TWI564865B - 有機發光顯示器 - Google Patents

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Description

有機發光顯示器
本發明係關於一種有機發光顯示器。
有機發光顯示器中採用的有機發光裝置係為自發光裝置，具有形成於兩個電極間的發光層。關於有機發光裝置，電子與電洞從電子注入電極(陰極)與電洞注入電極(陽極)被注入發光層內，注入的電子與電洞彼此耦合產生的激子發射光線且從激態下降到基態。
使用有機發光裝置的有機發光顯示器依照光線的發射方向被分類為頂部發射型、底部發射型、雙發射型等，以及依照驅動方式還被分類為被動矩陣型、主動矩陣型等。
這些有機發光顯示器中，當掃描訊號、資料訊號與電源被供應到以矩陣形式排列的複數個子畫素時，被選擇的子畫素發射光線，由此顯示影像。
關於有機發光顯示器，因為子畫素中包含的驅動電晶體的閥值電壓被移位，驅動電流隨時間推移被降低，故降低了裝置的壽命。因此，有機發光顯示器採用補償電路以完成驅動電晶體的閥值電源移位特性的補償。然而，習知技術中補償電路被加入有機發光顯示器的子畫素的情況下，需要在有限的面積內實施電路，由此在實現高解析度時佈局效率被劣化。由於這個原因，需要解決這些難題與缺陷。
本發明一方面提供一種有機發光顯示器，包含：顯示面板，包含複數個子畫素；以及驅動部，用以供應驅動訊號到顯示面板，其中上方與下方彼此鄰接放置的第(N-1)線上的子畫素與第N線上的子畫素中，完成不同角色的電晶體的閘極連接一條掃描線。
110‧‧‧時序控制器
120‧‧‧掃描驅動部
130‧‧‧資料驅動部
160‧‧‧顯示面板
DATA‧‧‧資料訊號
Hsync‧‧‧水平同步訊號
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
CLK‧‧‧時脈訊號
DE‧‧‧資料賦能訊號
GDC‧‧‧閘極時序控制訊號
DDC‧‧‧資料時序控制訊號
SL1…SLm‧‧‧掃描線
SP‧‧‧子畫素
EVDD‧‧‧第一電源線
EVSS‧‧‧第二電源線
VINIT‧‧‧初始化線
DL1…DLn‧‧‧資料線
EM、EM n、EM n-1、EM n+1、Scan n、Scan n-1、Scan n+1‧‧‧掃描線
T1、T2、T3‧‧‧電晶體
Td‧‧‧驅動電晶體
OLED‧‧‧有機發光二極體
Cst‧‧‧第一電容器
Cdt‧‧‧第二電容器
SPn、SPn-1‧‧‧子畫素
A1、A2‧‧‧標號
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
G1‧‧‧第一電極
G2‧‧‧第二電極
SP11、SP12、SP13、SP14、SP21、SP22、SP23、SP24‧‧‧子畫素
160a‧‧‧下基板
161‧‧‧第二緩衝層
162a‧‧‧主動層
162b‧‧‧下電極
163‧‧‧第一絕緣膜
164a‧‧‧第一閘極金屬層
164b‧‧‧第二閘極金屬層
164c‧‧‧第三閘極金屬層
165‧‧‧第二絕緣膜
165a‧‧‧第(2-1)絕緣膜
165b‧‧‧第(2-2)絕緣膜
166a‧‧‧第一源極-汲極金屬層
166b‧‧‧第二源極-汲極金屬層
166c‧‧‧第三源極-汲極金屬層
167‧‧‧第三絕緣膜
168‧‧‧平坦化膜
169‧‧‧下電極
170‧‧‧護堤層
175a‧‧‧第一金屬層
175b‧‧‧第二金屬層
180‧‧‧間隔物
191‧‧‧第一緩衝層
195‧‧‧遮蔽金屬層
第1圖為本發明實施例的有機發光顯示器的示意圖。
第2圖為本發明實施例的子畫素的電路示意圖。
第3圖與第4圖為包含第2圖所示子畫素的有機發光顯示器的驅動波形示意圖。
第5圖為比較例子的4T2C子畫素的電路示意圖。
第6圖為根據第5圖所示的電路結構設計的子畫素的平面示意圖。
第7圖為本發明的例子的4T2C子畫素的電路示意圖。
第8圖為根據第7圖所示的電路結構設計的子畫素的平面示意圖。
第9A圖與第9B圖分別為依照比較例子與例子的4T2C子畫素的第一電容器的比較區域的示意圖。
第10圖為第9A圖與第9B圖所示的比較例子與例子的4T2C子畫素的第一電容器的區域的重疊示意圖。
第11圖為依照例子的4T2C子畫素組成的顯示面板的部份的示意圖。
第12圖為沿第8圖的線X1-X2的剖面的第一代表性示意圖。
第13圖為沿第8圖的線X1-X2的剖面的第二代表性示意圖。
現在結合附圖描述本發明例子的詳細實施例。
以下，結合附圖描述本發明的特別實施例。
第1圖為本發明實施例的有機發光顯示器的示意圖，第2圖為本發明實施例的子畫素的電路示意圖，以及第3圖與第4圖為包含第2圖所示子畫素的有機發光顯示器的驅動波形示意圖。
如第1圖所示，本發明實施例的有機發光顯示器包含時序控制器110、資料驅動部130、掃描驅動部120以及顯示面板160。
透過使用影像處理器供應的時序訊號例如垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、資料賦能訊號DE與時脈訊號CLK，時序控制器110控制資料驅動部130與掃描驅動部120的作業時序。因為透過計算一個水平週期的資料賦能訊號，時序控制器110可判定一個框週期，可省略外部供應的垂直同步訊號Vsync與水平同步訊號Hsync。本文中，時序控制器110產生的控制訊號包含用於控制掃描驅動部120的作業時序的閘極時序控制訊號GDC與用於控制資料驅動部130的作業時序的資料時序控制訊號DDC。
