TWI565736B - Method for producing polyimide film - Google Patents

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Description

聚醯亞胺薄膜的製造方法
本發明係關於聚醯亞胺薄膜的製造方法。
習知已知有將聚醯胺酸等聚醯亞胺前驅物施行醯亞胺化而獲得的聚醯亞胺。由該聚醯亞胺構成的薄膜係屬於強度、耐熱性、及絕緣性均優異的材料，廣泛利用於例如可撓性印刷電路板、半導體的保護膜等工業製品。該聚醯亞胺薄膜的製造方法，已知有藉由將聚醯胺酸依300~500℃加熱，藉此利用脫水反應而使醯亞胺化。例如專利文獻1有記載：在300℃環境的遠紅外線爐中，將聚醯胺酸施行醯亞胺化而獲得聚醯亞胺薄膜。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-321300號公報
但是，相關此種聚醯亞胺的製造方法，為能縮短製程時間，期待能更加提升脫水反應(醯亞胺化)的反應速度。
本發明係為解決此種課題而完成，主要目的在於 提供：在製造聚醯亞胺薄膜時，能更加提升脫水反應的反應速度。
為達成上述目的經深入鑽研的結果，本發明者等發現在將聚醯亞胺前驅物利用脫水反應形成聚醯亞胺的步驟中，藉由照射近紅外線便可有效率的脫水，遂完成本發明。
即，本發明的聚醯亞胺薄膜的製造方法，係包括： (a)將含有若利用脫水便會成為聚醯亞胺之聚醯亞胺前驅物的薄膜前驅物，塗佈於薄片上的步驟；以及(b)藉由對上述薄膜前驅物照射近紅外線，而將上述聚醯亞胺前驅物予以脫水，使該薄膜前驅物成為聚醯亞胺薄膜的步驟。
該本發明聚醯亞胺薄膜的製造方法，首先將含有 若利用脫水便會成為聚醯亞胺之聚醯亞胺前驅物的薄膜前驅物，塗佈於薄片上。接著，藉由對薄膜前驅物照射近紅外線，將聚醯亞胺前驅物予以脫水使薄膜前驅物成為聚醯亞胺薄膜。藉此，相較於沒有使用近紅外線的情況下，可提升脫水反應的反應速度。另外，之所以會提升反應速度的理由，可認為藉由照射近紅外線，便可選擇性對脫水反應的反應基(亞胺基、羥基等)投入能量。近紅外線係例如波長0.7~3.5μm的電磁波。此情況，上述步驟(b)中，較佳係照射波長2.5~3.5μm的近紅外線、更佳係照射波長2.9~3.3μm的近紅外線。依此的話，對脫水反應的反應基能更具選擇地投入能量。另外，經上述步驟(a)後，亦可包括有在上述步驟(b)前將薄膜前驅物予以乾燥 的步驟。
本發明聚醯亞胺薄膜的製造方法，上述步驟(b)中 亦可藉由對上述薄膜前驅物照射近紅外線，而施行該薄膜前驅物的乾燥與上述聚醯亞胺前驅物的脫水。依此的話，因為近紅外線能效率佳地切斷氫鍵，因而不僅能施行脫水，亦可效率佳地施行乾燥。
本發明聚醯亞胺薄膜的製造方法，上述步驟(b)中 亦可對上述薄膜前驅物施行近紅外線照射與熱風送風。依此的話，可更有效率地進行因聚醯亞胺前驅物的脫水反應而產生水分之除去。
10‧‧‧反應爐
14‧‧‧爐體
15‧‧‧前端面
16‧‧‧後端面
17、18‧‧‧開口
19‧‧‧搬送通路
20、20a、20b‧‧‧送風裝置
22、22a、22b‧‧‧熱風產生器
24、24a、24b‧‧‧管路構造體
26、26a、26b‧‧‧通氣口
30‧‧‧紅外線加熱器
32‧‧‧原絲
34‧‧‧電氣配線
36‧‧‧內管
37‧‧‧溫度感測器
38‧‧‧加熱器本體
40‧‧‧外管
42‧‧‧帽體
44‧‧‧配線拉出部
46‧‧‧流體出入口
48‧‧‧流路
49‧‧‧支撐架
50‧‧‧薄片
52‧‧‧塗膜
54、56‧‧‧輥
60‧‧‧控制器
70‧‧‧冷卻流體供應源
72‧‧‧開閉閥
74‧‧‧流量調整閥
80‧‧‧電力供應源
90‧‧‧排氣裝置
92‧‧‧吹風器
94‧‧‧管路構造體
