TWI569279B - 記憶體保護裝置與方法 - Google Patents

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TWI569279B TW104133858A TW104133858A TWI569279B TW I569279 B TWI569279 B TW I569279B TW 104133858 A TW104133858 A TW 104133858A TW 104133858 A TW104133858 A TW 104133858A TW I569279 B TWI569279 B TW I569279B
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張雍昌
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Description

記憶體保護裝置與方法
本案是有關於一種記憶體保護裝置與方法。
非揮發性記憶體(Non-volatile memory)在多種系統上愈來愈常見。因此，從航太領域到車用領域無不對如何能更妥善地保護非揮發性記憶體的內部資料進行研究。由文獻以及研究報告得知，來自因IC封裝材質產生的輻射線(Radiation)或是由外太空所傳來的宇宙射線(Cosmic ray)對於非揮發性記憶體的內部資料有可能會造成影響，甚至造成系統運作的不順暢或者錯誤。
故而，需要能有一種記憶體保護方法，能有效除錯(error correction)及/或偵錯(error detection)，以保護記憶體的內部資料。
本案係有關於一種記憶體保護裝置與方法，其能根據所輸入的資料，來選擇相對應的編碼方式。
根據本案一實施例，提出一種記憶體保護裝置，用以保護一記憶體。該記憶體保護裝置包括：一過濾單元與一編碼單元。過濾單元搜尋一輸入資料，以依照該輸入資料之一位元組 成樣式，輸出一編碼選擇信號。編碼單元根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從複數種編碼方式中選擇針對該輸入資料所要採用的一或多個編碼方式。
根據本案另一實施例，提出一種記憶體保護方法， 用以保護一記憶體，包括：搜尋一輸入資料，以依照該輸入資料之一位元組成樣式，輸出一編碼選擇信號；以及根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從複數種編碼方式中選擇針對該輸入資料所要採用的一或多個編碼方式。
為了對本案之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
50‧‧‧記憶體
100‧‧‧記憶體保護裝置
110‧‧‧過濾單元
120‧‧‧編碼單元
130‧‧‧開機檢查單元
210‧‧‧第一冗餘位元群組
220、230‧‧‧第二冗餘位元群組
240‧‧‧填補位元群組
250‧‧‧第三冗餘位元群組
310-360‧‧‧錯誤
400‧‧‧記憶體保護裝置
410‧‧‧過濾單元
420‧‧‧編碼單元
430‧‧‧開機檢查單元
440‧‧‧冗餘位元排列單元
450‧‧‧記憶體控制單元
IN‧‧‧輸入資料
EN_SEL‧‧‧編碼選擇信號
ER‧‧‧錯誤訊號
第1圖顯示根據本案一實施例之記憶體保護裝置之功能方塊圖。
第2A圖至第2F圖顯示本案實施例之編碼。
第3A圖至第3C圖分別顯示本案一實施例之偵錯及/或除錯結果。
第4圖顯示根據本案另一實施例的記憶體保護裝置之功能方塊圖。
第5圖顯示根據本案另一實施例的記憶體保護方法之流程圖。
本說明書的技術用語係參照本技術領域之習慣用 語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。對於該領域習見的技術或原理，若不涉及本揭露之技術特徵，將不予贅述。本揭露之各個實施例分別具有一或多個技術特徵。在可能實施的前提下，本技術領域具有通常知識者可選擇性地實施任一實施例中部分或全部的技術特徵，或者選擇性地將這些實施例中部分或全部的技術特徵加以組合。
現請參考第1圖，其顯示根據本案一實施例之記憶 體保護裝置之功能方塊圖。如第1圖所示，本案一實施例之記憶體保護裝置100可偵錯(error detection)及/或除錯(error correction)，以保護記憶體50的內部資料。在此以記憶體50為非揮發性記憶體為例做說明，但當知本案並不受限於此。
