TWI551952B - Ｅｕｖ微影系統 - Google Patents

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尹戈爾 古瑞維契
烏杜 丁傑
馬可斯 赫夫
拉爾斯 維舒邁爾
史帝芬 凱爾納
馬可斯 帝俊瑟
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卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
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Description

EUV微影系統
本發明有關一種EUV微影系統，其可用於藉由使用EUV輻射，將要成像的結構(又稱為遮罩(mask)或光罩(reticle))成像於輻射敏感結構(radiation-sensitive structure)(又稱為光阻(resist))上，以製造微型化組件。EUV輻射為紫外線幅射，尤其具有極紫外線(EUV)之範圍的波長，例如，具有5 nm至30 nm之範圍的波長。
從EP 1 202 101 A2知悉的EUV微影系統包含：成像光學器件(imaging optics)，用以成像一物體平面(object plane)(其中配置要成像的一結構)於一影像平面(image plane)(其中配置一輻射敏感結構)中；一EUV輻射源；及一第一反射鏡系統，其在一EUV光束路徑(EUV beam path)中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座(base)及複數個固定於該基座的反射鏡元件，該等反射鏡元件的反射鏡表面具有凹面形狀，及可調整該等反射鏡元件相對於該基座的定向(orientation)，以使照在要成像之該結構上之EUV輻射的角分布(angular distribution)能夠有不同的設定。
問題在於，相對於該反射鏡系統之基座調整該反射鏡系統之該複數個反射鏡元件，使得達成所要的角分布設定且在EUV微影系統操作期間亦能維持此設定。
因此，本發明之目的在於提出上文概述之類型的微影系統，其可偵測一反射鏡系統(在一EUV光束路徑中配置於一EUV輻射源及要成像之一結構之間)之至少一些反射鏡元件相對於該反射鏡系統之一基座的多個定向。
一EUV微影系統的具體實施例包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑(monitor beam path)，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中具有：一成像光學器件，用以成像一物體平面(其中配置要成像的一結構)於一影像平面(其中配置一輻射敏感結構)中；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個反射鏡元件，其中可分別調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向。
根據本文具體實施例，該EUV微影系統在該監測光束路徑中另外包含：至少一個監測輻射源；一屏幕(screen)；該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該監測輻射源及該屏幕之間；及一偵測器，其用以按照空間解析方式(spatially resolved manner)偵測照在該屏幕上的輻射強度；其中該監測輻射源、該第一反射鏡系統及該屏幕係相對於彼此配置，使得以下為真：複數個該等反射鏡元件之每一者產生該監測輻射源之一影像在指派給相應反射鏡元件之一影像平面中；在指派給該等反射鏡元件之該等影像平面及該屏幕之間的多個距離具有一最大距離；在複數個該等反射鏡元件之每一者及指派給該每一者的影像平面之間的多個距離具有一最小距離；及該最大距離小於該最小距離的一半。
複數個該等反射鏡元件分別產生該監測輻射源之一影像，為此目的，在該監測光束路徑中，可規定用於對應地使監測光線成形的透鏡元件及/或該等反射鏡表面可具有凹面形狀。該監測輻射源可為實質上點狀輻射源(punctiform radiation source)，但亦可為延伸輻射源(extended radiation source)。取決於利用一相應反射鏡元件成像該監測輻射源的品質，由該反射鏡元件產生之該監測輻射源的影像可為實質上點狀，也就是說，具有較小橫向範圍(lateral extent)，或其可具有例如一或複數個毫米的顯著橫向範圍。由該等反射鏡元件產生之該至少一個監測輻射源之影像的該等影像平面不必位在共用平面中。從產生該監測輻射源之影像之光線的方向中看過去，屏幕係配置在影像附近，因為在指派給該等反射鏡元件之該等影像平面及該屏幕之間的最大距離小於在該等影像平面及該等相應反射鏡元件之間的最小距離的一半。因此，利用該等反射鏡元件成像該至少一個監測輻射源的光線各在該屏幕上產生具有例如小於一或複數個毫米之較小範圍(與屏幕的直徑相比)的光點。以此方式在該屏幕上產生之光點的定位是該等反射鏡元件之定向的特性，因為該等反射鏡元件之一者的定向變更導致由該反射鏡元件在該屏幕上產生之光點的變更。光點可由該偵測器按照空間解析方式偵測，使得可從該偵測器的偵測信號決定該等反射鏡元件相對於該第一反射鏡系統之該基座的定向。
一EUV微影系統的進一步具體實施例包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中包含：成像光學器件，用以成像一物體平面(其中配置要成 像的一結構)於一影像平面(其中配置一輻射敏感結構)中；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個固定於該基座的反射鏡元件，其中可分別調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向；及其中該EUV微影系統在該監測光束路徑中包含：一或複數個監測輻射源；一偵測器；及該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該監測輻射源或該複數個監測輻射源及該偵測器之間；其中該偵測器為一全光鏡相機(plenoptic camera)。
