TWI583025B - 具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法 - Google Patents

Description

具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法

   本發明係有關於一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法，尤其是指一種額外設置一層透明子基座的薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法，藉由在透明子基座上鍍上一層光學膜，有效提升薄膜式覆晶發光二極體之發光效率及控制其出光角度者。

   按，發光二極體(light emitting diode，簡稱LED)與傳統白熾光源比較，係具有省電、體積小、低電壓驅動、不含汞、無熱輻射、操作反應速度快，以及壽命長等優點，發光二極體是次世代節能照明的最佳光源，已經廣泛應用在家庭用品指示燈、液晶顯示器之背光源、圖文顯示幕或汽車第三煞車燈等照明領域，其中包括諧振腔發光二極體(resonant-cavity light emitting diode，簡稱RCLED)、垂直腔雷射二極體(vertical-cavity surface-emitting diode，簡稱VCSEL)，以及邊射型雷射(edge emitting laser)之半導體發光裝置皆屬當前可用之有效發光元件；然而，發光二極體的發光效率仍是目前急需解決的重要問題之一，因此，目前有許多增進發光二極體發光效率的方法一一被提出，在過往的專利中，如中華民國專利公告第I371120號之『具磊晶強化層之覆晶發光二極體及其製造方法』，其中該製造方法之步驟係首先於一基板上形成一磊晶結構；此外，於磊晶結構上分別形成一p型電極及一n型電極；再者，形成一磊晶強化層於磊晶結構上，並於p型電極及n型電極上方各形成一金屬凸塊容置區；接續，在p型電極及n型電極上各形成一金屬凸塊於金屬凸塊容置區內，且二金屬凸塊部分突出於磊晶強化層外形成一具磊晶強化層之發光二極體結構；之後，將具磊晶強化層之發光二極體結構倒裝接合於一基座上；最後，移除基板，形成一具磊晶強化層之覆晶發光二極體；本發明雖以強化覆晶發光二極體之磊晶結構方法，避免使用雷射輔助剝離技術或其他技術移除基板時，所造成磊晶結構的破裂，主要用以提升製造覆晶發光二極體之良率；然而，以此種製程方法製造之發光二極體，其發光結構層的出光效率會因所堆疊結構的限制而不顯著，造成發光二極體的發光效率不彰；因此，如何有效以優化之薄膜堆疊方式使覆晶發光二極體有效達到高出光效率的優勢，仍是現今發光二極體之技術開發業者或研究人員需持續努力克服與解決之重要課題。

   今，發明人即是鑑於上述之傳統薄膜式覆晶發光二極體存在因結構的堆疊限制而造成出光效率不彰等諸多缺失，於是乃一本孜孜不倦之精神，並藉由其豐富之專業知識及多年之實務經驗所輔佐，而加以改善，並據此研創出本發明。

   本發明主要目的為提供一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法，尤其是指一種額外設置一層透明子基座的薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法，藉由在透明子基座上鍍上一層光學膜，有效提升薄膜式覆晶發光二極體之發光效率及控制其出光角度。

   為了達到上述實施目的，本發明人提出一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，至少包括有下列步驟：首先，於一基板(substrate)上沉積一第一半導體層；此外，形成一發光結構層於第一半導體層上；再者，形成一第二半導體層於發光結構層上，且第二半導體層之電性係與第一半導體層之電性相反；接續，形成一第一接觸電極與一第二接觸電極於第一半導體層與第二半導體層上；接著，形成一第一子基座(sub-mount)於第一接觸電極與第二接觸電極上，並將基板移除；最後，將一透明之第二子基座藉由一黏著層黏著於第一半導體層上，且第二子基座與第一半導體層間係具有一第一光學膜，藉以製備一具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中黏著層係選自環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯(benzocyclobutene，簡稱BCB)等其中之一種，以使第二子基板黏著於第一半導體層。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中黏著層係可進一步添加有一螢光粉(phosphor)。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中第二子基板遠離第一半導體層之表面係可進一步設置有一第二光學膜。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中第二光學膜係為一抗反射層(AR coating)、分散式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector，簡稱DBR)或全方位反射鏡(Omni-Directional Reflector，簡稱ODR)等其中之一種。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中第一光學膜係為一抗反射層(AR coating)、分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一種。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中基板係選自藍寶石(Sapphire，Al₂ O₃ )、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)，以及具有六方體系(Hexagonal)結晶材料所構成之群組。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中發光結構層係具有多重量子井(Multi Quantum Well，簡稱MWQ)結構，且多重量子井結構係包含有複數個彼此交替堆疊之井層及阻障層，每兩阻障層間係具有一井層。