96‧‧‧排氣口
圖1係反應爐10的縱剖圖。
圖2係紅外線加熱器30的縱剖圖。
圖3係圖2的A-A剖視圖。
圖4係變化例的反應爐10之縱剖圖。
其次，針對本發明實施形態，使用圖式進行說明。 圖1所示係本發明聚醯亞胺薄膜的製造方法所使用反應爐10的縱剖圖。反應爐10係對在薄片50上所塗佈含有聚醯亞胺前驅物的塗膜52，施行近紅外線照射與熱風送風者，具備有：爐體14、搬送通路19、送風裝置20、紅外線加熱器30、及控制器60。
爐體14係形成略立方體的絕熱構造體，在前端面 15與後端面16分別設有開口17、18。該爐體14係從前端面15至後端面16的長度例如2~10m。
搬送通路19係從開口17至開口18的通路，朝水 平方向貫通爐體14。單面已塗佈塗膜52的薄片50會通過該搬送通路19。薄片50係將已塗佈塗膜52的面朝上，從開口17搬入，在爐體14內部朝水平方向前進，再從開口18搬出。
送風裝置20係送風熱風，使在反應爐10(爐體14) 內通過的塗膜52進行加熱及乾燥之裝置。送風裝置20係具備有：配置於爐體14上側的送風裝置20a、以及配置於爐體14下側的送風裝置20b。送風裝置20a、20b分別具備有：熱風產生器22a、22b、管路構造體24a、24b、以及通氣口26a、26b。 以下，使用送風裝置20a進行說明。送風裝置20a係具備有：熱風產生器22a、管路構造體24a、通氣口26a。熱風產生器22a係安裝於管路構造體24a上，將熱風供應給管路構造體24a內部者。熱風係例如將空氣加熱者。該熱風發生機22a係能調節使產生熱風的風量與溫度。熱風的風量並無特別的限定，可在例如100Nm3/h~2000Nm3/h範圍內調節。熱風的溫度並無特別的限定，可在例如40~400℃範圍內調節。管路構造體24a係成為來自熱風產生器22a之熱風的通路，具有從熱風產生器22a朝爐體14內分支的複數通路。管路構造體24a係在分支的通路部分處貫通爐體14的頂板，而分支的通路係朝鉛直下方向。該分支通路的下端成為通氣口26a，通氣口26a亦朝鉛直下方向。本實施形態中，管路構造體24a係設有分支的通路計14個，通氣口26a亦設定為形成14個。藉此，來自送風裝置 20a的熱風產生器22a之熱風，便被從14個通氣口26a朝鉛直下方向送風，呈垂直碰抵塗膜52表面的狀態。又，通氣口26a係從前端面15側橫跨至後端面16側呈略均等設計。相關送風裝置20b的熱風產生器22b、管路構造體24b、通氣口26b，亦分別與熱風產生器22a、管路構造體24a、通氣口26a為同樣構造。但，送風裝置20b係構成與送風裝置20a在圖1中呈上下顛倒狀態，使產生鉛直上方向的熱風。即，來自熱風產生器22b的熱風分別被從通氣口26b朝鉛直上方向送風，並垂直碰抵薄片50的背面(塗膜52所形成面的背後側之面)。另外，藉由利用熱風產生器22a、22b從薄片50的上下送風熱風，便可抑制因熱風碰觸到薄片50、塗膜52，而導致該等發生變形情形。
紅外線加熱器30係對通過反應爐10(爐體14)內的塗膜52照射近紅外線之裝置，接近爐體14的頂板複數安裝。本實施形態中，紅外線加熱器30係從前端面15側橫跨至後端面16側呈略均等配置13支。該等各紅外線加熱器30係具有同樣的構造，均安裝呈長邊方向正交於搬送方向狀態。
