TWI574101B - A pellicle frame and a pellicle - Google Patents

Description

防塵薄膜組件框架以及防塵薄膜組件

本發明是有關於IC（Integrated Circuit），LSI（Large Scale Integration）等的半導體積體電路或LCD（Liquid Crystal Display）等的液晶顯示裝置的製造時，作為光微影用光罩的異物防止器來使用的防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架以及防塵薄膜組件。

在IC、LSI等的半導體積體電路以及LCD等的液晶顯示裝置等的製造中，通過曝光步驟的光微影來進行圖案的製作。此時所用的曝光原版（光微影用光罩）上如有異物附著，就會在曝光圖案的轉印的同時，附著的異物的圖像也會轉印，就會使圖案的尺寸、品質、外觀等受損，光微影步驟的製造成品率降低。

由此，這些操作通常在無塵室內進行。但是，即使在該無塵室內，也難以經常保持曝光原版的清潔。因此，要採用在曝光原版上貼附被叫做防塵薄膜組件的使曝光用的光良好透過的防止異物的方法。藉由如此方法，異物就不會在曝光原版直接附著，而是在防塵膜上附著。由此，只要在光微影時將焦點對準曝光原版的圖案上，即可防止防塵膜上的異物對轉印產生影響。

防塵薄膜組件基本上包括使曝光用光良好透過的由硝酸纖維素、乙酸纖維素、氟系聚合物等構成的防塵膜；進行了黑色陽極氧化鋁處理的鋁合金以及不銹鋼，聚乙烯等構成的防塵薄膜組件框架；由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂以及矽酮樹脂等構成，且使防塵薄膜組件在曝光原版上裝著的黏著層以及對黏著層進行保護的襯層。

防塵膜是在防塵薄膜組件框架的上端面塗布防塵膜的良溶媒，在防塵膜與防塵薄膜組件框架密著後，進行風乾接著（參照專利文獻1），或用丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等的接著劑進行接著（參照專利文獻2、3），黏著層在防塵薄膜組件框架的下端面形成。

在此，防塵薄膜組件框架上使用的鋁合金被施以黑色陽極氧化鋁處理的目的是防止曝光的光在防塵薄膜組件框架上反射，另外，還使防塵薄膜組件的異物檢査容易。因此，一般以防塵薄膜組件框架為黑色為優選。

防塵薄膜組件以將曝光原版的表面上形成的圖案領域進行覆蓋的方式裝著。防塵薄膜組件覆蓋的圖案領域與外部隔離，從而防止在防塵薄膜組件外部發生的塵埃等的異物直接在曝光原版上附著。

近年，伴隨著LSI的進一步高積體化，曝光光源的短波長化正在進行，曝光光源的主流也從水銀燈的g線（436 nm），i線（365 nm）朝向KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）變化。

但是，將曝光光源短波長化，由於曝光的光的能量會變高，曝光環境中存在的氣體狀物質會發生反應，在光罩基板上發生被稱為霧狀物（haze）的異物的可能性會變高。

因此，就要採用極力使無塵室內的氣體狀物質減少，對光罩進行充分的清洗，使防塵薄膜組件的構成物質變為低發氣性等的對策。 但是，即使採用光罩的清洗以及防塵薄膜組件的構成物質的低發氣化，也難以完全防止光罩基板上的霧狀物（haze）的發生。

例如，在作為防塵薄膜組件框架使用的鋁合金的表面上形成的陽極氧化皮膜中會有硫酸、硝酸、有機酸等的酸性成分。這些酸性成分從陽極氧化皮膜中脫離，曝光環境下在防塵薄膜組件和光罩構成的封閉空間內進行反應，由此會產生硫酸銨等的硫酸化合物。如此生成的硫酸化合物會在光罩基板上附著，霧狀物（haze）從而發生。如此霧狀物（haze）的發生使得半導體製造中的成品率變低。