   此外，本發明另提供一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，係以上述實施例之方法製備而成，具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體係至少包括有一第一子基座、一第一接觸電極、一第二接觸電極、一第一半導體層、一第二半導體層、一發光結構層，以及一第二子基座；第一接觸電極係配置於第一子基座上；第二接觸電極係相對應第一接觸電極配置於第一子基座上；第一半導體層係設置於第一接觸電極上；第二半導體層係設置於第二接觸電極上；發光結構層係設置於第一半導體層與第二半導體層之間；第二子基座係藉由一黏著層黏著於第一半導體層上，且第二子基座與該第一半導體層間係具有一第一光學膜。

   如上所述的具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，其中第二子基座遠離第一半導體層之表面係可進一步設置有一第二光學膜。

   藉此，本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係使用一黏著層在第一半導體層上額外黏著一透明第二子基座，並進一步在第一半導體層與第二子基座間設置一具抗反射功能之抗反射層(AR coating)的第一光學膜，以使發光結構層發射的光線容易射出本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，可有效增進具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率；此外，本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座與第一半導體層間以一環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯(BCB)其中之一之黏著層黏著一具光線反射功能之分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一的第一光學膜，有效將發光結構層發射的光線以全反射方式反射回黏著層所形成之螢光膠體上，藉螢光膠體將光線之波長轉換，有效增加螢光粉(phosphor)的利用率，達到具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體光取出效率之改善。

   再者，本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座上方鍍上一具抗反射功能之抗反射層(AR coating)的第二光學膜，再結合第一光學膜之功能，有效使發光結構層發射出的光線更容易射出本創作之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率，同時亦可有效控制出光角度；最後，本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座上方設置一具光線反射功能之分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)的第一光學膜，有效將發光結構層發射的光線以全反射方式反射回黏著層所形成之螢光膠體，藉由螢光膠體將光線之波長轉換，有效增加螢光粉(phosphor)的利用率，並結合第一光學膜之功能，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率與出光角度之控制。

   本發明之目的及其結構設計功能上的優點，將依據以下圖面所示之較佳實施例予以說明，俾使審查委員能對本發明有更深入且具體之瞭解。

   首先，在以下實施例的描述中，應當理解當指出一層(或膜)或一結構配置在另一個基板、另一層(或膜)、或另一結構“上”或“下”時，其可“直接”位於其他基板、層(或膜)、或另一結構，亦或者兩者間具有一個以上的中間層以“間接”方式配置，審查委員可參照附圖說明每一層所在位置。

   首先，請參閱第一、二圖所示，為本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之步驟流程圖，以及薄膜堆疊剖面示意圖，其中本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法之步驟係包括有：

   步驟一(S1)：於一基板(1)上沉積一第一半導體層(2)，其中基板(1)係選自藍寶石(Al₂ O₃ )、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)，以及具有六方體系結晶材料所構成之群組中的一種材料而形成；在本發明其一較佳實施例中，基板(1)係由藍寶石材料所構成，而第一半導體層(2)係為一n型半導體層；

