TWI559009B - 動態記憶體測試裝置及其測試方法 - Google Patents

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Description

動態記憶體測試裝置及其測試方法
本發明是有關於一種動態記憶體測試裝置及測試方法，且特別是有關於一種利用系統整合式晶片進行外部動態記憶體測試的試裝置及測試方法。
請參見圖1，圖1繪示習知技術的動態記憶體測試裝置的方塊。在圖1中，控制器110耦接至動態記憶體120，並針對動態記憶體120執行測試動作。控制器110為系統整合式晶片。在此架構下，當控制器110針對外部的動態記憶體進行測試時，控制器110會由動態記憶體120來讀取測試程式碼121，並透過執行測試程式碼121來對動態記憶體120進行測試動作。
由上述的說明可以得知，圖1繪示的習知技術的動態記憶體測試裝置中，由於測試程式碼121被儲存在動態記憶體裝置120，因此，動態記憶體120中用來儲存測試程式碼121的記憶區塊的內容不可以被破壞，也因此，要針對儲存測試程式碼121的 記憶區塊進行測試是不可能的。也就是說，這樣的架構並無法針對動態記憶體120進行完整的測試動作。
再者，在動態記憶體裝置120儲存測試程式碼121的記憶區塊無法並測試的前提下，一旦儲存測試程式碼121的記憶區塊有損壞的現象發生時，所儲存的測試程式碼121也必然是不正確的資料。當控制器110執行錯誤的測試程式碼121時，將無法有效執行測試動作，嚴重的還可能會造成系統當機或是重新開機的可能。
本發明提供一種動態記憶體測試裝置及測試方法，可提升動態記憶體的測試效能。
本發明的動態記憶體測試裝置包括系統整合式晶片，用以耦接至動態記憶體。系統整合式晶片包括控制單元以及內嵌式記憶體裝置。控制單元耦接至動態記憶體。內嵌式記憶體裝置儲存記憶體測試程式碼，其中，控制單元讀取記憶體測試程式碼並藉由執行記憶體測試程式碼以對動態記憶體執行測試動作。
在本發明的一實施例中，動態記憶體測試裝置更包括連接介面。連接介面耦接至內嵌式記憶體裝置，其中，內嵌式記憶體裝置藉由連接介面耦接外部儲存單元，並由外部儲存單元讀取記憶體測試程式碼。
在本發明的一實施例中，上述的連接介面包括內部系統 匯流排介面及通用序列匯流排介面的至少其中之一。
在本發明的一實施例中，上述的控制單元包括中央處理單元以及動態記憶體控制器。動態記憶體控制器耦接中央處理單元，其中，中央處理單元執行記憶體測試程式碼以透過動態記憶體控制器對動態記憶體執行測試動作。
在本發明的一實施例中，上述的內嵌式記憶體裝置包括靜態記憶體以及靜態記憶體控制器。靜態記憶體用以儲存記憶體測試程式碼。靜態記憶體控制器耦接靜態記憶體，靜態記憶體控制器接收記憶體測試程式碼，並將記憶體測試程式碼儲存於靜態記憶體中，並由靜態記憶體讀取記憶體測試程式碼以提供記憶體測試程式碼至中央處理單元。
在本發明的一實施例中，上述的靜態記憶體更包括儲存動態記憶體的初始化資訊以及動態記憶體的測試模式啟動資訊。
本發明提出的動態記憶體的測試方法，包括：提供系統整合式晶片，並使記憶體測試程式碼儲存於系統整合式晶片的內嵌式記憶體裝置中；由內嵌式記憶體裝置讀取記憶體測試程式；以及，執行記憶體測試程式以對動態記憶體執行測試動作。
基於上述，本發明將測試程式碼放置在受測的動態記憶體的外部，如此一來，動態記憶體可以完整的被測試，且系統整合式晶片所執行的測試程式碼也不會有可能發生錯誤的狀態，使動態記憶體的測試動作，可以無風險的有效被執行。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉 實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
110‧‧‧控制器
120‧‧‧動態記憶體
121‧‧‧測試程式碼
200‧‧‧動態記憶體測試裝置
300‧‧‧動態記憶體測試裝置
210‧‧‧系統整合式晶片
310‧‧‧系統整合式晶片
400‧‧‧系統整合式晶片
220、320‧‧‧動態記憶體
211、311、410‧‧‧控制單元
TCODE‧‧‧記憶體測試程式碼
