TWI595404B - 電磁感應方式之感測器、電磁感應方式之感測器用包覆構件及電磁感應方式之感測器製法 - Google Patents

電磁感應方式之感測器、電磁感應方式之感測器用包覆構件及電磁感應方式之感測器製法 Download PDF

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Description

電磁感應方式之感測器、電磁感應方式之感測器用包覆構件及電磁感應方式之感測器製法
本發明，係有關於電磁感應方式之感測器、電磁感應方式之感測器用包覆構件及電磁感應方式之感測器製法。
被與筆型之位置指示器一同作使用的電磁感應方式之位置檢測裝置，係隨著被稱為所謂平板終端或PAD型攜帶終端乃至於PDA(Personal Digital Assistants)之攜帶型資訊裝置的普及，而成為廣泛地普及。而，伴隨此些之電子機器的薄型化，在電磁感應方式之位置檢測裝置中所使用的電磁感應方式之感測器亦係日益薄型化。
另外，電磁感應方式之感測器，係藉由與筆型之位置指示器作電磁結合，而檢測出位置指示器之指示位置。因此，位置指示器，係具備有由用以與感測器之間 作電磁結合之線圈和電容器所成之共振電路。又，電磁感應方式之感測器，係具備有與位置指示器之共振電路作電磁結合的線圈群。
而，電磁感應方式之感測器，例如係如同在專利文獻1(日本特開2009-3796號公報)中所記載一般，藉由在感測基板上被覆設置被稱作磁路板之電磁遮蔽構件，而構成之。電磁遮蔽構件，係在感測器和位置指示器之間的電磁結合中，達成能夠將從感測器所發生之磁通量盡可能無漏洩地作利用之功能、和達成感測器之與外部間的電磁遮罩之功能。
感測器，係在接收由位置指示器所致之位置指示的輸入之檢測區域中，藉由與位置指示器作電磁結合，而檢測出位置指示器之指示位置。位置指示器之檢測區域，例如係被設為矩形區域，藉由位置指示器所指示了的位置，係作為X軸方向(橫方向)以及Y軸方向(縱方向)之2維平面座標而被檢測出來。
於圖9中，對先前技術之感測器的構成作展示。構成感測器1之感測基板10，係如圖9(A)中所示一般，在例如由PET(polyethylene terephthalate)所成之絕緣基板11的其中一面側配置有X軸方向迴圈線圈群12，並在另外一面側配置有Y軸方向迴圈線圈群13。又，在圖9(A)之力中，感測基板10，係以將X軸方向迴圈線圈群12之全體作覆蓋的方式，而形成有例如由PET薄膜所成之表面薄片(包覆構件)14，並且係以將Y 軸方向迴圈線圈群13之全體作覆蓋的方式，而形成有保護薄片(包覆構件)15。
於此，包覆層，係為用以將被形成在感測基板10等之印刷配線基板的外側表面上之導體圖案作全面性或部分性覆蓋而作包覆所使用的絕緣材料之層(出處：「電子電路用語」，JPCA-TD01-2008，財團法人日本電子電路工業會)。另外，在本說明書中，係將包含有包覆層而一體性地被與感測基板(後述之感測基板本體)作接合並構成感測器之構件，稱作包覆構件。
構成表面薄片14之包覆構件以及構成保護薄片15之包覆構件，例如係在身為絕緣材料之PET薄膜的其中一面側塗布接著材(省略圖示)而構成之。之後，藉由該接著材，而以使包覆構件將X軸方向迴圈線圈群12以及Y軸方向迴圈線圈群13之各者作覆蓋的方式來被覆在感測基板10上。藉由被覆有由包覆構件所成之表面薄片14以及保護薄片15，而完成感測基板10。於此例中，位置指示器，係以從表面薄片14之側來對於感測基板10進行位置指示輸入的方式，而構成之。
接著，被稱作磁路板之電磁薄片構件2，係如圖9(B)中所示一般，具備有構成磁路材之第1層21、和用以進行電磁遮蔽之第2層22。構成磁路材之第1層21，係如同上述一般，關連於所授受之電磁波而產生相對於藉由迴圈線圈群12或13之迴圈線圈所產生的交流磁場之磁路，並藉由此而防止所產生了的磁通量之輻散，基於 此，而使作為電磁感應方式之感測器1的相對於位置指示器之檢測感度提昇。又，用以進行電磁遮蔽之第2層，係達成防止交流磁場輻射至電磁感應方式之感測器1的保護薄片15側之外部處的功能，並且用以成為不會使從保護薄片側之外部而來的電磁波作為相對於如同上述一般地而在表面薄片14側進行授受之電磁波的雜訊而混入。
作為第1層21，係為具備有高磁導率者，基於最近之電磁感應方式之感測器的薄型化之要求，在先前技術中，係使用高導磁金屬或矽鋼板等之磁性鐵板，特別是，最近係將磁導率為1000(H/m)一般之非常大的磁導率並且能夠設為更薄、例如設為25μ一般的非晶質合金，使用來作為磁路材之第1層21。又，第2層22，係為非磁性體，並且係為具有高導電性之金屬材料，於此例中，係藉由鋁來構成。
另外，非晶質合金，由於電阻係為極低，因此，係會產生與被施加於由第1層21所成之磁路材處的磁通量相對應之渦電流。此渦電流，係會以將被施加了的磁場抵消的方式而起作用。然而，具備有高磁導率之非晶質合金，就算是考慮到起因於渦電流之產生所導致的缺點，全體而言亦仍能夠發揮作為磁路板之高性能，因此，至今為止，作為構成第1層21之磁路材，係使用非晶質合金。
又，電磁薄片構件2，係如同下述一般而構成：亦即是，在構成保護層之PET薄膜23上，被被覆有 作為第2層22之鋁層，並且，在此由鋁所成之第2層22之上，係被形成有由非晶質合金所成之第1層21。而，在電磁薄片構件2處，係於由非晶質合金所成之第1層21上，被塗布有接著材層24。
而後，藉由對於感測基板10之保護薄片15而接著電磁薄片構件2之接著材層24，如圖10中所示一般，係對於感測基板10而被覆有電磁薄片構件2，並構成電磁感應方式之感測器1。如此這般，在先前技術中，感測基板10和電磁薄片構件2係分別相互獨立地而形成，並藉由相互作被覆而構成電磁感應方式之感測器1。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-3796號公報
如同上述一般，在先前技術中，作為構成電磁薄片構件2之磁路材，係基於具有高磁導率並且能夠設為薄的特徵，而使用非晶質合金。此非晶質合金，係為非常硬，而並不容易切斷。又，身為非結晶構造之非晶質合金，係起因於製造上的困難，而導致特性之參差係為大。於先前技術中，此一磁路材之特性的參差，在謀求電磁感應方式之感測器1處的由位置指示器所致之指示位置的座 標之檢測精確度之提昇一事上，係成為很大的阻礙。
又，起因於上述一般之非晶質合金的特質，在先前技術中，係不得不採用下述的手段：亦即是，以使特性之參差變少的方式來選擇非晶質合金，並藉由特殊之工具來將其切斷為與應被覆在感測基板10上之形狀相合致的既定形狀，再進而被覆被被覆在保護層23處之由鋁所成的第2層22，而將電磁薄片構件2與感測基板10作為相獨立之構件來預先形成。