   步驟二(S2)：形成一發光結構層(3)於第一半導體層(2)上；在本發明其一較佳實施例中，發光結構層(3)係為具有多重量子井結構之態樣，且多重量子井結構係包含有複數個彼此交替堆疊之井層(31)及阻障層(32)，而每兩阻障層(32)間係具有一井層(31)；

   步驟三(S3)：形成一第二半導體層(4)於發光結構層(3)上，且第二半導體層(4)之電性係與第一半導體層(2)之電性相反；在本發明其一較佳實施例中，第二半導體層(4)之電性係為與第一半導體層(2)之n型半導體層電性相反之p型半導體層；

   步驟四(S4)：形成一第一接觸電極(5)與一第二接觸電極(6)於第一半導體層(2)與第二半導體層(4)上；請一併參閱第三圖所示，為本發明具雙基座之薄膜式發光二極體製造方法其一較佳實施例之電極成形示意圖，其中在第一接觸電極(5)與第二接觸電極(6)成形前，係先以微影製程與蝕刻製程去除第二半導體層(4)與發光結構層(3)之部分區域，以使第一半導體層(2)裸露，再各自於第一半導體層(2)與第二半導體層(4)上以歐姆接觸之方式形成第一接觸電極(5)與第二接觸電極(6)；在本發明其一較佳實施例中，接觸第一半導體層(2)之n型半導體層的第一接觸電極(5)係為一n型電極，而接觸第二半導體層(4)之p型半導體層的第二接觸電極(6)係為一p型電極；

   步驟五(S5)：形成一第一子基座(7)於第一接觸電極(5)與第二接觸電極(6)上，並將基板(1)移除；請一併參閱第四圖所示，為本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第一子基板成形示意圖，其中可使用一雷射剝離(laser lift-off， LLO)技術將藍寶石材料所構成之基板(1)移除，而雷射剝離(LLO)之製程方法已為習知技藝中眾所皆知之知識，且並非本發明之重點，因此，不在本發明中加以贅述；此外，在具有同一高度平面之第一接觸電極(5)與第二接觸電極(6)上形成透明之子基座(7)，係為覆晶發光二極體之主要技術特徵；以及

   步驟六(S6)：將一透明之第二子基座(8)藉由一黏著層(81)黏著於第一半導體層(2)上，且第二子基座(8)與第一半導體層(2)間係具有一第一光學膜(82)，藉以製備一具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體；請一併參閱第五圖所示，為本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第二子基座成形示意圖，其中黏著層(81)係選自環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯(BCB)等其中之一種，以使第二子基座(8)黏著於第一半導體層(2)上，而在本發明其二較佳實施例中，黏著層(81)係可進一步添加有一螢光粉，以形成一螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，例如利用螢光粉將藍光LED或紫外UV-LED所產生的藍光或紫外光分別轉換為雙波長(Dichromatic)或三波長(Trichromatic)之白光；此外，第一光學膜(82)係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一種，當第一光學膜(82)為一抗反射層，係可增進本發明具雙基座之薄膜式發光二極體的光取出效率；當第一光學膜(82)為分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等反射層時，係可使具雙基座之薄膜式發光二極體發出的光以全反射方式反射回黏著層(81)所形成之螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，以增加螢光粉的利用率。

   此外，請參閱第六圖所示，為本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第二光學膜成形示意圖，其中第二子基座(8)遠離第一半導體層(2)之表面係可進一步設置有一第二光學膜(83)；在本發明其一較佳實施例中，第二光學膜(83)係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一種，其功能係與第一光學膜(82)相同，當第二光學膜(83)為一抗反射層，結合第一光學膜(82)之功能可增進本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率，同時亦可有效控制出光角度；當第二光學膜(83)為分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等反射層時，結合第一光學膜(82)之功能可使具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體發出的光以全反射方式反射回黏著層(81)所形成之螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，以增加螢光粉的利用率，並結合第一光學膜(82)之功能，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率與出光角度之控制。

