TWI576454B - Spraying target for forming wiring film and coating layer for electronic parts - Google Patents

Description

電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材

本發明是有關於一種可應用於例如觸控面板等的電子零件用積層配線膜、及用以形成覆蓋該電子零件用積層配線膜的導電層的披覆層的濺鍍靶材。

近年來，作為新的可攜式終端的智慧型手機或平板電腦（Tablet Personal Computer）等已製品化，所述新的可攜式終端是將於玻璃基板上形成薄膜元件的液晶顯示器（Liquid Crystal Display：以下，稱為「LCD」）、有機電致發光（Electroluminescence，EL）顯示器或電子紙等中所利用的電泳型顯示器等平面顯示裝置（平板顯示器，Flat Panel Display：以下，稱為「FPD」）與可一面觀看其畫面一面賦予直接的操作性的觸控面板組合而成者。於作為該些觸控面板的位置檢測電極的感測器膜中，通常使用作為透明導電膜的銦-錫氧化物（Indium Tin Oxide：以下，稱為「ITO」）。而且，於其橋接配線或引出配線中，例如使用積層有Mo或Mo合金與Al或Al合金的積層配線膜作為具有更低的電阻值（以下，稱為低電阻）的金屬配線膜。

近年來，智慧型手機或平板電腦等中所使用的LCD或FPD等正逐年急速地發展大畫面化、高精細化、高速響應化，對於其感測器膜及金屬配線膜，要求進一步的低電阻化。因此，針對感測器膜，亦提出有將電阻低於ITO的金屬層設為網狀的金屬網膜方式等。 對將電阻低於Al的Cu或Ag應用於該金屬網膜進行研究的結果，Cu除耐氧化性或密接性存在課題以外，作為耐候性之一的耐濕性亦存在課題，因此存在難以處理這一問題。另一方面，Ag的價格比Cu高，但因耐氧化性或耐濕性比Cu優異而有希望。 然而，Ag與基板的密接性低而容易剝落，進而容易與氯或硫進行反應，因此耐候性存在課題。因此，為了解決密接性或耐候性這一Ag特有的課題，而提出有藉由包含其他金屬的披覆層來披覆Ag。 另外，為了智慧型手機或平板電腦等的薄型化，觸控面板的基板亦採用使用可比玻璃基板更薄型化的樹脂膜基板的方式，所述披覆層亦需要與樹脂膜基板的密接性。

作為形成所述金屬配線膜或披覆層的方法，最合適的是使用濺鍍靶材的濺鍍法。濺鍍法是物理蒸鍍法的一種，與其他真空蒸鍍或離子鍍相比，其是可使大面積容易地成膜的方法，並且是組成變動少、可獲得優異的薄膜層的有效的方法。另外，其是對於基板的熱影響亦少，亦可應用於樹脂膜基板的方法。

本發明者提出藉由設為積層有包含與玻璃等的密接性低的Cu或Ag的導電層、與包含含有V及/或Nb的Mo合金作為Mo主體的披覆層的積層配線膜，可維持Cu或Ag所具有的低電阻，並改善耐蝕性、耐熱性或與玻璃基板的密接性（參照專利文獻1）。該技術是作為形成於玻璃基板上的薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）的配線膜有效的技術。

另外，本發明者提出有一種將包含1原子%～25原子%的Cu，1原子%～25原子%的選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W中的元素，且添加量的合計為35原子%以下的Ni合金的披覆層積層於包含Ag或Cu的導電層上的積層配線膜（參照專利文獻2）。該專利文獻2中所提出的披覆層是就以下觀點而言有用的技術：藉由採用添加有規定量的Ti、V、Cr等過渡金屬的Ni合金，而達成弱磁性化，可穩定且長時間地進行利用濺鍍的成膜。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-140319號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-310814號公報