掃描驅動部120產生掃描訊號且將閘極驅動電壓的位準移位，以回應時序控制器110供應的閘極時序控制訊號GDC。透過與顯示面板160中包含的子畫素SP連接的掃描線SL1-SLm，掃描驅動部120供應掃描訊號。
資料驅動部130將時序控制器110供應的資料訊號DATA取樣且閂鎖，以回應時序控制器110供應的資料時序控制訊號DDC，以及 將資料訊號DATA轉換為平行格式的資料。資料驅動部130將資料訊號DATA從數位訊號轉換為類比訊號以回應伽馬參考電壓。透過與顯示面板160中包含的子畫素SP連接的資料線DL1-DLn，資料驅動部130供應資料訊號DATA。
顯示面板160包含發射各種顏色光線的子畫素SP。子畫素SP包含紅色子畫素、綠色子畫素以及藍色子畫素，以及在某些情況下可包含白色子畫素諸如此類。其間，包含白色子畫素的顯示面板160中，各自的子畫素SP的發光層可發射白光以代替紅色、綠色與藍色光線。這種情況下，發射的白光透過彩色轉換濾光片(例如，紅綠藍彩色濾光片)被轉換為紅色、綠色或藍色光線。
基於資料訊號DATA與掃描訊號，連同透過第一電源線EVDD供應的高電壓、透過第二電源線EVSS供應的低電壓以及透過初始化線VINIT供應的初始電壓，驅動顯示面板160中包含的子畫素SP。顯示面板160根據發射光線的子畫素SP顯示特定的影像，以回應資料驅動部130與掃描驅動部120供應的驅動訊號。
如第2圖所示，顯示面板160中包含的子畫素形成為4T(電晶體)2C(電容器)的配置，包含第一至第三電晶體T1~T3、有機發光二極體OLED、驅動電晶體Td、以及第一與第二電容器Cst與Cdt。
以下，將簡單描述子畫素中包含的裝置間的連接與這些裝置的角色。
關於第一電晶體T1，閘極連接第一掃描線EM n，第一電極連接第一電源線EVDD，以及第二電極連接驅動電晶體Td的第一電極。第 一電晶體T1用於控制子畫素的發光週期。
關於第二電晶體T2，閘極連接第二掃描線Scan n，第一電極連接第一資料線DL1，以及第二電極連接驅動電晶體Td的閘極。第二電晶體T2用於控制透過第一資料線DL1供應的資料訊號，以被儲存於第一電容器Cst中。
關於第三電晶體T3，閘極連接第三掃描線Scan n-1，第一電極連接初始化線VINIT，以及第二電極連接驅動電晶體Td的第二電極、第一電容器Cst的另一端與第二電容器Cdt的另一端。第三電晶體T3用於控制初始化電壓，初始化電壓被供應到與驅動電晶體Td的第二電極、第一電容器Cst的另一端以及第二電容器Cdt的另一端連接的節點。
關於驅動電晶體Td，閘極連接第二電晶體T2的第二電極與第一電容器Cst的一端，第一電極連接第一電晶體T1的第二電極，以及第二電極連接有機發光二極體OLED的陽極、第三電晶體T3的第二電極、第一電容器Cst的另一端與第二電容器Cdt的另一端。根據第一電容器Cst中儲存的資料電壓，驅動電晶體Td用於供應驅動電流到有機發光二極體OLED。
關於第一電容器Cst，一端連接驅動電晶體Td的閘極，以及另一端連接驅動電晶體Td的第二電極與第二電容器Cdt的另一端。第一電容器Cst用於儲存資料電壓。
關於第二電容器Cdt，一端連接第一電源線EVDD，以及另一端連接驅動電晶體Td的第二電極與第一電容器Cst的另一端。第二電容器Cdt用於儲存補償電壓(或增壓電壓)。
關於有機發光二極體OLED，陽極連接驅動電晶體Td的第二電極，以及陰極連接第二電源線EVSS。有機發光二極體OLED用於發射光線，以回應驅動電晶體Td供應的驅動電流。
4T2C配置中形成的子畫素包含第三電晶體T3作為補償電路，因此作業以回應透過三條掃描線EM n、Scan n與Scan n-1供應的掃描訊號。此外，單條線上的掃描線SL1包含三條掃描線EM n、Scan n與Scan n-1。
如第3圖所示，上述子畫素在初始化階段、取樣階段與資料寫入階段後發射光線，以下加以特別描述。
-初始化階段-
當透過第三掃描線Scan n-1供應的第三掃描訊號處於邏輯高狀態時，第三電晶體T3被打開，以及進行初始化作業。當第三電晶體T3被打開時，初始化電壓被供應到與驅動電晶體Td的第二電極、第一電容器Cst的另一端以及第二電容器Cdt的另一端連接的節點。本文中，第三掃描訊號在開始取樣階段前保持在邏輯高狀態，但是並非限制於此。此外，透過第一掃描線EM n供應的第一掃描訊號可處於邏輯低狀態，而透過第二掃描線Scan n供應的第二訊號處於邏輯高狀態。
當進行初始化作業時，與驅動電晶體Td的第二電極、第一電容器Cst的另一端以及第二電容器Cdt的另一端連接的節點在預定電壓(例如，接近地位準的電壓或負電壓等)被初始化。
-取樣階段-
當透過第一掃描線EM n供應的第一掃描線處於邏輯高狀 態且透過第二掃描線Scan n供應的第二訊號處於邏輯高狀態時，第一電晶體T1與第二電晶體T2被打開，然後進行取樣作業。當第一電晶體T1與第二電晶體T2被打開時，透過對補償驅動電晶體Td的閥值電壓Vth取樣，可補償資料訊號。本文中，第三掃描訊號可保持在邏輯低狀態。
-資料寫入階段-
雖然透過第二掃描線Scan n供應的第二掃描訊號處於邏輯高狀態，當透過第一掃描線EM n供應的第一掃描訊號處於邏輯低狀態時，第一電晶體T1被關閉，然後進行資料寫入作業。當進行資料寫入作業時，具有被補償的驅動電晶體Td的閥值電壓Vth的資料電壓被儲存於第一電容器Cst中。本文中，第一與第三掃描訊號可保持在邏輯低狀態。
-發光狀態-
當資料寫入作業結束時，然後第一掃描訊號從邏輯低狀態被轉換到邏輯高狀態，驅動電晶體Td被打開。此外，驅動電晶體Td產生驅動電流以回應第一電容器Cst中儲存的資料電壓，以及有機發光二極體OLED發射光線以回應驅動電流。本文中，第二與第三掃描訊號被保持在邏輯低狀態。