因此，為了對霧狀物（haze）的發生進行抑制，可以採用通過將施以陽極氧化處理的防塵薄膜組件框架在純水中進行超音波清洗，來將陽極氧化皮膜中的酸性成分除去的方法（參照專利文獻4）。另外，還有不用陽極氧化被膜，而設置用電沉積（electrodeposition）得到的聚合物被膜的方法（參照專利文獻5）以及金屬鍍敷的方法（參照專利文獻6），使用無著色的鋁合金的方法（參照專利文獻7）等。

但是，如不使用專利文獻6記載那樣的黑色陽極氧化鋁處理，而使用施以鍍敷的鋁以及專利文獻7記載的那樣的無著色的鋁作為防塵薄膜組件框架的話，異物檢査的辨識性就會變差。另外，專利文獻5記載的那樣的用氧化鐵、二氧化鈦、碳黑等的黑色顏料進行著色的聚合物對防塵薄膜組件框架被覆的情況下，從發塵性的觀點來看則欠佳。 [現有技術文獻] [專利文獻]

【專利文獻1】日本專利特開昭58-219023號公報 【專利文獻2】美國專利第4861402號說明書 【專利文獻3】日本專利特公昭63-27707號公報 【專利文獻4】日本專利特開2006-184822號公報 【專利文獻5】日本專利特開2007-333910號公報 【專利文獻6】日本專利特開2010-211021號公報 【專利文獻7】日本專利特開2009-276521號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明就是鑒於所述那樣的問題而成的。本發明的目的是提供一種通過使從防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等減少，從而在曝光環境下，減少霧狀物（haze）的發生的防塵薄膜組件框架以及防塵薄膜組件。 [解決課題之手段]

為了達成所述目的，本發明提供一種構成光微影用的防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架，其特徵在於所述防塵薄膜組件框架被用含有對二甲苯系聚合物的層被覆。

如此一來，本發明的防塵薄膜組件框架由於被用含有對二甲苯系聚合物的層被覆，可以減少由防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等的成為霧狀物（haze）發生的原因物質的量，從而可以在曝光環境下，減少霧狀物（haze）的發生。

在此，作為所述對二甲苯系聚合物，以含有聚對二甲苯的鹵素衍生物為優選，特別是含有聚氯代對二甲苯為更優選。

如此，從防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等的霧狀物（haze）發生的原因物質的量就會確實地減少，在曝光環境下，霧狀物（haze）的發生就會確實地減少。

此時，所述含有對二甲苯系聚合物的層，以在可見光領域中透明為優選。 如此一來，所述含有對二甲苯系聚合物的層如在可見光領域中透明的話，就可以得到能抑制在防塵薄膜組件框架上的曝光的光反射，並且對異物檢査也有利的防塵薄膜組件。

此時，所述含有對二甲苯系聚合物的層可以為化學蒸鍍形成之物。 如此一來，含有對二甲苯系聚合物的層可以由化學蒸鍍來形成。

此時，所述防塵薄膜組件框架的基材以黑色系的材料為優選。 如此一來，防塵薄膜組件框架中使用的基材，如是黑色系的材料的話，就可以得到在防塵薄膜組件框架上的曝光的光反射被抑制，並且異物檢査中也有利的防塵薄膜組件。

此時，所述防塵薄膜組件框架的基材使用施以黑色陽極氧化鋁處理的鋁合金。 如此一來，對在防塵薄膜組件框架中使用的基材進行黑色陽極氧化鋁處理，這樣就可以更加確實地獲得在防塵薄膜組件框架上的曝光光反射被抑制，並且在異物檢査中也有利的防塵薄膜組件。

另外，本發明提供一種由防塵薄膜組件框架和在該防塵薄膜組件框架上繃緊設置的防塵膜構成的光微影用的防塵薄膜組件，其特徵在於所述防塵薄膜組件框架為上述那樣的防塵薄膜組件框架。

如此一來，本發明的防塵薄膜組件框架構成的防塵薄膜組件由於使用在曝光環境下的霧狀物（haze）的發生被抑制的本發明的防塵薄膜組件框架，因此成為光罩基板上的霧狀物（haze）的發生被抑制的防塵薄膜組件。 [發明的效果]