與允許二維偵測光強度的相機相比，該全光鏡相機可偵測四維光場的光強度，其中除了可偵測兩個空間維度(如，x座標及y座標)之外，亦可偵測入射光的兩個角度大小(如，θ座標及φ座標)。所以，全光鏡相機不僅可以決定由該至少一個監測輻射源發射之光線照在該相機上的位置，還可以偵測由該至少一個監測輻射源發射之光線照在該相機上的角度。結果，可以指派偵測光給該第一反射鏡系統中已經反射此光線朝向該全光鏡相機的相應反射鏡元件。
根據一些具體實施例，該全光鏡相機可包含至少一個輻射敏感層(radiation-sensitive layer)及透鏡元件陣列，該等透鏡元件彼此並排配置，該透鏡元件陣列配置在離該輻射敏感層的一距離處。
根據例示性具體實施例，該一個監測輻射源或該複數個監測輻射源、該第一反射鏡系統及該全光鏡相機係相對於彼此配 置，使得該一個監測輻射源或該複數個監測輻射源係成像於透鏡元件陣列上，或使得該一個監測輻射源或該複數個監測輻射源的影像在該陣列之該等透鏡元件附近出現。尤其，在此情形中可達成以下條件：-複數個該等反射鏡元件產生該監測輻射源的多個影像在對應於相應該等反射鏡元件的該等影像平面中；-在對應於該等反射鏡元件之該等影像平面及配置該全光鏡相機之該透鏡元件陣列的一平面之間的多個距離具有一最大距離；-在複數個該等反射鏡元件之每一者及對應的該等影像平面之間的多個距離具有一最小距離；及-該最大距離小於該最小距離的一半。
如果特定監測輻射源的影像在一特定反射鏡元件處反射後在該全光鏡相機之透鏡元件陣列附近產生，則可藉由評估由該偵測器產生的偵測信號，首先確定產生該監測輻射源之影像的光在照在輻射敏感層上前通過該複數個透鏡元件的哪一個。考慮到該陣列之該等透鏡元件相對於該監測光束路徑之其餘組件的已知配置，可從中首先粗略決定該反射鏡元件的傾斜角(tilting angle)。藉由評估由該偵測器產生的偵測信號，接著可另外確定產生該監測輻射源之影像的光在該偵測器之輻射敏感層的哪一個位置產生光點。從此位置相對於光從中通過該陣列之該透鏡元件的定位，可首先從中明顯更精確地決定該反射鏡元件的傾斜角。
根據例示性具體實施例，該全光鏡相機包含一透鏡，其在 該監測光束路徑中配置於該第一反射鏡系統及該透鏡元件陣列之間。該等透鏡元件彼此並排配置且照在該陣列之該等透鏡元件上的光穿過的該等透鏡元件。
根據進一步具體實施例，一EUV微影系統包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中包含：一成像光學器件，用以將一物體平面(其中配置要成像的一結構)成像於一影像平面(其中配置一輻射敏感結構)中；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及多個固定於該基座的反射鏡元件，其中可分別調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向；及一第二反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該第一反射鏡系統之間或該第一反射鏡系統及物體平面之間，及其包含一基座及多個固定於該基座的反射鏡元件；及其中該EUV微影系統在該監測光束路徑中具有：複數個監測輻射源，其各配置於該第二反射鏡系統的彼此相鄰之該等反射鏡元件之間；一偵測器，用於偵測該第一反射鏡系統之該等反射鏡元件處反射的監測輻射；及該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該等監測輻射源及該偵測器之間。
將該等監測輻射源配置於該第二反射鏡系統的彼此相鄰反射鏡元件之間，可按照節省空間的方式將該監測光束路徑整合至該EUV光束路徑。
根據一些具體實施例，該第一反射鏡系統包含至少一個致 動器(actuator)，以變更至少一些該等反射鏡表面相對於該基座的定向。根據本文例示性具體實施例，該EUV微影系統包含一控制器(controller)，用以基於該偵測器之一輸出信號驅動該至少一個致動器。結果，可按照自動化方式設定該等反射鏡元件相對於該基座的所要定向。
根據該EUV微影系統的例示性具體實施例，該EUV光束路徑及該監測光束路徑可彼此獨立操作，使得亦在該EUV光束路徑操作(也就是說，將要成像的結構成像於該輻射敏感結構上)期間，可偵測及(視需要)校正該等反射鏡元件的多個定向。
根據一些具體實施例，該屏幕由該偵測器之一輻射敏感層提供。因此，由該等反射鏡產生的光點可在該屏幕上直接偵測，也就是說，不用在該屏幕及該偵測器之間添加進一步光學器件。
根據其他具體實施例，該屏幕包含一光散射層(light-scattering layer)，及該EUV微影系統另外包含成像光學器件，以將該光散射層成像於該偵測器之一輻射敏感層上。在此情形中，可將該等成像光學器件及該偵測器之輻射敏感層配置在該屏幕後面，使得通過該屏幕之光散射層的光成像於該偵測器上，及該等成像光學器件及該偵測器亦可配置在該屏幕前面，使得在該光散射層反射的光成像於該偵測器上。
根據本文例示性具體實施例，將該屏幕成像(由該等成像光學器件提供)於該偵測器的輻射敏感層上係縮倍成像，使得該屏幕為該等反射鏡元件產生之光點所照且成像於該偵測器上的區 域可明顯大於該偵測器之輻射敏感層的範圍。
根據一些具體實施例，該等反射鏡元件具有反射表面，其具有在平面圖中為拉長的形狀。舉例而言，反射表面在平面圖中的長度可比其寬度大五倍以上或十倍以上。
根據本文例示性具體實施例，該等反射鏡元件可依照彼此並排的列而配置，其中在該等列中的該等反射鏡表面的多個中心係配置在彼此相距小於反射鏡表面之長度的一距離處，及該等反射鏡元件所成之該等列的多個中心可配置在彼此相距大於或等於反射鏡表面之長度的一距離處。關於在可用面積內提供最大可能數目的反射鏡元件，規定該等反射鏡元件在該等列中配置接近一起，也就是說，彼此相距的可能距離最小，及規定至少一些該等列之反射鏡元件配置接近一起，也就是說，彼此相距的可能距離最小。
根據例示性具體實施例，該監測輻射源係用以產生複數個分離輻射束，其在彼此相距的一距離處照在該反射鏡系統上，其中該等輻射束之每一者照在該反射鏡系統的一或複數個反射鏡元件上，及其中從該輻射束所照反射鏡元件之縱向上(longitudinal direction)所見輻射束的一橫向範圍(lateral extent)小於該反射鏡元件的長度。結果，該反射鏡元件的反射表面總面積只有一部分促使將監測輻射源成像於利用反射鏡元件之反射產生之監測輻射源的影像中。由於成像孔徑(aperture)之此限制，得以減少成像的成像像差(imaging aberration)，因而在該屏幕上形成尺寸減少的光點。這又使得在該屏幕上產生的大量光 點不會互相重疊，及因此可更清楚地及/或更精確地決定其定位。
