TWI555270B - 短重合相位之槽饋式雙極化孔徑 - Google Patents

短重合相位之槽饋式雙極化孔徑 Download PDF

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TWI555270B TW103127789A TW103127789A TWI555270B TW I555270 B TWI555270 B TW I555270B TW 103127789 A TW103127789 A TW 103127789A TW 103127789 A TW103127789 A TW 103127789A TW I555270 B TWI555270 B TW I555270B
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Description

短重合相位之槽饋式雙極化孔徑 發明領域
本發明之實施例係關於天線陣列。
發明背景
雙極性張開式切口天線陣列常用於(例如)雷達系統中。對於一些應用，需要雙極性張開式切口天線陣列之兩個極性具有重合相位中心。
圖1A為習知張開式切口天線100之橫截面圖，其具有兩個張開部110，穿越位於兩個張開部110之間且背靠空腔140之切口130的饋源120。歸因於饋源120跨切口130之位置，習知張開式切口天線100不能以具有重合相位中心之雙極性配置進行操作，此係因為第二極性之張開部110及饋源120將干擾(例如，相交或穿越)第一極性之張開部及饋源。
圖1B為說明具有包括替代性饋源120'之替代性饋源方案的習知張開式切口天線100'之橫截面圖。
圖2A及圖2B為可用以提供重合相位之雙極性張開式切口天線陣列之替代性張開式切口天線的橫截面圖。圖2A係自W.R.Pickles等人之「Coincident Phase Center Ultra Wideband Array of Dual Polarized Flared Notch Elements」(天線及傳播學會國際研討會，IEEE 2007)之圖2再現的。在圖2A及圖2B中所展示之天線陣列中，饋源220***成第一饋源222及第二饋源224。類似地，切口230***成背靠其各別空腔242及244之第一槽232及第二槽234。第一饋源222及第二饋源224跨其各別槽232及234延伸。因為饋源220不再穿越結構之中心(例如，在張開部210之間的空間中部)，所以此結構使得能夠在無需於z方向上使用偏移之情況下配置用於第一極性及第二極性兩者之張開部及饋源。
除平衡-不平衡轉換器之外，阻抗變換器大體上用作輻射元件之部分，以便在電源阻抗(大體而言為50Ω)與自由空間阻抗(大致為371Ω)之間提供阻抗匹配。在圖1A中所說明之習知張開式切口輻射器100中，張開部110用作阻抗變換器以提供此阻抗匹配。然而，因為張開部110直接連接至饋源120，所以張開部必須提供自50Ω至377Ω之所有匹配且因此相對長。
發明概要
本發明之實施例係有關一種短重合相位之槽饋式雙極化孔徑相位天線陣列。
根據本發明之一個實施例，一種經組配以發射電磁輻射之重合相位之雙極化天線陣列包括：配置成一網格之多個電磁輻射器，該等多個電磁輻射器界定多個切口；與該等電磁輻射器間隔開之一接地平面；安置於該等電磁 輻射器與該接地平面之間的一導電層，該導電層具有自該等切口側向地偏移並與該等電磁輻射器間隔開且電氣絕緣之多個槽；及多個饋源，該等饋源中之每一者跨越該等槽中之一對應槽，並在該對應槽之一側處電氣連接至該導電層之一部分。
該接地平面可與該導電層間隔開。
一間隔層可在該等多個槽與該接地平面之間。
該間隔層可填充有一介電材料。
多個空腔可在該等多個槽與該接地平面之間。
該等空腔可填充有一介電材料。
該導電層可由一電氣絕緣平行板層與該等電磁輻射器間隔開。
該電氣絕緣平行板層可填充有一介電材料。
該等槽中之一者可位於該等切口中之鄰近者之間。
該等槽中之兩者可位於該等切口中之鄰近者之間。
跨越該等槽中之一第一槽的該等饋源中之一第一者可並聯地電氣耦接至跨越該等槽中之一第二槽的該等饋源中之一第二者，其中該第一槽可鄰近該第二槽，且其中該第一槽及該第二槽可在該等切口中之一切口的相對側上。