本發明的防塵薄膜組件框架被用含有對二甲苯系聚合物的層被覆，由此防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等的霧狀物（haze）發生的原因物質的量可以得到減少，在曝光環境下，霧狀物（haze）的發生可以得到減少。

另外，本發明的防塵薄膜組件由於使用在曝光環境下的霧狀物（haze）的發生被抑制的本發明的防塵薄膜組件框架，光微影中，光罩基板上的霧狀物（haze）的發生得到抑制的防塵薄膜組件。

以下，對本發明的實施方式進行說明，但是本發明不限於此。 如上述那樣，在作為防塵薄膜組件框架使用的鋁合金的表面形成的陽極氧化皮膜中具有硫酸、硝酸、有機酸等的酸性成分，它們從陽極氧化皮膜中脫離，在曝光環境下會在防塵薄膜組件和光罩的封閉空間內反應，硫酸銨等的硫酸化合物生成，而有霧狀物（haze）發生的問題。

因此，本發明人為了解決上述那樣的問題而進行了充分的研究，得知如果對防塵薄膜組件框架用含有對二甲苯系聚合物的層被覆，從防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等的霧狀物（haze）發生的原因物質的量就可以減少。並得到它們的最佳實施方式，從而完成了本發明。

以下，參照附圖對本發明進行詳細說明。 圖1表示了本發明的防塵薄膜組件10的構成。本發明的防塵薄膜組件10在由含有對二甲苯系聚合物的層被覆的防塵薄膜組件框架3的上端面通過接著劑2將防塵膜1繃緊設置。

該情況下，通常在防塵薄膜組件框架3的下端面形成有用以將防塵薄膜組件10裝在曝光原版5上的黏著層4，進一步在黏著層4的下端面上可剝離地繃緊設置襯層（未圖示）。

另外，在防塵薄膜組件框架3上，也可以設置氣壓調整孔6。通過設置氣壓調整孔6，由防塵薄膜組件10和曝光原版5形成的封閉空間的內外的氣壓差被消除，由此可以防止防塵膜1的鼓脹以及凹陷。

此時，在氣壓調整孔6中優選設置除塵用過濾器7。如此，可以防止由氣壓調整孔6朝向防塵薄膜組件10和曝光原版5的封閉空間內的外部異物的侵入。

另外，防塵薄膜組件框架3的內側面上，也可以塗布黏著劑，以對防塵薄膜組件10和曝光原版5的封閉空間內存在的異物進行捕捉。

進一步，各防塵薄膜組件構成部材的大小與通常的防塵薄膜組件，例如半導體積體電路製造中的光微影步驟用防塵薄膜組件、以及大型液晶顯示裝置製造中的光微影步驟用防塵薄膜組件等相同，也可以根據需要進行改變。另外，各防塵薄膜組件構成構件的材料也沒有特別限制，可以使用公知的材料。

另外，作為防塵膜1的材料，沒有特別限制，優選曝光光源波長的光的透過率高，且耐光性高的物質。例如，可以使用在以往準分子雷射用的非晶質氟聚合物等。作為非晶質氟聚合物的例，可以列舉CYTOP（旭硝子（股）製商品名）、鐵氟隆（註冊商標）、AF（杜邦公司製商品名）等。這些聚合物在防塵膜1的製作時，視需要也可以溶解於溶媒而使用，例如可以適當溶於氟系溶媒等中。

另外，作為將防塵膜1在防塵薄膜組件框架3上繃緊設置的方法，沒有特別的限制，可以使用公知的方法。

作為將防塵膜1和防塵薄膜組件框架3接著在一起的接著劑2，可以使用以往使用的材料。 具體地，例如可以列舉丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑，含氟矽酮接著劑等的氟聚合物等。其中以氟系聚合物為優選。

作為氟系聚合物，具體地可以列舉CYTOP（旭硝子（股）製商品名）等。接著劑2視需要可用溶媒稀釋，而塗布在防塵薄膜組件框架3的上端面。該情況的塗布方法可以用毛刷毛塗、噴塗、自動分配器等進行塗布的方法。

