TWI565087B - 具有光電轉換元件的裝置、陣列裝置及液晶顯示器 - Google Patents

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Description

具有光電轉換元件的裝置、陣列裝置及液晶顯示器
本發明係有關於一種光電轉換元件以及採用此光電轉換元件的裝置及陣列裝置，尤指一種可使部分波段可見光穿透的光電轉換元件以及採用此光電轉換元件的裝置及陣列裝置。
一般來說，傳統的太陽能電池為非穿透式的。非穿透式的太陽能電池已廣泛應用於各式建築材料，例如屋瓦結構、牆壁貼片，車頂發電板等等。而在某些特殊應用上，例如玻璃帷幕、透明屋頂等，就需要搭配具有透光性之穿透式太陽能電池，以具有較佳的美觀性。
請參閱第1圖，第1圖為習知透過式太陽能電池模組10之示意圖。傳統的所謂的透過式太陽能電池模組10包含有一透光基板12，一透光導電層14，一光電轉換層16，以及一不透光電極層18。傳統的透過式太陽能電池模組10係直接移除部分之不透光電極層18以及不透光光電轉換層16，裸露部分透光基板12與透光導電層14，以達到透射光線之效果。然而，由於光電轉換層16不透光，因而必須移除部分光電轉換層16以達到太陽能電池組10透光的目的，但如此將減少太陽能電池模組10對於光能的吸收量與電能的產出量，導致大幅降低太陽能電池模組10的光電轉換效率。因為有不透光之柵狀、或梳狀遮蔽物，其透視效果也不好，不能算是真正”穿透式”的元件。
因此，如何設計出一具有較佳光電轉換效率之真正穿透式太陽能電池模組即為現今太陽能產業所需努力之重要課題。
本發明提出一種光電轉換元件以及採用此光電轉換元件的裝置及陣列裝置，用以解決上述問題。
本發明提供一種光電轉換元件包含一透明基板、一第一電極、至少一光電轉換層以及一第二電極。該透明基板為至少有部分區域是透明的，第一電極位於透明基板上。至少一光電轉換層位於第一電極上，其中各光電轉換層經吸收太陽光譜後，其穿透頻譜中的可見光波段部分，至少有可見光的全部或部分波段之穿透率大於20%。第二電極位於至少一光電轉換層上。在多個光電轉換層中，也可以每一光電轉換層都有其對應電極施加電場，所以可能會有數個對應的”第一電極，第二電極”
本發明提供一種裝置包含一基體以及至少一光電轉換元件。基體具有至少一基體透明基板。至少一光電轉換元件位於至少一基體透明基板上，其中各光電轉換層經吸收太陽光譜後，其穿透頻譜中的可見光波段部分，至少有可見光的全部或部分波段之穿透率大於20%。
本發明提供一種陣列裝置包含一主基底、複數個基體以及複數個光電轉換元件。複數個基體位於主基底上。複數個光電轉換元件位於主基底上，其中光電轉換元件包含至少一光電轉換層，可至少使部分可見光波段之穿透率大於20%。
基於上述，本發明提出一種光電轉換元件以及採用此光電轉換元件的裝置及陣列裝置，其中此光電轉換元件可至少使部分波段之可見光穿透。詳細而言，此光電轉換元件具有至少一光電轉換層，此光電轉換層可容許至少一波段之可見光穿透，具體而言可至少使部分可見光波段之穿透率大於20%，如此相較於習知可具有更高的光電轉換效率，並且可省去再圖案化非透明的光電轉換層的製程成本。
如先前技術所述，習知的所謂透光的太陽能電池是以移除部分不透光的光電轉換層來達到透光的目的，但如此作法會大幅降低光電轉換效率，且增加製程成本，因為有不透光之柵狀、或梳狀遮蔽物，其透視效果也不好，不能算是真正”穿透式”的元件。本發明可製作真正”穿透式”的光電轉換元件具有可透光的光電轉換層，可改善習知的問題！！
第2圖為依據本發明一較佳實施例之光電轉換元件的剖面示意圖。光電轉換元件100包含一透明基板110、一第一電極120、至少一光電轉換層130以及一第二電極140。第一電極120位於透明基板上110。至少一光電轉換層130位於第一電極層120上。第二電極140位於至少一光電轉換層130上。光電轉換層130係用來接收光能以轉換成電能，而第一電極120以及第二電極140係分別用來作為光電轉換元件100之正、負極以輸出電能、電荷。