記憶體保護裝置100至少包括：過濾單元110、編 碼單元120與開機檢查單元130。
過濾單元110搜尋輸入資料IN，以依照所搜尋到的 輸入資料的位元組成樣式(pattern)，輸出相對應的編碼選擇信號EN_SEL給編碼單元120。輸入資料的位元組成樣式的定義將於底下說明之。
編碼單元120根據由過濾單元110所輸出的編碼選 擇信號EN_SEL，從多種編碼方式中選擇針對該輸入資料IN所要採用的編碼方式。在對一筆輸入資料編碼時，可以採用一或多種不同編碼方式來進行編碼。
開機檢查單元130，在開機時，於電子裝置(未示出) 的處理器(未示出)存取記憶體50之前，執行開機檢查。如果檢查到錯誤的話，開機檢查單元130發出錯誤信號ER。如果檢查結果為正確的話，開機檢查單元130通知處理器，以讓處理器開始存取記憶體50。開機檢查的細節將於底下說明之。
現將說明本案實施例如何進行編碼，請參考第2A 圖至第2F圖。
第2A圖顯示輸入資料IN之一例。在此以輸入資料 IN為32*17為例做說明，但當知本案並不受限於此。
第2B圖顯示，對輸入資料IN進行第一編碼，以得 到第一冗餘位元群組210。在此，對輸入資料IN進行第一編碼例如但不受限於，以偶同位檢查(even parity check)為例做說明。詳細地說，對輸入資料的各直行0-31分別進行偶同位檢查，以得到對應於各直行的各別1個檢查位元(parity bit)，這些檢查位元即為第一冗餘位元群組210。第一冗餘位元群組210寫入至記憶體的列17之中。以直行0為例，由於直行0具有15個“1”，所以，直行0的檢查位元為“1”(被寫入至列17的位址0)。其餘可依此類推。
第2C圖顯示，對輸入資料IN進行第二編碼，以得 到第二冗餘位元群組220。在此，對輸入資料IN進行第二編碼例如但不受限於，以偶同位檢查及/或錯誤檢查碼(ECC，error correction code)為例做說明。對輸入資料的各橫列0-16分別進行 搜尋，以了解各橫列的位元組成樣式，來決定要對各橫列採用各自編碼方式(此操作乃是由第1圖的過濾單元110所進行)。以橫列0為例，橫列0包括1個位元1與31個位元0。過濾單元110決定橫列0的位元0的比率超過臨界值(例如但不受限於，為50%)，所以，過濾單元110會發出編碼選擇信號EN_SEL給編碼單元120，告知編碼單元120要對橫列0進行7位元ECC編碼(編碼結果為1010011，其位元成本較高)。再以橫列1為例，橫列1包括32個位元1與0個位元0。過濾單元110決定橫列1的位元0的比率低於臨界值。過濾單元110會發出編碼選擇信號EN_SEL給編碼單元120，告知編碼單元120要對橫列0進行偶同位檢查編碼(編碼結果為0，其位元成本較低)。輸入資料IN的第二編碼結果為第二冗餘位元群組220。行C0-C6乃是用於暫時顯示編碼結果。也就是說，在本案實施例中，對該輸入資料IN的各列，所用的編碼方式可以相同或不同，由各列的位元組成樣式來決定。
在本案其他可能實施例中，尚可以有其他不同種編 碼方式。例如，臨界值可以設成25%與75%。如果橫列的位元0的比率介於0-25%的話，則對該橫列進行偶同位檢查編碼；如果橫列的位元0的比率介於25-75%的話，則對該橫列進行檢驗和(checksum)編碼；以及，如果橫列的位元0的比率介於75%-100%的話，則對該橫列進行ECC編碼。雖然上例以決定位元0的比率為例做說明，但當知本案其他可能實施例中，也可以決定位元1 的比率，來決定對該列資料的編碼方式，此亦在本案精神範圍內。
也就是說，在本案一實施例中，針對橫列的位元組 成樣式(亦即，其位元0的比率)，決定要對該橫列所採用的編碼方式。本案一實施例採用多種混合編碼方式的原因在於，經研究顯示，在記憶體之中，位元0與位元1的錯誤發生率有所不同，且彼此不對稱。也就是說，位元0錯誤地變成位元1的錯誤率(受外界(例如輻射線)影響，位元0被錯誤地儲存成位元1)較容易發生，而位元1錯誤地變成位元0的錯誤則較不易發生。因此，在本案實施例中，於進行編碼之前，先針對輸入內容進行搜尋(掃描)，判別要被編碼的資料是否容易被外界影響(亦即，判別資料受外界影響的程度，如果資料的位元0愈多個的話，則該列資料受外界影響程度愈高；相反地，如果資料的位元1愈多個的話，則該列資料受外界影響程度愈低)。如果判別出要被編碼的資料容易被外界影響(也就是說，要被編碼的橫列包括比較多的位元0)的話，則在編碼時，利用較多的位元來保護之(例如7位元ECC編碼，其位元成本較高)，自然地，其保護成本較高。相反地，如果判別出要被編碼的資料比較不容易被外界影響(也就是說，要被編碼的橫列包括比較少的位元0)的話，則在編碼時，利用較少的位元來保護之(例如1位元偶同位檢查，其位元成本較低)，但其保護成本較低。本案實施例在編碼保護能力與保護成本之間取得平衡。