該等電磁輻射器可包括經金屬化模製塑膠張開部。
該等饋源可為微帶饋源。
該等饋源可為帶狀線饋源。
根據本發明之另一實施例，一種沿著多個輻射路徑發射電磁輻射之方法包括：提供配置成一網格之多個電磁輻射器，該等多個電磁輻射器界定多個切口；提供與該等電磁輻射器間隔開之一接地平面；在該等電磁輻射器與該接地平面之間提供一導電層，該導電層具有自該等切口側向地偏移並與該等電磁輻射器間隔開且電氣絕緣之多個槽；提供多個饋源，該等饋源中之每一者跨越該等槽中之一對應槽，並在該對應槽之一側處電氣連接至該導電層之一部分；及將多個電磁信號供應至該等饋源。
該等槽中之兩者可位於該等切口中之鄰近者之間。
跨越該等槽中之一第一槽的該等饋源中之一第一者可與跨越該等槽中之一第二槽的該等饋源中之一第二者並聯地電氣耦接，其中該第一槽可鄰近該第二槽，其中該第一槽及該第二槽可在該等輻射路徑中之一輻射路徑的相對側上，且其中可將該等電磁信號中之同一電磁信號供應至第一微帶線或帶狀線饋源及第二微帶線或帶狀線饋源。
該等饋源可為微帶饋源。
該等饋源為帶狀線饋源。
該方法可進一步包括在該等多個槽與該接地平面之間提供一間隔層或多個空腔。
100‧‧‧張開式切口天線/張開式切口輻射器
100'‧‧‧張開式切口天線
110、210、310、410‧‧‧張開部
120、120'、220、320y‧‧‧饋源
130、230、380、480‧‧‧切口
140、242、244、340、440‧‧‧空腔
222‧‧‧第一饋源
224‧‧‧第二饋源
232、234‧‧‧第一槽
300‧‧‧天線陣列
302、402‧‧‧輻射部分
304、404‧‧‧饋源部分
306、406‧‧‧平行板層/平行板區段
320‧‧‧微帶饋源/微帶饋源線
320'‧‧‧帶狀線饋源
320x‧‧‧微帶線/饋源
330、430‧‧‧槽
330x'‧‧‧第一部分
330x"‧‧‧第二部分
342、344‧‧‧傳導板
340'、440'‧‧‧間隔層
350、450‧‧‧輻射路徑
370、470‧‧‧接地平面
400‧‧‧天線
420‧‧‧微帶饋源
422‧‧‧第一饋源/微帶饋源
424‧‧‧第二饋源/微帶饋源
隨附圖式連同本說明書說明本發明之例示性實施例，並連同描述用以解釋本發明之原理。
圖1A為可以雙極化配置使用之習知張開式切口天線之橫截面圖。
圖1B為說明具有替代性饋源方案之習知張開式切口天線之橫截面圖。
圖2A為具有經平衡饋源且具有沿著兩個正交平面伸展之饋源線的先前重合相位之輻射器之橫截面圖。
圖2B為具有替代性饋源方案的類似於圖2A之彼輻射器的先前重合相位之輻射器之橫截面圖。
圖3A為根據本發明之一個實施例的重合相位之槽饋式天線陣列之橫截面圖。
圖3B為類似於圖3A之實施例但具有替代性饋源方案的本發明之一實施例之橫截面圖。
圖3C為類似於圖3A之實施例的本發明之一實施例之橫截面圖，其中圖3A之諧振器由背靠接地平面之間隔層替換。
圖3D為類似於圖3B之實施例的本發明之一實施例之橫截面圖，其中圖3B之諧振器由背靠接地平面之間隔層替換。
圖3E為如沿著圖3A之線E-E截得的圖3A中所說明之實施例之橫截面平面圖。
圖4A為根據本發明之一個實施例的重合相位之 槽饋式天線陣列之橫截面圖。
圖4B為類似於圖4A之實施例但具有替代性饋源方案的本發明之一實施例之橫截面圖。
圖4C為類似於圖4A之實施例的本發明之一實施例之橫截面圖，其中圖4A之諧振器由背靠接地平面之間隔層替換。
圖4D為類似於圖4B之實施例的本發明之一實施例之橫截面圖，其中圖4B之諧振器由背靠接地平面之間隔層替換。
圖5A、圖5B及圖5C說明在本發明之一個實施例中分別針對H平面、E平面及D平面掃描所計算的自0.25GHz至2.50GHz之共極化***損耗。
圖6A、圖6B及圖6C說明根據本發明之一個實施例的分別針對H平面、E平面及D平面掃描所計算的自0.25GHz至2.50GHz之不包括孔徑投影損耗的Cx極化***損耗。
圖7A及圖7B說明根據本發明之一個實施例的沿著E平面及H平面之所計算共極化***損耗。
較佳實施例之詳細說明