圖2所示係紅外線加熱器30的縱剖圖，圖3所示係圖2的A-A剖視圖。紅外線加熱器30係如圖2與圖3所示，具備有：將原絲32形成包圍內管36狀態的加熱器本體38、形成包圍該加熱器本體38狀態的外管40、氣密式嵌入於外管40二端的有底筒狀帽體42、形成於加熱器本體38與外管40之間能流通冷卻流體的流路48、以及檢測外管40表面溫度的溫度感測器37。原絲32係從電力供應源80供應電力，被通電加熱 至例如700~1500℃，並放射出在波長3μm附近具有尖峰、且含有2.5μm~3.5μm波長成分的紅外線。該原絲32所連接的電氣配線34係經由帽體42中所設置的配線拉出部44被氣密式拉出於外部，再連接於電力供應源80。內管36係利用石英玻璃、硼矽酸冕玻璃等製成，具有3.5μm以下波長的紅外線會通過，但會吸收超過3.5μm波長之紅外線的濾波器功能。加熱器本體38係二端被在帽體42內部所配置的支撐架49支撐著。 外管40係與內管36同樣的由石英玻璃、硼矽酸冕玻璃等製成，具有3.5μm以下波長的紅外線會通過，但會吸收超過3.5μm波長之紅外線的濾波器功能。各帽體42係具有流體出入口46。流路48係使從冷卻流體供應源70所供應的冷卻流體，呈從其中一流體出入口46朝另一流體出入口46流動的狀態。在流路48中流動的冷卻流體係例如空氣、惰性氣體等，藉由接觸於內管36與外管40而奪取熱便將各管36、40予以冷卻。 此種紅外線加熱器30係若從原絲32放射出在波長3μm附近具有尖峰的紅外線，其中3.5μm以下波長的紅外線會通過內管36與外管40，並照射於通過搬送通路的薄片50之塗膜52。該波長的紅外線係將薄片50的塗膜52中所含溶劑氫鍵予以切斷之能力優異，能有效率地使溶劑蒸發。另一方面，內管36與外管40雖會吸收超過3.5μm波長的紅外線，但因為利用在流路48中流動的冷卻流體而被冷卻，因而可維持在未滿從塗膜52所蒸發溶劑燃點的溫度(例如200℃以下等)。
控制器60係構成以CPU為中心的微處理器。該控制器60係對送風裝置20的熱風產生器22a、22b輸出控制信 號，而個別控制著由熱風產生器22a、22b所產生熱風的溫度及風量。又，控制器60係輸出由屬於熱電偶的溫度感測器37所檢測到溫度感測器37的外管40之溫度、或對在將冷卻流體供應源70與流體出入口46予以相連接的配管途中設置之開閉閥72及流量調整閥74輸出控制信號，而個別控制在紅外線加熱器30的流路48中流動之冷卻流體流量。又，控制器60係將為調整從電力供應源80供應給原絲32之功率大小的控制信號，輸出給電力供應源80，而個別控制著紅外線加熱器30的原絲溫度。又，控制器60係藉由控制著輥54、56的旋轉速度，便可調整在爐體14內的塗膜52通過時間。
其次，針對使用依此構成的反應爐10之聚醯亞胺 薄膜的製造方法進行說明。該聚醯亞胺薄膜的製造方法係包括：(a)將含有若利用脫水便會成為聚醯亞胺之聚醯亞胺前驅物的薄膜前驅物(塗膜52)，塗佈於薄片上的步驟；(b)藉由對塗膜52施行近紅外線照射與熱風送風，而將塗膜52予以乾燥，且將聚醯亞胺前驅物脫水，而使塗膜52形成聚醯亞胺薄膜的步驟。
步驟(a)中，首先，從在反應爐10左端配置的輥 54上捲繞脫除薄片50，並在剛要搬入反應爐10(爐體14)之前利用塗佈機在上面塗佈塗膜52，再通過反應爐10的開口17並搬入反應爐10內。
此處，薄片50並無特別的限定，可例如鋁、銅等 金屬片。又，塗膜52係將由若經脫水便會成為聚醯亞胺的聚醯亞胺前驅物、與溶劑進行混練之薄膜前驅物，塗佈於薄片50 上者。聚醯亞胺前驅物係在利用脫水便能成為聚醯亞胺的前提下，其餘並無特別的限定，可為單1種材料、亦可為2種以上材料的混合物。聚醯亞胺前驅物的具體例，係可例如下述化學式(1)所示聚醯胺酸(polyamic acid)。下述化學式(1)中，R係4元之有機基，R'係2元之有機基。又，R及R'中之至少其中一者亦可為芳香族。