   再者，本發明另提供一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，係以上述實施例之方法製備而成，請再參閱第五圖所示，具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體係至少包括有：

   一第一子基座(7)；

   一第一接觸電極(5)，係配置於第一子基座(7)上；

   一第二接觸電極(6)，係相對應第一接觸電極(5)配置於第一子基座(7)上；

   一第一半導體層(2)，係設置於第一接觸電極(5)上；此外，在本發明其一較佳實施例中，第一半導體層(2)之電性係為n型半導體層，而以歐姆接觸方式與第一半導體層(2)電性連接的第一接觸電極(5)係為一n型電極；

   一第二半導體層(4)，係設置於第二接觸電極(6)上；此外，在本發明其一較佳實施例中，第二半導體層(4)與第二接觸電極(6)係以歐姆接觸之方式做電性連結；再者，在本發明其一較佳實施例中，第二半導體層(4)係為一與第一半導體層(2)之n型半導體層電性相反的p型半導體層，則第二接觸電極(6)係為一p型電極；

   一發光結構層(3)，係設置於第一半導體層(2)與第二半導體層(4)之間，其中發光結構層(3)係為具有多重量子井結構之態樣，且多重量子井結構係包含有複數個彼此交替堆疊之井層(31)及阻障層(32)，而每兩阻障層(32)間係具有一井層(31)；以及

   一第二子基座(8)，係藉由一黏著層(81)黏著於第一半導體層(2)上，且第二子基座(8)與第一半導體層(2)間係具有一第一光學膜(82)，其中黏著層(81)係選自環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯(BCB)等其中之一種，以使第二子基座(8)黏著於第一半導體層(2)上，而在本發明其二較佳實施例中，黏著層(81)係可進一步添加有一螢光粉，以形成一螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，例如利用螢光粉將藍光LED或紫外UV-LED所產生的藍光或紫外光分別轉換為雙波長或三波長之白光；此外，第一光學膜(82)係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一種，當第一光學膜(82)為一抗反射層，係可增進本發明具雙基座之薄膜式發光二極體的光取出效率，而當第一光學膜(82)為分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等反射層時，係可使具雙基座之薄膜式發光二極體發出的光以全反射方式反射回黏著層(81)所形成之螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，以增加螢光粉的利用率。

   此外，第二子基座(8)遠離第一半導體層(2)之表面係可進一步設置有一第二光學膜(83)，請在參閱第六圖所示，第二光學膜(83)係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一種，其功能係與第一光學膜(82)相同，當第二光學膜(83)為一抗反射層，結合第一光學膜(82)之功能可增進本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率，同時亦可有效控制出光角度；當第二光學膜(83)為分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等反射層時，結合第一光學膜(82)之功能可使具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體發出的光以全反射方式反射回黏著層(81)所形成之螢光膠體，藉由該螢光膠體可將發光結構層(3)發射出的光線波長轉換，以增加螢光粉的利用率，並結合第一光學膜(82)之功能，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率與出光角度之控制。

   由上述之實施說明可知，本發明具雙基座之薄膜式發光二極體及其製造方法與現有技術相較之下，本發明具有以下優點：

   1.本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係使用一黏著層在第一半導體層上額外黏著一透明第二子基座，並進一步在第一半導體層與第二子基座間設置一具抗反射功能之抗反射層的第一光學膜，以使發光結構層發射的光線容易射出本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，可有效增進具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率。

   2.本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座與第一半導體層間以一環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯(BCB)其中之一之黏著層黏著一具光線反射功能之分散式布拉格反射鏡(DBR)或全方位反射鏡(ODR)等其中之一的第一光學膜，有效將發光結構層發射的光線以全反射方式反射回黏著層所形成之螢光膠體上，藉螢光膠體將光線之波長轉換，有效增加螢光粉(phosphor)的利用率，達到具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體光取出效率之改善。