根據一些具體實施例，該至少一個監測輻射源包含複數個彼此並排配置的輻射源。該複數個彼此並排配置的輻射源亦可利用該等反射鏡元件成像及在該屏幕上產生光點。這在延伸的屏幕上首先造成光點數量增加，因為每個個別反射鏡元件在該屏幕上產生對應於輻射源數目的光點數目。
在此情形中，甚至在延伸屏幕的一小部分中，可由每個反射鏡元件產生至少一個光點，但在此情形中，這些光點接著由從不同光源而來的光線產生。因此，該屏幕之此較小部分已經含有決定該等反射鏡元件之定向所需的所有資訊，結果足以利用該偵測器按照空間解析方式偵測僅照在該屏幕之相對較小部分上的輻射強度。藉此明顯減少該屏幕之範圍，及尤其可直接使用較小的空間解析偵測器作為屏幕。
根據例示性具體實施例，反射鏡元件的數目及因此在該屏幕上產生之光點的數目較大，而在該屏幕上產生之該等光點的範圍並非這麼小，以在所有操作情況下避免兩個或多個光點在該屏幕上重疊。如果一或複數個光點在該屏幕上重疊，便不容易指派該屏幕上按照空間解析方式對特定反射鏡元件清楚地偵測之光點的定位。
因此，根據特定具體實施例，規定該複數個監測輻射源各發射預定波長範圍之輻射，及至少兩個輻射源的波長範圍彼此不同。舉例而言，波長範圍可具有寬度小於100 nm或小於50 nm，及由兩個不同輻射源發射之輻射的波長範圍中心可相差多於20 nm、多於50 nm或多於100 nm。接著可使用例如波長敏感偵測器(wavelength-sensitive detector)，諸如彩色相機，對光點進行空間解析偵測。如果由兩個不同反射鏡元件從兩個不同輻射源的光產生的兩個光點接著在該屏幕上部分重疊，考慮到所偵測的個別光點色彩，仍可清楚地決定其在該屏幕上的定位。
根據其他具體實施例，規定該複數個輻射源各以預定時間性強度調變(predetermined temporal intensity modulation)發射其輻射，其中至少兩個輻射源的時間性強度調變彼此不同。舉例而言，可利用按照強度調變方式以例如1000 Hz、100 Hz或10 Hz的預定頻率發射的每個輻射源，達成彼此不同的強度調變。在此情形中，所有輻射源可以相同頻率調變輻射強度，只要這不是同步進行，而是按照相移方式進行。另外，每個輻射源可以使用不同頻率調變其發射的輻射強度。
根據進一步具體實施例，輻射源發射之輻射強度的調變被規定可與提供由該複數個輻射源之至少一些輻射源所發射之輻射的不同波長範圍相結合。
根據進一步具體實施例，該監測輻射源利用一或複數個輻射源，產生各照在反射鏡系統之複數個或所有該等反射鏡元件上及由該等反射鏡元件反射的輻射束，其中利用全光鏡相機偵測由該等反射鏡元件反射之監測輻射。在此具體實施例中，複數個監測輻射源各亦可發射預定波長範圍的輻射及至少兩個輻射源的波長範圍彼此不同，或/及該複數個監測輻射源各以預定 時間性強度調變發射其輻射，其中至少兩個輻射源的時間性強度調變彼此不同，如上文已經解說。
該EUV微影系統可提供及定義該EUV光束路徑的組件，也就是說，EUV輻射源、要成像的結構、該輻射敏感結構、該等成像光學器件、該第一反射鏡系統、及視需要進一步反射鏡各固持在共用載體(common carrier)上，及可相對於共用載體調整以設定所要定位(position)及/或其定向。為決定該第一反射鏡系統相對於此共用載體的定位及/或定向，根據進一步具體實施例之EUV微影系統包含：成像光學器件，用以成像一物體平面(其中配置要成像的一結構)於一影像平面(其中配置一輻射敏感結構)中；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在一EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及多個固定於該基座的反射鏡元件，及可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的定向；一干涉計(interferometer)，其具有一測量臂(measuring arm)；一監測反射鏡，其固定於該第一反射鏡系統之基座；及一全像片(hologram)，其在該測量臂的光束路徑中配置於該反射鏡及該干涉計之間。在此情形中，該干涉計及該全像片的組件可固定於共用載體。在干涉計中，已穿過該測量臂(其中配置該全像片及固定於該第一反射鏡系統基座的該反射鏡)的輻射與已穿過該干涉計之參考臂(reference arm)的輻射疊置。疊置輻射導致可由該干涉計之一偵測器偵測及分析的干涉圖案。從干涉圖案的分析，可決定反射鏡及因此該第一反射鏡系統之基座相對於共用載體的定位及定向。取決於因此決定的定位及定向，可確認變更該第一反射鏡系統之基座相對於共用載體或相對於該等成像光學器件之物體平面的定位及 定向的致動器。所以，可以特別高的精確性調整該第一反射鏡系統相對於該EUV微影系統其餘組件的定位及定向。
根據一些具體實施例，提供一干涉計、一全像片及一固定於反射鏡基座的反射鏡，該反射鏡亦對EUV光束路徑中不同於上述第一反射鏡系統的其他反射鏡基座偏轉(deflect)EUV光束路徑。
在下文描述的例示性具體實施例中，儘可能以相同的參考數字指定功能及結構相同的組件。因此，為瞭解特定具體實施例之個別組件的特徵，應參考本發明之其他具體實施例及「發明內容」的說明。
圖1以示意圖顯示EUV微影系統1，及用來說明EUV微影系統的EUV光束路徑3。微影系統1的EUV光束路徑3用來成像要成像的結構5，其表面配置於微影系統1的物體平面7中。為此目的，以EUV輻射源9產生的EUV輻射照射要成像的結構5。EUV輻射源9可例如為電漿輻射源，其發射例如5 nm至15 nm之波長範圍的EUV輻射。在收集反射鏡(collector mirror)11處以準直方式(collimated fashion)反射由EUV輻射源所發射的一部分輻射，結果，該一部分輻射照在包含基座15及複數個固定於基座15之反射鏡元件17的第一反射鏡系統13上。在反射鏡元件17反射的EUV輻射照在包含基座21及複數個固定於基座21之反射鏡元件23的第二反射鏡系統19上。在反射鏡元件23反射的EUV輻射直接被引導於要成像的結構5 上，或在一或複數個其他反射鏡反射後間接被引導於要成像的結構5上。在圖解的例示性具體實施例中，在反射鏡元件23反射的EUV輻射在三個反射鏡25、26及27(在EUV光束路徑中一個接著一個配置在其後)反射後，被引導至要成像的結構5上。