上述化學式(1)所示聚醯胺酸係例如將至少一種酸 二酐與至少一種二胺，利用周知方法進行聚合便可製造。酸二酐係可例如：均苯四甲酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯基四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯基四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-氧化二酞酸二酐、p-伸苯基雙(偏苯三酸單酯酸酐)、4,4'-聯苯基雙(偏苯三酸單酯酸酐)、及該等的類似物(衍生物)等。該等之中，較佳係均苯四甲酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯基四羧酸二酐、p-伸苯基雙(偏苯三酸單酯酸酐)、4,4'-聯苯基雙(偏苯三酸單酯酸酐)。該等酸二酐係可僅使用1種、亦可依任意比例使用2種以上。
二胺係可例如：3,3'-二甲基聯苯胺、3,3'-二甲氧基聯苯胺、3,3'-二氯聯苯胺、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基 二苯碸、4,4'-二胺基二苯基醚、1,5-二胺基萘、1,4-二胺基苯(p-伸苯二胺)、1,3-二胺基苯、1,2-二胺基苯、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、3,4'-二胺基苯甲醯苯胺、及該等的類似物(衍生物)等。該等之中，較佳係3,3'-二甲基聯苯胺、3,3'-二甲氧基聯苯胺、3,3'-二氯聯苯胺、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、4,4'-二胺基二苯基醚、p-伸苯二胺，更佳係4,4'-二胺基苯甲醯苯胺。該等二胺係可僅使用1種、亦可依任意比例使用2種以上。
本實施形態中，聚醯亞胺前驅物係下述化學式(2)所示聚醯胺酸。該聚醯胺酸係例如由上述四羧酸二酐與二胺，利用周知方法便可製造。
塗膜52中所含的溶劑係可例如：N-甲基-2-吡咯啶 酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)等。塗膜52的厚度並無特別的限定，可例如10~400μm。塗膜52係除聚醯亞胺前驅物與溶劑之外，亦可更進一步添加脫水劑(化學轉化劑)、醯亞胺化劑(觸媒)等。脫水劑係可例如：脂肪族酸酐、芳香族酸酐、N,N'-二烷基碳二醯亞胺、低級脂肪族鹵化物、鹵化低級脂肪酸酐、芳基膦酸二鹵化物、亞磺醯基鹵化物等。該等係可僅使用1種、亦可使用2種以上。上述脫水劑之中，較佳係醋酸酐、丙酸酐、丁酸酐等脂肪族酸酐、以及 該等化合物的混合物。醯亞胺化劑係可例如：脂肪族三級胺、芳香族三級胺、雜環式三級胺等。該等係可僅使用1種、亦可使用2種以上。上述醯亞胺化劑之中，較佳係異喹啉、β-甲基吡啶、吡啶等雜環式三級胺。
接著，步驟(b)中，薄片50通過爐體14內。此時， 利用從送風裝置20送風出的熱風、及從紅外線加熱器30照射的紅外線，使塗膜52被加熱至例如350℃，且塗膜52中的聚醯胺酸利用脫水環化反應進行醯亞胺化。藉此，上述化學式(1)所示聚醯胺酸便成為下述化學式(3)[本實施形態中為下述化學式(4)]所示聚醯亞胺，使塗膜52成為聚醯亞胺薄膜。另外，從塗膜52蒸發的溶劑、與因脫水而產生的水蒸氣，從未圖示排氣口利用例如吹風器被排出於外部。塗膜52最終被從反應爐10的開口18搬出，並與薄片50一起被捲取於在反應爐10右端所設置的輥56上。另外，所製造聚醯亞胺薄膜的厚度並無特別的限定，可例如3~200μm。
