氧化還原電位屬於負電位的所述第二預定材料為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一,其中所述正極導電引腳與所述負極導電引腳同時接觸到一預定液體以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定初始電壓的電力,所述電力的所述預定初始電壓通過所述升壓晶片的整流後以調升至一預定驅動電壓,所述發光單元通過所述預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
- 如請求項1所述之無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其中所述發光單元包括一發光二極體晶片。
- 如請求項3所述之無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其中所述升壓晶片通過兩個第一導電線以電性連接於所述正極導電引腳與所述負極導電引腳,所述發光二極體晶片通過兩 個第二導電線以電性連接於所述升壓晶片。
- 如請求項3所述之無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,還進一步包括:一不透光絕緣框架及一透光封裝膠體,其中所述不透光絕緣框架包括一用於包覆所述承載基板的一部分、所述正極導電引腳的一部分、及所述負極導電引腳的一部分的包覆部及一設置在所述包覆部上且環繞所述發光二極體晶片及所述升壓晶片的環形反光部,且所述透光封裝膠體被填充在一被所述環形反光部所圍繞的容置腔室內。
- 一種無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其包括:一基板單元,所述基板單元包括一承載基板、一正極導電引腳、及一負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;一發光二極體晶片,所述發光二極體晶片設置在所述承載基板上且電性連接於所述正極導電引腳與所述負極導電引腳;以及一不透光絕緣框架及一透光封裝膠體,其中所述不透光絕緣框架包括一用於包覆所述承載基板的一部分、所述正極導電引腳的一部分、及所述負極導電引腳的一部分的包覆部及一設置在所述包覆部上且環繞所述發光二極體晶片的環形反光部,且所述透光封裝膠體被填充在一被所述環形反光部所圍繞的容置腔室內。
- 如請求項6所述之無需使用預儲電源的發光二極體封裝結構,其中金屬氧化還原電位屬於正電位的所述第一預定材料為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni)四者其中之一,金屬氧化還原電位屬於負電位的所述第二預定材料為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一,其中所述正極導電引 腳與所述負極導電引腳同時接觸到一預定液體以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定驅動電壓的電力,所述發光二極體晶片通過所述預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
- 一種無需使用預儲電源的可攜式發光裝置,其包括:一保護殼體,所述保護殼體具有一第一容置空間、一第二容置空間、及一設置在所述第一容置空間及所述第二容置空間之間的隔離件;一預定液體,所述預定液體容置於所述第一容置空間內;以及一發光二極體封裝結構,所述發光二極體封裝結構容置於所述第二容置空間內,其中所述發光二極體封裝結構包括:一基板單元,所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分離一預定距離的正極導電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預定距離的負極導電引腳,其中所述正極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於正電位的第一預定材料所製成,所述負極導電引腳由一金屬氧化還原電位屬於負電位的第二預定材料所製成;以及一發光單元,所述發光單元設置在所述承載基板上。
- 如請求項8所述之無需使用預儲電源的可攜式發光裝置,還進一步包括:一升壓晶片、一不透光絕緣框架、及一透光封裝膠體,其中所述升壓晶片設置在所述承載基板上且鄰近所述發光單元,其中所述發光單元與所述升壓晶片以並聯或串聯的方式電性連接於所述正極導電引腳與所述負極導電引腳,其中所述不透光絕緣框架包括一用於包覆所述承載基板的一部分、所述正極導電引腳的一部分、及所述負極導電引腳的一部分的包覆部及一設置在所述包覆部上且環繞所述發光單元及所述升壓晶片的環形反光部,且所述透光封裝膠體被填充在一被所述環形反光部所圍繞的容置腔室內,以包覆所述發光單元及所述升壓晶片,其中當所述隔離件被移動時,所述第一容置空間及所 述第二容置空間會彼此相連通,以使所述預定液體從所述第一容置空間流到所述第二容置空間,其中所述正極導電引腳與所述負極導電引腳同時接觸到所述預定液體以進行氧化還原反應,藉此以產生一具有一預定初始電壓的電力,所述電力的所述預定初始電壓通過所述升壓晶片的整流後以調升至一預定驅動電壓,所述發光單元通過所述預定驅動電壓的驅動以提供一指示光源。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104124895A TWI598538B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構 |
CN201510679145.3A CN106409821B (zh) | 2015-07-31 | 2015-10-19 | 无需使用预储电源的发光装置及其发光二极管封装结构 |
US15/000,291 US10084123B2 (en) | 2015-07-31 | 2016-01-19 | Portable light-emitting device without pre-stored power sources and LED package structure thereof |
JP2016042277A JP6148749B2 (ja) | 2015-07-31 | 2016-03-04 | 予備電源を使用する必要のない携帯型発光装置及びその発光ダイオード封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104124895A TWI598538B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201704691A TW201704691A (zh) | 2017-02-01 |
TWI598538B true TWI598538B (zh) | 2017-09-11 |
Family
ID=57886658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104124895A TWI598538B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10084123B2 (zh) |
JP (1) | JP6148749B2 (zh) |
CN (1) | CN106409821B (zh) |
TW (1) | TWI598538B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108477093A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-09-04 | 宋军 | 一种电池及电浮漂 |