D3‧‧‧記憶體測試程式碼
212‧‧‧內嵌式記憶體裝置
312‧‧‧內嵌式記憶體裝置
313‧‧‧連接介面
330‧‧‧外部儲存單元
411‧‧‧中央處理單元
412‧‧‧動態記憶體控制器
420‧‧‧內嵌式記憶體裝置
422‧‧‧靜態記憶體
D1‧‧‧初始化資訊
D2‧‧‧測試模式啟動資訊
S710~S730‧‧‧記憶體測試步驟
圖1繪示的習知技術的動態記憶體測試裝置。
圖2繪示本發明一實施例的動態記憶體測試裝置的示意圖。
圖3繪示本發明另一實施例的動態記憶體測試裝置的示意圖。
圖4繪示本發明實施例的系統式整合晶片400的一實施方式。
圖5繪示本發明實施例中靜態記憶體的儲存內容的示意圖。
圖6繪示本發明實施例的動態記憶體測試裝置的邏輯位址配置的示意圖。
圖7繪示本發明一實施例的動態記憶體測試的流程圖。
請參照圖2，圖2繪示本發明一實施例的動態記憶體測試裝置的示意圖。動態記憶體測試裝置200包括系統整合式晶片210。其中，系統整合式晶片210耦接動態記憶體220並可對動態記憶體220進行測試動作。動態記憶體220可以是動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。
系統整合式晶片210包括控制單元211以及內嵌式記憶體裝置212。控制單元211耦接至動態記憶體220，內嵌式記憶體 裝置212則耦接至控制單元211。其中，關於動態記憶體220的測試方面，內嵌式記憶體裝置212可儲存記憶體測試程式碼TCODE，而當動態記憶體220的測試動作要進行時，控制單元211可由內嵌式記憶體裝置212讀取其所儲存的記憶體測試程式碼TCODE，並透過執行記憶體測試程式碼TCODE來進行對動態記憶體220的測試動作。
在本實施例中，記憶體測試程式碼TCODE可以由系統整合式晶片210外部的元件來提供，其中，內嵌式記憶體裝置212可以由外部元件來接收記憶體測試程式碼TCODE，並將之儲存在內嵌式記憶體裝置212中。當控制單元211要執行動態記憶體220的測試動作時，內嵌式記憶體裝置212則可提供其所儲存的記憶體測試程式碼TCODE至控制單元211以供控制單元211執行相對應的動態記憶體220的測試動作。
值得注意的是，本發明實施例記憶體測試程式碼TCODE並非由受測的動態記憶體220所提供。也就是說，記憶體測試程式碼TCODE並不會占去動態記憶體220的部分記憶區域。當控制單元211對動態記憶體220進行測試動作時，可以完整的對動態記憶體220的所有的記憶區域進行測試。另外，本發明實施例記憶體測試程式碼TCODE可以由可靠的(測試過的)外部元件來提供，因此，記憶體測試程式碼TCODE可以確定是正確無誤的測試程式碼。控制單元211執行記憶體測試程式碼TCODE可正確的執行動態記憶體220的測試動作，系統整合式晶片210不致於會有 發生當機會重新開機的可能。
請參照圖3，圖3繪示本發明另一實施例的動態記憶體測試裝置的示意圖。動態記憶體測試裝置300包括系統整合式晶片310。其中，系統整合式晶片310耦接動態記憶體320並可對動態記憶體320進行測試動作。
系統整合式晶片310包括控制單元311、內嵌式記憶體裝置312以及連接介面313。與前述實施例不相同的，本實施例的內嵌式記憶體裝置312並耦接至連接介面313，且透過連接介面313連接至外部儲存單元330。外部儲存單元330是不同於動態記憶體320的另一個儲存元件。外部儲存單元330中預先存有記憶體測試程式碼，並透過連接介面313將記憶體測試程式碼提供給內嵌式記憶體裝置312。
附帶一提的，連接介面313可以是內部系統匯流排(Internal System Bus)或通用序列匯流排(Universal Serial Bus,USB)介面，而外部儲存單元330可以是例如是快閃記憶體。此外，在本實施例中，系統整合式晶片310與動態記憶體320可以與外部儲存單元330架構在相同或不同的電路板上。
連接介面313可以是系統式整合晶片310的內部系統匯流排介面形式，外部儲存單元330(可以是NAND或是NOR型式的快閃記憶體所建構)中的記憶體測試程式碼直接讀取並存放於系統式整合晶片310的內嵌式記憶體裝置312，並提供控制單元311執行。在這樣的架構下，在本實施例的系統整合式晶片310、 動態記憶體320以及外部儲存單元330都可以架構在相同的電路板上。