依照上述步驟(a)、(b)進行的聚醯亞胺薄膜的製造 方法，可更加提升聚醯胺酸的脫水環化反應之反應速度。理由可認為如下。反應爐10的紅外線加熱器30係如上述，將3.5μm以下波長的紅外線照射於薄片50的塗膜52。所以，塗膜52便被照射0.7~3.5μm波長區域的近紅外線、特別係2.5μm~3.5μm波長區域的近紅外線。此處，聚醯胺酸的脫水環化反應之反應基係亞胺基與羥基，而亞胺基的吸收光譜係3450~3300cm-1(=2.9~3.0μm)，羥基的吸收光譜係約3000cm-1(=約3.3μm)。藉由照射接近該吸收光譜之波長2.5μm~3.5μm的近紅外線，便可選擇性對該等脫水環化反應的反應基投入能量，故判斷可提升聚醯胺酸的脫水環化反應之反應速度。另外，來自紅外線加熱器30的近紅外線更佳係含有距上述亞胺基及羥基之吸收光譜值2.9~3.3μm波長的電磁波。又，利用上述步驟(a)、(b)進行的聚醯亞胺薄膜的製造方法，因為可利用近紅外線選擇性對脫水環化反應的反應基投入能量，因而相較於習知聚醯亞胺薄膜的製造方法，在未使用近紅外線(例如僅利用熱風送風)下使進行脫水環化反應之情況下，即便較低溫(例如未滿300℃)仍可產生聚醯胺酸的脫水環化反應。所以，例如可更加抑制因薄片50、塗膜52的熱收縮而造成的聚醯亞胺薄膜變形。藉由抑制聚醯亞胺薄膜的變形，便可抑制例如在聚醯亞胺薄膜上所安裝的電路等發生圖案偏移、或導致基板遭損傷情形。
以上所說明本實施形態聚醯亞胺薄膜的製造方法，步驟(a)係將含有若利用脫水便會成為聚醯亞胺之聚醯亞胺 前驅物的薄膜前驅物(塗膜52)，塗佈於薄片上。接著，步驟(b)係藉由對塗膜52照射近紅外線而將聚醯亞胺前驅物施行脫水，使塗膜52成為聚醯亞胺薄膜。藉此，相較於沒有使用近紅外線的情況下，可提升脫水反應的反應速度。又，步驟(b)中，因為照射波長2.5~3.5μm的近紅外線，因而能更確實地提升脫水反應的反應速度。又，步驟(b)中，因為利用對塗膜52照射近紅外線，而施行塗膜52的乾燥、與聚醯亞胺前驅物的脫水，因而不僅脫水，就連塗膜52的乾燥亦均可有效率地執行。又，步驟(b)中，因為對塗膜52施行近紅外線照射與熱風送風，因而能更有效率地執行因溶劑蒸發與聚醯亞胺前驅物脫水反應所產生水分的除去。
另外，本發明並不僅限於上述實施形態，舉凡在隸屬本發明技術範圍的前提下，當然可依各種態樣實施。
例如，上述實施形態中，針對聚醯亞胺前驅物脫水反應的反應基係亞胺基與羥基的情況進行說明，但在吸收光譜係涵蓋於近紅外線波長區域(0.7~3.5μm)中的反應基前提下，並不僅侷限於該等。
上述實施形態中，反應爐10係設有送風裝置20與紅外線加熱器30，但只要利用近紅外線便能將塗膜52的聚醯亞胺前驅物施行脫水便可，亦可沒有設置送風裝置20b，亦可送風裝置20a、20b均沒有設置。或者，送風裝置亦可為其他構造。例如送風裝置20a、20b的通氣口26a、26b亦可非呈等間隔。或者，送風裝置係構成將熱風從爐體14其中一端朝另一端(例如從後端部16朝前端部15)進行送風。例如圖4所 示，送風裝置20亦可在爐體14內的後端部16附近設有朝向前端部15且朝水平方向開口的通氣口26，來自在爐體14外部所設置熱風產生器22的熱風，經由管路構造體24從通氣口26朝水平方向送風。此情況，如圖4所示，亦可設有將從通氣口26送風並將塗膜52加熱後的熱風予以排氣用的排氣裝置90。 排氣裝置90係設有：在爐體14內的前端部15附近朝後端部16且朝水平方向開口的排氣口96、在爐體14外部設置的吹風器92、以及將吹風器92與排氣口96相連接的管路構造體。
上述實施形態的紅外線加熱器30係只要能照射含 有近紅外線波長的電磁波便可，例如亦可更進一步具備有能吸收波長未滿2.5μm電磁波的濾波器。依此的話，可更有效率地將波長2.5μm~3.5μm近紅外線照射於塗膜52。另外，內管36與外管40亦可設為不會吸收超過3.5μm紅外線者，便形成即便波長超過3.5μm的紅外線亦能照射塗膜52。
上述實施形態，在薄片50的單面(上面)上塗佈塗 膜52，惟並不僅侷限此。例如亦可在薄片50的雙面(上面及下面)上分別塗佈塗膜52。