在本案另一可能實施例中，則可以根據輸入資料的 各列資料來得到該列資料的權重，再依據權重來產生編碼選擇信號(決定編碼方式)。例如，如果一列資料中，所有位元全為1的話，則權重設為0；在該列資料中，位元0的個數超過16(亦即超過一半)的話，則權重設為大於或等於16；在該列資料中，所有位元全為0的話，則權重設為32。雖然上例以決定該列資料的位元0的權重為例做說明，但當知本案其他可能實施例也可以決定該列資料的位元1的權重，此亦在本案精神範圍內。
根據所設的權重，來選擇相對應的編碼方式。例如 但不受限於，權重小於等於3的話，則採用1位元同位元檢查(1-bit parity check)。權重大於等於4但小於8的話，則採用2位元同位元檢查(2-bit parity check)。權重大於等於8但小於16的話，則採用4位元ECC。權重大於等於16的話，則採用5位元ECC。 亦即，位元組成樣式包括位元0及/或1的權重。
另外，雖然在上述說明中，先做直行編碼，再做橫 列編碼，但本案並不受限於此。在本案其他可能實施例中，也可先做橫列編碼，再做直行編碼，此皆在本案精神範圍內。
在第2D圖中，將暫時顯示於行C0-C6內的第二冗 餘位元群組220真正寫入至記憶體的列18至列19之中，成為第二冗餘位元群組230。詳細地說，對列0的編碼結果1010011寫入至列18的位址0-6之內，對列1的編碼結果0寫入至列18的位址7之內，其餘可依此類推。
如果列19未被第二冗餘位元群組220/230填滿的 話，則在本案實施例中，可以適當地填入0或1於列19的空白位址，如第2E圖的填補位元群組240所示。
在本案其他可能實施例中，亦可以對列17-19進行 編碼，並將編碼結果寫入至記憶體之中。
於第2F圖中，對第一冗餘位元群組210、第二冗餘 位元群組230及/或該填補位元群組240進行編碼(例如但不受限於，偶同位檢查)以得到第三冗餘位元群組250，並將第三冗餘位元群組250寫入至列20之中。詳細地說，對直行0的位址20-位址22(分別是111)進行偶同位檢查編碼以得到編碼結果(位元1)，並將此位元1寫入至列20的位址0。其餘可依此類推。亦即，在本案實施例中，除了對輸入資料的橫列與直行分別進行編碼以進行保護外，更對編碼後結果再次進行編碼。
第3A圖至第3C圖分別顯示本案一實施例之偵錯及 /或除錯結果。第3A圖顯示本案一實施例之單一錯誤偵錯及除錯(single error detection and correction)。第3B圖顯示本案一實施例之多錯誤偵錯及除錯(multiple error detection and correction)。第3C圖顯示本案一實施例之多錯誤偵錯但無法除錯(multiple error detection and not correction)。
在第3A圖中，C代表由所讀出的資料進行運算而 得，而S則代表存於記憶體中的冗餘位元。比較C值與S值，即可發現是否發生同位元檢查錯誤(parity check error)。如果資料當中存在1個錯誤310，藉由應用本案實施例後，可利用橫列的C 值與S值與直行的C值與S值來找出該錯誤310，並校正之。
相同地，如第3B圖所示，如果資料當中存在多個 錯誤320-340，藉由應用本案實施例後，可利用橫列的C值與S值與直行的C值與S值來找出錯誤320-340，並校正之。
相同地，如第3B圖所示，如果資料當中存在多個 錯誤320-340，藉由應用本案實施例後，可利用橫列的C值與S值與直行的C值與S值來找出錯誤320-340，並校正之。如果多個錯誤不在同一列也不在同一行的話，則本案一實施例可以偵錯並除錯之。
如第3C圖所示，如果資料當中存在多個錯誤350 或360，藉由應用本案實施例後，可利用橫列的C值與S值與直行的C值與S值來找出錯誤350與360，但無法校正之。以錯誤350為例，應用本案實施例後，可以找到發生錯誤的位置，但無法校正之。
第3A圖至第3C圖也一樣可以應用至第一冗餘位元 群組210、第二冗餘位元群組230、填補位元群組240及/或第三冗餘位元群組250的偵錯及/或除錯，其細節在此不詳述。
