TWI572068B - 發光元件 - Google Patents
發光元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI572068B TWI572068B TW101146339A TW101146339A TWI572068B TW I572068 B TWI572068 B TW I572068B TW 101146339 A TW101146339 A TW 101146339A TW 101146339 A TW101146339 A TW 101146339A TW I572068 B TWI572068 B TW I572068B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- conductive portion
- light
- conductive
- protective layer
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 109
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 Acryl Chemical group 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 2
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N silver titanium Chemical compound [Ti].[Ag] MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020218 Pb—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWQOSZKMHOJVHK-UHFFFAOYSA-N [Au].[Ni].[Cu].[Au] Chemical compound [Au].[Ni].[Cu].[Au] DWQOSZKMHOJVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本發明關於一種發光元件,特別是關於一種具有導電接觸層之發光元件,例如覆晶式(Flip Chip)發光二極體。
光電元件目前已經廣泛地使用在光學顯示裝置、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材上,例如發光二極體(Light-emitting Diode;LED)。
此外,上述之LED可與其他元件組合連接以形成一發光
裝置。第5圖為習知之發光裝置結構示意圖,如第5圖所示,一發光裝置5包含一具有一電路54之次載體(submount)52;一焊料56(solder)位於上述次載體52上,藉由此焊料56將LED 51固定於次載體52上並使LED 51與次載體52上之電路54形成電連接;以及一電性連接結構58,以電性連接LED 51之電極55與次載體52上之電路54;其中,上述之次載體52可以是導線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)。
一發光元件具有一基板;一發光疊層,位於基板之上;一第一保護層,位於發光疊層之上;一反射層,位於第一保護層之上;一阻障層,位於反射層之上;一第二保護層,位於阻障層之上;以及一導電接觸層,位於第二保護層之上,其中導電接觸層包含一第一導電部與一第二導電部,第一導電部之上表面表面積相異於第二導電部之上表面表面積。
一發光元件具有一基板;一發光疊層,位於基板之上;一第一保護層,位於發光疊層之上;一反射層,位於第一保護層之上;一阻障層,位於反射層之上;一第二保護層,位於阻障層之上;以及一導電接觸層,位於第二保護層之上,其中導電接觸層包含一第一導電部與一第二導電部,第一導電部之上表面表面積等於第二導電部之上表面表面積。
本發明之實施例會被詳細地描述,並且繪製於圖式中,相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。
第1A圖為本申請案一實施例之發光元件之上視圖,第1B圖為第1A圖沿線A-A’之剖面示意圖。如第1B及1B圖所示,一發光元件1具有一基板10;一發光疊層12,位於基板10之上;一第一保護層11,位於發光疊層12之上;一反射層13,位於第一保護層11之上;一阻障層15,位於反射層13之上,包覆且圍繞反射層13;一第二保護層17,位於阻障層15之上,包覆且圍繞第一保護層11、反射層13、及阻障層15;以及一導電接觸層19,位於第二保護層17之上。發光疊層12具有一第一半導體層122,位於基板10之上;一發光層124,位於第一半導體層122之上;一第二半導體層126,位於發光層124之上;複數個第一電極121,位於第一半導體層之上,以及一第二電極123,位於第二半導體層126之上。其中,第一電極121具有一接觸部125與一延伸部127。此實施例中,複數第一電極121係物理上彼此分離,經由第一導電部190(詳見下方描述)電連接,可減少須被移除的發光疊層12,降低發光面積的損失。第二保護層17具有一第一通孔172,位於接觸部125之上,如第1B圖所示;以及一第二通孔174,位於阻障層15之上,如第1A圖所示。
導電接觸層19用以接受外部電壓和散熱,具有一第一
導電部190與一第二導電部191,係由單一或多種金屬材料所構成。金屬材料包含但不限於銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、錫金合金(AuSn)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、金-銅-鎳-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料之組合等。
第一電極121之延伸部127自接觸部125向外延伸,使延伸部127得以在第一半導體層122上覆蓋較多的面積以利電流分散。於圖式中,延伸部127之另一端係位於第二導電部191下方,但本發明並不限於此,延伸部127之另一端亦可以突出於第二導電部191之投影面積之外。第一導電部190經由第一通孔172與第一電極121之接觸部125電連接,電流可自第一導電部190經由第一電極121傳導至第二導電部191下方之第一半導體層122。第二導電部191經由第二通孔174與阻障層15電連接,電流可自第二導電部192經由阻障層15、反射層13及第二電極123傳導至第二半導體層126。如第1B圖所示,第一導電部190具有一第一寬度w1與第二導電部191具有一第二寬度w2,本實施例之第一寬度w1小於第二寬度w2。第一導電部190與第二導電部191之間的間距d至少約為50微米,較佳約為70~150微米。例如發光元件1在與一基座(未顯示)的焊接製程之前會先將錫膏分別塗佈在第一導電部190與第二導電部191之上,若間距d小於50微米,焊接製程時之第一導電部190與第二導電部191之上的錫膏會易於相互接觸,導致短路。或是在發光元件1與基座共晶鍵合