另一方面，如圖10中所示一般，感測基板10，係亦包含有導線部等地而預先整形為既定之最終形狀。之後，對於此被整形為既定之最終形狀的感測基板10，而將配合於應被覆在感測基板10上之形狀來作了整形的作為其他構件所構成之具有非晶質合金層21的電磁薄片構件2，進行對位並藉由接著材層24來作貼合。
亦即是，在先前技術中，係考慮到非晶質合金之切斷的困難性和特性之參差，而有必要先分別預先準備感測基板10和電磁薄片構件2，並藉由進行將該些作了整形的感測基板10與電磁薄片構件2正確地作對位並進行貼合之工程，而形成電磁感應方式之感測器1。
然而，上述之將感測基板10和電磁薄片構件2作貼合的工程之存在，係對於電磁感應方式之感測器的量產化造成很大的阻礙。
本發明，係有鑑於上述事態，而以提供一種：能夠克服電磁感應方式之感測器之製造上的困難，並 且能夠謀求在電磁感應方式之感測器處的由位置指示器所致之指示位置的座標之檢測精確度的提升一事，作為目的。
為了解決上述課題，第1發明，係提供一種電磁感應方式之感測器，其係被與位置指示器一同作使用，並具備有用以與前述位置指示器作電磁結合之線圈，其特徵為：具備有感測基板本體，其係具有絕緣基板，並在前述絕緣基板之藉由前述位置指示器而被作位置指示之側的第1面側處被貼合有表面薄片，且在前述絕緣基板之與前述第1面相反側之第2面上被形成有構成前述線圈之導體的至少一部分，在該感測基板本體之前述第2面側處，係被覆有至少具備磁性粉材料層之包覆構件。
在上述之構成的發明中，作為磁路材，係使用磁性粉材料。又，此磁性粉材料，係被包含於包覆構件中，該包覆構件，係為用以將感測基板本體之被形成有用以與位置指示器作電磁結合之線圈的至少一部分之第2面側作覆蓋者。而，藉由使此包覆構件被被覆在感測基板本體之第2面側處，而構成電磁感應方式之感測器。
亦即是，在本發明中，係並非為如同先前技術一般之將電磁感應方式的感測器和磁路材作為相互獨立之構件而構成並將兩者作事後性之接著的構成，而是使磁路材成為感測器之包覆構件的一部分來一體性地構成為感 測器處。
能夠採用此種構成的理由，係在於作為磁路材而使用了由磁性粉材料所成之磁性粉材料層之故。亦即是，磁性粉材料層，相較於先前技術之非晶質合金層等，其硬度係為小，而切斷係為容易。因此，若依據本發明，則係能夠在將至少具備有磁性粉材料層之包覆構件被覆於感測基板本體上之後，再藉由切刀來容易地模切切斷為所期望之形狀，製造係變得容易，且量產性亦提昇。
又，使用有磁性粉材料之磁性粉材料層，係容易以不會存在有特定之參差的方式來構成之。因此，若依據由本發明所致之電磁感應方式之感測器，則係能夠謀求由位置指示器所致之指示位置的座標之檢測精確度的提升。
又，磁性粉材料，係並非為如同非晶質合金一般之低阻抗的良導體，而能夠藉由與樹脂相混合來成為高阻抗之非導體，因此，係能夠將感測基板本體之第2面側和磁性粉材料層之間的絕緣體層省略，而直接性地將磁性粉材料層被覆在感測基板本體之第2面側處。於此情況，感測基板本體之第2面側和磁性粉材料層之間的絕緣體層係成為不必要，而能夠將厚度作相應之量的減薄。
若依據本發明，則係能夠提供一種：能夠克服製造上的困難，並且能夠謀求由位置指示器所致之指示 位置的座標之檢測精確度的提升之電磁感應方式之感測器。
又，由本發明所致之電磁感應方式之感測器，由於係亦包含磁路材地而一體性地被構成，因此，係能夠將當分別構成感測基板和磁路材並將兩者作接合的情況時之接著材層和不必要的包覆層省略，故而，係亦有著能夠維持為薄之特徵。
3、3’、5‧‧‧感測器
31‧‧‧感測基板本體
32、32’、32A、32B、32C、32D、32E‧‧‧包覆構件
311‧‧‧絕緣基板
312‧‧‧X軸方向迴圈線圈群導體
313‧‧‧Y軸方向迴圈線圈群導體
314‧‧‧表面薄片
323、327、327A、327B、327D、327E‧‧‧磁性粉材料層
324‧‧‧電磁遮蔽層
[圖1]用以對於由本發明所致之電磁感應方式之感測器的實施形態之構造作說明之剖面圖。
[圖2]用以對於使用有電磁感應方式之感測器的位置檢測電路作說明之圖。
[圖3]用以對於構成由本發明所致之電磁感應方式之感測器的包覆構件之重要部分作說明之圖。
[圖4]用以對於構成由本發明所致之電磁感應方式之感測器的包覆構件之重要部分作說明之圖。
[圖5]用以對於由本發明所致之電磁感應方式之感測器的實施形態之製法的其中一例作說明之圖。
[圖6]用以對於構成由本發明所致之電磁感應方式之感測器的實施形態之包覆構件的其他例作說明之圖。
[圖7]用以對於由本發明所致之電磁感應方式之感測 器的其他實施形態之構造作說明之剖面圖。
[圖8]用以對於由本發明所致之電磁感應方式之感測器的又一其他實施形態之構造的一部分作說明之剖面圖。
[圖9]用以對於先前技術之電磁感應方式之感測器的構造之其中一例作說明之剖面圖。
[圖10]用以對於先前技術之電磁感應方式之感測器的製法之例作說明之圖。
以下，參考圖面，對於由本發明所致之電磁感應方式之感測器的實施形態及其製法的實施形態作說明。
〔第1實施形態〕
圖1，係為對於由本發明所致之電磁感應方式之感測器的第1實施形態之構成例作展示的剖面圖。此第1實施形態之電磁感應方式之感測器3，係由如圖1(A)中所示之感測基板本體31和圖1(B)中所示之包覆構件32所成，並藉由在感測基板本體31上被覆包覆構件32而一體性地構成(參考圖1(C))。
感測基板本體31，係如圖1(A)中所示一般，在例如由PET所成之絕緣基板311的其中一面側配置有X軸方向迴圈線圈群導體312，並在與前述其中一面相對向之另外一面側配置有Y軸方向迴圈線圈群導體 313。又，在圖1(A)之例中，係以將X軸方向迴圈線圈群導體312之全體作覆蓋的方式，而被被覆形成有例如由PET薄膜所成之表面薄片(包覆層)314。位置指示器，係以從表面薄片314之側來對於感測基板本體31進行位置指示輸入的方式，而構成之。
參考圖2，針對藉由被設置在此感測基板本體31處之X軸方向迴圈線圈群導體312以及Y軸方向迴圈線圈群導體313來檢測出以位置指示器所指示的位置之構成作說明。另外，被與包含有此感測基板本體31之電磁感應方式之感測器3一同作使用的位置指示器4，係如圖2中所示一般，內藏有由線圈4L和被與此線圈4L作並聯連接之電容器4C所構成的共振電路。
在感測基板本體31處，係如圖2中所示一般，構成X軸方向迴圈線圈群導體312之複數個的矩形之X軸方向迴圈線圈312X，係在用以檢測出由位置指示器4所致之指示位置的檢測區域的橫方向(X軸方向)上，以作等間隔之並排且依序作重合的方式而被作配置。又，構成Y軸方向迴圈線圈群導體313之複數個的矩形之Y軸方向迴圈線圈313Y，係在用以檢測出由位置指示器4所致之指示位置的檢測區域的與前述橫方向相正交之縱方向(Y軸方向)上，以作等間隔之並排且依序作重合的方式而被作配置。在此例中，X軸方向迴圈線圈312X係在X軸方向上被配置有n根，又，Y軸方向迴圈線圈313Y係在Y軸方向上被配置有m根。