在圖2的平面圖中示意性圖解第一反射鏡系統13。反射鏡元件17的反射鏡表面在平面圖中具有拉長的彎曲形狀，其中反射鏡元件17之反射鏡表面的寬度b比反射鏡表面的長度l小五倍以上，尤其小十倍以上。在圖解的實例中，反射鏡元件17彼此緊密並排配置成四列14，使得反射鏡元件17的反射鏡表面儘可能完全地填滿反射鏡元件所佔的面積。反射鏡表面的中心在每個列14中配置在彼此相距明顯小於反射鏡表面之長度l及等於或稍微大於反射鏡表面之寬度b的一距離處。列14的中心配置在彼此相距等於或稍微大於反射鏡表面之長度l的一距離處。
EUV光束路徑3係組態成EUV輻射各照射所有反射鏡元件17的整個反射鏡表面，及在所有反射鏡元件17反射的EUV輻射在物體平面7的單一場中疊置，由於反射鏡元件17光學成像於物體平面7上，該單一場具有對應於單一反射鏡元件17之形狀的形狀，結果，所有反射鏡元件17促進在物體平面7中照射具有長度比寬度大之彎曲形狀的單一場，其中照射場(illuminated field)明顯小於反射鏡元件17的反射鏡表面。
反射鏡系統13具有多個致動器31(圖2中僅舉例圖解其中兩個)，以變更複數個或所有反射鏡元件17之反射鏡表面相對於基座15的定向。控制器33經由控制線34控制致動器31。致 動器31由控制器33致動，以設定EUV輻射照在物體平面7上的所要角分布。有關此設定角分布的背景資訊請見EP 1 202 101 A2及DE 10 2009 054 540.9，其揭示內容在本申請案中以其所有範圍併入。
如從圖3可見，圖解例示性具體實施例之第二反射鏡系統19的反射鏡元件23具有正方形形狀的反射鏡表面。也可以使用其他形狀的反射鏡表面。反射鏡元件23亦可利用致動器(圖3未圖解)調整其相對於反射鏡系統19之基座21的定向，結果，在第一反射鏡系統15之反射鏡元件17反射的EUV輻射在第二反射鏡系統19的反射鏡元件23反射後，照在物體平面7中要照射的場上。
EUV微影系統1另外包含成像光學器件37，其在EUV光束路徑3中配置於物體平面7及影像平面39之間，可在該影像平面39中配置輻射敏感結構41的表面，及利用成像光學器件37將要成像的結構5成像於該影像平面39上。為此目的，成像光學器件37包含複數個反射鏡43、44、45、46、47及48，EUV輻射在要成像的結構5反射後繼而在該複數個反射鏡反射。雖然圖解例示性具體實施例的成像光學器件37具有六個沿著成像光學器件37之光軸49配置的反射鏡43至48，其他成像光學器件的實例可包含較多數或較少數的反射鏡，以成像物體平面7於影像平面39中。
圖4以示意圖顯示EUV微影系統1的監測光束路徑51。監測光束路徑51用來決定第一反射鏡系統13之反射鏡元件17的 反射鏡表面相對於其基座15的定向。為此目的，EUV微影系統1包含監測輻射源53，其用以引導監測輻射的複數個輻射束55於反射鏡系統13的反射鏡元件17上。在圖解實例中，由半導體雷射57或發光二極體產生的監測輻射係耦合至光纖59中及在光纖末端60從光纖59出現。
從光纖59出現的監測輻射利用透鏡元件61準直及由繞射光學元件63分成複數個輻射束，該等輻射束被透鏡元件系統65引導於反射鏡系統13的反射鏡元件17上。由於將監測輻射分成複數個輻射束55，監測輻射未照在反射鏡元件17之反射鏡表面上的整個區域上。在圖2中，斜線矩形69代表輻射束55在反射鏡元件17之反射鏡表面18上的橫截面。可看到輻射束的寬度c小於反射鏡元件17之反射鏡表面18的長度l。
反射鏡元件17的反射鏡表面反射照射的監測輻射並集中此輻射以形成出現在屏幕71上的個別光點。屏幕經設計可散射光且例如由乳白玻璃組成。反射鏡元件17之每一者在屏幕71上產生以監測輻射照射的光點，及光點在屏幕71上的定位取決於相關聯反射鏡元件17相對於反射鏡系統13之基座15的定向。成像光學器件73係配置在屏幕71後面，並將屏幕71成像於CCD相機晶片77的輻射敏感層75上。此成像可為縮倍，結果，可具有直徑數公分的屏幕71可被完全成像於可購得的相機晶片77上，該相機晶片可具有直徑小於一公分。
由相機晶片77偵測的影像係輸出至控制器33。控制器33可關於影像中的輻射強度分布分析每個影像，且因此決定在屏 幕上產生之監測輻射光點的定位。繼而從這些定位，控制器33可決定反射鏡元件17相對於反射鏡系統13之基座15的定向。如果這些定向不對應於所要定向，控制器33可驅動致動器31(圖2)以產生所要的反射鏡元件定向。
圖5是表示監測輻射之光束路線的示意透視圖，其中將相應監測輻射的光束路徑表示為反射鏡系統13之每個反射鏡元件17的線。
圖6是說明監測輻射源53、反射鏡元件17及屏幕71間之幾何關係的示意圖。在圖6中，將監測輻射源53圖解為引導監測輻射之輻射束於舉例圖解之三個反射鏡元件171、172、173上的點源。反射鏡元件171、172、173各具有凹面彎曲反射鏡表面18，其分別在指派給反射鏡表面的平面811、812、813上產生監測輻射源53的影像。影像平面811、812、813未必位在共用平面中。然而，屏幕71係配置在影像平面811、812、813附近，因為實現以下性質：在反射鏡元件171、172、173及由相應反射鏡元件171、172、173產生的影像平面811、812、813之間的距離可彼此不同且在圖6中分別指定為A1、A2及A3。這些距離具有最小值，即圖6圖解中的距離A2。影像平面81繼而與屏幕71具有不同距離，這在圖6中分別指定為B1、B2及B3。這些距離具有最大值，即圖6圖解中的距離B1。此最大距離B1小於最小距離A2的一半，及尤其小於最小距離A2的四分之一。實際上，影像平面81全部可位置極為接近屏幕，並可與屏幕表面重合。在此情形中，監測輻射在屏幕71上產生的光點特別小，使得兩個光點互相重疊的機率特別低。被引導於反射鏡元件17 上之監測輻射的橫截面69(圖2)小於反射鏡元件之長度l的事實亦促成此機率特別低。結果，減少在成像理想點狀監測輻射源53於屏幕上期間的成像像差，及同樣減少在屏幕上產生之光點的範圍。
不過，在屏幕71上產生的光點具有有限直徑，及考慮到反射鏡元件17的數目較多，兩個或多個光點在屏幕上重疊的機率確實存在。但在儘可能精確地決定屏幕71上重疊光點的定位、及接著指派這些定位給相關聯反射鏡元件、及最後決定其定向上還是有問題。