用於將防塵薄膜組件10裝著在曝光原版5上的黏著層4可以使用兩面黏著帶、矽酮系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等。通常，在防塵薄膜組件框架的下端面形成有黏著層4，在黏著層4的下端面貼附有可剝離的襯層。

襯層的材料沒有特別限制，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚四氟乙烯（PTFE）、四氟乙烯・全氟烷基乙烯基醚共聚物（PFA）、聚乙烯（PE）、聚碳酸酯（PC）、聚氯乙烯（PVC）、聚丙烯（PP）等。另外，根據黏著層4的黏著力，也可以將矽酮系離型劑或氟系離型劑等的離型劑在襯層的表面進行塗布。

作為本發明的防塵薄膜組件框架3的母材，只要可以確保防塵薄膜組件框架的強度和剛性，則沒有特別限制，例如可以列舉鋁、鋁合金（JIS 5000系、6000系、7000系等）、鐵、鐵系合金、陶瓷（SiC、AlN、Al₂ O₃ 等）、陶瓷金屬複合材料（Al-SiC、Al-AlN、Al-Al₂ O₃ 等）、碳鋼、工具鋼、不銹鋼、碳纖維複合材料等。其中，鋁以及鋁合金從其強度、剛性、輕量、成本的面來看為優選。

防塵薄膜組件框架3也可以實施陽極氧化處理、鍍敷處理、聚合物塗布、塗裝等，處理方法沒有什麽特別的限制，可以根據需要進行選擇。

此時，防塵薄膜組件框架的基材以黑色系的材料為優選。如此，如果防塵薄膜組件框架使用的基材為黑色系的材料，則可以確實地獲得防塵薄膜組件框架上的曝光的光反射被抑制，並且異物檢査中可以將異物容易地檢測出的防塵薄膜組件。

在防塵薄膜組件框架3的母材使用鋁合金的情況下，優選將其表面用不銹鋼珠、玻璃珠、碳化矽等進行粗化，進一步施以黑色陽極氧化鋁處理。

如此，通過在防塵薄膜組件框架使用的基材上，施以黑色陽極氧化鋁處理，可以確實地獲得在防塵薄膜組件框架上的曝光的光反射被抑制，並且異物檢査中，也易於將異物檢測出等的防塵薄膜組件。

由此，本發明的防塵薄膜組件框架3被用含有對二甲苯系聚合物的層被覆。該層含有的對二甲苯系聚合物可以列舉式（1）的聚合物。另外，這些聚對二甲苯系聚合物也可為具有2種類以上的重複單元的共聚物。

[化1]

（化學式（1）中，R¹ ～R⁴ 可相同或不同，且表示氫原子或鹵素原子。R⁵ ～R⁸ 可相同或不同，且表示氫原子、鹵素原子或烷基。n為正的整數。） 化學式（1）中，優選R¹ ～R⁴ 可相同或不同，且表示氫原子或氟原子。R⁵ ～R⁸ 優選可相同或不同，且表示氫原子或鹵素原子。

如此，作為對二甲苯系聚合物，如含有聚對二甲苯的鹵素衍生物，特別是聚氯代對二甲苯，可以確實地使由防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等減少，在曝光環境下，霧狀物（haze）的發生會確實地減少。

此時，優選所述含有對二甲苯系聚合物的層在可見光領域中透明。 如此，所述含有對二甲苯系聚合物的層如在可見光領域透明的話，就可以得到在防塵薄膜組件框架上的曝光的光反射被抑制，且在異物檢査中也有利的防塵薄膜組件。

作為在防塵薄膜組件框架3上形成對二甲苯系聚合物的方法，可以使用公知的方法，但是優選化學氣相沉積（Chemical vapor deposition，CVD）法。CVD法可以比較容易地得到均一緻密的對二甲苯系聚合物的層。