而，在感測器3處，係被設置有感測電路部。此感測電路部，係具備有：選擇電路101、振盪器102、電流驅動器103、送受訊切換電路104、受訊放大器105、檢波電路106、低通濾波器107、取樣保持電路108、A/D(Analog to Digital)變換電路109、以及處理控制部110。
複數個的X軸方向迴圈線圈群312X之各個以及複數個的Y軸方向迴圈線圈群313Y之各個，係被與選擇電路101作連接。此選擇電路101，係根據從處理控制部110而來之控制指示，而依序對於複數個的X軸方向迴圈線圈群312X以及複數個的Y軸方向迴圈線圈群313Y中之1個的迴圈線圈作選擇。
振盪器102，係產生頻率f0之交流訊號。此交流訊號，係被供給至電流驅動器103處並被轉換為電流，之後，被送出至送受訊切換電路104處。送受訊切換電路104，係藉由處理控制部110的控制，而對於經由選擇電路101所選擇了的迴圈線圈312X或者是313Y所被作連接之連接目標(送訊側端子T、受訊側端子R)，在每經過特定時間時作切換。在送訊側端子T處，係被連接有電流驅動器103，在受訊側端子R處，係被連接有受訊放大器105。
故而，在送訊時，經由送受訊切換電路104之送訊側端子T，從電流驅動器103而來之交流訊號，係被供給至正被選擇電路101所選擇之迴圈線圈312X或者 是313Y處。又，在受訊時，在被選擇電路101所選擇了的迴圈線圈312X或者是313Y處而產生之感應電壓，係經由選擇電路101以及送受訊切換電路104之受訊側端子R，而被供給至受訊放大器105處並被放大，再送出至檢波電路106處。
藉由檢波電路106所被檢波到之訊號，係經由低域濾波器107以及取樣保持電路108而被供給至A/D轉換電路109處。在A/D轉換電路109處，係將類比訊號變換為數位訊號，並供給至處理控制部110處。
處理控制部110，係進行用以檢測出位置之控制。亦即是，處理控制部110，係對在選擇電路101處之迴圈線圈312X或者是313Y的選擇、送受訊切換電路104處之訊號切換控制、取樣保持電路108的時序等作控制。
處理控制部110，係藉由以將送受訊切換電路104連接於送訊側端子T處的方式來進行切換，而對於正被選擇電路101所選擇之迴圈線圈312X或者是313Y進行通電控制，並使其送出電磁波(或者是產生交流磁場)。位置指示器4之由線圈4L和電容器4C所成的共振電路，係接收此從迴圈線圈312X或者是313Y所送出之電磁波(或者是得到從所產生之交流磁場而來之感應起電力)，而積蓄能量。
接著，處理控制部110，係以將送受訊切換電路104與受訊側端子R作連接的方式，而進行切換。如此一來，在X軸方向迴圈線圈群導體312以及Y軸方向迴 圈線圈群導體313之各迴圈線圈312X以及313Y處，係藉由從位置指示器4所送訊而來之電磁波而產生有感應電壓。處理控制部110，係根據此在各迴圈線圈312X以及313Y處所產生了的感應電壓之電壓值的準位，而算出在感測器3之檢測區域中的由位置指示器所致之X軸方向以及Y軸方向之指示位置的座標值。
接下來，針對包覆構件32作說明。此包覆構件32，係如圖1(B)中所示一般，具備有由絕緣體材料(例如PET)所成之在其中一面312a側處被塗布有構成接著材層322之接著材的包覆層基底薄膜321。又，在此包覆層基底薄膜321之並未被塗布有接著材之另外一面321b處，係被接著形成有磁性粉材料層323。此磁性粉材料層323，係構成用以形成磁路之磁路材，該磁路，係為為了藉由感測基板本體31之X軸方向迴圈線圈312X以及Y軸方向迴圈線圈313Y所產生的交流磁場而存在者。
在此例中，此磁性粉材料層323，係為藉由將高磁導率之磁性體的粉末(例如非晶質合金之粉末)與非磁性以及非導電性之高分子材料(在此例中係為樹脂)作了混合者，而構成之。又，在此實施形態中，磁性粉材料，係作為如同塗料一般之形態而被構成，並藉由將此塗料形態之磁性粉材料塗布在包覆層基底薄膜321之並未被塗布有接著材的另外一面321b處，而產生磁性粉材料層323。
於圖3中，對於在包覆層基底薄膜321處塗 布磁性粉材料層323的方法之其中一例作展示。
如圖3中所示一般，包覆層基底薄膜321，係被捲繞在供給輥33S上，被從此供給輥33S所送出之包覆層基底薄膜321，係在其之其中一面側處被塗布磁性粉材料層323，之後被捲取輥33T所捲取。磁性粉材料層323之塗布裝置34，，係被設置在包覆層基底薄膜321之從供給輥33S起直到捲取輥33T為止的搬送路徑中。此塗布裝置34，係具備有磁性粉糊341之儲存部342，並且，雖係省略詳細之構成，但是，係具備有將此儲存部342之磁性粉糊341例如以50~100μm之厚度來塗布在包覆層基底薄膜321上之塗布部343。
磁性粉糊341，係為將前述之例如由非晶質合金之粉末所成的磁性粉材料和非磁性以及非導電性之例如由樹脂所成的高分子材料作混合，並構成為糊狀(漿糊狀)者。在此例中，被包含於磁性粉材料中之各磁性粉341P，係為扁平之形狀(參考圖3，在圖3中，磁性粉341P係為扁平之橢圓形)。
又，在此例中，在塗布裝置34和捲取輥33T之間的移動路徑中，係被設置有用以使在磁性粉糊341中所包含之磁性粉341P的磁化之方向對齊於與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行的方向、亦即是對齊於與磁性粉材料層323之厚度方向相正交之方向的磁場產生裝置35。
磁場產生裝置35，在此例中，係具備有使包 覆層基底薄膜321通過之貫通空間351，該包覆層基底薄膜321，係於其中一面上藉由塗布裝置34而被塗布有磁性粉糊341並被形成磁性粉材料層323。又，磁場產生裝置35，係在該貫通空間351內，如同在圖3中以雙方向箭頭所示一般，在與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行的方向(與磁性粉材料層323之厚度方向相正交的方向)上產生磁場35F。另外，在此圖中，磁場產生裝置35，係構成為產生與薄膜面相平行並且沿著薄膜之延長方向的方向之磁場35F。另外，圖中之雙方向箭頭35F，係代表只要是與厚度方向相正交之方向的向量，則不論是何者之方向均可。此係代表著：作為磁性體或者是軟磁性體之磁化的方向，只要雙箭頭之其中一方為朝向N極且另外一方為朝向S極，則係可容許磁極之極性的反轉。