現請參考第4圖，其顯示根據本案另一實施例的記 憶體保護裝置之功能方塊圖。如第4圖所示，記憶體保護裝置400包括：過濾單元410、編碼單元420、開機檢查單元430、冗餘位元排列單元440與記憶體控制單元450。過濾單元410、編碼單元420與開機檢查單元430可相同或相似於第1圖的過濾單元 110、編碼單元120與開機檢查單元130，其細節在此省略。
當過濾單元410接收到輸入資料IN時，過濾單元 410搜尋/掃描輸入資料IN的位元組成樣式，以輸出編碼選擇信號EN_SEL給編碼單元420。編碼單元420根據編碼選擇信號EN_SEL，從多個編碼方式中選擇適合的一或多個編碼方式來對輸入資料IN進行編碼。
冗餘位元排列單元440收集編碼單元420的編碼結 果(如上圖中的第一冗餘位元群組210、第二冗餘位元群組230、填補位元群組240，及/或第三冗餘位元群組250)，並排列成符合記憶體50的資料寬度，及產生相對應的位址。
記憶體控制單元450將輸入資料IN寫入至記憶體 50，並將冗餘位元排列單元440所對齊好的編碼結果(如上圖中的第一冗餘位元群組210、第二冗餘位元群組230、填補位元群組240，及/或第三冗餘位元群組250)，依據其相對應位址來寫入至記憶體50。
於開機時，開機檢查單元430從記憶體50中讀出輸 入資料IN及其相應的編碼結果；開機檢查單元430令過濾單元410、編碼單元420與冗餘位元排列單元440進行其相關操作，並將操作結果回報給開機檢查單元430；開機檢查單元430比對由記憶體50所讀出的輸入資料IN及其相應的編碼結果，以及過濾單元410、編碼單元420與冗餘位元排列單元440的操作結果，以檢查是否有發生錯誤。如果有發生錯誤的話，開機檢查單元430 發出錯誤信號ER(例如發生處理器(未示出))。如果檢查結果為正確的話，開機檢查單元430讓處理器存取記憶體50。
此外，在本案其他可能實施例中，記憶體保護裝置可以更包括：多個資料緩衝器，用以暫存待寫入的輸入資料IN。
現將說明本案一實施例的開機檢查流程。於開機檢查時，讀出存於記憶體中的第三冗餘位元群組250，以檢查第一冗餘位元群組210與第二冗餘位元群組220/230是否有錯誤存在。如果有誤的話，則校正之。如果發現錯誤，但無法校正的話，則代表開機檢查未通過，開機檢查單元130/430發出錯誤信號ER。
如果檢查結果無誤的話，則讀出第二冗餘位元群組220/230，以檢查記憶體50。發現錯誤的話，則校正之。如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過，開機檢查單元130/430發出錯誤信號ER。
如果沒有發現記憶體50存在錯誤的話，讀出第一冗餘位元群組210，以檢查記憶體50，發現錯誤的話，則校正之。如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過，開機檢查單元130/430發出錯誤信號ER。
當然，第二冗餘位元群組220/230與第一冗餘位元群組210的讀出順序可不限定之。如果檢查都沒有錯誤存在的話，代表通過開機檢查。
現請參考第5圖，其顯示根據本案另一實施例的記憶體保護方法之流程圖。如第5圖所示，於步驟510中，搜尋一 輸入資料，以依照該輸入資料之一位元組成樣式，輸出一編碼選擇信號。步驟510之細節可如上所述，於此不重複。
於步驟520中，根據由該過濾單元所輸出的該編碼 選擇信號，從複數種編碼方式中選擇針對該輸入資料所要採用的一或多個編碼方式。步驟520之細節可如上所述，於此不重複。
於本案其他實施例中，更提出一種記憶體解碼實現 方式。此記憶體解碼實現方式可用於解碼由本案上述實施例所編碼出的內容。記憶體解碼的細節於此省略。
由上述描述可知，在本案實施例中，依據(1)輸入資 料所包括的位元0的比率，及/或(2)輸入資料的位元0或1的權重，及/或(3)輸入資料受外界影響的程度，可以選擇相應的編碼方法(亦即，決定所產生的冗餘位元的位元數)，以達到編碼保護存效性與編碼成本之間的平衡。亦即，在本案一實施例中，位元組成樣式包括：位元0及/或位元1的比率，及/或，位元0及/或位元1的權重，及/或各列資料受外界影響的程度。
綜上所述，雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
50‧‧‧記憶體
100‧‧‧記憶體保護裝置
110‧‧‧過濾單元