[發明所欲解決之課題]     如上所述，近年來的FPD正急速地發展高精細化，因此於觸控面板中，亦期望以更狹小的配線寬度來高精度地進行蝕刻加工。 但是，Cu或Ag進行作為精度高的蝕刻法的乾式蝕刻並不容易，因此主要使用濕式蝕刻。另外，樹脂膜基板具有透濕性，因此當形成於玻璃基板上時，對於與Cu或Ag的導電層進行積層的披覆層要求更高的耐候性。

根據本發明者的研究，已確認於專利文獻1中所揭示的積層有包含Cu或Ag的導電層與包含Mo合金的披覆層的積層配線膜中，有時在樹脂膜基板上產生腐蝕。本發明者已確認因導電層的Cu或Ag的電極電位高，故若與電極電位低的Mo或所述Mo合金進行積層，則於具有透濕性的樹脂膜基板中，Mo或Mo合金因電池反應而容易腐蝕，長時間下的可靠性存在課題。 另外，本發明者已確認當對將電極電位比Mo接近Cu或Ag的Ni合金用於披覆層的積層配線膜進行濕式蝕刻時，存在於基板面內披覆層的蝕刻變得不均勻、容易產生不均、配線寬度產生偏差的情況，或側蝕量變大的情況，且存在難以穩定地獲得今後所期待的寬度狹小的配線膜這一新的課題。

本發明的目的在於提供一種具有包含選自低電阻的Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層，及可確保密接性、耐候性、耐氧化性，並且可穩定地進行高精度的濕式蝕刻的新型的披覆層的電子零件用積層配線膜及披覆層形成用濺鍍靶材。 [解決課題之手段]

鑒於所述課題，本發明者對與包含選自低電阻的Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層進行積層的披覆層的合金組成進行了努力研究。其結果，發現了一種藉由將特定的元素添加至Ni中，並使其添加量最合適化，而可確保密接性、耐候性、耐氧化性，並且可穩定地進行高精度的濕式蝕刻的新型的披覆層，從而完成了本發明。

即，本發明是一種電子零件用積層配線膜，其包括包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層與覆蓋該導電層的至少一面的披覆層，所述披覆層含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的該Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質。 另外，所述披覆層較佳為含有5原子%～25原子%的所述Cu，且合計含有36原子%以上的所述Mo與所述Cu。 另外，所述披覆層較佳為含有26原子%～40原子%的所述Mo。

另外，本發明是一種披覆層形成用濺鍍靶材的發明，該披覆層形成用濺鍍靶材是用以形成覆蓋包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層的披覆層的濺鍍靶材，其含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的該Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，居里點（Curie point）為常溫以下。 另外，所述濺鍍靶材較佳為含有5原子%～25原子%的所述Cu，且合計含有36原子%以上的所述Mo與所述Cu。 另外，所述濺鍍靶材較佳為含有26原子%～40原子%的所述Mo。 [發明的效果]

本發明可提供一種積層有包含選自低電阻的Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層，及可確保密接性、耐候性，並且耐氧化性高，可穩定地進行高精度的濕式蝕刻的披覆層的新型的電子零件用積層配線膜及其披覆層形成用濺鍍靶材。藉此，成為對於各種電子零件，例如形成於樹脂膜基板上的觸控面板或可撓性的FPD而言非常有用的技術，可對電子零件的穩定製造或可靠性提昇做出大的貢獻。

將本發明的電子零件用積層配線膜的剖面示意圖的一例示於圖1中。本發明的電子零件用積層配線膜包括包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層3，及覆蓋該導電層3的至少一面的披覆層2、披覆層4，且例如形成於基板1上。於圖1中，在導電層3的兩面上形成有披覆層2、披覆層4，但亦可將披覆層2、披覆層4作為基底層或覆蓋層而僅形成於導電層3的任一面上，可適宜選擇。 再者，當利用本發明的披覆層僅覆蓋導電層的一面時，亦可對應於電子零件的用途，利用與本發明不同的組成的披覆層覆蓋導電層的另一面。