時因對位不准,而造成第一導電部190與第二導電部191與基座上電極錯位而導致短路。
一實施例中,第一導電部190具有一第一高度h1,第一高度h1係第一導電部190之上表面與基板10之上表面之間的距離;第二導電部191具有一第二高度h2,第二高度h2係第二導電部191之上表面與基板10之上表面之間的距離,其中第一高度h1約略等於第二高度h2,因此,不會因為第一導電部190與第二導電部191的高度差異而導致與基座的連接製程失敗,因而提升良率。此時,本實施例不限於第一寬度w1小於第二寬度w2,第一寬度w1大於或等於第二寬度w2亦可。
另一實施例中,第一導電部190可具有一第一墊高部192與第二導電部191可具有一第二墊高部193,位於第二保護層17之上,第一墊高部192與第二墊高部193可用以分別調整第一導電部190與第二導電部191高度,例如可用以使第一導電部190與第二導電部191約略等高,即第一高度h1約略等於第二高度h2。另一實施例中,第一導電部190可具有第一墊高部192使第一高度h1大於第二高度h2。以焊接製程為例,當發光元件1之第二導電部191之上表面表面積大於第一導電部190之上表面表面積,第二導電部191與錫膏接觸的面積較大,所以在發光元件1焊接至基座之製程中,第二導電部191對基座的黏著力相對於第一導電部190較大,基板10在製程中升溫而翹曲,產生一個高度差異,第一導電部190因而與基座剝離。因
此,當第一高度h1大於第二高度h2,第一高度h1可彌補因基板10翹曲而造成的高度差異,使第一導電部190不會因此而與基座剝離。另外,因基板彎曲、基座的設計或表面不平整所造成基座上電極的高度差,或是製程因素所造成的電極錯位,例如震動或氣流,亦可經由第一高度h1與第二高度h2的高度差異來降低第一導電部190與基座剝離的機率。其中,第一高度h1大於第二高度h2約1~10微米。
基板10可用以支持位於其上之發光疊層12與其它層或結構,其材料可為透明材料。透明材料包含但不限於藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧樹脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋁(Al2O3)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)或氮化鋁(AlN)等;其中可用以成長發光疊層之材料例如為藍寶石或砷化鎵。
發光疊層12可直接於基板10成長形成,或是藉由黏結層(未顯示)固定於基板10之上。發光疊層12之材料可為半導體材料,包含一種以上之元素,此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構成之群組。第一半導體層122與第二半導體層126的電性相異。發光層124可發出一種或多種色光,其結構可為單異質結構、雙異質結構、雙側雙異質結構、多層量子井或量子點
第一電極121與第二電極123用以傳導電流,其材料可為透明導電材料或金屬材料。透明導電材料包含但不限
於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、氧化銦鋅(IZO)或類鑽碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限於銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉛(Pb)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、金-銅-鎳-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料之組合等
第一保護層11及/或第二保護層17用以使第一導電部190及第二導電部191與反射層13電絕緣,並保護反射層13避免被第一導電部190與第二導電部191損害。第一保護層11及/或第二保護層17可用以固定反射層13並增進發光元件1的機械強度。其材料可為絕緣材料,例如聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化矽(SiNx)或旋塗玻璃(SOG)。
反射層13可反射來自發光疊層12之光,其材料可包含但不限於銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鈦
(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈦鎢合金(TiW)、銀-鈦(Ag-Ti)、鎳-錫(Ni-Sn)、金合金(Au alloy)、鎳-銀(Ni-Ag)或鈦-鋁(Ti-Al)等。
阻障層15用以防止來自反射層13的離子擴散及/或增加反射層13與第二保護層17之間的黏著力,其材料可包含但不限於銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈦鎢合金(TiW)、鎳鈦合金(NiTi)、鎳鉻合金(NiCr)、銀-鈦(Ag-Ti)、鎳-錫(Ni-Sn)、金合金(Au alloy)、鎳-銀(Ni-Ag)或鈦-鋁(Ti-Al)等。
第1C圖為第1A圖沿線B-B’之剖面示意圖。如第1C圖所示,發光元件1之基板以上的層結構可以具有類似之輪廓。以延伸部127為例,其具有一上邊1270;一下邊1272,相對於上邊1270;以及一側邊1274,位於上邊1270與下邊1272之間。側邊1274與下邊1272夾有一夾角θ,夾角θ約為15度與70度之間,較佳約為30度與45度之間。相對於側邊與下邊夾角為90度的延伸部,由於夾角θ較為平緩,形成於其上的結構,例如第一保護層11,不會因夾角角度陡峭而導致有結構上的缺陷厚度不足,造成光電元件結構不穩固,降低生產良率。第一導電部190與第二導電部191可具有凹凸之輪廓。另一實施例中,第一導電部190可具有第一墊高部192與第二導電部191可具有第二墊高部193,位於第二保護層17之上,使後續形成之第一導電部190與第二導電部191之上表面較為平整,如第1D圖所示。
第1E圖為本申請案第1A圖之發光元件之立體圖。如第1E圖所示,第二保護層17位於基板10之上,第一導電層190與第二導電層191形成於第二保護層17之上。