其間，依照以上描述的驅動波形，在進行初始化階段以前的程序期間，因為第一掃描訊號保持在邏輯高狀態(請參考第3圖的區段EM「開」)，初始化線與第一電源線之間形成電流路徑。這種情況下，電流過度地流經對應的電流路徑，因此資料驅動部中可能出現錯誤或者初始化電壓改變，導致顯示品質的問題。
這種情況下，如第4圖所示，透過改變開始第一掃描訊號 的邏輯低狀態的區段，可移除初始化線與第一電源線之間形成的電流路徑。
第5圖為比較例子的4T2C子畫素的電路示意圖，第6圖為根據第5圖所示的電路結構設計的子畫素的平面示意圖，第7圖為本發明的例子的4T2C子畫素的電路示意圖，第8圖為根據第7圖所示的電路結構設計的子畫素的平面示意圖。第9A圖與第9B圖為依照比較例子與例子的4T2C子畫素的第一電容器的比較區域的示意圖，第10圖為依照第9A圖與第9B圖的比較例子與例子的4T2C子畫素的第一電容器的區域的重疊示意圖，第11圖為依照例子的4T2C子畫素組成的顯示面板的部份的示意圖，第12圖為沿第8圖的線X1-X2的剖面的第一代表性示意圖，以及第13圖為沿第8圖的線X1-X2的剖面的第二代表性示意圖。
如第5圖所示，比較例子的子畫素形成為4T2C的配置，包含第一至第三電晶體T1~T3、有機發光二極體OLED、驅動電晶體Td、第一與第二電容器Cst與Cdt。
比較例子的4T2C子畫素係由兩個子畫素表示，包含位於上方與下方位於第(N-1)線上的子畫素SPn-1與位於第N線上的子畫素SPn。
位於第(N-1)線上的子畫素SPn-1與位於第N線上的子畫素SPn採用標號「A1」表示的相同的第三掃描線Scan n-1。當從第N線上的子畫素SPn看起來，第三掃描線Scan n-1係為位於前方的第(N-1)線上的子畫素SPn-1之第二掃描線。
然而，從第6圖的平面示意圖可看出，第N線上的子畫素SPn與第(N-1)線上的子畫素SPn-1中包含的第三掃描線Scan n-1表示為顯示面板的顯示區域中兩條單獨的線。
因為第N線上的子畫素SPn與第(N-1)線上的子畫素SPn-1共享第三掃描線Scan n-1，所以相同的訊號被供應到子畫素。然而，由於顯示面板的設計裕量或結構特性的緣故，第三掃描線Scan n-1需要被劃分為如比較例子所示的兩條線。
因此，需要設計的最佳化，從而設計上述被增加補償電路的子畫素。最佳化設計的時候，需要確保具有預定電容的電容器，從而保持基本的顯示品質。另外，需要降低驅動電流的情況下，驅動電晶體的大小(驅動薄膜電晶體長度)需要更大。
然而，隨著每吋畫素(pixels per inch；PPI)的個數的增加，設計面積逐漸增加，因此在減少實際作業所需要的電路(電晶體、電容器等)的大小方面存在限制。因此，為了確保電路的基本性能且減少設計面積，與第5圖所示的比較例子不同，需要採用共同使用多條訊號線的方法。
由於這個原因，本發明尋求一種方案，以最佳化上述4T2C子畫素的電路與結構以及最佳化其使用面積，從而實現高解析度的顯示面板。
如第7圖所示，本發明例子的子畫素形成於4T2C的配置中，包含第一至第三電晶體T1~T3、有機發光二極體OLED、驅動電晶體Td以及第一電容器Cst與第二電容器Cdt。
本發明例子的4T2C子畫素由位於上方與下方的兩個子畫素表示，包含位於第(N-1)線上的子畫素SPn-1與位於第N線上的子畫素SPn。
位於第(N-1)線上的子畫素SPn-1與位於第N線上的子畫素 SPn共享成為一體的第三掃描線Scan n-1，表示為標號「A2」。就是說，因為第N線上的子畫素SPn與第(N-1)線上的子畫素SPn-1共享第三掃描線Scan n-1，作為整體的單個第三掃描線形成於本發明例子中顯示面板的顯示區域中，而比較例子中形成兩個分離的第三掃描線。另外，透過整合兩個分離的第三掃描線Scan n-1準備的空間用於實現設計的最佳化。
如第8圖所示，第一電源線EVDD、第一資料線DL1與初始化線VINIT沿第一方向(垂直方向)排列，這樣這些線連接位於上方與下方的第(N-1)線上的子畫素SPn-1與第N線上的子畫素SPn。
第一電源線EVDD與第一資料線DL1彼此鄰接，但是彼此間隔開來。初始化線VINIT與第一資料線DL1間隔開來，這樣兩者之間的空間比第一電源線EVDD與第一資料線DL1之間的空間寬。
當從第二方向看過去，第一電源線EVDD、第一資料線DL1與初始化線VINIT依照此順序排列。
沿與第一方向(垂直方向)交叉的第二方向(水平方向)放置第一掃描線EM n、第二掃描線Scan n與第三掃描線Scan n-1。第一掃描線EM n與第二掃描線Scan n彼此鄰接，但是彼此間隔開來。第三掃描線Scan n-1與第一掃描線EM n彼此間隔開來，這樣兩者之間的空間比第一掃描線EM n與第二掃描線Scan n之間的空間寬。
當從第一方向看過去，第二掃描線Scan n、第一掃描線EM n與第三掃描線Scan n-1依照該順序排列。
其間，結合第2圖所述，第一至第三電晶體T1~T3以及驅動電晶體Td中除閘極外的源極與汲極被指定為第一電極與第二電極。與此 不同，結合第8圖所述，第一至第三電晶體T1~T3以及驅動電晶體Td中除閘極G外的源極與汲極被指定為源極S與汲極D，而非第一電極與第二電極。因為電晶體T1~T3以及驅動電晶體Td中除閘極外的源極與汲極的指定可根據連接方向與電流(或電壓)的供應方向變化，原因在於避免限制解釋。
以下基於第N線上的子畫素SPn描述各自裝置的位置。