本發明的重要的特徵在於發現於圖1所示的電子零件用積層配線膜的披覆層中，藉由添加特定量的Ni、Mo、Cu，而製成可確保密接性、耐候性、耐氧化性，並且於濕式蝕刻時難以產生不均的披覆層。以下，對本發明的電子零件用配線膜進行詳細說明。 再者，於以下的說明中，「密接性」是指披覆層與玻璃基板、樹脂膜基板的剝落困難性，或導電層與披覆層的剝落困難性，可藉由利用黏著膠帶的剝離來進行評價。所謂「耐候性」，是指由高溫高濕環境下的表面變質所引起的電接觸性的劣化的困難性，可藉由配線膜的變色來確認，例如可藉由反射率來定量地進行評價。另外，所謂「耐氧化性」，是指伴隨於含有氧的環境中進行加熱時的表面氧化的電接觸性的劣化的困難性，可藉由配線膜的變色來確認，例如可藉由反射率來定量地進行評價。

本發明的特徵在於：於包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層與覆蓋該導電層的至少一面的披覆層中，含有5原子%～50原子%的Mo，進而含有Cu，兩者合計含有60原子%以下，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質。 成為主元素之一的Ni是與Cu或Ag相比，與玻璃基板或作為透明導電膜的ITO、作為絕緣保護膜的氧化物等的密接性高，進而耐候性、耐氧化性亦優異的元素，且為藉由披覆包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層，可獲得密接性或耐候性、耐氧化性的改善效果的元素。但是，Ni無法藉由用於Cu或Ag的蝕刻劑來進行蝕刻，因此需要改善蝕刻性。 於本發明中，作為披覆層中所含有的Ni以外的元素的Mo、Cu具有改善對於用於Cu或Ag的蝕刻劑的蝕刻速度的效果。若增加含量，則可進一步提昇該改善效果。另外，若含量的合計超過60原子%，則Ni原本所具有的耐濕性大幅度下降。因此，將Mo與Cu的合計設為60原子%以下。

Mo是相對於Ni，於高溫區域中具有固溶區域，可容易地與Ni形成合金的元素。若於披覆層中含有Mo，則具有改善密接性與提高蝕刻速度的效果，並且亦十分有助於其均勻性的改善。進而，Mo是具有亦改善耐氧化性的效果的元素，其是於本發明中無法欠缺的元素。其改善效果於含有5原子%以上時顯現，於15原子%以上時變得更明確。另一方面，若含有超過50原子%的Mo，則作為耐候性之一的耐濕性大幅度下降。因此，於本發明中，在披覆層中以5原子%～50原子%的範圍含有Mo。 另外，蝕刻的均勻性的改善效果於Mo的含量為15原子%以上時變得顯著，但為了相對於成為導電層的Cu及Ag兩者的蝕刻劑而改善蝕刻不均，更佳為將Mo的含量設為26原子%以上。另一方面，若含有超過40原子%的Mo，則有時因蝕刻劑的種類而容易於蝕刻時產生殘渣。因此，披覆層中所含有的Mo更佳為26原子%～40原子%。

若將Cu添加至本發明的電子零件用積層配線膜的披覆層中，則可獲得蝕刻速度的改善效果。其改善效果於Cu的含量為5原子%時變得明確，但若含有超過25原子%的Cu，則除密接性下降以外，耐氧化性亦下降，並且相對於蝕刻劑容易潤濕，因此存在側蝕量增加、蝕刻精度下降的情況。 另外，若於披覆層中含有超過25原子%的Cu，則尤其於Ag的蝕刻劑中，有時蝕刻速度反而下降。因此，於本發明中，較佳為將披覆層中所含有的Cu設為5原子%～25原子%的範圍。另外，為了相對於Cu及Ag兩者的蝕刻劑，抑制與成為進行積層的導電層的Ag或Cu的蝕刻速度差，而進行高精度的蝕刻，更佳為將Mo與Cu的合計設為36原子%以上。 另外，若Cu的含量比Mo的含量多，則有時無法充分地獲得Mo所具有的耐氧化性、密接性、蝕刻時的均勻性的改善效果。因此，Cu的含量較佳為比Mo的含量少，更佳為Mo的含量的0.7倍以下。 另外，本發明的電子零件用積層配線膜的披覆層亦可藉由選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一種以上的元素來取代Ni、Mo及Cu的一部分。該些元素是耐候性的改善效果高的元素，另一方面，若過度添加，則存在使蝕刻速度下降的情況。因此，該些元素的取代量較佳為合計設為1原子%～5原子%的範圍。