具體而言，透明基板110可例如為一玻璃基底或一柔性基板等，其中此透明基板110可呈一平面或一彎曲形狀，而此透明基板110的材質例如由鈣鈉玻璃(soda-lime glass)、塑膠基板所組成，但本發明不以此為限。第一電極120為一透明電極，其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)例如氧化鋁鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)所組成。第二電極140較佳亦為一透明電極，其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)例如氧化鋁鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)所組成。但在其他實施例中，第二電極140亦可為一不透明的電極，其可能為一條狀、鰭狀或手指狀等佈局結構，用以暴露部分光電轉換層130而使光線穿透，其中第二電極140例如由鋁(Al)、鉬(Mo)等所組成之金屬電極，但本發明不以此為限。此外，光電轉換元件100另可包含有緩衝層(未繪示)，設置於光電轉換層130以及第一電極120或第二電極140之間，其中緩衝層(未繪示)係可由硫化鋅(ZnS)以及本質氧化鋅(intrinsic ZnO)所組成。
一般而言，光電轉換層130可包含一P-N接面層，當其吸收太能光時可產生電子電洞對，而此電子電洞分別傳輸至第一電極120及第二電極140，再由第一電極120及第二電極140經由導線傳送至負載。在此強調，本發明之光電轉換層130可至少使部分波段之可見光穿透，具體而言光電轉換層130對於可見光之至少一波段之穿透率大於20%。舉例來說，光電轉換層130在可見光波段部分，可僅穿透紅光波段、僅穿透藍光波段、僅穿透綠光波段、穿透黃光波段、穿透紫(靛)光波段、或穿透某些波段之可見光，亦或者可穿透全波段之可見光，其視實際需求而定。易言之，本發明之光電轉換層130可根據實際需求穿透部分波段之可見光，因此光電轉換層130可至少吸收部分波段之紫外光、部分波段之紅外光、部分波段之紅光、部分波段之綠光、部分波段之藍光、部分波段之黃光、部分波段之青光、部分波段之紫紅光等。如此，搭配第一電極120或第二電極140使用透明導電材質作為透明電極之設計，即可使至少部分波段之可見光有效地穿透光電轉換元件100。該第一電極120、該第二電極140亦可為可見光穿透式的、紫外光穿透式的、紅外光穿透式的導電材質或設計。
具體來說，光電轉換層130可包含以矽層、多化合物層、奈米及有機層等，可使可見光穿透之光電轉換材料所組成。矽層為目前太陽能光電轉換系統中應用最為廣泛的一種，其材質可分為晶矽或非晶矽，其中晶矽可分為單晶矽或多晶矽，市場模組發電轉換效率分別為12%~20%或10%~18%以上；
非晶矽可分為矽、碳化矽、矽鍺、矽烷、二氧化矽，市場模組發電轉換效率約為6%~9%以上。多化合物層則多應用於太空及聚光型太陽能光電轉換系統，其材質可分為單晶或多晶，其中單晶可為砷化鎵或磷化銦，市場模組發電轉換效率約為18%~30%以上；多晶可為硫化鎘、碲化鎘、硒化銦銅，市場模組發電轉換效率約為10%~12%以上。奈米及有機一般應用於有機太陽電池，其材質可為二氧化鈦，市場模組發電轉換效率約為1%以下。
在本實施例中，光電轉換層130為單一層光電轉換材料層。但在其他實施例中，光電轉換層130亦可為複數個堆疊的光電轉換材料層。如第3圖所示，具有複數個堆疊的光電轉換材料層的光電轉換元件200包含一透明基板210、一第一電極220位於透明基板210上、複數個堆疊的光電轉換材料層230及240位於第一電極層220上以及第二電極250位於光電轉換材料層240上，其中光電轉換材料層230及240皆可至少穿透部分波段之可見光。在一較佳實施例中，光電轉換材料層230及240可穿透可見光的波段係至少部分重疊，以使光電轉換元件200可根據實際所需具有較佳的部分波段可見光的穿透率。當然，本實施例係以兩層之光電轉換材料層230及240為例，但本發明亦可適用例如三層或四層等多層光電轉換材料層，本發明不以此為限。
具體而言，可如第11圖所示，第11圖為第3圖之堆疊的光電轉換元件之組合示意圖。光電轉換元件200可由第一光電轉換層組T1或第二光電轉換層組T2所組成，其中第一光電轉換層組T1可吸收紫外光的吸收係數遠大於其他波段之光線(如第11圖左之波段X1)，而第二光電轉換層組T2可吸收紅外光的吸收係數遠大於其他波段之光線(如第11圖右之波段X2)。因此，由第一光電轉換層組T1及第二光電轉換層組T2至少之一所組成之光電轉換元件200可使至少部分或全部之可見光波段的光線穿過(不吸收或少吸收該位於波段X1及波段X2之間的可見光波段)。
另外，本發明之光電轉換元件可更包含補償單元或輔助單元，例如彩色濾光片、有機發光二極體、背光源、有色玻璃、液晶模組(LC Cell)或光電轉換曲線(Gamma Curve)等，可經由不同色之畫素色偏狀況，來進行完成色彩色偏的補正或校正。液晶模組(LC Cell)或液晶灰階光電轉換曲線(Gamma Curve),可經由RGB、CMY、RGBW不同色之畫素驅動電壓校正或修正曲線亦或不同色光之驅動補正，來進行完成色彩色偏的補正或校正。如此，用以補正通過光電轉換元件之光線產生色偏或色差的問題。