另外，連接介面313也可以是耦接至外部USB介面形式，透過USB OTG(On-The-Go)介面將記憶體測試程式碼傳輸至系統式整合晶片310之內嵌式記憶體裝置312中，並提供控制器311來執行。值得一提的是，在這樣的架構下，外部的USB形式的連接介面313可連接至不設置在同一電路板上的外部儲存單元330。
當然，連接介面313也可以同時包括內部系統匯流排介面以及外部USB介面，使用者可以依據需求來選擇所需的介面進行連接。
以下請參照圖4，圖4繪示本發明實施例的系統式整合晶片400的一實施方式。系統式整合晶片400包括控制單元410以及內嵌式記憶體裝置420。控制單元410包括中央處理單元411以及動態記憶體控制器412。內嵌式記憶體裝置420則包括靜態記憶體控制器421以及靜態記憶體422。
靜態記憶體控制器421可由外部讀取記憶體測試程式碼TCODE，並將記憶體測試程式碼TCODE儲存在靜態記憶體422中。當中央處理單元411要進行外部的動態記憶體進行測試時，中央處理單元411可透過靜態記憶體控制器421由靜態記憶體422中讀出記憶體測試程式碼TCODE，中央處理單元411並可藉由執行記憶體測試程式碼TCODE來對外部的動態記憶體進行測試。
另外，當動態記憶體測試時，動態記憶體控制器412可依據記憶體測試程式碼TCODE的執行動作來對受測的動態記憶體進行測試動作，例如對受測的動態記憶體執行位址設定、資料寫入以及資料讀出等相關動作。
值得注意的是，本實施例中對應記憶體測試程式碼TCODE的記憶體測試動作可以為本領域具通常知識者所熟知的動態記憶體測試動作，沒有特定的限制。
此外，請參照圖5，圖5繪示本發明實施例中靜態記憶體的儲存內容的示意圖。其中，靜態記憶體422除可儲存記憶體測試程式D3外，尚可儲存關於動態記憶體的初始化資訊D1以及關於動態記憶體的測試模式啟動資訊D2等。
由圖5可以得知，當中央處理單元411要進行動態記憶體的測試動作時，可以先由靜態記憶體422中讀取初始化資訊D1，藉此，中央處理單元411可先對受測的動態記憶體進行初始化的動作。接著，中央處理單元411再讀取靜態記憶體422中的動態記憶體的測試模式啟動資訊D2，並藉由測試模式啟動資訊D2來啟動受測的動態記憶體的測試動作。最後，中央處理單元411讀取記憶體測試程式D3，並藉以對受測的動態記憶體進行測試動作。
值得一提的，本發明實施例中，除可以對受測的動態記憶體進行資料寫入以及資料讀出的驗證動作以測試動態記憶體外，還可以透過初始化資訊D1來改變受測的動態記憶體內部的存 取的時間資訊(例如改變位元線等化延遲時間(BLEQ Delay Time(Bit line equalization Delay Time))，及/或變化動態記憶體的核心電壓(core voltage)來進行測試。如此一來，動態記憶體的測試時間可以縮短，另外，還可利用不同電壓進行動態記憶體的測試動作。
接著請參照圖6，圖6繪示本發明實施例的動態記憶體測試裝置的邏輯位址配置的示意圖。在圖6中，邏輯位址0x4000_0000以上的區域可以配置為其中的輸入輸出裝置(I/O)所使用的記憶位址，介於邏輯位址0x4000_0000至0x3000_0000間則可對應至受測的動態記憶體的實體位址；介於邏輯位址0x3000_0000至0x1000_0000間則配置給輸入輸出裝置(I/O)以及介於邏輯位址0x1000_0000至0x0001_0000間配置為唯獨記憶體所使用的記憶位址。另外，介於邏輯位址0x0001_0000至0x0000_0000間則配置為內嵌記憶裝置中的靜態記憶體所使用的位址。
在圖6的位址配置方式中，邏輯位址0x0001_0000至0x0000_0000間可用於對應靜態記憶體中儲存記憶體測試程式碼的實體位址。在當要對外部的動態記憶體進行測試時，可依據記憶體測試程式碼來將邏輯位址設定在邏輯位址0x4000_0000至0x3000_0000間，並藉以對應至受測的動態記憶體的實體位址，並藉此對受測的動態記憶體進行測試動作。