因為第二電晶體T2的閘極連接第二掃描線Scan n，第二電晶體T2形成於子畫素上方。因為第一電晶體T1的閘極連接第一掃描線EM n，第一電晶體T1形成於第二電晶體T2與第一及第二電容器Cst及Cdt之間的子畫素的中央。因為驅動電晶體Td的閘極連接第一電容器Cst與第二電晶體T2的第二電極，驅動電晶體Td形成於第二電晶體T2與第三電晶體T3之間的子畫素的中央。因為第三電晶體T3的閘極連接第三掃描線Scan n-1連同第(N-1)線上的子畫素SPn-1的第二電晶體T2，第三電晶體T3形成於子畫素下方。
依照本發明的例子，第N-1線上的子畫素SPn-1的第二電晶體T2的閘極與第N線上子畫素SPn的第三電晶體T3的閘極共享第三掃描線Scan n-1。換言之，第N-1線上的子畫素SPn-1的第二電晶體T2的閘極以及第N線上子畫素SPn的第三電晶體T3的閘極連同第三掃描線Scan n-1係透過相同的製程形成。然而，第N-1線上的子畫素SPn-1的第二電晶體T2的閘極以及第N線上子畫素SPn的第三電晶體T3的閘極形成為在結構(平面上的圖案)方面具有不同的形狀。
依照本發明的例子，由於上述結構的原因，顯示面板的顯 示區域中每一線刪除每一掃描線，從而確保設計裕量以最佳化顯示面板。
本發明的例子中，利用確保的設計裕量，特定電晶體的閘極被形成為雙閘極。術語「雙閘極」，指相同層中形成的兩個閘極G1與G2，由於熱載子應力(應力導致直流性能的劣化)或者驅動應力(正/負偏壓應力)的緣故，具有雙閘極的電晶體減輕或移除脆弱因素，從而與具有單閘極的電晶體相比時，提高裝置的可靠性。
例如，因為第6圖所示的比較例子中無法確保設計裕量，用於初始化的第三電晶體T3的閘極需要形成為單閘極。反之，因為第8圖所示的本發明例子中可確保設計裕量，用於初始化的第三電晶體T3閘極可形成為雙閘極。
特別地，第三電晶體T3的雙閘極的第一閘極G1沿第一方向從第三掃描線Scan n-1突出且沿第二方向放置。本文中，第三電晶體T3的雙閘極的第一閘極G1沿放置初始化線VINIT的方向突出。反之，第三電晶體T3的雙閘極的第二閘極G2採用與第三掃描線Scan n-1相同的方式沿第二方向放置。
舉另一例子，因為第6圖所示的比較例子中無法確保設計裕量，控制子畫素的發光週期時使用的第一電晶體T1的閘極需要形成為單個閘極。反之，因為第8圖所示的代表性實施例中可確保設計裕量，控制子畫素的發光週期時使用的第一電晶體T1的閘極可形成為雙閘極。
特別地，第一電晶體T1的雙閘極的第一電極G1與第二電極G2沿第一方向從第一掃描線EM n突出且被放置。第一電晶體T1的第一電極G1與第二電極G2沿放置第一與第二電容器CSt與Cdt的方向突出。
舉另一例子，因為第6圖所示的比較例子中無法確保設計裕量，第一電晶體T1與第三電晶體T3的閘極需要形成為單個閘極。反之，因為第8圖所示的本發明例子中可確保設計裕量，第一電晶體T1與第三電晶體T3的閘極可形成為雙閘極。
舉再一例子，因為第6圖所示的比較例子中無法確保設計裕量，第一掃描線EM n的一側形成為彎曲。反之，因為第8圖所示的本發明例子中可確保設計裕量，掃描線可形成為直線形狀。就是說，本發明的例子中，顯示面板的顯示區域中放置的掃描線形成為直線形狀。
當掃描線形成為直線形狀時，特定電容器的面積可利用確保的設計裕量而放大。電容器的面積係為能夠增加或者降低電容器的充電電容的結構因子。舉個例子，當第一掃描線EM n形成為直線形狀且第一電容器Cst的面積增加時，資料電壓的充電電容可被增加。舉另一例子，當第一掃描線EM n形成為直線形狀且第二電容器Cdt的面積增加時，可增加補償電壓(或者增壓電壓)的充電電容。
如第9A圖、第9B圖與第10圖所示，比較例子(第9A圖)中無法確保設計裕量，而本發明的例子(第9B圖)中可確保設計裕量，因此可增加第一電容器Cst的面積，從而改善例如閃爍之問題以及提高顯示品質。
如第11圖所示，本發明的例子中，左右方向中彼此鄰接的兩個子畫素形成為彼此左右對稱。
例如，第11子畫素SP11與第12子畫素SP12形成為基於初始化線VINIT彼此左右對稱。至於另一例子，第12子畫素SP12與第13 子畫素SP13形成為基於第一電源線EVDD彼此左右對稱。這樣，第13子畫素SP13、第14子畫素SP14、第21子畫素SP21、第22子畫素SP22、第23子畫素SP23與第24子畫素SP24也形成為基於初始化線VINIT或第一電源線EVDD彼此左右對稱。
當左右方向彼此鄰接的兩個子畫素形成為基於上述兩個子畫素間延伸的訊號線或電源線彼此對稱時，可均勻地形成子畫素，從而更容易地確保設計裕量。
以下描述子畫素的剖面結構。
-子畫素的剖面結構的第一例子-
如第12圖所示，第二緩衝層161形成於下基板160a上。下基板160a由玻璃或樹脂，例如聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚酯碸(polyester sulfone；PES)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)或者聚氨酯(polyurethane；PU)形成。當為下基板160a選擇樹脂時，下基板160a具有撓性。第二緩衝層161被形成以保護後續製程中形成的電晶體避免雜質，例如從下基板160a流出的鹼離子。第二緩衝層161可由氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)形成。第二緩衝層161可形成為單層式或者多層式，或者某些情況下可省略第二緩衝層161。