   3.本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座上方鍍上一具抗反射功能之抗反射層的第二光學膜，再結合第一光學膜之功能，有效使發光結構層發射出的光線更容易射出本創作之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率，同時亦可有效控制出光角度。

   4.本發明之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法係藉由在額外設置的透明第二子基座上方設置一具光線反射功能之分散式布拉格反射鏡或全方位反射鏡的第一光學膜，有效將發光結構層發射的光線以全反射方式反射回黏著層所形成之螢光膠體，藉由螢光膠體將光線之波長轉換，有效增加螢光粉的利用率，並結合第一光學膜之功能，以達到加強具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體的光取出效率與出光角度之控制。

   綜上所述，本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法，的確能藉由上述所揭露之實施例，達到所預期之使用功效，且本發明亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。

   惟，上述所揭之圖示及說明，僅為本發明之較佳實施例，非為限定本發明之保護範圍；大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本發明之特徵範疇，所作之其它等效變化或修飾，皆應視為不脫離本發明之設計範疇。

(1)‧‧‧基板

(2)‧‧‧第一半導體層

(3)‧‧‧發光結構層

(31)‧‧‧井層

(32)‧‧‧阻障層

(4)‧‧‧第二半導體層

(5)‧‧‧第一接觸電極

(6)‧‧‧第二接觸電極

(7)‧‧‧第一子基座

(8)‧‧‧第二子基座

(81)‧‧‧黏著層

(82)‧‧‧第一光學膜

(83)‧‧‧第二光學膜

(S1)‧‧‧步驟一

(S2)‧‧‧步驟二

(S3)‧‧‧步驟三

(S4)‧‧‧步驟四

(S5)‧‧‧步驟五

(S6)‧‧‧步驟六

   第一圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之步驟流程圖

   第二圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之薄膜堆疊剖面示意圖

   第三圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之電極成形示意圖

   第四圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第一子基座成形示意圖

   第五圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第二子基座成形示意圖

   第六圖：本發明具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法其一較佳實施例之第二光學膜成形示意圖

(S1)‧‧‧步驟一

(S2)‧‧‧步驟二

(S3)‧‧‧步驟三

(S4)‧‧‧步驟四

(S5)‧‧‧步驟五

(S6)‧‧‧步驟六

Claims (8)

1. 一種具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其步驟包括有：於一基板上沉積一第一半導體層；形成一發光結構層於該第一半導體層上；形成一第二半導體層於該發光結構層上，且該第二半導體層之電性係與該第一半導體層之電性相反；形成一第一接觸電極與一第二接觸電極於該第一半導體層與該第二半導體層上；形成一第一子基座於該第一接觸電極與該第二接觸電極上，並將該基板移除；以及將一透明之第二子基座藉由一黏著層黏著於該第一半導體層上，且該第二子基座與該第一半導體層間係具有一第一光學膜，藉以製備一具雙基座之薄膜式發光二極體。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該黏著層係選自環氧樹脂(epoxy)、聚矽氧烷(silicone)或苯環丁烯其中之一，以使該第二子基座黏著於該第一半導體層。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該黏著層係進一步添加有一螢光粉。
4. 如申請專利範圍第1項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該第二子基座遠離該第一半導體層之表面係進一步設置有一第二光學膜。
5. 如申請專利範圍第4項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該第二光學膜係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡或全方位反射鏡其中之一。
6. 如申請專利範圍第1或5項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該第一光學膜係為一抗反射層、分散式布拉格反射鏡或全方位反射鏡其中之一。
7. 如申請專利範圍第1項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該基板係選自藍寶石、碳化矽、矽、砷化鎵、氧化鋅，以及具有六方體系結晶材料所構成之群組。
8. 如申請專利範圍第1項所述之具雙基座之薄膜式覆晶發光二極體製造方法，其中該發光結構層係具有多重量子井結構，且該多重量子井結構係包含有複數個彼此交替堆疊之井層及阻障層，每兩該阻障層間係具有一該井層。