在以下詳細描述中，僅以說明之方式展示及描述本發明之某些例示性實施例。如熟習此項技術者將認識到，本發明可以許多不同形式體現且不應將其理解為限於本文中所闡述之實施例。又，在本申請案之上下文中，當 元件被稱作在另一元件「上」時，其可直接在另一元件上或間接在另一元件上，其中一或多個介入元件***於該兩元件之間。貫穿本說明書，類似參考編號指定類似元件。
許多現今感測器需要具有寬掃描能力及極寬頻寬(例如，>2：1頻寬)之重合相位之雙極化孔徑。另外，在較低頻率應用中，歸因於重量及封裝約束，具有低剖面及小容量之天線陣列係合乎需要的。對於此等應用，低損耗亦為合乎需要之特性。另外，具有經簡化構造之天線陣列可減少製造成本。
然而，如上文之背景技術章節中所描述，習知張開式切口天線並不良好地適於需要重合相位之雙極化孔徑的應用，此係因為將干擾(例如，相交或穿越)習知設計之任何調適中的饋源線。
調適習知張開式切口天線以提供重合相位之雙極化孔徑將需要在z方向(例如，天線準向方向)上偏移饋源以便提供空間，使得並不干擾每一極性之饋源線120。然而，將難以製造此組配(歸因於(例如)饋源線所需要之多個層)，且此組配將很可能展現較高橫向極化耦合。
本發明之實施例係有關張開式切口天線，其中饋源線沿著垂直於天線準向方向之方向與張開部之輻射切口間隔開，藉此提供適於低頻及高頻應用兩者之重合相位之雙極性元件。在本發明之實施例中，槽饋式平衡-不平衡轉換器經組配以推挽方式驅動輻射元件，其中藉由平行板結構饋入槽諧振器。
大體而言，本發明之實施例能夠寬頻操作、具有低損耗且具有簡單構造。對於低頻應用，本發明之實施例能夠在極低剖面及輕型結構中有寬頻效能(模擬至多3.5：1頻寬)，且具有低橫向極化耦合。
圖3A為根據本發明之一個實施例的具有單一槽諧振器之重合相位之槽饋式雙極化天線陣列的橫截面圖。使用單一槽諧振器之實施例可用於輻射部分302之高度並非主要關注點但實體封裝可為限制之較高頻率應用中。在此實施例中，輻射部分302之總高度在最高操作頻率下可為~1波長高。張開式槽區段自大致300歐姆向下變換至基於實體特徵尺寸選擇的通常大致為100歐姆之驅動點阻抗(例如，50歐姆槽線將太窄而不能適應兩個正交槽，此係因為其將實體干擾)。100歐姆之槽可耦接至80歐姆之帶狀線饋源，其又在帶狀線板中向下變換至50歐姆。此單一槽饋式平衡-不平衡轉換器組配提供重合相位中心，又具有用於兩個極化之分離諧振器，每一諧振器自共用導入口區段偏移半個單位胞元。
參看圖3A，根據本發明之一個實施例，天線陣列300包括輻射部分302及由平行板層306與輻射部分302分開之饋源部分304。輻射部分302包括彼此間隔開單位胞元大小之多個張開部310。張開部310經配置以在張開部之間形成切口380。饋源部分304包括跨越背靠空腔340之槽330的微帶饋源320。饋源部分304經由平行板層306耦接至輻射部分302，使得自驅動電路施加至微帶饋源320之信號經由 平行板區段306耦合至輻射部分302以輻射電磁能。另外，由輻射部分302接收之電磁波跨平行板層306耦接至微帶饋源線320以由連接至微帶饋源線320之接收電路處理。
在圖3A中所說明之實施例中，槽330與張開部310之中心線(例如，沿著圖3A中所展示之虛線)對準。因此，槽330及跨越槽之饋源320與位於張開部310之間的切口380(及輻射路徑350)間隔開，且因此並不需要在與第一極性對準之輻射元件與與第二極性對準之輻射元件之間進行z方向上之偏移，藉此簡化裝置之構造。
天線300包括兩個分離之總成：輻射部分(亦通常被稱作輻射器)302及饋源部分或饋源304。可以多個方式建構輻射部分302，包括：附接至平面表面或具有類似佔據面積之薄片(覆面板)的經模製(例如，射出模製)或機器加工3-D結構；或藉由連鎖輻射器印刷電路卡形成之方格形結構。可使用標準多層列印佈線板(PWB或印刷電路板)製程製造饋源部分。可由可包括低介電發泡體層之平行板間隔層實體地分離輻射部分302與饋源部分304，或藉由使用位於輻射部分302與饋源部分304之間的各種點處之隔片進行分離(藉此在輻射器與饋源總成之間留下空氣或真空)。輻射部分302與饋源部分304之間的實體空間形成平行板層306。