在於塗布裝置34處而在包覆層基底薄膜321上塗布磁性粉糊341所形成的磁性粉材料層323中所包含之磁性粉341P之各者，在圖3中之藉由點線之○記號36a所包圍展示的通過磁場產生裝置35之前的位置處，係如同於圖3中在左下部所示一般，扁平之磁性粉341P之各者的扁平面，係朝向隨機性之方向。
在此磁性粉材料層323中所包含之磁性粉341P，係通過磁場產生裝置35之貫通空間351的磁場35F，並藉由此磁場35F而被磁化，而在扁平橢圓形狀之長半徑方向的兩端處產生磁極，身為將此所產生的兩端之磁極作連結的方向之磁化方向，係以成為與磁場35F之方 向相同的方式而變遷。亦即是，在被形成於包覆層基底薄膜321處之磁性粉材料層323中所包含之磁性粉341P的各者之扁平面，在圖3中之藉由點線之○記號36b所包圍展示的通過磁場產生裝置35之後的位置處，係如同於圖3中在右下部之擴大圖中所示一般，變遷為成為與磁場35F之方向相平行，並成為全部相互一致。
參考圖4，針對此作更進一步之說明。圖4，係為對於在通過磁場產生裝置35之前和通過之後的磁性粉材料層323處之磁性粉341P的磁化之方向作展示之圖。此圖4，係為用以對於磁性粉341P之磁化的方向會在磁場產生裝置35之前後而被作變更一事作說明之示意圖，當然的，扁平橢圓形之磁性粉341P的大小和磁性粉材料層323之厚度或寬幅間的關係，係與實際情況相異。
亦即是，圖4(A)，係為用以對於當從與包覆層基底薄膜321之薄膜面相正交的方向來對於被形成在包覆層基底薄膜321處之磁性粉材料層323作了觀察的情況時之磁性粉341P之磁化的方向(將磁極作連結之方向)作說明之圖。又，圖4(B)，係為用以對於當從與磁性粉材料層323之厚度方向相正交的方向來對於磁性粉材料層323作了觀察的情況時之磁性粉341P之磁化的方向(將磁極作連結之方向)作說明之圖。
如同在此圖4(A)以及(B)中所示一般，在被形成於包覆層基底薄膜321處之磁性粉材料層323中所包含之磁性粉341P的各者之磁化的方向(在圖4中藉 由對於各磁性粉341P所賦與之箭頭所示的扁平面之方向)，係藉由通過磁場產生裝置35，而成為在與磁性粉材料層323之厚度方向相正交的方向之磁場35F相同之方向上而相互一致。
如圖4(B)一般，藉由使在磁性粉材料層323中所包含之全部的磁性粉341P之磁化的方向成為與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行的方向相互一致，係能夠容易地防止從此磁性粉材料層323而來之漏洩磁通量。又，係有著磁性粉材料層之磁導率的控制係成為容易並且對於構成最適當之磁導率的磁性粉材料層之厚度的控制係成為容易之優點。
另外，在上述之例中，進而，如同圖4(A)一般，由於磁場35F之方向係為與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行的方向，且進而為沿著身為磁性粉材料層323之形成時的包覆層基底薄膜321之搬送方向之薄膜之延長方向的方向，因此，在磁性粉材料層323中所包含之磁性粉341P之磁化的方向，亦係成為對齊於與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行且沿著薄膜之延長方向的方向。但是，磁性粉341P之磁化的方向，只要是與包覆層基底薄膜321之薄膜面相平行的方向，則就算是並非全部設為相同之方向亦可。
另外，當然的，磁性粉341P之扁平形狀，係並不被限定於橢圓狀。只要是能夠將磁化之方向在與厚度方向相垂直之方向上而容許磁性之反轉並且具有指向性地 而作保持之形狀即可，典型而言，係包含有針狀者或者是被稱作棒狀之形狀。例如，磁性粉，亦可為軟磁性體，且其形狀為例如使與厚度方向相正交之某一方向的向量成分(主成分)為相較於與該方向相正交之其他向量成分而為更大的形狀。
此例之包覆構件32，係如同上述一般而在包覆層基底薄膜321處被形成有磁性粉材料層323，並且在包覆層基底薄膜321之並未被形成有磁性粉材料層323之面上，被被覆有構成接著材層322之接著劑。進而，係對於磁性粉材料層323而被覆有電磁遮蔽層324，並對於此電磁遮蔽層324而被覆有保護薄片325，藉由此，而構成包覆構件32。
如同前述一般，在先前技術中，係將作為磁路材之高磁導率的非晶質合金以單體來作使用，由於其係為高硬度，因此加工性係為差，故而，係需要進行外形加工而作為與感測基板相異之構件來構成再對於將包覆構件作了被覆的感測基板而事後性地被覆磁路材。亦即是，要將由加工性為差之非晶質合金所成的磁路材預先被覆在構成感測器之一部分的包覆構件處一事，係會非常耗費時間，而實質上為困難。
相對於此，在本實施形態中，係將磁路材設為將高磁導率之磁性體的粉末與高分子材料作了混合的磁性粉材料層323之構成。藉由此，如同上述一般，例如係能夠將磁性粉材料設為如同塗料一般之構成，並能夠作為 構成感測器3之一部分的包覆構件32而預先被覆在包覆層基底薄膜321上來構成之。
並且，如同上述一般，在被形成於包覆構件32處之磁性粉材料層323中所包含之磁性粉，係具有扁平之形狀，該磁化之方向，係對齊於與包覆構件32之包覆層基底薄膜321的薄膜片相平行之方向(與磁性粉材料層323之厚度方向相正交的方向)。故而，係能夠得到下述之效果：亦即是，係容易防止在厚度之方向(相對於平面而鉛直之方向)上所漏洩之漏洩磁通量，並且對於磁導率或在包覆構件32處之磁性粉材料層323的厚度之控制係為容易。
另外，將磁性粉材料層323被覆在包覆層基底薄膜321上之方法，係並不被限定於將磁性粉材料設為塗料的形態之方法。例如，亦可構成為：使磁性粉材料含浸於接著材中，並藉由以該接著材來進行接著，而將磁性粉材料層323被覆在包覆層基底薄膜321上。
另外，作為構成磁性粉材料層323之磁性粉材料，係亦可代替非晶質合金之粉末，而使用高導磁合金或鐵氧體(氧化鐵)之粉末。又，作為高分子材料，係並不被限定於樹脂，亦可為有機高分子材料、無機高分子材料之任一者。例如，作為有機高分子材料，係可使用蛋白質、核酸、多醣類(纖維素、澱粉等)或天然橡膠等之天然高分子材料，或者是合成樹脂、矽樹脂、合成纖維、合成橡膠等之合成高分子材料。又，作為無機高分子材料， 係可使用二氧化矽(水晶、石英)、雲母、長石、石棉等之天然高分子材料，或者是玻璃或合成紅寶石等之合成高分子材料。
在包覆構件32處，於此磁性粉材料層323之面上，係被被覆有電磁遮蔽層324。於此例中，電磁遮蔽層324，係為非磁性體，並且係為為了成為會相對於交流磁場而使渦電流產生而不會使從感測基板本體31之X軸方向迴圈線圈312X以及Y軸方向迴圈線圈313Y而來的交流磁場漏洩至外部，而藉由低阻抗(理想為電阻略為0)且具備有高導電性之金屬材料來構成，在此例中，係藉由鋁所構成。