驅動電晶體Td的主動層162a與第一電容器Cst的下電極162b形成於下基板160a或第二緩衝層161上。主動層162a由從非晶矽、多晶矽、低溫多晶矽、氧化物與有機物質中選擇的一種形成。下電極162b為第一電容器Cst的電極。
第一絕緣膜163形成於主動層162a與下電極162b上。第一絕緣膜163由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c形成於第一閘極絕緣膜163上。第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c由從鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳與銅中選擇的一種或者其合金形成，以及可形成為單層形式或者多層形式。第一閘極金屬層164a變為驅動電晶體Td的閘極。第二閘極金屬層164b變為第一電容器Cst的上電極。第三閘極金屬層164c形成為掃描線。
第二絕緣膜165形成於第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c上。第二絕緣膜165由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c形成於第二絕緣膜165上。第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c由從鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳與銅中選擇的一種或者其合金形成，以及可形成為單層形式或者多層形式。第一與第二源極-汲極金屬層166a與166b變為驅動電晶體Td的源極與汲極，由此接觸下方形成的主動層162a的源極區域與汲極區域。第三源極-汲極金屬層166c變為資料線。
透過上述製程，包含初始線、第一與第二電源線、掃描線、資料線、第一至第三電晶體、有機發光二極體、驅動電晶體以及第一與第二電容器的下結構形成於下基板160a上。
第三絕緣膜167形成於第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c上。第三絕緣膜167用作保護膜，覆蓋包含電晶體的下結構。第三絕緣膜167由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
平坦化膜168形成於第三絕緣膜167上。平坦化膜168將第三絕緣膜167的上表面平坦化。平坦化膜168由有機物質例如聚醯亞胺(polyimide)、苯環丁烯基樹脂、丙烯酸酯(acrylate)或者光丙烯酸酯(photoacrylate)形成。
下電極169形成於平坦化膜168上。下電極169連接驅動電晶體的源極或汲極。下電極169被選為有機發光二極體的陽極或陰極。當下電極169被選擇為陽極時，下電極169為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等製造的透明氧化物電極。此外，下電極169形成於單電極或多層電極中，單電極或多層電極包含透明電極與銀等製造的反射電極或者更包含其他低電阻金屬，但是並非限制於此。
護堤層170形成於下電極169上。護堤層170係為暴露下電極169的層，從而定義子畫素的開口區域(或者發光區域)。護堤層170由有機物質例如聚醯亞胺、苯環丁烯基樹脂、丙烯酸酯或者光丙烯酸酯形成。
間隔物180形成於護堤層170上。間隔物180形成於除護堤層170定義的開口區域外的非開口區域中。間隔物180完成各種角色，例如避免製造製程期間的遮罩與護堤層170之間的接觸導致的問題，或者避免在密封下基板160a與上基板之間時對上基板的撞擊所導致的結構的損壞。然而，結束製程以後，根據製程方式忽略或者移除間隔物180。
雖然圖中未表示，有機發光二極體的發光層與上電極更形成於下電極169上。發光層包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子阻擋層(EBL)、電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL) 至少其一，但是本發明並非限制於此。此外，上電極被選為陰極或者陽極。上電極可為銀、鋁、鎂、鋰(Li)、鈣、氟化鋰(LiF)、氧化銦錫或氧化銦鋅製造的單層電極、其製造的多層電極或者其混合物製造的混合電極，但是並非限制於此。
-子畫素的剖面結構的第二例子-
如第13圖所示，第一緩衝層191形成於下基板160a上。下基板160a由玻璃或樹脂例如聚醯亞胺(PI)、聚對酞酸乙二酯(PET)、聚酯碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、酸乙二酯(PEN)或者聚氨酯(PU)形成。當樹脂被選擇用於下基板160a時，下基板160a具有撓性。第一緩衝層191用於將下基板160a的表面平面化。
遮蔽金屬層195形成於第一緩衝層191上。遮蔽金屬層195用於阻擋外部光線的入射，從而避免下基板160a上形成的電晶體的電流的泄露。遮蔽金屬層195由低反射率的材料形成，以及可形成為由不同種類的材料組成的單層或多層。遮蔽金屬層195形成以對應下基板160a上形成的特定電晶體的主動層，或者對應下基板160a的整個表面。本文中，形成有遮蔽金屬層195的區域可被延伸到下基板160a上定義的顯示區域內部或者顯示區域的外部即非顯示區域。
第二緩衝層161形成於遮蔽金屬層195上。第二緩衝層161形成以保護後續製程中形成的電晶體。第二緩衝層161由氧化矽、氮化矽等形成。第二緩衝層161可形成為單層形式或者多層形式。然而，省略遮蔽金屬層195的情況下，也可省略第二緩衝層161。