圖3B為根據本發明之替代性實施例所建構的重合相位之槽饋式雙極化天線陣列之橫截面圖，其中由傳導板342與344之間的帶狀線饋源320'替換圖3A之實施例的微帶饋源320。當與圖3A中所展示之實施例相比時，在傳導板 之間使用帶狀線饋源簡化構造，藉此減少成本。
圖3C為本發明之另一實施例的橫截面圖。在圖3C中所展示之實施例中，圖3A之實施例的空腔340由背靠接地平面370之間隔層340'替換，且因此並不包括用於輻射元件中之每一者的分離之空腔。間隔層340'可填充有絕緣介電材料或空氣或真空(例如，當用於外太空中時)。消除分離之空腔亦簡化並減少製造成本。在較高操作頻率下，分離之空腔歸因於其較小特徵大小亦變得較難以實施。
圖3D為本發明之另一實施例的橫截面圖，其為圖3B及圖3C中所展示之實施例的特徵之組合。在圖3D中所展示之實施例中，圖3B之實施例的空腔340由背靠接地平面370之間隔層340'替換，並由傳導板342與344之間的帶狀線饋源320'替換微帶饋源。
圖3E為如沿著圖3A之線E-E截得的圖3A中所展示的本發明之實施例的橫截面平面圖。如平面圖中所見，饋源320跨位於張開部310下方但並不位於張開部330之間的切口380下方之槽330延伸。因而，饋源320驅動包括彼此相交且彼此間隔開之張開部310的輻射器。如圖3B中可見，微帶線320x經配置以驅動沿著x軸配置之第一輻射器，第一輻射器包括第一部分330x'及第二部分330x"。饋源320y在x及y方向上與饋源320x間隔開，且因此，在本發明之一些實施例中，可位於與饋源320x相同之平面中(例如，饋源320y可具有與饋源320x相同之z座標)。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D及圖3E之實施例良好 地適於天線高度、輕型及較小容量並非至關重要考慮因素之較高頻率應用。
圖4A為實質上類似於圖3A中所說明之實施例的根據本發明之另一實施例的天線陣列之橫截面圖。圖4A中所展示之實施例與圖3A中所展示之實施例不同之處在於，兩個槽430位於每一張開部410下方。使用兩槽諧振器的本發明之實施例可尤其適於低剖面及重量最重要之應用。可藉由包括功率合併器以將阻抗自自由空間快速地下降至組件阻抗(通常為50歐姆)，使輻射部分402之高度顯著較短。舉例來說，可藉由設計張開部阻抗變換以自300歐姆變換至200歐姆而使張開部410之高度較短。又經由平行板區段將200歐姆之驅動點向下分割至單位胞元內之兩個推挽式諧振器區段，每一諧振器100歐姆。稍後將兩個100歐姆帶狀線饋源區段與無功功率分割器組合以提供最終50歐姆孔徑埠。此兩諧振器組配大大地減少孔徑高度。另外，較短之輻射器高度亦減少橫向極化耦合。
參看圖4A，兩槽輻射器包括輻射部分402，及由平行板層406與輻射部分402分離且經組配以沿著輻射路徑450發射電磁輻射之饋源部分404。輻射部分包括經配置以在張開部之間界定多個切口480之多個張開部410，其中輻射路徑450沿著切口480延伸。饋源部分404包括微帶饋源420，且微帶饋源420中之每一者包括第一饋源422及第二饋源424。如圖4A中所展示，饋源部分亦包括背靠空腔440之多個槽430，槽430中之每一者位於切口480與張開部410之 中心線(例如，虛線)之間。因此，槽430與中心線及切口480兩者間隔開。另外，如圖4A中所展示，單位胞元中之每一者包括兩個空腔背靠式槽430(例如，緊挨著切口480之左邊及右邊之空腔背靠式槽430)，且兩個槽430由同一饋源420驅動。饋源部分404經由平行板層306耦接至輻射部分402，使得自驅動電路施加至微帶饋源422及424之信號經由平行板區段406耦合至輻射部分402以輻射電磁能。另外，由輻射部分402接收之電磁波跨平行板層406耦接至微帶饋源422及424以由連接至微帶饋源420之接收電路處理。
另外，在此配置中，單一輻射元件或單位胞元(例如，如圖4A中所展示之兩個鄰近虛線之間)耦接至經組合以變為饋源420之兩個饋源422及424。假定饋源420中之每一者具有50Ω之電源阻抗，那麼，在饋源422及424處阻抗將為100Ω。在張開部410之下部部分(例如，鄰近層406之部分)處為200Ω。因而，可減少張開部410之高度，此係因為張開部經設計以自200Ω之阻抗變換至377Ω之自由空間阻抗，而非自100Ω至377Ω或甚至50Ω至377Ω。