作為將此由鋁所成之電磁遮蔽層324相對於磁性粉材料層323來作被覆之方法，除了使用接著劑來作接著的方法之外，亦可使用由壓著所進行之方法或者是將鋁蒸鍍在磁性粉材料層323上等之方法。在由壓著所進行之方法的情況時，於磁性粉材料層323處，係亦可構成為預先含浸有接著材。
又，在包覆構件32處，係更進而對於此電磁遮蔽層324而例如藉由接著材(省略圖示)來被覆由例如PET等之絕緣體所成的保護薄片325。此保護薄片325，係構成為確保感測器3之與被配設在配置於保護薄片325側的印刷配線基板等處之電子零件之間的絕緣。
在如同上述一般所構成之感測器3中，作為磁路材之磁性粉材料層323，由於係在例如非晶質合金等 之高磁導率的材料之粉末中，混合有非磁性以及非導電性之高分子材料，因此，相較於僅由非晶質合金等之高磁導率的材料所成者，係為低磁導率，並且係具備有大的電阻。並且，由於相較於非晶質合金而硬度係為較低，因此切斷加工係為容易。
但是，在厚度上，於非晶質合金的情況時例如係為25μm而為薄，相較於此，在磁性粉材料層的情況時，例如係成為50~100μm程度，而為較厚。然而，在本實施形態中，磁性粉材料層323，係預先被塗布於包覆構件32處，而被與感測器3一體性地構成。亦即是，由於係並不需要如同先前技術一般，在被施加有包覆層之感測基板處，將作為相獨立之構件所構成的電磁遮蔽構件隔著接著材來作接著，因此，係成為不需要設置用以將電磁遮蔽構件接著於感測基板上之接著材層，相應於此，係能夠將作為感測器全體之厚度減薄。故而，就算是磁性粉材料層323之厚度變得較非晶質合金薄片而更厚，作為包含有磁路材以及電磁遮蔽材之感測器3的全體，係能夠設為與先前技術同等程度之厚度。
於表1中，對於在開頭所敘述之專利文獻1之電磁遮蔽構件2的第1層21、亦即是磁路材(非晶質合金)，和本實施形態之磁性粉材料層323，此兩者間的特性作比較展示。如同在此表1中所示一般，專利文獻1之第1層(非晶質合金)的磁導率，係為1000〔H/m〕而為非常高，相對於交流磁場之作為磁路的性能係為高，相 對於此，電阻係為非常小。因此，如同前述一般，在由非晶質合金所成之磁路材中，由於電阻係為極低，因此係產生與被施加於此磁路材處之磁通量相對應的渦電流，而有著會將被施加了的磁場作抵消的作用之缺點。又，非晶質合金之磁路材，由於係為高硬度，因此在能夠將厚度減薄之點上係為優良，但是係有著加工性為差的問題。
相對於此，實施形態之磁性粉材料層323，由於係為將磁性體材料之粉末和非磁性以及非導電性之高分子材料作了混合者，因此其磁導率係為50~240〔H/m〕程度而為低磁導率，但是，其電阻係為大，而具備有例如100kΩ之值，因此起因於交流磁場所產生的渦電流係被作大幅度的抑制。因此，交流磁場係能夠避免起因於渦電流之影響。故而，磁性粉材料層323，就算其之磁導率係為低的值，亦成為能夠形成良好之磁路。
故而，磁性粉材料層323，係作為相對於藉由X軸方向迴圈線圈312X以及Y軸方向迴圈線圈313Y所產生的交流磁場或從位置指示器所受訊之交流磁場的磁通量路徑而具有充分的性能，藉由此，係能夠將感測器3之感度維持為良好。
但是，當本實施形態之磁性粉材料層323之厚度為薄的情況時，藉由X軸方向迴圈線圈312X以及Y軸方向迴圈線圈313Y所產生的交流磁場或者是從位置指示器所受訊之交流磁場中的一部分，係會有透過(貫通)磁性粉材料層323並漏洩至與感測器3之表面薄片314側相反側處之虞。在本實施形態中，此交流磁場之漏洩，係藉由在包覆構件32處而於磁性粉材料層323上配置於此例中為由鋁所成之電磁遮蔽層324並與磁性粉材料層323作組合一事，而進行遮蔽。
亦即是，係將從磁性粉材料層323所漏洩之交流磁通量視為可容許者，漏洩了的交流磁場，係藉由在具備有導電性之電磁遮蔽層324處而使渦電流產生，來成為使交流磁通量不會從電磁遮蔽層324而漏洩至外部。藉由此構成，就算是存在有經由磁性粉材料層323而漏洩了的交流磁場，朝向電磁遮蔽層324之與磁性粉材料層323相反之側的漏洩亦係被防止。故而，由藉由X軸方向迴圈線圈312X以及Y軸方向迴圈線圈313Y所產生的交流磁場或從位置指示器所受訊之交流磁場所導致的交流磁通量，係藉由將磁性粉材料層323和電磁遮蔽層324作了組合之構成，而對於其之漏洩至感測器3的外部之情況作防止。
又，從感測器3之外部而來的電磁雜訊之進入，係成為藉由在電磁遮蔽層324處所產生之渦電流而被防止。另外，電磁遮蔽層324之材料，係並不被限定於 鋁，例如，係亦可使用鎂合金、不鏽鋼(SUS)、銅以及其合金(黃銅等)。
另外，當磁性粉材料層323之厚度為具有某種程度之厚度的情況時，由於交流磁場之漏洩係變少，因此當在感測器之下並不存在有電子電路等之雜訊產生源的情況時，係成為並不需要配置電磁遮蔽層324。於此情況，係能夠使用在圖6和圖8(E)中所記載之實施例的構成。
又，本實施形態之感測器3的磁性粉材料層323，由於係為將磁性體材料之粉末和非磁性以及非導電性之高分子材料作了混合者，因此硬度相對性而言為較低，在加工性上係為優良。又，電磁遮蔽層324，其硬度亦相對性而言為較低，在加工性上係為優良。因此，對於上述優點作利用，在本實施形態中，係藉由採用在包覆構件32處預先形成有磁性粉材料層323以及電磁遮蔽層324之構成，而能夠採用如同以下一般之感測器3的製法，並成為能夠達成感測器3之量產。
又，磁性粉材料層，就算是層之厚度相較於先前技術之非晶質合金層而變得更厚，本發明之電磁感應方式之感測器，亦由於係為在包覆構件上被覆有磁路材而將相當於先前技術之磁路材的構件一體性地作了構成者，因此，在先前技術之電磁遮蔽構件中的用以將非晶質合金、電磁遮蔽構件、保護薄片作接合的接著材層係成為不必要，而能夠將厚度減薄。
〔感測器3之製法之實施形態〕
圖5，係為用以對於此實施形態的感測器3之製法作說明之圖。如圖5中所示一般，在此例中，包覆構件32，係構成為薄片狀。又，係準備將此包覆構件薄片32S之既定長度作了捲繞的包覆構件輥32L。包覆構件薄片32S，係為在圖1(B)所示之構成的包覆構件32中，對於被被覆在包覆層基底薄膜321之其中一面321a上的接著材322而被覆有剝離紙326者。
如圖5中所示一般，從包覆構件輥32L所拉出之包覆構件薄片32S，係與該拉出一同地而使剝離紙326被剝離並成為使接著材322露出的狀態。
而後，在絕緣基板311之表背面處，形成X軸方向迴圈線圈群導體312以及Y軸方向迴圈線圈群導體313，並被覆形成表面薄片314，而預先形成感測基板本體31。於此情況，感測基板本體31，係施加有外形加工，但是，此外形加工係並不需要預先加工為最終性之精確度為佳的外形，而是作為具備有些許之尺寸上的餘裕者而形成之。另外，雖係省略圖示，但是，在此感測基板本體31處，係構成為以能夠從外部來確認的狀態而預先形成有用以加工為最終性之精確度為佳之外形尺寸的位置基準記號。