再者，本發明之光電轉換元件可適用於各種裝置中。大體上，本發明之光電轉換元件可應用於一基體上，此基體可例如為一玻璃、一保護層、一觸控感應器、一顯示器、一光源等。藉以將本發明之光電轉換元件與此基體結合，即可形成一裝置，其可使至少部分波段可見光穿透且同時將光能轉換為電能。此外，由於本發明係使用一可見光部分波段透明的光電轉換層，故不需如習知不透明的光電轉換層元件。因此，本發明可製作穿透式的光電轉換元件具有可透光的穿透式的光電轉換層。詳細而言，此裝置一般包含一基體以及至少一光電轉換元件，其中基體具有至少一基體透明基板，可作為光電轉換元件附著之用，因而光電轉換元件可直接設置於基體透明基板上。
以下將具體提出四種裝置，應用本發明之光電轉換元件，但本發明之光電轉換元件並非僅限用於此，凡符合本發明精神之應用皆屬本發明所涵蓋之範圍。
第4圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。裝置300包含一基體310以及位於其上之一光電轉換元件320。基體310為一玻璃、一保護層或一造型層等。舉例來說，玻璃可為建築之透明窗、汽車擋風玻璃、車窗等，保護層例如為手機、顯示器等螢幕上方之透明外殼，但本發明不以此為限。因此，基體310本身即可直接做為一基體透明基板供光電轉換元件320附著。換言之，本實施例之光電轉換元件320與基體310共用基板。因此，第一電極322則可直接設於基體310上，光電轉換層324與第二電極326再依序堆疊設於第一電極322上。 再者，光電轉換元件300之形成方法，可例如提供一基板或者一晶圓(未繪示)，並且先將光電轉換元件320形成於此基板或晶圓上。接著，由於基板或晶圓為不透明的，故再將光電轉換元件320進行一剝離的製程，以撕下光電轉換元件320，並將其貼合於基體310上，以完成裝置300之製作。但在其他實施例中，光電轉換元件320可更包含一透明基板(未繪示)，其上依序形成第一電極322、光電轉換層324以及第二電極326，而此透明基板(未繪示)直接與基體310之基體透明基板接合。換言之，基體310與光電轉換元件320亦可不共用基板結合成類似裝置300的結構。
在一實施例中，裝置300可包含一儲電裝置330，用以儲存光電轉換元件320所產生之能源。此外，裝置300可包含一切換開關340及一電池350，當電池之剩餘能源至一預定值之下，則進行切換以使用儲電裝置之電能。並且，裝置300可更包含一充電控制電路360，當電池之剩餘能源至一預定值之下，則進行充電。
第5圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。如第5圖所示，係將本發明之光電轉換元件420應用於一觸控感應器410上，而形成一裝置400，其中觸控感應器410包含一基體透明基板412以及一觸控感應單元414，光電轉換元件420則包含一第一電極422、一光電轉換層424以及一第二電極426。在本實施例中，光電轉換元件420則直接設置於基體透明基板412上，而與觸控感應單元414共用基板，故第一電極422直接接觸基體透明基板412。當然，在其他實施例中光電轉換元件420亦可更包含一透明基板(未繪示)，而以此透明基板與基體透明基板412貼合、重疊、鑲嵌或並排。如此，形成裝置400，其可在吸收太能光能轉換為電能的同時，依然可具有透光的效果。
第6圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。如第6圖所示，將本發明之光電轉換元件520應用於一顯示器510上，而形成一裝置500。光電轉換元件520包含一第一電極522、一光電轉換層524以及一第二電極526，依序層疊地位於顯示器510上。顯示器可例如為一全波段顯示器、一部分波段顯示器、一單色顯示器、一反射式顯示器或一半穿半反射式的顯示器、一薄膜電晶體-液晶顯示器(TFT-LCD)、一主動矩陣之有機發光二極體(AMOLED)、一電致發光顯示器(ELECTROLLIMINESCENT,EL)、一電子泳動顯示器(E-Ink)、一電濕顯示器(Electrode Wetting Display)、一奈米碳管顯示器(Carbon Nano Tube,CNT)、一微機電顯示器(MEMS)、一光干涉式顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel,PDP)、一傳統陰極射線管顯示器(Cathode Ray Tube,CRT)等，且顯示器可更包含一光源，其可為一單色光、一具有數個頻譜峰值的白光、白光發光二極體、紅藍綠發光二極體、全波段頻譜白光、一有機發光二極體、一分時序控制之色光光源、或一電致發光白光等(EL)。