120‧‧‧編碼單元
130‧‧‧開機檢查單元
IN‧‧‧輸入資料
EN_SEL‧‧‧編碼選擇信號
ER‧‧‧錯誤訊號

Claims (14)

  1. 一種記憶體保護裝置，用以保護一記憶體，該記憶體保護裝置包括：一過濾單元，搜尋一輸入資料，以依照該輸入資料之一位元組成樣式，輸出一編碼選擇信號；以及一編碼單元，根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從複數種編碼方式中選擇針對該輸入資料所要採用的一或多個編碼方式；其中，該編碼單元對該輸入資料之各行進行一第一編碼，以得到一第一冗餘位元群組，並將該第一冗餘位元群組寫入至該記憶體；該編碼單元對該輸入資料之各列進行一第二編碼，以得到一第二冗餘位元群組，並將該第二冗餘位元群組寫入至該記憶體，其中，該第二編碼取決於各列之各別位元組成樣式；當將該第二冗餘位元群組寫入至該記憶體時，如果該第二冗餘位元群組未填滿一列的話，則填入一填補位元群組於該列之中，以填滿該列；以及對該第一冗餘位元群組、該第二冗餘位元群組及/或該填補位元群組進行編碼以得到一第三冗餘位元群組，並將該第三冗餘位元群組寫入至該記憶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體保護裝置，其中，該過濾單元搜尋該輸入資料之各列資料，以依照該輸入資料 之各列資料之該各別位元組成樣式，輸出該編碼選擇信號；以及該編碼單元，根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從該些編碼方式中選擇針對該輸入資料之各列資料所要採用的該各別編碼方式，其中，對該輸入資料之各列資料所採用的該各別編碼方式彼此相同或不同。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體保護裝置，其中，該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式包括：各列資料之位元0及/或位元1的比率，及/或，位元0及/或位元1的權重，及/或各列資料受外界影響的程度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體保護裝置，其中，如果該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式高於一臨界值的話，該編碼單元選擇一第一編碼方式；以及如果該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式低於該臨界值的話，該編碼單元選擇一第二編碼方式，其中，該第一編碼方式與該第二編碼方式之位元成本不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體保護裝置，更包括：一開機檢查單元，在開機時，執行一開機檢查，從該記憶體讀出，並令該過濾單元與該編碼單元操作，以比較從該記憶體之一讀出資料，及該過濾單元與該編碼單元的一操作結果，以檢查該記憶體是否發生錯誤。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之記憶體保護裝置，其中，該開機檢查單元，在開機時， 讀出存於該記憶體中的該第三冗餘位元群組，以檢查該第一冗餘位元群組與該第二冗餘位元群組是否有錯誤存在，如果有誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過；如果檢查該第一冗餘位元群組與該第二冗餘位元群組無錯誤的話，則從該記憶體讀出該第二冗餘位元群組，以檢查該記憶體，如果發現該記憶體存在錯誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過；以及如果沒有發現該記憶體存在錯誤的話，讀出該第一冗餘位元群組，以檢查該記憶體，如果發現該記憶體存在錯誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體保護裝置，更包括：一冗餘位元排列單元，收集該第一冗餘位元群組、第二冗餘位元群組、該填補位元群組及/或該第三冗餘位元群組，並排列成符合該記憶體的資料寬度，及產生相對應的複數個位址；以及一記憶體控制單元，將該輸入資料寫入至該記憶體，並依據該些位址，將該冗餘位元排列單元所對齊好的該第一冗餘位元群組、第二冗餘位元群組、該填補位元群組及/或該第三冗餘位元群組寫入至該記憶體。