具體地說，在由氣化爐、分解爐、蒸鍍室構成的裝置的氣化爐上，設置固體的[2,2]對環芳烴以及/或者[2,2]對環芳烴衍生物，減壓後，升溫至120℃～180℃使其氣化。氣化的[2,2]對環芳烴以及/或者[2,2]對環芳烴衍生物流入650℃～700℃的分解爐，熱分解成為單體。使這些單體流入室溫的蒸鍍室，在蒸鍍室內設置的防塵薄膜組件框架3上聚合，得到對二甲苯系聚合物的層。

作為[2,2]對環芳烴以及/或者[2,2]對環芳烴衍生物，可以使用例如下述化學式（2）表示的化合物。

[化2]

（化學式（2），R¹ ～R⁴ 可相同或不同，且表示氫原子或鹵素原子。R⁵ ～R⁸ 可相同或不同，且表示氫原子、鹵素原子或烷基。）

作為[2,2]對環芳烴以及/或者[2,2]對環芳烴衍生物，可以使用公知的化合物。[2,2]對環芳烴以及/或者[2,2]對環芳烴衍生物可以從市場購入，例如diX C、diX D、diX N、diX F（KISCO（股）製商品名），派瑞林（Parylene）N、派瑞林（Parylene）C、派瑞林（Parylene）D、派瑞林（Parylene）HT（日本派瑞林（Parylene）合同公司製商品名）等。

如此，若為本發明的用含有對二甲苯系聚合物的層被覆的防塵薄膜組件框架製成的防塵薄膜組件，則從防塵薄膜組件框架放出的硫酸離子以及銨離子等可以減少，在曝光環境下，霧狀物（haze）的發生會減少。 [實施例]

以下，用本發明的實施例以及比較例對本發明進行更具體的說明，但是本發明不限於此。

（實施例） 作為防塵薄膜組件框架，準備框架外尺寸149 mm×122 mm×5.8 mm、框架厚度2 mm的JIS A7075-T651鋁合金製框架材2根。

在各框架材的一側面中央設置直徑0.5mm的通氣孔。該框架材的表面清洗後，用玻璃珠，在噴出壓1.5 kg／cm² 的噴砂裝置進行1分鐘處理，使框架材表面粗化。

接著，在NaOH處理浴中，進行10秒處理而清洗後，在14%硫酸水溶液中，藉由形成電壓10V（1.3 A）進行陽極氧化。進一步進行黑色染色、封孔處理，在框架材表面形成黑色氧化被膜（黑色陽極氧化鋁）。其後，用超純水和超音波清洗裝置，將形成有黑色氧化被膜的框架材進行5分鐘清洗。

作為塗布材料，使用二氯代[2,2]對環芳烴，對形成有黑色氧化被膜的框架材全面，用CVD法進行聚氯代對二甲苯的層被覆（diX C塗布）。所形成的層的厚度為5 μm，且為無色透明。

將一根形成有聚氯代對二甲苯的層的防塵薄膜組件框架和純水100 ml一同裝入聚丙烯製的袋中，在90℃的情況下進行3小時熱水浴。為了對從框架溶出的成分進行分析，將與防塵薄膜組件框架同時放入聚丙烯製的袋中的100 ml的水（抽出水），用離子層析分析裝置（Dionex公司2050i型），DionexIonPac　ASA4A-SC管柱進行分析。

從該抽出水，可以得到表1所述的分析結果，檢測出硫酸離子7.8 ppb、銨離子7.0 ppb、氯化物離子0.2 ppb、鈉離子0.1 ppb、鎂離子0.1 ppb、鈣離子0.1 ppb。並且，硝酸離子和磷酸離子在可檢測界限以下。

此外，表1中也記述了下述的霧狀物（haze）的發生情況。進一步，也記述下述的比較例1、2中的溶出離子的分析結果以及霧狀物（haze）的發生情況。

【表1】 ND：可檢測界限以下

在剩餘的1個防塵薄膜組件框架的內面上，用噴塗裝置將矽酮系黏著劑塗布1 μm厚。 在通氣口上設置過濾器。過濾器的材料為PTFE，尺寸為寬9.5 mm、高度2.5 mm、厚度300 μm。另外，塵埃過濾尺寸為0.1 μm～3.0 μm，粒子可濾掉99.9999%，該過濾器包括除塵用的過濾器和其外側的化學過濾器。