當然，光電轉換元件520亦可應用於其他元件上，例如一背光源、一單色光源、一白光源、一RGB光源、一分時序之色光光源等光源、或是一交通號誌、一廣告看板、一反射元件、一具有圖像或文字的看板或招牌等裝置，其應用方法與本實施例雷同，故不在此贅述。當然，光電轉換元件520可位於玻璃、保護層、造型層、觸控感應器、顯示器、光源、交通號誌、廣告看板、反射元件、具有圖像或且文字的裝置之前方、上方、或內部結構。再者，本實施例係以光電轉換元件520與顯示器510共用基板為例，但亦可為不共用基板之設計，其方法與前述實施例相同，故不在此贅述。
詳細而言，第7圖為第6圖之應用光電轉換元件的顯示器的配置圖。一般而言，顯示器510至少包含有第一基板512以及第二基板514，而光電轉換元件520即可設於第一基板512以及第二基板514的相對兩側。其配置方式，可以單一光電轉換元件520設於第一基板512或第二基板514的其中一側，或者使用複數個光電轉換元件520分別設於第一基板512以及第二基板514的兩側以提高光電轉換功率。另外，顯示器510更包含有其他多層結構，例如共用電極、陣列電極或者彩色濾光片等，而光電轉換元件520皆可選擇性地設於此些結構上。
更進一步而言，第8圖為第6圖之應用光電轉換元件的裝置的上視圖，其中顯示器510可區分為一顯示區A以及一周邊區B。由於僅顯示區A需要透出可見光，因此在一較佳的實施態樣中，本發明之光電轉換元件520僅需設置於顯示區A中，而周邊區B即可使用一般不透光之光電轉換元件。如此，可根據實際情況增加光電轉換元件的選用彈性。
更具體舉例來說，第12圖為依據第6圖之應用於發光二極體裝置的剖面示意圖，其中發光二極體裝置800例如為一主動矩陣之有機發光二極體、一有機發光二極體或一高分子發光二極體等，其包含有一第一基板810，一發光單元820、一封裝元件830以及一第二基板840。第一基板810可視為一主基底而第二基板840可為一保護基板或第二基板。發光單元820設置於第一基板810上，封裝元件830則設置於第一基板810以及第二基板840之間，以與第一基板810及第二基板840構成一密合的發光二極體裝置800。本發明之光電轉換元件850即可設置於第二基板840外側、第二基板840內側以及發光單元820之一側等、或810的外側、內側等。
在一較佳的實施態樣下，係將光電轉換元件850設置於第二基板840之外側、或是設置於第一基板810之外側，以上可根據主動矩陣之有機發光二極體(AMOLED)之上發光，下發光兩類型而放置較佳之位置。如此，可避免被其他發光二極體裝置800中之構件遮光，而降低其吸收效率。
第13圖為依據第6圖之應用於液晶顯示裝置的剖面示意圖。液 晶顯示裝置900可例如為一晶矽或一低溫多晶矽(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)之薄膜電晶體-液晶顯示器，其包含一背光源910、一第一偏光片920、第一基板930、一彩色濾光片940、一第二基板950、一第二偏光片960、一液晶層970以及一電極980，包含相對應之一畫素電極982及一共用電極984。第一基板930的外側設有背光源910及第一偏光片920，且偏光片920位於背光源910及第一基板930之間；第一基板930的內側則設置有畫素電極982。第二基板950的內、外側則分別設置有彩色濾光片940及第二偏光片960。彩色濾光片940的內側再設置有共用電極984。液晶層970則位於畫素電極982及共用電極984之間。本發明之光電轉換元件990則可設置於各層組件上(或之間)，例如設於第一偏光片920與第一基板930之間、彩色濾光片940與共電極980之間、彩色濾光片940與第二基板950之間、第二基板950與第二偏光片960之間，或者第二偏光片960的外側。當然，在一較佳的實施例中，本發明之光電轉換元件990係設於第二偏光片960的外側，以防止由於其他組件遮光，而降低光電轉換元件990的吸收效率。
第9圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。一光電轉換元件620可搭配使用至少一輔助元件610，而形成一裝置600。即該透明基板(也可以是輔助元件610)為至少有部分區域是光反射的結構，使光線可以反射回來，輔助元件610例如為一共振腔元件、一光干涉元件或一光反射元件等，設於光線可達光電轉換元件620的光路徑上，用以搭配光電轉換元件620而達到例如增加光電轉換元件620的光吸收效率或能量等特定用途。