本發明的電子零件用積層配線膜為了穩定地獲得低電阻與耐候性或耐氧化性，較佳為將包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層的膜厚設為100 nm～1000 nm。若導電層的膜厚比100 nm薄，則電阻值容易因薄膜特有的電子的散射的影響而增加。另一方面，若導電層的膜厚比1000 nm厚，則為了形成膜而耗費時間、或容易因膜應力而於基板中產生翹曲。導電層的膜厚更佳為設為200 nm～500 nm的範圍。 於本發明的導電層中，適宜的是可獲得低電阻值的純Ag或純Cu，但除所述耐候性或耐氧化性以外，進而考慮到耐熱性或耐蝕性等可靠性，亦可使用將過渡金屬或半金屬等添加至Ag或Cu中而成的Ag合金或Cu合金。此時，為了儘可能獲得低電阻，較佳為合計於5原子%以下的範圍內添加。

本發明的電子零件用積層配線膜為了穩定地獲得低電阻與耐候性或耐氧化性，較佳為將披覆層的膜厚設為10 nm～100 nm。當將披覆層用作基底層時，藉由將膜厚設為10 nm以上，可改善與基板的密接性。另外，當將披覆層用作覆蓋層時，藉由將膜厚設為20 nm以上，披覆層的缺陷等的消失變得充分，可提昇耐候性或耐氧化性。 另一方面，若披覆層的膜厚超過100 nm，則披覆層的電阻值變高，當與導電層進行積層時，作為電子零件用積層配線膜，難以獲得低電阻。因此，披覆層的膜厚更佳為設為20 nm～100 nm。

於形成本發明的電子零件用積層配線膜的各層時，最合適的是使用濺鍍靶材的濺鍍法。當形成披覆層時，例如可應用：使用組成與披覆層的組成相同的濺鍍靶材進行成膜的方法、或使用各個元素的濺鍍靶材並藉由共濺鍍（cosputtering）來進行成膜的方法。另外，亦可應用使用Ni-Mo合金或Ni-Cu合金等的濺鍍靶材並藉由共濺鍍來進行成膜的方法。 就濺鍍的條件設定的簡易性、或容易獲得所期望的組成的披覆層這一觀點而言，更佳為使用組成與披覆層的組成相同的濺鍍靶材進行濺鍍成膜。 另外，於濺鍍法中，為了進行高效且穩定的濺鍍，必須於使用濺鍍靶材的常溫下，將非磁性即居里點設為常溫以下。再者，所謂「居里點為常溫以下」，是指當於常溫（25℃）下測定濺鍍靶材的磁特性時為非磁性。 作為本發明的披覆層形成用濺鍍靶材的一成分的Ni為磁性體，因此為了進行高效且穩定的濺鍍，必須以使居里點變成常溫以下的方式調整添加元素的種類與添加量。