雖然在圖4的實例中圖解將屏幕縮倍成像於相機77上，但仍希望例如藉由定位相機晶片使得其輻射敏感層配置在圖4中圖解之屏幕71的定位處及執行該屏幕的功能，省掉此成像而直接決定經由監測輻射在屏幕上產生的光點。然而，實際上，在屏幕71之定位中的光點分布在如此大的區域之上，使得相對應大小的相機晶片變得非常昂貴或無法購得。以下參考圖7a及7b解說一個解決此問題的可能方法。
圖7a在反射鏡系統13之反射鏡元件的平面圖中示意性顯示監測光束路徑51的圖解。實質上點狀監測輻射源53在反射鏡元件反射後，在屏幕71上產生多個光點91，其中在圖7a中僅舉例圖解一些產生的光點91及其相關聯光線。光點91按照在具有直徑D1之屏幕71上分布的方式配置。為了能夠決定每個反射鏡元件17的定向，必須偵測所有光點91在屏幕71上的定位，為此目的，需要將屏幕71的整個直徑D1成像於偵測器 上，或需要在具有較大直徑D1之屏幕71的定位處配置偵測器。
圖7b顯示具有複數個監測輻射源53之EUV微影系統的進一步具體實施例。監測輻射源53彼此並排及在彼此相距的橫向距離處配置，且各引導其光(若適當，則作為輻射束，此輻射束在反射鏡元件位置的直徑小於反射鏡元件的長度)於反射鏡元件上，然後在屏幕71上產生光點91。與圖7a中的實例相比，圖7b中在屏幕71上的光點數目乘以輻射源53的數目。每個反射鏡元件在屏幕71上產生對應於光源53之數目的光點91之數目。然而，反射鏡元件產生的光點彼此橫向偏移，因為該複數個光源53亦配置在彼此並排的一距離處。圖7b中的圓圈71’表示其中所配置的所有光點91從單一輻射源53發出且經由所有反射鏡元件反射的區域。該等圓圈71’相對於彼此偏移，因為輻射源53亦配置在彼此相距的一距離處。圖7b中的圓圈72表示屏幕之比該屏幕直徑小的區域，及其中配置來自所有反射鏡元件17的光點91，然而，這些光點係由在反射鏡元件反射及從不同光源53出現的監測輻射產生。由於在圓圈72內，每個反射鏡元件17產生一個光點91，故為了決定所有反射鏡元件的定向，足以僅成像比屏幕71直徑小的區域72於偵測器上，或在屏幕71的定位處配置具有直徑對應於圓圈72之直徑的偵測器。
由於圖7b實例中在屏幕71上之光點91的數目增加，也增加兩個或多個光點在屏幕上重疊的機率，因而很難決定光點在屏幕上的定位及指派定位給特定反射鏡元件。為了解決此問題，規定該複數個輻射源53發射不同波長範圍的監測輻射。因此，其中輻射源發射的波長範圍可兩兩彼此不同，使得總共以 對應於輻射源數目之波長範圍數目發射監測輻射。同樣也可以形成監測輻射源的群組，其中在群組間的波長範圍係兩兩彼此不同。接著，取決於從中出現產生光點之監測輻射的輻射源，不同色彩的光點出現在屏幕上。因而偵測器較佳設計為對波長敏感，或視情況在圖4所示該等成像光學器件77的光束路徑中，在屏幕及偵測器之間配置不同阻斷濾鏡(barrier filter)，其中阻斷濾鏡僅傳輸特定監測輻射源產生的監測輻射。所以，可將甚至是屏幕上由不同監測輻射源產生的互相重疊光點清楚地指派給其相關聯的反射鏡元件。
作為其補充或替代，輻射源53之每一者亦可以時間性強度調變發射其監測輻射。在此情形中，所有輻射源的強度調變可兩兩彼此不同，或可形成輻射源的群組，其中每個群組中的強度調變相同，但在每個群組之間則兩兩彼此不同。對於每個監測輻射源的已知時間性強度調變而言，利用偵測影像的時間解析分析，可指派所偵測光點給相關聯的監測輻射源或監測輻射源的群組。
圖8顯示監測光束路徑51之進一步具體實施例的示意圖，其可在參考圖1至圖3解說的EUV微影系統中實現。全光鏡相機85配置在圖8所示的監測光束路徑51中，以偵測由監測輻射源53產生及在反射鏡元件17反射的監測輻射。
為此目的，全光鏡相機85包含：相機透鏡87，其可包含個別透鏡元件或由複數個透鏡元件構成的透鏡元件系統；具有輻射敏感層86的相機晶片77；及配置在相機晶片77及透鏡87 之間的微透鏡元件89的陣列，該陣列配置在平面71中。在微透鏡元件89及輻射敏感層86之間的距離可對應於微透鏡元件89的焦距，不過亦可選擇更大或更小的距離。另外，全光鏡相機可以沒有分離的透鏡87，及在反射鏡元件17反射的光線可直接照在微透鏡元件89的陣列上。陣列中微透鏡元件89的數目可在100個以上、1000個以上或10000個以上。相機晶片77為空間解析且可為CCD晶片，例如，其具有大於陣列中微透鏡元件89之數目的像素數目。舉例而言，像素的數目可大於微透鏡元件89的數目10倍以上、100倍以上或1000倍以上。圖8中的線91表示部分在微透鏡元件89及輻射敏感層86之間延伸的桶狀管(barrel-like tube)，以限制穿過微透鏡元件89及照在輻射敏感層86上之輻射的角範圍，或減少輻射敏感層86分別指派給微透鏡元件89的區域93之間的串擾(crosstalk)。然而，未必要提供此分隔物91。
監測光束路徑51的組件可相對於彼此進行組態及定向，使得監測輻射源53的影像出現在平面71中或在平面71附近。此即例如當實現上文參考圖6解說的幾何關係時的情況，其中圖8中的參考符號71並非指示屏幕，而是其中配置全光鏡相機之微透鏡元件89之陣列的平面的定位。
圖8顯示從兩個輻射源53出現的例示性光線93在該複數個反射鏡元件17之兩者處反射及照在全光鏡相機85之微透鏡元件89的陣列上。在此情形中，以虛線方式圖解以相對於垂直的極大角度照在微透鏡元件89之陣列上及為壁91所吸收且因此未被偵測的光線，而以實線圖解由微透鏡元件89引導於輻射 敏感層86上的光線93。
由微透鏡元件89之一者引導於輻射敏感層86上的光線在的輻射敏感層86上產生光點，光點在區域93中的定位取決於相對於相關聯微透鏡元件89的定位，在此定位處或其附近產生相對應監測輻射源53之影像。因此，從所偵測光點的定位，可以推論監測輻射源53之影像在平面71的定位，及從此又可推論相關聯反射鏡元件的傾斜角。因為監測輻射源53之影像在平面71中的定位由於微透鏡元件造成的較小變更導致所偵測光點在輻射敏感層上之定位的較大變更，可以此方式以相對較高的精確性偵測反射鏡元件的傾斜角。
圖8中僅圖解兩個光源53。然而，可在監測光束路徑51中配置明顯更多輻射源。在此情形中，該複數個輻射源53可發射具有不同波長及/或具有不同時間性強度調變的監測輻射，藉此有利於指派所偵測監測輻射給個別輻射源53及反射鏡元件17，如上文已經解說。
圖8另外顯示可將監測光束路徑51與EUV光束路徑整合成監測光束路徑佔用相對於EUV光束路徑的較小額外結構空間。明確地說，監測輻射源53係配置在EUV光束路徑之另一反射鏡系統19的相鄰反射鏡元件之間。在此情形中，輻射源53例如可配置在存在於相鄰反射鏡元件23的間隙之間，或如果在反射鏡元件23之間沒有足夠大的間隙，則可省略個別反射鏡元件並以監測輻射源53取代之。