JP2022065296A (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-27 | トライポッド・デザイン株式会社 | 照明装置及び照明方法 |
US20230116053A1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-04-13 | International Business Machines Corporation | Device integration using carrier wafer |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5125510Y2 (zh) * | 1973-06-28 | 1976-06-29 | ||
JPS5125510A (zh) | 1974-08-29 | 1976-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS55117396U (zh) | 1979-02-15 | 1980-08-19 | ||
JPH05226699A (ja) | 1992-02-17 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 発光素子 |
JPH07335914A (ja) | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2001111111A (ja) | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
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JP2006019594A (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
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US7448347B2 (en) * | 2005-12-16 | 2008-11-11 | Simon Nicholas Richmond | Illuminated hummingbird feeder |
US7186016B2 (en) * | 2005-01-26 | 2007-03-06 | Chzh-Lin Jao | LED-type wall lamp with decorative liquid |
JP4924090B2 (ja) | 2007-02-23 | 2012-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2008111504A1 (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Nichia Corporation | 高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ |
US8111001B2 (en) | 2007-07-17 | 2012-02-07 | Cree, Inc. | LED with integrated constant current driver |
TWM346588U (en) * | 2007-10-19 | 2008-12-11 | Jin-Sheng Yang | Water lamp container |
CN101459212B (zh) * | 2007-12-11 | 2011-06-22 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 固态发光器件 |
CN101224089A (zh) * | 2008-02-04 | 2008-07-23 | 尼古拉斯·斯温·贝迪·丹尼尔森 | 一种内设照明指示灯的电热容器 |
CN102694188A (zh) * | 2011-03-25 | 2012-09-26 | 扬光绿能股份有限公司 | 氢气供电模块及救生装置 |
KR20140041243A (ko) * | 2012-09-27 | 2014-04-04 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 패키지 기판 |
WO2014054664A1 (en) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device |
CN104919642B (zh) | 2013-01-11 | 2018-03-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备充电方法 |
US20140268660A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Chin-Sheng Yang | Night light |
US9698314B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-07-04 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
KR102031967B1 (ko) * | 2013-05-07 | 2019-10-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102306495B1 (ko) | 2013-12-04 | 2021-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전체 및 전자 기기 |
KR101557942B1 (ko) * | 2014-01-08 | 2015-10-12 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
-
2015
- 2015-07-31 TW TW104124895A patent/TWI598538B/zh active
- 2015-10-19 CN CN201510679145.3A patent/CN106409821B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-19 US US15/000,291 patent/US10084123B2/en active Active
- 2016-03-04 JP JP2016042277A patent/JP6148749B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106409821A (zh) | 2017-02-15 |
CN106409821B (zh) | 2019-07-05 |
JP6148749B2 (ja) | 2017-06-14 |
JP2017034221A (ja) | 2017-02-09 |
TW201704691A (zh) | 2017-02-01 |
US10084123B2 (en) | 2018-09-25 |
US20170033270A1 (en) | 2017-02-02 |
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