於本發明的披覆層形成用濺鍍靶材中，作為非磁性元素的Mo的使作為磁性體的Ni的居里點下降的效果最高，若向Ni中單獨添加8原子%的Mo，則居里點變成常溫以下。但是，如上所述，於披覆層的特性中，當以確保密接性、蝕刻特性或耐氧化性為目的而將Mo的添加量設為5原子%時，為了使濺鍍靶材的居里點變成常溫以下，將Cu的含量設為15原子%以上。 另外，Ni於高溫區域中使約30原子%的Mo固溶，於低溫區域中固溶量下降。而且，若Mo的添加量超過30原子%，則化合物相顯現，作為Ni與Mo的合金相，若Mo的添加量超過約50原子%，則存在化合物相成為主體且延展性或靭性下降，變脆而難以進行穩定的機械加工的情況。 另外，於所述披覆層的特性中，若Mo的添加量超過50原子%，則有時耐候性亦大幅度下降。因此，於本發明中，將Mo的添加量的上限設為50原子%。 另外，Cu是與Ni進行完全固溶的元素，使居里點下降的效果比Mo低，若向Ni中單獨添加約30原子%的Cu，則居里點變成常溫以下。但是，如上所述，於披覆層的特性中，為了確保耐氧化性或密接性，Cu的添加量較佳為5原子%～25原子%的範圍。

根據以上所述，本發明的披覆層形成用濺鍍靶材含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的該Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，將居里點設為常溫以下。藉此，本發明的披覆層形成用濺鍍靶材可穩定地對披覆層進行濺鍍。 另外，添加元素的種類與添加量越多，濺鍍靶材中的化合物相的顯現量越增加，於製造FPD用途中所要求的大型的濺鍍靶材時的機械加工或接合中越容易產生破損。而且，本發明中所添加的Mo與Cu是進行相分離的元素，若Mo與Cu兩者的含量超過某一固定量，則有時容易進行相分離，難以獲得均勻的合金，而且濺鍍靶材容易破損。因此，本發明的濺鍍靶材的Mo與Cu的合計含量設為60原子%以下。

作為本發明的披覆層形成用濺鍍靶材的製造方法，例如亦可應用：對使調整成規定的組成的原料熔解而製作的鑄錠實施機械加工來製造濺鍍靶材的方法或粉末燒結法。於粉末燒結法中，例如可利用氣體霧化法製造合金粉末來作為原料粉末、或將以成為本發明的最終組成的方式混合多種合金粉末或純金屬粉末而成的混合粉末作為原料粉末。作為原料粉末的燒結方法，可使用：熱等靜壓（hot isostatic pressing）、熱壓、放電電漿燒結（spark plasma sintering）、擠壓燒結等加壓燒結。本發明如所述般Mo或Cu的添加量多，塑性加工性下降，因此為了穩定地製造FPD用的大型濺鍍靶材，適宜的是對具有特定的組成的合金粉末進行加壓燒結的製造方法。 另外，因含有作為磁性體的Ni，故較佳為選定所添加的元素，並對居里點為常溫以下的合金粉末進行加壓燒結。居里點為常溫以下的合金粉末可藉由使用調整成最終組成的Ni合金的霧化法而容易地獲得。另外，亦可將經熔解的鑄錠粉碎來製作合金粉末。另外，亦可應用製造各種合金粉末，並以變成最終組成的方式進行混合的方法。 另外，若合金粉末的平均粒徑未滿5 μm，則所獲得的濺鍍靶材中的雜質增加。另一方面，若合金粉末的平均粒徑超過300 μm，則難以獲得高密度的燒結體。因此，合金粉末的平均粒徑較佳為設為5 μm～300 μm。再者，本發明中所述的平均粒徑是以JIS Z 8901中所規定的由使用雷射光的光散射法所得的球當量直徑（sphere equivalent diameter）來表示。

本發明的披覆層形成用濺鍍靶材較佳為主要構成元素的Ni、Mo、Cu以外的不可避免的雜質的含量少，亦可於無損本發明的作用的範圍內含有氧、氮、碳、Fe、Al、Si等不可避免的雜質。此處，各主要構成元素是以相對於主要構成元素整體的原子%來表示，主要元素以外的不可避免的雜質是以靶材整體中的質量ppm來表示。例如，氧、氮分別為1000質量ppm以下，碳為200質量ppm以下，Al、Si為100質量ppm以下等，作為除氣體成分以外的純度，較佳為99.9質量%以上。 [實施例1]