之後，將如同上述一般所預先形成的感測基板本體31，以使Y軸方向迴圈線圈群導體313側朝向接 著材層322的狀態下，來配置在包覆構件薄片32S之接著材層322上，來對於包覆構件薄片32S進行接著。此時，係一面參考前述之位置基準記號，一面對於感測基板本體31而將包覆構件32以成為既定之位置關係的方式來作對位。
又，在此製法之實施形態中，係構成為將被覆有包覆構件薄片32S之感測基板本體31搬送至與最終之感測器3的外形相對應之模切加工用的切刀(省略圖示)之下方。之後，在相對於模切加工用之切刀而參考前述位置基準記號來進行了對位之後，藉由該模切加工用之切刀，來實行將被被覆有包覆構件薄片32S之感測基板本體31切割為最終之外形的模切切斷加工。藉由此，而形成在感測基板本體31上被覆有包覆構件32之感測器3。
於此情況，若是將模切加工用之切刀並列地配設複數個，則係能夠同時製造出複數個的感測器3， 如同上述一般，若依據本實施形態之感測器之製法，則相較於先前技術，係能夠藉由簡單之工程而作成感測器3。亦即是，在先前技術中，係有必要藉由進行分別作成感測基板和電磁遮蔽構件之工程，並進行對於藉由該工程所作成之感測基板和電磁遮蔽構件之各個而施加外形加工之工程，之後，進行將施加了該外形加工之後的感測基板和電磁遮蔽構件之個者相互作接著之工程，來製造感測器，而成為複雜之工程，在量產上係有所困難。
相對於此，若依據本實施形態之感測器的製 法，則藉由作成感測基板本體31並將該作成了的感測基板本體31被覆在預先所準備的包覆構件薄片32S上再進行模切加工之非常簡單的工程，便能夠製造感測器3。並且，於此情況，在先前技術中，電磁遮蔽構件，係起因於作為磁路材而使用之非晶質合金的硬度，而導致需要特別之切斷工程，但是，在本實施形態之感測器中，由於磁路材係由磁性粉材料層所成，而能夠容易地進行切斷加工，因此係能夠使用模切切刀而容易地進行模切加工，而適於量產。
又，若依據本實施形態之感測器3，則由於係將磁導率並非為如同非晶質合金一般之高磁導率的磁性粉材料作為磁路材來使用，因此就算是在感測器3之保護薄片325的外側配設將由地球磁場等之直流磁場所製之直流磁通量檢測出來的地球磁場感測器(霍爾元件等)，亦能夠正確地感測出地球磁場。
亦即是，當在如同非晶質合金一般之高磁導率作為磁路材來使用的感測器之近旁處，設置有地球磁場感測器的情況時，地球磁場等之直流磁場，係會以通過該高磁導率之磁路材的方式而使直流磁通量之方向改變，並會有成為無法藉由地球磁場感測器來正確地檢測出地球磁場的方向之虞。
相對於此，在本實施形態之感測器3中，構成磁性粉材料層323之磁性粉材料，係能夠藉由對於非晶質合金等之高磁導率的材料之粉末和高分子材料之間的混 合比例作調整，來調整為例如能夠以不會對於由地球磁場等之直流磁場所致的直流磁通量而造成實質性之影響的方式而有所抑制等的所期望之磁導率。進而，係能夠較為容易地製作出除了進行磁導率的調整之外亦為了使電流成為難以在磁性粉材料層323中流動而具備有所期望之電阻的磁性粉材料。
另外，在上述之第1實施形態中，於包覆構件32處，雖係設為並非僅有磁性粉材料層323而亦具備有電磁遮蔽層324之構成，但是，依存於將電磁感應式之感測器作設置的周圍環境等之條件的差異，係亦可並不設置電磁遮蔽層324。於此情況，係可藉由對於圖6(A)中所示之感測基板本體31(與圖1(A)相同)而如圖6(B)中所示一般地，使用從圖1(B)之包覆構件32而將電磁遮蔽層324作了除去的包覆構件32’來進行接合，而構成圖6(C)中所示之感測器3’。
〔第2實施形態〕
在上述之第1實施形態中，對於感測基板本體31之Y軸方向迴圈線圈群導體313，係構成為隔著由包覆基底薄膜321所成之絕緣層來將磁性粉材料層323作被覆形成。但是，磁性粉材料層323，由於係如同在表1中所示一般，為像是100kΩ一般之高阻抗，因此，可以推測到，就算是並不設置由包覆基底薄膜321所成之絕緣層，也幾乎不會有對於Y軸方向迴圈線圈群導體313之電性特性所 造成的影響。又，藉由設為並不設置由包覆基底薄膜321所成之絕緣層的構成，感測器之全體的厚度，係能夠實現較第1實施形態之感測器3而厚度為更薄之感測器。
此第2實施形態，係為提供考慮有上述事態所構成之電磁感應方式之感測器者，對於與第1實施形態之感測器3相同的部分，係附加相同的元件符號，並省略其之詳細說明。
圖7，係為用以對於此第2實施形態之電磁感應方式之感測器5及其製法一同作說明之圖。
在此第2實施形態中，首先，係將感測基板本體31，如同圖7(A)中所示一般，與第1實施形態完全相同地而構成之。接著，如同圖7(B)中所示一般，以將被形成在此感測基板本體31之與絕緣基板311之表面薄片314側相反側之面上的Y軸方向迴圈線圈群導體313之全體作覆蓋的方式，來形成磁性粉材料層327。
構成此磁性粉材料層327之磁性粉材料，係與第1實施形態之情況的磁性粉材料層323相同地，為藉由將高磁導率之磁性體的粉末(例如非晶質合金之粉末)與非磁性以及非導電性之高分子材料(在此例中係為樹脂)作了混合者，而構成之，並將此設為塗料之構成。之後，將此塗料之構成的磁性粉材料，以將感測基板本體31之絕緣基板311的被形成有Y軸方向迴圈線圈群導體313之面的全體作覆蓋的方式來進行塗布，藉由此而形成磁性粉材料層327。
接著，在此第2實施形態中，係準備在保護薄片325之其中一面側被覆形成有由作為低阻抗且具備高導電性之金屬材料的其中一例之鋁所成的電磁遮蔽層324之薄片構件328。於此情況，與第1實施形態之包覆構件薄片32S相同的，準備在薄片構件328之電磁遮蔽層324的上面塗布接著材層329並進而在此接著材層329上貼附有剝離紙(省略圖示)且捲繞成卷狀態者。
之後，將從卷所拉出之薄片構件328的剝離紙剝離並成為使接著材層329露出的狀態。之後，將塗布有磁性粉材料層327之感測基板本體31配置於薄片構件328之上，並構成為將磁性粉材料層327接著於該接著材層329上。於此情況，當然的，亦係進行與第1實施形態相同之對位。
之後，與第1實施形態相同的，將被被覆在薄片構件328上之感測基板本體31，藉由模切加工用之切刀來施加模切加工並切斷，而構成第2實施形態之感測器5。
若依據此第2實施形態之電磁感應方式之感測器5，則係能夠得到與上述之第1實施形態之感測器3相同的效果，並且，由於係成為不需要由絕緣體所成之包覆基底薄膜321，因此係有著能夠將感測器5之厚度相較於第1實施形態之感測器3而作相應之量的減薄之效果。
另外，在此第2實施形態之情況中，用以覆蓋Y軸方向迴圈線圈群導體313之包覆構件，係為使保護 薄片325發揮包覆基底薄膜之功能並且藉由此保護薄片325和電磁遮蔽層324以及磁性粉材料層327所構成者。