例如，可利用光學波導(optical waveguide)的纖維末端(其將遠端配置之輻射源的光導引至反射鏡元件23之間的位置)實現監測輻射源53，結果，光從纖維末端朝向要測量的反射鏡元件17發射，及纖維末端因此用作監測輻射源的個別光源。
圖9以示意圖顯示EUV微影系統1之進一步具體實施例的細節，其可具有參考圖1解說之微影系統的類似構造，及其包含反射鏡系統13，該反射鏡系統具有固定於反射鏡系統之共用基座15的多個反射鏡元件17。反射鏡系統13又固定於EUV微影系統中的共用載體101，且可調整反射鏡系統13相對於該共用載體的定位及定向，如圖9中的箭頭103所示。EUV微影系統1的更多組件固定於載體101，諸如要成像之結構的底座、輻射敏感結構的底座、成像光學器件及EUV輻射源的組件。將以極高的準確性實現反射鏡系統13相對於載體101及因此相對於EUV微影系統1之其餘組件的定位及定向。
雖然已參考圖1至圖8解說調整反射鏡系統之反射鏡元件相對於反射鏡系統之基座的定向的例示性具體實施例，但將參考圖9至圖12解說可整個定位反射鏡系統13(即其基座15相對於載體101)之EUV微影系統的具體實施例。為此目的，EUV微影系統1包含：干涉計105，其包含產生測量光束的相干光源；分光器(beam splitter)，以將測量光束分成參考臂及測量臂；及偵測器，以偵測藉由疊置已經穿過參考臂的輻射與已經穿過測量臂的輻射所產生的干涉圖案。干涉計105係固定於載體101。全像片107同樣固定於載體101，干涉計105之測量臂中輸出的測量輻射109穿過此全像片。全像片是一種繞射光學元 件，其例如可利用在電腦上計算及例如借助電子束裝置製作而生產。全像片107與固定於反射鏡系統13之基座15的反射鏡111協調(coordinate)。干涉計105之測量臂的輻射109在反射鏡111反射、再次穿過全像片107及然後與干涉計105之參考臂的輻射疊置。反射鏡111相對於全像片107的微小位移導致可測量由干涉計105之偵測器所偵測干涉圖案的變更，結果，利用干涉計105可偵測反射鏡系統13之基座15相對於載體101的微小位移或定位誤差。
圖10顯示全像片107的平面圖，其具有複數個功能區域115及117。在功能區域中，全像片的繞射結構以如此一方式形成，致使其按照特定方式繞射照射的測量輻射。這可從圖11及圖12的橫截面中看出。
圖11顯示反射鏡111具有兩個功能區域1111及1112，其中反射鏡表面在區域1111中具有球面形狀，及反射鏡表面在區域1112中具有非球面形狀。全像片107的功能區域115繞射平行入射測量輻射109，使得個別光線實質上正交地照在球面反射鏡表面111上並反射回到自己。全像片107的功能區域117繞射輻射109，使得焦點出現在非球面反射鏡表面的方式致使測量輻射同樣反射回到自己。對於反射鏡111相對於全像片107的輕微位移而言，不再符合上述測量輻射在正交地照在球面反射鏡表面1111上後反射回到自己或在非球面反射鏡表面1112上形成焦點的條件，這可從由干涉計105所偵測干涉圖的對應變更偵測出來。然後可利用致動器變更基座15相對於載體101的定位及/或定向，直到符合上述條件及所得干涉圖具有所要形狀。
儘管本發明已針對其特定例示性具體實施例來說明，但熟習本技術者顯然將明白許多替代選項、修改及變化。因此，本文所提出的本發明例示性具體實施例係用於解說而非以任何方式用來限制。因此，只要不脫離以下申請專利範圍中定義之本發明的精神與範疇，即可進行各種修改。
1‧‧‧EUV微影系統
3‧‧‧EUV光束路徑
5‧‧‧結構
7‧‧‧物體平面
9‧‧‧EUV輻射源
11‧‧‧收集反射鏡
13‧‧‧反射鏡系統
14‧‧‧列
15‧‧‧基座
17‧‧‧反射鏡元件
171、172、173‧‧‧反射鏡元件
18‧‧‧反射鏡表面
19‧‧‧第二反射鏡系統
21‧‧‧基座
23‧‧‧反射鏡元件
25-27‧‧‧反射鏡
31‧‧‧致動器
33‧‧‧控制器
37‧‧‧成像光學器件
39‧‧‧影像平面
41‧‧‧輻射敏感結構
43-48‧‧‧反射鏡
49‧‧‧光軸
51‧‧‧監測光束路徑
53‧‧‧監測輻射源
55‧‧‧輻射束
57‧‧‧半導體雷射
59‧‧‧光纖
60‧‧‧光纖末端
61‧‧‧透鏡元件
63‧‧‧繞射光學元件
65‧‧‧透鏡元件系統
69‧‧‧斜線矩形
71‧‧‧屏幕(圖4-7)/平面(圖8)
71'‧‧‧配置所有光點的區域
72‧‧‧比屏幕直徑小的區域
73‧‧‧成像光學器件
75‧‧‧輻射敏感層
77‧‧‧CCD相機晶片/空間解析偵測器
81‧‧‧影像平面
811、812、813‧‧‧影像平面
85‧‧‧全光鏡相機
86‧‧‧輻射敏感層
87‧‧‧相機透鏡
89‧‧‧微透鏡元件
91‧‧‧光點(圖7)/分隔物(圖8)/壁(圖8)
93‧‧‧區域(圖8)/光線(圖8)
101‧‧‧共用載體
103‧‧‧箭頭
105‧‧‧干涉計
107‧‧‧全像片
109‧‧‧測量輻射
111‧‧‧反射鏡
1111‧‧‧功能區域
1112‧‧‧功能區域
115‧‧‧功能區域
117‧‧‧功能區域
A1、A2、A3‧‧‧反射鏡元件及由相應反射鏡元件產生的影像平面之間的距離
b‧‧‧反射鏡表面的寬度
B1、B2、B3‧‧‧影像平面與屏幕的距離
c‧‧‧輻射束的寬度
D1‧‧‧直徑
l‧‧‧反射鏡表面的長度
從參考附圖的「實施方式」將更加明白本發明之上述及其他有利特徵。注意，並非所有可能的具體實施例必然展示每個及一切或任何本文所認為的優點。
圖1顯示根據一具體實施例之EUV微影系統之EUV光束路徑的示意圖；圖2顯示圖1之EUV微影系統之具有複數個反射鏡元件之反射鏡系統的平面圖示意圖；圖3顯示圖1之EUV微影系統之具有複數個反射鏡元件之另一反射鏡系統的平面圖示意圖；圖4顯示圖1所示EUV微影系統之監測光束路徑的示意圖；圖5顯示圖1所示EUV微影系統之監測光束路徑的透視示意圖；圖6顯示圖1所示EUV微影系統之監測光束路徑性質的示意圖；圖7a顯示圖1所示EUV微影系統之監測光束路徑的另一示意圖；圖7b顯示根據一進一步具體實施例之EUV微影系統之監測光束路徑對應於圖7a的圖解； 圖8顯示圖1所示EUV微影系統之監測光束路徑之另一具體實施例的示意圖；圖9顯示根據一進一步具體實施例之EUV微影系統細節的示意圖；圖10顯示圖9所示EUV微影系統之全像片的平面圖；圖11以沿著圖10的X-X線的截面顯示通過圖10所示全像片之光束路徑的示意圖；及圖12以沿著圖10的XI-XI線的截面顯示通過圖10所示全像片之光束路徑的示意圖。