  8. 一種記憶體保護方法，用以保護一記憶體，包括：搜尋一輸入資料，以依照該輸入資料之一位元組成樣式，輸出一編碼選擇信號；以及 根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從複數種編碼方式中選擇針對該輸入資料所要採用的一或多個編碼方式；其中，對該輸入資料之各行進行一第一編碼，以得到一第一冗餘位元群組，並將該第一冗餘位元群組寫入至該記憶體；對該輸入資料之各列進行一第二編碼，以得到一第二冗餘位元群組，並將該第二冗餘位元群組寫入至該記憶體，其中，該第二編碼取決於各列之各別位元組成樣式；當將該第二冗餘位元群組寫入至該記憶體時，如果該第二冗餘位元群組未填滿一列的話，則填入一填補位元群組於該列之中，以填滿該列；以及對該第一冗餘位元群組、該第二冗餘位元群組及/或該填補位元群組進行編碼以得到一第三冗餘位元群組，並將該第三冗餘位元群組寫入至該記憶體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體保護方法，其中，搜尋該輸入資料之各列資料，以依照該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式，輸出該編碼選擇信號；以及根據由該過濾單元所輸出的該編碼選擇信號，從該些編碼方式中選擇針對該輸入資料之各列資料所要採用的該各別編碼方式，其中，對該輸入資料之各列資料所採用的該各別編碼方式彼此相同或不同。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體保護方法，其中， 該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式包括：各列資料之位元0及/或位元1的比率，及/或，位元0及/或位元1的權重，及/或各列資料受外界影響的程度。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體保護方法，其中，如果該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式高於一臨界值的話，選擇一第一編碼方式；以及如果該輸入資料之各列資料之該各別位元組成樣式低於該臨界值的話，選擇一第二編碼方式，其中，該第一編碼方式與該第二編碼方式之位元成本不同。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體保護方法，更包括：在開機時，執行一開機檢查，從該記憶體讀出，並再次執行該搜尋該輸入資料之該步驟及選擇該或該些編碼方式之該步驟，以比較從該記憶體之一讀出資料，及再次執行該搜尋該輸入資料之該步驟及選擇該或該些編碼方式之該步驟的一操作結果，以檢查該記憶體是否發生錯誤。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體保護方法，其中，在開機時，讀出存於該記憶體中的該第三冗餘位元群組，以檢查該第一冗餘位元群組與該第二冗餘位元群組是否有錯誤存在，如果有誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過；如果檢查該第一冗餘位元群組與該第二冗餘位元群組無錯 誤的話，則從該記憶體讀出該第二冗餘位元群組，以檢查該記憶體，如果發現該記憶體存在錯誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過；以及如果沒有發現該記憶體存在錯誤的話，讀出該第一冗餘位元群組，以檢查該記憶體，如果發現該記憶體存在錯誤的話，則校正之，如果發現錯誤但無法校正的話，則代表開機檢查未通過。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體保護方法，更包括：收集該第一冗餘位元群組、第二冗餘位元群組、該填補位元群組及/或該第三冗餘位元群組，並排列成符合該記憶體的資料寬度，及產生相對應的複數個位址；以及將該輸入資料寫入至該記憶體，並依據該些位址，將該冗餘位元排列單元所對齊好的該第一冗餘位元群組、第二冗餘位元群組、該填補位元群組及/或該第三冗餘位元群組寫入至該記憶體。
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