首先，製作用以形成披覆層的濺鍍靶材。將所製作的披覆層的組成示於表1中。再者，No.4～No.10的濺鍍靶材是將電解Ni與塊狀的Mo原料、無氧銅的塊秤量成規定量後，利用真空熔解爐並藉由熔解鋳造法來製作鑄錠。另外，成為比較例的No.1～No.3的Ni-30原子%Cu、Ni-35原子%Cu-3原子%Ti、Ni-8原子%Mo亦同樣地藉由真空熔解法，將電解Ni與塊狀的Mo原料、無氧銅的塊秤量成規定量後，利用真空熔解爐並藉由熔解鋳造法來製作鑄錠。 使SmCo磁鐵接近所獲得的各合金的鑄錠，結果確認不會附著於磁鐵上。另外，將以上所獲得的鑄錠的一部分放入至磁特性測定用的箱中，使用理研電子股份有限公司製造的振動試樣型磁力計（型號：VSM-5），於常溫（25℃）下測定磁特性，結果確認為非磁性。 另外，藉由粉末冶金法來製作Mo-30原子%Ni的濺鍍靶材。該方法是將平均粒徑為6 μm的Mo粉末與平均粒徑為100 μm的Ni粉末混合，填充至軟鋼製的罐中後，一面進行加熱一面進行真空排氣後密封。繼而，將經密封的罐放入至熱等靜壓裝置中，於1100℃、100 MPa、3小時的條件下進行燒結來製作燒結體。另外，亦藉由相同的方法來製作純Mo的燒結體。

對以上所獲得的各鑄錠及各燒結體進行機械加工，藉此製作直徑為100 mm、厚度為5 mm的濺鍍靶材。另外，純Ag的濺鍍靶材準備三菱材料股份有限公司製造的純度為4 N者。另外，純Cu的濺鍍靶材是對純度為4 N的包含無氧銅的板進行機械加工來準備。 繼而，將所述各濺鍍靶材焊接於銅製的支承板上後，安裝在優貝克（ULVAC）股份有限公司製造的濺鍍裝置（型號：CS-200）上，於Ar環境、壓力0.5 Pa、電力500 W的條件下實施濺鍍試驗，結果可對任一種濺鍍靶材進行濺鍍。

將康寧公司製造的25 mm×50 mm的玻璃基板（製品號：EagleXG）安裝於所述濺鍍裝置的基板固定器上，形成厚度為100 nm的披覆層，並評價密接性及蝕刻性。另外，No.11及No.13是藉由對Mo與Ni-30原子%Cu的濺鍍靶材同時進行濺鍍的共濺鍍法來形成。No.12是對Mo-30原子%Ni與Ni-30原子%Cu同樣地進行共濺鍍來形成，表1中所示的組成是利用島津製作所股份有限公司製造的感應耦合電漿發光分析裝置（Inductively Coupled Plasma，ICP）（型號：ICPV-1017）對該些所形成的披覆層進行分析所得的值。

密接性的評價藉由JIS K 5400中所規定的方法來進行。首先，將住友3M股份有限公司製造的透明黏著膠帶（製品名：透明美色）貼在以上所形成的披覆層的表面上，利用切刀形成2 mm見方的柵格，然後將透明黏著膠帶剝離，並以有無披覆層的殘存來進行評價。將披覆層未剝落1個柵格者評價為○，將1個柵格～10個柵格剝落者評價為△，將11個柵格以上剝落者評價為×。 蝕刻性的評價中，將硝酸、磷酸、乙酸與水混合來用作Ag用的蝕刻劑。Cu用的蝕刻劑使用關東化學工業製造的Cu02。為了製成側蝕少的披覆層，必須抑制蝕刻時間的不均，減少過度蝕刻時間，並且適度地抑制對於蝕刻劑的潤濕性。 使各試樣浸漬於蝕刻液中，將至披覆層整個面完全地透過為止所耗費的時間作為適量蝕刻（just etching）時間來進行測定。另外，同時一面以目視確認蝕刻不均，一面為了形成更明確的差，而測定膜的一部分透過的時間與適量蝕刻時間的時間差。時間差越小，表示蝕刻不均越少。另外，將20 μl的蝕刻劑滴加至膜表面，並測定2分鐘後的擴徑。擴徑越小，表示越可抑制側蝕，且越可進行精度高的蝕刻。