第2A圖為本申請案另一實施例之發光元件之上視圖,第2B圖為第2A圖沿線C-C’之剖面示意圖。如第2A圖所示,發光元件2之一第一電極20具有複數個接觸部202、複數個延伸部204以及位於接觸部202間之連接部206。第一導電部190經由第一通孔172與第一電極20之接觸部202電連接,電流可自第一導電部190經由第一電極20傳導至第二導電部191下方之第一半導體層122,而且有第二保護層17使第一導電部190與第二半導體層126電絕緣,所以第一導電部190之上表面表面積與第二導電部191之上表面表面積可約略相等。因此,發光元件2與基座的連接製程中,不會因為第一導電部190之上表面表面積與第二導電部191之上表面表面積不同而導致對基座的黏著力不同,造成第一導電部190或第二導電部191與基座剝離,提升連接製程的良率。又一實施例中,第一導電部190之上表面表面積與第二導電部191之上表面表面積之比例可約為0.8~1.2或0.9~1.1。如第2B圖所示,另一實施例中,第一導電部190之一第一寬度w1與第二導電部191之一第二寬度w2可約略相等。又一實施例中,第一寬度w1與第二寬度w2之比例可約為0.8~1.2或0.9~1.1。
第一導電部190未覆蓋部分接觸部202之上,裸露出
部分接觸部202及/或位於其上之第二保護層17,如第2A圖所示。第一導電部190在與基座共晶鍵合時會先上助焊劑,共晶鍵合後需要清洗移除殘留的助焊劑,避免影響後續的封裝製程。因為裸露的第二保護層17較靠近側邊,方便清洗殘留的助焊劑,可改善後續封裝製程的良率。
第3圖係繪示出一光源產生裝置示意圖,一光源產生裝置3包含前述任一實施例之發光元件。光源產生裝置3可以是一照明裝置,例如路燈、車燈或室內照明光源,也可以是交通號誌或一平面顯示器中背光模組的一背光光源。光源產生裝置3具有前述發光元件組成之一光源31、一電源供應系統32以供應光源31一電流、以及一控制元件33,用以控制電源供應系統32。
第4圖係繪示出一背光模組剖面示意圖,一背光模組4包含前述實施例中的光源產生裝置3,以及一光學元件41。光學元件41可將由光源產生裝置3發出的光加以處理,以應用於平面顯示器,例如散射光源產生裝置3發出的光。
第6圖係繪示出一燈泡分解示意圖,一燈泡6具有一燈罩61;一透鏡62,置於燈罩61之中;一照明模組64,位於透鏡62之下;一燈座65,具有一散熱槽66,用以承載照明模組64;一連結部67;以及一電連結器68,其中連結部67連結燈座65與電連接器68。照明模組64具有一載體63;以及複數個前述任一實施例之發光元件60,位於載體63之上。
惟上述實施例僅為例示性說明本申請案之原理及其功效,而非用於限制本申請案。任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下,對上述實施例進行修改及變化。因此本申請案之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。
1、2、60‧‧‧發光元件
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一保護層
12‧‧‧發光疊層
121、20‧‧‧第一電極
122‧‧‧第一半導體層
123‧‧‧第二電極
124‧‧‧發光層
125、202‧‧‧接觸部
126‧‧‧第二半導體層
127、204‧‧‧延伸部
1270‧‧‧上邊
1272‧‧‧下邊
1274‧‧‧側邊
13‧‧‧反射層
15‧‧‧阻障層
17‧‧‧第二保護層
19‧‧‧導電接觸層
190‧‧‧第一導電部
191‧‧‧第二導電部
192‧‧‧第一墊高部
193‧‧‧第二墊高部
204‧‧‧連接部
3‧‧‧光源產生裝置
31‧‧‧光源
32‧‧‧電源供應系統
33‧‧‧控制元件
4‧‧‧背光模組
41‧‧‧光學元件
5‧‧‧發光裝置
51‧‧‧LED
52‧‧‧次載體
53‧‧‧基板
54‧‧‧電路
56‧‧‧焊料
58‧‧‧電性連接結構
55‧‧‧電極
61‧‧‧燈罩
62‧‧‧透鏡
63‧‧‧載體
64‧‧‧照明模組
63‧‧‧載體
65‧‧‧燈座
66‧‧‧散熱槽
67‧‧‧連結部
68‧‧‧電子連結器
d‧‧‧間距
h1‧‧‧第一高度
h2‧‧‧第二高度
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
θ‧‧‧夾角
第1A圖繪示本申請案一實施例之發光元件之上視圖。
第1B圖為本申請案第1A圖沿線A-A’所示之發光元件之剖面示意圖。
第1C圖為本申請案第1A圖沿線B-B’所示之發光元件之剖面示意圖。
第1D圖為本申請案第1A圖沿線B-B’所示之另一實施例之發光元件之剖面示意圖。
第1E圖為本申請案第1A圖之發光元件之立體圖。
第2A圖繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視圖。
第2B圖為本申請案第2A圖沿線C-C’所示之發光元件之剖面示意圖。
第3圖為本申請案一實施例之光源產生裝置之示意圖。
第4圖為本申請案一實施例之背光模組之示意圖。
第5圖為習知之發光裝置結構示意圖。
第6圖為本申請案一實施例之燈泡分解示意圖
1‧‧‧發光元件
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一保護層
12‧‧‧發光疊層
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第一半導體層
123‧‧‧第二電極
124‧‧‧發光層
125‧‧‧接觸部
126‧‧‧第二半導體層
127‧‧‧延伸部
13‧‧‧反射層
15‧‧‧阻障層
17‧‧‧第二保護層
19‧‧‧導電接觸層
190‧‧‧第一導電部
191‧‧‧第二導電部
192‧‧‧第一墊高部
193‧‧‧第二墊高部
d‧‧‧間距
h1‧‧‧第一高度
h2‧‧‧第二高度
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
Claims (10)