在該框架的一個端面上進行矽酮系黏著劑（初縮遮罩（reticle）接著劑）塗布，在100℃的情況下進行10分鐘加熱，使其乾燥硬化。另外，在框架的另一端面上，塗布由氟系溶媒CTSOLVE180（旭硝子公司製商品名）稀釋的氟系高分子聚合物CTX（旭硝子公司製商品名）作為防塵膜接著劑後，在100℃的情況下進行10分鐘加熱，使其乾燥硬化。進一步，將PET製襯層用襯層貼附裝置貼合在初縮遮罩接著劑上。

另一方面，防塵膜如下製膜。首先，使鐵氟隆（註冊商標）AF1600（杜邦公司製商品名）溶解於氟系溶劑・Fluorinert FC-75（3M 公司製商品名），調製為濃度8%的溶液。用該溶液，在直徑200 mm、厚度600 μm的鏡面研磨的矽基板面上用旋塗器形成厚度0.8 μm的透明膜。 在該膜上，將外尺寸200 mm×200 mm×5 mm寬、厚度5 mm的貼附用框架，用環氧系接著劑AR-R30（昭和高分子公司製商品名）接著，在水中進行剝離。

使該防塵膜緊密接著在所述防塵薄膜組件框架上後，用IR燈將框架加熱，使膜熔融接著在框架上。在此，使防塵薄膜組件框架的接著面向上，貼附在固定用的夾具上，貼附用框架給予防塵薄膜組件框架外側的膜部0.5 g/cm的張力。

接著，用刀管式分配器，使Fluorinert FC75（杜邦公司製商品名）一邊滴下，一邊沿防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部，使刀移動，將不需要的防塵薄膜組件框架外側的膜部分切斷除去。

將如上述那樣完成的防塵薄膜組件貼附於具有Cr測試圖案的石英玻璃製、6英寸的光罩基板（初縮遮罩：可以在表面殘留酸成分的濃度為1 ppb以下的條件下進行清洗）。 將其裝在ArF準分子雷射掃描機NSR S306C（尼康公司製商品名），在初縮遮罩面上用0.01 mJ/cm² /pulse的曝光強度，以頻率4000 Hz，500 J/cm² 的照射量重複照射。 對照射後的光罩用雷射異物檢査裝置觀察，結果如表1所示，沒有霧狀物（haze）的發生。

（比較例1） 準備2根與實施例相同的鋁合金製框架材，與實施例相同，進行表面清洗、表面粗化、NaOH處理清洗後，在14%硫酸水溶液中以形成電壓10 V（1.3 A）進行陽極氧化，其後用超純水和超音波清洗裝置，對形成有黑色氧化被膜的框架材進行5分鐘清洗。

對一根清洗後的防塵薄膜組件框架不進行聚氯代對二甲苯的層的被覆，此外與實施例相同，和純水100 ml一起裝入聚丙烯製的袋，在90℃的情況下進行3小時熱水浴，將抽出水用分析裝置進行分析，藉此分析從框架溶出的成分。

此時的分析結果，如上述表1所示，檢測出硫酸離子1508 ppb、銨離子17.8 ppb、氯化物離子11.7 ppb、硝酸離子17.5 ppb、磷酸離子41.3 ppb、鈉離子27.9 ppb、鎂離子76.6 ppb、鈣離子171 ppb。