驅動電晶體Td的主動層162形成於第二緩衝層161上。主 動層162由從非晶矽、多晶矽、低溫多晶矽、氧化物與有機物質中選擇的一種形成。
第一絕緣膜163形成於主動層162上。第一絕緣膜163由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c形成於第一絕緣膜163上。第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c由從鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳與銅中選擇的一種或者其合金形成，可形成為單層或者多層。第一閘極金屬層164a變為驅動電晶體Td的下閘極。第二閘極金屬層164b變為連接電極，與遮蔽金屬層195連接。第三閘極金屬層164c變為第一電容器Cst的下電極。
第(2-1)絕緣膜165a形成於第一至第三閘極金屬層164a、164b與164c上。第(2-1)絕緣膜165a由氧化矽膜、氮化矽膜、其雙層形成。
第一金屬層175a與第二金屬層175b形成於第(2-1)絕緣膜絕緣膜165a上。第一金屬層175a與第二金屬層175b由從鋁、鋁、鉻、金、鈦、鎳與銅中選擇的一種或者其合金形成，可形成為單層或者多層。第一金屬層175a變為驅動電晶體的上閘極(就是說，驅動積體具有雙閘極結構，其中兩個閘極形成於上方與下方)。第二金屬層175b變為第一電容器Cst的上電極。
第(2-2)絕緣膜165b形成於第一金屬層175a與第二金屬層175b上。第(2-2)絕緣膜165b由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c形成於第(2-2)絕緣膜165b上。第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c 由從鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳與銅中選擇的一種或者其合金形成，以及可形成為單層形式或者多層形式。第一與第二源極-汲極金屬層166a與166b變為驅動電晶體Td的源極與汲極，由此接觸下方形成的主動層162a的源極區域與汲極區域。第二源極-汲極金屬層166b透過第二閘極金屬層164b連接遮蔽金屬層195。第三源極-汲極金屬層166c變為資料線。
透過上述製程，包含初始化線、第一與第二電源線、掃描線、資料線、第一至第三電晶體、有機發光二極體、驅動電晶體以及第一與第二電容器的下結構形成於下基板160a上。
第三絕緣膜167形成於第一至第三源極-汲極金屬層166a、166b與166c上。第三絕緣膜167用作保護膜，覆蓋包含電晶體的下結構。第三絕緣膜167由氧化矽膜、氮化矽膜或者其雙層形成。
平坦化膜168形成於第三絕緣膜167上。平坦化膜168將第三絕緣膜167的上表面平坦化。平坦化膜168由有機物質例如聚醯亞胺、苯環丁烯基樹脂、丙烯酸酯或者光丙烯酸酯形成。
下電極169形成於平坦化膜168上。下電極169連接驅動電晶體Td的源極或汲極。下電極169被選為有機發光二極體的陽極或陰極。當下電極169被選為陽極時，下電極169為氧化銦錫或氧化銦鋅製造的透明氧化物電極。此外，下電極169形成為單個電極、連同透明電極由銀等製造的反射電極，或者更包含其他低電阻金屬的多層電極，但是並非限制於此。
護堤層170形成於下電極169上。護堤層170為暴露下電極169的層，從而定義子畫素的開口區域(或者發光區域)。護堤層170由 有機物質例如聚醯亞胺、苯環丁烯基樹脂、丙烯酸酯或者光丙烯酸酯形成。
間隔物180形成於護堤層170上。間隔物180形成於護堤層170所定義的開口區域以外的非開口區域中。間隔物180完成各種角色，例如避免製造製程期間的遮罩與護堤層170之間的接觸導致的問題，或者避免在密封下基板160a與上基板之間時對上基板的撞擊所導致的結構的損壞。然而，結束製程以後，根據製程方式忽略或者移除間隔物180。
雖然圖中未表示，有機發光二極體的發光層與上電極更形成於下電極169上。發光層包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子阻擋層(EBL)、電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)至少其一，但是並非限制於此。此外，上電極被選為陰極或者陽極。上電極係為銀、鋁、鎂、鋰(Li)、鈣、氟化鋰(LiF)、氧化銦錫或氧化銦鋅製造的單層電極、其製造的多層電極，或者其混合物製造的混合電極，但是並非限制於此。
如上所述，本發明可提供一種有機發光顯示器，其中子畫素的電路與結構被最佳化且使用面積被最佳化，從而實現顯示高解析度的面板。另外，本發明可提供一種有機發光顯示器，其中電容器的充電電容透過設計的最佳化而增加，從而提高顯示品質。另外，本發明可提供一種有機發光顯示器，其中透過具有最佳化設計的結構，可減輕或移除驅動應力(正/負偏壓應力)所導致的脆弱因素，從而提高裝置的可靠性。
110‧‧‧時序控制器
120‧‧‧掃描驅動部
130‧‧‧資料驅動部
160‧‧‧顯示面板
DATA‧‧‧資料訊號
Hsync‧‧‧水平同步訊號
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
CLK‧‧‧時脈訊號
DE‧‧‧資料賦能訊號
GDC‧‧‧閘極時序控制訊號