1‧‧‧EUV微影系統
13‧‧‧反射鏡系統
14‧‧‧列
17‧‧‧反射鏡元件
18‧‧‧反射鏡表面
33‧‧‧控制器
51‧‧‧監測光束路徑
53‧‧‧監測輻射源
55‧‧‧輻射束
57‧‧‧半導體雷射
59‧‧‧光纖
60‧‧‧光纖末端
61‧‧‧透鏡元件
63‧‧‧繞射光學元件
65‧‧‧透鏡元件系統
71‧‧‧屏幕
73‧‧‧成像光學器件
75‧‧‧輻射敏感層
77‧‧‧CCD相機晶片

Claims (30)

  1. 一種EUV微影系統，其包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中包含：一成像光學器件，用以將一物體平面成像於一影像平面，其中要成像的一結構配置於該物體平面，一輻射敏感結構配置於該影像平面；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個固定於該基座的反射鏡元件，其中可分別調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向；及一第二反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該第一反射鏡系統之間或該第一反射鏡系統及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個固定於該基座的反射鏡元件；及其中該EUV微影系統在該監測光束路徑中包含：複數個監測輻射源，其分別配置於該第二反射鏡系統的彼此相鄰之該等反射鏡元件之間；一偵測器，用於偵測該第一反射鏡系統之該等反射鏡元件處反射的監測輻射；及該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該等監測輻射源及該偵測器之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之EUV微影系統，其中該第一反射鏡系統另外包含複數個致動器，以變更該等反射鏡表面之至少一些相對於該基座的定向。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之EUV微影系統，另外包含一控制器，其係用以基於該偵測器之一輸出信號控制該等致動器。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之EUV微影系統，其中該等反射鏡元件以一陣列配置成該等反射鏡表面依照複數個彼此相鄰配置的列而配置，其中在該等列中的該等反射鏡表面的多個中心配置在彼此相距小於該等反射鏡表面長度的一距離處，及其中該等列的多個中心配置在彼此相距大於或等於該等反射鏡表面長度的一距離處。
  5. 一種EUV微影系統，包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中包含：一成像光學器件，用以將一物體平面成像於一影像平面，其中要成像的一結構配置於該物體平面，一輻射敏感結構配置於該影像平面；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及多個固定於該基座的反射鏡元件，其中可分別調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向；及其中該EUV微影系統在該監測光束路徑中包含：至少一個監測輻射源；一屏幕；該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該監測輻射源及該屏幕之間；及 一偵測器，其用以按照空間解析方式偵測照在該屏幕上的輻射強度；其中該監測輻射源、該第一反射鏡系統及該屏幕係相對於彼此配置，使得以下為真：- 複數個該等反射鏡元件之每一者產生該監測輻射源之一影像在對應於相應反射鏡元件之一影像平面中；- 在對應於該等反射鏡元件之該等影像平面及該屏幕之間的多個距離具有一最大距離；- 在複數個該等反射鏡元件之每一者及對應的該影像平面之間的多個距離具有一最小距離；及- 該最大距離小於該最小距離的一半。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該偵測器包含提供該屏幕的一輻射敏感層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該屏幕包含一光散射層，及該EUV微影系統另外包含用以將該光散射層成像於該偵測器之一輻射敏感層上的成像光學器件。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該屏幕包含複數個透鏡元件，其彼此相鄰配置及其配置在離該偵測器之一輻射敏感層之一距離處，使得來自該監測輻射源照在該等透鏡元件上的光可橫跨(traverse)該等透鏡元件及照在該輻射敏感層上。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該第一反射鏡系統另外包含複數個致動器，以變更該等反射鏡表面之至少 一些相對於該基座的定向。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之EUV微影系統，另外包含一控制器，其係用以基於該偵測器之一輸出信號控制該等致動器。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該等反射鏡元件包含的該等反射鏡表面在平面圖中具有拉長形狀，及具有大於該反射鏡元件之寬度至少五倍的長度；其中該監測輻射源係用以產生複數個分離輻射束，其在彼此相距的一距離處照在該第一反射鏡系統上；其中該等輻射束之每一者照在該反射鏡系統的一或複數個反射鏡元件上；及其中每個輻射束在其所照該反射鏡元件的縱向上的一橫向延伸小於該反射鏡元件的長度。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該等反射鏡元件以一陣列配置成該等反射鏡表面依照複數個彼此相鄰配置的列而配置，其中在該等列中的該等反射鏡表面的多個中心配置在彼此相距小於該等反射鏡表面長度的一距離處，及其中該等列的多個中心配置在彼此相距大於或等於該等反射鏡表面長度的一距離處。