另外，本發明之光電轉換元件亦可應用在一陣列裝置中，形成陣列式光電轉換元件的配置。第10圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的陣列裝置的剖面示意圖。陣列裝置700包含一主基底710、複數個基體720以及複數個光電轉換元件730，其中基體720與光電轉換元件730位於主基底710上。在本實施例中，各光電轉換元件730係分別設置於各對應的基體720上，以此依據基體720之排列位置做陣列排列。在其他實施例中，各光電轉換元件730亦可與基體720交錯設置(未繪示)，或者各光電轉換元件730散佈於基體720中(未繪示)，而形成一陣列裝置700。
在此強調，本發明之光電轉換元件320/420/520/620/730可至少使部分波段之可見光穿透，具體而言光電轉換元件320/420/520/730中之光電轉換層324/424/524對於可見光之至少一波段之穿透率大於20%。再者，光電轉換層324/424/524可包含由多晶層、單晶層、奈米及有機層、矽層或多化合物層等可穿透部分可見光之光電轉換材料所組成，當然其可為單一材料層或者多層材料層所組成之結構，而此些材料層之材質可依需求互相搭配選用(可如第11圖所示)。另外，本發明之透明基板(未繪示)，該透明基板為至少有部分區域是透明的，可例如為一玻璃基底或一塑膠基板甚或一柔性基板等，其中此透明基板(未繪示)可呈一平面或一彎曲形狀，而此透明基板(未繪示)的材質例如由鈣鈉玻璃(soda-lime glass)所組成，甚或該透明基板為至少有部分區域是光反射的結構，使光線可以反射回來，但本發明不以此為限。第一電極322/422/522/與第二電極326/426/526可為一透明電極，其材質可由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)例如氧化鋁鋅(AZO)、石墨烯(graphene)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)等金屬合金所組成。其他詳細配置方法與前述相同故不再贅述。
綜上所述，本發明提出一種光電轉換元件以及採用此光電轉換元件的裝置及陣列裝置，其中此光電轉換元件可使至少部分波段可見光穿透。詳細而言，此光電轉換元件具有至少一光電轉換層(其可為單一層光電轉換層或多層之光電轉換層組成之結構)，此光電轉換層對於可見光之至少一波段之穿透率大於20%。如此，相較於習知利用移除部分之非透明的光電轉換層來達到穿透可見光的功能，本發明之透明的光電轉換層所形成之光電轉換元件可具有更高的光電轉換效率，並且可省去再圖案化非透明的光電轉換層的製程成本，並更增加其可應用的領域和市場。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10‧‧‧透過式太陽能電池模組
12‧‧‧透光基板
14‧‧‧透光導電層
16‧‧‧光電轉換層
100、200、320、420、520、620、730、850、990‧‧‧光電轉換元件
110、210‧‧‧透明基板
120、220、322、422、522‧‧‧第一電極
130、230、240、324、424、524‧‧‧光電轉換層
140、250、326、426、526‧‧‧第二電極
300、400、500、600‧‧‧裝置
310、720‧‧‧基體
410‧‧‧觸控感應器
412‧‧‧基體透明基板
414‧‧‧觸控感應單元
510‧‧‧顯示器
512、810、930‧‧‧第一基板
514、840、950‧‧‧第二基板
610‧‧‧輔助元件
700‧‧‧陣列裝置
710‧‧‧主基底
800‧‧‧發光二極體裝置
820‧‧‧發光單元
830‧‧‧封裝元件
900‧‧‧液晶顯示裝置
910‧‧‧背光源
920‧‧‧第一偏光片
940‧‧‧彩色濾光片
960‧‧‧第二偏光片
970‧‧‧液晶層
980‧‧‧電極
982‧‧‧畫素電極
984‧‧‧共用電極
A‧‧‧顯示區
B‧‧‧周邊區
T1‧‧‧第一光電轉換層組
T2‧‧‧第二光電轉換層組
X1、X2‧‧‧光波波段
第1圖為習知透過式太陽能電池模組之示意圖。
第2圖為依據本發明一較佳實施例之光電轉換元件的剖面示意圖。
第3圖為依據本發明一較佳實施例之光電轉換元件的剖面示意圖。
第4圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。
第5圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。
第6圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。