另外，與上述之第1實施形態相同的，在此第2實施形態之感測器的情況時，亦可並不設置電磁遮蔽層324。又，不論是在具備有電磁遮蔽層324之情況以及並不設置電磁遮蔽層的情況之何者中，均能夠將保護薄片325省略。
當將電磁遮蔽層324以及保護薄片325省略的情況時，係如同圖7(B)中所示一般，能夠藉由將磁性粉材料層327經由進行塗布等來被覆在感測基板本體31上，而構成此第2實施形態之感測器。於此情況，係僅藉由磁性粉材料層327而構成包覆構件。又，當僅省略保護薄片325的情況時，係藉由磁性粉材料層327和電磁遮蔽層324而構成包覆構件。
〈包覆構件之其他構成例〉
在上述之第2實施形態中，係構成為在被形成於感測基板本體31之與絕緣基板311之表面薄片側相反側之面上的Y軸方向迴圈線圈群導體313之上，直接塗布作為塗料之構成的磁性粉材料而構成磁性粉材料層327。但是，亦可構成為準備如同圖8(A)或者是圖8(B)中所示一般之包覆構件32A或32B，並與感測基板本體31相接合。
亦即是，圖8(A)之例的包覆構件32A，係 在保護薄片325之上被覆形成電磁遮蔽層324，之後，在此電磁遮蔽層324之上，藉由塗布等而被覆磁性粉材料層327A。之後，並不使用包覆基底薄膜321地，而在磁性粉材料層327A之上被覆接著材層329A，並藉由此接著材層329A而與感測基板本體31相接合。
又，圖8(B)之例的包覆構件32B，係為代替圖8(A)之例的磁性粉材料層327A，而將含浸有接著材之磁性粉材料層327B被覆形成於電磁遮蔽層324之上者。在此圖8(B)之例中，就算是並不設置在圖8(A)之例中而為必要的接著材層329A，亦能夠將感測基板本體31和包覆構件32B作接合。
此圖8(A)以及圖8(B)之例，係與上述之第2實施形態相同的，包覆基底薄膜321係成為不必要，而與第2實施形態相同的，成為能夠作為感測器全體而薄型化。
包覆構件之其他例，係並不被限定於圖8(A)以及(B)之例。圖8(C)，係對於其他例之包覆構件32C作展示。此例之包覆構件32C，係等同於從第1實施形態之包覆構件32而將保護薄片325作了除去者。亦即是，在此例之包覆構件32C中，係想定為在感測器之與表面薄片314相反側處係並未具備有不可進行電性接觸之構件，而將保護薄片325省略。故而，係在包覆基底薄膜321之與感測基板本體間之接合側之面上，形成接著材322，並且，在包覆基底薄膜321之相反側之面上，被覆 形成磁性粉材料層323，進而，對於磁性粉材料層323，而被覆形成電磁遮蔽層324。此例之包覆構件32C，係使電磁遮蔽層324露出。
以上之例的包覆構件32A、32B、32C，係均為具備有包覆基底薄膜(保護薄片325或薄膜321)之例。在以下所說明之例子，係為將包覆基底薄膜作了省略的包覆構件之例。
如同圖3中所示一般而被塗布於包覆基底薄膜321上所形成之磁性粉材料層323，在乾燥後，係能夠構成為從包覆基底薄膜321而作了剝離的薄片構件。以下所展示之2個例子，係為將此磁性粉材料層作為薄片構件而構成的情況之例。
圖8(D)中所示之例的包覆構件32D，係具備有並不具備包覆基底薄膜而作為薄片構件來構成之磁性粉材料層327D，在此磁性粉材料層327D之與感測基板本體之間的接合側之面上，形成接著材322，並且，在磁性粉材料層327D之相反側之面上，係被被覆形成有電磁遮蔽層324。此例之包覆構件32D，係使電磁遮蔽層324露出於外部。
又，圖8(E)中所示之例的包覆構件32E，係具備有並不具備包覆基底薄膜而作為薄片構件來構成之磁性粉材料層327E，並僅在此磁性粉材料層327E之與感測基板本體之間的接合側之面上形成接著材322，而並不具備電磁遮蔽層。在此圖8(E)之例的情況中，作為薄 片構件而被構成之磁性粉材料層327E係露出於外部。
若依據上述之圖8(D)以及(E)之例的包覆構件32D以及32E，則就算是磁性粉材料層之層的厚度相較於先前技術之非晶質合金層而變得更厚，亦由於例如由PET所成之包覆基底薄膜係成為不必要，因此係能夠將厚度作相應於該包覆基底薄膜之厚度之量的減薄，故而係能夠維持作為感測器全體之厚度的薄型化。
〔其他實施形態或變形例〕
在上述之實施形態的說明中，磁性粉材料，雖係構成為使用塗料之構成或者是含浸有接著材之構成者，但是，亦可藉由將高磁導率之非晶質金屬等的粉末與非磁性以及非導電性之高分子材料(在此例中係為樹脂)作混合並硬化後的材料來構成之。於此情況，當然的，亦能夠進行上述一般之模切加工。
基本上，若是藉由上述一般之模切加工，則加工工程數係減少，但是，當然的，亦能夠與先前技術相同地，使用對於包覆構件32亦預先施加外形加工並且將該進行了外形加工之包覆構件32與進行了外形加工之感測基板本體相接合一般的製法，來構成本發明之電磁感應方式之感測器。
又，當然的，作為對於感測基板本體而接合包覆構件之方法，係並不被限定於上述之實施形態之例。例如，亦可構成為對於感測基板本體，而將構成包覆構件 之各層或薄片依序作被覆形成。例如，在第2實施形態中，係亦可構成為：在感測基板本體31之絕緣基板311的Y軸方向迴圈線圈群導體313側之面上，以覆蓋該導體313的方式而塗布磁性粉材料並形成磁性體材料層327，之後，將構成電磁遮蔽層324之例如鋁，藉由壓著或蒸鍍來作被覆，再進而將保護薄片325被覆在電磁遮蔽層324之上。
另外，在上述之實施形態中，感測基板本體，雖係構成為具備有被配置在相互正交之方向上的X軸方向迴圈線圈群以及Y軸方向迴圈線圈群，但是，作為由位置指示器所致之指示位置，係亦可並非為2維座標。例如，當只需要檢測出1維座標即可的情況時，迴圈線圈群，係僅需要為被配置在該一維座標方向上者即可。
當將迴圈線圈群僅在一維座標方向(例如X方向)上作配置的情況時，或者是構成為僅藉由被配置在一維座標方向上之迴圈線圈群而產生交流磁場的情況時，若是朝向與厚度方向相垂直並且朝向該一維座標方向來形成磁化之方向，則為理想。
另外，在上述之說明中的所謂「正交」或「平行」，係並不需要為嚴密地相正交或嚴密地相平行，當然的，亦包含有略正交、略平行之狀態。只要是能夠構成為使構成磁性粉材料層之磁性粉的集合在觀測時作為全體而使其磁化方向成為實質性地與厚度方向相正交(或者是略正交)的程度即可。
又，在上述之實施形態中，雖係構成為在絕緣基板之兩面上形成迴圈線圈群導體，但是，當然的，就算是僅在絕緣基板之單面側形成迴圈線圈群導體之電磁感應方式之感測器，亦可適用本發明。
3‧‧‧感測器
31‧‧‧感測基板本體
32‧‧‧包覆構件
311‧‧‧絕緣基板
312‧‧‧X軸方向迴圈線圈群導體
313‧‧‧Y軸方向迴圈線圈群導體
314‧‧‧表面薄片
321‧‧‧包覆基底薄膜
321a‧‧‧其中一面
321b‧‧‧另外一面
322‧‧‧接著材層