在類似於參看圖3B所描述之實施例的本發明之另一實施例中，微帶饋源由接地板之間的帶狀線饋源替換，如圖4B中所展示。
在本發明之另一實施例中，以類似於關於以上圖3C所描述之實施例的方式之方式，圖4C說明圖4A之實施例的空腔440由背靠接地平面470之間隔層440'替換的實施例。
在類似於圖3D中所展示之實施例的本發明之另 一實施例中，如圖4D中所展示，圖4B之實施例的空腔440由背靠接地平面470之間隔層440'替換，且微帶饋源由接地板之間的帶狀線饋源替換。
圖4A、圖4B、圖4C及圖4D之實施例適於空間及重量約束並不允許具有高剖面之天線的較低頻率應用。
類似於上文關於圖3A所描述之實施例，天線400包括兩個分離之總成：輻射部分(亦通常被稱作輻射器)402及饋源部分或饋源404。可以多個方式建構輻射部分304，包括：附接至平面表面或具有類似佔據面積之薄片(覆面板)之經模製或機器加工3-D結構；或藉由連鎖輻射器印刷電路卡而形成之方格形結構。可使用標準多層列印佈線板(PWB或印刷電路板)製程製造饋源部分。可由可包括低介電發泡體層之平行板間隔層實體地分離輻射部分402與饋源部分404，或藉由使用位於輻射部分402與饋源部分304之間的各種點處之隔片進行分離(藉此在輻射器與饋源總成之間留下空氣或真空)。輻射部分402與饋源部分404之間的實體空間形成平行板層406。
在一個實施例中，0.5GHz至2GHz之設計已經模型化有4"(約10cm)之總高度，使用2.2"(約5.6cm)之晶格間距。根據另一實施例，0.5GHz至3.3GHz之設計為5.2"(約13cm)高，使用1.5"(約3.8cm)之晶格間距。
圖5A、圖5B及圖5C說明在如圖4A、圖4B、圖4C及圖4D中所說明的本發明之雙槽實施例中分別針對H平面、E平面及D平面掃描所計算的自0.25GHz至2.50GHz之 共極化***損耗。E(或H)型切割係針對在沿著E(或H)場平面掃描輻射之狀況。換言之，對於經垂直極化元件，垂直面為E平面，且水平面將為其H平面。如圖5A、圖5B及圖5C中所展示，至多以45度提供優異之掃描效能。
圖6A、圖6B及圖6C說明在如圖4A、圖4B、圖4C及圖4D中所說明的本發明之雙槽實施例中分別針對H平面、E平面及D平面掃描所計算的自0.25GHz至2.50GHz之不包括孔徑投影損耗的Cx極化***損耗。如圖6A、圖6B及圖6C中所展示，甚至在60度之情況下，Cx極化位準仍較低。
圖7A及圖7B說明在具有不同且較長輻射孔徑的上文所描述之0.5GHz至3.3GHz實施例中針對本發明之一個實施例所計算的共極化***損耗(正類似於圖5A、圖5B)。
在本發明之一個實施例中，張開部及輻射器由經金屬化模製(例如，射出模製)塑膠製成。可根據塑膠模製製程製造根據此等實施例之張開部及輻射器。在此實施例中，離散之經金屬化模製張開式頂部(例如，對應於張開部)結合至覆面板以形成輻射孔徑，且接著將覆面板結合於單獨地形成之饋源部分上。覆面板將為兩側上具有相同圖案(輻射元件之佔據面積)的薄介電層。多個電鍍式通孔將連接頂部與底部金屬圖案。此等經金屬化模製張開式頂部將變得以導電方式結合於此等圖案上。
雖然已結合某些例示性實施例描述本發明，但應理解，本發明並不限於所揭示實施例，而相反地，其意欲涵蓋包括於所附申請專利範圍及其等效物之精神及範疇內 的各種修改及等效配置。
300‧‧‧天線陣列
302‧‧‧輻射部分
304‧‧‧饋源部分
306‧‧‧平行板層/平行板區段
310‧‧‧張開部
320‧‧‧微帶饋源/微帶饋源線
330‧‧‧槽
340‧‧‧空腔
350‧‧‧輻射路徑
380‧‧‧切口

Claims (20)