第7圖為第6圖之應用光電轉換元件的裝置的配置圖。
第8圖為第6圖之應用光電轉換元件的裝置的上視圖。
第9圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的裝置的剖面示意圖。
第10圖為依據本發明一較佳實施例之應用光電轉換元件的陣列裝置的剖面示意圖。
第11圖為第3圖之堆疊的光電轉換元件之組合示意圖。
第12圖為依據第6圖之應用於顯示器裝置的剖面示意圖。
第13圖為依據第6圖之應用於液晶顯示裝置的剖面示意圖。
100．．．光電轉換元件
110．．．透明基板
120．．．第一電極
130．．．光電轉換層
140．．．第二電極

Claims (27)

  1. 一種具有光電轉換元件的裝置，其中的該光電轉換元件包含：一透明基板，該透明基板為至少有部分區域是透明的，及/或該透明基板為至少有部分區域是光反射的結構，以使光線可以反射回來；一第一電極，位於該透明基板上；至少一光電轉換層，位於該第一電極上並與該第一電極接觸，其中各該光電轉換層至少使部分可見光波段之穿透率大於20%，且該光電轉換層包含一補償單元用以補償色偏或色差；一彩色濾光片設置在該第一電極上；以及一第二電極，位於該至少一光電轉換層上；其中該光電轉換元件應用於一基體上，該基體包含一玻璃、一保護層、一造型層、一觸控感應器、一顯示器、一光源、一交通號誌、一廣告看板、一反射元件、一具有圖像或/且文字的裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該透明基板包含一玻璃基底、一柔性基板、一塑膠基板、一反射板、一壓克力基板、一聚碳酸酯(PC)基板、一聚氯乙烯(PVC)基板、一聚乙烯(PE)基板以及一聚丙烯(PP)基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其 中該至少一光電轉換層為複數個堆疊的光電轉換材料層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中各該光電轉換層包含一P-N接面層、或一電子/電洞接面層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中各該光電轉換層包含矽層、多化合物層或奈米及有機層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該矽層的材質包含晶矽或非晶矽，多化合物層的材質包含單晶或多晶，奈米及有機的材質包含二氧化鈦。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該第一電極、該第二電極個別包含一透明電極、一梳狀導電電極、一反射板電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該第一電極、該第二電極為可見光穿透式的、紫外光穿透式的、紅外光穿透式的導電材質或設計。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該第一電極、第二電極包含由透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)、石墨烯(Thin Graphite)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁(Al)、金(Au)、銅(Cu)等金屬合金所組成。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該補償單元或該輔助單元包含彩色濾光片、有機發光二極體、背光源、有色玻璃、液晶模組(LC Cell)或光電轉換曲線(Gamma Curve)的補正。
  11. 如申請專利範圍第1項、第3至第8項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該光電轉換層包含一可至少吸收部分波段之紫外光、部分波段之紅外光之光電轉換層。
  12. 如申請專利範圍第1項、第3至第8項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該光電轉換層包含一可至少吸收部分波段之紅光、部分波段之綠光、部分波段之藍光之光電轉換層。