[表1]

如表1所示，試樣No.1、試樣No.2、試樣No.4的密接性低。另外，可知試樣No.3雖然藉由含有8原子%的Mo而使密接性改善，但適量蝕刻時間長。 相對於此，可確認本發明的披覆層藉由在Ni中含有特定量的Mo與Cu，密接性得到大幅度改善。 另外，關於蝕刻性，可知試樣No.1、試樣No.2的披覆層可藉由Cu的蝕刻劑於2分鐘以內進行蝕刻，但若為Ag蝕刻劑，則需要18分鐘以上的時間而不適合。另外，可知有蝕刻快的部分與慢的部分，而產生蝕刻不均，因此時間差亦大，蝕刻劑容易擴展。因此，可知難以進行均勻的蝕刻，不適合精度高的蝕刻。另外，於試樣No.13、試樣No.14的Mo含量超過50原子%的組成中，蝕刻後確認到殘渣的產生。 相對於此，可確認成為本發明的試樣No.5～試樣No.12的披覆層於Cu及Ag兩者的蝕刻劑中，均可於90秒以下進行蝕刻。另外，可確認試樣No.8～試樣No.12的披覆層藉由增加Mo的添加量，並將Mo與Cu的合計量設為36原子%以上，適量蝕刻時間變短，其時間差與擴徑亦變小，蝕刻不均與側蝕少，因此可進行精度高的蝕刻。 [實施例2]

進行耐氧化性的評價。於大氣環境中，以150℃、250℃、300℃、350℃對各試樣進行30分鐘的加熱處理，並測定反射率與電阻值。反射率是使用柯尼卡美能達（Konica Minolta）股份有限公司製造的分光測色計（型號：CM2500d）來測定，電阻值是使用戴亞儀器（DIA Instruments）製造的四端子的薄膜電阻率計（型號：MCP-T400）來測定。 使用實施例1中所準備的各濺鍍靶材，製作以表2中所示的構成，使膜厚為30 nm的基底層、膜厚為300 nm的Cu導電層、膜厚為50 nm的覆蓋層依次於玻璃基板上成膜而成的積層配線膜的試樣。再者，所述基底層與覆蓋層是指表2的披覆層材質組成者。

[表2]

如表2所示，可確認藉由使用本發明的披覆層，可大幅度地改善耐氧化性。 於膜基板上，需要自膜的耐熱溫度至250℃為止的耐氧化性。如表2所示，可知於試樣No.4中，於250℃以上反射率開始下降，但本發明的電子零件用積層配線膜即便經過250℃的大氣加熱，亦維持50%以上的高反射率，且具有高耐氧化性。尤其，可確認若增加Mo的添加量，則其效果大。 另外，可確認本發明的電子零件用積層配線膜即便經過250℃、300℃、350℃的大氣加熱，電阻值的上昇亦得到抑制，可改善耐氧化性。 [實施例3]

繼而，使用實施例2的各電子零件用積層配線膜，進行耐候性的評價。耐候性的評價是將各電子零件用積層配線膜於溫度85℃、相對濕度85%的環境中放置100小時、200小時、300小時後，與實施例2同樣地測定反射率。再者，表3中所示的基底層與覆蓋層是指表3的披覆層材質組成者。

[表3]