  1. 一種經組配以發射電磁輻射之重合相位之雙極化天線陣列，該天線陣列包含：多個電磁輻射器，其配置成一網格，該等多個電磁輻射器界定多個切口，該等多個切口沿著該網格之一第一方向及一第二方向彼此互相隔開；一接地平面，其與該等電磁輻射器間隔開；一導電層，其安置於該等電磁輻射器與該接地平面之間，該導電層具有自該等切口側向地偏移的多個槽並與該等電磁輻射器間隔開且電氣絕緣，該等多個槽沿著該第一方向及該第二方向彼此互相隔開；以及多個饋源，該等饋源中之每一者跨越該等槽之一對應槽，並在該對應槽之一側處電氣連接至該導電層之一部分。
  2. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該接地平面與該導電層間隔開。
  3. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中一間隔層在該等多個槽與該接地平面之間。
  4. 如請求項3之重合相位之雙極化天線陣列，其中該間隔層填充有一介電材料。
  5. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中多個空腔在該等多個槽與該接地平面之間。
  6. 如請求項5之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等空 腔填充有一介電材料。
  7. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該導電層由一電氣絕緣平行板層與該等電磁輻射器間隔開。
  8. 如請求項7之重合相位之雙極化天線陣列，其中該電氣絕緣平行板層填充有一介電材料。
  9. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等槽中之一者位於該等切口中之鄰近者之間。
  10. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等槽中之兩者位於該等切口中之鄰近者之間。
  11. 如請求項10之重合相位之雙極化天線陣列，其中跨越該等槽中之一第一槽的該等饋源中之一第一者並聯地電氣耦接至跨越該等槽中之一第二槽的該等饋源中之一第二者，其中該第一槽鄰近該第二槽，且其中該第一槽及該第二槽在該等切口中之一切口的相對側上。
  12. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等電磁輻射器包含經金屬化模製塑膠張開部。
  13. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等饋源為微帶饋源。
  14. 如請求項1之重合相位之雙極化天線陣列，其中該等饋源為帶狀線饋源。
  15. 一種沿著多個輻射路徑發射電磁輻射之方法，該方法包含： 提供配置成一網格之多個電磁輻射器，該等多個電磁輻射器界定多個切口，該等多個切口沿著該網格之一第一方向及一第二方向彼此互相隔開；提供與該等電磁輻射器間隔開之一接地平面；在該等電磁輻射器與該接地平面之間提供一導電層，該導電層具有自該等切口側向地偏移的多個槽並與該等電磁輻射器間隔開且電氣絕緣，該等多個槽沿著該第一方向及該第二方向彼此互相隔開；提供多個饋源，該等饋源中之每一者跨越該等槽之一對應槽，並在該對應槽之一側處電氣連接至該導電層之一部分；以及將多個電磁信號供應至該等饋源。
  16. 如請求項15之發射電磁輻射方法，其中該等槽中之兩者位於該等切口中之鄰近者之間。
  17. 如請求項16之發射電磁輻射方法，其中跨越該等槽中之一第一槽的該等饋源中之一第一者與跨越該等槽中之一第二槽的該等饋源中之一第二者並聯地電氣耦接，其中該第一槽鄰近該第二槽，其中該第一槽及該第二槽在該等輻射路徑中之一輻射路徑的相對側上，且其中將該等電磁信號中之同一電磁信號供應至第一微帶線或帶狀線饋源及第二微帶線或帶狀線饋源。
  18. 如請求項15之發射電磁輻射方法，其中該等饋源為微帶饋源。
  19. 如請求項15之發射電磁輻射方法，其中該等饋源為帶狀線饋源。
  20. 如請求項15之發射電磁輻射方法，其進一步包含在該等多個槽與該接地平面之間提供一間隔層或多個空腔。
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