在比較例1中，由於沒有對框架材用聚氯代對二甲苯層被覆，與上述的實施例相比，溶出離子全部為高濃度。

接著，在剩下的1根框架的內面上，與實施例相同，進行矽酮系黏著劑的塗布，在通氣口上設置過濾器，進一步設置防塵膜等，得到防塵薄膜組件。

將該防塵薄膜組件與實施例同樣地貼附於光罩基板，進行ArF準分子雷射照射，對照射後的光罩進行觀察。其結果如表1所示，有霧狀物（haze）的發生。

（比較例2） 準備2根與實施例相同的鋁合金製框架材，與實施例相同，進行表面清洗、表面粗化、NaOH處理清洗後，在14%硫酸水溶液中，以形成電壓10 V（1.3 A）進行陽極氧化，其後用超純水和超音波清洗裝置，將形成有黑色氧化被膜的框架材進行5分鐘清洗。

其後，在形成有黑色氧化被膜的框架材全部面上，用25℃的裝飾性電塗裝W-2溶液（清水（股）製）進行層的厚度為5 μm的電沉積，形成丙烯酸樹脂的層。接著，用純水進行噴洗，在200℃的烘箱中進行30分鐘加熱處理。

與實施例相同，將1根形成有丙烯酸樹脂的層的防塵薄膜組件框架與純水100 ml一起裝入聚丙烯製的袋，在90℃的情況下進行3小時熱水浴，將抽出水用分析裝置進行分析，藉此分析從框架溶出的成分。

此時的分析結果如所述的表1所示的那樣，檢測出硫酸離子21.2 ppb、銨離子12.1 ppb、氯化物離子0.8 ppb、硝酸離子4.4 ppb、鈉離子0.3 ppb。進一步，磷酸離子、鎂離子、鈣離子為可檢測界限以下。

比較例2中，由於在黑色陽極氧化鋁上形成有丙烯酸樹脂的層，與比較例1相比，溶出離子少。但是，硫酸離子以及銨離子等比實施例要多。

接著，在餘下的1根框架的內面上，與實施例相同，進行矽酮系黏著劑的塗布，在通氣口上設置過濾器，進一步設置防塵膜等，得到防塵薄膜組件。

將該防塵薄膜組件與實施例同樣地貼附於光罩基板上，進行ArF準分子雷射照射，對照射後的光罩進行觀察。其結果如表1所示，有霧狀物（haze）發生。

此外，本發明並不限於所述實施方式。所述實施方式僅為例子，如具有與本發明的申請專利範圍記載的技術思想實質上相同的構成，具有同樣的作用效果，也都包含在本發明的技術範圍內。

1‧‧‧防塵膜
2‧‧‧接著劑
3‧‧‧防塵薄膜組件框架
4‧‧‧黏著層
5‧‧‧曝光原版
6‧‧‧氣壓調整孔
7‧‧‧除塵用過濾器
10‧‧‧防塵薄膜組件

圖1表示了本發明的防塵薄膜組件的構成例的概略圖。

1‧‧‧防塵膜

2‧‧‧接著劑

3‧‧‧防塵薄膜組件框架

4‧‧‧黏著層

5‧‧‧曝光原版

6‧‧‧氣壓調整孔

7‧‧‧除塵用過濾器

10‧‧‧防塵薄膜組件

Claims (8)

1. 一種防塵薄膜組件框架，其用於構成光微影用的防塵薄膜組件，其特徵在於所述防塵薄膜組件框架被用含有對二甲苯系聚合物的層被覆。
2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述對二甲苯系聚合物含有聚對二甲苯的鹵素衍生物。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述對二甲苯系聚合物含有聚氯代對二甲苯。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述含有對二甲苯系聚合物的層在可見光領域中是透明的。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述含有對二甲苯系聚合物的層為用化學蒸鍍來形成的。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述防塵薄膜組件框架的基材為黑色系的材料。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框架，其中所述防塵薄膜組件框架的基材為施以黑色陽極氧化鋁處理的鋁合金。
8. 一種防塵薄膜組件，其為由防塵薄膜組件框架和在該防塵薄膜組件框架繃緊設置的防塵膜來構成的光微影用的防塵薄膜組件，其特徵在於：所述防塵薄膜組件框架為如申請專利範圍 第1項至第7項中任一項所述的防塵薄膜組件框架。