323‧‧‧磁性粉材料層
324‧‧‧電磁遮蔽層
325‧‧‧保護薄片

Claims (19)

  1. 一種電磁感應方式之感測器，係被與位置指示器一同作使用，並具備有用以與前述位置指示器作電磁結合之線圈，其特徵為：係具備有感測基板本體，其係具有絕緣基板，並在前述絕緣基板之藉由前述位置指示器而被作位置指示之側的第1面側處被貼合有表面薄片，且在前述絕緣基板之與前述第1面相反側之第2面上被形成有構成前述線圈之導體的至少一部分，在該感測基板本體之前述第2面側處，係被覆有至少具備磁性粉材料層之包覆構件，前述磁性粉材料層，係構成為使磁性粉之磁化的方向成為與前述磁性粉材料層之厚度方向相正交的方向。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，在前述包覆構件處，係被被覆有前述磁性粉材料層，並且，係被被覆有由金屬層所成之遮蔽材，以使前述磁性粉材料層成為相較於前述金屬層而更靠前述感測基板本體之前述第2面側的狀態來作被覆。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述包覆構件，係於絕緣體之其中一面上被塗布有接著材，並在前述絕緣體之另外一面上被塗布有磁性粉材料而構成前述磁性粉材料層，以使前述包覆構件之被塗布有前述接著材的前述其中一面覆蓋前述感測基板本體之前述第2面側之前述導體的方式，來作被覆。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之電磁感應方式之感 測器，其中，在被構成於前述絕緣體之另外一面上的前述磁性粉材料層上，附著由金屬層所成之遮蔽材，而構成之。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，在前述感測基板本體之前述第2面上，係以覆蓋前述導體的方式來塗布磁性粉材料並形成前述磁性粉材料層，並且，由金屬層所成之遮蔽材，係對於前述磁性粉材料層而作附著，進而，使保護薄片附著於前述遮蔽材上，藉由此，而構成前述包覆構件。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述遮蔽材，係相對於前述磁性粉材料層而藉由接著材來作接著。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述遮蔽材，係相對於前述磁性粉材料層而作壓著。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述遮蔽材，係相對於前述磁性粉材料層而被作蒸鍍。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，用以與前述位置指示器作電磁結合之線圈，係由被配置在第1方向上之第1之複數個的迴圈線圈、和被配置在與前述第1方向相正交之第2方向上之第2之複數個的迴圈線圈所成，在前述絕緣基板之前述第1面上，係被配置有前述第1之複數個的迴圈線圈，並且，在前述 絕緣基板之前述第2面上，係被配置有前述第2之複數個的迴圈線圈。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述磁性粉材料層，係由在具有高磁導率之磁性粉材料中混合有用以使前述高磁導率成為既定之值的高分子材料而成之混合材料所成。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，在前述混合材料中，係含浸有接著材。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述高分子材料，係為樹脂、橡膠或纖維。
  13. 如申請專利範圍第10項所記載之電磁感應方式之感測器，其中，前述具有高磁導率之磁性粉材料，係為非晶質合金之粉末、高導磁合金之粉末或鐵氧體之粉末。
  14. 一種電磁感應方式之感測器用包覆構件，該電磁感應方式之感測器，係具備有感測基板本體，其係具有絕緣基板，並在前述絕緣基板之藉由位置指示器而被作位置指示之側的第1面側處被貼合有表面薄片，且在前述絕緣基板之與前述第1面相反側之第2面上被形成有構成用以與前述位置指示器作電磁結合之線圈之導體的至少一部分，該電磁感應方式之感測器用包覆層，其特徵為：係至少具備磁性粉材料層，前述磁性粉材料層，係構成為使磁性粉之磁化的方向 成為與前述磁性粉材料層之厚度方向相正交的方向。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之電磁感應方式之感測器用包覆構件，其中，在前述磁性粉材料層處，係被被覆有由金屬層所成之遮蔽材，以使前述磁性粉材料層成為相較於前述金屬層而更靠前述感測基板本體之前述第2面側的狀態來作被覆。
  16. 如申請專利範圍第14項或第15項所記載之電磁感應方式之感測器用包覆構件，其中，係被形成有接著材層，並且係相對於前述接著材層而被被覆有剝離薄片，藉由將前述剝離薄片剝離所露出的前述接著材層，來被覆於前述感測基板本體之前述第2面側上。
  17. 一種電磁感應方式之感測器製法，其特徵為，具備有：產生感測基板本體之工程，該感測基板本體，係具有絕緣基板，並在前述絕緣基板之藉由位置指示器而被作位置指示之側的第1面側處被貼合有表面薄片，且在前述絕緣基板之與前述第1面相反側之第2面上被形成有構成線圈之導體的至少一部分；和將至少具備磁性粉材料層之包覆構件，被覆在前述感測基板本體之前述第2面側上之工程；和在將前述包覆構件披覆在前述感測基板本體上的狀態下，而模切切斷為既定之形狀之工程，前述磁性粉材料層，係構成為使磁性粉之磁化的方向成為與前述磁性粉材料層之厚度方向相正交的方向。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之電磁感應方式之感測器製法，其中，前述包覆構件，係在前述磁性粉材料層上，被覆有由金屬層所成之遮蔽材，以使前述磁性粉材料層成為相較於前述金屬層而更靠前述感測基板本體之前述第2面側的狀態，來被覆於前述感測基板本體處。
  19. 一種電磁感應方式之感測器製法，其特徵為，具備有：產生感測基板本體之工程，該感測基板本體，係具有絕緣基板，並在前述絕緣基板之藉由位置指示器而被作位置指示之側的第1面側處被貼合有表面薄片，且在前述絕緣基板之與前述第1面相反側之第2面上被形成有構成線圈之導體的至少一部分；和在前述感測基板本體之前述第2面上，被覆磁性粉材料層之工程，前述磁性粉材料層，係構成為使磁性粉之磁化的方向成為與前述磁性粉材料層之厚度方向相正交的方向。
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