  13. 如申請專利範圍第1項、第3至第8項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該光電轉換層包含一可至少吸收部分波段之黃光、部分波段之青光、部分波段之紫紅光之光電轉換層。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該基體具有至少一基體基板，該基體基板與該透明基板貼合、重疊、鑲嵌、共構或並排。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該基體基板更包含一基體透明基板、一基體反射基板、一基體部分反射部分穿透基板。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之具有光電轉換元件的裝置，更包含一儲電裝置，用以儲存該光電轉換元件所產生之能源。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之具有光電轉換元件的裝置，更包含一切換開關及一電池，當該電池之剩餘能源至一預定值之下，則進行切換以使用該儲電裝置之電能。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之具有光電轉換元件的裝置，更包含一充電控制電路，當該電池之剩餘能源至一預定值之下，則進行充電。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中，該光電轉換元件位於該玻璃、該保護層、該造型層、該觸控感應器、該顯示器、該光源、該交通號誌、該廣告看板、該反射元件、該具有圖像或且文字的裝置之前方、上方、及或內部結構。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該顯示器具有至少一上基版、一下基版、和一顯示單元，其中該光電轉換元件位於該顯示器之該上基版、該下基版、該顯示單 元的上方、下方、兩側、前方、及或內部結構。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該顯示器包含一全波段顯示顯示器、一部分波段顯示顯示器、一單色顯示顯示器、一反射式的顯示器、一部分反射部分穿透式的顯示器。
  22. 如申請專利範圍第19至第21項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該顯示器包含一薄膜電晶體-液晶顯示器(TFT-LCD)、一主動矩陣之有機發光二極體(AMOLED)、一電致發光顯示器(ELECTROLLIMINESCENT,EL)、一電子泳動顯示器(E-Ink)、一電濕顯示器(Electrode Wetting Display)、一奈米碳管顯示器(Carbon-Nano-Tube,CNT)、一微機電顯示器(MEMS)、一光干涉式顯示器、一電漿顯示器(Plasma Display Panel,PDP)、一傳統陰極射線管顯示器(Cathode Ray Tube,CRT)。
  23. 如申請專利範圍第19至第21項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該顯示器更包含：一光源，包含一單色光、一具有數個頻譜峰值的白光、白光發光二極體、紅藍綠發光二極體、全波段頻譜白光、一有機發光二極體、或一電致發光白光(EL)。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之具有光電轉換元件的裝置，其中該光源包含一背光源、一單色光源、一白光源、一分時序控制之色光光源。
  25. 一種陣列裝置，包含：一主基底；複數個具有如申請專利範圍第15至20項所述之基體位於該主基底上；以及複數個具有如申請專利範圍第1至9項所述之光電轉換元件位於該主基底上。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之陣列裝置，其中該些光電轉換元件散佈於該些基體中、或且設置於該些基體上、或且與該些基體交錯或陣列排列的設置。
  27. 一種液晶顯示器，包含：一第一基板；一光電轉換元件，位於該第一基板上，其中該光電轉換元件包含：一透明基板，該透明基板為至少有部分區域是透明的，及/或該透明基板為至少有部分區域是光反射的結構，以使光線可以反射回來；一第一電極，位在該透明基板上； 至少一光電轉換層，位於該第一電極上並與該第一電極接觸，其中各該光電轉換層至少使部分可見光波段之穿透率大於20%，且各該光電轉換層包含一補償單元用以補償色偏或色差；以及一第二電極，位於該至少一光電轉換層上；一彩色濾光片設置在該光電轉換元件上；以及一第二基板，位於該彩色濾光片上。
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