DDC‧‧‧資料時序控制訊號
SL1…SLm‧‧‧掃描線
SP‧‧‧子畫素
EVDD‧‧‧第一電源線
EVSS‧‧‧第二電源線
VINIT‧‧‧初始化線
DL1…DLn‧‧‧資料線

Claims (8)

  1. 一種有機發光顯示器，包含：一顯示面板，包含複數個子畫素，每一該等子畫素包含複數個開關電晶體、一有機發光二極體與一驅動電晶體；以及一驅動部，用以供應一驅動訊號到該顯示面板，其中一第(N-1)線上的一第一子畫素中的一第一電晶體與一第N線上的一第二子畫素中的一第二電晶體被放置為彼此鄰接，其中N為整數，該第一電晶體之一閘極與該第二電極之一閘極連接一條掃描線，以及其中藉由一初始化線，該第二電晶體選擇性地提供一初始化電壓至該第二子畫素之該有機發光二極體之一陽極。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中完成不同角色的該等電晶體包含：一第二電晶體，用以完成一切換作業，以供應一資料訊號到該第(N-1)線上的該子畫素；以及一第三電晶體，用以完成一切換作業，以供應該初始化電壓到該第N線上的該子畫素。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中該第二電晶體與該第三電晶體共享該一條掃描線，以及包含具有不同結構的閘極。
  4. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中該第二電晶體具有一單個閘極，以及其中該第三電晶體具有雙閘極，兩個閘極被放置於相同的層中。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示器，其中該第三電晶體的該雙閘極的一第一閘極沿一第一方向從該一條掃描線突出，然後沿一第二方向被放置，以及其中該第三電晶體的該雙閘極的一第二閘極採用與該一條掃描線相同的方式沿該第二方向被放置。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該第(N-1)線上的該子畫素與該第N線上的該子畫素的每一個更包含一第一掃描線，用以傳輸一掃描訊號，以控制該有機發光二極體的一發光週期，以及其中該第一掃描線以直線形式沿一水平方向形成於該顯示面板的一顯示區域中。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該等子畫素中左右方向彼此鄰接的子畫素在該顯示面板的該顯示區域中彼此左右對稱。
  8. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中該第一與第三電晶體具有雙閘極，兩個雙閘極被放置於相同層中。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102460556B1 (ko) 2015-12-31 2022-10-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법
US10297781B2 (en) * 2016-06-30 2019-05-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method of the same
US10475381B2 (en) 2016-06-30 2019-11-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method of the same
KR102559544B1 (ko) 2016-07-01 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9806197B1 (en) * 2016-07-13 2017-10-31 Innolux Corporation Display device having back gate electrodes
CN106206317B (zh) * 2016-08-02 2019-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板
KR102556883B1 (ko) * 2016-08-23 2023-07-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102633522B1 (ko) * 2016-10-25 2024-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동장치
JP6771401B2 (ja) * 2017-02-09 2020-10-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ アクティブマトリクス表示装置
KR102508157B1 (ko) * 2017-12-27 2023-03-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI669700B (zh) * 2018-07-26 2019-08-21 友達光電股份有限公司 畫素電路和顯示面板
KR20210113499A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4340579A3 (en) * 2020-03-23 2024-06-12 BOE Technology Group Co., Ltd. Display substrate, preparation method thereof, display mother plate and display device