上述實施形態，在塗膜52通過反應爐10的爐體 14期間便一併施行塗膜52的乾燥與脫水(醯亞胺化)，惟並不僅侷限於此。例如亦可先對塗膜52施行乾燥步驟後，再於爐體14內施行塗膜52的脫水。此情況的乾燥步驟，亦可利用熱風送風與紅外線照射中之至少其中一項實施，亦可例如藉由使塗膜52通過與反應爐10同樣構成的乾燥爐內而施行乾燥。另外，即便先施行乾燥步驟的情況，仍可在爐體14內一併施行 塗膜52的脫水與乾燥。
上述實施形態中，反應爐10係設有1個爐體14， 但亦可設置複數個爐體14。例如亦可將設有送風裝置20與紅外線加熱器30的爐體14設定為1個單元，且反應爐10設定為具備有複數個單元，構成塗膜52依序通過複數單元(爐體14)內部。此情況，塗膜52的脫水係只要在複數單元中之至少其中一單元內實施便可。複數單元亦可含有：在脫水前施行乾燥步驟的單元、及施行脫水的單元。
上述實施形態中，在搬送通路19中亦可設置數個 從下方支撐著薄片50的支撐輥。依此的話，可防止因重力而造成薄片50發生屈撓情形。
上述實施形態中，紅外線加熱器30係使用在原絲 32的外周圍，利用具有會吸收超過3.5μm波長紅外線之濾波器機能的複數管36、40呈同心圓狀包覆，並在該等複數管36、40間形成能抑制紅外線加熱器30之表面溫度上升用的冷卻流體流路48，但亦可使用其他的紅外線加熱器。
上述實施形態中，各反應爐10的環境氣體係使用 空氣，但亦可取代空氣，改為使用氮等惰性氣體。
本申請案係以2012年10月11日所提出申請的日 本專利申請案第2012-225818號為優先權主張的基礎，爰引其內容並全部融入本說明書中。
產業上之可利用性
本發明係能利用於將聚醯胺酸等聚醯亞胺前驅物，施行醯亞胺化而獲得聚醯亞胺的製造工業，具體而言係可 利用於具備有由使用該聚醯亞胺之薄膜構成保護膜的可撓性印刷電路板、半導體等製造工業。
10‧‧‧反應爐
14‧‧‧爐體
15‧‧‧前端面
16‧‧‧後端面
17、18‧‧‧開口
19‧‧‧搬送通路
20‧‧‧送風裝置
20a‧‧‧送風裝置
22a、22b‧‧‧熱風產生器
24a、24b‧‧‧管路構造體
50‧‧‧薄片
52‧‧‧塗膜
54、56‧‧‧輥
60‧‧‧控制器

Claims (6)

  1. 一種聚醯亞胺薄膜的製造方法，包括：(a)將含有若利用脫水便會成為聚醯亞胺之聚醯亞胺前驅物的薄膜前驅物，塗佈於薄片上的步驟；以及(b)藉由對上述薄膜前驅物照射近紅外線，而將上述聚醯亞胺前驅物予以脫水，使該薄膜前驅物成為聚醯亞胺薄膜的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺薄膜的製造方法，其中，上述步驟(b)中係照射波長2.5~3.5μm的近紅外線。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之聚醯亞胺薄膜的製造方法，其中，上述步驟(b)中，藉由對上述薄膜前驅物照射近紅外線，而施行該薄膜前驅物的乾燥與上述聚醯亞胺前驅物的脫水。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之聚醯亞胺薄膜的製造方法，其中，上述步驟(b)中，對上述薄膜前驅物施行近紅外線照射與熱風送風。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之聚醯亞胺薄膜的製造方法，其中，上述聚醯亞胺前驅物係化學式(1)所示聚醯胺酸： 其中，化學式(1)中，R係4元之有機基，R'係2元之有機基。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之聚醯亞胺薄膜的製造方法，其中，上述聚醯亞胺前驅物係化學式(2)所示聚醯胺酸：
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