- 一發光元件,包含:一發光疊層,包含:一第一半導體層;一第二半導體層,位於該第一半導體層之上;以及一發光層,位於該第一半導體層與該第二半導體層之間;複數個第一電極,位於該第一半導體層之上,其中該複數個第一電極彼此分離;一第一保護層,位於該發光疊層之上,包含一第一通孔;以及一導電接觸層,位於該第一保護層之上,經由該第一通孔與該複數個第一電極之其中之一形成電連接,其中該導電接觸層包含一第一導電部與一第二導電部,該第一導電部與該第二導電部於一空間上係彼此分離,該第一導電部與該第二導電部之間包含一距離至少為50微米。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件,其中該第一導電部之一上表面包含一表面積相異於該第二導電部之一上表面所包含之一表面積。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件,其中該第一導電部包含一第一高度,該第二導電部包含一第二高度,該第一高度大於該第二高度。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件,更包含一第二電極位於該發光疊層及該第一保護層之間,其中該第一保護層包含一第二通孔位於該第二電極上,該第二導電部藉由該第二通孔以與該第二電極電連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光元件,包含一墊高部位於該第二導電部及該第一保護層之間,其中該墊高部藉由該第二通孔以與該第二電極電連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件,更包含一墊高部位於該第一導電部及該第一保護層之間,該墊高部藉由該第一通孔以與該複數個第一電極之其中一形成電連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件,其中該第一導電部與該第二導電部具有凹凸之輪廓。
- 一發光元件,包含:一發光疊層,包含:一第一半導體層;一第二半導體層,位於該第一半導體層之上;以及一發光層,位於該第一半導體層與該第二半導體層之間;複數個第一電極,位於該第一半導體層之上,其中該複數個第一電極彼此分離;一第一保護層,位於該發光疊層之上,包含一第一通孔; 以及一導電接觸層,位於該第一保護層之上,經由該第一通孔與該複數個第一電極之其中之一形成電連接,其中該導電接觸層包含一第一導電部與一第二導電部,該第一導電部與該第二導電部於一空間上係彼此分離,該複數個第一電極各包含一接觸部及一延伸部自該接觸部向外延伸,該接觸部位於該第一導電部下方,該延伸部包含一端位於該第二導電部之一投影面積之外。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光元件,包含一第二保護層位於該發光疊層及該第一保護層之間,其中該延伸部位於該第二保護層及該發光疊層之間。
- 一發光元件,包含:一發光疊層,包含:一第一半導體層;一第二半導體層,位於該第一半導體層之上;以及一發光層,位於該第一半導體層與該第二半導體層之間;複數個第一電極,位於該第一半導體層之上,其中該複數個第一電極彼此分離;一第一保護層,位於該發光疊層之上,包含一第一通孔;以及一導電接觸層,位於該第一保護層之上,經由該第一通孔與該複數個第一電極之其中之一形成電連接,其中該發光疊 層,該複數個第一電極之其中之一,該第一保護層,以及該導電接觸層之其中之一包含一上邊,一下邊與該上邊相對,一側邊位於該上邊及該下邊之間,一夾角位於該側邊及該下邊之間,其中該夾角為15度與70度之間。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101146339A TWI572068B (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 發光元件 |
CN201810840927.4A CN109065695A (zh) | 2012-12-07 | 2013-12-06 | 发光元件 |
US14/098,911 US9076946B2 (en) | 2012-12-07 | 2013-12-06 | Light-emitting element |
CN201310653613.0A CN103872229B (zh) | 2012-12-07 | 2013-12-06 | 发光元件 |
US14/718,242 US9153738B2 (en) | 2012-12-07 | 2015-05-21 | Light-emitting element |
US14/827,872 US9306123B2 (en) | 2012-12-07 | 2015-08-17 | Light-emitting element |
US15/050,917 US9461208B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-02-23 | Light-emitting element |
US15/279,149 US10374130B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-09-28 | Light-emitting element with electrode structure |
US16/446,059 US10964847B2 (en) | 2012-07-12 | 2019-06-19 | Light-emitting element |
US17/185,551 US11699776B2 (en) | 2012-07-12 | 2021-02-25 | Light-emitting element having conductive contact layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101146339A TWI572068B (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 發光元件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201424058A TW201424058A (zh) | 2014-06-16 |
TWI572068B true TWI572068B (zh) | 2017-02-21 |
Family
ID=50880004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101146339A TWI572068B (zh) | 2012-07-12 | 2012-12-07 | 發光元件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9076946B2 (zh) |
CN (2) | CN103872229B (zh) |
TW (1) | TWI572068B (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI572068B (zh) | 2012-12-07 | 2017-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
TWI625868B (zh) | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
JP6942780B2 (ja) * | 2014-07-29 | 2021-09-29 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 光電部品 |