如表3所示，成為比較例的試樣No.13、試樣No.14因Mo的含量超過50原子%，故伴隨時間的經過，反射率下降。 另一方面，可確認成為本發明例的試樣No.5～試樣No.12的電子零件用積層配線膜即便暴露於高溫高濕環境中，亦不會變色，經過300小時後亦維持高反射率，且具有高耐濕性。 根據以上所述，可確認藉由使用本發明的電子零件用積層配線膜，可確保與導電層的密接性、耐氧化性、耐候性，並且可進行穩定的濕式蝕刻。 [實施例4]

繼而，使用實施例1中所準備的各濺鍍靶材，製作以表4中所示的構成，使膜厚為30 nm的基底層、膜厚為200 nm的Ag導電層、膜厚為30 nm的覆蓋層依次於附有ITO膜的膜基板或玻璃基板上成膜而成的積層配線膜的試樣。再者，所述基底層與覆蓋層是指表4的披覆層材質組成者。 密接性的評價是將住友3M股份有限公司製造的透明黏著膠帶（製品名：透明美色）貼在積層配線膜上，利用橡皮擦摩擦表面，然後將透明黏著膠帶剝離，並評價有無披覆層的殘存。將披覆層未剝落者評價為○，將約10%左右剝落者評價為△，將20%以上剝落者評價為×。 Ag與Cu不同，即便於大氣中進行350℃的加熱，電阻值亦不會大幅度增加，因此耐氧化性的評價與實施例2同樣地，於大氣環境中以150℃、250℃、350℃對各試樣進行30分鐘的加熱處理，並測定反射率。 另外，耐候性的評價與實施例3同樣地，將各試樣於溫度85℃、相對濕度85%的環境中放置100小時、200小時、300小時後測定反射率。

[表4]

如表4所示，試樣No.4的密接性低。 另一方面，可知成為本發明例的試樣No.5～試樣No.12藉由Mo的含量增加，密接性改善，尤其於Mo含量為22原子%以上的試樣No.8～試樣No.12中，可獲得高密接性。 再者，關於耐熱性，若進行350℃的加熱，則於膜基板中產生褶皺。另外，可確認即便於使用Ag作為導電層的情況下，成為本發明例的試樣於至250℃為止的加熱中，藉由高耐氧化性而抑制Ag導電層的變色。另外，關於耐候性，亦可確認成為本發明例的試樣藉由高耐候性而抑制Ag導電層的變色。

1‧‧‧基板
2‧‧‧披覆層（基底層）
3‧‧‧導電層
4‧‧‧披覆層（覆蓋層）

圖1是本發明的電子零件用積層配線膜的剖面示意圖的一例。

1‧‧‧基板

2‧‧‧披覆層(基底層)

3‧‧‧導電層

4‧‧‧披覆層(覆蓋層)

Claims (6)

1. 一種電子零件用積層配線膜，其特徵在於包括：包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層、與覆蓋所述導電層的至少一面的披覆層，所述披覆層含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的所述Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質。
2. 如申請專利範圍第1項所述的電子零件用積層配線膜，其中所述披覆層含有5原子%～25原子%的所述Cu，且合計含有36原子%以上的所述Mo與所述Cu。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子零件用積層配線膜，其中所述披覆層含有26原子%～40原子%的所述Mo。
4. 一種披覆層形成用濺鍍靶材，其是用以形成覆蓋包含選自Ag、Ag合金、Cu及Cu合金中的一種的導電層的披覆層的濺鍍靶材，其特徵在於：含有5原子%～50原子%的Mo，且合計含有60原子%以下的所述Mo與Cu，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，居里點為常溫以下。
5. 如申請專利範圍第4項所述的披覆層形成用濺鍍靶材，其含有5原子%～25原子%的所述Cu，且合計含有36原子%以上的所述Mo與所述Cu。
6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的披覆層形成用濺鍍靶材，其含有26原子%～40原子%的所述Mo。