請參照圖7，圖7繪示本發明一實施例的動態記憶體測試 的流程圖。首先，在步驟S710中，提供系統整合式晶片，並使記憶體測試程式碼儲存於系統整合式晶片的內嵌式記憶體裝置中，並且，當要對待測的動態記憶體進行測試時，在步驟S720中由內嵌式記憶體裝置讀取記憶體測試程式，並在步驟S730中，依據執行記憶體測試程式來對動態記憶體進行測試動作。
關於本發明實施例中的實施細節，在前述的實施例及實施方式中有以有詳盡的說明，以下恕不多贅述。
值得一提的，透過上述實施例所說明的動態記憶體的測試方式，這種系統端的測試裝置及測試方法，在當發現動態記憶體有錯誤的情況發生時，可以即時的透過動態記憶體中的電子熔絲(e-Fuse)進行動態記憶體的修復動作，提升動態記憶體的妥善率。
綜上所述，本發明藉由非受測動態記憶體作為儲存媒介來提供記憶體測試程式碼，並將記憶體測試程式碼儲存在系統整合式晶片中的內嵌式記憶體裝置中。在要進行外部的動態記憶體的測試動作時，則使系統整合式晶片中的控制單元執行記憶體測試程式碼，就可對受測的動態記憶體進行完整的測試動作。重點在於，受測的動態記憶體不需要提供部分的儲存區域來儲存記憶體測試程式碼，所有的動態記憶體的儲存區域都可以在測試過程中被測試到。另外，記憶體測試程式碼來自於可靠的儲存媒介，系統整合式晶片不會有因為執行不可靠的記憶體測試程式碼而發生當機或重新啟動的風險。
200‧‧‧動態記憶體測試裝置
210‧‧‧系統整合式晶片
220‧‧‧動態記憶體
211‧‧‧控制單元
TCODE‧‧‧記憶體測試程式碼
212‧‧‧內嵌式記憶體裝置

Claims (8)

  1. 一種動態記憶體測試裝置，包括：一系統整合式晶片，耦接至該動態記憶體，包括：一控制單元，耦接至該動態記憶體；以及一內嵌式記憶體裝置，儲存一記憶體測試程式碼，其中，該控制單元讀取該記憶體測試程式碼並藉由執行該記憶體測試程式碼以對該動態記憶體執行測試動作，其中該測試動作包括透過該動態記憶體的初始化資訊來改變該動態記憶體內部的存取的時間資訊及該動態記憶體的一核心電壓的至少其中之一。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的動態記憶體測試裝置，更包括：一連接介面，耦接至該內嵌式記憶體裝置，其中，該內嵌式記憶體裝置藉由該連接介面耦接一外部儲存單元，並由該外部儲存單元讀取該記憶體測試程式碼。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的動態記憶體測試裝置，其中該連接介面包括內部系統匯流排介面及通用序列匯流排介面的至少其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的動態記憶體測試裝置，其中該控制單元包括：一中央處理單元；以及一動態記憶體控制器，耦接該中央處理單元， 其中，該中央處理單元執行該記憶體測試程式碼以透過該動態記憶體控制器對該動態記憶體執行測試動作。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的動態記憶體測試裝置，其中該內嵌式記憶體裝置包括：一靜態記憶體，用以儲存該記憶體測試程式碼；以及一靜態記憶體控制器，耦接該靜態記憶體，該靜態記憶體控制器接收該記憶體測試程式碼，並將該記憶體測試程式碼儲存於該靜態記憶體中，該靜態記憶體控制器並由該靜態記憶體讀取該記憶體測試程式碼以提供該記憶體測試程式碼至一中央處理單元。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的動態記憶體測試裝置，其中該靜態記憶體更包括儲存該動態記憶體的初始化資訊以及該動態記憶體的測試模式啟動資訊。