US10157960B2 (en) * | 2014-12-16 | 2018-12-18 | Episky Corporation (Xiamem) Ltd | Light-emitting device with electrode extending layer |
CN106328798B (zh) * | 2015-06-15 | 2023-12-22 | 晶宇光电(厦门)有限公司 | 一种发光二极管芯片 |
USD845920S1 (en) | 2015-08-12 | 2019-04-16 | Epistar Corporation | Portion of light-emitting diode unit |
TWD177985S (zh) * | 2015-08-12 | 2016-09-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件之部分 |
JP6619966B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2019-12-11 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
USD783548S1 (en) * | 2015-11-05 | 2017-04-11 | Epistar Corporation | Portions of light-emitting device |
US9704839B2 (en) * | 2015-11-18 | 2017-07-11 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US11158665B2 (en) * | 2018-11-05 | 2021-10-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
USD894850S1 (en) * | 2018-12-12 | 2020-09-01 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
CN109713103B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-03-02 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led芯片 |
JP7118227B2 (ja) * | 2019-12-18 | 2022-08-15 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 光電部品 |
US20230032550A1 (en) * | 2019-12-19 | 2023-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110062457A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-17 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, image display device, and electronic apparatus |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573537B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
US8835937B2 (en) * | 2004-02-20 | 2014-09-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component, device comprising a plurality of optoelectronic components, and method for the production of an optoelectronic component |
US7179670B2 (en) | 2004-03-05 | 2007-02-20 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode device without sub-mount |
JP2007173269A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | フリップチップ型半導体発光素子、フリップチップ型半導体発光素子の製造方法、フリップチップ型半導体発光素子の実装構造及び発光ダイオードランプ |
JP5045336B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-10-10 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
DE102007019776A1 (de) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente |
CN201170722Y (zh) | 2008-03-21 | 2008-12-24 | 德宏恩企业股份有限公司 | 物件检测机 |
TWI508321B (zh) * | 2008-07-21 | 2015-11-11 | Mutual Pak Technology Co Ltd | 發光二極體及其形成方法 |
JP5191837B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2011119519A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
JP5343040B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
DE112011103819T5 (de) * | 2010-11-18 | 2013-08-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld |
JP6056150B2 (ja) | 2011-04-08 | 2017-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
US8592847B2 (en) * | 2011-04-15 | 2013-11-26 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