  13. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，其中該至少一個監測輻射源包含複數個彼此相鄰配置的輻射源。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之EUV微影系統，其中該等輻 射源分別發射一預定波長範圍的輻射及其中至少兩個輻射源的波長範圍彼此不同。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之EUV微影系統，其中該等輻射源分別發射預定時間性強度調變的輻射及其中至少兩個輻射源的時間性強度調變彼此不同。
  16. 如申請專利範圍第5項所述之EUV微影系統，另外包含一第二反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該第一反射鏡系統及該物體平面之間，及具有複數個固定於一共用基座的反射鏡元件，及可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的定向。
  17. 一種EUV微影系統，包含一EUV光束路徑及一監測光束路徑，其中該EUV微影系統在該EUV光束路徑中包含：成像光學器件，用以將一物體平面成像於一影像平面，其中要成像的一結構配置於該物體平面，一輻射敏感結構配置於該影像平面；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個固定於該基座的反射鏡元件，其中可調整該等反射鏡表面相對於該基座的多個定向；及其中該EUV微影系統在該監測光束路徑中包含：至少一個監測輻射源；一偵測器；及該第一反射鏡系統，其在該監測光束路徑中配置於該監測輻 射源及該偵測器之間；其中該偵測器為一全光鏡相機。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該全光鏡相機具有至少一個輻射敏感層及一透鏡元件陣列，該等透鏡元件彼此相鄰配置在離該輻射敏感層之一距離處。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之EUV微影系統，其中該至少一個監測輻射源、該第一反射鏡系統及該全光鏡相機係相對於彼此配置使得以下為真：- 複數個該等反射鏡元件之每一者產生該監測輻射源之一影像在指派給相應反射鏡元件之一影像平面中；- 在對應於該等反射鏡元件之該等影像平面及配置該全光鏡相機之該透鏡元件陣列的一平面之間的多個距離具有一最大距離；- 在複數個該等反射鏡元件之每一者及對應於該反射鏡元件的該影像平面之間的距離具有一最小距離；及- 該最大距離小於該最小距離的一半。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該全光鏡相機包含一透鏡，其在該監測光束路徑中配置於該第一反射鏡系統及該透鏡元件陣列之間，其中該等透鏡元件彼此並排配置。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該第一反射鏡系統另外包含複數個致動器，以變更該等反射鏡表面之至少一些相對於該基座的定向。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之EUV微影系統，另外包含一控制器，其係用以基於該偵測器之一輸出信號控制該等致動器。
  23. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該等反射鏡元件包含的該等反射鏡表面在平面圖中具有拉長形狀，及具有大於該反射鏡元件之寬度至少五倍的長度；其中該監測輻射源係用以產生複數個分離輻射束，其在彼此相距的一距離處照在該第一反射鏡系統上；其中該等輻射束之每一者照在該反射鏡系統的一或複數個反射鏡元件上；及其中每個輻射束在其所照該反射鏡元件的縱向上的一橫向延伸小於該反射鏡元件的長度。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該等反射鏡元件以一陣列配置成該等反射鏡表面依照複數個彼此相鄰配置的列而配置，其中在該等列中的該等反射鏡表面的多個中心配置在彼此相距小於該等反射鏡表面長度的一距離處，及其中該等列的多個中心配置在彼此相距大於或等於該等反射鏡表面長度的一距離處。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，其中該至少一個監測輻射源包含複數個彼此相鄰配置的輻射源。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之EUV微影系統，其中該等輻射源分別發射一預定波長範圍的輻射及其中至少兩個輻射源的波 長範圍彼此不同。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之EUV微影系統，其中該等輻射源分別發射預定時間性強度調變的輻射及其中至少兩個輻射源的時間性強度調變彼此不同。
  28. 如申請專利範圍第17項所述之EUV微影系統，另外包含一第二反射鏡系統，其在該EUV光束路徑中配置於該第一反射鏡系統及該物體平面之間，及具有複數個固定於一共用基座的反射鏡元件，及可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的定向。
  29. 一種EUV微影系統，包含：一成像光學器件，用以將一物體平面成像於一影像平面，其中要成像的一結構配置於該物體平面，一輻射敏感結構配置於該影像平面；一EUV輻射源；一第一反射鏡系統，其在一EUV光束路徑中配置於該EUV輻射源及該物體平面之間，及其包含一基座及複數個固定於該基座的反射鏡元件，及可分別調整該等反射鏡元件相對於該基座的定向；一干涉計，其具有一測量臂；一監測反射鏡，其固定於該第一反射鏡系統之基座；及一全像片，其在該測量臂的光束路徑中配置於該監測反射鏡及該干涉計之間。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之EUV微影系統，另外包含一 致動器，其係用以變更該第一反射鏡系統之該基座相對於該成像光學器件之物體平面的定位及/或定向。
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