  7. 一種動態記憶體的測試方法，包括：提供一系統整合式晶片，並使一記憶體測試程式碼儲存於該系統整合式晶片的一內嵌式記憶體裝置中；由該內嵌式記憶體裝置讀取該記憶體測試程式；以及執行該記憶體測試程式以對該動態記憶體執行測試動作，其中該測試動作包括透過該動態記憶體的初始化資訊來改變該動態記憶體內部的存取的時間資訊及該動態記憶體的一核心電壓的至少其中之一。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的動態記憶體的測試方法，其 中使該記憶體測試程式碼儲存於該系統整合式晶片的該內嵌式記憶體裝置中的步驟包括：將該記憶體測試程式碼儲存於該系統整合式晶片外的一外部儲存單元中；透過該系統整合式晶片由該外部儲存單元讀取該記憶體測試程式碼，並將該記憶體測試程式碼儲存於該內嵌式記憶體裝置中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792288B (zh) * 2021-04-28 2023-02-11 森富科技股份有限公司 記憶體檢測裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107680633B (zh) * 2017-08-29 2022-05-27 深圳市江波龙电子股份有限公司 Dram测试装置及方法
CN111627475B (zh) * 2019-04-04 2022-12-13 深圳市晶凯电子技术有限公司 存储器和其电子装置及其测试***、测试方法和应用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230290B1 (en) * 1997-07-02 2001-05-08 International Business Machines Corporation Method of self programmed built in self test
TW201000921A (en) * 2008-06-27 2010-01-01 Teco Image Sys Co Ltd Tested machine capable of reloading test programs, machine testing system and testing method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1186809C (zh) * 2002-09-02 2005-01-26 威盛电子股份有限公司 嵌入式内存测试平台装置及其测试方法
US20080209294A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 Hakan Brink Built-in self testing of a flash memory
CN101763298A (zh) * 2008-12-23 2010-06-30 慧帝科技(深圳)有限公司 数据储存装置、数据储存控制器及相关自动化测试的方法
CN102231286B (zh) * 2009-10-08 2014-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 动态随机存取存储器的测试方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230290B1 (en) * 1997-07-02 2001-05-08 International Business Machines Corporation Method of self programmed built in self test
TW201000921A (en) * 2008-06-27 2010-01-01 Teco Image Sys Co Ltd Tested machine capable of reloading test programs, machine testing system and testing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792288B (zh) * 2021-04-28 2023-02-11 森富科技股份有限公司 記憶體檢測裝置

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