WO2013039344A2 (ko) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 서울옵토디바이스(주) | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
JP5684751B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI572068B (zh) * | 2012-12-07 | 2017-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
US9356070B2 (en) * | 2012-08-15 | 2016-05-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
-
2012
- 2012-12-07 TW TW101146339A patent/TWI572068B/zh active
-
2013
- 2013-12-06 CN CN201310653613.0A patent/CN103872229B/zh active Active
- 2013-12-06 CN CN201810840927.4A patent/CN109065695A/zh active Pending
- 2013-12-06 US US14/098,911 patent/US9076946B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-21 US US14/718,242 patent/US9153738B2/en active Active
- 2015-08-17 US US14/827,872 patent/US9306123B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-23 US US15/050,917 patent/US9461208B2/en active Active
- 2016-09-28 US US15/279,149 patent/US10374130B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-19 US US16/446,059 patent/US10964847B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-25 US US17/185,551 patent/US11699776B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110062457A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-17 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, image display device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140159091A1 (en) | 2014-06-12 |
CN109065695A (zh) | 2018-12-21 |
US11699776B2 (en) | 2023-07-11 |
US10374130B2 (en) | 2019-08-06 |
US9076946B2 (en) | 2015-07-07 |
TW201424058A (zh) | 2014-06-16 |
CN103872229A (zh) | 2014-06-18 |
US20190312179A1 (en) | 2019-10-10 |
US9306123B2 (en) | 2016-04-05 |
US20150357524A1 (en) | 2015-12-10 |
US20150255676A1 (en) | 2015-09-10 |
US9461208B2 (en) | 2016-10-04 |
US9153738B2 (en) | 2015-10-06 |
US10964847B2 (en) | 2021-03-30 |
CN103872229B (zh) | 2018-08-21 |
US20160172543A1 (en) | 2016-06-16 |
US20170018684A1 (en) | 2017-01-19 |
US20210202797A1 (en) | 2021-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI572068B (zh) | 發光元件 | |
US7589351B2 (en) | Light-emitting device | |
TWI604633B (zh) | 發光元件 | |
TW201508947A (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
US8653546B2 (en) | Light-emitting device having a ramp | |
TWI632692B (zh) | 半導體發光元件 | |
TW201503409A (zh) | 發光元件 | |
TWI575776B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
TWI754617B (zh) | 發光元件 | |
TWI632708B (zh) | 發光元件 | |
TWI602326B (zh) | 發光元件 | |
TWI611602B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
TWI605615B (zh) | 發光元件 | |
TWI678001B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
TWI632700B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
TWI644451B (zh) | 發光元件 | |
CN110047865B (zh) | 具有多个发光结构的发光元件 | |
KR20170064896A (ko) | 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 | |
TW201907582A (zh) | 發光元件 | |
TW201735399A (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 |