KR20220025989A (ko) * 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11900874B2 (en) 2020-11-27 2024-02-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel circuit and driving method thereof, display substrate and display apparatus
CN113140172A (zh) * 2021-04-08 2021-07-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电荷侦测电路、其侦测方法及显示面板
KR20230072582A (ko) 2021-11-17 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101266757A (zh) * 2007-03-14 2008-09-17 三星Sdi株式会社 像素、使用该像素的有机发光显示器及其驱动方法
US20090243977A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Chung Kyung-Hoon Pixel and organic light emitting display device including the same
CN100585673C (zh) * 2004-12-06 2010-01-27 株式会社半导体能源研究所 显示设备、其驱动方法和电子装置
CN101859536A (zh) * 2009-04-02 2010-10-13 三星移动显示器株式会社 像素及使用该像素的有机发光显示装置
TW201409446A (zh) * 2012-08-23 2014-03-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體顯示器以及其驅動方法
US20140077176A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370286B1 (ko) 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
KR100578793B1 (ko) 2003-11-26 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101209055B1 (ko) 2005-09-30 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101197768B1 (ko) 2006-05-18 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
JP5998458B2 (ja) * 2011-11-15 2016-09-28 セイコーエプソン株式会社 画素回路、電気光学装置、および電子機器
TWI565048B (zh) 2012-05-22 2017-01-01 友達光電股份有限公司 有機發光顯示單元結構與有機發光顯示單元電路
JP5533946B2 (ja) * 2012-06-18 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR102117614B1 (ko) * 2013-10-18 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 기판의 신호선 리페어 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100585673C (zh) * 2004-12-06 2010-01-27 株式会社半导体能源研究所 显示设备、其驱动方法和电子装置
CN101266757A (zh) * 2007-03-14 2008-09-17 三星Sdi株式会社 像素、使用该像素的有机发光显示器及其驱动方法
US20090243977A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Chung Kyung-Hoon Pixel and organic light emitting display device including the same
CN101859536A (zh) * 2009-04-02 2010-10-13 三星移动显示器株式会社 像素及使用该像素的有机发光显示装置
TW201409446A (zh) * 2012-08-23 2014-03-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體顯示器以及其驅動方法
US20140077176A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display

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